一種背光源驅(qū)動電路和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種背光源驅(qū)動電路和顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，該背光源驅(qū)動電路具有簡單結(jié)構(gòu)。該背光源驅(qū)動電路包括供電模塊、開關(guān)模塊和LED組；供電模塊包括第一端口、第二端口和第三端口；開關(guān)模塊包括第一電阻、第二電阻、MOSFET、第一三極管、第一基極偏置電阻和第一基極分壓電阻；第一電阻第一端連接第一端口，第一電阻第二端連接第二電阻第一端；MOSFET源極連接第一端口，漏極連接LED組，柵極連接第二電阻第一端；第二電阻第二端連接第一三極管集電極，第一三極管基極連接第一基極偏置電阻第一端和第一基極分壓電阻第一端，第一基極偏置電阻第二端連接第二端口，第一基極分壓電阻第二端和第一三極管發(fā)射極連接第三端口。
【專利說明】一種背光源驅(qū)動電路和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種背光源驅(qū)動電路和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器是一種平面超薄的顯示設(shè)備，液晶顯示器主要包括顯示面板和背光模組，其中，背光模組為顯示面板提供光線，使得顯示面板能夠顯示畫面。
[0003]具體地，背光模組包括背光源和用于驅(qū)動背光源的背光源驅(qū)動電路。常用的背光源包括發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,簡稱LED),與其相應(yīng)的背光源驅(qū)動電路包括單電源、驅(qū)動模塊和LED組，其中，單電源提供的大小為24V電壓，經(jīng)過驅(qū)動電路升壓后，提供給LED組，從而驅(qū)動LED發(fā)光。
[0004]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中，驅(qū)動模塊包括多個電阻、電容器、二極管和三極管等零器件，使得整個背光源驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，零器件溫升高，從而使得整個背光源驅(qū)動電路的穩(wěn)定性低，轉(zhuǎn)換效率低，能耗高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種背光源驅(qū)動電路和顯示裝置，該背光源驅(qū)動電路具有簡單的結(jié)構(gòu)。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種背光源驅(qū)動電路，采用如下技術(shù)方案:
[0007]一種背光源驅(qū)動電路，包括供電模塊、開關(guān)模塊和LED組；
[0008]所述供電模塊包括第一端口、第二端口和第三端口，所述第一端口和所述第二端口輸出電壓，所述第三端口接地；
[0009]所述開關(guān)模塊包括第一電阻、第二電阻、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、第一三極管、第一基極偏置電阻和第一基極分壓電阻；
[0010]其中，所述第一電阻的第一端連接所述第一端口，所述第一電阻的第二端連接所述第二電阻的第一端；
[0011]所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極連接所述第一端口，所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極連接所述LED組，所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極連接所述第二電阻的第一端；
[0012]所述第二電阻的第二端連接所述第一三極管的集電極，所述第一三極管的基極連接所述第一基極偏置電阻的第一端和所述第一基極分壓電阻的第一端，所述第一基極偏置電阻的第二端連接所述第二端口，所述第一基極分壓電阻的第二端和所述第一三極管的發(fā)射極連接所述第三端口。
[0013]可選地，所述供電模塊還包括第四端口，所述第四端口輸出脈寬調(diào)制信號；所述開關(guān)模塊還包括第二三極管、第二基極偏置電阻和第二基極分壓電阻；
[0014]其中，所述第四端口連接所述第二基極偏置電阻的第一端，所述第二基極偏置電阻的第二端連接所述第二三極管的基極和第二基極分壓電阻的第一端，所述第二三極管的集電極連接所述第二電阻的第二端，所述第二三極管的發(fā)射極連接所述第一三極管的集電極，所述第二基極分壓電阻的第二端連接所述第三端口。
[0015]可選地，所述LED組包括多個并聯(lián)的LED單元，所述每個LED單元包括多個相互串聯(lián)的LED。
[0016]進一步地，每個所述LED單元包括第三電阻、第四電阻、第三三極管和第四三極管，所述第三電阻的第一端連接所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極，所述第三電阻的第二端連接所述第三三極管的基極和所述第四三極管的集電極，所述第三三極管的集電極連接LED，所述第三三極管的發(fā)射極連接所述第四三極管的基極和所述第四電阻的第一端，所述第四三極管的發(fā)射極和所述第四電阻的第二端連接所述第三端口。
[0017]進一步地，所述第一三極管、所述第二三極管、所述第三三極管、所述第四三級管為NPN型三極管。
[0018]進一步地，所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管為N溝道增強型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
[0019]進一步地，所述供電模塊包括單電源。
[0020]本發(fā)明實施例提供了一種背光源驅(qū)動電路，該背光源驅(qū)動電路包括供電模塊、開關(guān)模塊和LED組，其中，供電模塊包括第一端口、第二端口和第三端口 ；開關(guān)模塊包括第一電阻、第二電阻、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、第一三極管、第一基極偏置電阻和第一基極分壓電阻。和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例提供的背光源驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)簡單，從而可以有效的降低零器件溫升，進而使得整個背光源驅(qū)動電路的穩(wěn)定性較高，轉(zhuǎn)換效率較高，能耗較低。
[0021]此外，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括以上任一項所述的背光源驅(qū)動電路。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1為本發(fā)明實施例中的背光源驅(qū)動電路的電路圖一；
[0024]圖2為本發(fā)明實施例中的背光源驅(qū)動電路的電路圖二。
【具體實施方式】
[0025]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0026]本發(fā)明實施例提供了一種背光源驅(qū)動電路，該背光源驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)簡單。
[0027]如圖1所示，該背光源驅(qū)動電路，包括供電模塊1、開關(guān)模塊2和LED組3。[0028]具體地，供電模塊I包括第一端口、第二端口和第三端口，其中，第一端口和第二端口輸出電壓，第三端口接地。優(yōu)選地，第一端口的輸出電壓為24V。進一步優(yōu)選地，供電模塊I包括單電源。
[0029]開關(guān)模塊2包括第一電阻R1、第二電阻R2、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管M0S、第一三極管Ql、第一基極偏置電阻R3和第一基極分壓電阻R4。其中，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOS優(yōu)選為N溝道增強型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
[0030]其中，第一電阻Rl的第一端連接第一端口，第一電阻Rl的第二端連接第二電阻R2
的第一端。
[0031]金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOS的源極連接第一端口，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOS的漏極連接LED組3，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOS的柵極連接第二電阻R2的第一端。
[0032]第二電阻R2的第二端連接第一三極管Ql的集電極，第一三極管Ql的基極連接第一基極偏置電阻R3的第一端和第一基極分壓電阻R4的第一端,第一基極偏置電阻R3的第二端連接第二端口，第一基極分壓電阻R4的第二端和第一三極管Ql的發(fā)射極連接第三端□。
[0033]在具有上述連接關(guān)系的背光源驅(qū)動電路中，第一電阻Rl和第二電阻R2的作用在于為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOS的柵極提供一個合適的驅(qū)動電壓。
[0034]第一基極偏置電阻R3的作用在于為第一三極管Ql提供合適的基極偏置電流。
[0035]第一基極分壓電阻R4的作用在于與第一基極偏置電阻R3共同為第一三極管Ql的基極提供基極分壓，以起到穩(wěn)定基極偏置電流的作用，從而減小溫度對第一三極管Ql的影響，使第一三極管Ql工作更穩(wěn)定。
[0036]在使用上述背光源驅(qū)動電路驅(qū)動背光源的過程中，開關(guān)模塊2中的第一三極管Ql作為控制LED組是否發(fā)光的總開關(guān)，為了實現(xiàn)開關(guān)的效果，第一三極管Ql處于飽和狀態(tài)，當(dāng)?shù)谝蝗龢O管Ql開啟時，第一三極管Ql的集電極和發(fā)射極導(dǎo)通，進而使得供電模塊I的第一端口、第一電阻R1、第二電阻R2和供電模塊I的第三端口導(dǎo)通，形成回路，此時，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOS的柵極上有驅(qū)動電壓，從而使得金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOS的源極和漏極導(dǎo)通，從而使得供電模塊I的第一端口與LED組連接，為LED組提供驅(qū)動電壓。
[0037]進一步地，如圖2所示，供電模塊I還包括第四端口，第四端口輸出脈寬調(diào)制(Pulse-ffidth Modulation，簡稱PWM)信號。開關(guān)模塊2還包括第二三極管Q2、第二基極偏置電阻R5和第二基極分壓電阻R6。
[0038]其中，第三端口連接第二基極偏置電阻R5的第一端，第二基極偏置電阻R5的第二端連接第二三極管Q2的基極和第二基極分壓電阻R6的第一端，第二三極管Q2的集電極連接第二電阻R2的第二端，第二三極管Q2的發(fā)射極連接第一三極管Ql的集電極，第二基極分壓電阻R6的第二端連接第三端口。
[0039]在具有上述連接關(guān)系的背光源驅(qū)動電路中，第二基極偏置電阻R5的作用在于為第二三極管Q2提供合適的基極偏置電流。
[0040]第二基極分壓電阻R6的作用在于與第二基極偏置電阻R5共同為第二三極管Q2的基極提供基極分壓，以起到穩(wěn)定基極偏置電流的作用，從而減小溫度對第二三極管Q2的影響，使第二三極管Q2工作更穩(wěn)定。
[0041]需要說明的是，本發(fā)明實施例中的第二三極管Q2連接于第二電阻R2和第一三極管Ql之間，其基極、集電極、發(fā)射極具有上述連接方式，但不局限于上述連接方式，只要當(dāng)?shù)谝蝗龢O管Ql開啟時，第二三極管Q2的開啟和關(guān)閉能夠具有控制整個回路的開啟和關(guān)閉的功能即可，例如，第二二極管Q2的基極連接第四端口，第二二極管Q2的集電極連接第一二極管Ql的發(fā)射極，第二二極管Q2的發(fā)射極連接供電模塊I的第三端口。
[0042]本發(fā)明實施例中提供的背光源驅(qū)動電路的供電模塊I包括第四端口，開關(guān)模塊2還包括第二三極管Q2、第二基極偏置電阻R5和第二基極分壓電阻R6時，在第一三極管Ql開啟的情況下，供電模塊I的第四端口輸出PWM信號，從而實現(xiàn)整個回路的開關(guān)的控制，此種控制方式能夠降低頻繁使用供電模塊I的第二端口實現(xiàn)的開關(guān)過程中的能耗，并且此種控制方式還可以通過調(diào)節(jié)第四端口輸出的PWM信號的波形，實現(xiàn)近似連續(xù)的調(diào)節(jié)LED組中LED的亮度的效果。
[0043]進一步地，LED組可以包括多個并聯(lián)的LED單元，每個LED單元31包括多個相互串聯(lián)的LED，其中，每個LED單元31中串聯(lián)的LED的個數(shù)根據(jù)實際情況中供電模塊I的第一端口的輸出電壓決定，本發(fā)明實施例對此不進行限定。
[0044]進一步地，每個LED單元包括第三電阻R7、第四電阻R8、第三三極管Q3和第四三極管Q4，第三電阻R7的第一端連接金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOS的漏極，第三電阻R7的第二端連接第三三極管Q3的基極和第四三極管Q4的集電極，第三三極管Q3的集電極連接LED，第三三極管Q3的發(fā)射極連接第四三極管Q4的基極和第四電阻R8的第一端，第四三極管Q4的發(fā)射極和第四電阻R8的第二端連接第三端口。
[0045]在具有上述連接關(guān)系的背光源驅(qū)動電路中，第三電阻R7的作用在于限制通過該LED單元的電流，避免電流過大將LED燒壞。
[0046]第四電阻R8、第三三極管Q3和第四三極管Q4的作用在于當(dāng)供電模塊I的第一端口的輸出電壓出現(xiàn)波動時，維持通過該LED單元中的LED的電流穩(wěn)定，使LED的發(fā)光效果不受影響。
[0047]進一步地，本發(fā)明實施例中的第一三極管Q1、第二三極管Q2、第三三極管Q3和第四三級管Q4優(yōu)選為NPN型三極管。
[0048]本發(fā)明實施例提供了一種背光源驅(qū)動電路，該背光源驅(qū)動電路包括供電模塊、開關(guān)模塊和LED組，其中，供電模塊包括第一端口、第二端口和第三端口 ；開關(guān)模塊包括第一電阻、第二電阻、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、第一三極管、第一基極偏置電阻和第一基極分壓電阻。和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例提供的背光源驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)簡單，從而可以有效的降低零器件溫升，進而使得整個背光源驅(qū)動電路的穩(wěn)定性較高，轉(zhuǎn)換效率較高，能耗較低。
[0049]此外，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括以上任一項所述的背光源驅(qū)動電路。所述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、有機發(fā)光顯示面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0050]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種背光源驅(qū)動電路，其特征在于，包括供電模塊、開關(guān)模塊和LED組； 所述供電模塊包括第一端口、第二端口和第三端口，所述第一端口和所述第二端口輸出電壓，所述第三端口接地； 所述開關(guān)模塊包括第一電阻、第二電阻、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、第一三極管、第一基極偏置電阻和第一基極分壓電阻； 其中，所述第一電阻的第一端連接所述第一端口，所述第一電阻的第二端連接所述第二電阻的第一端； 所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極連接所述第一端口，所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極連接所述LED組，所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極連接所述第二電阻的第一端； 所述第二電阻的第二端連接所述第一三極管的集電極，所述第一三極管的基極連接所述第一基極偏置電阻的第一端和所述第一基極分壓電阻的第一端，所述第一基極偏置電阻的第二端連接所述第二端口，所述第一基極分壓電阻的第二端和所述第一三極管的發(fā)射極連接所述第三端口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背光源驅(qū)動電路，其特征在于，所述供電模塊還包括第四端口，所述第四端口輸出脈寬調(diào)制信號；所述開關(guān)模塊還包括第二三極管、第二基極偏置電阻和第二基極分壓電阻； 其中，所述第四端口連接所述第二基極偏置電阻的第一端，所述第二基極偏置電阻的第二端連接所述第二三極管的基極和第二基極分壓電阻的第一端，所述第二三極管的集電極連接所述第二電阻的第二端，所述第二三極管的發(fā)射極連接所述第一三極管的集電極，所述第二基極分壓電阻的第二端連接所述第三端口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背光源驅(qū)動電路，其特征在于，所述LED組包括多個并聯(lián)的LED單元,所述每個LED單元包括多個相互串聯(lián)的LED。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的背光源驅(qū)動電路，其特征在于，每個所述LED單元包括第三電阻、第四電阻、第三三極管和第四三極管，所述第三電阻的第一端連接所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極，所述第三電阻的第二端連接所述第三三極管的基極和所述第四三極管的集電極，所述第三三極管的集電極連接LED，所述第三三極管的發(fā)射極連接所述第四三極管的基極和所述第四電阻的第一端，所述第四三極管的發(fā)射極和所述第四電阻的第二端連接所述第三端口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的背光源驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一三極管、所述第二三極管、所述第三三極管、所述第四三級管為NPN型三極管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背光源驅(qū)動電路，其特征在于，所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管為N溝道增強型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背光源驅(qū)動電路，其特征在于，所述供電模塊包括單電源。
8.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1-7任一項所述的背光源驅(qū)動電路。
【文檔編號】G09G3/36GK103985359SQ201410153347
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年4月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月16日
【發(fā)明者】朱文龍 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司