驅(qū)動(dòng)電路、顯示裝置及驅(qū)動(dòng)方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電路，其不需要復(fù)位電源，利用兩個(gè)基準(zhǔn)電壓，就能夠進(jìn)行驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的校正。所述發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電路包括：通過(guò)流過(guò)電流來(lái)發(fā)光的發(fā)光元件；用于控制向發(fā)光元件流動(dòng)的電流的量的驅(qū)動(dòng)晶體管；配置于發(fā)光元件與驅(qū)動(dòng)晶體管之間的第一開關(guān)元件；配置于驅(qū)動(dòng)晶體管與第二基準(zhǔn)電壓之間的第二開關(guān)元件；配置于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極和漏極中的一方之間的第三開關(guān)元件；與驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極中的另一方連接并且控制信號(hào)電壓的輸入的第四開關(guān)元件；和一端與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接的第一電容器。
【專利說(shuō)明】
驅(qū)動(dòng)電路、顯示裝置及驅(qū)動(dòng)方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電路及具備該驅(qū)動(dòng)電路的顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]例如,有機(jī)EL元件(OLED)等發(fā)光元件用于圖像顯示。通過(guò)控制流過(guò)該發(fā)光元件的電流的量，發(fā)光元件進(jìn)行發(fā)光動(dòng)作。進(jìn)行該發(fā)光元件的發(fā)光驅(qū)動(dòng)的電路包含晶體管。在該驅(qū)動(dòng)晶體管上會(huì)產(chǎn)生閾值電壓，該閾值電壓會(huì)因所制造的晶體管而產(chǎn)生偏差。特別是，在驅(qū)動(dòng)晶體管由低溫多晶娃薄膜晶體管(TFT:Thin Film Transistor)形成的情況下,在對(duì)半導(dǎo)體層實(shí)施激光退火的工序中，因所形成的多晶硅的結(jié)晶偏差，會(huì)在驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓上產(chǎn)生偏差。其結(jié)果是，發(fā)光元件的顯示質(zhì)量會(huì)因驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓及其偏差而下降。因此，從抑制顯示質(zhì)量的下降的觀點(diǎn)出發(fā)，需要根據(jù)晶體管的閾值電壓來(lái)校正在發(fā)光元件的發(fā)光時(shí)施加于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓。例如，日本專利第4391857號(hào)公開了一種具有校正驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓(臨界電壓)的功能的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置的像素電路。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0004]在日本專利第4391857號(hào)公開的像素電路中，在電源電壓VDD與接地電壓VSS之間配置有驅(qū)動(dòng)晶體管(晶體管T31)和發(fā)光元件(EL元件EL11)，通過(guò)電容器Cll的電壓來(lái)控制施加于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓。在該像素電路中，在根據(jù)顯示數(shù)據(jù)寫入信號(hào)電壓的動(dòng)作(數(shù)據(jù)程序動(dòng)作)之前，需要進(jìn)行將施加于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓(儲(chǔ)存于電容器Cll的數(shù)據(jù)信號(hào))初始化的復(fù)位動(dòng)作(初始化動(dòng)作)。日本專利第4391857號(hào)公開的像素電路與復(fù)位電源(初始化電壓Vinti)連接。在復(fù)位動(dòng)作(初始化動(dòng)作)時(shí)，通過(guò)將電容器Cll的一個(gè)端子與復(fù)位電源(初始化電壓Vinti)連接，儲(chǔ)存于電容器Cll的數(shù)據(jù)信號(hào)被初始化。這樣，在能夠校正驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的驅(qū)動(dòng)電路中，在將施加于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓復(fù)位時(shí)，復(fù)位電源是必要的。另外，也具有不需要復(fù)位電源的現(xiàn)有技術(shù)的驅(qū)動(dòng)電路。在這種驅(qū)動(dòng)電路中，在正電源與負(fù)電源之間配置有驅(qū)動(dòng)晶體管和發(fā)光元件，在復(fù)位動(dòng)作時(shí)，使正電源和負(fù)電源中的任一個(gè)電源進(jìn)行變化。即，去掉復(fù)位電源，取而代之的是，需要控制正電源和負(fù)電源中的任一個(gè)電源，使其不為恒壓，而是使其進(jìn)行電壓變化。當(dāng)在復(fù)位動(dòng)作上使用復(fù)位電源時(shí)，就需要在像素電路中確保專用的復(fù)位電源的配線空間，對(duì)于高精細(xì)化，不利。另外，在使正電源或負(fù)電源的電壓變化的情況下，也需要供給這種電壓的電源電路和控制電壓變化的控制電路，同樣會(huì)使電路增大，并且會(huì)成為省電的阻礙。
[0005]本發(fā)明是鑒于這種課題而完成的，其目的在于，提供一種發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電路，其不需要復(fù)位電源，利用兩個(gè)基準(zhǔn)電壓，就能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的校正。
[0006]用于解決問(wèn)題的技術(shù)手段
[0007](I)為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路包括:連接第一基準(zhǔn)電壓的第一配線；連接比上述第一基準(zhǔn)電壓高的第二基準(zhǔn)電壓的第二配線；配置于上述第一配線與上述第二配線之間，通過(guò)流過(guò)電流來(lái)發(fā)光的發(fā)光元件；配置于上述發(fā)光元件與上述第二配線之間，用于控制向上述發(fā)光元件流動(dòng)的電流的量的驅(qū)動(dòng)晶體管；配置于上述發(fā)光元件與上述驅(qū)動(dòng)晶體管之間的第一開關(guān)元件；配置于上述驅(qū)動(dòng)晶體管與上述第二配線之間的第二開關(guān)元件；配置于上述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極和漏極中的一方之間的第三開關(guān)元件；與上述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極中的另一方連接并且控制信號(hào)電壓的輸入的第四開關(guān)元件；和第一電容器，其一端與上述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接。
[0008](2)根據(jù)上述(I)所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，上述第一電容器的另一端連接恒定電壓。
[0009](3)根據(jù)上述(2)所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，上述第一電容器的另一端連接上述第二基準(zhǔn)電壓。
[0010](4)根據(jù)上述(I)?(3)中任一項(xiàng)所述驅(qū)動(dòng)電路，其中，上述第一開關(guān)元件和上述第三開關(guān)元件中的一方可以為P型晶體管，另一方可以為η型晶體管。
[0011](5)根據(jù)上述(I)?(4)中任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，上述第二開關(guān)元件和上述第四開關(guān)元件中的一方也可以為P型晶體管，另一方為η型晶體管。
[0012](6)根據(jù)上述(3)所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，上述第一開關(guān)元件的柵極和上述第三開關(guān)元件的柵極均與第一控制線連接。
[0013](7)根據(jù)上述(5)所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，上述第二開關(guān)元件的柵極和上述第四開關(guān)元件的柵極均與第二控制線連接。
[0014](8)根據(jù)上述(I)?(7)中的任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)電路，其也可以還具備配置于上述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極和漏極中的一方之間的第二電容器。
[0015](9)根據(jù)上述(I)?(8)中的任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述第三開關(guān)元件也可以是具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管。
[0016](10)根據(jù)上述(I)?(9)中的任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征為，所述第四開關(guān)元件是具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管。
[0017](11) 一種本發(fā)明的顯示裝置，其也可以具有排列多個(gè)上述⑴?(10)中任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)電路的顯示部。
[0018](12) 一種本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，其驅(qū)動(dòng)電路包括:連接第一基準(zhǔn)電壓的第一配線；連接比上述第一基準(zhǔn)電壓高的第二基準(zhǔn)電壓的第二配線；配置于上述第一配線與上述第二配線之間，通過(guò)流過(guò)電流來(lái)發(fā)光的發(fā)光元件；配置于上述發(fā)光元件與上述第二配線之間，用于控制向上述發(fā)光元件流動(dòng)的電流的量的驅(qū)動(dòng)晶體管；配置于上述發(fā)光元件與上述驅(qū)動(dòng)晶體管之間的第一開關(guān)元件；配置于上述驅(qū)動(dòng)晶體管與上述第二配線之間的第二開關(guān)元件；配置于上述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極和漏極中的一方之間的第三開關(guān)元件；與上述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極中的另一方連接并且控制信號(hào)電壓的輸入的第四開關(guān)元件；和第一電容器，其一端與上述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接，上述驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法具有:上述第一開關(guān)元件和上述第二開關(guān)元件處于導(dǎo)通狀態(tài)，上述第三開關(guān)元件和上述第四開關(guān)元件處于截止?fàn)顟B(tài)的第一期間；上述第一開關(guān)元件處于截止?fàn)顟B(tài)，并且上述第三開關(guān)元件處于導(dǎo)通狀態(tài)的第二期間；上述第二開關(guān)元件處于截止?fàn)顟B(tài)，并且上述第一開關(guān)元件處于截止?fàn)顟B(tài)且上述第三開關(guān)元件處于導(dǎo)通狀態(tài)的第三期間；和上述第三開關(guān)元件和上述第四開關(guān)元件均處于截止?fàn)顟B(tài)，上述第一開關(guān)元件和上述第二開關(guān)元件均處于導(dǎo)通狀態(tài)的第四期間。
[0019]發(fā)明的效果
[0020]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電路，其不需要復(fù)位電源，利用兩個(gè)基準(zhǔn)電壓，就能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的校正。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的顯示裝置的圖。
[0022]圖2是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置的等效電路的圖。
[0023]圖3是本發(fā)明第一實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。
[0024]圖4是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖。
[0025]圖5是本發(fā)明第二實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。
[0026]圖6是本發(fā)明第三實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。
[0027]圖7是表示本發(fā)明第三實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖。
[0028]圖8是本發(fā)明第四實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。
[0029]圖9是本發(fā)明第四實(shí)施方式的另一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。
[0030]圖10是本發(fā)明第五實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。
[0031]圖11是本發(fā)明第五實(shí)施方式的另一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。
[0032]符號(hào)說(shuō)明
[0033]100有機(jī)EL顯示裝置，101上框架，102下框架，103柔性基板，104電路基板，105 TFT 基板，Cl、C2 電容器，DP 顯示區(qū)域，N1、N2、N3 節(jié)點(diǎn)，NT1、NT1A、NT1B、NT2、NT2A、NT2B.NTD晶體管，OLED有機(jī)EL元件，PC像素電路，PS電壓源，PT1、PT2、PTD晶體管，SIG信號(hào)線，Vs第一基準(zhǔn)電壓，Vd第二基準(zhǔn)電壓，XDV信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，YDV掃描線驅(qū)動(dòng)電路，Φ1第一控制線，Φ2第二控制線。

【具體實(shí)施方式】
[0034]下面，基于附圖具體且詳細(xì)地對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。此外，在用于說(shuō)明實(shí)施方式的所有的圖中，在具有同一功能的部件上附帶同一符號(hào)，省略其重復(fù)的說(shuō)明。另外，以下所示的圖只是對(duì)實(shí)施方式的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明的圖，圖的大小和本實(shí)施例所述的縮小比例尺不一定一致。
[0035][第一實(shí)施方式]
[0036]圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置的圖。該實(shí)施方式的顯示裝置是使用有機(jī)EL元件作為發(fā)光元件的有機(jī)EL顯示裝置100。如圖1所示，有機(jī)EL顯示裝置100包括:以?shī)A著具有有機(jī)EL面板的TFT基板105的方式固定的上框架101和下框架102 ;具備生成要顯示的信息的電路元件的電路基板104 ;和將在該電路基板上生成的RGB信息傳輸?shù)絋FT基板105的柔性基板103。
[0037]圖2是表示該實(shí)施方式的顯示裝置的等效電路的圖。圖2表示有機(jī)EL顯示裝置100中的特別是有機(jī)EL面板。有機(jī)EL面板包括:沿圖中縱方向延伸并且排列配置在橫方向上的多個(gè)信號(hào)線SIG ;沿圖中橫方向延伸并且排列配置在縱方向上的多個(gè)第一控制線Φ1 ;與各第一控制線Φ I并排配置的多個(gè)第二控制線Φ2 ;對(duì)應(yīng)于信號(hào)線SIG與第一控制線Φ1 (第二控制線Φ2)的交點(diǎn)地配置成矩陣狀的多個(gè)像素電路PC ;信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路XDV ；和掃描線驅(qū)動(dòng)電路YDV。信號(hào)線SIG的上端與信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路XDV連接。第一控制線Φ I和第二控制線Φ2與掃描線驅(qū)動(dòng)電路YDV連接。多個(gè)像素電路PC構(gòu)成顯示區(qū)域DP。信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路XDV與掃描線驅(qū)動(dòng)電路YDV相互協(xié)作，驅(qū)動(dòng)各像素電路PC。
[0038]與接地電壓GND連接的第一電源線維持為第一基準(zhǔn)電壓Vs。另外，電壓源PS對(duì)連接的第二電源線供給第二基準(zhǔn)電壓Vd，第二基準(zhǔn)電壓Vd是比第一基準(zhǔn)電壓Vs高的電壓。第一電源線和第二電源線分別與各像素電路PC連接。S卩，在該實(shí)施方式中，第一基準(zhǔn)電壓Vs為接地電壓，但不局限于此，這是自不待言的。另外，在圖2中，像素電路PC僅表示了 2X2這四個(gè)，但實(shí)際上存在與顯示分辨率相應(yīng)的數(shù)量的像素電路PC。通常，位于第η行、第m列的像素電路表示為PC (m，η)。例如，存在于左上的像素電路表示為PC(1，I)。另外，與第m列的像素電路連接的信號(hào)線表示為SIG(m)，與第η行的像素電路連接的第一控制線和第二控制線分別表示為Φ1(η)和Φ2(η)。
[0039]圖3是該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。圖3所示的驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)光元件即有機(jī)EL元件OLED的驅(qū)動(dòng)電路，是圖2所示的像素電路PC。該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路是由五個(gè)晶體管及一個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路。有機(jī)EL元件OLED是通過(guò)流過(guò)電流來(lái)發(fā)光的發(fā)光元件。圖所示的五個(gè)晶體管中的三個(gè)晶體管是η型MOS - TFT，另外兩個(gè)晶體管是P型MOS —TFT。S卩，采用的是CMOS電路。晶體管NTD是用于控制向有機(jī)EL元件OLED流動(dòng)的電流的量的驅(qū)動(dòng)晶體管，是η型MOS — TFT。晶體管PTl及晶體管PT2分別是第一開關(guān)晶體管(第一開關(guān)元件)及第二開關(guān)晶體管(第二開關(guān)元件)，都是P型MOS - TFT。晶體管NTl及晶體管NT2分別是第三開關(guān)晶體管(第三開關(guān)元件)及第四開關(guān)晶體管(第四開關(guān)元件)，都是η型MOS — TFT。在連接在第一基準(zhǔn)電壓Vs與第二基準(zhǔn)電壓Vd之間的配線上，從第一基準(zhǔn)電壓Vs側(cè)起依次以串聯(lián)連接的方式配置有有機(jī)EL元件0LED、晶體管PTl、晶體管NTD、晶體管PT2。S卩，晶體管PTl配置在配線上的有機(jī)EL元件OLED與晶體管NTD之間，晶體管PT2配置在配線上的晶體管NTD的第二基準(zhǔn)電壓Vd —側(cè)(配置在晶體管NTD和第二基準(zhǔn)電壓Vd之間)。此外，晶體管PTl的柵極與第一控制線Φ I連接，晶體管PT2的柵極與第二控制線Φ2連接。在晶體管NTD的柵極與晶體管PT2的第二基準(zhǔn)電壓Vd側(cè)的端子(在此，源極)之間，連接有第一電容器即電容器Cl。
[0040]晶體管NTl連接在晶體管NTD的柵極與漏極之間。晶體管NT2連接在晶體管NTD的源極與信號(hào)線SIG之間。晶體管NTl的柵極與第一控制線Φ I連接，晶體管NT2的柵極與第二控制線Φ2連接。晶體管NTD的漏極(晶體管PT2的漏極:第一基準(zhǔn)電壓Vs側(cè)的端子)的電壓為節(jié)點(diǎn)NI，晶體管NTD的柵極的電壓為節(jié)點(diǎn)N2，晶體管NTD的源極(晶體管PTl的源極:第二基準(zhǔn)電壓Vd側(cè)的端子)的電壓為節(jié)點(diǎn)N3。
[0041]圖4是表示該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖。圖4時(shí)序地表示信號(hào)線SIG、第一控制線Φ1、第二控制線0 2、節(jié)點(diǎn)附、節(jié)點(diǎn)吧及節(jié)點(diǎn)吧的電壓的變化。當(dāng)設(shè)圖所示的時(shí)刻分別為時(shí)刻tl?時(shí)刻t7時(shí)，時(shí)刻t3?時(shí)刻t4期間是向裝設(shè)于該驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)晶體管(晶體管NTD)寫入對(duì)應(yīng)于顯示數(shù)據(jù)的信號(hào)電壓Va的信號(hào)寫入期間，時(shí)刻t4之后的期間是該有機(jī)EL元件OLED顯示該顯示數(shù)據(jù)的發(fā)光期間(顯示期間)。此外，時(shí)刻t2之前的期間是第一期間，顯示之前的顯示數(shù)據(jù)的發(fā)光期間，時(shí)刻t2?時(shí)刻t3期間是第二期間，是將已寫入到裝設(shè)于該驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)晶體管(晶體管NTD)的電壓復(fù)位的復(fù)位期間。在圖4中，信號(hào)線SIG的電壓依次變化，各電壓表示的是將信號(hào)依次寫入的多個(gè)像素電路PC(驅(qū)動(dòng)電路)的信號(hào)電壓，多個(gè)像素電路對(duì)應(yīng)于圖3的沿縱方向排列為一列的像素電路PC。
[0042]在時(shí)刻t2之前(第一期間)，第一控制線Φ I及第二控制線Φ 2均維持在低電壓\。在此，對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路所含的η型MOS - TFT來(lái)說(shuō)，低電壓\為截止電壓，高電SVh為導(dǎo)通電壓。特別是，高電壓Vh是能夠?qū)ⅵ切蚆OS— TFT導(dǎo)通的充分高的電壓。另外，對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路所含的P型MOS — TFT來(lái)說(shuō)，高電壓Vh為截止電壓，低電壓\為導(dǎo)通電壓。特別是，低電壓\是能夠?qū)型MOS — TFT導(dǎo)通的充分低的電壓。為簡(jiǎn)單起見，驅(qū)動(dòng)電路所含的四個(gè)開關(guān)元件(晶體管)的閾值電壓的絕對(duì)值都相等，設(shè)為電壓V.。高電壓Vh相對(duì)于第二基準(zhǔn)電壓Vd和電壓V.而言，滿足VH>VD+VTm的關(guān)系。此外，高電壓Vh優(yōu)選比VD+VTm充分高。同樣，低電壓\相對(duì)于第一基準(zhǔn)電壓Vs和電壓Vthci而言,滿足VJVs — Vtho的關(guān)系。此外，低電壓'優(yōu)選比Vs— V.充分低。通過(guò)第一控制線Φ I及第二控制線Φ 2都維持在低電壓\，在時(shí)刻t2之前，晶體管PTl及晶體管PT2分別維持在導(dǎo)通狀態(tài)，晶體管NTl及晶體管NT2分別維持在截止?fàn)顟B(tài)。由于晶體管PT2充分地導(dǎo)通，因此節(jié)點(diǎn)NI成為第二基準(zhǔn)電壓VD。另外，節(jié)點(diǎn)N2維持在電壓Vbp，節(jié)點(diǎn)N3維持在電壓Vlp。
[0043]在復(fù)位期間(第二期間)起始時(shí)即時(shí)刻t2，第一控制線Φ1的電壓從低電壓'變化到高電壓VH。由此，晶體管PTl成為截止?fàn)顟B(tài)，晶體管NTl成為導(dǎo)通狀態(tài)。此外，在復(fù)位期間，第二控制線Φ2維持在低電壓\，晶體管PT2維持在導(dǎo)通狀態(tài)，晶體管NT2維持在截止?fàn)顟B(tài)。通過(guò)晶體管PTl成為截止?fàn)顟B(tài)，向有機(jī)EL元件OLED的電流供給被阻斷。通過(guò)晶體管NTl成為導(dǎo)通狀態(tài)，節(jié)點(diǎn)NI與節(jié)點(diǎn)N2連接。晶體管NTl充分導(dǎo)通，電流沿著電容器Cl進(jìn)行放電的方向流到晶體管NT1，節(jié)點(diǎn)N2與節(jié)點(diǎn)NI相等，且向第二基準(zhǔn)電壓Vd上升，成為穩(wěn)定狀態(tài)。當(dāng)成為穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)，流到晶體管NTl的電流為O。在此，設(shè)驅(qū)動(dòng)晶體管即晶體管NTD的閾值電壓的絕對(duì)值為Vth。隨著節(jié)點(diǎn)N2向第二基準(zhǔn)電壓Vd上升，節(jié)點(diǎn)N3上升到Vd —Vtho
[0044]在信號(hào)寫入期間起始時(shí)即時(shí)刻t3，第二控制線Φ2的電壓從低電壓'變化到高電壓VH。由此，晶體管PT2成為截止?fàn)顟B(tài)，晶體管NT2成為導(dǎo)通狀態(tài)。此外，在信號(hào)寫入期間，第一控制線Φ I維持在高電壓VH，晶體管PTl維持在截止?fàn)顟B(tài)，晶體管NTl維持在導(dǎo)通狀態(tài)。通過(guò)晶體管PT2成為截止?fàn)顟B(tài)，節(jié)點(diǎn)NI與第二基準(zhǔn)電壓Vd被阻斷。在時(shí)刻t3，且在接下來(lái)的發(fā)光期間，將與該有機(jī)EL兀件OLED要顯不的顯不數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的信號(hào)電壓Va施加于信號(hào)線SIG。因而，經(jīng)由成為導(dǎo)通狀態(tài)的晶體管NT2，晶體管NTD的源極(節(jié)點(diǎn)N3)與成為信號(hào)電壓Va的信號(hào)線SIG連接，節(jié)點(diǎn)N3向信號(hào)電壓Va下降。S卩，晶體管NT2在信號(hào)寫入期間成為導(dǎo)通狀態(tài)，將信號(hào)電壓Va供給到晶體管NTD的源極。隨著節(jié)點(diǎn)N3向信號(hào)電壓Va下降，電流沿著電容器Cl進(jìn)行充電的方向流到晶體管NTl，晶體管NTD的柵極(節(jié)點(diǎn)N2)向成為Va+Vth的電壓下降，成為穩(wěn)定狀態(tài)。當(dāng)成為穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)，流到晶體管NTl的電流為O。此時(shí)，節(jié)點(diǎn)NI與節(jié)點(diǎn)N2短路，因此節(jié)點(diǎn)NI與節(jié)點(diǎn)N2同樣，成為Va+Vth的電壓。即，施加于信號(hào)線SIG的信號(hào)電壓Va供給到晶體管NTD的源極，隨之，晶體管NTD的柵極變化到成為Va+Vth的電壓。在此，當(dāng)設(shè)信號(hào)電壓Va的最大值為Vmax時(shí)，第二基準(zhǔn)電壓Vd需要是比信號(hào)寫入期間(然后，后面的發(fā)光期間)的節(jié)點(diǎn)N2的最大值即Vmax+Vth高的電壓。即，需要滿足VD>Vmax+Vth。
[0045]在信號(hào)寫入期間結(jié)束后，在發(fā)光期間的起始時(shí)即時(shí)刻t4，第一控制線Φ1及第二控制線Φ2都從高電壓Vh變化到低電壓\。由此，晶體管PTl及晶體管PT2都成為導(dǎo)通狀態(tài)，晶體管NTl及晶體管NT2都成為截止?fàn)顟B(tài)。通過(guò)晶體管NTl成為截止?fàn)顟B(tài)，節(jié)點(diǎn)N2與節(jié)點(diǎn)NI阻斷，節(jié)點(diǎn)N2成為浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)。另外，通過(guò)晶體管NT2成為截止?fàn)顟B(tài)，節(jié)點(diǎn)N3與信號(hào)線SIG阻斷。通過(guò)晶體管PTl及晶體管PT2都成為導(dǎo)通狀態(tài)，第二基準(zhǔn)電壓Vd與驅(qū)動(dòng)晶體管即晶體管NTD，以及晶體管NTD與有機(jī)EL元件OLED分別連接，通過(guò)施加于驅(qū)動(dòng)晶體管即晶體管NTD的柵極的電壓，來(lái)控制流到有機(jī)EL元件OLED的電流的量。
[0046]此時(shí)，晶體管NTD的源極(節(jié)點(diǎn)N3)為電壓V1,電壓V1由下面所示的(式I)表示。
[0047]WVed+V...(式 I)
[0048]在此，Voled是有機(jī)EL元件OLED的作為二極管的閾值電壓，Vm是處于導(dǎo)通狀態(tài)的晶體管PTl的電阻(導(dǎo)通電阻)實(shí)現(xiàn)的電壓下降量。
[0049]另外，晶體管NTD的柵極(節(jié)點(diǎn)N2)通過(guò)電容器Cl的電壓，維持在電壓Vb。在晶體管NTD的源極與柵極間產(chǎn)生的電容為電容Cgs。隨著在信號(hào)寫入期間成為信號(hào)電壓Va的節(jié)點(diǎn)N3在發(fā)光期間變化到電壓V1，通過(guò)電容Cgs，節(jié)點(diǎn)N2的電壓Vb嚴(yán)格地由下面所示的(式2)表示。
[0050]Vb ?Va+Va — (Va+Vth — V1) X {Cgs/ (Cgs+Cl)}.(式 2)
[0051]但是，為了簡(jiǎn)單起見，如果電容Cgs比電容Cl充分小(Cgs << Cl)，則電壓Vb近似于^+Vth。因而，與信號(hào)寫入期間同樣，在時(shí)刻t4之后，節(jié)點(diǎn)N2的電壓Vb也維持在Vb =
va+vtho
[0052]由以上可知，驅(qū)動(dòng)晶體管即晶體管NTD的源極與柵極間的電壓Vgs由下面所示的(式3)表示。
[0053]Vgs = Vb — V1 = Va+Vth — V1-(式 3)
[0054]S卩，晶體管NTD的有效的溝道電壓Veh降低閾值電壓Vth，成為Vch = Va- V1,能夠校正晶體管NTD的閾值電壓Vth及其偏差。
[0055]在本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路中，在驅(qū)動(dòng)晶體管的源極上連接有第四開關(guān)元件，在信號(hào)寫入期間，成為導(dǎo)通狀態(tài)的第四開關(guān)元件將信號(hào)電壓供給到驅(qū)動(dòng)晶體管的源極。通過(guò)采用信號(hào)電壓不供給到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的結(jié)構(gòu)，能夠使用恒壓即第二基準(zhǔn)電壓Vd (向有機(jī)EL元件OLED的電源)，將施加于晶體管的柵極的電壓復(fù)位(初始化)。由此，既能夠使第一基準(zhǔn)電壓Vs及第二基準(zhǔn)電壓Vd為恒壓，又能夠去掉復(fù)位電源。
[0056]在該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路中，除使用驅(qū)動(dòng)晶體管以外，還使用四個(gè)開關(guān)元件和一個(gè)電容器，能夠以簡(jiǎn)單的電路結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件。進(jìn)而，在該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法中，如下那樣驅(qū)動(dòng)四個(gè)開關(guān)元件。即，在圖4所示的時(shí)刻t2，使第一開關(guān)元件為截止?fàn)顟B(tài)，第三開關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)，在時(shí)刻t3，使第二開關(guān)元件為截止?fàn)顟B(tài)，第四開關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)，在時(shí)刻t4，使第一開關(guān)元件及第二開關(guān)元件為導(dǎo)通狀態(tài)，第三開關(guān)元件及第四開關(guān)元件為截止?fàn)顟B(tài)。盡管該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路能夠以簡(jiǎn)單的電路結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)，但通過(guò)這種簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方法，都能夠?qū)崿F(xiàn)包含驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的校正在內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)。
[0057]特別是，在該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路中，作為第一開關(guān)元件和第二開關(guān)元件，使用P型晶體管，作為第三開關(guān)元件和第四開關(guān)元件，使用η型晶體管。導(dǎo)通(截止)第一開關(guān)元件的時(shí)序和截止(導(dǎo)通)第三開關(guān)元件的時(shí)序即使相同也不要緊，因此通過(guò)將第一開關(guān)元件設(shè)為P型晶體管，且將第三開關(guān)元件設(shè)為η型晶體管，能夠在第一開關(guān)元件的控制端子(柵極)和第三開關(guān)元件的控制端子(柵極)上連接第一控制線Φ1，使用第一控制線Φ1，能夠控制第一開關(guān)元件及第三開關(guān)元件。此外，也可以將第一開關(guān)元件設(shè)為η型晶體管，且將第三開關(guān)元件設(shè)為P型晶體管。在這種情況下，第一控制線Φ1只要設(shè)為與圖4所示的第一控制線Φ1的電壓反相的電壓即可。即，優(yōu)選第一開關(guān)元件和第三開關(guān)元件中的一方為P型晶體管，另一方為η型晶體管。
[0058]第二開關(guān)元件和第四開關(guān)元件也同樣。導(dǎo)通(截止)第二開關(guān)元件的時(shí)序與截止(導(dǎo)通)第四開關(guān)元件的時(shí)序即使相同也不要緊，因此優(yōu)選第二開關(guān)元件和第四開關(guān)元件的一方為P型晶體管，另一方為η型晶體管。能夠在第二開關(guān)元件的控制端子(柵極)和第四開關(guān)元件的控制端子(柵極)上連接第二控制線Φ2，使用第二控制線Φ2，能夠控制第二開關(guān)元件及第四開關(guān)元件。
[0059]在該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路中，通過(guò)兩根控制線，能夠?qū)崿F(xiàn)四個(gè)開關(guān)元件的驅(qū)動(dòng)，能夠?qū)崿F(xiàn)控制線的根數(shù)削減。通過(guò)削減控制線的根數(shù)，能夠縮小電路規(guī)模，實(shí)現(xiàn)顯示裝置的高精細(xì)化。此外，從控制線的根數(shù)削減的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選以相同時(shí)序控制第一開關(guān)元件和第三開關(guān)元件，且以相同時(shí)序控制第二開關(guān)元件和第四開關(guān)元件。但是，不局限于此，第一開關(guān)元件和第三開關(guān)元件也可以獨(dú)立地控制。另外，第二開關(guān)元件和第四開關(guān)元件也可以獨(dú)立地控制。
[0060][第二實(shí)施方式]
[0061]本發(fā)明的第二實(shí)施方式的顯示裝置除發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)不同以外，其余構(gòu)造都與第一實(shí)施方式的顯示裝置相同。
[0062]圖5是該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。圖5所示的驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)光元件即有機(jī)EL元件OLED的驅(qū)動(dòng)電路,是圖2所示的像素電路PC。與圖3所示的第一實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路不同，作為驅(qū)動(dòng)晶體管，使用P型MOS — TFT即晶體管PTD。在連接在第一基準(zhǔn)電壓Vs和第二基準(zhǔn)電壓Vd之間的配線上，從第一基準(zhǔn)電壓Vs側(cè)起依次以串聯(lián)連接的方式配置有:有機(jī)EL元件0LED、晶體管PTl、晶體管PTD、晶體管PT2。
[0063]晶體管PTD是P型晶體管，因此晶體管PTD的漏極是第一基準(zhǔn)電壓Vs側(cè)的端子，與晶體管PTl連接。晶體管PTD的源極是第二基準(zhǔn)電壓Vd側(cè)的端子，與晶體管PT2連接。因此，與圖3所示的節(jié)點(diǎn)NI和節(jié)點(diǎn)N3相比，晶體管PTD的漏極的電壓即節(jié)點(diǎn)NI和晶體管PTD的源極的電壓即節(jié)點(diǎn)N3分別位于上下顛倒的位置。因此，連接在晶體管PTD的柵極與漏極之間的晶體管NTl的配置和與晶體管PTD的源極連接的晶體管NT2的配置與第一實(shí)施方式不同。在該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路中，作為驅(qū)動(dòng)晶體管，使用P型晶體管，即使是這種情況，也可實(shí)現(xiàn)與第一實(shí)施方式同樣的效果。
[0064]該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法與第一實(shí)施方式同樣,通過(guò)將圖4所不的第一控制線Φ1和第二控制線Φ2的電壓變化控制為相同，寫入信號(hào)電壓。但是，由于驅(qū)動(dòng)晶體管是P型晶體管，用于顯不某顯不數(shù)據(jù)的信號(hào)電壓的值與第一實(shí)施方式不同。
[0065][第三實(shí)施方式]
[0066]本發(fā)明的第三實(shí)施方式的顯示裝置除發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)不同以外，其余構(gòu)造都與第一或第二實(shí)施方式的顯示裝置相同。
[0067]圖6是該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。圖6所示的驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)光元件即有機(jī)EL元件OLED的驅(qū)動(dòng)電路,是圖2所示的像素電路PC。圖6所示的該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路是在圖3所示的第一實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路上追加有連接在驅(qū)動(dòng)晶體管(晶體管NTD)的柵極與源極(第一基準(zhǔn)電壓Vs側(cè)的端子)之間的電容器C2(第二電容器)的驅(qū)動(dòng)電路。
[0068]圖7是表示該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖。在圖7中，與圖4同樣，時(shí)序地表示信號(hào)線SIG、第一控制線Φ 1、第二控制線Φ2、節(jié)點(diǎn)N1、節(jié)點(diǎn)N2及節(jié)點(diǎn)N3的電壓的變化。第一控制線ΦI及第二控制線Φ2的電壓變化與圖4所示的第一實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法相同。時(shí)刻t2之前(第一期間)、復(fù)位期間(第二期間)及信號(hào)寫入期間的節(jié)點(diǎn)N1、節(jié)點(diǎn)N2及節(jié)點(diǎn)N3的電壓變化也分別與圖4所示的第一實(shí)施方式的節(jié)點(diǎn)N1、節(jié)點(diǎn)N2及節(jié)點(diǎn)N3的電壓變化相同。
[0069]在信號(hào)寫入期間結(jié)束后，在發(fā)光期間的起始時(shí)即時(shí)刻t4，第一控制線Φ1及第二控制線Φ2都從高電壓Vh變化到低電壓\。由此，晶體管PTl及晶體管PT2都成為導(dǎo)通狀態(tài)，晶體管NTl及晶體管NT2都成為截止?fàn)顟B(tài)。與第一實(shí)施方式同樣，晶體管NTD的源極(節(jié)點(diǎn)N3)成為由(式I)表示的電壓V115隨著節(jié)點(diǎn)N3從電壓Va向電壓V1變化，晶體管NTD的柵極(節(jié)點(diǎn)N2)因電容器Cl及電容器C2而變化，成為電壓Vb。為了簡(jiǎn)單起見，與第一實(shí)施方式同樣，當(dāng)晶體管NTD的電容Cgs比電容器Cl (及電容器C2)充分小(Cgs〈〈Cl，Cgs〈〈C2)時(shí)，電壓Vb就由下面所示的(式4)表示。
[0070]Vb ?Y+Yth — (Va — V1) X {C2/ (C1+C2)}...(式 4)
[0071]當(dāng)整理(式4)時(shí)，就成為下面所示的(式5)。
[0072]Vb ?VaX {Cl/(01+02)1+7^ X {C2/(C1+C2)...(式 5)
[0073]由以上可知，驅(qū)動(dòng)晶體管即晶體管NTD的源極與柵極間的電壓Vgs由下面所示的(式6)表不。
[0074]Vgs = Vb - V1 = (Va — V1) X {Cl/(C1+C2)} +Vth-(式 6)
[0075]S卩，晶體管NTD的有效的溝道電壓Veh使閾值電壓Vth降低，由下面所示的(式7)表不。
[0076]Vch = (Va — V1) X {Cl/(C1+C2)}…(式 7)
[0077]因而，在該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路中，與第一實(shí)施方式同樣，能夠校正驅(qū)動(dòng)晶體管(晶體管NTD)的閾值電壓及其偏差。
[0078]進(jìn)而，在該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路中，當(dāng)與由第一實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)的溝道電壓Vdl相比時(shí)，溝道電壓Vdl被壓縮為{C1/(C1+C2)}倍。當(dāng)顯示裝置高精細(xì)化，且各像素電路可專享的面積減小時(shí)，就不得不使驅(qū)動(dòng)晶體管即晶體管NTD的元件尺寸縮小(縮短溝道長(zhǎng)度L)。在這種情況下，由于相對(duì)于電壓變化的電流效率上升，因此可使用的信號(hào)電壓范圍縮小。隨之而來(lái)的是，當(dāng)從外部(信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路XDV)供給的信號(hào)電壓的范圍縮小時(shí)，就會(huì)向該范圍分配灰度級(jí)數(shù)分別相應(yīng)的灰度級(jí)電壓，因此相鄰的灰度級(jí)值的電壓之差縮小，灰度級(jí)顯示較困難。但是，在該實(shí)施方式中，能夠加大從外部供給的信號(hào)電壓的范圍，可實(shí)現(xiàn)灰度級(jí)顯示穩(wěn)定化這種顯著的效果。
[0079]此外，該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路也可以使用P型晶體管作為驅(qū)動(dòng)晶體管。在那種情況下，該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路是在圖5所示的第二實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路上追加有連接在驅(qū)動(dòng)晶體管(晶體管PTD)的柵極和漏極(第一基準(zhǔn)電壓Vs側(cè)的端子)之間的電容器C2的驅(qū)動(dòng)電路。
[0080][第四實(shí)施方式]
[0081]本發(fā)明的第四實(shí)施方式的顯示裝置除發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)不同以外，其余構(gòu)造都與第一?第三中的任一實(shí)施方式的顯不裝置相同。另外，發(fā)光兀件的驅(qū)動(dòng)方法也相同。
[0082]圖8是該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。圖3所示的第一實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路具備晶體管NTl作為第三開關(guān)元件，且具備晶體管NT2作為第四開關(guān)元件。與此相對(duì)，在該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路中，第三開關(guān)元件及第四開關(guān)元件由具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管構(gòu)成。在該實(shí)施方式中，作為具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管的一個(gè)例子，使用具有雙柵極構(gòu)造的薄膜晶體管作為第三開關(guān)元件及第四開關(guān)元件。在圖8中，作為第三開關(guān)元件，表示了串聯(lián)連接的兩個(gè)晶體管NT1A、NT1B，作為第四開關(guān)元件，表示了串聯(lián)連接的兩個(gè)晶體管NT2A、NT2B。關(guān)于其以外的結(jié)構(gòu)，該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路與第一實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路相同。
[0083]在此，對(duì)圖3所示的第一實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行考察。在發(fā)光期間，晶體管NTl成為截止?fàn)顟B(tài)，節(jié)點(diǎn)N2與節(jié)點(diǎn)NI阻斷，成為浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)。另外，晶體管NT2成為截止?fàn)顟B(tài)，節(jié)點(diǎn)N3與信號(hào)線SIG阻斷。當(dāng)向晶體管NTl流動(dòng)漏電流時(shí)，節(jié)點(diǎn)N2 (晶體管NTD的柵極)的電壓就會(huì)變化，因此顯示質(zhì)量下降。另外，當(dāng)向晶體管NT2流動(dòng)漏電流時(shí)，節(jié)點(diǎn)N3(晶體管NTD的源極)的電壓就會(huì)變化，因此顯示質(zhì)量同樣下降。特別是，在晶體管NTl及晶體管NT2由低溫多晶硅TFT形成的情況下，漏電流就成為問(wèn)題。與此相對(duì)，在該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路中，通過(guò)由具有雙柵極構(gòu)造的薄膜晶體管構(gòu)成第三開關(guān)元件及第四開關(guān)元件，來(lái)抑制發(fā)光期間的漏電流。由此，可實(shí)現(xiàn)晶體管NTD的電流控制的穩(wěn)定化，可實(shí)現(xiàn)能夠降低拖尾等畫質(zhì)不良這種特殊的效果。
[0084]從降低漏電流的觀點(diǎn)出發(fā)，第三開關(guān)元件及第四開關(guān)元件最好都由具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管構(gòu)成。但是，也可以任一方的開關(guān)元件由具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管構(gòu)成。這種開關(guān)元件可獲得實(shí)現(xiàn)漏電流的降低這種效果。
[0085]圖8所示的驅(qū)動(dòng)電路是將圖3所示的第一實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的第三開關(guān)元件及第四開關(guān)元件替換為具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管的驅(qū)動(dòng)電路，但不局限于此。也可以將第二或第三實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的第三開關(guān)元件及第四開關(guān)元件替換為具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管。另外，也可以將第三開關(guān)元件或第四開關(guān)元件中的任一方替換為具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管。在這種驅(qū)動(dòng)電路中，也可獲得實(shí)現(xiàn)漏電流的降低這種效果。
[0086]圖9是該實(shí)施方式的另一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。圖9所示的驅(qū)動(dòng)電路是將圖6所示的第三實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的第三開關(guān)元件及第四開關(guān)元件替換為具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管的驅(qū)動(dòng)電路。另外，雖未圖示，但對(duì)于圖5所示的第二實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路、和第三實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路即使用P型晶體管作為驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電路也同樣。
[0087][第五實(shí)施方式]
[0088]本發(fā)明第五實(shí)施方式的顯示裝置除發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)不同以外，其余構(gòu)造都與第四實(shí)施方式的顯示裝置相同。
[0089]圖10是該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。圖8所示的第四實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路具有串聯(lián)連接的晶體管NT2A及晶體管NT2B作為第四開關(guān)元件。晶體管NT2A的柵極及晶體管NT2B的柵極都與第二控制線Φ2連接。與此相對(duì)，在該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路中，兩個(gè)晶體管中的晶體管NT2A的柵極與第一控制線Φ1連接。關(guān)于其以外的結(jié)構(gòu)，該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路與圖8所示的第四實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路相同。
[0090]該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法與圖4或圖7所示的驅(qū)動(dòng)方法同樣，第一控制線Φ1在時(shí)刻t2?時(shí)刻t4期間成為高電Svh，在其以外的期間，成為低電壓 '，第二控制線Φ2在時(shí)刻t3?時(shí)刻t4期間成為高電SVh，在其以外的期間，成為低電壓第四開關(guān)元件成為導(dǎo)通狀態(tài)的是在串聯(lián)連接的晶體管NT2A及晶體管NT2B的雙方都成為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，是在時(shí)刻t3?時(shí)刻t4期間。另外，在其以外的期間，第四開關(guān)元件都成為截止?fàn)顟B(tài)。
[0091]即使在該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路中，也與第四實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路同樣，可獲得實(shí)現(xiàn)漏電流的降低這種效果。進(jìn)而，在該實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路中，設(shè)計(jì)的自由度增大，可獲得能夠?qū)崿F(xiàn)在高精細(xì)像素布局時(shí)有效的配置這種特殊的效果。圖10所示的驅(qū)動(dòng)電路是將圖8所示的第四實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的晶體管NT2A的柵極的連接對(duì)象從第二控制線Φ2變更為第一控制線Φ1的驅(qū)動(dòng)電路，但不局限于此。
[0092]圖11是該實(shí)施方式的另一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。圖11所示的驅(qū)動(dòng)電路是將圖9所示的第四實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的晶體管NT2A的柵極的連接對(duì)象變更為第一控制線Φ1的驅(qū)動(dòng)電路，可獲得能夠?qū)崿F(xiàn)在聞精細(xì)像素布局時(shí)有效的配置這種特殊的效果。另夕卜，雖未圖示，但使用P型晶體管作為驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電路也同樣。
[0093]以上，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路、顯示裝置及驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行了說(shuō)明。在上述實(shí)施方式中，不管是在驅(qū)動(dòng)晶體管為η型MOS — FET (晶體管NTD)的情況下，還是在為P型MOS - FET(晶體管PTD)的情況下，第三開關(guān)元件(晶體管NTl)都連接在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極之間。但是，上述實(shí)施方式的晶體管的源極、漏極的定義只是由顯示驅(qū)動(dòng)時(shí)的各部的電位關(guān)系決定，例如，在顯示驅(qū)動(dòng)時(shí)以外的期間，即使源極、漏極的電位關(guān)系有時(shí)反轉(zhuǎn)，也不解釋為脫離了本發(fā)明的技術(shù)范圍。另外，在上述實(shí)施方式中，第一電容器(電容器Cl)連接在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與第二基準(zhǔn)電壓Vd之間。但是，連接第一電容器的不局限于第二基準(zhǔn)電壓VD，只要是恒定電壓即可。
[0094]通過(guò)采用CMOS電路，裝設(shè)于驅(qū)動(dòng)電路的晶體管設(shè)為P型MOS — TFT或η型MOS —TFT，但不局限于此，既可以是其他晶體管，也可以是其他開關(guān)元件。此外，在實(shí)施方式中，對(duì)以有機(jī)EL元件OLED為發(fā)光元件的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但不局限于此，本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路可廣泛應(yīng)用于通過(guò)流動(dòng)的電流的量來(lái)控制發(fā)光量的發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電路。通過(guò)顯示裝置具備本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路，可實(shí)現(xiàn)對(duì)應(yīng)于高精細(xì)化的顯示裝置的小型化。但是，本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路不局限于顯示裝置，也可應(yīng)用于其他裝置。
[0095]以上對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但這些實(shí)施方式是用于說(shuō)明本發(fā)明的例示。本發(fā)明在不脫離其要旨的范圍，能夠以與上述實(shí)施方式不同的各種方式實(shí)施。
【權(quán)利要求】
1.一種驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括: 連接第一基準(zhǔn)電壓的第一配線； 連接比所述第一基準(zhǔn)電壓高的第二基準(zhǔn)電壓的第二配線； 配置于所述第一配線與所述第二配線之間，通過(guò)流過(guò)電流來(lái)發(fā)光的發(fā)光元件； 配置于所述發(fā)光元件與所述第二配線之間，用于控制向所述發(fā)光元件流動(dòng)的電流的量的驅(qū)動(dòng)晶體管； 配置于所述發(fā)光元件與所述驅(qū)動(dòng)晶體管之間的第一開關(guān)元件； 配置于所述驅(qū)動(dòng)晶體管與所述第二配線之間的第二開關(guān)元件； 配置于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極和漏極中的一方之間的第三開關(guān)元件； 與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極中的另一方連接并且控制信號(hào)電壓的輸入的第四開關(guān)兀件；和 第一電容器，其一端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于: 所述第一電容器的另一端連接恒定電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于: 所述第一電容器的另一端連接所述第二基準(zhǔn)電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于: 所述第一開關(guān)元件和所述第三開關(guān)元件中的一方為P型晶體管，另一方為η型晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于: 所述第二開關(guān)元件和所述第四開關(guān)元件中的一方為Ρ型晶體管，另一方為η型晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于: 所述第一開關(guān)元件的柵極和所述第三開關(guān)元件的柵極均與第一控制線連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于: 所述第二開關(guān)元件的柵極和所述第四開關(guān)元件的柵極均與第二控制線連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于: 還具備配置于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極和漏極中的一方之間的第二電容器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于: 所述第三開關(guān)元件是具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于: 所述第四開關(guān)元件是具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管。
11.一種顯示裝置，其特征在于: 具有排列多個(gè)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路的顯示部。
12.—種驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于: 所述驅(qū)動(dòng)電路包括: 連接第一基準(zhǔn)電壓的第一配線； 連接比所述第一基準(zhǔn)電壓高的第二基準(zhǔn)電壓的第二配線； 配置于所述第一配線與所述第二配線之間，通過(guò)流過(guò)電流來(lái)發(fā)光的發(fā)光元件； 配置于所述發(fā)光元件與所述第二配線之間，用于控制向所述發(fā)光元件流動(dòng)的電流的量的驅(qū)動(dòng)晶體管； 配置于所述發(fā)光元件與所述驅(qū)動(dòng)晶體管之間的第一開關(guān)元件； 配置于所述驅(qū)動(dòng)晶體管與所述第二配線之間的第二開關(guān)元件； 配置于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極和漏極中的一方之間的第三開關(guān)元件； 與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極中的另一方連接并且控制信號(hào)電壓的輸入的第四開關(guān)兀件；和 第一電容器，其一端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接， 所述驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法具有: 所述第一開關(guān)元件和所述第二開關(guān)元件處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述第三開關(guān)元件和所述第四開關(guān)元件處于截止?fàn)顟B(tài)的第一期間； 所述第一開關(guān)元件處于截止?fàn)顟B(tài)，并且所述第三開關(guān)元件處于導(dǎo)通狀態(tài)的第二期間；所述第二開關(guān)元件處于截止?fàn)顟B(tài)，并且所述第一開關(guān)元件處于截止?fàn)顟B(tài)且所述第三開關(guān)元件處于導(dǎo)通狀態(tài)的第三期間；和 所述第三開關(guān)元件和所述第四開關(guān)元件均處于截止?fàn)顟B(tài)，所述第一開關(guān)元件和所述第二開關(guān)元件均處于導(dǎo)通狀態(tài)的第四期間。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK104424894SQ201410443391
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2014年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月2日
【發(fā)明者】宮澤敏夫, 宮本光秀 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日本顯示器