一種像素驅(qū)動單元及其驅(qū)動方法、像素電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領域】，尤其涉及一種像素驅(qū)動單元及其驅(qū)動方法、像素電路。本發(fā)明的像素驅(qū)動單元通過在信號源電壓線輸入到每個發(fā)光器件的陽極之前，增設一個電容單元，實現(xiàn)了輸入到發(fā)光器件的陽極電位根據(jù)有機電致發(fā)光材料和結(jié)構(gòu)的不同，而得到不同的陽極電位，降低不必要的功耗損失，同時在相同發(fā)光狀態(tài)下，由于信號源電位相對較低，使得面板整體功耗大幅降低。
【專利說明】一種像素驅(qū)動單元及其驅(qū)動方法、像素電路
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領域】，尤其涉及一種像素驅(qū)動單元及其驅(qū)動方法、像素電路?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]目前電流型的有源矩陣有機發(fā)光二極管(Active Matrix Organic LightEmitting Diode，縮寫為AMOLED)顯示器件，其面板功耗主要與IC信號輸出的信號源電壓線與流經(jīng)有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,縮寫為0LED)的電流相關(guān)。其中在一定亮度下，流經(jīng)有機發(fā)光二極管的電流大小主要由有機電致發(fā)光材料與器件結(jié)構(gòu)相關(guān)，可以通過有機電致發(fā)光材料和器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化進行改進，從而降低AMOLED顯示面板功耗。目前現(xiàn)有技術(shù)中大部分是采用此類方法來進行面板功耗降低。
[0003]同時也有通過降低信號源電壓線到有機發(fā)光二極管路徑電阻的方式來降低信號源電壓線大小，實現(xiàn)顯示面板功耗降低。
[0004]現(xiàn)在有源矩陣有機發(fā)光二極管顯示器件的設計中，所有像素的陰極端和陽極端均分別相互連接，即所有像素的陽極端電位相同，所有像素陰極端信號相同；這樣從IC驅(qū)動電路的輸出端便只輸出一個陽極信號和一個陰極信號便可。傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中，直接將IC輸出的陽極信號和陰極信號，直接輸入到像素電極上。通過降低信號源電壓線到有機發(fā)光二極管路徑電阻的方式，來降低信號源電壓線大小，相對是非常有限的。
[0005]因此，針對以上不足，本發(fā)明提供了一種能最大程度上降低信號源電壓線進而實現(xiàn)顯示面板功耗降低的像素驅(qū)動單元及其驅(qū)動方法、像素電路。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006](一)要解決的技術(shù)問題
[0007]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題解決現(xiàn)有有源矩陣有機發(fā)光二極管顯示面板功耗高的問題。
[0008](二)技術(shù)方案
[0009]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動單元，包括多個像素驅(qū)動子單元和發(fā)光器件，所述每個像素驅(qū)動子單元包括補償電容和開關(guān)晶體管，所述補償電容在開關(guān)晶體管控制下進行充電用于驅(qū)動發(fā)光器件。
[0010]進一步的，所述補償電容的第一端與信號源電壓線連接，第二端與所述開關(guān)晶體管的漏極及發(fā)光器件的陽極端連接，開關(guān)晶體管的源極與參考電壓線連接，柵極與掃描信號線連接。
[0011]進一步的，所述開關(guān)晶體管為P型場效應晶體管或N型場效應晶體管。
[0012]進一步的，所述發(fā)光器件為有機電致發(fā)光二極管。
[0013]本發(fā)明實施例還提供一種上述像素驅(qū)動單元的驅(qū)動方法，包括:
[0014]復位階段，信號源電壓線輸出低電位，參考電壓線輸出高電位；掃描信號線開啟所述開關(guān)晶體管，使參考電壓線將參考電位加載至補償電容的第二端；[0015]發(fā)光階段，信號源電壓線輸出高電位，參考電壓線輸出低電位；掃描信號線關(guān)閉所述開關(guān)晶體管，信號源電壓線將工作電位加載至補償電容的第一端；補償電容釋放電荷至所述發(fā)光器件的陽極端，使所述發(fā)光器件發(fā)光。
[0016]進一步的，所述驅(qū)動方法包括多個復位階段和多個發(fā)光階段，所述復位階段和發(fā)光階段交替進行。
[0017]進一步的，所述驅(qū)動方法可以只包括一個復位階段。
[0018]進一步的，所述開關(guān)晶體管為P型場效應晶體管；在復位階段，所述掃描信號線輸出低電位，用以開啟所述開關(guān)晶體管；在發(fā)光階段，所述掃描信號線輸出高電位，用以關(guān)閉所述開關(guān)晶體管。
[0019]進一步的，所述開關(guān)晶體管為N型場效應晶體管；在復位階段，所述掃描信號線輸出高電位，用以開啟所述開關(guān)晶體管；在發(fā)光階段，所述掃描信號線輸出低電位，用以關(guān)閉所述開關(guān)晶體管。
[0020]本發(fā)明實施例還提供一種像素電路，包括上述任一項所述的像素驅(qū)動單元，還包括時序控制模塊，所述時序控制模塊連接所述掃描信號線，用于各所述掃描信號線的自動時序切換控制。
[0021](三)有益效果
[0022]本發(fā)明的上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點:本發(fā)明在信號源電壓線輸入到每個發(fā)光器件的陽極端之前，設有一個電容單元，實現(xiàn)了輸入到發(fā)光器件的陽極端電位根據(jù)有機電致發(fā)光材料和結(jié)構(gòu)的不同，而得到不同的陽極端電位，降低不必要的功耗損失，同時在相同發(fā)光狀態(tài)下，由于信號源電位相對較低，使得面板整體功耗大幅降低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是本發(fā)明實施例像素驅(qū)動單元的電路連接示意圖；
[0024]圖2是本發(fā)明實施例一像素驅(qū)動單元驅(qū)動方法的時序控制示意圖；
[0025]圖3是本發(fā)明實施例二像素驅(qū)動單元驅(qū)動方法的時序控制示意圖；
[0026]圖4是本發(fā)明實施例三像素驅(qū)動單元驅(qū)動方法的時序控制示意圖；
[0027]圖5是本發(fā)明實施例四像素驅(qū)動單元驅(qū)動方法的時序控制示意圖。
[0028]圖中，VDD:信號源電壓線；Vref:參考電壓線；T_con:時序控制模塊；Switch R:第一掃描信號線；Switch G:第二掃描信號線；Switch B:第三掃描信號線；C1:第一補償電容；C2:第二補償電容；C3:第三補償電容；R1:第一發(fā)光器件；R2:第二發(fā)光器件；R3:第三發(fā)光器件；M1:第一開關(guān)晶體管；M2:第二開關(guān)晶體管；M3:第三開關(guān)晶體管；T1:復位階段；T2:發(fā)光階段。
【具體實施方式】
[0029]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0030]本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動單元，包括多個像素驅(qū)動子單元和發(fā)光器件，所述每個像素驅(qū)動子單元包括補償電容和開關(guān)晶體管，所述補償電容在開關(guān)晶體管控制下進行充電用于驅(qū)動發(fā)光器件。[0031]具體的，所述像素驅(qū)動子單元包括補償電容和開關(guān)晶體管，所述補償電容的第一端與信號源電壓線連接，第二端與所述開關(guān)晶體管的漏極及發(fā)光器件的陽極端連接，開關(guān)晶體管的源極與參考電壓線連接，柵極與掃描信號線連接。
[0032]需要說明的是，圖中所示像素驅(qū)動單元包括三個像素驅(qū)動子單元，分別用于紅色子像素，綠色子像素和藍色子像素的驅(qū)動，當然對于其他結(jié)構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)，像素驅(qū)動單元還可以為多個，如包括四個像素驅(qū)動子單元，分別用于紅色子像素，綠色子像素、藍色子像素和黃色子像素的驅(qū)動等等，本發(fā)明不做限定。
[0033]如圖1所示，所述第一像素驅(qū)動子單元包括第一補償電容Cl和第一開關(guān)晶體管M1，所述第一補償電容Cl的第一端(即如圖所示的第一補償電容Cl的上端)與信號源電壓線VDD連接，第二端(即如圖所示的第一補償電容Cl的下端)與所述第一開關(guān)晶體管Ml漏極(即如圖所示的第一開關(guān)晶體管Ml的右端)及第一發(fā)光器件Rl的陽極端連接，第一開關(guān)晶體管Ml的源極(即如圖所示的第一開關(guān)晶體管Ml的左端)與參考電壓線參考電壓線Vref連接，第一開關(guān)晶體管Ml的柵極(即如圖所示的第一開關(guān)晶體管Ml的下端)與第一掃描信號線Switch R連接；
[0034]所述第二像素驅(qū)動子單元包括第二補償電容C2和第二開關(guān)晶體管M2，所述第二補償電容C2的第一端(即如圖所示的第二補償電容C2的上端)與信號源電壓線VDD連接，第二端(即如圖所示的第二補償電容C2的下端)與所述第二開關(guān)晶體管M2漏極(即如圖所示的第二開關(guān)晶體管M2的右端)及第二發(fā)光器件R2的陽極端連接，第二開關(guān)晶體管M2的源極(即如圖所示的第二開關(guān)晶體管M2的左端)與參考電壓線參考電壓線Vref連接，第二開關(guān)晶體管M2的柵極(即如圖所示的第二開關(guān)晶體管M2的下端)與第二掃描信號線SwitchG連接；
[0035]所述第三像素驅(qū)動子單元包括第三補償電容C3和第三開關(guān)晶體管M3，所述第三補償電容C3的第一端(即如圖所示的第三補償電容C3的上端)與信號源電壓線VDD連接，第二端(即如圖所示的第三補償電容C3的下端)與所述第三開關(guān)晶體管M3漏極(即如圖所示的第三開關(guān)晶體管M3的右端)及第三發(fā)光器件R3的陽極端連接，第三開關(guān)晶體管M3的源極(即如圖所示的第三開關(guān)晶體管M3的下端)與參考電壓線參考電壓線Vref連接，第三開關(guān)晶體管M3的柵極(即如圖所示的第三開關(guān)晶體管M3的下端)與第三掃描信號線SwitchB連接。
[0036]其中，所述第一發(fā)光器件Rl、第二發(fā)光器件R2及第三發(fā)光器件R3均為有機電致發(fā)光二極管。所述第一掃描信號線Switch R、第二掃描信號線Switch G及第三掃描信號線Switch B用于控制第一開關(guān)晶體管Ml、第二開關(guān)晶體管M2及第三開關(guān)晶體管M3的開啟與閉合。
[0037]本發(fā)明的像素驅(qū)動單元中的第一開關(guān)晶體管Ml、第二開關(guān)晶體管M2及第三開關(guān)晶體管M3可以為P型場效應晶體管或N型場效應晶體管。需要說明的是，通常所述開關(guān)晶體管與有機電致發(fā)光二極管顯示面板柵極驅(qū)動電路以及驅(qū)動發(fā)光器件的其他晶體管類型相同，這樣可以簡化制作工藝，當然，所述開關(guān)晶體管的類型也可以不同，這些本發(fā)明不做限定。
[0038]本發(fā)明還提供了一種像素驅(qū)動單元的驅(qū)動方法，實施例一和實施例二以組成像素驅(qū)動單元的開關(guān)晶體管均為P型場效應晶體管為例介紹本發(fā)明實施例的像素驅(qū)動單元的驅(qū)動方法。
[0039]本發(fā)明實施例在信號源電壓線輸入到每個發(fā)光器件的陽極端之前，增設一個電容單元，實現(xiàn)了輸入到發(fā)光器件的陽極端電位根據(jù)有機電致發(fā)光材料和結(jié)構(gòu)的不同，而得到不同的陽極端電位，降低不必要的功耗損失，同時在相同發(fā)光狀態(tài)下，由于信號源電位相對較低，使得面板整體功耗大幅降低。
[0040]實施例一
[0041]如圖2所示,本發(fā)明實施例提供的像素驅(qū)動單元的驅(qū)動方法,該驅(qū)動方法中,包括有多個復位階段和多個發(fā)光階段，所述復位階段和發(fā)光階段交替進行，其中復位階段為Tl，發(fā)光階段為T2。
[0042]在復位階段Tl，信號源電壓線VDD為低壓信號，第一掃描信號線Switch R、第二掃描信號線Switch G、第三掃描信號線Switch B為低壓開啟信號。參考圖1所不，參考電壓線Vref通過第一開關(guān)晶體管Ml對第一補償電容Cl充電，通過第二開關(guān)晶體管M2對第二補償電容C2充電，通過第三開關(guān)晶體管M3對第三補償電容C3充電。
[0043]具體地為，該時序在每楨圖像之前都對第一補償電容Cl、第二補償電容C2及第三補償電容C3進行復位。在復位階段，信號源電壓線VDD是低壓信號，同時第一掃描信號線Switch R、第二掃描信號線Switch G、第三掃描信號線Switch B為低壓開啟信號，參考電壓線Vref為高電位信號(Vgh)，使得第一補償電容Cl、第二補償電容C2及第三補償電容C3的第二端電位充入Vgh電位；由于有機電致發(fā)光材料和器件結(jié)構(gòu)對第一發(fā)光器件R1、第二發(fā)光器件R2及第三發(fā)光器件R3的發(fā)光效率不一樣，所要求的第一發(fā)光器件R1、第二發(fā)光器件R2及第三發(fā)光器件R3兩端的電壓差也不一樣，這樣便可以通過調(diào)整第一發(fā)光器件R1、第二發(fā)光器件R2及第三發(fā)光器件R3所對應的第一掃描信號線Switch R、第二掃描信號線Switch G及第三掃描信號線Switch B的電位大小,使控制第一發(fā)光器件R1、第二發(fā)光器件R2及第三發(fā)光器件R3的第一開關(guān)晶體管Ml、第二開關(guān)晶體管M2及第三開關(guān)晶體管M3在寫入?yún)⒖茧妷篤gh時，實現(xiàn)不同的充電率，來實現(xiàn)在第一補償電容Cl、第二補償電容C2及第三補償電容C3的第二端不同的電位。在第一補償電容Cl、第二補償電容C2及第三補償電容C3的第一端,此時信號源電壓線VDD的低電位信號為Vgl,此時寫入第一發(fā)光器件Rl的電容電荷總量為(Vgh_R-Vgl)XCl、寫入第二發(fā)光器件R2的電容電荷總量為(Vgh_G-Vgl) XC2、寫入第三發(fā)光器件R3的電容電荷總量為(Vgh_B-Vgl) XC3，其中Vgh_R為第一發(fā)光器件Rl的高電位信號，Vgh_G為第二發(fā)光器件R2的高電位信號，Vgh_B為第三發(fā)光器件R3的高電位信號。
[0044]在復位階段Tl結(jié)束后，發(fā)光階段T2和正常顯示階段相同，信號源電壓線VDD為高壓信號，時序控制模塊T-con控制第一掃描信號線Switch R、第二掃描信號線Switch G及第三掃描信號線Switch B分別關(guān)閉第一開關(guān)晶體管Ml、第二開關(guān)晶體管M2及第三開關(guān)晶體管M3，第一補償電容Cl放電驅(qū)動第一發(fā)光器件Rl發(fā)光，第二補償電容C2放電驅(qū)動第二發(fā)光器件R2發(fā)光，第三補償電容C3放電驅(qū)動第三發(fā)光器件R3發(fā)光。
[0045]具體地，如圖2所示，在發(fā)光階段T2，信號源電壓線VDD變成高電位(Vgh)，此時第一掃描信號線Switch R、第二掃描信號線SwitchG及第三掃描信號線Switch B處于高電位階段，使得第一開關(guān)晶體管Ml、第二開關(guān)晶體管M2及第三開關(guān)晶體管M3關(guān)閉，此時，信號源電壓線VDD將工作電壓高電位Vgh加載到第一補償電容Cl、第二補償電容C2及第三補償電容C3的第一端，根據(jù)電容電荷不變原理，此時第一發(fā)光器件Rl對應的第一補償電容Cl第二端的電位為Vgh+Vgh_R-Vgl，第二發(fā)光器件R2對應的第二補償電容C2第二端的電位為Vgh+Vgh_G-Vgl,第三發(fā)光器件R3對應的第三補償電容C3第二端的電位為Vgh+Vgh_B-Vgl,由此實現(xiàn)輸入到第一發(fā)光器件R1、第二發(fā)光器件R2及第三發(fā)光器件R3的陽極端電位根據(jù)第一發(fā)光器件Rl、第二發(fā)光器件R2及第三發(fā)光器件R3的材料和結(jié)構(gòu)的不同，而得到不同的陽極端電位，降低不必要的功耗損失，同時在相同發(fā)光狀態(tài)下，由于信號源電位相對較低，使得面板整體功耗大幅降低。
[0046]下一楨圖像進行顯示時，同樣重復上述復位階段Tl和發(fā)光階段T2。
[0047]實施例二
[0048]如圖3所示，本實施例中的像素驅(qū)動單元的驅(qū)動方法與實施例一相同的技術(shù)內(nèi)容不重復描述，實施例一公開的內(nèi)容也屬于本實施例二公開的內(nèi)容，本實施例二與實施例一的區(qū)別在于:復位只發(fā)生在第一幀圖像之前的復位階段Tl，即只在開機第一幀圖像時進行電容復位，這樣使得顯示畫面在每楨圖像間更加平穩(wěn)，不會出現(xiàn)Flicker等顯示不良。
[0049]以下實施例三和實施例四以組成像素驅(qū)動單元的開關(guān)晶體管均為N型場效應晶體管為例介紹本發(fā)明實施例像素驅(qū)動單元的驅(qū)動方法。
[0050]本發(fā)明實施例在信號源電壓線輸入到每個發(fā)光器件的陽極端之前，增設一個電容單元，實現(xiàn)了輸入到發(fā)光器件的陽極端電位根據(jù)有機電致發(fā)光材料和結(jié)構(gòu)的不同，而得到不同的陽極端電位，降低不必要的功耗損失，同時在相同發(fā)光狀態(tài)下，由于信號源電位相對較低，使得面板整體功耗大幅降低。
[0051]實施例三
[0052]如圖4所示，本實施例中的像素驅(qū)動單元驅(qū)動方法與實施例一相同的技術(shù)內(nèi)容不重復描述，實施例一公開的內(nèi)容也屬于本實施例公開的內(nèi)容，本實施例與實施例一的區(qū)別在于:在復位階段Tl,第一掃描彳目號線Switch R、第二掃描彳目號線Switch G及第二掃描/[目號線Switch B為高電位，使得N型的第一開關(guān)晶體管Ml、第二開關(guān)晶體管M2及第三開關(guān)晶體管M3開啟，參考電壓線Vref通過第一開關(guān)晶體管Ml對第一補償電容Cl充電，通過第二開關(guān)晶體管M2對第二補償電容C2充電，通過第三開關(guān)晶體管M3對第三補償電容C3充電。
[0053]在復位階段Tl結(jié)束后，發(fā)光階段T2和正常顯示階段相同，第一掃描信號線SwitchR、第二掃描信號線Switch G及第三掃描信號線Switch B為低電位，使得第一開關(guān)晶體管Ml、第二開關(guān)晶體管M2及第三開關(guān)晶體管M3關(guān)閉，根據(jù)電容電荷不變原理，此時第一發(fā)光器件Rl對應的第一補償電容Cl第二端的電位為Vgh+Vgh_R-Vgl，第二發(fā)光器件R2對應的第二補償電容C2第二端的電位為Vgh+Vgh_G-Vgl，第三發(fā)光器件R3對應的第三補償電容C3第二端的電位為Vgh+Vgh_B-Vgl，由此實現(xiàn)輸入到第一發(fā)光器件R1、第二發(fā)光器件R2及第三發(fā)光器件R3的陽極端電位根據(jù)第一發(fā)光器件R1、第二發(fā)光器件R2及第三發(fā)光器件R3的材料和結(jié)構(gòu)的不同，而得到不同的陽極端電位，降低不必要的功耗損失，同時在相同發(fā)光狀態(tài)下，由于信號源電位相對較低，使得面板整體功耗大幅降低。
[0054]下一楨圖像進行顯示時，同樣重復上述復位階段Tl和發(fā)光階段T2。
[0055]實施例四
[0056]如圖5所示，本實施例四中的像素驅(qū)動單元驅(qū)動方法與實施例三相同的技術(shù)內(nèi)容不重復描述，實施例三公開的內(nèi)容也屬于本實施例四公開的內(nèi)容，本實施例與實施例三區(qū)別在于:復位只發(fā)生在第一幀圖像之前的復位階段Tl，即只在開機第一幀圖像時進行電容復位，這樣使得顯示畫面在每楨圖像間更加平穩(wěn)，不會出現(xiàn)Flicker等顯示不良。
[0057]實施例五
[0058]本實施例五提供了一種像素電路，包括多個像素驅(qū)動單元，所述像素驅(qū)動單元可以是上述實施例中的任一種，相同的技術(shù)內(nèi)容不重復描述，上述實施例公開的內(nèi)容也屬于本實施例五公開的內(nèi)容。
[0059]本實施例五的像素電路還包括時序控制模塊T-con，該時序控制模塊T-con連接第一掃描信號線Switch R、第二掃描信號線Switch G及第三掃描信號線Switch B,用于第一掃描信號線Switch R、第二掃描信號線Switch G及第三掃描信號線Switch B的自動時序切換控制。
[0060]本發(fā)明實施例還提供一種有機發(fā)光二極管背板，使用上述實施例所述的像素驅(qū)動單元、驅(qū)動方法和像素電路，其中的發(fā)光器件為有機電致發(fā)光二極管。
[0061]綜上所述，本發(fā)明實施例通過在信號源電壓線輸入到每個發(fā)光器件的陽極端之前，設有一個電容單元，實現(xiàn)了輸入到發(fā)光器件的陽極端電位根據(jù)有機電致發(fā)光材料和結(jié)構(gòu)的不同，而得到不同的陽極端電位，降低不必要的功耗損失，同時在相同發(fā)光狀態(tài)下，由于信號源電位相對較低，使得面板整體功耗大幅降低。
[0062]以上所述僅是本發(fā)明的幾種優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術(shù)領域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和變型，這些改進和變型也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種像素驅(qū)動單元，其特征在于:包括多個像素驅(qū)動子單元和發(fā)光器件，所述像素驅(qū)動子單元包括補償電容和開關(guān)晶體管，所述補償電容用于在開關(guān)晶體管控制下充放電以驅(qū)動所述發(fā)光器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動單元，其特征在于: 所述補償電容的第一端與信號源電壓線連接，第二端與所述開關(guān)晶體管的漏極及發(fā)光器件的陽極端連接，開關(guān)晶體管的源極與參考電壓線連接，柵極與掃描信號線連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動單元，其特征在于:所述開關(guān)晶體管為P型場效應晶體管或N型場效應晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動單元，其特征在于:所述發(fā)光器件為有機電致發(fā)光二極管。
5.一種如權(quán)利要求1-4中任一項所述的像素驅(qū)動單元的驅(qū)動方法，其特征在于:所述方法包括: 復位階段，信號源電壓線輸出低電位，參考電壓線輸出高電位；掃描信號線開啟所述開關(guān)晶體管，使參考電壓線將參考電位加載至補償電容的第二端； 發(fā)光階段，信號源電壓線輸出高電位，參考電壓線輸出低電位；掃描信號線關(guān)閉所述開關(guān)晶體管，信號源電壓線將工作電位加載至補償電容的第一端；補償電容釋放電荷至所述發(fā)光器件的陽極端，使所述發(fā)光器件發(fā)光。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述像素驅(qū)動單元的驅(qū)動方法，其特征在于:包括多個復位階段和多個發(fā)光階段，所述復位階段和發(fā)光階段交替進行。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述像素驅(qū)動單元的驅(qū)動方法，其特征在于:包括一個復位階段。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述像素驅(qū)動單元的驅(qū)動方法，其特征在于:所述開關(guān)晶體管為P型場效應晶體管；在復位階段，所述掃描信號線輸出低電位，用以開啟所述開關(guān)晶體管；在發(fā)光階段，所述掃描信號線輸出高電位，用以關(guān)閉所述開關(guān)晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述像素驅(qū)動單元的驅(qū)動方法，其特征在于:所述開關(guān)晶體管為N型場效應晶體管；在復位階段，所述掃描信號線輸出高電位，用以開啟所述開關(guān)晶體管；在發(fā)光階段，所述掃描信號線輸出低電位，用以關(guān)閉所述開關(guān)晶體管。
10.一種像素電路，其特征在于:包括多個如權(quán)利要求1-4中任一項所述的像素驅(qū)動單元，還包括時序控制模塊，所述時序控制模塊連接所述掃描信號線，用于各所述掃描信號線的自動時序切換控制。
【文檔編號】G09G3/32GK103489406SQ201310464199
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年10月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月8日
【發(fā)明者】馬占潔 申請人:京東方科技集團股份有限公司