一種等離子顯示器驅(qū)動(dòng)方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種等離子顯示器驅(qū)動(dòng)方法。對(duì)輸入LVDS信號(hào)的處理，增加尋址開關(guān)數(shù)的計(jì)算，根據(jù)當(dāng)前子場的尋址開關(guān)次數(shù)及畫面放電現(xiàn)象劃分開關(guān)次數(shù)區(qū)間，并對(duì)對(duì)應(yīng)區(qū)間的復(fù)位期下降斜坡水平段長度進(jìn)行設(shè)置。本發(fā)明方案方法簡單易行，有效避免了串?dāng)_和低放電不良現(xiàn)象的產(chǎn)生。
【專利說明】一種等離子顯示器驅(qū)動(dòng)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種等離子顯示器驅(qū)動(dòng)方法，特別是涉及一種適用于。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來液晶顯示器(IXD)、場致發(fā)光顯示器(LED)以及等離子顯示器(PDP)等得到了有效開發(fā)。平板顯示器中的PDP與其它類型的平板顯示器相比有較好的亮度和發(fā)光效率，并且還有較寬的視角。因此，PDP在大于40英寸的大面積顯示器中成為替代常規(guī)的陰極射線管(CRT)的關(guān)注對(duì)象。
[0003]圖1為常規(guī)PDP驅(qū)動(dòng)波形圖，圖2為rop電極分布圖。通常rop中單個(gè)幀被分成多個(gè)子幀，并且灰度由子幀的組合表示。每個(gè)子幀由復(fù)位期、尋址期及維持期三部分組成。
[0004]復(fù)位期:通過斜坡波形對(duì)屏施加較高的電壓，使所有的放電單元產(chǎn)生放電，并使各單元在尋址期開始前，放電狀態(tài)盡可能趨于一致。
[0005]尋址期:掃描電極上施加掃描脈沖，并且對(duì)需要點(diǎn)亮的單元在尋址電極施加尋址脈沖信號(hào)，使需要點(diǎn)亮的單元產(chǎn)生放電，并重新積累壁電荷，以便于維持期正常放電。
[0006]維持期:顯示電極對(duì)X、Y電極上交替施加維持脈沖信號(hào),需點(diǎn)亮的單元持續(xù)放電發(fā)光。
[0007]復(fù)位期下降斜坡水平段長度對(duì)當(dāng)前子場尋址期和維持期有較大影響:
1、見圖3所示，復(fù)位期下降斜坡水平段偏短，則單元積累的壁電荷較多，使尋址放電增強(qiáng)，放電單元空間存在大量的Priming粒子，這部分離子容易擴(kuò)散到相鄰單元，導(dǎo)致相鄰單元容易被誤尋址，造成維持期點(diǎn)亮，即產(chǎn)生串?dāng)_。
[0008]2、復(fù)位期下降斜坡水平段偏長，則單元積累的壁電荷較少，使尋址放電不足，導(dǎo)致該單元未被尋址，在維持期則不能點(diǎn)亮，即產(chǎn)生低放電。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種避免產(chǎn)生串?dāng)_或低放電的等離子顯示器驅(qū)動(dòng)方法。
[0010]本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:一種等離子顯示器驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于:具體方法為:對(duì)輸入LVDS信號(hào)的處理，增加尋址開關(guān)數(shù)的計(jì)算，根據(jù)當(dāng)前子場的尋址開關(guān)次數(shù)及畫面放電現(xiàn)象劃分開關(guān)次數(shù)區(qū)間，并對(duì)對(duì)應(yīng)區(qū)間的復(fù)位期下降斜坡水平段長度進(jìn)行設(shè)置。
[0011]作為優(yōu)選，具體方法步驟為:步驟一、計(jì)算尋址開關(guān)次數(shù)；步驟二、觀察當(dāng)前畫面放電現(xiàn)象是否存在低放電或串?dāng)_不良，是則計(jì)算出現(xiàn)低放電或串?dāng)_不良畫面所對(duì)應(yīng)的尋址開關(guān)次數(shù)；步驟三、根據(jù)步驟一和步驟二中計(jì)算出的開關(guān)次數(shù)進(jìn)行區(qū)間劃分，根據(jù)1179648/2的開關(guān)次數(shù)為界，對(duì)低區(qū)間設(shè)置短的復(fù)位期下降斜坡水平段長度，對(duì)高區(qū)間設(shè)置長的復(fù)位期下降斜坡水平段長度，中間區(qū)間進(jìn)行正常設(shè)置。
[0012]作為優(yōu)選，所述劃分低放電或串?dāng)_不良畫面所對(duì)應(yīng)的尋址開關(guān)次數(shù)包含在所劃分的區(qū)間內(nèi)。[0013]作為優(yōu)選，所述步驟三中，將所述低區(qū)間的復(fù)位期下降斜坡水平段長度設(shè)置為10μ S—30μ S。
[0014]作為優(yōu)選，所述步驟三中，將所述高區(qū)間的復(fù)位期下降斜坡水平段長度設(shè)置為50μ S—70μ S。
[0015]作為優(yōu)選，所述步驟三中，首先將所述低區(qū)間的復(fù)位期下降斜坡水平段長度設(shè)置為20μ S，觀察當(dāng)前畫面放電現(xiàn)象，是否存在低放電或串?dāng)_不良現(xiàn)象，若出現(xiàn)低放電現(xiàn)象則繼續(xù)降低所述長度設(shè)置，若存在串?dāng)_不良現(xiàn)象，則提高所述長度設(shè)置。
[0016]作為優(yōu)選，所述步驟三中，首先將所述高區(qū)間的復(fù)位期下降斜坡水平段長度設(shè)置為60μ S，觀察當(dāng)前畫面放電現(xiàn)象，是否存在低放電或串?dāng)_不良現(xiàn)象，若出現(xiàn)低放電現(xiàn)象則降低所述長度設(shè)置，若存在串?dāng)_不良現(xiàn)象，則繼續(xù)提高所述長度設(shè)置，依次類推，直至低放電或串?dāng)_不良現(xiàn)象消失。
[0017]作為優(yōu)選，所述步驟還包括，若出現(xiàn)低放電和串?dāng)_不良畫面開關(guān)次數(shù)交叉，則設(shè)置包含相近低放電和串?dāng)_不良畫面的開關(guān)次數(shù)區(qū)間，在此區(qū)間進(jìn)行合適的所述長度設(shè)置選擇，直至低放電和串?dāng)_不良現(xiàn)象消失。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:創(chuàng)新性增加尋址開關(guān)計(jì)數(shù)模塊，并對(duì)尋址開關(guān)數(shù)不同的畫面進(jìn)行相應(yīng)的復(fù)位期下降斜坡水平段長度補(bǔ)償，方法簡單易行，有效避免了串?dāng)_和低放電不良現(xiàn)象的產(chǎn)生。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0019]圖1為常規(guī)rop驅(qū)動(dòng)示意圖。
[0020]圖2為rop電極分布示意圖。
[0021]圖3為串?dāng)_發(fā)生不意圖。
[0022]圖4為PDP顯示控制模塊示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0024]本說明書(包括任何附加權(quán)利要求、摘要和附圖)中公開的任一特征，除非特別敘述，均可被其他等效或者具有類似目的的替代特征加以替換。即，除非特別敘述，每個(gè)特征只是一系列等效或類似特征中的一個(gè)例子而已。
[0025]本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)是根據(jù)當(dāng)前子場尋址開關(guān)次數(shù)多少?zèng)Q定當(dāng)前子場復(fù)位期下降斜坡水平段的時(shí)間長度:若當(dāng)前子場尋址開關(guān)次數(shù)較少，則當(dāng)前子場復(fù)位期設(shè)置適當(dāng)短的下降斜坡水平段的時(shí)間長度，減少壁電荷損失，避免產(chǎn)生低放電；若當(dāng)前子場尋址開關(guān)次數(shù)較多，則在當(dāng)前子場復(fù)位期設(shè)置適當(dāng)長的下降斜坡水平段的時(shí)間長度，避免Priming離子擴(kuò)散到相鄰單元格，產(chǎn)生串?dāng)_。
[0026]如圖4所示，一種等離子顯示器驅(qū)動(dòng)方法，具體方法為:對(duì)輸入LVDS信號(hào)的處理，增加尋址開關(guān)數(shù)的計(jì)算，根據(jù)當(dāng)前子場的尋址開關(guān)次數(shù)及畫面放電現(xiàn)象劃分開關(guān)次數(shù)區(qū)間，并對(duì)對(duì)應(yīng)區(qū)間的復(fù)位期下降斜坡水平段長度進(jìn)行設(shè)置。[0027]具體方法步驟為:步驟一、計(jì)算尋址開關(guān)次數(shù)；步驟二、觀察當(dāng)前畫面放電現(xiàn)象是否存在低放電或串?dāng)_不良，是則計(jì)算出現(xiàn)低放電或串?dāng)_不良畫面所對(duì)應(yīng)的尋址開關(guān)次數(shù)；步驟三、根據(jù)步驟一和步驟二中計(jì)算出的開關(guān)次數(shù)進(jìn)行區(qū)間劃分，根據(jù)1179648/2的開關(guān)次數(shù)為界，對(duì)低區(qū)間設(shè)置短的復(fù)位期下降斜坡水平段長度，對(duì)高區(qū)間設(shè)置長的復(fù)位期下降斜坡水平段長度，中間區(qū)間進(jìn)行正常設(shè)置。
[0028]本具體實(shí)施例以1024*768分辨率的PDP顯示屏為例，一個(gè)子場最大尋址開關(guān)總數(shù)為1024*3*384=1179648次，可將尋址開關(guān)次數(shù)總數(shù)分為三個(gè)區(qū)間:0— 400000，400001-800000，800001-1179648。尋址開關(guān)次數(shù)總數(shù)較少的畫面，如逐行掃描的全白場畫面，則在一個(gè)子場中尋址開關(guān)打開次數(shù)總數(shù)為1024*3*1=3072，此時(shí)容易產(chǎn)生低放電，因此要減短復(fù)位期下降斜坡水平段長度，減少壁電荷損失，避免尋址弱放電導(dǎo)致低放電不良；尋址開關(guān)次數(shù)總數(shù)較多的畫面，如隔行點(diǎn)亮的白場畫面，則在一個(gè)子場中尋址開關(guān)打開次數(shù)總數(shù)為1024*3*384=1179648，此時(shí)容易產(chǎn)生串?dāng)_，因此要加長復(fù)位期下降斜坡水平段長度，避免壁電荷積累過多導(dǎo)致在尋址時(shí)引起被尋址單元周圍單元誤尋址，導(dǎo)致維持期產(chǎn)生誤放電，即產(chǎn)生串?dāng)_不良。
[0029]所述劃分低放電或串?dāng)_不良畫面所對(duì)應(yīng)的尋址開關(guān)次數(shù)包含在所劃分的區(qū)間內(nèi)。
[0030]若只有一種不良低放電或者串?dāng)_。
[0031]只出現(xiàn)低放電畫面A (開關(guān)次數(shù)10萬)、B (開關(guān)次數(shù)20萬)和C (開關(guān)次數(shù)30萬)時(shí)，可以設(shè)置區(qū)間0-35萬(35萬是為了保證開關(guān)次數(shù)在30萬左右的畫面包含進(jìn)內(nèi))，35萬-總數(shù)兩個(gè)區(qū)間。0-35萬可設(shè)置長度修正至10-30 μ S (測(cè)試范圍內(nèi)合適值保證消除低放電并保證無其它放電不良，若無合適值保證畫面Α、B、C同時(shí)消除不良現(xiàn)象，則需要細(xì)分0-15萬、15-35萬、35萬-總數(shù)等三個(gè)區(qū)間，甚至是0-15萬、15-25萬、25-35萬、35萬-總數(shù)等四個(gè)區(qū)間，分完區(qū)間后再測(cè)試合適的長度)，35萬-總數(shù)區(qū)間不進(jìn)行長度修正，即保持原來長度設(shè)置不變。
[0032]所述步驟三中，將所述低區(qū)間的復(fù)位期下降斜坡水平段長度設(shè)置為10 μ S—30 μ S。
[0033]所述步驟三中，將所述高區(qū)間的復(fù)位期下降斜坡水平段長度設(shè)置為50 μ S—70 μ S。
[0034]只出現(xiàn)串?dāng)_畫面C (開關(guān)次數(shù)80萬)、畫面D (開關(guān)次數(shù)90萬)，可以設(shè)置區(qū)間0_75萬，75萬-總數(shù)(75萬是為了保證開關(guān)次數(shù)在80萬左右的畫面包含進(jìn)內(nèi))兩個(gè)區(qū)間，0-75萬區(qū)間不進(jìn)行長度修正，即保持原來長度設(shè)置不變，75萬-總數(shù)區(qū)間設(shè)置長度修正至50 μ S-70 μ S (測(cè)試范圍內(nèi)合適值保證消除串?dāng)_并保證無其它放電不良)。
[0035]所述步驟三中，首先將所述低區(qū)間的復(fù)位期下降斜坡水平段長度設(shè)置為20μ S，觀察當(dāng)前畫面放電現(xiàn)象，是否存在低放電或串?dāng)_不良現(xiàn)象，若出現(xiàn)低放電現(xiàn)象則繼續(xù)降低所述長度設(shè)置，若存在串?dāng)_不良現(xiàn)象，則提高所述長度設(shè)置。
[0036]所述步驟三中，首先將所述高區(qū)間的復(fù)位期下降斜坡水平段長度設(shè)置為60μ S，觀察當(dāng)前畫面放電現(xiàn)象，是否存在低放電或串?dāng)_不良現(xiàn)象，若出現(xiàn)低放電現(xiàn)象則降低所述長度設(shè)置，若存在串?dāng)_不良現(xiàn)象，則繼續(xù)提高所述長度設(shè)置，依次類推，直至低放電或串?dāng)_不良現(xiàn)象消失。
[0037]低放電與串?dāng)_現(xiàn)象同時(shí)出現(xiàn)時(shí)。[0038]若出現(xiàn)低放電畫面A(開關(guān)次數(shù)40萬)、串?dāng)_畫面(開關(guān)次數(shù)80萬)，可以分為0_45萬、45-75萬、75萬-總數(shù)三個(gè)區(qū)間，0-45萬設(shè)置修正IOyS -30 μ S (測(cè)試范圍內(nèi)合適值保證消除低放電并保證無其它放電不良)，45-75萬區(qū)間不做修正(區(qū)間范圍內(nèi)本身無不良)，75萬-總數(shù)長度修正為50 μ S - 70 μ S0
[0039]所述步驟還包括，若出現(xiàn)低放電和串?dāng)_不良畫面開關(guān)次數(shù)交叉，則設(shè)置包含相近低放電和串?dāng)_不良畫面的開關(guān)次數(shù)區(qū)間，在此區(qū)間進(jìn)行合適的所述長度設(shè)置選擇，直至低放電和串?dāng)_不良現(xiàn)象消失。
[0040]出現(xiàn)低放電畫面A (開關(guān)次數(shù)20萬)、低放電畫面B (開關(guān)次數(shù)40萬)，串?dāng)_畫面C (開關(guān)次數(shù)35萬)、串?dāng)_畫面D (開關(guān)次數(shù)80萬)，可以設(shè)置區(qū)間0-30萬、30萬-45萬(此區(qū)間將畫面B和C包含在內(nèi))，45萬-75萬，75萬-總數(shù)四個(gè)區(qū)間。0_30萬區(qū)間設(shè)置長度IOyS -30 μ S (測(cè)試范圍內(nèi)合適值保證消除低放電并保證無其它放電不良)，30-45萬設(shè)置IOuS -50μ S內(nèi)的合適值(此區(qū)間因不良同時(shí)存在，較復(fù)雜，因此長度區(qū)間放大，在長度區(qū)間內(nèi)測(cè)試合適的值)，45萬-75萬不做修正(區(qū)間內(nèi)無不良)，75萬-總數(shù)設(shè)置50 μ S -70 μ S內(nèi)合適值。
[0041]即低放電和串?dāng)_出現(xiàn)畫面的開關(guān)數(shù)交叉越多，需要?jiǎng)澐謪^(qū)間越多。實(shí)際上開關(guān)次數(shù)越少越容易出現(xiàn)低放電，開關(guān)次數(shù)越多越容易出現(xiàn)串?dāng)_，兩者方向相反，因此實(shí)際中幾乎不會(huì)出現(xiàn)上述情況，分為三個(gè)區(qū)間基本夠用。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子顯示器驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于:具體方法為:對(duì)輸入LVDS信號(hào)的處理，增加尋址開關(guān)數(shù)的計(jì)算，根據(jù)當(dāng)前子場的尋址開關(guān)次數(shù)及畫面放電現(xiàn)象劃分開關(guān)次數(shù)區(qū)間，并對(duì)對(duì)應(yīng)區(qū)間的復(fù)位期下降斜坡水平段長度進(jìn)行設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示器驅(qū)動(dòng)方法，具體方法步驟為:步驟一、計(jì)算尋址開關(guān)次數(shù)；步驟二、觀察當(dāng)前畫面放電現(xiàn)象是否存在低放電或串?dāng)_不良，是則計(jì)算出現(xiàn)低放電或串?dāng)_不良畫面所對(duì)應(yīng)的尋址開關(guān)次數(shù)；步驟三、根據(jù)步驟一和步驟二中計(jì)算出的開關(guān)次數(shù)進(jìn)行區(qū)間劃分，根據(jù)1179648/2的開關(guān)次數(shù)為界，對(duì)低區(qū)間設(shè)置短的復(fù)位期下降斜坡水平段長度，對(duì)高區(qū)間設(shè)置長的復(fù)位期下降斜坡水平段長度，中間區(qū)間進(jìn)行正常設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示器驅(qū)動(dòng)方法，所述劃分低放電或串?dāng)_不良畫面所對(duì)應(yīng)的尋址開關(guān)次數(shù)包含在所劃分的區(qū)間內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子顯示器驅(qū)動(dòng)方法，所述步驟三中，將所述低區(qū)間的復(fù)位期下降斜坡水平段長度設(shè)置為10 μ S-30 μ S。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子顯示器驅(qū)動(dòng)方法，所述步驟三中，將所述高區(qū)間的復(fù)位期下降斜坡水平段長度設(shè)置為50 μ S—70 μ S。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子顯示器驅(qū)動(dòng)方法，所述步驟三中，首先將所述低區(qū)間的復(fù)位期下降斜坡水平段長度設(shè)置為20 μ S，觀察當(dāng)前畫面放電現(xiàn)象，是否存在低放電或串?dāng)_不良現(xiàn)象，若出現(xiàn)低放電現(xiàn)象則繼續(xù)降低所述長度設(shè)置，若存在串?dāng)_不良現(xiàn)象，則提高所述長度設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子顯示器驅(qū)動(dòng)方法，所述步驟三中，首先將所述高區(qū)間的復(fù)位期下降斜坡水平段 長度設(shè)置為60 μ S，觀察當(dāng)前畫面放電現(xiàn)象，是否存在低放電或串?dāng)_不良現(xiàn)象，若出現(xiàn)低放電現(xiàn)象則降低所述長度設(shè)置，若存在串?dāng)_不良現(xiàn)象，則繼續(xù)提高所述長度設(shè)置，依次類推，直至低放電或串?dāng)_不良現(xiàn)象消失。
8.根據(jù)權(quán)利要求3到7之一所述的等離子顯示器驅(qū)動(dòng)方法，所述步驟還包括，若出現(xiàn)低放電和串?dāng)_不良畫面開關(guān)次數(shù)交叉，則設(shè)置包含相近低放電和串?dāng)_不良畫面的開關(guān)次數(shù)區(qū)間，在此區(qū)間進(jìn)行合適的所述長度設(shè)置選擇，直至低放電和串?dāng)_不良現(xiàn)象消失。
【文檔編號(hào)】G09G3/28GK103903551SQ201410093984
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2014年3月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月14日
【發(fā)明者】高響, 柳希武, 張宏元, 衛(wèi)偉, 李云飛, 王爽 申請(qǐng)人:四川虹歐顯示器件有限公司