移位寄存器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種移位寄存器。移位寄存器包括多數(shù)個移位寄存單元。移位寄存單元相互串接。第N級的移位寄存單元包括多數(shù)個下拉電路、電容、上拉電路以及輸出驅(qū)動電路。各下拉電路接收并依據(jù)下拉控制信號以拉低驅(qū)動端上的驅(qū)動信號及輸出端上的輸出信號的電壓準(zhǔn)位。上拉電路依據(jù)N-2級的輸出信號與起始信號以拉高本級驅(qū)動信號的電壓準(zhǔn)位。輸出驅(qū)動電路依據(jù)驅(qū)動信號以拉高輸出信號的電壓準(zhǔn)位。其中，各下拉電路包括電壓調(diào)整電路以及第一開關(guān)，第一開關(guān)依據(jù)對應(yīng)的下拉控制信號以導(dǎo)通或斷開，電壓調(diào)整電路用以調(diào)整第一開關(guān)的第二端的電壓準(zhǔn)位。
【專利說明】移位寄存器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種移位寄存器，且特別是有關(guān)于一種可降低漏電流并具有回復(fù)功能的移位寄存器。
【背景技術(shù)】
[0002]在目前液晶顯示面板的設(shè)計中，柵極驅(qū)動器等效上為移位寄存器。其中，移位寄存器的穩(wěn)壓電路透過兩組互補(bǔ)的低頻信號運作，可減輕其中的開關(guān)元件所受的應(yīng)力(stress)效應(yīng)。
[0003]然而，上述設(shè)計中的開關(guān)元件可能存在漏電的風(fēng)險。詳細(xì)而言，移位寄存器可包括多個相互串接的移位寄存單元。圖1繪示出現(xiàn)有移位寄存單元100的電路圖，而圖2則對應(yīng)于移位寄存單元100的信號波形圖。其中，下拉電路111、112依據(jù)第一低頻信號LC1、第二低頻信號LC2而分別產(chǎn)生下拉控制信號P(n)、K(n)，并藉以控制下拉電路111、112中作為開關(guān)的晶體管Μ1、Μ2。時序信號HCl用以上拉驅(qū)動信號Q (η)。以晶體管Ml為例，在周期T中，晶體管Ml因下拉控制信號Ρ(η)為低電壓準(zhǔn)位而為斷開狀態(tài)。此時，由于時序信號HCl為高準(zhǔn)位信號，輸出驅(qū)動電路130將拉高輸出信號G(n)的電壓準(zhǔn)位。驅(qū)動信號Q(η)電壓準(zhǔn)位則透過晶體管M3以依據(jù)前級的起始信號ST(n-2)以及輸出信號G(n-2)來拉升至高電壓準(zhǔn)位。換言之，盡管此時的晶體管Ml為斷開，但上拉的驅(qū)動信號Q(n)將使晶體管Ml的漏極與源極之間承受到更大的電壓差，導(dǎo)致嚴(yán)重的漏電流而影響驅(qū)動信號Q(n)的電壓準(zhǔn)位。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種移位寄存器，可改善漏電流嚴(yán)重的問題，藉以維持驅(qū)動信號的電壓準(zhǔn)位，并具有回復(fù)(recovery)功能而可減輕應(yīng)力效應(yīng)，從而增加移位寄存器的壽命。
[0005]本發(fā)明提出的移位寄存器包括多數(shù)個移位寄存單元，且所述移位寄存單元相互串接。其中，第N級的移位寄存單元包括多數(shù)個下拉電路、電容以及輸出驅(qū)動電路，N為正整數(shù)。各下拉電路耦接驅(qū)動端及移位寄存單元的輸出端，接收并依據(jù)下拉控制信號以拉低驅(qū)動端上的驅(qū)動信號及輸出端上的輸出信號的電壓準(zhǔn)位。電容串接在驅(qū)動端及輸出端間。輸出驅(qū)動電路耦接驅(qū)動端及輸出端，并依據(jù)驅(qū)動信號以拉高輸出信號的電壓準(zhǔn)位。其中，各下拉電路包括電壓調(diào)整電路以及第一開關(guān)。電壓調(diào)整電路用以提供偏壓電壓。第一開關(guān)具有第一端以及第二端。第一開關(guān)的第一端耦接驅(qū)動端，而其第二端接收偏壓電壓，且第一開關(guān)依據(jù)對應(yīng)的下拉控制信號以導(dǎo)通或斷開。
[0006]基于上述，本發(fā)明實施例所提出的移位寄存器依據(jù)驅(qū)動信號或輸出信號而對應(yīng)調(diào)整下拉電路中開關(guān)上的電壓差，可降低移位寄存器發(fā)生漏電流現(xiàn)象的問題，藉以維持驅(qū)動信號的電壓準(zhǔn)位，并具有回復(fù)功能而可減輕應(yīng)力效應(yīng)，從而增加移位寄存器的壽命。
[0007]為讓本案的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0008]圖1是現(xiàn)有移位寄存單兀的電路圖。
[0009]圖2是現(xiàn)有移位寄存單元的信號波形圖。
[0010]圖3是依照本發(fā)明一實施例所繪示的移位寄存單元的方塊示意圖。 [0011]圖4是依照本發(fā)明一實施例所繪示的移位寄存單元的電路圖。
[0012]圖5是依照本發(fā)明一實施例所繪示的移位寄存單元的信號波形圖。
[0013]圖6是依照本發(fā)明一實施例所繪示的下拉電路的電路圖。
[0014]圖7是依照本發(fā)明一實施例所繪示的移位寄存單元的電路圖。
[0015]圖8是依照本發(fā)明一實施例所繪示的移位寄存單元的電路圖。
[0016]其中，附圖標(biāo)記:
[0017]100、300、400、700、800:移位寄存單元
[0018]111 ~112,311 ~312,411 ~412、611、711 ~712,811 ~812:下拉電路
[0019]130、330、430、730、830:輸出驅(qū)動電路
[0020]320、420:上拉電路
[0021]340、440、740、840:主要下拉電路
[0022]421、721、821:起始信號產(chǎn)生電路 422、722、822:上拉開關(guān)
[0023]451、452:下拉控制信號產(chǎn)生電路 C:電容
[0024]G (n)、G (n-2)、G (n+4):輸出信號 G:輸出端
[0025]HC(n+2)、HCl:時序信號K (η)、P (η):下拉控制信號
[0026]LCl:第一低頻信號LC2:第二低頻信號
[0027]Ml ~M3、MlI ~Μ16、Μ21 ~Μ22、M3 ~Μ4、Μ51 ~Μ58:晶體管
[0028]Q:驅(qū)動端Q (η):驅(qū)動信號
[0029]Sll ~S12、S2 ~S5:開關(guān)
[0030]ST (n)、ST (n-2):起始信號
[0031]Tl ~T6:周期
[0032]VA、VB:偏壓電壓
[0033]VSS:參考接地電壓
[0034]VSl~VS2、VS61~VS82:電壓調(diào)整電路
【具體實施方式】
[0035]本發(fā)明實施例所提出的移位寄存器包括相互串接的多個移位寄存單元。請參照圖3，圖3是依照本發(fā)明一實施例所繪示的第N級的移位寄存單元300的方塊圖。移位寄存單元300包括下拉電路311、312、電容C、上拉電路320以及輸出驅(qū)動電路330。其中，各下拉電路311、312耦接驅(qū)動端Q及移位寄存單元300的輸出端G。下拉電路311、312分別接收并依據(jù)下拉控制信號P (η)、K (η)以拉低驅(qū)動端Q上的驅(qū)動信號Q (η)及輸出端G上的輸出信號G(n)的電壓準(zhǔn)位。另外，驅(qū)動端Q上的驅(qū)動信號Q(n)的電壓準(zhǔn)位，更可以由第N_2級的移位寄存單元中的輸出信號G(n-2)與起始信號ST(n-2)來進(jìn)行拉升的動作。
[0036]電容C串接在驅(qū)動端Q及輸出端G間。上拉電路320耦接驅(qū)動端Q，并依據(jù)第N_2級的輸出信號G(n-2)與起始信號ST(n-2)以拉高本級的驅(qū)動信號Q(η)的電壓準(zhǔn)位。輸出驅(qū)動電路330耦接驅(qū)動端Q及輸出端G，并依據(jù)驅(qū)動信號Q (η)以拉高輸出信號G (η)的電壓準(zhǔn)位。上拉電路320并產(chǎn)生第N級的起始信號ST(n)。在此，起始信號ST(n)可傳送至第N+2級的移位寄存單元，以作為第N+2級的移位寄存單元拉高其驅(qū)動信號Q(n+2)的依據(jù)。
[0037]詳細(xì)而言，下拉電路311包括電壓調(diào)整電路VSl以及開關(guān)S11，開關(guān)Sll電性連接電壓調(diào)整電路VS1。下拉電路312則包括開關(guān)S12，開關(guān)S12電性連接電壓調(diào)整電路VS2。以下拉電路311為例，在下拉電路311中，電壓調(diào)整電路VSl用以提供偏壓電壓VA，而開關(guān)Sll的第一端耦接驅(qū)動端Q，第二端則接收偏壓電壓VA。開關(guān)Sll依據(jù)對應(yīng)的下拉控制信號P (η)而導(dǎo)通或斷開，藉以接收電壓調(diào)整電路VSl所產(chǎn)生的偏壓電壓VA。相類似的，在下拉電路312中，電壓調(diào)整電路VS2用以提供偏壓電壓VB，而開關(guān)S12的第一端耦接驅(qū)動端Q，第二端則接收偏壓電壓VB。開關(guān)S12依據(jù)對應(yīng)的下拉控制信號K (η)而導(dǎo)通或斷開，藉以接收電壓調(diào)整電路VS2所產(chǎn)生的偏壓電壓VB。
[0038]除此之外，以電壓調(diào)整電路VSl為范例，電壓調(diào)整電路VSl可依據(jù)驅(qū)動信號Q(n)或輸出信號G(n)而決定是否提供偏壓電壓VA。詳細(xì)而言，在當(dāng)驅(qū)動信號Q(n)或輸出信號G(η)的電壓值大于預(yù)設(shè)的臨界電壓時，電壓調(diào)整電路VSl會產(chǎn)生偏壓電壓VA，并提供偏壓電壓VA至開關(guān)Sll的第二端，使得開關(guān)Sll的第二端的電壓準(zhǔn)位可以相應(yīng)于抬升的驅(qū)動信號Q(n)或輸出信號G(n)而抬升。如此一來,開關(guān)Sll的第一端與第二端間的電壓差不會隨著驅(qū)動信號Q(n)或輸出信號G(n)的抬升而改變。以開關(guān)Sll為晶體管為范例，則其漏極與源極之間的電壓差較不易受抬升的驅(qū)動信號Q(n)或輸出信號G(n)所影響，故可降低移位寄存器發(fā)生漏電現(xiàn)象的問題，并維持驅(qū)動信號Q(η)的電壓準(zhǔn)位。
[0039]此外，本實施例的移位寄存單元300還可包括主要下拉電路340。主要下拉電路340耦接至驅(qū)動端Q，用以下拉驅(qū)動信號Q(n)至一固定電壓準(zhǔn)位。
[0040]請參照圖4，圖4是依照本發(fā)明一實施例所繪示的移位寄存單元400的電路圖。移位寄存單元400包括下拉電路411、下拉電路412、電容C、由起始信號產(chǎn)生電路421及上拉開關(guān)422組成的上拉電路420、輸出驅(qū)動電路430以及主要下拉電路440。在此以下拉電路411為例，并搭配圖5所繪示的信號波形圖以詳加說明。
[0041]下拉電路411可包括電壓調(diào)整電路VS1、開關(guān)Sll、S2以及S3。其中，電壓調(diào)整電路VSl包括晶體管M11，晶體管Mll的第一端與其控制端共同耦接至輸出端G，而其第二端則耦接至開關(guān)Sll的第二端，晶體管Mll用以依據(jù)輸出信號G(n)調(diào)整開關(guān)Sll的第二端的偏壓電壓VA。在周期Tl中，輸出端G上的輸出信號G(n)為高電壓準(zhǔn)位，且驅(qū)動信號Q(n)透過電容C而對應(yīng)輸出信號G(η)的抬升動作而對應(yīng)被抬升。此時，輸出信號G(n)高于臨界電壓而使晶體管Mll導(dǎo)通，故電壓調(diào)整電路VSl依據(jù)輸出信號G(n)并將其高電壓準(zhǔn)位提供至開關(guān)Sll的第二端以作為偏壓電壓VA。上述的臨界電壓可以是晶體管Mll的臨界電壓，或是高于晶體管Mll的臨界電壓的另一預(yù)設(shè)電壓準(zhǔn)位，應(yīng)用本實施例者可依其設(shè)計需求來決定使晶體管Mll導(dǎo)通并用以提供偏壓電壓VA的輸出信號G(n)的電壓準(zhǔn)位。
[0042]因此，藉由晶體管Mll相應(yīng)于輸出信號G(n)的運作，開關(guān)Sll其第二端的電壓準(zhǔn)位會根據(jù)抬升的輸出信號G(η)的電壓準(zhǔn)位而抬升，而使開關(guān)Sll其第一端與第二端之間的電壓差的變化不易受到驅(qū)動信號Q(n)所抬升的電壓準(zhǔn)位影響，故可改善移位寄存器發(fā)生漏電現(xiàn)象的問題，并維持驅(qū)動信號Q(η)的電壓準(zhǔn)位。
[0043]另一方面，下拉電路411的電路架構(gòu)還可以避免特定偏壓對于開關(guān)Sll、S2及S3的長時間操作所造成的臨界電壓飄移現(xiàn)象。其中，透過開關(guān)S2的切換，開關(guān)Sll可依據(jù)第二低頻信號LC2是否為致能準(zhǔn)位而對應(yīng)受到正偏壓或負(fù)偏壓電壓，藉以避免長時間受到特定偏壓的應(yīng)力效應(yīng)而造成開關(guān)Sll的臨界電壓飄移。同時，開關(guān)S2和S3所受到的應(yīng)力效應(yīng)亦可以透過連接至第二低頻信號LC2而被降低。
[0044]以圖4中的下拉電路411為例，開關(guān)S2的第一端耦接至開關(guān)Sll的第二端，開關(guān)S2的第二端接收第二低頻信號LC2，且開關(guān)S2的控制端依據(jù)第N+2級的時序信號HC (n+2)而導(dǎo)通或斷開。開關(guān)S3則串接在輸出端G以及開關(guān)S2的第二端間，且開關(guān)S3的控制端依據(jù)下拉控制信號P(n)而導(dǎo)通或斷開。并請再參照圖5的信號波形圖，其中，在周期T4結(jié)束之前為第一低頻信號LCl的作用期間，此時的第一低頻信號LCl為被致能的狀態(tài)，在周期T4結(jié)束之后則為第二低頻信號LC2的作用期間，而此時的第二低頻信號LC2被致能。
[0045]在周期T2中，第N+2級的時序信號HC(n+2)為高電壓準(zhǔn)位，以使開關(guān)S2導(dǎo)通，并使開關(guān)Sll的第二端被拉低至低電壓準(zhǔn)位。在周期T3中，第N+2級的時序信號HC(n+2)轉(zhuǎn)態(tài)為低電壓準(zhǔn)位，開關(guān)S2對應(yīng)斷開。在此同時，輸出信號G(n)低于臨界電壓而關(guān)閉晶體管M11，使開關(guān)Sll的第二端維持為低電壓準(zhǔn)位。并且，開關(guān)Sll的控制端接收高電壓準(zhǔn)位的下拉控制信號P (η)，使開關(guān)Sll的控制端的電壓準(zhǔn)位高于其第二端的電壓準(zhǔn)位，故開關(guān)Sll可等效地被視為受到正偏壓電壓。在周期Τ4中，第Ν+2級的時序信號HC(n+2)為高電壓準(zhǔn)位使得開關(guān)S2導(dǎo)通，并將開關(guān)Sll的第二端拉低至低電壓準(zhǔn)位。此時，開關(guān)Sll的控制端接收高電壓準(zhǔn)位的下拉控制信號P (η)，故開關(guān)Sll其控制端的電壓準(zhǔn)位高于其第二端的電壓準(zhǔn)位，而可將開關(guān)Sll等效視為受到正偏壓電壓。
[0046]當(dāng)移位寄存單元400切換至第二低頻信號LC2的作用期間之后，第二低頻信號LC2被致能為高電壓準(zhǔn)位，而第一低頻信號LCl則被禁能而為低電壓準(zhǔn)位。在周期Τ5中，第Ν+2級的時序信號HC(n+2)為高電壓準(zhǔn)位而使開關(guān)S2導(dǎo)通，并將開關(guān)Sll的第二端拉升至第二低頻信號LC2的高電壓準(zhǔn)位。此時，開關(guān)Sll的控制端接收低電壓準(zhǔn)位的下拉控制信號P (η)，故開關(guān)Sll的控制端的電壓準(zhǔn)位低于其第二端的電壓準(zhǔn)位，使得開關(guān)Sll可在等效上被視為受到負(fù)偏壓電壓。而在周期Τ6中，第Ν+2級的時序信號HC(n+2)轉(zhuǎn)態(tài)為低電壓準(zhǔn)位，開關(guān)S2對應(yīng)斷開。在此同時，輸出信號G(n)維持低于臨界電壓的電壓準(zhǔn)位而關(guān)閉晶體管M11，使開關(guān)Sll的第二端維持為高電壓準(zhǔn)位。因此，開關(guān)Sll的控制端接收低電壓準(zhǔn)位的下拉控制信號P (η)，使開關(guān)Sll等效上可因控制端的電壓準(zhǔn)位低于其第二端的電壓準(zhǔn)位而被視為受到負(fù)偏壓電壓。
[0047]換言之，藉由本實施例中開關(guān)S2的運作，可在第一低頻信號LCl與第二低頻信號LC2的作用期間分別以正、負(fù)偏壓電壓對開關(guān)Sll進(jìn)行操作，藉以回復(fù)其臨界電壓，避免長時間的特定偏壓操作而可減輕應(yīng)力效應(yīng)造成臨界電壓飄移。
[0048]同時，藉由上述設(shè)計，開關(guān)S2和S3也可因此而減輕所受的應(yīng)力效應(yīng)。如同前述，開關(guān)S2可依據(jù)第二低頻信號LC2和第Ν+2級的時序信號HC(n+2)之間的電壓差而使其所受到的偏壓在正偏壓或負(fù)偏壓電壓之間切換。同理，開關(guān)S3亦可依據(jù)第二低頻信號LC2和下拉控制信號P(n)之間的電壓差而使其所受到的偏壓在正偏壓或負(fù)偏壓電壓之間切換。因此，藉由對于開關(guān)上正、負(fù)偏壓的切換，本實施例的移位寄存單元400不僅可減輕開關(guān)Sll因應(yīng)力效應(yīng)造成的臨界電壓漂移的問題，也可同時改善并降低開關(guān)S2和S3所受的應(yīng)力效應(yīng)。[0049]相類似的，下拉電路412可包括電壓調(diào)整電路VS2、開關(guān)S12、開關(guān)S4和開關(guān)S5，且其中電壓調(diào)整電路VS2可包括晶體管M12。在下拉電路412中，藉由晶體管M12相應(yīng)于輸出信號G(n)的運作，開關(guān)S12其第二端的電壓準(zhǔn)位會根據(jù)抬升的輸出信號G(n)的電壓準(zhǔn)位而抬升，而使開關(guān)S12其第一端與第二端之間的電壓差的變化不易受到驅(qū)動信號Q(n)所抬升的電壓準(zhǔn)位影響。另外，開關(guān)S4可使開關(guān)S12在第一低頻信號LCl與第二低頻信號LC2的作用期間分別操作于正、負(fù)偏壓電壓，以減輕開關(guān)S12的臨界電壓因應(yīng)力效應(yīng)造成的臨界電壓飄移現(xiàn)象，且開關(guān)S4、S5亦可藉由此設(shè)計而同時改善其所受的應(yīng)力效應(yīng)。本實施例的下拉電路412與下拉電路411具有類似架構(gòu)，故下拉電路412中各元件的作動細(xì)節(jié)可參考上述關(guān)于下拉電路411的說明。
[0050]另外，移位寄存單元400還可包括多數(shù)個下拉控制信號產(chǎn)生電路451、452，并分別耦接至下拉電路411、412。下拉控制信號產(chǎn)生電路451、452可分別依據(jù)第一低頻信號LCl及第二低頻信號LC2來分別產(chǎn)生下拉控制信號P (η)及Κ(η)。以下拉控制信號產(chǎn)生電路451為例，下拉控制信號產(chǎn)生電路451包括晶體管Μ51?Μ54。其中，晶體管Μ51的第一端與控制端共同接收第一低頻信號LC1。晶體管Μ52的第一端耦接至晶體管Μ51的第一端，晶體管Μ52的控制端耦接至晶體管Μ51的第二端，晶體管Μ52的第二端用以產(chǎn)生對應(yīng)的下拉控制信號P (η)。
[0051]晶體管Μ53的第一端耦接至晶體管Μ51的第二端，晶體管Μ53的第二端耦接至參考接地電壓VSS，晶體管Μ53的控制端接收驅(qū)動信號Q(n)。晶體管M54的第一端耦接至晶體管M52的第二端，晶體管M54的第二端耦接至參考接地電壓VSS，晶體管M54的控制端接收驅(qū)動信號Q (η)。
[0052]因此，晶體管Μ53和Μ54依據(jù)驅(qū)動信號Q (η)而決定下拉控制信號P (η)的電壓準(zhǔn)位。而晶體管Μ51和Μ52則依據(jù)第一低頻信號LC1，并在晶體管Μ54關(guān)閉時于晶體管Μ52的第二端產(chǎn)生下拉控制信號P (η)。
[0053]下拉控制信號產(chǎn)生電路452則包括晶體管Μ55?Μ58。相類似的，晶體管Μ57和Μ58依據(jù)驅(qū)動信號Q (η)以決定下拉控制信號K (η)的電壓準(zhǔn)位，而晶體管Μ55和Μ56則依據(jù)第二低頻信號LC2，并在晶體管Μ58關(guān)閉時于晶體管Μ56的第二端產(chǎn)生下拉控制信號K (η)。下拉控制信號產(chǎn)生電路452的電路架構(gòu)與下拉控制信號產(chǎn)生電路451的電路架構(gòu)類似，故其細(xì)節(jié)可參照下拉控制信號產(chǎn)生電路451的說明。
[0054]上拉電路可用以依據(jù)第Ν-2級的輸出信號G (n-2)與起始信號ST(n_2)以拉高本級的驅(qū)動信號Q(n)的電壓準(zhǔn)位。詳細(xì)來說，上拉電路包括起始信號產(chǎn)生電路421以及上拉開關(guān)422。起始信號產(chǎn)生電路421可包括晶體管M21，其第一端接收時序信號HC1，其第二端產(chǎn)生起始信號ST (η)，且其控制端耦接驅(qū)動端Q。起始信號產(chǎn)生電路421耦接驅(qū)動端Q并接收時序信號HC1，起始信號產(chǎn)生電路421依據(jù)驅(qū)動信號Q(n)以提供時序信號HCl來產(chǎn)生起始信號ST(η)。
[0055]在此，驅(qū)動信號Q (η)則可以利用第Ν-2級的移位寄存單元中的輸出信號與起始信號來拉升其電壓準(zhǔn)位,其中,第Ν-2級的移位寄存單元中的上拉電路與上拉電路420的電路架構(gòu)是相同的。
[0056]上拉開關(guān)422可包括晶體管Μ22，其第一端接收第Ν_2級的輸出信號G (n-2)，其控制端接收第N-2級的起始信號ST (n-2)，且其第二端耦接至本級的驅(qū)動信號Q (η)。而上拉開關(guān)422則耦接在第N-2級的輸出信號G (n-2)與驅(qū)動端間，且上拉開關(guān)422依據(jù)第N-2級的起始信號ST(n-2)以導(dǎo)通或斷開，并藉以拉高本級的驅(qū)動信號Q(n)的電壓準(zhǔn)位。
[0057]因此，當(dāng)驅(qū)動信號Q(n)為高電壓準(zhǔn)位時，起始信號產(chǎn)生電路421導(dǎo)通，并提供時序信號HCl以作為控制上拉開關(guān)422的起始信號ST (η)。當(dāng)時序信號HCl為高電壓準(zhǔn)位時，上拉開關(guān)422導(dǎo)通，并可接收第Ν-2級的輸出信號G (n-2)，而將第本級的移位寄存單元400的驅(qū)動端Q上拉至第N-2級的輸出信號G(n-2)的電壓準(zhǔn)位。
[0058]驅(qū)動電路430可包括晶體管M3，且其第一端接收時序信號HCl，其控制端接收驅(qū)動信號Q (η)，而其第二端耦接至輸出端G。晶體管M3依據(jù)驅(qū)動信號Q (η)而導(dǎo)通，并產(chǎn)生輸出信號G(n)以驅(qū)動后級電路。
[0059]主要下拉電路440耦接在驅(qū)動端Q以及參考接地電壓VSS間，并依據(jù)第N+4級的輸出信號G(n+4)來拉低驅(qū)動信號Q(n)的電壓值。主要下拉電路440可包括晶體管M4，其第一端耦接至驅(qū)動端Q，其控制端接收第N+4級的輸出信號G (n+4)，且其第二端耦接參考接地電壓VSS，藉以將驅(qū)動信號Q(n)的電壓值拉低至參考接地電壓VSS。
[0060]請參照圖6，圖6是依照本發(fā)明另一實施例所繪示的下拉電路611的電路圖。在圖6中，下拉電路611包括電壓調(diào)整電路VS61、開關(guān)S11、S2以及S3，與圖4的下拉電路411不同的是，圖6的下拉電路611中，電壓調(diào)整電路VS61包括晶體管M12，晶體管M12的第一端耦接至輸出端G，其控制端耦接至驅(qū)動端Q，且其第二端耦接至開關(guān)Sll的第二端。因此，利用驅(qū)動信號Q(n)與輸出信號G(n)的相關(guān)性，可使開關(guān)Sll其第二端的電壓準(zhǔn)位相應(yīng)于抬升的驅(qū)動信號Q(n)而抬升，故可降低移位寄存單元600發(fā)生漏電現(xiàn)象的問題，并維持驅(qū)動信號Q (η)的電壓準(zhǔn)位。
[0061]請參照圖7,圖7是依照本發(fā)明另一實施例所繪不的移位寄存單兀700的電路圖。在圖7中，移位寄存單元700包括下拉電路711、下拉電路712、電容C、由起始信號產(chǎn)生電路721及上拉開關(guān)722組成的上拉電路、輸出驅(qū)動電路730以及主要下拉電路740。與圖4的移位寄存單元400不同的是，電壓調(diào)整電路VS71、VS72分別包括晶體管Μ13、Μ14，晶體管Μ13、Μ14依據(jù)驅(qū)動信號Q(n)以其第一端接收起始信號ST (η)，且以第二端耦接至開關(guān)S11、S12的第二端。由于起始信號ST(n)反應(yīng)于驅(qū)動信號Q(η)，并且透過起始信號ST(η)來控制電壓調(diào)整電路VS71、VS72的偏壓電壓產(chǎn)生動作，可以避免輸出信號G(n)受到電壓調(diào)整電路VS71、VS72的干擾，故透過晶體管Ml3、M14可分別使開關(guān)S11、S12其第二端的電壓準(zhǔn)位相應(yīng)于抬升的驅(qū)動信號Q(η)而抬升，從而降低移位寄存單元700發(fā)生漏電現(xiàn)象的問題，并維持驅(qū)動信號Q (η)的電壓準(zhǔn)位。
[0062]請參照圖8，圖8是依照本發(fā)明另一實施例所繪示的移位寄存單元800的電路圖。在圖8中，移位寄存單元800包括下拉電路811、下拉電路812、電容C、起始信號產(chǎn)生電路821以及上拉開關(guān)822組成的上拉電路、輸出驅(qū)動電路830以及主要下拉電路840。與圖7的移位寄存單元700不同的是，電壓調(diào)整電路VS81、VS82分別包括晶體管Ml5、Μ16。晶體管Μ15、Μ16以其第一端與其控制端共同接收起始信號ST (η)，并以其第二端耦接至開關(guān)SI 1、S12的第二端。類似地，利用電壓調(diào)整電路VS81、VS82中的晶體管Μ15、Μ16，可分別使開關(guān)S1US12其第二端的電壓準(zhǔn)位相應(yīng)于抬升的驅(qū)動信號Q(η)而抬升，從而降低移位寄存單元800發(fā)生漏電現(xiàn)象的問題，并維持驅(qū)動信號Q(n)的電壓準(zhǔn)位。
[0063]綜上所述，本發(fā)明實施例所提出的移位寄存器依據(jù)驅(qū)動信號而對應(yīng)調(diào)整下拉電路中開關(guān)上的電壓差，可降低移位寄存器發(fā)生漏電現(xiàn)象的問題，藉以維持驅(qū)動信號的電壓準(zhǔn)位，并具有回復(fù)功能而可減輕應(yīng)力效應(yīng)，從而增加移位寄存器的壽命。
[0064]雖然本發(fā)明已以實施例公開如上，但其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與修改，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書保護(hù)范圍所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種移位寄存器，其特征在于，包括: 多數(shù)個移位寄存單元，該些移位寄存單元相互串接，其中，第N級的移位寄存單元包括: 多數(shù)個下拉電路，各該下拉電路耦接一驅(qū)動端及該第N級移位寄存單元的一輸出端，并依據(jù)一下拉控制信號用以拉低該驅(qū)動端上的一驅(qū)動信號及該輸出端上的一輸出信號的電壓準(zhǔn)位； 一電容，耦接在該驅(qū)動端及該輸出端之間；以及 一輸出驅(qū)動電路，耦接該驅(qū)動端及該輸出端，依據(jù)該驅(qū)動信號以產(chǎn)生該輸出信號， 其中，各該下拉電路包括: 一第一開關(guān)，具有一控制端、一第一端以及一第二端，其第一端耦接該驅(qū)動端，其控制端用以接收該下拉控制信號；以及 一電壓調(diào)整電路，耦接于該第一開關(guān)的該第二端，用以調(diào)整該第一開關(guān)的該第二端的電壓準(zhǔn)位； 其中，N為正整數(shù)。
2.如權(quán)利要求1 所述的移位寄存器，其特征在于，該電壓調(diào)整電路用以在該驅(qū)動信號或該輸出信號的電壓值大于一臨界電壓時產(chǎn)生一電壓并提供該電壓至該第一開關(guān)的該第~.-5.JJU-~-? O
3.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，該電壓調(diào)整電路包括: 一晶體管，具有一第一端、一第二端以及一控制端，該第一端與該控制端共同耦接至該輸出端，該晶體管的該第二端耦接至該第一開關(guān)的該第二端。
4.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，該電壓調(diào)整電路包括: 一晶體管，具有一第一端、一第二端以及一控制端，該第一端I禹接至該輸出端，該晶體管的該控制端耦接至該驅(qū)動端，該晶體管的該第二端耦接至該第一開關(guān)的該第二端。
5.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，還包含一上拉電路，耦接該驅(qū)動端，用以依據(jù)一第N-2級的輸出信號控制該級移位寄存單元的驅(qū)動信號，其中該上拉電路包括: 一起始信號產(chǎn)生電路，耦接該驅(qū)動端并接收一時序信號，該起始信號產(chǎn)生電路依據(jù)該驅(qū)動信號以提供該時序信號來產(chǎn)生一起始信號；以及 一上拉開關(guān)，耦接在該N-2級移位寄存器的輸出端以及該級移位寄存單元的一驅(qū)動端之間，該上拉開關(guān)依據(jù)該N-2級移位寄存器的起始信號以導(dǎo)通或斷開，并藉以控制該級移位寄存單元的驅(qū)動信號的電壓準(zhǔn)位。
6.如權(quán)利要求5所述的移位寄存器，其特征在于，該起始信號產(chǎn)生電路包括: 一第一晶體管，具有一第一端、一第二端以及一控制端，該第一端用以接收該時序信號，該第一晶體管的該第二端用以產(chǎn)生該起始信號，該第一晶體管的控制端耦接該驅(qū)動端。
7.如權(quán)利要求6所述的移位寄存器，其特征在于，該上拉開關(guān)包括: 一第二晶體管，具有一第一端、一第二端以及一控制端，其第一端耦接至該N-2級移位寄存器的輸出端，該第二晶體管的該控制端接收該N-2級移位寄存器的起始信號，該第二晶體管的該第二端耦接該級移位寄存單元的驅(qū)動端。
8.如權(quán)利要求5所述的移位寄存器，其特征在于，該電壓調(diào)整電路包括:一晶體管，具有一第一端、一第二端以及一控制端，該第一端與該控制端共同接收該起始信號，該晶體管的該第二端耦接至該第一開關(guān)的該第二端。
9.如權(quán)利要求5所述的移位寄存器，其特征在于，該電壓調(diào)整電路包括: 一晶體管，具有一第一端、一第二端以及一控制端，該第一端接收該起始信號，該晶體管的該控制端耦接至該驅(qū)動端，該晶體管的該第二端耦接至該第一開關(guān)的該第二端。
10.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，各該下拉電路還包括: 一第二開關(guān)，具有一第一端、一第二端以及一控制端，該第一端耦接至該第一開關(guān)的該第二端，該第二開關(guān)的該第二端接收一低頻信號，且該第二開關(guān)的該控制端用以接收一第N+2級時序/[目號；以及 一第三開關(guān)，串接在該輸出端以及該第二開關(guān)的第二端間，該第三開關(guān)的一控制端用以接收該下拉控制信號。
11.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，各該移位寄存單元還包括: 多數(shù)個下拉控制信號產(chǎn)生電路，分別耦接至該些下拉電路的一，各該些下拉控制信號產(chǎn)生電路依據(jù)一第一低頻信號或一第二低頻信號來分別產(chǎn)生該些下拉控制信號。
12.如權(quán)利要求11所述的移位寄存器，其特征在于，各該下拉控制信號產(chǎn)生電路包括: 一第三晶體管，具有一第一端、一第二端以及一控制端，該第一端與該控制端共同接收該第一低頻信號或該第二低頻信號； 一第四晶體管，具有一第一端、一第二端以及一控制端，該第一端耦接至該第三晶體管的該第一端，該第四晶體管的該控制端耦接至該第三晶體管的該第二端，該第二晶體管的第二端用以產(chǎn)生對應(yīng)的一下拉控制信號； 一第五晶體管，具有一第一端、一第二端以及一控制端，該第一端耦接至該第三晶體管的第二端，該第五晶體管的該第二端耦接至一參考接地端，該第五晶體管的該控制端用以接收該驅(qū)動信號；以及 一第六晶體管，具有一第一端、一第二端以及一控制端，該第一端耦接至該第四晶體管的該第二端，該第六晶體管的該第二端耦接至該參考接地端，該第六晶體管的該控制端用以接收該驅(qū)動信號。
13.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，各該移位寄存單元還包括: 一主要下拉電路，耦接在該驅(qū)動端以及一參考接地電壓間，依據(jù)一第N+4級輸出信號來拉低該驅(qū)動信號的電壓值。
14.如權(quán)利要求13所述的移位寄存器，其特征在于，該主要下拉電路包括: 一晶體管，具有一第一端、一第二端以及一控制端，該第一端耦接至該驅(qū)動端，該控制端接收該第N+4級輸出信號，該第二端耦接該參考接地電壓。
15.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，該輸出驅(qū)動電路包括: 一晶體管，具有一第一端、一第二端以及一控制端，該第一端接收一時序信號，該晶體管的該控制端接收該驅(qū)動信號，該晶體管的該第二端耦接至該輸出端以產(chǎn)生該輸出信號。
【文檔編號】G09G3/36GK104036751SQ201410313275
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年7月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月5日
【發(fā)明者】林煒力, 張竣桓, 侯淑方 申請人:友達(dá)光電股份有限公司