缺陷檢測(cè)方法、有機(jī)el元件的修復(fù)方法以及有機(jī)el顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種對(duì)具有第一電極（12）、第二電極（17）、夾在第一電極（12）和第二電極（17）之間的功能層（16）以及發(fā)光層（15）的有機(jī)EL元件進(jìn)行的缺陷監(jiān)測(cè)方法。所述缺陷檢測(cè)方法包括：暗點(diǎn)顯在化工序，通過在第一電極（12）和第二電極（17）之間施加用于使暗點(diǎn)顯在化的電壓，所述暗點(diǎn)是發(fā)光層（15）成為不發(fā)光的點(diǎn)，從而在有機(jī)EL元件在第一電極（12）和第二電極（17）之間具有成為引起不發(fā)光的原因的缺陷部（3）的情況下，使功能層（16）的與缺陷部（3）對(duì)應(yīng)的第一部分（16c）的電阻下降；和暗點(diǎn)檢測(cè)工序，在暗點(diǎn)顯在化工序之后，在第一電極和第二電極之間施加如果是沒有缺陷部的正常的有機(jī)EL元件的情況下它是會(huì)發(fā)光的電壓即發(fā)光所需電壓，對(duì)暗點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)。
【專利說明】缺陷檢測(cè)方法、有機(jī)EL元件的修復(fù)方法以及有機(jī)EL顯示面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)EL (Electro-Luminescence:電致發(fā)光)顯示面板的有機(jī)EL元件的缺陷檢測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，作為顯示裝置，在基板上設(shè)置有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示面板逐漸普及。有機(jī)EL顯示面板具有如下等特征:由于利用進(jìn)行自發(fā)光的有機(jī)EL元件，因此視覺識(shí)別性高；而且，由于是全固體元件，因此耐沖擊性優(yōu)異。
[0003]有機(jī)EL元件是電流驅(qū)動(dòng)型的發(fā)光元件，在陽極和陰極的電極對(duì)之間，層疊進(jìn)行通過載流子(空穴、電子)的復(fù)合實(shí)現(xiàn)的電致發(fā)光現(xiàn)象的發(fā)光層等多個(gè)有機(jī)EL功能層而構(gòu)成。
[0004]在有機(jī)EL顯示面板的制造過程中，存在垃圾等微小的異物附著、由于抗蝕劑的不良而在電極或有機(jī)EL功能層的表面產(chǎn)生局部的凹凸的情況。于是，在其上形成的有機(jī)EL功能層會(huì)局部產(chǎn)生膜厚不勻的區(qū)域，有時(shí)會(huì)局部產(chǎn)生未形成有機(jī)EL功能層的區(qū)域。一旦這樣的區(qū)域形成，就會(huì)成為產(chǎn)生所謂的暗點(diǎn)(dark dot)缺陷的原因，所述暗點(diǎn)缺陷是在陽極和陰極之間發(fā)生短路而發(fā)光層變?yōu)椴话l(fā)光的缺陷。
[0005]在這樣的暗點(diǎn)缺陷中，還存在:時(shí)而發(fā)生短路、時(shí)而不發(fā)生短路的情況；最初正常地進(jìn)行發(fā)光、但隨著時(shí)間的經(jīng)過而變?yōu)榘迭c(diǎn)缺陷的情況。若在出貨后發(fā)生暗點(diǎn)缺陷，則會(huì)使用戶的利益受到損害，因此研究了各種各樣的在出貨前檢測(cè)這樣的潛在的暗點(diǎn)缺陷并實(shí)施修復(fù)的方法。
[0006]例如，在專利文獻(xiàn)I中公開了一種使暗點(diǎn)顯在化(明顯地表現(xiàn)出來)的方法:對(duì)有機(jī)EL元件施加反向偏壓,通過使陰極的Al發(fā)生遷移(migration),而使缺陷部發(fā)生擊穿(breakdown)穩(wěn)定地成為短路狀態(tài),從而使暗點(diǎn)顯在化。
[0007]另外，在專利文獻(xiàn)2中公開了一種修復(fù)缺陷部的方法:當(dāng)對(duì)有機(jī)EL元件施加反向偏壓時(shí)，電流集中地在缺陷部中流動(dòng)而溫度上升，在缺陷部中發(fā)生缺陷部被燒掉、因氣化而蒸發(fā)、因氧化或碳化而變成絕緣體的某種變化而進(jìn)行高電阻化，變?yōu)樵谌毕莶恐胁涣鲃?dòng)電流，由此修復(fù)缺陷部。
[0008]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)1:日本特開2008-66003號(hào)公報(bào)
[0010]專利文獻(xiàn)2:日本特開2003-51384號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0011]發(fā)明要解決的問題
[0012]但是，在專利文獻(xiàn)I的方法中，那樣的Al的遷移并不是那么容易在短時(shí)間內(nèi)發(fā)生的，遷移的發(fā)生是不確切的，因此，在一部分缺陷部中有可能不會(huì)引起足以發(fā)生擊穿的遷移而無法使?jié)撛诘陌迭c(diǎn)缺陷得到顯在化。[0013]另外，在專利文獻(xiàn)2的方法中，隨著缺陷部高電阻化，電流變得難以流動(dòng)，因此，有可能會(huì)導(dǎo)致在完全成為絕緣體之前，缺陷部的變化停止，無法得到足夠的修復(fù)效果而暗點(diǎn)缺陷殘留下來。
[0014]本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的發(fā)明，目的在于提供一種缺陷檢測(cè)方法，能夠使?jié)撛诘陌迭c(diǎn)缺陷更切實(shí)地顯在化而檢測(cè)出該缺陷，以使得暗點(diǎn)缺陷能夠切實(shí)地得到修復(fù)。
[0015]用于解決問題的手段
[0016]本發(fā)明的一實(shí)施方式的缺陷檢測(cè)方法是對(duì)有機(jī)EL元件進(jìn)行的缺陷檢測(cè)方法，所述有機(jī)EL元件具有第一電極、第二電極以及夾在所述第一電極和所述第二電極之間的功能層及發(fā)光層，所述缺陷檢測(cè)方法包括以下工序:暗點(diǎn)顯在化工序，通過在所述第一電極和所述第二電極之間施加用于使所述發(fā)光層不發(fā)光的暗點(diǎn)顯在化的電壓，在所述有機(jī)EL元件在所述第一電極和所述第二電極之間具有成為導(dǎo)致所述不發(fā)光的原因的缺陷部的情況下，使所述功能層的與所述缺陷部對(duì)應(yīng)的第一部分的電阻下降；和暗點(diǎn)檢測(cè)工序，在所述暗點(diǎn)顯在化工序之后，在所述第一電極和所述第二電極之間施加如果是沒有所述缺陷部的正常的有機(jī)EL元件的情況下它是會(huì)發(fā)光的電壓即發(fā)光所需電壓，對(duì)所述暗點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)。
[0017]發(fā)明的效果
[0018]本發(fā)明的一實(shí)施方式的顯示面板中，在暗點(diǎn)顯在化工序中，在第一電極和第二電極之間施加電壓，在有機(jī)EL元件在第一電極和第二電極之間具有缺陷部的情況下，使功能層的第一部分的電阻下降。由此，成為電流集中地在第一部分中流動(dòng)的短路狀態(tài)，使?jié)撛诘陌迭c(diǎn)顯在化，因此，在后續(xù)的暗點(diǎn)檢測(cè)工序中，具有缺陷部的像素(子像素)不發(fā)光，能夠確實(shí)地將具有該缺陷部的有機(jī)EL元件作為暗點(diǎn)檢測(cè)出來。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0019]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的顯示面板的結(jié)構(gòu)的示意框圖。
[0020]圖2是示意表示實(shí)施方式I涉及的有機(jī)EL顯示面板的像素的俯視圖。
[0021]圖3是示意表示實(shí)施方式I涉及的有機(jī)EL元件的概略結(jié)構(gòu)的剖視圖,是沿圖2的A-A'線的剖視圖。
[0022]圖4是示意表示實(shí)施方式I涉及的有機(jī)EL元件的概略結(jié)構(gòu)的局部放大剖視圖，(a)是表示對(duì)有機(jī)EL元件施加了反向偏壓時(shí)的狀態(tài)的示意剖視圖，(b)是表示在電子輸送層產(chǎn)生了空隙部時(shí)的狀態(tài)的示意剖視圖，(C)是表示對(duì)有機(jī)EL元件施加了正向偏壓時(shí)的狀態(tài)的示意剖視圖。
[0023]圖5是示意表示實(shí)施方式2涉及的有機(jī)EL元件的概略結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0024]圖6是示意表示實(shí)施方式2涉及的有機(jī)EL元件的概略結(jié)構(gòu)的局部放大剖視圖，(a)是表示對(duì)有機(jī)EL元件施加了反向偏壓時(shí)的狀態(tài)的示意剖視圖，(b)是表示在電子輸送層產(chǎn)生了空隙部時(shí)的狀態(tài)的示意剖視圖，(C)是表示對(duì)有機(jī)EL元件施加了正向偏壓時(shí)的狀態(tài)的示意剖視圖。
[0025]圖7是示意表示實(shí)施方式3涉及的有機(jī)EL元件的概略結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0026]圖8是示意表示實(shí)施方式3涉及的有機(jī)EL元件的概略結(jié)構(gòu)的局部放大剖視圖，(a)是表示對(duì)有機(jī)EL元件施加了反向偏壓時(shí)的狀態(tài)的示意剖視圖，(b)是表示在電子輸送層產(chǎn)生了空隙部時(shí)的狀態(tài)的示意剖視圖，(C)是表示對(duì)有機(jī)EL元件施加了正向偏壓時(shí)的狀態(tài)的示意剖視圖。
[0027]標(biāo)號(hào)說明
[0028]I有機(jī)EL顯示裝置；3、303缺陷部；4空隙部；5、205、305通道部；10、210、310有機(jī)EL元件；11基板；12陽極；13空穴注入層；13a、16a有機(jī)材料；13b、16b金屬；13c、16c第一部分；13d、16d第二部分；14堤；14a開口部；15有機(jī)發(fā)光層；16電子輸送層；17陰極；18封止層；100、200、300有機(jī)EL顯示面板。
【具體實(shí)施方式】
[0029](本發(fā)明的一種實(shí)施方式的概要)
[0030]本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的缺陷檢測(cè)方法是對(duì)有機(jī)EL元件進(jìn)行的缺陷檢測(cè)方法，所述有機(jī)EL元件具有第一電極、第二電極以及夾在所述第一電極和所述第二電極之間的功能層和發(fā)光層，所述缺陷檢測(cè)方法包括以下工序:暗點(diǎn)顯在化工序，通過在所述第一電極和所述第二電極之間施加用于使暗點(diǎn)顯在化的電壓，所述暗點(diǎn)是所述發(fā)光層為不發(fā)光的點(diǎn)，在所述有機(jī)EL元件在所述第一電極和所述第二電極之間具有成為導(dǎo)致所述不發(fā)光的原因的缺陷部的情況下，使所述功能層的與所述缺陷部對(duì)應(yīng)的第一部分的電阻下降；和暗點(diǎn)檢測(cè)工序，在所述暗點(diǎn)顯在化工序之后，在所述第一電極和所述第二電極之間施加如果是沒有所述缺陷部的正常的有機(jī)EL元件的情況下它是會(huì)發(fā)光的電壓即發(fā)光所需電壓，對(duì)所述暗點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)。
[0031]在具有缺陷部的有機(jī)EL元件中，在暗點(diǎn)顯在化工序中，使功能層的與缺陷部對(duì)應(yīng)的第一部分低阻抗化，因此，在后續(xù)的暗點(diǎn)檢測(cè)工序中，成為電流集中地在實(shí)現(xiàn)了低阻抗化的第一部分中流動(dòng)的短路狀態(tài)而不發(fā)光，能夠確實(shí)地將具有該缺陷的有機(jī)EL元件作為暗點(diǎn)檢測(cè)出來。
[0032]另外，在本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的缺陷檢測(cè)方法的特定方式中，特征在于，所述功能層由摻雜了金屬的有機(jī)材料構(gòu)成，在所述暗點(diǎn)顯在化工序中，通過對(duì)所述第一部分通電而使之發(fā)熱，從而使所述第一部分所包含的所述有機(jī)材料蒸發(fā)而形成空隙部，在所述功能層的包圍所述空隙部的側(cè)壁部分，使在蒸發(fā)了的所述有機(jī)材料摻雜的所述金屬析出，由此使電阻下降。
[0033]另外，在本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的缺陷檢測(cè)方法的特定方式中，其特征在于，所述第一電極為陽極，所述第二電極為陰極，對(duì)所述第二電極施加比所述第一電極高的電壓。
[0034]另外，在本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的缺陷檢測(cè)方法的特定方式中，特征在于，在所述暗點(diǎn)顯在化工序中，施加所述電壓，直到所述第一部分的電阻下降為比所述功能層的與所述缺陷部不對(duì)應(yīng)的第二部分的電阻低。
[0035]另外，在本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的缺陷檢測(cè)方法的特定方式中，特征在于，所述缺陷部在所述功能層的下方具有突出部、凹入部或者導(dǎo)電性比所述發(fā)光層的導(dǎo)電性高的異物，所述第一部分位于所述突出部、所述凹入部或者所述異物的上方，具有膜厚比所述第二部分的膜厚薄的區(qū)域。
[0036]另外，在本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的缺陷檢測(cè)方法的特定方式中，特征在于，所述功能層由伴隨著在所述功能層中流動(dòng)的累積電流量的增加而電阻下降的材料構(gòu)成。
[0037]另外，在本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的缺陷檢測(cè)方法的特定方式中，特征在于，在所述暗點(diǎn)顯在化工序中，通過在所述第一部分中流動(dòng)比所述第二部分大的電流，從而使所述第一部分性質(zhì)改變，使所述第一部分的電阻下降為比所述第二部分的電阻低。
[0038]另外，在本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的缺陷檢測(cè)方法的特定方式中，特征在于，在所述暗點(diǎn)顯在化工序中，通過在所述第一部分中流動(dòng)比所述第二部分大的電流，且施加于所述第一部分的電場(chǎng)強(qiáng)度大于施加于所述第二部分的電場(chǎng)強(qiáng)度，從而使所述第一部分的一部分破損或變形，在所述第一部分形成空隙部。
[0039]本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL元件的修復(fù)方法的特征在于，在通過本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的上述各方式的任一方式的缺陷檢測(cè)方法而被作為暗點(diǎn)檢測(cè)出來的有機(jī)EL元件中，進(jìn)行提高所述第一電極和所述第二電極的至少一方的與所述第一部分對(duì)應(yīng)的部分的電阻的處理。
[0040]本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL顯示面板是在基板上形成有多個(gè)有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示面板，特征在于，所述多個(gè)有機(jī)EL元件分別具有發(fā)光層、層疊在所述發(fā)光層上由摻雜了金屬的有機(jī)材料構(gòu)成的功能層以及將所述發(fā)光層和所述功能層夾在中間的一對(duì)電極，所述多個(gè)有機(jī)EL元件中的至少一個(gè)有機(jī)EL元件在所述功能層的下方具有突出部、凹入部或者導(dǎo)電性比所述發(fā)光層的導(dǎo)電性高的異物，所述功能層的位于所述突出部、所述凹入部或者所述異物的上方的第一部分的至少一部分缺損而形成空隙部，在所述空隙部的周圍有所述金屬析出。
[0041](實(shí)施方式I)
[0042][1-1.整體結(jié)構(gòu)]
[0043]圖1是表示具有實(shí)施方式I涉及的有機(jī)EL顯示面板100的有機(jī)EL顯示裝置I的結(jié)構(gòu)的示意框圖。如圖1所示，有機(jī)EL顯示裝置I構(gòu)成為具有有機(jī)EL顯示面板100和與有機(jī)EL顯示面板100連接的驅(qū)動(dòng)控制單元20。有機(jī)EL顯示面板100是利用了有機(jī)材料的電致發(fā)光現(xiàn)象的面板，例如呈矩陣狀排列有多個(gè)有機(jī)EL元件而構(gòu)成。驅(qū)動(dòng)控制單元20包括四個(gè)驅(qū)動(dòng)電路21?24和控制電路25。
[0044]然而，在實(shí)際的有機(jī)EL顯示裝置I中，對(duì)于有機(jī)EL顯示面板100的驅(qū)動(dòng)控制單元20的配置不限于此。
[0045][1-2.有機(jī)EL顯示面板的結(jié)構(gòu)]
[0046]使用圖2對(duì)有機(jī)EL顯示面板100的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0047]圖2是示意表示從有機(jī)EL顯示面板100的顯示面一側(cè)觀察到的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖3是有機(jī)EL顯示面板100的沿圖2的k-k'線剖切的局部放大剖視圖。有機(jī)EL顯示面板100是將Z方向一側(cè)作為顯示面的所謂的頂部發(fā)射型面板。
[0048]如圖3所示，有機(jī)EL顯示面板100中，作為其主要的結(jié)構(gòu)，具備基板11、陽極(第一電極)12、空穴注入層13、堤14、有機(jī)發(fā)光層15、電子輸送層(功能層)16、陰極(第二電極)17以及封止層18。有機(jī)EL顯示面板100中，將具有與紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)的任一發(fā)光色對(duì)應(yīng)的有機(jī)發(fā)光層15的有機(jī)EL元件10作為子像素，如圖2所示，子像素呈矩陣狀配設(shè)。此夕卜，在圖2中，為了便于理解附圖，示出了去掉了電子輸送層16、陰極17、封止層18的狀態(tài)。
[0049]另外，有機(jī)EL顯示面板100在空穴注入層13具有缺陷部3。
[0050]〈基板〉
[0051]基板11為成為有機(jī)EL顯示面板100的基材的部分，例如可以用無堿玻璃、碳酸鈉玻璃、無熒光玻璃、磷酸類玻璃、硼酸類玻璃、石英、丙烯類樹脂、苯乙烯類樹脂、聚碳酸酯類樹脂、環(huán)氧類樹脂、聚乙烯、聚酯、硅酮類樹脂、或者氧化鋁等的絕緣性材料的任一種來形成。
[0052]另外，雖未作圖示，但在基板11的表面形成有用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件的TFT (薄膜晶體管)層，隔著在其上形成的層間絕緣層而在TFT層的上方形成有陽極12。層間絕緣層由聚酰亞胺類樹脂、丙烯類樹脂、酚醛(novolac)型苯酚樹脂等有機(jī)絕緣材料、和/或SiO (氧化硅)、SiN (碳化硅)等無機(jī)絕緣材料構(gòu)成，用于確保TFT層和陽極之間的電絕緣性，并且使TFT層的上表面的高低差平坦化。
[0053]在本實(shí)施方式中，TFT的極性為N溝道型，基板11 一側(cè)為陽極12，顯示面一側(cè)為陰極17。
[0054]〈陽極〉
[0055]陽極12是按各子像素而個(gè)別設(shè)置的像素電極，例如由Ag (銀)、Al (招)、鋁合金、Mo (鑰)、APC (銀、鈀、銅的合金)、ARA (銀、銣、金的合金)、MoCr (鑰和鉻的合金)、MoW (鑰和鎢的合金)、NiCr (鎳和鉻的合金)、ACL (鋁、鈷、鍺、鑭的合金)等光反射性導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0056]另外，還可以在陽極12的表面設(shè)置公知的透明導(dǎo)電膜。作為透明導(dǎo)電膜的材料，可以使用例如氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)。透明導(dǎo)電膜介于陽極12和空穴注入層13之間，具有使各層間的接合性良好的功能。
[0057]〈空穴注入層〉
[0058]空穴注入層13是例如由銀(Ag)、鑰(Mo)、鉻(Cr)、釩(V)、鎢(W)、鎳(Ni)、銥(Ir)等的氧化物、或者PEDOT (聚噻吩和聚苯乙烯磺酸的混合物)等導(dǎo)電性聚合物材料構(gòu)成的層。在上述中，由氧化金屬構(gòu)成的空穴注入層13具有使空穴穩(wěn)定地、或者輔助空穴的生成而對(duì)有機(jī)發(fā)光層15注入和輸送空穴的功能。
[0059]在此，通過在由過渡金屬的氧化物構(gòu)成空穴注入層13的情況下取得多個(gè)氧化數(shù)，能夠取得多個(gè)能級(jí)，其結(jié)果，空穴注入變得容易，能夠降低驅(qū)動(dòng)電壓。
[0060]〈堤〉
[0061]在空穴注入層13的表面設(shè)置有用于區(qū)劃成為有機(jī)發(fā)光層15的形成區(qū)域的開口部14a的堤14。堤14形成為具有一定的梯形截面，由絕緣性的有機(jī)材料(例如丙烯類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、酚醛型苯酚樹脂等)構(gòu)成。在通過涂敷法形成有機(jī)發(fā)光層15的情況下，堤14作為用于使得所涂敷的墨不溢出的構(gòu)造物而發(fā)揮功能，在通過蒸鍍法形成有機(jī)發(fā)光層15的情況下，堤14作為用于載置蒸鍍掩模的構(gòu)造物而發(fā)揮作用。
[0062]另外，由開口部14a規(guī)定的區(qū)域?yàn)榘l(fā)光區(qū)域，各發(fā)光區(qū)域相當(dāng)于一個(gè)子像素。
[0063]〈有機(jī)發(fā)光層〉
[0064]有機(jī)發(fā)光層15為進(jìn)行由載流子(空穴和電子)的復(fù)合實(shí)現(xiàn)的發(fā)光的部位，構(gòu)成為包含與R、G、B的任一種顏色對(duì)應(yīng)的有機(jī)材料。有機(jī)發(fā)光層15分別形成在堤14的開口部14a內(nèi)，因此，是按各子像素而形成的。
[0065]作為可以用作有機(jī)發(fā)光層15的材料，能舉出聚對(duì)苯乙烯(PPV)、聚芴、和/或例如專利公開公報(bào)(日本特開平5-163488號(hào)公報(bào))中所記載的類喔星(oxinoid)化合物、茈化合物、香豆素化合物、氮雜香豆素化合物、噁唑化合物、噁二唑化合物、紫環(huán)酮(per inone )化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物、芴化合物、熒蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、暈苯化合物、喹諾酮化合物及氮雜喹諾酮化合物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、若
丹明化合物、舊(chrysene)化合物、菲化合物、環(huán)戍二烯化合物、苗化合物、二苯基苯醌化
合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、雙氰亞甲基吡喃化合物、雙氰亞甲基噻喃化合物、熒光素化合物、吡喃鎗化合物、噻喃鎗化合物、硒吡喃鎗化合物、碲吡喃鎗化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚亞苯基化合物、噻噸化合物、花青苷化合物、吖啶化合物、8-羥基喹啉化合物的金屬配合物、2，2’ -聯(lián)吡啶化合物的金屬配合物、席夫堿與III族金屬的配合物、8-羥基喹啉(喔星)金屬配合物、稀土類配合物等熒光物質(zhì)等。
[0066]〈電子輸送層〉
[0067]電子輸送層16具有將從陰極17注入的電子輸送給有機(jī)發(fā)光層15的功能,例如使用使金屬16b (參照?qǐng)D4各圖)摻雜于噁二唑衍生物(0XD)、三唑衍生物(TAZ)、鄰菲咯啉(phenanthroline)衍生物(BCP、Bphen)等有機(jī)材料16a (參照?qǐng)D4各圖)而得到的材料來形成。作為摻雜于有機(jī)材料16a的金屬16b，例如可使用鋰(Li)等堿金屬和/或鋇(Ba)等堿土類金屬。對(duì)于向有機(jī)材料材料16a的金屬16b的摻雜,一般使用蒸鍍法,但既可以通過濺射法來進(jìn)行摻雜，也可以通過使金屬微粒子分散到有機(jī)材料中來進(jìn)行摻雜。在本實(shí)施方式中，將惡二唑衍生物用于有機(jī)材料16a,將鋇用于金屬16b。S卩，電子輸送層16由摻雜了鋇的噁二唑衍生物形成。
[0068]〈陰極〉
[0069]陰極17共用地設(shè)置于各子像素，例如由ITO、IZO等具有導(dǎo)電性的光透射性材料形成。在頂部發(fā)射型的有機(jī)EL顯示面板的情況下，優(yōu)選用光透射性的材料來形成。
[0070]作為用于形成陰極17的材料，除了上述以外，例如也可以使用將包含堿金屬、堿土類金屬或者它們的鹵化物的層和包含銀的層按該順序?qū)盈B而得到的構(gòu)造。在上述中，包含銀的層既可以由銀單獨(dú)形成，也可以由銀合金形成。另外，為了實(shí)現(xiàn)光取出效率的提高，也可以從該包含銀的層的上方設(shè)置透明度高的折射率調(diào)整層。
[0071]〈封止層18〉
[0072]封止層18是為了保護(hù)空穴注入層13、有機(jī)發(fā)光層15、電子輸送層16以及陰極17免受侵入到有機(jī)EL顯示面板100內(nèi)的水分和/或氧的侵襲而設(shè)置的。
[0073]此外，在圖3中雖然省略了示圖，但也可以在封止層18上形成黑底、濾色片(colorfilter,濾色器)等。
[0074]〈缺陷部〉
[0075]缺陷部3是存在于陽極12和陰極17之間的異物或者突出部。由于缺陷部3的存在，在其上形成的各層的與缺陷部3對(duì)應(yīng)的部分(位于缺陷部3上方的部分)以向上突出的形態(tài)來形成。進(jìn)而，還存在與缺陷部3對(duì)應(yīng)的部分的一部分未得到形成的情況。在本實(shí)施方式中，缺陷部3為異物，具體而言是灰塵、塵埃等微小的垃圾。
[0076]如圖2、3所示，在本實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL顯示面板100中，缺陷部3位于空穴注入層13上。并且,有機(jī)發(fā)光層15為在位于缺陷部3上方的部分未形成該有機(jī)發(fā)光層、或者與其他部分相比該有機(jī)發(fā)光層非常薄的狀態(tài)即形成了所謂的針孔(pinhole)的狀態(tài)。電子輸送層16形成在有機(jī)發(fā)光層15以及缺陷部3上,作為電子輸送層16的位于缺陷部3上方的部分的第一部分16c的膜厚，比作為不位于缺陷部3上方的部分(與缺陷部3不對(duì)應(yīng)的部分)的第二部分16d的膜厚薄。[0077]在本實(shí)施方式中，缺陷部3由有機(jī)物構(gòu)成，具有比有機(jī)發(fā)光層15高的導(dǎo)電性。
[0078]此外，在圖2、3中示出了具有缺陷部3的有機(jī)EL元件10，但并不是說形成于有機(jī)EL顯示面板100的所有有機(jī)EL元件10都具有缺陷部3。僅是形成于有機(jī)EL顯示面板100的多個(gè)有機(jī)EL元件10中的幾個(gè)具有缺陷部3，也有可能具有缺陷部3的有機(jī)EL元件為零。存在預(yù)定比例以上的具有缺陷部3的有機(jī)EL元件10的有機(jī)EL顯示面板100則作為不良品處理。
[0079][1-3.缺陷檢測(cè)方法以及修復(fù)方法]
[0080]接著，對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的缺陷部檢測(cè)方法進(jìn)行說明。在此，針對(duì)對(duì)有機(jī)EL顯示面板100進(jìn)行的缺陷檢測(cè)方法進(jìn)行以下說明。
[0081]圖4是表示本實(shí)施方式的缺陷檢測(cè)方法的概要的剖視圖，是由圖3的虛線B所包圍的部分的放大剖視圖。
[0082]首先，在有機(jī)EL元件100的陽極12和陰極17之間施加反向偏壓。由于缺陷部3使得有機(jī)發(fā)光層15不存在或者非常薄，因此具有缺陷部3的有機(jī)EL元件10會(huì)在比沒有缺陷部3的有機(jī)EL元件10低的反向偏壓下發(fā)生擊穿，會(huì)流動(dòng)電流。并且，如圖4的(a)所示，反向偏置電流Irl集中地在第一部分16c中流動(dòng)。
[0083]此外，在圖4的(a)中，在第一部分16c中流動(dòng)的反向偏置電流Irl用粗線的箭頭表示，在第二部分16d中流動(dòng)的反向偏置電流Ir2用虛線的箭頭表示。這表示出了:用虛線表示的反向偏置電流Ir2為小電流，用粗線表示的反向偏置電流Irl為大電流。
[0084]并且，由于反向偏置電流Irl集中地在第一部分16c中流動(dòng),第一部分16c發(fā)熱而溫度上升，如圖4的(b)所示，在第一部分16c中，有機(jī)材料16a升華而形成空隙部4。并且，在升華了的有機(jī)材料16a中摻雜的金屬16b在空隙部4的側(cè)壁部分析出，形成成為陰極17和缺陷部3之間的電流通路的通道部5。通道部5由析出的金屬構(gòu)成，具有高導(dǎo)電性，因此通過形成通道部5，第一部分16c的電阻下降，成為穩(wěn)定的短路狀態(tài)。由此，使得潛在的暗點(diǎn)顯在化。
[0085]在此，繼續(xù)施加反向偏壓直到形成空隙部4。具體而言，例如以10?30V施加10分鐘的反向偏壓。
[0086]另外，對(duì)于有機(jī)材料16a的升華，也可以不是在整個(gè)第一部分16c發(fā)生升華。只要能夠析出足夠形成通道部5的量的金屬16b的量的有機(jī)材料16a升華即可，所述通道部5是足以電連接缺陷部3和陰極17的長(zhǎng)度(電子輸送層16的厚度方向的長(zhǎng)度)的通道部。即，也可以僅是第一部分16c的一部分的有機(jī)材料16a升華，在第一部分16c的局部形成空隙部4。
[0087]接著上述空隙部4以及通道部5的形成，與通常的暗點(diǎn)檢測(cè)工序同樣地，在有機(jī)EL元件10的陽極12和陰極17之間施加正向偏壓。于是，如圖4的(c)所示，正向偏置電流If通過通道部5而主要集中地在第一部分16c中流動(dòng)，該正向偏置電流If在有機(jī)發(fā)光層15中幾乎不流動(dòng)，因此該有機(jī)EL元件10成為不發(fā)光，在暗點(diǎn)檢測(cè)工序中，被作為暗點(diǎn)檢測(cè)出來。
[0088]并且，對(duì)于被作為暗點(diǎn)檢測(cè)出來的有機(jī)EL元件10，通過向陽極12和陰極17的與缺陷部3對(duì)應(yīng)的部分照射激光的公知的方法，將電極燒斷和/或使之性質(zhì)改變，使該部分高電阻化或者絕緣化來實(shí)施修復(fù)處理。[0089]此外，暗點(diǎn)檢測(cè)通過使用了 CCD相機(jī)等公知的方法來進(jìn)行。具體而言，參照專利文獻(xiàn)I的發(fā)光狀態(tài)檢查的項(xiàng)目等。
[0090]另外，修復(fù)的方法不限于使用激光的方法，例如也可以使用超聲波等，只要能夠使之高電阻化或者絕緣化，則可以使用任何方法。
[0091][1-4.實(shí)施方式I的總結(jié)]
[0092]如上述說明的那樣，本實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL顯示面板100使用在有機(jī)材料16a摻雜了金屬16b而得到的材料，形成作為功能層的電子輸送層16。并且，根據(jù)本實(shí)施方式涉及的缺陷檢測(cè)方法，在暗點(diǎn)檢測(cè)工序之前，在有機(jī)EL元件10的陽極12和陰極17之間施加反向偏壓，在有機(jī)EL元件10具有缺陷部3的情況下，使作為電子輸送層16的與缺陷部3對(duì)應(yīng)的部分的第一部分16c低電阻化。該低電阻化通過如下所述的方法來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)對(duì)有機(jī)EL元件10施加了反向偏壓時(shí)，電流集中地在作為電子輸送層16的與缺陷部3對(duì)應(yīng)的部分的第一部分16c中流動(dòng)，溫度上升。當(dāng)?shù)谝徊糠?6c的溫度上升時(shí)，第一部分16c的有機(jī)材料16a馬上升華，在該部分形成空隙部4。與此同時(shí)，在升華了的有機(jī)材料16a中摻雜的金屬16b在空隙部4的側(cè)壁部分析出，形成具有高導(dǎo)電性的通道部5。這樣，第一部分16c被低電阻化。由此，第一部分16c成為穩(wěn)定的短路狀態(tài)，潛在的暗點(diǎn)得以顯在化。并且，在接著進(jìn)行的暗點(diǎn)檢測(cè)工序中，能夠切實(shí)地將具有缺陷部3的有機(jī)EL元件作為暗點(diǎn)檢測(cè)出來。
[0093]這樣，由于能夠強(qiáng)制性地使?jié)撛诘赜锌赡艹蔀榘迭c(diǎn)的有機(jī)EL元件10變成暗點(diǎn)而將其切實(shí)地檢測(cè)出來，因此通過預(yù)先修復(fù)暗點(diǎn)，能夠抑制在用戶的使用中產(chǎn)生暗點(diǎn)而品質(zhì)劣化的狀況的發(fā)生。
[0094](實(shí)施方式2)
[0095]在實(shí)施方式I中，對(duì)TFT的極性為N溝道型的有機(jī)EL顯示面板100進(jìn)行了說明。在實(shí)施方式2中，對(duì)TFT的極性為P溝道型的情況進(jìn)行說明。
[0096]為了避免重復(fù)說明，對(duì)于與實(shí)施方式I相同的構(gòu)成要素，標(biāo)記相同的符號(hào)，省略其說明。以下，對(duì)于實(shí)施方式3以及各變形例也是同樣的。
[0097][2-1.有機(jī)EL顯示面板的結(jié)構(gòu)]
[0098]圖5是表示實(shí)施方式2涉及的有機(jī)EL顯示面板200的概略結(jié)構(gòu)的局部剖視圖。在圖5中，示出了與圖2的A-A'線相當(dāng)?shù)奈恢锰幍钠室晥D。
[0099]如圖5所示，有機(jī)EL顯示面板200在基板11上依次層疊成膜有陰極17、電子輸送層16以及堤14，在開口部14a內(nèi)形成有機(jī)發(fā)光層15。并且，在堤14和有機(jī)發(fā)光層15上，依次層疊成膜有空穴注入層(功能層)13、陽極12以及封止層18。在本實(shí)施方式中，陰極17為像素電極。
[0100]此外，空穴注入層13使用在作為有機(jī)材料13a的a -NPD (N, N' -Bis (1-naphthylenyl)-N, -diphenyl-1, I' -biphenyl-4, 4' -diamine)等的導(dǎo)電性聚合物材料中慘雜了鋰等堿金屬和/或鋇等堿土類金屬而得到的材料來形成。在實(shí)施方式2中，空穴注入層13由摻雜了鋇的a -NPD形成。S卩，在實(shí)施方式2中，有機(jī)材料13a (參照?qǐng)D6各圖)為a -NPD，金屬13b (參照?qǐng)D6各圖)為鋇。
[0101]另外，在實(shí)施方式2中，也與實(shí)施方式I同樣，缺陷部3為異物、具體而言為灰塵、塵埃等微小的垃圾。
[0102]另外，在圖5中示出了具有缺陷部3的有機(jī)EL元件210，但并不是說形成于有機(jī)EL顯示面板200的所有有機(jī)EL元件210都具有缺陷部3。僅是形成于有機(jī)EL顯示面板200的多個(gè)有機(jī)EL元件210中的幾個(gè)具有缺陷部，也存在具有缺陷部3的有機(jī)EL元件為零的情況。
[0103][2-2.缺陷檢測(cè)方法以及修復(fù)方法]
[0104]接著，針對(duì)對(duì)實(shí)施方式2涉及的有機(jī)EL顯示面板200進(jìn)行的缺陷檢測(cè)方法進(jìn)行如下說明。
[0105]圖6為表示本實(shí)施方式的缺陷檢測(cè)方法的概要的剖視圖，是由圖5的虛線C包圍的部分的放大剖視圖。
[0106]首先，在有機(jī)EL元件210的陽極12和陰極17之間施加反向偏壓。于是，缺陷部3的導(dǎo)電性比有機(jī)發(fā)光層15的導(dǎo)電性高，空穴注入層13的第一部分13c的膜厚比第二部分13d的膜厚薄，第一部分13c的導(dǎo)電性比第二部分13d的導(dǎo)電性高。因此，與圖4示出的實(shí)施方式I的情況同樣，具有缺陷部3的有機(jī)EL元件210會(huì)在比沒有缺陷部3的有機(jī)EL元件210低的反向偏壓下在位于缺陷部3的上方的部分發(fā)生擊穿，會(huì)流動(dòng)電流。并且，如圖6的(a)所示,反向偏電流Irl集中地在第一部分13c中流動(dòng)。通過反向偏電流Irl集中地在第一部分13c中流動(dòng)，第一部分13c發(fā)熱而溫度上升，如圖6的(b)所示，在第一部分13c中，有機(jī)材料13a升華而形成空隙部4。并且，在升華了的有機(jī)材料13a中摻雜的金屬13b在空隙部4的側(cè)壁部分析出，形成成為陽極12和缺陷部3之間的電流通路的通道部205。通道部205由析出的金屬構(gòu)成，具有高導(dǎo)電性，因此通過形成通道部205，第一部分13c的電阻下降，成為穩(wěn)定的短路狀態(tài)。由此，潛在的暗點(diǎn)得以顯在化。
[0107]接著上述空隙部4以及通道部205的形成，與通常的暗點(diǎn)檢測(cè)工序同樣，在有機(jī)EL元件10的陽極12和陰極17之間施加正向偏壓。于是，如圖6的(C)所示，正向偏置電流If通過通道部205而主要集中地在第一部分13c中流動(dòng)，該正向偏置電流If在有機(jī)發(fā)光層15中幾乎不流動(dòng)，因此，該有機(jī)EL元件210成為不發(fā)光，在暗點(diǎn)檢測(cè)工序中，被作為暗點(diǎn)檢測(cè)出來。
[0108]之后，與實(shí)施方式I同樣，對(duì)作為暗點(diǎn)檢測(cè)出來的有機(jī)EL元件210進(jìn)行修復(fù)處理。
[0109]此外，在實(shí)施方式2中，繼續(xù)施加反向偏壓直到形成空隙部4。具體而言，例如以10?30V施加10分鐘的反向偏壓。
[0110]另外,在實(shí)施方式2中，也與實(shí)施方式I同樣，對(duì)于有機(jī)材料13a的升華,也可以不是在整個(gè)第一部分13c發(fā)生升華。只要能形成電連接缺陷部3和陽極12的通道部205，則也可以僅是第一部分13c的一部分有機(jī)材料13a升華而在第一部分13c的局部形成空隙部4。
[0111][2-3.實(shí)施方式2的總結(jié)]
[0112]如上所述說明的那樣，在實(shí)施方式2涉及的有機(jī)EL顯示面板200中，也是將形成在缺陷部3上方的空穴注入層13作為功能層，空穴注入層13也使用在有機(jī)材料13a中摻雜了金屬13b而得到的材料來形成。由此，與實(shí)施方式I的情況同樣，在對(duì)有機(jī)EL元件210施加反向偏壓而具有缺陷部3的情況下，能夠使第一部分13c低電阻化而使?jié)撛诘陌迭c(diǎn)顯在化，在暗點(diǎn)檢測(cè)工序中，能夠切實(shí)地將具有缺陷部3的有機(jī)EL元件作為暗點(diǎn)檢測(cè)出來。
[0113]這樣，在實(shí)施方式2涉及的有機(jī)EL顯示面板200中，也能夠強(qiáng)制性地使?jié)撛诘赜锌赡艹蔀榘迭c(diǎn)的有機(jī)EL元件210變?yōu)榘迭c(diǎn)而將其切實(shí)地檢測(cè)出來，因此，通過預(yù)先修復(fù)暗點(diǎn)，能夠抑制在用戶的使用中產(chǎn)生暗點(diǎn)而品質(zhì)劣化的狀況的發(fā)生。
[0114](實(shí)施方式3)
[0115]在實(shí)施方式I以及2中，缺陷部為垃圾等異物。但是，成為引起潛在的暗點(diǎn)的原因的缺陷部不限于異物。例如，有時(shí)在形成像素電極時(shí)，由于蒸鍍的不良而會(huì)在像素電極表面產(chǎn)生凹凸，突出大的部分會(huì)成為缺陷部。在實(shí)施方式3中，對(duì)缺陷部3為像素電極表面的突出部的情況進(jìn)行說明。
[0116][3-1.有機(jī)EL顯示面板的結(jié)構(gòu)]
[0117]圖7是表示實(shí)施方式3涉及的有機(jī)EL顯示面板300的概略結(jié)構(gòu)的局部剖視圖。在圖7中示出了與圖2的A-A'線相當(dāng)?shù)奈恢锰幍钠室晥D。
[0118]如圖7所示，有機(jī)EL顯示面板300與實(shí)施方式I的有機(jī)EL顯示面板100同樣，作為主要的構(gòu)成要素，具備基板11、陽極12、空穴注入層13、堤14、有機(jī)發(fā)光層15、電子輸送層(功能層)16、陰極17、封止層18。有機(jī)EL顯示面板300中，缺陷部303不是異物而是在陽極12的表面形成的突出部，空穴注入層13的位于缺陷部303上方的部分(與缺陷部303對(duì)應(yīng)的部分)以向上方(Z方向一側(cè))突出的形態(tài)形成，有機(jī)發(fā)光層15位于缺陷部303的上方的部分也以向上方(Z方向一側(cè))突出的形態(tài)形成，除了上述幾點(diǎn)之外，基本的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式I的有機(jī)EL顯示面板100相同。
[0119]此外，空穴注入層13以及有機(jī)發(fā)光層15為形成了所謂針孔的狀態(tài)、即在位于缺陷部303上方的部分不形成該空穴注入層13和/或有機(jī)發(fā)光層15、或者位于缺陷部303上方的部分的該空穴注入層13和/或有機(jī)發(fā)光層15與其他部分相比非常薄的狀態(tài)。
[0120]另外，在圖7中示出了具有缺陷部303的有機(jī)EL元件310，但并不是說形成于有機(jī)EL顯示面板300的所有有機(jī)EL元件310都具有缺陷部303。僅是形成于有機(jī)EL顯示面板300的多個(gè)有機(jī)EL元件310中的幾個(gè)具有缺陷部303，也存在具有缺陷部303的有機(jī)EL元件為零的情況。進(jìn)而，缺陷部303 (突出部)也可以與實(shí)施方式I和2中的缺陷部3 (異物)混合存在。
[0121]此外，在實(shí)施方式3中，陽極12為像素電極。另外，在本實(shí)施方式中，與實(shí)施方式I同樣，TFT的極性為N溝道型。
[0122][3-2.缺陷檢測(cè)方法以及修復(fù)方法]
[0123]接著，針對(duì)對(duì)實(shí)施方式3涉及的有機(jī)EL顯示面板300進(jìn)行的缺陷檢測(cè)方法進(jìn)行以下說明。
[0124]圖8是表示本實(shí)施方式的缺陷檢測(cè)方法的概要的剖視圖，是由圖7的虛線D包圍的部分的放大剖視圖。
[0125]首先，在有機(jī)EL元件310的陽極12和陰極17之間施加反向偏壓。在此，缺陷部303為陽極12的一部分，其導(dǎo)電性比空穴注入層13的導(dǎo)電性高。另外，空穴注入層13、有機(jī)發(fā)光層15、電子輸送層16的位于缺陷部303上方的部分的膜厚比不位于缺陷部303的上方的部分的膜厚薄，位于缺陷部303上方的部分的導(dǎo)電性比不位于缺陷部303的上方的部分的導(dǎo)電性高。因此，與實(shí)施方式I以及2的情況同樣，具有缺陷部303的有機(jī)EL元件310會(huì)在比沒有缺陷部303的有機(jī)EL元件310低的反向偏壓下在位于缺陷部303上方的部分發(fā)生擊穿，會(huì)流動(dòng)電流。并且，如圖8的(a)所示，反向偏電流Irl集中地在電子輸送層16第一部分16c中流動(dòng)。通過反向偏電流Irl集中地在第一部分16c中流動(dòng)，第一部分16c發(fā)熱而溫度上升，如圖8的(b)所示，在第一部分16c中，有機(jī)材料16a升華而形成空隙部4。并且，與實(shí)施方式I同樣，在升華了的有機(jī)材料16a中摻雜的金屬16b在空隙部4的側(cè)壁部分析出，形成成為陽極12和有機(jī)發(fā)光層15之間的電流通路的通道部305。通道部305由析出的金屬構(gòu)成，具有高導(dǎo)電性，因此，通過形成通道部305，第一部分16c的電阻下降，成為穩(wěn)定的短路狀態(tài)。由此，潛在的暗點(diǎn)得以顯在化。
[0126]接著上述空隙部4以及通道部205的形成，當(dāng)在有機(jī)EL元件310的陽極12和陰極17之間施加正向偏壓時(shí)，如圖8的(c)所示，正向偏置電流If通過通道部305而主要集中地在第一部分16c中流動(dòng)。由此，該有機(jī)EL元件310成為不發(fā)光，在暗點(diǎn)檢測(cè)工序中，被作為暗點(diǎn)檢測(cè)出來。
[0127]之后，與實(shí)施方式I以及2同樣，對(duì)作為暗點(diǎn)檢測(cè)出來的有機(jī)EL元件310進(jìn)行修
復(fù)處理。
[0128]在實(shí)施方式3中，也繼續(xù)施加反向偏壓直到形成空隙部4。具體而言，例如以10?30V施加10分鐘的反向偏壓。
[0129]另外,在實(shí)施方式3中，也與實(shí)施方式1、2同樣，對(duì)于有機(jī)材料16a的升華,可以不是在整個(gè)第一部分16c發(fā)生升華。
[0130][3-3.實(shí)施方式3的總結(jié)]
[0131 ] 如上所述說明的那樣，在實(shí)施方式3涉及的有機(jī)EL顯示面板300中，也將形成在缺陷部303上方的電子輸送層16作為功能層，電子輸送層16也使用在有機(jī)材料16a中摻雜了金屬16b而得到的材料來形成。由此，與實(shí)施方式I以及2的情況同樣，在對(duì)有機(jī)EL元件310施加反向偏壓而具有缺陷部303的情況下，能夠使第一部分16c低電阻化而使?jié)撛诘陌迭c(diǎn)顯在化，在暗點(diǎn)檢測(cè)工序中，能夠切實(shí)地將具有缺陷部303的有機(jī)EL元件作為暗點(diǎn)檢測(cè)出來。
[0132]這樣，在實(shí)施方式3涉及的有機(jī)EL顯示面板300中，也能夠強(qiáng)制性地使?jié)撛诘赜锌赡艹蔀榘迭c(diǎn)的有機(jī)EL元件310變?yōu)榘迭c(diǎn)而將其切實(shí)地檢測(cè)出來，因此，通過預(yù)先修復(fù)暗點(diǎn)，能夠抑制在用戶的使用中產(chǎn)生暗點(diǎn)而品質(zhì)劣化的狀況的發(fā)生。
[0133][變形例]
[0134]以上，根據(jù)實(shí)施方式I?3對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于這些實(shí)施方式。例如可以實(shí)施如下所述的變形例。
[0135](I)在實(shí)施方式3中，電子輸送層16是由在有機(jī)材料摻雜了金屬的材料構(gòu)成的功能層，但不限于此。例如，代替電子輸送層16，也可以使用在有機(jī)材料中摻雜了金屬的材料來形成空穴注入層13。在該情況下，反向偏置電流Irl也集中地在空穴注入層13的位于缺陷部303上方的部分流動(dòng)，因此，在該部分，與實(shí)施方式2的第一部分13c同樣，能夠形成空隙部以及通道部而實(shí)現(xiàn)低電阻化。由此，能夠切實(shí)地使之變?yōu)榘迭c(diǎn)而實(shí)施修復(fù)處理。
[0136](2)在上述各實(shí)施方式中，由在有機(jī)材料中摻雜了金屬的材料構(gòu)成的功能層僅是一層，但不限于此。例如，也可以使用在有機(jī)材料中摻雜了金屬的材料來形成電子輸送層16和空穴注入層13這兩者。
[0137]這樣，例如在如實(shí)施方式3那樣缺陷部為電極表面的突出部的情況下，能夠在缺陷部的上方形成通道部以將有機(jī)發(fā)光層15夾著中間，能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低電阻化。由此，能夠更切實(shí)地使?jié)撛诘陌迭c(diǎn)缺陷變?yōu)榘迭c(diǎn)而實(shí)施修復(fù)處理。[0138](3)在實(shí)施方式I和2中，對(duì)缺陷部具體為異物的情況進(jìn)行了說明。在實(shí)施方式3中，對(duì)缺陷部具體為像素電極(在實(shí)施方式3中為陽極12)表面的突出部的情況進(jìn)行了說明。但是，缺陷部的具體例子不限于這些。例如，缺陷部也可以是凹入部。對(duì)于凹入部，例如當(dāng)對(duì)像素電極進(jìn)行蝕刻時(shí)，在抗蝕劑存在涂敷不均和/或針孔等不良的情況下，由此會(huì)在像素電極表面形成該凹入部。
[0139]當(dāng)形成凹入部時(shí)，在其上形成的層會(huì)在凹入部的邊緣部分?jǐn)嗔鸦蚰ず褡優(yōu)闃O薄，會(huì)成為產(chǎn)生泄漏電流的原因。
[0140]在這樣的情況下，通過使用在有機(jī)材料中摻雜了金屬的材料來形成電子輸送層16或者空穴注入層13 (或者它們兩者)，也能夠得到與上述各實(shí)施方式以及各變形例同樣的效果。即，能夠強(qiáng)制性地使具有缺陷部(該情況下為凹入部)而潛在地有可能成為暗點(diǎn)的有機(jī)EL元件變?yōu)榘迭c(diǎn)而切實(shí)地將其檢測(cè)出來。并且，通過預(yù)先修復(fù)暗點(diǎn)，能夠抑制在用戶的使用中產(chǎn)生暗點(diǎn)而品質(zhì)劣化的狀況的發(fā)生。
[0141](4)本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL顯示面板也可以為還包括空穴輸送層、電子注入層、鈍化膜以及透明導(dǎo)電層等的其他的層的結(jié)構(gòu)。
[0142](5)另外，在各實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL顯示面板中，也可以為缺少空穴注入層13和電子輸送層16中的不作為功能層發(fā)揮作用的層的結(jié)構(gòu)。
[0143]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0144]本發(fā)明的缺陷檢測(cè)方法、有機(jī)EL元件的修復(fù)方法以及有機(jī)EL顯示面板例如適于利用在作為家用或公共設(shè)施、或者業(yè)務(wù)用的各種顯示裝置、電視裝置、便攜電子設(shè)備用顯示器等使用的有機(jī)EL顯示面板、以及適用于該有機(jī)EL顯示面板的缺陷檢測(cè)方法、有機(jī)EL元件的修復(fù)方法中。
【權(quán)利要求】
1.一種對(duì)有機(jī)EL元件進(jìn)行的缺陷檢測(cè)方法，所述有機(jī)EL元件具有第一電極、第二電極以及夾在所述第一電極和所述第二電極之間的功能層和發(fā)光層，所述缺陷檢測(cè)方法包括: 暗點(diǎn)顯在化工序，通過在所述第一電極和所述第二電極之間施加用于使暗點(diǎn)顯在化的電壓，所述滅點(diǎn)是所述發(fā)光層為不發(fā)光的點(diǎn)，在所述有機(jī)EL元件在所述第一電極和所述第二電極之間具有成為導(dǎo)致所述不發(fā)光的原因的缺陷部的情況下，使所述功能層的與所述缺陷部對(duì)應(yīng)的第一部分的電阻下降；和 暗點(diǎn)檢測(cè)工序，在所述暗點(diǎn)顯在化工序之后，在所述第一電極和所述第二電極之間施加如果是沒有所述缺陷部的正常的有機(jī)EL元件的情況下它是會(huì)發(fā)光的電壓即發(fā)光所需電壓，對(duì)所述暗點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢測(cè)方法， 所述功能層由摻雜了金屬的有機(jī)材料構(gòu)成， 在所述暗點(diǎn)顯在化工序中，通過對(duì)所述第一部分通電而使之發(fā)熱，從而使所述第一部分所包含的所述有機(jī)材料蒸發(fā)而形成空隙部，在所述功能層的包圍所述空隙部的側(cè)壁部分，使在蒸發(fā)了的所述有機(jī)材料摻雜的所述金屬析出，由此使電阻下降。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢測(cè)方法， 所述第一電極為陽極，所述第二電極為陰極， 對(duì)所述第二電極施加比所述第一電極高的電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢測(cè)方法， 在所述暗點(diǎn)顯在化工序中，施加所述電壓，直到所述第一部分的電阻下降為比所述功能層的與所述缺陷部不對(duì)應(yīng)的第二部分的電阻低。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢測(cè)方法， 所述缺陷部在所述功能層的下方具有突出部、凹入部或者導(dǎo)電性比所述發(fā)光層的導(dǎo)電性高的異物， 所述第一部分位于所述突出部、所述凹入部或者所述異物的上方，具有膜厚比所述第二部分的膜厚薄的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的缺陷檢測(cè)方法， 所述功能層由伴隨著在所述功能層中流動(dòng)的累積電流量的增加而電阻下降的材料構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的缺陷檢測(cè)方法， 在所述暗點(diǎn)顯在化工序中，通過在所述第一部分中流動(dòng)比所述第二部分大的電流，從而使所述第一部分性質(zhì)改變，使所述第一部分的電阻下降為比所述第二部分的電阻低。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的缺陷檢測(cè)方法， 在所述暗點(diǎn)顯在化工序中，通過在所述第一部分中流動(dòng)比所述第二部分大的電流，且施加于所述第一部分的電場(chǎng)強(qiáng)度大于施加于所述第二部分的電場(chǎng)強(qiáng)度，從而使所述第一部分的一部分破損或變形，在所述第一部分形成空隙部。
9.一種有機(jī)EL元件的修復(fù)方法，其為在由缺陷檢測(cè)方法而被作為暗點(diǎn)檢測(cè)出來的有機(jī)EL元件中，進(jìn)行提高所述第一電極和所述第二電極的至少一方的與所述第一部分對(duì)應(yīng)的部分的電阻的處理的方法，所述缺陷檢測(cè)方法為權(quán)利要求1~8的任一項(xiàng)所述的缺陷檢測(cè)方法。
10.一種有機(jī)EL顯示面板，所述有機(jī)EL顯示面板在基板上形成有多個(gè)有機(jī)EL元件，所述多個(gè)有機(jī)EL元件分別具有發(fā)光層、層疊在所述發(fā)光層上由摻雜了金屬的有機(jī)材料構(gòu)成的功能層以及將所述發(fā)光層和所述功能層夾在中間的一對(duì)電極， 所述多個(gè)有機(jī)EL元件中的至少一個(gè)有機(jī)EL元件在所述功能層的下方具有突出部、凹入部或者導(dǎo)電性比所述發(fā)光層的導(dǎo)電性高的異物， 所述功能層的位于所述突出部、所述凹入部或者所述異物的上方的第一部分的至少一部分缺損而形成空隙部，在`所述空隙部的周圍有所述金屬析出。
【文檔編號(hào)】G09F9/30GK103733728SQ201380002539
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年2月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月14日
【發(fā)明者】島村隆之, 林田芳樹, 鹽田昭教, 土田臣彌 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社