一種主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素驅(qū)動(dòng)裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素驅(qū)動(dòng)裝置，所述AMOLED由多個(gè)呈矩陣排列的發(fā)光像素單元組成，每個(gè)發(fā)光像素單元內(nèi)至少包括：開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容、OLED、供電電源、數(shù)據(jù)電壓源以及掃描電壓源，其中驅(qū)動(dòng)晶體管為氧化物TFT，數(shù)據(jù)電壓源為低溫多晶硅AMOLED驅(qū)動(dòng)芯片，且OLED的陰極接產(chǎn)生負(fù)電壓的芯片。由于本發(fā)明中將OLED的陰極由接地轉(zhuǎn)成接負(fù)向電壓，使得驅(qū)動(dòng)電路兩端的電壓差變大，從而使得現(xiàn)有的低溫多晶硅AMOLED驅(qū)動(dòng)芯片能夠成功驅(qū)動(dòng)氧化物TFT，而無需給包含氧化物TFT的AMOLED驅(qū)動(dòng)電路特制驅(qū)動(dòng)IC，進(jìn)而有效降低氧化物TFT?AMOLED的制作成本。
【專利說明】一種主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素驅(qū)動(dòng)裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平板顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體的說是涉及一種主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素驅(qū)動(dòng)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]0LED (有機(jī)發(fā)光二極管或有機(jī)發(fā)光二極管顯示器)根據(jù)其驅(qū)動(dòng)方式分為主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器(AMOLED)和被動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器(PM0LED)。在平板顯示技術(shù)中，AMOLED以其輕薄、主動(dòng)發(fā)光、響應(yīng)速度快、廣視角、色彩豐富及高亮度、低功耗、耐高低溫等眾多優(yōu)點(diǎn)而被業(yè)界公認(rèn)為是繼LCD (液晶顯示器)之后的第三代顯示器。
[0003]目前，商業(yè)化的AMOLED的驅(qū)動(dòng)晶體管采用LTPSTFT (低溫多晶硅薄膜晶體管)背板，其應(yīng)用在顯示器上時(shí)均勻性較差，其生產(chǎn)過程中還需要昂貴的激光晶化設(shè)備，從而造成其應(yīng)用受到限制。而氧化物TFT (薄膜晶體管)具有較好的大面積均勻性，不需要激光晶化設(shè)備進(jìn)行生產(chǎn)且能利用現(xiàn)有的a-SiTFT的生產(chǎn)線的大部分設(shè)備，從而有利于減少投資，該方面講氧化物TFT具有更好的市場競爭力。
[0004]如圖1所示，為AMOLED每個(gè)發(fā)光像素單元中驅(qū)動(dòng)晶體管為氧化物TFT時(shí)的驅(qū)動(dòng)電路，包括:開關(guān)晶體管T01、驅(qū)動(dòng)晶體管T02、存儲(chǔ)電容Cs、提供掃描信號(hào)&_的掃描電壓源、提供數(shù)據(jù)信號(hào)1_的數(shù)據(jù)電壓源和提供供電電壓Vdd的電源。其中，開關(guān)晶體管T01的柵極與所述掃描電壓源相連，其漏極與所述數(shù)據(jù)電壓源相連，開關(guān)晶體管T01的源極與存儲(chǔ)電容Cs的一端相連，并與驅(qū)動(dòng)晶體管T02的柵極相連；存儲(chǔ)電容Cs的另一端及驅(qū)動(dòng)晶體管T02的源極及0LED的陽極相連；驅(qū)動(dòng)晶體管T02的漏極與提供供電電壓Vdd的電源相連；所述0LED的陰極接地。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中，在氧化物TFT AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述氧化物TFT必須使用為氧化物TFT特定制備的驅(qū)動(dòng)IC01來驅(qū)動(dòng)，而無法直接使用現(xiàn)有的LTPS AMOLED source IC(低溫多晶硅AMOLED驅(qū)動(dòng)集成芯片)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，因此，導(dǎo)致氧化物TFT在AMOLED領(lǐng)域中的應(yīng)用成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明提供一種主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素驅(qū)動(dòng)裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置采用氧化物TFT時(shí)，無法使用現(xiàn)有的LTPS AMOLED source1C進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，從而導(dǎo)致的氧化物TFT在AMOLED領(lǐng)域的應(yīng)用成本較高的問題。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0008]一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，所述AMOLED由多個(gè)呈矩陣排列的發(fā)光像素單元組成，每個(gè)發(fā)光像素單元內(nèi)的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路至少包括:開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容、有機(jī)發(fā)光二極管、供電電源、數(shù)據(jù)電壓源以及掃描電壓源，其中，所述驅(qū)動(dòng)晶體管為氧化物薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)電壓源為低溫多晶硅AMOLED驅(qū)動(dòng)芯片，且所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接產(chǎn)生負(fù)電壓的芯片。[0009]優(yōu)選地，所述產(chǎn)生負(fù)電壓的芯片產(chǎn)生的負(fù)向電壓的絕對(duì)值范圍為大于0V且小于有機(jī)發(fā)光二極管的陽極到陰極的跨壓。
[0010]優(yōu)選地，所述氧化物薄膜晶體管的有源層材料為In-Ga-Zn-0、In-Ga-O、Ga-Zn-O、In-Hf-Zn-O、In-Sn-Zn-O、In-Sn-O、In-Zn-O、Zn-Sn-O 或 In-Al-Zn-0 中的一種或幾種。
[0011]優(yōu)選地，所述產(chǎn)生負(fù)電壓的芯片燒錄有所述有機(jī)發(fā)光二極管材料的衰減特性信
肩、Ο
[0012]優(yōu)選地，所述氧化物薄膜晶體管結(jié)構(gòu)為底柵底接觸、底柵頂接觸、頂柵底接觸、頂柵頂接觸、多柵型中的一種或幾種。
[0013]優(yōu)選地，所述掃描電壓源為非晶硅IXD驅(qū)動(dòng)芯片或?yàn)樵谘趸锉∧ぞw管背板上集成的芯片。
[0014]優(yōu)選地，所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置為De-Multiplexers電路。
[0015]優(yōu)選地，所述De-Multiplexers電路為一分二、一分三、一分四電路中的一種。
[0016]優(yōu)選地，所述掃描電壓源為在氧化物薄膜晶體管背板上集成的芯片，所述芯片上還集成有時(shí)間控制結(jié)構(gòu)。
[0017]經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，本發(fā)明提供的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，包括開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容、有機(jī)發(fā)光二極管、供電電源、數(shù)據(jù)電壓源以及掃描電壓源，其中，所述驅(qū)動(dòng)晶體管為氧化物薄膜場效應(yīng)晶體管，所述數(shù)據(jù)電壓源為低溫多晶硅AMOLED驅(qū)動(dòng)集成芯片，且所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接產(chǎn)生負(fù)電壓的集成芯片。由于本發(fā)明中將AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置中的0LED的陰極由接地轉(zhuǎn)成接負(fù)向電壓，使得驅(qū)動(dòng)電路兩端的電壓差變大，即由原來的1C輸出電壓(S卩1C輸出電壓-0V)變?yōu)?C輸出電壓與負(fù)向電壓的絕對(duì)值之和(也即1C輸出電壓-負(fù)向電壓)，從而使得現(xiàn)有的LTPS AMOLED source 1C能夠成功驅(qū)動(dòng)包含驅(qū)動(dòng)晶體管為氧化物TFT的像素驅(qū)動(dòng)電路，使0LED發(fā)光，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中需要專門制備氧化物TFT的驅(qū)動(dòng)1C的方案，本發(fā)明中提供的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，能夠有效降低氧化物TFT AMOLED的制作成本，從而推動(dòng)氧化物TFT AMOLED技術(shù)的發(fā)展。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中氧化物TFT AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置圖；
[0020]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置圖；
[0021]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置圖；
[0022]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置圖；
[0023]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種0LED與氧化物TFT背板結(jié)合剖面圖；
[0024]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種氧化物TFT的轉(zhuǎn)移特性曲線圖；
[0025]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種氧化物TFT的輸出特性曲線圖。
【具體實(shí)施方式】[0026]正如【背景技術(shù)】部分所述，現(xiàn)有技術(shù)中的氧化物TFT相較于LTPS TFT具有技術(shù)上的優(yōu)勢(shì)，但是由于其應(yīng)用時(shí)必須重新設(shè)計(jì)自身特需的驅(qū)動(dòng)1C，造成氧化物TFT的應(yīng)用受到阻礙，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，出現(xiàn)上述現(xiàn)象的原因是，由于氧化物TFT的載流子遷移率較低，其驅(qū)動(dòng)電壓相較于現(xiàn)有技術(shù)中的低溫多晶硅TFT的驅(qū)動(dòng)電壓較大，而現(xiàn)有的LTPS AMOLED source IC的輸出電壓僅僅能夠驅(qū)動(dòng)載流子遷移率高的低溫多晶硅TFT，而不能驅(qū)動(dòng)載流子遷移率較低的氧化物TFT，為此，在應(yīng)用氧化物TFT時(shí)，需要重新設(shè)計(jì)和制作氧化物TFT專用的輸出電壓較大的1C (集成芯片)，但是這樣會(huì)增加氧化物TFT在AMOLED領(lǐng)域的應(yīng)用成本，即在成本方面又降低了氧化物TFT的市場競爭力。
[0027]基于此，發(fā)明人經(jīng)過研究提供了 一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，所述AMOLED由多個(gè)呈矩陣排列的發(fā)光像素單元組成，每個(gè)發(fā)光像素單元內(nèi)的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置包括:開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容、有機(jī)發(fā)光二極管、供電電源、數(shù)據(jù)電壓源以及掃描電壓源，所述驅(qū)動(dòng)晶體管為氧化物薄膜場效應(yīng)晶體管，所述數(shù)據(jù)電壓源為低溫多晶硅AMOLED驅(qū)動(dòng)集成芯片，且所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接產(chǎn)生負(fù)電壓的集成芯片。
[0028]由上述的技術(shù)方案可知，本發(fā)明提供的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，將0LED的陰極由接地改為接負(fù)向電壓，即將0LED陰極電壓為0V改變?yōu)殛帢O電壓為負(fù)電壓，從而使得驅(qū)動(dòng)電路的初始端與末端的電壓差增大，進(jìn)而使得現(xiàn)有技術(shù)中LPTS AMOLED IC的輸出電壓應(yīng)用在具有氧化物TFT的像素驅(qū)動(dòng)電路中后也能產(chǎn)生點(diǎn)亮0LED的電流，即，現(xiàn)有技術(shù)中的LPTSAMOLED IC能夠成功驅(qū)動(dòng)氧化物TFT，降低了氧化物TFT AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置的制作成本，使得氧化物TFT的應(yīng)用領(lǐng)域更加廣泛。
[0029]以上是本申請(qǐng)的核心思想，下面結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0030]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0031]其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0032]下面通過幾個(gè)實(shí)施例具體描述本發(fā)明提供的能夠使用現(xiàn)有技術(shù)中的LTPS AMOLEDsource IC驅(qū)動(dòng)氧化物TFT AMOLED的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例公開的一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，所述AMOLED由多個(gè)呈矩陣排列的發(fā)光像素單元組成，每個(gè)發(fā)光像素單元內(nèi)的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置包括:開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容、有機(jī)發(fā)光二極管、供電電源、數(shù)據(jù)電壓源以及掃描電壓源，所述驅(qū)動(dòng)晶體管為氧化物薄膜場效應(yīng)晶體管，所述數(shù)據(jù)電壓源為低溫多晶硅AMOLED驅(qū)動(dòng)集成芯片，且所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接產(chǎn)生負(fù)電壓的集成芯片。
[0034]需要說明的是，本實(shí)施例中各器件的電路連接關(guān)系可以如圖2所示，開關(guān)晶體管T1的柵極與所述提供掃描信號(hào)ν_η的掃描電壓源相連，其漏極與所述提供數(shù)據(jù)信號(hào)vdata的數(shù)據(jù)電壓源相連，開關(guān)晶體管T1的源極與存儲(chǔ)電容Cs的一端相連，并與驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極相連；存儲(chǔ)電容Cs的另一端與驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極及OLED的陽極相連；驅(qū)動(dòng)晶體管T2的漏極與提供供電電壓Vdd的電源相連；所述OLED的陰極接負(fù)電壓。
[0035]本實(shí)施例中各器件的電路連接關(guān)系還可以如圖3和圖4所示的連接關(guān)系，另外還可以增加其他元器件，如增加補(bǔ)償電路以改善本實(shí)施例中所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置的性能，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的，本實(shí)施例中提供的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置僅僅是AMOLED多種像素驅(qū)動(dòng)裝置中的最基礎(chǔ)的幾種，在此基礎(chǔ)上還可以有其他變形裝置，本實(shí)施例中在此不再進(jìn)行贅述。
[0036]需要說明的是，本實(shí)施例中所述數(shù)據(jù)電壓源即為現(xiàn)有技術(shù)中商用的LTPS AMOLEDsource IC (即圖2中所示的IC1)，即在0LED的陰極接地的情況下，無法驅(qū)動(dòng)氧化物TFTAMOLED裝置的1C。本實(shí)施例中與圖1所示的電路的不同之處在于，所述驅(qū)動(dòng)晶體管T2為氧化物TFT，且所述0LED的陰極接的不再是0V電壓，而是能夠提供負(fù)向電壓的集成芯片IC2，所述提供負(fù)向電壓的集成芯片IC2常用的如LM337，LM337是比較常見的降壓型線性穩(wěn)壓器的輸出電壓范圍是-1.2V至-37V。
[0037]需要說明的是，本實(shí)施例中提供的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置中的所述氧化物TFT是指以 In_Zn_0、In_Ga_0、Ga_Zn_0、In_Hf_Zn_0>In_Sn_Zn_0、In_Sn_0、In_Ga_Zn_0、Zn_Sn_0、In-Al-Zn-0等氧化物半導(dǎo)體為有源層制作的薄膜晶體管；且所述氧化物TFT可以利用現(xiàn)有的a-Si TFT生產(chǎn)線的大部分設(shè)備，而且無需昂貴的激光晶化設(shè)備，兼具低溫多晶硅TFT和非晶硅TFT的優(yōu)點(diǎn)，克服了低溫多晶硅TFT大面積均勻性差、需要昂貴的激光晶化設(shè)備的缺點(diǎn)，有利于減少投資。
[0038]當(dāng)采用氧化物TFT時(shí)，其柵極、源極和漏極的材料均可以優(yōu)選為Mo、Al、Cu、Ag、IT0(氧化銦錫)、ΙΖ0 (Indium Zinc Oxide,氧化銦鋅)等中的至少一種,有源層的材料優(yōu)選為IGZ0 (Indium Gallium Zinc Oxide,氧化銦嫁鋒)、IG0 (Indium Gallium Oxide,氧化銦鎵)、IZ0、ZT0 (Zinc Tin Oxide，氧化鋅錫)、In-X-O (X 為 La 系稀土元素、Sn、Ge、Cu、Al、Nd中的至少一種)等中的至少一種，柵極絕緣層或刻蝕阻擋層的材料優(yōu)選為Si0x (氧化硅)、SiNx (氮化硅)、A10x (氧化鋁)、A1NX (氮化鋁)、Ti0x (氧化鈦)、TiNx (氮化鈦)、Zr02 (氧化鋯)、Hf02 (氧化鉿)等中的至少一種，鈍化層的材料優(yōu)選為Si0x、SiNx、A10x、AlNx、Ti0x、TiNx、Zr02、Hf02等中的至少一種，且需要說明的是，本實(shí)施例中所述氧化物TFT優(yōu)選為N型薄膜晶體管。
[0039]本實(shí)施例中所述掃描電壓源為非晶硅LCD (液晶顯示器)驅(qū)動(dòng)芯片或是在氧化物薄膜晶體管背板上集成的芯片，本實(shí)施例中對(duì)此不作限定，本實(shí)施例中優(yōu)選的，所述掃描電壓源為在氧化物TFT上集成的芯片，稱為掃描集成芯片(Gate In Panel，簡稱GIP)。所述GIP上還可以集成Time controller (時(shí)間控制結(jié)構(gòu))或外置Time controller,需要說明的是，外置時(shí)間控制結(jié)構(gòu)采用FPGA (Field — Programmable Gate Array,現(xiàn)場可編程門陣列)控制，并燒錄在PCB (Printed Circuit Board,印制電路板)上。
[0040]本實(shí)施例中AMOLED具有成陣列排列的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元均為2T1C結(jié)構(gòu)，即包括兩個(gè)TFT和至少一個(gè)0LED，0LED結(jié)構(gòu)如圖5所示，氧化物TFT背板51制作完成后，在其上依次生長0LED的陽極521、空穴注入層522、空穴傳輸層523、發(fā)光層524、電子傳輸層525、電子注入層526、陰極527等材料，最后用后蓋53及封裝膠等材料進(jìn)行封裝。這種方式與現(xiàn)有的LTPS TFT背板制作工藝匹配性高、工藝成熟且效率高。[0041]還需要說明的是，所述OLED的陰極所接的集成芯片提供的負(fù)向電壓的范圍是能夠讓現(xiàn)有的商用的LTPS AMOLED source IC驅(qū)動(dòng)氧化物TFT，同時(shí)，還不能在Vdd為0時(shí)，在負(fù)向電壓的作用下，使得負(fù)向電壓直接將0LED點(diǎn)亮，因此所述負(fù)向電壓有一個(gè)負(fù)壓的絕對(duì)
值最大值。
[0042]下面結(jié)合一個(gè)具體例子來說明本發(fā)明實(shí)施例中所述負(fù)向電壓的取值范圍:
[0043]為了使0LED穩(wěn)定發(fā)光，驅(qū)動(dòng)TFT需要工作在飽和區(qū)。TFT飽和區(qū)工作電流計(jì)算公式:
[0044]
【權(quán)利要求】
1.一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，所述AMOLED由多個(gè)呈矩陣排列的發(fā)光像素單元組成，每個(gè)發(fā)光像素單元內(nèi)的AM0LED像素驅(qū)動(dòng)電路至少包括:開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容、有機(jī)發(fā)光二極管、供電電源、數(shù)據(jù)電壓源以及掃描電壓源，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)晶體管為氧化物薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)電壓源為低溫多晶硅AMOLED驅(qū)動(dòng)芯片，且所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接產(chǎn)生負(fù)電壓的芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述產(chǎn)生負(fù)電壓的芯片產(chǎn)生的負(fù)向電壓的絕對(duì)值范圍為大于0V且小于有機(jī)發(fā)光二極管的陽極到陰極的跨壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述氧化物薄膜晶體管的有源層材料為 In-Ga-Zn-0、In-Ga-O、Ga-Zn-O、In-Hf-Zn-O、In-Sn-Zn-O、In-Sn-O、In-Zn-O、Zn-Sn-O 或 In-Al-Zn-0 中的一種或幾種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述產(chǎn)生負(fù)電壓的芯片燒錄有所述有機(jī)發(fā)光二極管材料的衰減特性信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述氧化物薄膜晶體管結(jié)構(gòu)為底柵底接觸、底柵頂接觸、頂柵底接觸、頂柵頂接觸、多柵型中的一種或幾種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述掃描電壓源為非晶硅LCD驅(qū)動(dòng)芯片或?yàn)樵谘趸锉∧ぞw管背板上集成的芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置為 De-Multiplexers 電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述De-Multiplexers電路為一分二、一分三、一分四電路中的一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述掃描電壓源為在氧化物薄膜晶體管背板上集成的芯片，所述芯片上還集成有時(shí)間控制結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK103646629SQ201310703652
【公開日】2014年3月19日 申請(qǐng)日期:2013年12月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月18日
【發(fā)明者】何劍, 蘇君海, 柯賢軍, 何基強(qiáng) 申請(qǐng)人:信利半導(dǎo)體有限公司