半導(dǎo)體裝置及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及電子設(shè)備?？梢允贡惠斎氲诫娖睫D(zhuǎn)移的信號(hào)的振幅電壓增大并由電平轉(zhuǎn)移電路輸出。具體而言，可以使被輸入到電平轉(zhuǎn)移的信號(hào)的振幅電壓升高并輸出。由此，可以使電路(移位寄存電路、解碼器電路等)的振幅電壓減小，該電路輸出被輸入到電平轉(zhuǎn)移的信號(hào)。由此，可以使該電路的功耗減小?；蛘撸梢允箤?duì)構(gòu)成該電路的晶體管施加的電壓減小。由此，可以抑制該晶體管的劣化或損壞。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置及電子設(shè)備
[0001]本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為“2010年9月6日”、申請(qǐng)?zhí)枮椤?01010286279.6”、題為“半導(dǎo)體裝置及電子設(shè)備”的分案申請(qǐng)。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。本發(fā)明尤其涉及一種具有形成在與像素部同一襯底上的驅(qū)動(dòng)電路的半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、液晶顯示裝置、發(fā)光裝置或其驅(qū)動(dòng)方法?；蛘撸景l(fā)明涉及一種具有該半導(dǎo)體裝置、該顯示裝置、該液晶顯示裝置或該發(fā)光裝置的電子設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0003]近年來，對(duì)液晶電視等的大型顯示裝置積極地進(jìn)行開發(fā)。尤其是由于使用具有非單晶半導(dǎo)體的晶體管在與像素部同一襯底上形成柵極驅(qū)動(dòng)電路等的驅(qū)動(dòng)電路的技術(shù)極有助于制造成本的降低、可靠性的提高等，所以對(duì)該技術(shù)積極地進(jìn)行開發(fā)(例如，專利文獻(xiàn)I)。
[0004][專利文獻(xiàn)I]日本專利申請(qǐng)公開2004-78172號(hào)公報(bào)
[0005]然而，如專利文獻(xiàn)I所記載那樣，對(duì)移位寄存電路輸入的時(shí)鐘信號(hào)的振幅電壓在將移位寄存電路用于掃描線驅(qū)動(dòng)電路時(shí)以與被輸出到掃描線的柵極信號(hào)(也稱為掃描信號(hào)、選擇信號(hào))相同的振幅工作。在實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的低功耗化的觀點(diǎn)來看，被要求使時(shí)鐘信號(hào)的振幅電壓抑制得低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]鑒于上述問題，本發(fā)明的一個(gè)方式的目的是降低驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電壓且實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的低功耗化。
[0007]本發(fā)明的一個(gè)方式是一種半導(dǎo)體裝置，包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管。第一晶體管的第一端子電連接于第一布線，第一晶體管的第二端子電連接于第二布線。第二晶體管的第一端子電連接于第三布線，第二晶體管的第二端子電連接于第二布線。第三晶體管的第一端子電連接于第一布線，第三晶體管的第二端子電連接于第一晶體管的柵極，第三晶體管的柵極電連接于第四布線。第四晶體管的第一端子電連接于第三布線，第四晶體管的第二端子電連接于第一晶體管的柵極，第四晶體管的柵極電連接于第二晶體管的柵極。第五晶體管的第一端子電連接于第五布線，第五晶體管的第二端子電連接于第二晶體管的柵極，第五晶體管的柵極電連接于第六布線。第六晶體管的第一端子電連接于第三布線，第六晶體管的第二端子電連接于第二晶體管的柵極，第六晶體管的柵極電連接于第四布線。
[0008]本發(fā)明的一個(gè)方式也可以是一種半導(dǎo)體裝置，其中對(duì)第四布線輸入第一信號(hào)，從第二布線輸出第二信號(hào)，第二信號(hào)的振幅電壓大于第一信號(hào)的振幅電壓。
[0009]本發(fā)明的一個(gè)方式也可以是一種半導(dǎo)體裝置，其中第一信號(hào)是數(shù)字信號(hào)，第二信號(hào)是數(shù)字信號(hào)，在第一信號(hào)是H電平時(shí),第二信號(hào)是H電平,而在第一信號(hào)是L電平時(shí),第二號(hào)是L電平。
[0010]本發(fā)明的一個(gè)方式也可以是一種半導(dǎo)體裝置，其中第四布線與移位寄存電路電連接。
[0011]另外，在附圖中，為便于清楚地說明有時(shí)對(duì)大小、層的厚度或區(qū)域進(jìn)行夸張的描述。因此，不一定局限于這些尺度。
[0012]另外，在附圖中，示意性地示出理想例子，形狀或數(shù)值等并不局限于附圖所示。例如，可以包括制造技術(shù)所引起的形狀不均勻、誤差所引起的形狀不均勻、雜波所引起的信號(hào)、電壓或電流的不均勻或者定時(shí)(timing)偏差所引起的信號(hào)、電壓或電流的不均勻等。
[0013]另外，在很多情況下，術(shù)語用來描述特定的實(shí)施方式等，但是本發(fā)明的一個(gè)方式不應(yīng)被解釋為受限于術(shù)語的解釋。
[0014]另外，沒有被定義的術(shù)語(包括專門用語或?qū)W術(shù)用語等科技術(shù)語)可以表示與普通的本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的一般意思相同的意思。由詞典等定義的詞句優(yōu)選被解釋為不與有關(guān)技術(shù)的背景產(chǎn)生矛盾的意思。
[0015]本發(fā)明的一個(gè)方式可以降低驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電壓且實(shí)現(xiàn)低功耗化。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是實(shí)施方式I中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的一個(gè)例子；
[0017]圖2是說明實(shí)施方式I中的半導(dǎo)體裝置的工作的圖的一個(gè)例子；
[0018]圖3A和3B是說明實(shí)施方式I中的半導(dǎo)體裝置的工作的示意圖的一個(gè)例子；
[0019]圖4A和4B是說明實(shí)施方式I中的半導(dǎo)體裝置的工作的示意圖的一個(gè)例子；
[0020]圖5A和5B是實(shí)施方式I中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的一個(gè)例子；
[0021]圖6A和6B是實(shí)施方式I中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的一個(gè)例子；
[0022]圖7A和7B是實(shí)施方式I中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的一個(gè)例子；
[0023]圖8A和8B是實(shí)施方式I中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的一個(gè)例子；
[0024]圖9A和9B是實(shí)施方式I中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的一個(gè)例子；
[0025]圖1OA和1B是實(shí)施方式I中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的一個(gè)例子；
[0026]圖11是實(shí)施方式2中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的一個(gè)例子；
[0027]圖12是說明實(shí)施方式2中的半導(dǎo)體裝置的工作的時(shí)序圖的一個(gè)例子；
[0028]圖13A至13C是說明實(shí)施方式2中的半導(dǎo)體裝置的工作的時(shí)序圖的一個(gè)例子；
[0029]圖14是說明實(shí)施方式2中的半導(dǎo)體裝置的工作的時(shí)序圖的一個(gè)例子；
[0030]圖15是實(shí)施方式2中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的一個(gè)例子；
[0031]圖16是說明實(shí)施方式2中的半導(dǎo)體裝置的工作的時(shí)序圖的一個(gè)例子；
[0032]圖17A至17E是實(shí)施方式3中的顯示裝置的框圖的一個(gè)例子和像素的電路圖的一個(gè)例子；
[0033]圖18A至18D是實(shí)施方式4中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的一個(gè)例子、說明半導(dǎo)體裝置的工作的時(shí)序圖的一個(gè)例子以及顯示裝置的框圖的一個(gè)例子；
[0034]圖19A至19C是實(shí)施方式5中的半導(dǎo)體裝置的截面圖的一個(gè)例子；
[0035]圖20A至20C是實(shí)施方式6中的顯示裝置的俯視圖的一個(gè)例子和截面圖的一個(gè)例子；
[0036]圖21A至21E是示出實(shí)施方式7中的半導(dǎo)體裝置的制造工序的圖的一個(gè)例子；
[0037]圖22A至22H是說明實(shí)施方式8中的電子設(shè)備的圖的一個(gè)例子；
[0038]圖23A至23H是說明實(shí)施方式8中的電子設(shè)備的圖的一個(gè)例子。

【具體實(shí)施方式】
[0039]以下，參照【專利附圖】

【附圖說明】實(shí)施方式。但是，實(shí)施方式可以以多個(gè)不同方式來實(shí)施，所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)，就是其方式和詳細(xì)內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形式而不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。在以下所說明的結(jié)構(gòu)中，在不同附圖之間共同使用同一附圖標(biāo)記表不同一部分或具有同樣功能的部分，省略該同一部分或具有同樣功能的部分的詳細(xì)說明。
[0040]另外，在某一個(gè)實(shí)施方式中所說明的內(nèi)容(也可以是其一部分的內(nèi)容)對(duì)于該實(shí)施方式所說明的其他內(nèi)容(也可以是其一部分的內(nèi)容)和/或在一個(gè)或多個(gè)其他實(shí)施方式中所說明的內(nèi)容(也可以是其一部分的內(nèi)容)可以進(jìn)行應(yīng)用、組合或置換等。
[0041]另外，第一、第二、第三等詞句是用來區(qū)分描述各種因素、構(gòu)件、區(qū)域、層、領(lǐng)域的詞句。因此，第一、第二、第三等詞句不是限定因素、構(gòu)件、區(qū)域、層、領(lǐng)域等的個(gè)數(shù)的詞句。再者，例如，可以用“第二”或“第三”等替換“第一”。
[0042]實(shí)施方式I
[0043]在本實(shí)施方式中說明半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子以及該半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動(dòng)方法的一個(gè)例子。尤其說明電平轉(zhuǎn)移電路的一個(gè)例子以及該電平轉(zhuǎn)移電路的驅(qū)動(dòng)方法的一個(gè)例子。
[0044]首先，說明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子。
[0045]圖1示出半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子。電路100包括電路110及電路120。電路110與布線11、布線13、布線14、布線16以及電路120連接。電路120與布線11、布線12、布線
15、布線16以及電路110連接。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，電路100、電路110及電路120根據(jù)其結(jié)構(gòu)可以與各種布線連接。
[0046]電路110具有晶體管111及晶體管112。電路120具有晶體管121、晶體管122、晶體管123以及晶體管124。晶體管121的第一端子連接于布線15，晶體管121的第二端子連接于布線12。晶體管122的第一端子連接于布線16，晶體管122的第二端子連接于布線12。晶體管123的第一端子連接于布線15，晶體管123的第二端子連接于晶體管121的柵極，晶體管123的柵極連接于布線11。晶體管124的第一端子連接于布線16，晶體管124的第二端子連接于晶體管121的柵極，晶體管124的柵極連接于晶體管122的柵極。晶體管111的第一端子連接于布線14，晶體管111的第二端子連接于晶體管122的柵極，晶體管111的柵極連接于布線13。晶體管112的第一端子連接于布線16，晶體管112的第二端子連接于晶體管122的柵極，晶體管112的柵極連接于布線11。
[0047]另外，將晶體管111的第二端子、晶體管112的第二端子、晶體管122的柵極以及晶體管124的柵極的連接部分稱作節(jié)點(diǎn)A。將晶體管121的柵極、晶體管123的第二端子以及晶體管124的第二端子的連接部分稱作節(jié)點(diǎn)B。
[0048]另外，晶體管111、晶體管112以及晶體管121至124都是N溝道型。N溝道型的晶體管當(dāng)柵極和源極之間的電位差高于閾值電壓時(shí)導(dǎo)通。由此，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置可以由使用非晶半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體等的晶體管構(gòu)成。尤其優(yōu)選由使用氧化物半導(dǎo)體的晶體管構(gòu)成本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。這是因?yàn)橥ㄟ^使用氧化物半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體層可以提高晶體管的遷移率的緣故。由此，可以容易將本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置用于分辨率高的顯示裝置或大型的顯示裝置。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，晶體管111、晶體管112以及晶體管121至124都可以是P溝道型。P溝道型晶體管當(dāng)柵極和源極之間的電位差低于閾值電壓時(shí)導(dǎo)通。
[0049]此外，晶體管是指包括柵極、漏極以及源極的至少具有三個(gè)端子的元件。在漏極(漏區(qū)或漏電極)和源極(源區(qū)或源電極)之間具有溝道區(qū)，電流能夠流過漏區(qū)、溝道區(qū)以及源區(qū)。在此，因?yàn)樵礃O和漏極根據(jù)晶體管的結(jié)構(gòu)或工作條件等而更換，因此很難限定哪個(gè)是源極哪個(gè)是漏極。因此，有時(shí)不將用作源極的區(qū)域及用作漏極的區(qū)域稱為源極或漏極。在此情況下，作為一個(gè)例子，有時(shí)將源極和漏極中的一方記為第一端子、第一電極或第一區(qū)，并將源極和漏極中的另一方記為第二端子、第二電極或第二區(qū)。
[0050]此外，當(dāng)明確地記載“X和Y連接”時(shí)，包括如下情況:X和Y電連接；X和Y在功能上連接；以及X和Y直接連接。在此，X和Y為對(duì)象物(例如，裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導(dǎo)電膜、層等)。因此，還包括附圖或文章所示的連接關(guān)系以外的連接關(guān)系，而不局限于規(guī)定的連接關(guān)系例如附圖或文章所示的連接關(guān)系。
[0051]對(duì)布線14輸入電壓VDDl。電壓VDDl為恒定電壓，且大于接地電壓。由此，布線14具有電源線或正電源線的功能。對(duì)布線15輸入電壓VDD2。電壓VDD2為恒定電壓，且大于電壓VDD1。由此，布線15具有電源線或正電源線的功能。對(duì)布線16輸入電壓VSS。電壓VSS為恒定電壓，且小于電壓VDD1。由此，布線16具有電源線或負(fù)電源線的功能。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，可以對(duì)布線14、布線15及/或布線16輸入信號(hào)。在此情況下，布線14、布線15及/或布線16可以具有信號(hào)線的功能。作為另一個(gè)例子，電壓VSS可以大致等于接地電壓。由此，布線16可以具有接地線或地線等的功能。
[0052]對(duì)布線11輸入信號(hào)INl。信號(hào)INl是數(shù)字信號(hào)。并且，信號(hào)INl的H電平的電位大致是VDD1，信號(hào)INl的L電平的電位大致是VSS。由此，布線11具有信號(hào)線的功能。對(duì)布線13輸入信號(hào)IN2。信號(hào)IN2是數(shù)字信號(hào)。并且，信號(hào)IN2的H電平的電位大致是VDDl，信號(hào)IN2的L電平的電位大致是VSS。由此，布線13具有信號(hào)線的功能。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，可以對(duì)布線13輸入電壓(例如電壓VDDl或電壓VDD2)。由此，由于可以省略信號(hào)IN2，所以可以減少信號(hào)及布線的數(shù)量。再者，可以減少功耗。
[0053]從布線12輸出信號(hào)OUT。信號(hào)OUT是數(shù)字信號(hào)，且是電路100的輸出信號(hào)。并且，信號(hào)OUT的H電平的電位大致是VDD2，信號(hào)OUT的L電平的電位大致是VSS。換言之，信號(hào)OUT的振幅電壓大于信號(hào)INl的振幅電壓。由此,布線12具有信號(hào)線的功能。
[0054]接著，說明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的工作的一個(gè)例子。
[0055]圖2是說明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的工作的圖的一個(gè)例子。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置組合信號(hào)INl及信號(hào)IN2的H電平和L電平，可以實(shí)現(xiàn)第一至第四工作。以下說明第一至第四工作。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，通過使布線14、布線15及/或布線16的電位改變，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置可以進(jìn)行更多種工作。
[0056]首先，說明第一工作(參照?qǐng)D3A)。在第一工作中，信號(hào)INl成為H電平，而信號(hào)IN2成為L(zhǎng)電平。由此，由于晶體管111截止，晶體管112導(dǎo)通，所以節(jié)點(diǎn)A與布線16處于導(dǎo)電狀態(tài)。于是，由于對(duì)節(jié)點(diǎn)A供應(yīng)布線16的電位(電壓VSS)，所以節(jié)點(diǎn)A的電位(記為電位Va)大致是VSS。由此，晶體管124截止。此時(shí)，由于晶體管123導(dǎo)通，所以節(jié)點(diǎn)B與布線15處于導(dǎo)電狀態(tài)。于是，由于對(duì)節(jié)點(diǎn)B供應(yīng)布線15的電位(例如電壓VDD2)，所以節(jié)點(diǎn)B的電位(記為電位Vb)開始上升。然后，當(dāng)節(jié)點(diǎn)B的電位成為VSS+Vthl21 (Vthl21:晶體管121的閾值電壓)時(shí)，晶體管121導(dǎo)通。此時(shí)，由于晶體管122截止，所以布線12與布線15處于導(dǎo)電狀態(tài)。于是，對(duì)布線12供應(yīng)布線15的電位(例如電壓VDD2)，布線12的電位(信號(hào)OUT)開始上升。然后，節(jié)點(diǎn)B的電位和布線12的電位還繼續(xù)上升。然后，節(jié)點(diǎn)B的電位成為從晶體管123的柵極的電位(電壓VDD1)減去晶體管123的閾值電壓(Vthl23)的值。于是，由于晶體管123截止，所以布線15與節(jié)點(diǎn)B處于非導(dǎo)電狀態(tài)。由此，節(jié)點(diǎn)B成為浮動(dòng)狀態(tài)。此時(shí)，布線12的電位繼續(xù)上升。由此，節(jié)點(diǎn)B的電位因晶體管121的柵極和第二端子之間的寄生電容從VDD1-Vthl23進(jìn)一步上升。然后，節(jié)點(diǎn)B的電位成為VDD2+Vthl21+Vl(Vl:正數(shù))。這是所謂自舉(bootstrap)工作。由此，布線12的電位可以上升到VDD2。通過上述步驟，信號(hào)OUT成為H電平。
[0057]接著，說明第二工作(參照?qǐng)D3B)。在第二工作中，信號(hào)INl成為L(zhǎng)電平，而信號(hào)IN2成為H電平。由此，由于晶體管111導(dǎo)通，晶體管112截止，所以節(jié)點(diǎn)A與布線14處于導(dǎo)電狀態(tài)。于是，由于對(duì)節(jié)點(diǎn)A供應(yīng)布線14的電位(電壓VDD1)，所以節(jié)點(diǎn)A的電位上升。然后，節(jié)點(diǎn)A的電位成為從晶體管111的柵極的電位(H電平的信號(hào)IN2)減去晶體管111的閾值電壓(Vthlll)的值(VDDl-Vthlll)。于是，晶體管111截止，并且布線14與節(jié)點(diǎn)A處于非導(dǎo)電狀態(tài)。由此，節(jié)點(diǎn)A成為浮動(dòng)狀態(tài)，且節(jié)點(diǎn)A的電位大致維持為VDDl-Vthlll。由此，晶體管124導(dǎo)通。此時(shí)，由于晶體管123截止，所以節(jié)點(diǎn)B與布線16處于導(dǎo)電狀態(tài)。于是，由于對(duì)節(jié)點(diǎn)B供應(yīng)布線16的電位(電位VSS)，所以節(jié)點(diǎn)B的電位大致是VSS。由此，晶體管121截止。此時(shí)，由于晶體管122導(dǎo)通，所以布線12與布線16處于導(dǎo)電狀態(tài)。于是，對(duì)布線12供應(yīng)布線16的電位(電壓VSS)，布線12的電位(信號(hào)OUT)大致是VSS。通過上述步驟，信號(hào)OUT成為L(zhǎng)電平。
[0058]接著，說明第三工作(參照?qǐng)D4A)。在第三工作中，信號(hào)INl成為H電平，而信號(hào)IN2成為H電平。由此，由于晶體管111導(dǎo)通，晶體管112導(dǎo)通，所以節(jié)點(diǎn)A與布線14及布線16處于導(dǎo)電狀態(tài)。于是，由于對(duì)節(jié)點(diǎn)A供應(yīng)布線14的電位(電壓VDD1)及布線16的電位(電壓VSS)，所以節(jié)點(diǎn)A的電位成為VSS和VDDl之間的值。晶體管111的電流供應(yīng)能力和晶體管112的電流供應(yīng)能力決定該節(jié)點(diǎn)A的電位。在此，晶體管112的電流供應(yīng)能力比晶體管111的電流供應(yīng)能力大。由此，優(yōu)選地是，節(jié)點(diǎn)A的電位比VDDl的值更接近VSS的值。更優(yōu)選地是，節(jié)點(diǎn)A的電位低于VSS+Vthl24(Vthl24:晶體管124的閾值電壓)或￥55+￥訪122(￥訪122:晶體管122的閾值電壓)。由此，晶體管124截止。此時(shí)，由于晶體管123導(dǎo)通，所以節(jié)點(diǎn)B與布線15處于導(dǎo)電狀態(tài)。于是，對(duì)節(jié)點(diǎn)B供應(yīng)布線15的電位(例如電壓VDD2)，節(jié)點(diǎn)B的電位(電位Vb)開始上升。然后，當(dāng)節(jié)點(diǎn)B的電位成為VSS+Vthl21(Vthl21:晶體管121的閾值電壓)時(shí)，晶體管121導(dǎo)通。此時(shí)，由于晶體管122截止，所以布線12與布線15處于導(dǎo)電狀態(tài)。于是，對(duì)布線12供應(yīng)布線15的電位(例如電壓VDD2)，布線12的電位(信號(hào)OUT)開始上升。然后，節(jié)點(diǎn)B的電位和布線12的電位還繼續(xù)上升。然后，節(jié)點(diǎn)B的電位成為從晶體管123的柵極的電位(電壓VDD1)減去晶體管123的閾值電壓(Vthl23)的值。于是，由于晶體管123截止，所以布線15與節(jié)點(diǎn)B處于非導(dǎo)電狀態(tài)。由此，節(jié)點(diǎn)B成為浮動(dòng)狀態(tài)。此時(shí)，布線12的電位繼續(xù)上升。由此，節(jié)點(diǎn)B的電位因晶體管121的柵極和第二端子之間的寄生電容從VDD1-Vthl23進(jìn)一步上升。然后，節(jié)點(diǎn)8的電位成為￥002+￥訪121+￥1(￥1:正數(shù))。這是所謂自舉工作。由此，布線12的電位可以上升到VDD2。通過上述步驟，信號(hào)OUT成為H電平。
[0059]接著，說明第四工作(參照?qǐng)D4B)。在第四工作中，信號(hào)INl成為L(zhǎng)電平，而信號(hào)IN2成為L(zhǎng)電平。由此，由于晶體管111截止，晶體管112截止，所以節(jié)點(diǎn)A成為浮動(dòng)狀態(tài)。于是，由于對(duì)節(jié)點(diǎn)A的電位維持第四工作之前的狀態(tài)。例如，在第四工作之前進(jìn)行第一工作或第三工作，在此情況下，節(jié)點(diǎn)A的電位大致是VSS。另一方面，在第四工作之前進(jìn)行第二工作，在此情況下，節(jié)點(diǎn)A的電位成為VDDl-Vthlll。在此，在第四工作之前進(jìn)行第二工作。由此，節(jié)點(diǎn)A的電位大致維持為VDDl-Vthlll。由此，晶體管124導(dǎo)通。此時(shí)，由于晶體管123截止，所以節(jié)點(diǎn)B與布線16處于導(dǎo)電狀態(tài)。于是，由于對(duì)節(jié)點(diǎn)B供應(yīng)布線16的電位(電壓VSS)，所以節(jié)點(diǎn)B的電位大致是VSS。由此，晶體管121截止。此時(shí)，由于晶體管122導(dǎo)通，所以布線12與布線16處于導(dǎo)電狀態(tài)。于是，對(duì)布線12供應(yīng)布線16的電位(電壓VSS)，布線12的電位(信號(hào)OUT)大致是VSS。通過上述步驟，信號(hào)OUT成為L(zhǎng)電平。
[0060]如上所述，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置可以使信號(hào)INl的振幅電壓增大來輸出。具體而言，使信號(hào)INl的振幅電壓升高來輸出。由此，可以使對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置輸出?目號(hào)INl的電路(移位寄存電路、解碼器電路等)的振幅電壓減小。由此，可以使該電路的功耗小?；蛘?，可以使對(duì)構(gòu)成該電路的晶體管施加的電壓減小。由此，可以抑制該晶體管的劣化或損壞。
[0061]或者，可以使信號(hào)OUT的反相的時(shí)序與信號(hào)皿的反相的時(shí)序大致一致。由此，不需要對(duì)布線12設(shè)置反相器電路等。由此，可以減少功耗、縮小電路的規(guī)?；蚩s小布局面積。
[0062]此外，在第一工作中，通過在信號(hào)INl是H電平時(shí)，使信號(hào)ΙΝ2成為L(zhǎng)電平，可以防止布線14和布線16之間的貫穿電流。由此，可以減少功耗。
[0063]注意，在此說明了第一工作至第四工作，但是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置不必需要進(jìn)行這些所有工作。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置可以從這些多個(gè)工作僅選擇需要的工作，而進(jìn)行該選擇的工作。
[0064]下面，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中說明與圖1不同的結(jié)構(gòu)。
[0065]首先，如圖5Α及5Β所示，在圖1所示的半導(dǎo)體裝置中，晶體管111的第一端子可以連接到與布線14不同的布線。圖5Α示出晶體管111的第一端子與布線15連接時(shí)的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子。由此，可以省略電壓VDD1?；蛘?，由于可以使晶體管111的源極和漏極之間的電位差(Vds)增大，所以可以使節(jié)點(diǎn)A的電位的上升時(shí)間短。圖5Β示出晶體管111的第一端子與布線13連接時(shí)的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子。由此，可以省略電壓VDD1?；蛘?，由于可以對(duì)晶體管111施加反偏壓，所以可以抑制晶體管111的劣化。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，晶體管111的第一端子可以與信號(hào)INl的反相信號(hào)被輸入的布線連接。
[0066]接著，如圖6Α和6Β所示，在圖1及圖5Α和5Β所示的半導(dǎo)體裝置中，晶體管111的柵極可以與布線13不同的布線連接。圖6Α示出晶體管111的柵極與布線15連接時(shí)的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子。由此，可以省略信號(hào)ΙΝ2。由此，可以減少功耗。圖6Β示出晶體管Ill的柵極與布線14連接時(shí)的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子。由此，可以省略信號(hào)IN2。由此，可以減少功耗。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，晶體管111的柵極可以與信號(hào)INl的反相信號(hào)被輸入的布線連接。
[0067]接著，如圖7A所示，在圖1、圖5A和5B以及圖6A和6B所示的半導(dǎo)體裝置中，晶體管111的第一端子可以連接到與布線14不同的布線，并且晶體管111的柵極可以連接到與布線13不同的布線。圖7A示出晶體管111的第一端子連接到布線13，并且晶體管111的柵極連接到布線14時(shí)的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子。由此，在第二工作中，可以使節(jié)點(diǎn)A的電位上升，在第四工作中，可以使節(jié)點(diǎn)A的電位減少。由此，在第二工作中晶體管122及晶體管124導(dǎo)通，在第四工作中晶體管122及晶體管124截止。像這樣，可以使晶體管122及晶體管124導(dǎo)通的時(shí)間變短。由此，可以抑制晶體管122及晶體管124的劣化。
[0068]接著，如圖7B及圖8A所示，在圖1、圖5A和5B、圖6A和6B以及圖7A所示的半導(dǎo)體裝置中，晶體管123的第一端子可以連接到與布線15不同的布線。圖7B示出晶體管123的第一端子連接到布線13B時(shí)的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子。對(duì)布線13B輸入信號(hào)IN2B。信號(hào)IN2B是信號(hào)IN2的反相信號(hào)。由此，由于可以對(duì)晶體管123施加反偏壓,所以可以抑制晶體管的劣化。圖8A示出晶體管123的第一端子連接到布線11時(shí)的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子。由此，在第二工作及第四工作中，可以使對(duì)晶體管123施加的源極和漏極之間的電位差(Vds)減小。由此，可以抑制晶體管123的劣化?；蛘?，可以使晶體管123的截止電流減小，并可以減少功耗。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，晶體管123的第一端子可以與布線14連接。
[0069]此外，如圖8B所示，在晶體管123的第一端子連接到布線11時(shí)，晶體管123的柵極可以連接到與布線11不同的布線。圖8B示出晶體管123的柵極連接到布線14時(shí)的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。晶體管123的柵極可以連接到布線15、被輸入信號(hào)IN2的反相信號(hào)的布線或被輸入與信號(hào)IN2不同的相位的信號(hào)的布線等。
[0070]接著，如圖9A所示，在圖1、圖5A和5B、圖6A和6B、圖7A和7B以及圖8A和8B所示的半導(dǎo)體裝置中，在晶體管121的柵極和第二端子之間可以設(shè)置電容元件125。由此，在第一工作及第二工作中，可以使節(jié)點(diǎn)B的電位進(jìn)一步上升。由此，由于可以使在晶體管121的柵極和源極之間的電位差(Vgs)增大，所以可以使信號(hào)OUT的上升時(shí)間變短。
[0071]接著，如圖9B所示，在圖1、圖5A和5B、圖6A和6B、圖7A和7B、圖8A和8B以及圖9A所示的半導(dǎo)體裝置中，可以在節(jié)點(diǎn)A和布線16之間設(shè)置電容元件126。由此，在第四工作中，由于可以抑制節(jié)點(diǎn)A的電位的變動(dòng)、節(jié)點(diǎn)A的雜波等，所以可以容易維持節(jié)點(diǎn)A的電位。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，電容元件126可以連接在節(jié)點(diǎn)A和與布線16不同的布線(例如，布線13、布線14或布線15等)之間。尤其是通過將電容元件126連接在節(jié)點(diǎn)A和布線13之間，可以使節(jié)點(diǎn)A的電位與信號(hào)IN2同步并變動(dòng)。由此，可以使晶體管122及晶體管124導(dǎo)通的時(shí)間變短。
[0072]接著，如圖1OA所示，在圖1、圖5A和5B、圖6A和6B、圖7A和7B、圖8A和8B以及圖9A和9B所示的半導(dǎo)體裝置中，各晶體管等可以連接到不同的布線。圖1OA示出晶體管112的第一端子、晶體管124的第二端子、晶體管122的第二端子連接到不同的布線時(shí)的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子。布線16分割為布線16A至布線16C的多個(gè)布線。晶體管112的第一端子、晶體管124的第二端子以及晶體管122的第二端子分別連接到布線16A、布線16B、布線16C。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，晶體管121的第一端子和晶體管123的第一端子也可以連接到不同的布線。在此情況下，布線15可以分割為兩個(gè)布線。
[0073]接著，如圖1OB所示，在圖1、圖5A和5B、圖6A和6B、圖7A和7B、圖8A和8B、圖9A和9B以及圖1OA所示的半導(dǎo)體裝置中，晶體管可以代替電阻元件、二極管、電容元件等。圖1OB示出將晶體管111代替二極管Illd時(shí)的半導(dǎo)體裝置。二極管Illd的一方的電極(例如陽極)連接到布線13，并且另一方的電極(例如陰極)連接到節(jié)點(diǎn)A。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，晶體管111可以代替電阻元件。該電阻元件可以連接在布線13至15的任一個(gè)和節(jié)點(diǎn)A之間。作為另一個(gè)例子，晶體管123可以代替二極管，該二極管的一方電極(例如陽極)連接到布線11，并且另一方的電極(例如陰極)連接到節(jié)點(diǎn)B。作為另一個(gè)例子，二極管可以使用二極管連接的晶體管。
[0074]接著，說明各電路的功能的一個(gè)例子及各晶體管的功能的一個(gè)例子。
[0075]首先，電路100具有使信號(hào)INl的振幅電壓增大的功能?；蛘?，電路100具有使信號(hào)INl的H電平的電位上升的功能?；蛘撸娐?00具有在信號(hào)INl反相時(shí)，使信號(hào)OUT反相的功能?；蛘?，電路100具有在信號(hào)皿成為H電平時(shí)，使信號(hào)OUT成為H電平的功能?；蛘撸娐?00具有在信號(hào)皿成為L(zhǎng)電平時(shí)，使信號(hào)OUT成為L(zhǎng)電平的功能。像這樣，電路100具有電平轉(zhuǎn)移電路的功能。
[0076]此外,通過使電壓VDD2小于電壓VDDI,可以使信號(hào)OUT的H電平的電位低于信號(hào)INl或信號(hào)IN2的H電平的電位。在此情況下，電路100具有使信號(hào)INl的振幅電壓變小的功能。
[0077]接著，電路110具有使信號(hào)皿反相的功能?；蛘?，電路110具有在信號(hào)皿成為H電平時(shí)，減少節(jié)點(diǎn)A的電位的功能?；蛘?，電路110具有在信號(hào)INl成為L(zhǎng)電平時(shí)，使節(jié)點(diǎn)A的電位上升的功能?；蛘?，電路110具有使節(jié)點(diǎn)A為浮動(dòng)狀態(tài)的功能。像這樣，電路110具有反相器電路的功能。
[0078]接著，電路120具有使信號(hào)INl的振幅電壓增大的功能?；蛘?，電路120具有使信號(hào)INl的H電平的電位上升的功能?；蛘?，電路120具有在信號(hào)INl反相時(shí)，使信號(hào)OUT反相的功能?；蛘撸娐?20具有在信號(hào)皿成為H電平時(shí)，使信號(hào)OUT成為H電平的功能?；蛘撸娐?20具有在信號(hào)皿成為L(zhǎng)電平時(shí)，使信號(hào)OUT成為L(zhǎng)電平的功能。像這樣，電路120具有電平轉(zhuǎn)移電路的功能。
[0079]接著，晶體管111具有控制布線14與節(jié)點(diǎn)A之間的導(dǎo)電狀態(tài)的功能?；蛘?，晶體管111具有控制將布線14的電位供應(yīng)到節(jié)點(diǎn)A的時(shí)序的功能?；蛘?，晶體管111具有控制使節(jié)點(diǎn)A的電位上升的功能?；蛘?，晶體管111具有控制使節(jié)點(diǎn)A為浮動(dòng)狀態(tài)的時(shí)序的功能。像這樣，晶體管111具有開關(guān)的功能。
[0080]接著，晶體管112具有控制布線16與節(jié)點(diǎn)A之間的導(dǎo)電狀態(tài)的功能?；蛘?，晶體管112具有控制將布線16的電位供應(yīng)到節(jié)點(diǎn)A的時(shí)序的功能?；蛘撸w管112具有控制減少節(jié)點(diǎn)A的電位的時(shí)序的功能。像這樣，晶體管112具有開關(guān)的功能。
[0081]接著，晶體管121具有控制布線15與布線12之間的導(dǎo)電狀態(tài)的功能?；蛘?，晶體管121具有控制將布線15的電位供應(yīng)到布線12的時(shí)序的功能?；蛘?，晶體管121具有控制使布線12的電位上升的時(shí)序的功能?；蛘撸w管121具有控制進(jìn)行自舉工作的時(shí)序的功能?；蛘?，晶體管121具有控制使節(jié)點(diǎn)B的電位上升的時(shí)序的功能。像這樣，晶體管121具有開關(guān)的功能。
[0082]接著，晶體管122具有控制布線16與布線12之間的導(dǎo)電狀態(tài)的功能。或者，晶體管122具有控制將布線16的電位供應(yīng)到布線12的時(shí)序的功能。或者，晶體管122具有控制使布線12的電位減少的時(shí)序的功能。像這樣，晶體管122具有開關(guān)的功能。
[0083]接著，晶體管123具有控制布線15與節(jié)點(diǎn)B之間的導(dǎo)電狀態(tài)的功能?；蛘?，晶體管123具有控制將布線14的電位供應(yīng)到節(jié)點(diǎn)B的時(shí)序的功能。或者，晶體管123具有控制上升節(jié)點(diǎn)B的電位的時(shí)序的功能?；蛘?，晶體管123具有控制使節(jié)點(diǎn)B為浮動(dòng)狀態(tài)的時(shí)序的功能。像這樣，晶體管123具有開關(guān)的功能。
[0084]接著，晶體管124具有控制布線16與節(jié)點(diǎn)B之間的導(dǎo)電狀態(tài)的功能?；蛘?，晶體管124具有控制將布線16的電位供應(yīng)到節(jié)點(diǎn)B的時(shí)序的功能。或者，晶體管124具有控制減少節(jié)點(diǎn)B的電位的時(shí)序的功能。像這樣，晶體管124具有開關(guān)的功能。
[0085]接著，說明各晶體管的溝道寬度的一個(gè)例子。
[0086]首先，晶體管121的溝道寬度優(yōu)選大于晶體管111、晶體管112及晶體管122至124的溝道寬度。換言之，優(yōu)選在電路100所具有的晶體管中晶體管121的寬度最大。這是因?yàn)榫w管121起使布線12驅(qū)動(dòng)的作用，需要較大的驅(qū)動(dòng)能力的緣故。另外，晶體管121的溝道寬度優(yōu)選為晶體管123的溝道寬度的2倍以上且10倍以下。更優(yōu)選為3倍以上且8倍以下。進(jìn)一步優(yōu)選為4倍以上且6倍以下。
[0087]接著，晶體管122的溝道寬度優(yōu)選大于晶體管111、晶體管112、晶體管123以及晶體管124的溝道寬度。這是因?yàn)榫w管122起使布線12驅(qū)動(dòng)的作用，需要較大的驅(qū)動(dòng)能力的緣故。另外，晶體管122的溝道寬度優(yōu)選為晶體管124的溝道寬度的2倍以上且30倍以下。更優(yōu)選為4倍以上且15倍以下。進(jìn)一步優(yōu)選為6倍以上且10倍以下。
[0088]另外，晶體管122的溝道寬度可以大于晶體管121的溝道寬度。
[0089]晶體管123的溝道寬度優(yōu)選大于晶體管124的溝道寬度。這是因?yàn)樵诘谝还ぷ骷暗谌ぷ髦?，即使因定時(shí)偏差引起晶體管123和晶體管124同時(shí)導(dǎo)通，也可以使節(jié)點(diǎn)B的電位上升的緣故。晶體管123的溝道寬度優(yōu)選為晶體管124的溝道寬度的1.5倍以上且10倍以下。更優(yōu)選為2倍以上且8倍以下。進(jìn)一步優(yōu)選為2.5倍以上且5倍以下。
[0090]另外，可以由晶體管的溝道寬度來控制晶體管的電流供應(yīng)能力。具體而言，晶體管的溝道寬度越大，晶體管的電流供應(yīng)能力越提高。但是，控制晶體管的電流供應(yīng)能力的因素不局限于晶體管的溝道寬度。例如，可以由晶體管的溝道長(zhǎng)度或晶體管的柵極和源極之間的電位差(Vgs)來控制電流供應(yīng)能力。具體而言，晶體管的溝道長(zhǎng)度越小，晶體管的電流供應(yīng)能力越提高。而且，晶體管的柵極和源極之間的電位差(Vgs)越大，晶體管的電流供應(yīng)能力越提高。另外，通過使用多柵極晶體管，可以降低電流供應(yīng)能力。
[0091]如上所述，存在有多個(gè)控制晶體管的電流供應(yīng)能力的方法。由此，以下，在作為控制晶體管的電流供應(yīng)能力的方法，例示出控制溝道寬度的方法時(shí)，可以將該“溝道寬度”的詞句替換為“溝道長(zhǎng)度”或“晶體管的柵極和源極之間的電位差(Vgs) ”等的詞句。
[0092]實(shí)施方式2
[0093]在本實(shí)施方式中說明半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子及該半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動(dòng)方法的一個(gè)例子。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具有實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置。
[0094]首先，說明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子。
[0095]圖11示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子。圖11所示的半導(dǎo)體裝置具有電路300、電路400及電路500。電路400具有電路401_1至401_m(m是自然數(shù))。作為電路401_1至401_m，分別可以使用實(shí)施方式I所述的半導(dǎo)體裝置。在圖11中，作為電路401_1至401_m，分別使用圖1所示的半導(dǎo)體裝置。電路500具有電路501及電路502。
[0096]電路300連接到布線21_1至21_m、布線23、布線24_1至24_4、布線25以及布線27。電路400連接到布線21_1至21_m、布線22_1至22_m、布線24_1至24_4、布線25、布線26以及布線27。電路401」(i是I至m中的任一個(gè))連接到布線21_1、布線22」、布線24_1至24_4中的任一個(gè)、布線25、布線26以及布線27。在電路401_i中，布線11、布線
12、布線13、布線14、布線15以及布線16分別連接到布線布線21_1、布線22_1、布線24_1至24_4中的任一個(gè)、布線25、布線26以及布線27。電路500連接到布線23、布線24_1至24_4、布線25、布線26以及布線27。電路501連接到布線23以及布線24_1至24_4，并且電路502連接到布線25、布線26以及布線27。
[0097]假設(shè)電路401_i連接到布線24_1。此時(shí)，在很多情況下，電路401_i+l、電路401_i+2、電路401_i+3分別連接到布線24_2、布線24_3、布線24_4?；蛘?，電路401_i_3、電路401_1-2、電路401_1-l分別連接到布線24_2、布線24_3、布線24_4。
[0098]另外，電路401_i優(yōu)選連接到如下布線，即在布線24_1至24_4中在信號(hào)SOUTi為H電平的期間其電位成為L(zhǎng)電平的布線。由此，可以省略晶體管111和晶體管112同時(shí)導(dǎo)通的期間。由此，可以實(shí)現(xiàn)減少功耗。
[0099]電路500具有控制對(duì)電路300及電路400供應(yīng)信號(hào)或電壓等的時(shí)序的功能。電路500具有控制電路300及電路400工作的時(shí)序的功能。換言之，電路500具有控制器的功倉泛。
[0100]電路501具有對(duì)布線23、布線24_1、布線24_2、布線24_3以及布線24_4分別輸出信號(hào)SP、信號(hào)CKl、信號(hào)CK2、信號(hào)CK3、信號(hào)CK4的時(shí)序的功能。換言之，電路501具有信號(hào)生成電路(或者也稱為時(shí)序發(fā)生器)的功能。由此，電路501可以具有開關(guān)、二極管、晶體管、振蕩電路、時(shí)鐘發(fā)生器、PLL電路及/或分頻電路等。
[0101]如圖12所示，在很多情況下，信號(hào)SP、信號(hào)CK1、信號(hào)CK2、信號(hào)CK3以及信號(hào)CK4是數(shù)字信號(hào)。這些信號(hào)的H電平的電位大致是VDD1，并且L電平的電位大致是VSS。信號(hào)SP具有起始脈沖(或者也稱為水平同步信號(hào)、垂直同步信號(hào))的功能。由此，布線23具有信號(hào)線(或者也稱為起始信號(hào)線)的功能。信號(hào)CKl至CK4分別具有時(shí)鐘信號(hào)的功能。信號(hào)CKl至CK4的每個(gè)相位錯(cuò)開1/4周期(90° )。由此，布線24_1至24_4具有時(shí)鐘信號(hào)線(或者也稱為信號(hào)線)的功能。
[0102]另外，如圖12所示，信號(hào)CKl至CK4是平衡信號(hào)。平衡信號(hào)是在一個(gè)周期中信號(hào)成為H電平的期間和信號(hào)成為L(zhǎng)電平的期間具有大致相同長(zhǎng)度的信號(hào)。但是，本發(fā)明的一個(gè)例子不局限于此。例如，如圖13A所示，信號(hào)CKl至CK4可以是不平衡信號(hào)。不平衡信號(hào)是指信號(hào)成為H電平的期間和信號(hào)成為L(zhǎng)電平的期間具有不同長(zhǎng)度的信號(hào)。另外，在此，不同是指大致相同的情況的范圍以外的范圍。
[0103]另外，如圖13B及13C所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置可以使用單相的時(shí)鐘信號(hào)。在此情況下，時(shí)鐘信號(hào)既可以是如圖13B所示那樣的平衡信號(hào)，也可以是如圖13C所示那樣的不平衡信號(hào)。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，作為本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置可以使用三相的時(shí)鐘信號(hào)或五相以上的時(shí)鐘信號(hào)。
[0104]電路502具有對(duì)布線25、布線26以及布線27分別輸出電壓VDD1、電壓VDD2、電壓VSS的功能。換言之，電路502具有電源電路(或也稱為調(diào)節(jié)器)的功能。由此，布線25具有電源線或正電源線的功能。布線27具有電源線、負(fù)電源線、接地線或地線等的功能。由此，電路502可以具有開關(guān)、晶體管、電容元件、線圈、二極管、調(diào)節(jié)器、DCDC轉(zhuǎn)換器及/或升壓電路等。
[0105]另外，電路500、電路501以及電路502根據(jù)電路300及電路400的結(jié)構(gòu)可以對(duì)電路300及電路400供應(yīng)各種信號(hào)或各種電壓。
[0106]電路300具有控制根據(jù)從電路500供應(yīng)的信號(hào)及電壓(例如，信號(hào)SP、信號(hào)CKl至CK4、電壓VDDl及電壓VSS)輸出信號(hào)SOUTl至SOUTm的時(shí)序的功能。在很多情況下，信號(hào)SOUTl至SOUTm是數(shù)字信號(hào)，其H電平的電位大致是VDD1，其L電平的電位大致是VSS。電路300具有按順序使信號(hào)SOUTl至SOUTm成為H電平的功能。換言之，電路300具有移位寄存電路的功能。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，電路300可以具有任意順序使信號(hào)SOUTl至SOUTm成為H電平的功能。由此，電路300可以具有解碼器電路的功倉泛。
[0107]另外，信號(hào)SOUTl至SOUTm分別通過布線21_1至21_m輸入到電路400。例如，信號(hào)SOUTi通過布線21」輸入到電路401_i。由此，布線21_1至21_m分別具有信號(hào)線的功倉泛。
[0108]另外，在圖12所示的時(shí)序圖中，信號(hào)SOUTi成為H電平的期間的一部分與信號(hào)SOUT1-1成為H電平的期間的一部分重疊。并且，信號(hào)SOUTi成為H電平的期間的一部分和信號(hào)SOUTi+Ι成為H電平的期間的一部分重疊。由此，可以增長(zhǎng)信號(hào)SOUTl至SOUTm成為H電平的期間。因此，可以使電路300的驅(qū)動(dòng)頻率降低，并可以減少功耗。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，如圖13A至13C所示，可以使信號(hào)SOUTl至SOUTm分別成為H電平的期間不重疊。
[0109]電路400具有控制根據(jù)從電路300供應(yīng)的信號(hào)(例如信號(hào)SOUTl至SOUTm)以及從電路500供應(yīng)的信號(hào)及電壓(例如信號(hào)CKl至CK4、電壓VDDl、電壓VDD2及電壓VSS)輸出信號(hào)BOUTl至BOUTm的時(shí)序的功能。在很多情況下，信號(hào)BOUTl至BOUTm是數(shù)字信號(hào)，其H電平大致是VDD2，其L電平的電位大致是VSS。信號(hào)BOUTl至BOUTm反相的時(shí)序與信號(hào)SOUTl至SOUTm反相的時(shí)序大致相同。換言之，電路400具有使信號(hào)SOUTl至SOUTm的振幅電壓增大的功能。
[0110]接著，說明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的工作的一個(gè)例子。
[0111]圖14是電路401_i的時(shí)序圖的一個(gè)例子。在圖14中示出信號(hào)SOUT1、信號(hào)CK、電路401」的節(jié)點(diǎn)A的電位、電路401」的節(jié)點(diǎn)B的電位以及信號(hào)BOUTi。信號(hào)CK是信號(hào)CKl至CK4中的任一個(gè)。信號(hào)CK是在CKl至CK4中當(dāng)信號(hào)SOUTi成為H電平時(shí)成為L(zhǎng)電平的信號(hào)。圖14所示的時(shí)序圖具有期間Ta、期間Tb及期間Tc。在圖14所示的時(shí)序圖中，除了期間Ta以外還按順序配置期間Tb和期間Tc。
[0112]另外，信號(hào)SOUTi對(duì)應(yīng)于圖2所示的信號(hào)IN1。信號(hào)CK對(duì)應(yīng)于圖2所示的信號(hào)IN2。信號(hào)BOUTi對(duì)應(yīng)于圖2所示的信號(hào)OUT。
[0113]首先，在期間Ta中，信號(hào)SOUTi成為H電平，信號(hào)CK成為L(zhǎng)電平。然后，電路400_i進(jìn)行第一工作。由此，信號(hào)BOUTi成為H電平。像這樣，可以使信號(hào)SOUTi的H電平的電位從VDDl上升到VDD2。
[0114]接著，在期間Tb中，信號(hào)SOUTi成為L(zhǎng)電平，信號(hào)CK成為H電平。然后，電路400_i進(jìn)行第二工作。由此，信號(hào)BOUTi成為L(zhǎng)電平。
[0115]接著，在期間Tc中，信號(hào)SOUTi維持L電平，信號(hào)CK成為L(zhǎng)電平。然后，電路400_i進(jìn)行第四工作。再者，由于在期間Tc之前的期間是期間Tb，所以電位Va維持VDDl-Vthlll。由此，信號(hào)BOUTi維持L電平。
[0116]如上所述，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置可以使電路300的輸出信號(hào)的振幅電壓增大來輸出。由此，可以使電路300的振幅電壓縮小。由此，可以減少電路300的功耗。
[0117]或者，在很多情況下，電路401_1至401_m分別進(jìn)行第一工作、第二工作、第四工作的任一個(gè)。由此，由于沒有晶體管111和晶體管112同時(shí)導(dǎo)通的期間，所以可以減少功耗。
[0118]接著，說明電路300的一個(gè)例子。
[0119]圖15示出電路300的一個(gè)例子。電路300具有電路310_1至310_m。電路310_i連接到布線21_1、21_1-l、布線21_i+2、布線24_1至24_4中的任何三個(gè)、布線25及布線27。但是，在很多情況下，電路310_1連接到布線23代替布線21」-1。
[0120]電路310_1至310_m分別具有晶體管311、晶體管312、晶體管313、晶體管314、晶體管315、晶體管316、晶體管317、晶體管318以及晶體管319。晶體管311的第一端子連接到布線33，晶體管311的第二端子連接到布線32。晶體管312的第一端子連接到布線37，晶體管312的第二端子連接到布線32，晶體管312的柵極連接到布線35。晶體管313的第一端子連接到布線37，晶體管313的第二端子連接到布線32。晶體管314的第一端子連接到布線37，晶體管314的第二端子連接到晶體管311的柵極，晶體管314的柵極連接到晶體管313的柵極。晶體管315的第一端子連接到布線36，晶體管315的第二端子連接到晶體管311的柵極，晶體管315的柵極連接到布線31。晶體管316的第一端子連接到布線36，晶體管316的第二端子連接到晶體管313的柵極，晶體管316的柵極連接到布線38。晶體管317的第一端子連接到布線36，晶體管317的柵極連接到布線35。晶體管318的第一端子連接到晶體管317的第二端子，晶體管318的第二端子連接到晶體管313的柵極，晶體管318的柵極連接到布線34。晶體管319的第一端子連接到布線37，晶體管319的第二端子連接到晶體管313的柵極，晶體管319的柵極連接到布線31。
[0121]另外，晶體管311的柵極、晶體管314的第二端子、晶體管315的第二端子的連接部分稱作節(jié)點(diǎn)C。晶體管313的柵極、晶體管314的柵極、晶體管316的第二端子、晶體管318的第二端子、晶體管319的第二端子的連接部分稱作節(jié)點(diǎn)D。
[0122]另外，晶體管311至319都是N溝道型晶體管。由此，本實(shí)施方式的所有半導(dǎo)體裝置可以由N溝道型晶體管構(gòu)成。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，晶體管311至319可以都是P溝道型晶體管。
[0123]另外，在電路310」中，布線31連接到布線21」_1。布線32連接到布線21」。布線33至35連接到選自布線24_1至24_4中的三個(gè)布線。例如，在布線33連接到布線24_1時(shí)，布線34連接到布線24_2，布線35連接到布線24_3。布線36連接到布線25。布線37連接到布線27。布線38連接到布線21」+2。但是，在電路310_1中，布線31連接到布線
23。
[0124]接著，說明電路300的工作的一個(gè)例子。
[0125]圖16示出可以用于電路310」的時(shí)序圖的一個(gè)例子。圖16所示的時(shí)序圖示出信號(hào)IN33、信號(hào)IN34、信號(hào)IN35、信號(hào)SOUT1-Ι、信號(hào)SOUTi+Ι、節(jié)點(diǎn)C的電位(電位Vc)、節(jié)點(diǎn)D的電位(電位Vd)及信號(hào)SOUTi。圖16所示的時(shí)序圖具有期間Tl至T9。按順序配置期間T5至T9，在這些以外的期間按順序反復(fù)配置期間Tl至T4。
[0126]首先，在期間Tl中，信號(hào)SOUTi成為L(zhǎng)電平，信號(hào)S0UTi+2成為L(zhǎng)電平，信號(hào)IN33成為L(zhǎng)電平，信號(hào)IN34成為H電平，信號(hào)IN35成為H電平。由此，晶體管316截止，晶體管317導(dǎo)通，晶體管318導(dǎo)通，晶體管319截止，所以節(jié)點(diǎn)D與布線36處于導(dǎo)電狀態(tài)。然后，對(duì)節(jié)點(diǎn)D供應(yīng)布線36的電位(例如電壓VDD)，節(jié)點(diǎn)D的電位上升。因此，晶體管314導(dǎo)通。此時(shí)，由于晶體管315截止，所以節(jié)點(diǎn)C與布線37處于導(dǎo)電狀態(tài)。然后，對(duì)節(jié)點(diǎn)C供應(yīng)布線37的電位(電壓VSS)，節(jié)點(diǎn)C的電位大致成為VSS。由此，晶體管311截止。此時(shí)，由于晶體管312及晶體管313導(dǎo)通，所以布線32與布線37處于導(dǎo)電狀態(tài)。然后，由于對(duì)布線32供應(yīng)布線37的電位(電壓VSS)，所以布線32的電位大致成為VSS。像這樣，信號(hào)SOUTi成為L(zhǎng)電平。
[0127]接著，期間T2與期間Tl的不同之處在于信號(hào)IN34成為L(zhǎng)電平。由此，由于晶體管318截止，所以布線36與節(jié)點(diǎn)D處于非導(dǎo)電狀態(tài)。然后，由于節(jié)點(diǎn)D成為浮動(dòng)狀態(tài)，所以節(jié)點(diǎn)D的電位維持期間Tl中的電位。
[0128]接著，期間T3與期間T2的不同之處在于信號(hào)IN33成為H電平，信號(hào)IN35成為L(zhǎng)電平。由此，晶體管317及晶體管312截止。
[0129]接著，期間T4與期間T3的不同之處在于信號(hào)IN34成為H電平。由此，晶體管318導(dǎo)通。
[0130]接著，在期間T5中，信號(hào)SOUTi成為H電平，信號(hào)S0UTi+2成為L(zhǎng)電平，信號(hào)IN33成為L(zhǎng)電平，信號(hào)IN34成為L(zhǎng)電平，信號(hào)IN35成為H電平。由此，由于晶體管316截止，晶體管317導(dǎo)通，晶體管318截止，晶體管319導(dǎo)通，所以布線37與節(jié)點(diǎn)D處于導(dǎo)電狀態(tài)。然后，由于對(duì)節(jié)點(diǎn)D供應(yīng)布線37的電位(電壓VSS)，所以節(jié)點(diǎn)D的電位大致成為VSS。由此，晶體管314截止。此時(shí)，由于晶體管315導(dǎo)通，所以節(jié)點(diǎn)C與布線36處于導(dǎo)電狀態(tài)。然后，由于對(duì)節(jié)點(diǎn)C供應(yīng)布線36的電位，所以節(jié)點(diǎn)C的電位開始上升。然后，節(jié)點(diǎn)C的電位成為布線32的電位(VSS)與晶體管311的閾值電壓(Vth311)之和(VSS+Vth311)。然后，晶體管311導(dǎo)通。此時(shí)，由于晶體管312導(dǎo)通，晶體管313截止，所以布線32與布線37及布線33處于導(dǎo)電狀態(tài)。然后，由于對(duì)布線32供應(yīng)布線37的電位(電壓VSS)和布線33的電位(L電平的信號(hào)IN33)，所以布線37的電位大致成為VSS。像這樣，信號(hào)SOUTi成為L(zhǎng)電平。然后，節(jié)點(diǎn)C的電位繼續(xù)上升。然后，節(jié)點(diǎn)C的電位成為VDDl-Vth315(Vth315是晶體管315的閾值電壓)。然后，晶體管315截止，節(jié)點(diǎn)C成為浮動(dòng)狀態(tài)。由此，節(jié)點(diǎn)C的電位維持為VDD1-Vth3150
[0131]接著，在期間T6中，信號(hào)SOUT1-1維持為H電平，信號(hào)S0UTi+2維持為L(zhǎng)電平，信號(hào)IN33成為H電平，信號(hào)IN34維持為L(zhǎng)電平，信號(hào)IN35成為L(zhǎng)電平。由此，由于晶體管316維持為截止，晶體管317截止，晶體管318維持為截止，晶體管319維持為導(dǎo)通，所以節(jié)點(diǎn)D與布線37維持為導(dǎo)電狀態(tài)。于是，由于對(duì)節(jié)點(diǎn)D繼續(xù)供應(yīng)布線37的電位(電壓VSS)，所以節(jié)點(diǎn)D的電位大致維持為VSS。由此，晶體管314維持為截止。此時(shí)，晶體管315維持為截止。然后，由于節(jié)點(diǎn)C成為浮動(dòng)狀態(tài)，所以節(jié)點(diǎn)C的電位維持為VDD1-Vth315。由此，晶體管311維持為導(dǎo)通。并且，由于晶體管312及晶體管313截止，所以布線32與布線33處于導(dǎo)電狀態(tài)。此時(shí)，由于信號(hào)IN33成為H電平，所以布線32的電位開始上升。同時(shí)節(jié)點(diǎn)C的電位由自舉工作上升。其結(jié)果是節(jié)點(diǎn)C的電位上升到VDDl+Vth311(Vth311是晶體管311的閾值電壓)+Vl。由此，布線32的電位大致上升到VDDl。像這樣，信號(hào)SOUTi成為H電平。
[0132]接著，期間T7與期間T6的不同之處在于信號(hào)SOUT1-1成為L(zhǎng)電平，信號(hào)IN34成為H電平。由此，晶體管318導(dǎo)通，晶體管319截止。然后，由于節(jié)點(diǎn)D成為浮動(dòng)狀態(tài)，所以節(jié)點(diǎn)D的電位大致維持為VSS。
[0133]接著，在期間T8中，由于信號(hào)SOUT1-1維持為L(zhǎng)電平，信號(hào)SOUTi+2成為H電平，信號(hào)IN33成為L(zhǎng)電平，信號(hào)IN34維持為H電平，信號(hào)IN35成為H電平，所以晶體管316導(dǎo)通，晶體管317導(dǎo)通，晶體管318導(dǎo)通，晶體管319維持為截止，因此節(jié)點(diǎn)D與布線36處于導(dǎo)電狀態(tài)。然后，由于對(duì)節(jié)點(diǎn)D供應(yīng)布線36的電位(電壓VDD1)，所以節(jié)點(diǎn)D的電位上升。由此，晶體管314導(dǎo)通。此時(shí)，由于晶體管315維持為截止，所以節(jié)點(diǎn)C與布線37處于導(dǎo)電狀態(tài)。然后，由于對(duì)節(jié)點(diǎn)C供應(yīng)布線37的電位(電壓VSS)，所以節(jié)點(diǎn)C的電位大致成為VSS。由此，晶體管311截止。此時(shí)，由于晶體管312及晶體管313成為導(dǎo)通，所以布線32與布線33及布線37處于導(dǎo)電狀態(tài)。然后，由于對(duì)布線32供應(yīng)布線37的電位(電壓VSS)，所以布線32的電位大致成為VSS。像這樣，信號(hào)SOUTi成為L(zhǎng)電平。
[0134]接著，期間T9與期間T8的不同之處在于信號(hào)IN34成為L(zhǎng)電平。由此，晶體管318截止。
[0135]以上說明了電路300的一個(gè)例子。
[0136]另外，可以晶體管317的柵極連接到布線34，晶體管318的柵極連接到布線35。
[0137]另外，可以省略晶體管319。
[0138]另外，可以省略晶體管312。
[0139]實(shí)施方式3
[0140]在本實(shí)施方式中，說明顯示裝置的一個(gè)例子及顯示裝置所具有的像素的一個(gè)例子。尤其說明液晶顯示裝置及液晶顯示裝置所具有的像素的一個(gè)例子。另外，本實(shí)施方式的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路可以具有實(shí)施方式I和實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置。
[0141]首先，說明本實(shí)施方式的顯示裝置的一個(gè)例子。
[0142]圖17A示出本實(shí)施方式的顯示裝置的一個(gè)例子。圖17A所示的顯示裝置包括:電路1001 ;電路1002 ;電路1003_1 ;像素部1004 ;端子1005。在像素部1004中配置有從電路1003_1延伸的多個(gè)布線。該多個(gè)布線具有柵極信號(hào)線(或者也稱為掃描線)的功能。或者，在像素部1004中配置有從電路1002延伸的多個(gè)布線，該多個(gè)布線具有視頻信號(hào)線(或者也稱為數(shù)據(jù)線)的功能。對(duì)應(yīng)于從電路1003_1延伸配置的多個(gè)布線與從電路1002延伸配置的多個(gè)布線而配置多個(gè)像素。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，在像素部1004中可以配置其他各種布線。該布線可以具有柵極信號(hào)線、數(shù)據(jù)線、電源線或電容線等的功能。
[0143]在圖17A所示的顯示裝置中，電路1003_1形成在與像素部1004相同的襯底1006上，并且電路1001及電路1002形成在與像素部1004不同的襯底上。在很多情況下，電路1003_1的驅(qū)動(dòng)頻率低于電路1001或電路1002。由此，作為晶體管的半導(dǎo)體層，容易使用非晶半導(dǎo)體、非晶體半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。其結(jié)果是可以擴(kuò)大顯示裝置的尺寸。或者，可以低廉地制造顯示裝置。
[0144]電路1001具有控制對(duì)電路1002及電路1003_1供應(yīng)信號(hào)、電壓或電流等的時(shí)序的功能。或者，電路1001具有控制電路1002及電路1003_1的功能。像這樣，電路1001具有控制器、控制電路、時(shí)序發(fā)生器、電源電路或調(diào)節(jié)器等的功能。
[0145]電路1002具有控制將視頻信號(hào)供應(yīng)到像素部1004的時(shí)序的功能。或者，電路1002具有控制像素部1004所具有的像素的亮度或透過率等的功能。像這樣，電路1002具有驅(qū)動(dòng)電路、源極驅(qū)動(dòng)電路或信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路等的功能。
[0146]電路1003_1具有控制將柵極信號(hào)供應(yīng)到像素部1004的時(shí)序的功能?；蛘?，電路1003_1具有控制選擇像素的時(shí)序的功能。像這樣，電路1003_1具有柵極驅(qū)動(dòng)器(或者也稱為掃描線驅(qū)動(dòng)電路)的功能。
[0147]另外，如圖17B所示，本實(shí)施方式的顯示裝置可以具有電路1003_2。電路1003_2具有與電路1003_1同樣的功能。由電路1003_1和電路1003_2驅(qū)動(dòng)相同的布線，可以減少電路1003_1及電路1003_2的負(fù)載。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，可以用電路1003_1驅(qū)動(dòng)奇數(shù)級(jí)的柵極信號(hào)線，而用電路1003_2驅(qū)動(dòng)偶數(shù)級(jí)的柵極信號(hào)線。由此，可以減小電路1003_1及電路1003_2的驅(qū)動(dòng)頻率。作為另一個(gè)例子，本實(shí)施方式的顯示裝置可以包括三個(gè)以上的具有與電路1003_1同樣的功能的電路。
[0148]另外，在圖17B所示的顯示裝置中，電路1003_1及電路1003_2形成在與像素部1004相同的襯底1006上，并且電路1001及電路1002形成在與像素部1004不同的襯底上。在很多情況下，電路1003_1及電路1003_2的驅(qū)動(dòng)頻率低于電路1001或電路1002。由此，作為晶體管的半導(dǎo)體層，容易使用非晶半導(dǎo)體、非晶體半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。其結(jié)果是可以擴(kuò)大顯示裝置的尺寸?；蛘?，可以低廉地制造顯示裝置。
[0149]另外，如圖17C所示，可以電路1002、電路1003_1及電路1003_2形成在與像素部1004相同的襯底1006上，并且電路1001形成在與像素部1004不同的襯底上。由此，由于可以減少外圍電路，所以可以提聞可罪性、減少制造成本或提聞成品率。
[0150]另外，如圖17D所示，可以將電路1002的一部分的電路1002a、電路1003_1及電路1003_2形成在與像素部1004相同的襯底1006上，并且將電路1001的另一部分的電路1002b形成在與像素部1004不同的襯底上。作為電路1002a，可以使用開關(guān)、移位寄存器及/或選擇器等的驅(qū)動(dòng)頻率較低的電路。由此，作為晶體管的半導(dǎo)體層，容易使用非晶半導(dǎo)體、非晶體半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。其結(jié)果是可以擴(kuò)大顯示裝置的尺寸?；蛘?，可以低廉地制造顯示裝置。
[0151]另外，作為電路1003_1、電路1003_2、電路1002及/或電路1002a的一部分可以使用實(shí)施方式I和2的半導(dǎo)體裝置。由此，由于可以減小驅(qū)動(dòng)電壓，所以可以減少功耗。
[0152]接著，說明像素部1004所具有的像素的一個(gè)例子。
[0153]圖17E示出像素的一個(gè)例子。像素3020包括:晶體管3021 ;液晶元件3022 ;以及電容元件3023。晶體管3021的第一端子連接到布線3031，晶體管3021的第二端子連接到液晶元件3022的一方的電極及電容元件3023的一方的電極，晶體管3021的柵極連接到布線3032。液晶元件3022的另一方的電極連接到電極3034，電容元件3023的另一方的電極連接到布線3033。
[0154]來自圖17A至17D所示的電路1002的視頻信號(hào)輸入到布線3031。因此，布線3031具有視頻信號(hào)線(或者也稱為源極信號(hào)線)的功能。來自圖17A至17D所示的電路1003j及/或電路1003_2的柵極信號(hào)輸入到布線3032。因此，布線3032具有柵極信號(hào)線的功能。來自圖17A至17D所示的電路1001的恒定電壓供應(yīng)到布線3033及電極3034。因此，布線3033具有電源線或電容線的功能。或者，電極3034具有共同電極或?qū)χ秒姌O。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，對(duì)布線3031可以供應(yīng)預(yù)充電電壓。在很多情況下，預(yù)充電電壓與對(duì)電極3034供應(yīng)的電壓大致相同。作為另一個(gè)例子，對(duì)布線3033可以輸入信號(hào)。像這樣，由于可以控制對(duì)液晶元件3022施加的電壓，所以可以減小視頻信號(hào)的振幅，并實(shí)現(xiàn)反相驅(qū)動(dòng)。作為另一個(gè)例子，可以對(duì)電極3034輸入信號(hào)。像這樣，可以實(shí)現(xiàn)幀反相驅(qū)動(dòng)。
[0155]晶體管3021具有控制布線3031與液晶元件3022的一方的電極的導(dǎo)電狀態(tài)的功能?；蛘?，具有控制對(duì)像素寫入視頻信號(hào)的時(shí)序的功能。像這樣，晶體管3021具有開關(guān)的功能。電容元件3023具有保持液晶元件3022的一方的電極的電位與布線3033的電位之間的電位差的功能。或者，電容元件3023具有對(duì)液晶元件3022施加的電壓保持為恒定的功能。像這樣，電容元件3023具有存儲(chǔ)電容器的功能。
[0156]實(shí)施方式4
[0157]在本實(shí)施方式中說明半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子及該半導(dǎo)體裝置的工作的一個(gè)例子。尤其說明信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)例子及該信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的工作的一個(gè)例子。
[0158]首先，說明本實(shí)施方式的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)例子。
[0159]圖18A示出本實(shí)施方式的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)例子。圖18A所示的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路包括電路2001及電路2002。電路2002包括多個(gè)電路，即電路2002_1至2002_N(N是自然數(shù))。電路2002_1至2002_N分別具有多個(gè)晶體管，即晶體管2003_1至2003_k(k是自然數(shù))。以電路2002_1為例子對(duì)本實(shí)施方式的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的連接關(guān)系進(jìn)行說明。晶體管2003_1至2003_k的第一端子分別連接到布線2004_1至2004_k。晶體管2003_1至2003_k的第二端子分別連接到布線SI至Sk。晶體管2003_1至2003_k的柵極連接到布線2005_1。
[0160]另外，晶體管2003_1至2003_k是N溝道型晶體管。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，晶體管2003_1至2003_k也可以都是P溝道型晶體管。
[0161]電路2001具有控制對(duì)布線2005_1至2005_N按順序輸出H電平的信號(hào)的時(shí)序的功能。或者，具有按順序選擇電路2002_1至2002_N的功能。像這樣，電路2001具有移位寄存器的功能。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，電路2001可以對(duì)布線2005_1至2005_N以各種順序輸出H電平的信號(hào)?；蛘撸梢砸愿鞣N順序選擇電路2002_1至2002_N。像這樣，電路2001可以具有解碼器的功能。
[0162]電路2002_1具有控制布線2004_1至2004_k和布線SI至Sk導(dǎo)通的時(shí)序的功能?；蛘?，電路2002_1具有將布線2004_1至2004_k的電位供應(yīng)到布線SI至Sk的時(shí)序的功能。像這樣，電路2002_1可以具有選擇器的功能。
[0163]另外，電路2002_2至2002_N可以具有與電路2002_1同樣的功能。
[0164]接著，晶體管2003_1至2003_N分別具有控制布線2004_1至2004_k和布線SI至Sk導(dǎo)通的時(shí)序的功能?；蛘撸w管2003_1至2003_N分別具有對(duì)布線SI至Sk供應(yīng)布線2004_1至2004_k的電位的功能。例如，晶體管2003_1具有控制布線2004_1和布線SI導(dǎo)通的時(shí)序的功能。或者，晶體管2003_1具有對(duì)布線SI供應(yīng)布線2004_1的電位的時(shí)序的功能。像這樣，晶體管2003_1至2003_N可以分別具有開關(guān)的功能。
[0165]另外，在很多情況下，對(duì)布線2004_1至2004_k分別輸入不同的信號(hào)。尤其是該信號(hào)主要是根據(jù)圖像信息(或也稱為圖像信號(hào))的模擬信號(hào)。像這樣，該信號(hào)可以具有視頻信號(hào)的功能。因此，布線2004_1至2004_k可以具有信號(hào)線的功能。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，根據(jù)像素結(jié)構(gòu)，可以是數(shù)字信號(hào)、模擬電壓或模擬電流。
[0166]接著，說明圖18A所示的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的工作的一個(gè)例子。
[0167]圖18B示出可以用于本實(shí)施方式的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)序圖的一個(gè)例子。在圖18B所示的時(shí)序圖中，信號(hào)2015_1至2015_N及信號(hào)2014_1至2014_k的一個(gè)例子。信號(hào)2015_1至2015_N分別是電路2001的輸出信號(hào)的一個(gè)例子，信號(hào)2014_1至2014_k分別是輸入到布線2004_1至2004_k的信號(hào)的一個(gè)例子。注意，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)工作期間對(duì)應(yīng)于顯示裝置中的一個(gè)柵極選擇期間。一個(gè)柵極選擇期間被分割為期間TO及期間Tl至期間TN。期間TO是用來同時(shí)對(duì)屬于被選擇的行的像素施加預(yù)充電用電壓的期間，即期間TO可以具有預(yù)充電期間的功能。期間Tl至TN分別是用來對(duì)屬于被選擇的行的像素寫入視頻信號(hào)的期間，即期間Tl至TN可以具有寫入期間的功能。
[0168]首先，在期間TO中，電路2001對(duì)布線2005_1至2005_^共應(yīng)!1電平的信號(hào)。然后，例如在電路2002_1中晶體管2003_1至2003_k導(dǎo)通，所以布線2004_1至2004_k與布線SI至Sk處于導(dǎo)電狀態(tài)。此時(shí)，對(duì)布線2004_1至2004_1^供應(yīng)預(yù)充電電壓Vp。因此，預(yù)充電電壓Vp通過晶體管2003_1至2003_k*別輸出到布線SI至Sk。如此，預(yù)充電電壓Vp寫入到屬于被選擇的行的像素來對(duì)屬于被選擇的行的像素進(jìn)行預(yù)充電。
[0169]在期間Tl至期間TN中，電路2001對(duì)布線2005_1至2005_N按順序輸出H電平的信號(hào)。例如，在期間Tl中，電路2001將H電平的信號(hào)輸出到布線2005_1。然后，晶體管2003_1至2003_k導(dǎo)通，所以布線2004_1至2004_k與布線SI至Sk處于導(dǎo)電狀態(tài)。此時(shí)，對(duì)布線 2004_1至 2004_1^輸入03丨3(51)至 Data(Sk)。Data(Sl)至 Data(Sk)分別通過晶體管2003_1至2003_k寫入到屬于被選擇的行的像素中的第一列至第k列像素。通過上述步驟，在期間Tl至TN中，對(duì)屬于被選擇的行的像素的每k列按順序?qū)懭胍曨l信號(hào)。
[0170]如上所述，通過對(duì)每多個(gè)列的像素寫入視頻信號(hào)，可以減少視頻信號(hào)的數(shù)量或布線的數(shù)量。因此，可以減少與外圍電路的連接數(shù)，所以可以實(shí)現(xiàn)成品率的提高、可靠性的提高、部件個(gè)數(shù)的縮減及/或成本的減少?；蛘?，通過對(duì)每多個(gè)列的像素寫入視頻信號(hào)，可以延長(zhǎng)寫入時(shí)間。因此，可以防止視頻信號(hào)的寫入不足，從而可以實(shí)現(xiàn)顯示質(zhì)量的提高。
[0171]另外，通過使k增大，可以減少與外圍電路的連接數(shù)。但是，若是k過大，對(duì)像素的寫入時(shí)間變短。因此，優(yōu)選k<6。更優(yōu)選的是3。進(jìn)一步優(yōu)選的是k = 2。但是,本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。
[0172]尤其是，當(dāng)像素的顏色單元為η (η是自然數(shù))個(gè)時(shí)，優(yōu)選k = n或k = nXd(d是自然數(shù))。例如，當(dāng)像素的顏色單元分割為三個(gè)，即紅⑵、綠(G)、藍(lán)⑶時(shí)，優(yōu)選的是，k =3或k = 3Xd。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，當(dāng)像素分割為m(m是自然數(shù))個(gè)子像素(也稱為亞像素或副像素)時(shí)，優(yōu)選k = m或k = mXd。例如，當(dāng)像素分割為兩個(gè)子像素時(shí)，優(yōu)選k = 2?；蛘撸?dāng)像素的顏色單元為η個(gè)時(shí),優(yōu)選k = mXn或k =mXnXdo但是,本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。
[0173]另外，既可以本實(shí)施方式的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路都形成在與像素部相同的襯底上，又可以本實(shí)施方式的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路都形成在與像素部不同的襯底(例如硅襯底或SOI襯底)上?；蛘撸梢员緦?shí)施方式的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的一部分(例如電路2002)形成在與像素部相同的襯底上，并且本實(shí)施方式的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的其他部分(例如電路2001)形成在與像素部不同的襯底上。
[0174]圖18C示出在與像素部2007相同的襯底上形成電路2001和電路2002的情況的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。由此可以減少形成像素部的襯底與外圍電路的連接數(shù)，所以可以實(shí)現(xiàn)成品率的提高、可靠性的提高、部件個(gè)數(shù)的縮減或成本的降低等。尤其是，通過掃描線驅(qū)動(dòng)電路2006A及掃描線驅(qū)動(dòng)電路2006B也形成在與像素部2007相同的襯底上，可以進(jìn)一步減少與外圍電路的連接數(shù)。
[0175]圖18D示出在與像素部2007相同的襯底上形成電路2002，并且在與像素部2007不同的襯底上形成電路2001的情況的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。由于在此情況下也可以減少形成像素部的襯底與外圍電路的連接數(shù)，因此可以實(shí)現(xiàn)成品率的提高、可靠性的提高、部件個(gè)數(shù)的縮減或成本的減少等?；蛘?，由于形成在與像素部2007相同的襯底的電路減少，因此可以縮小邊框。
[0176]另外，作為電路2001，可以使用實(shí)施方式1、實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置。由此，可以減少驅(qū)動(dòng)電壓，所以可以減少功耗?；蛘撸芯w管的極性可以是N溝道型，所以可以減少制造工序。由此可以實(shí)現(xiàn)成品率的提聞、制造成本的縮減或可罪性的提聞。
[0177]實(shí)施方式5
[0178]在本實(shí)施方式中，說明半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。尤其說明晶體管的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。
[0179]首先，說明本實(shí)施方式的晶體管的結(jié)構(gòu)。
[0180]圖19A示出頂柵型晶體管的一個(gè)例子以及在該頂柵型晶體管上形成的顯示元件的一個(gè)例子。圖19A所示的晶體管包括:襯底5260;絕緣層5261 ;包括區(qū)域5262a、區(qū)域5262b、區(qū)域5262c、區(qū)域5262d以及區(qū)域5262e的半導(dǎo)體層5262 ;絕緣層5263 ;導(dǎo)電層5264 ;具有開口部的絕緣層5265 ;以及導(dǎo)電層5266。絕緣層5261形成在襯底5260上。半導(dǎo)體層5262形成在絕緣層5261上。絕緣層5263覆蓋半導(dǎo)體層5262地形成。導(dǎo)電層5264形成在半導(dǎo)體層5262及絕緣層5263上。絕緣層5265形成在絕緣層5263及導(dǎo)電層5264上。導(dǎo)電層5266形成在絕緣層5265上及絕緣層5265的開口部中。像這樣，形成頂柵型晶體管。
[0181]圖19B示出底柵型晶體管的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子以及在該頂柵型晶體管上形成的顯示元件的一個(gè)例子。圖19B所示的晶體管包括:襯底5300 ;導(dǎo)電層5301 ;絕緣層5302 ;半導(dǎo)體層5303a ;半導(dǎo)體層5303b ;導(dǎo)電層5304 ;具有開口部的絕緣層5305 ;以及導(dǎo)電層5306。導(dǎo)電層5301形成在襯底5300上。絕緣層5302覆蓋導(dǎo)電層5301地形成。半導(dǎo)體層5303a形成在導(dǎo)電層5301及絕緣層5302上。半導(dǎo)體層5303b形成在半導(dǎo)體層5303a上。導(dǎo)電層5304形成在半導(dǎo)體層5303b及絕緣層5302上。絕緣層5305形成在絕緣層5302及導(dǎo)電層5304上。導(dǎo)電層5306形成在絕緣層5305上及絕緣層5305的開口部中。像這樣，形成底柵型晶體管。
[0182]圖19C示出形成在半導(dǎo)體襯底上的晶體管的一個(gè)例子。圖19C所示的晶體管包括:包括區(qū)域5353及區(qū)域5355的半導(dǎo)體襯底5352 ;絕緣層5356 ;絕緣層5354 ;導(dǎo)電層5357 ；具有開口部的絕緣層5358 ;以及導(dǎo)電層5359。絕緣層5356形成在半導(dǎo)體襯底5352上。絕緣層5354形成在半導(dǎo)體襯底5352上。導(dǎo)電層5357形成在絕緣層5356上。絕緣層5358形成在絕緣層5354、絕緣層5356以及導(dǎo)電層5357上。導(dǎo)電層5359形成在絕緣層5358上及絕緣層5358的開口部中。像這樣，在區(qū)域5350和區(qū)域5351中分別制造晶體管。
[0183]在圖19A至19C所示的晶體管中，如圖19A所示，可以在晶體管上形成:具有開口部的絕緣層5267 ;導(dǎo)電層5268 ;具有開口部的絕緣層5269 ;發(fā)光層5270 ;以及導(dǎo)電層5271。絕緣層5267形成在導(dǎo)電層5266及絕緣層5265上。導(dǎo)電層5268形成在絕緣層5267上及絕緣層5267的開口部中。絕緣層5269形成在絕緣層5267及導(dǎo)電層5268上。發(fā)光層5270形成在絕緣層5269上及絕緣層5269的開口部中。導(dǎo)電層5271形成在絕緣層5269及發(fā)光層5270上。
[0184]另外，在圖19A至19C所示的晶體管中，如圖19B所示，可以在晶體管上形成液晶層5307、導(dǎo)電層5308。液晶層5307配置在絕緣層5305及導(dǎo)電層5306上。導(dǎo)電層5308形成在液晶層5307上。
[0185]另外，除了圖19A至19C所示的層以外，還可以形成各種結(jié)構(gòu)。例如，在絕緣層5305及導(dǎo)電層5306上可以形成用作取向膜的絕緣層及/或用作突起部的絕緣層等。作為另一個(gè)例子，在導(dǎo)電層5308上可以形成用作突起部的絕緣層、濾色片及/或黑矩陣等。作為另一個(gè)例子，在導(dǎo)電層5308下可以形成用作取向膜的絕緣層。
[0186]另外，區(qū)域5262c及區(qū)域5262e是添加雜質(zhì)的區(qū)域，并用作源區(qū)或漏區(qū)。區(qū)域5262b及區(qū)域5262d是添加有其濃度比區(qū)域5262c或區(qū)域5262e低的雜質(zhì)的區(qū)域，并用作LDD (Lightly Doped Drain:輕摻雜漏)區(qū)域。區(qū)域5262a是沒有添加雜質(zhì)的區(qū)域，并用作溝道區(qū)域。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。例如，可以對(duì)區(qū)域5262a添加雜質(zhì)。像這樣，可以實(shí)現(xiàn)晶體管特性的提高、閾值電壓的控制等。但是，優(yōu)選添加到區(qū)域5262a的雜質(zhì)的濃度優(yōu)選比添加到區(qū)域5262b、區(qū)域5262c、區(qū)域5262d或區(qū)域5262e的雜質(zhì)的濃度低。作為另一個(gè)例子，可以省略區(qū)域5262c或區(qū)域5262e?；蛘?，也可以僅在N溝道型晶體管中設(shè)置區(qū)域5262c或區(qū)域5262e。
[0187]另外，半導(dǎo)體層5303b是添加有磷等作為雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體層，并具有η型導(dǎo)電型。但是，當(dāng)作為半導(dǎo)體層5303a使用氧化物半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體時(shí)，可以省略半導(dǎo)體層5303b。
[0188]另外，作為半導(dǎo)體襯底(例如半導(dǎo)體襯底5352)的一個(gè)例子,可以使用具有η型或P型的導(dǎo)電型的單晶Si襯底。區(qū)域5353是對(duì)半導(dǎo)體襯底5352添加有雜質(zhì)的區(qū)域，并用作阱。例如，在半導(dǎo)體襯底5352具有P型導(dǎo)電型的情況下，區(qū)域5353具有η型導(dǎo)電型。另一方面，例如在半導(dǎo)體襯底5352具有η型導(dǎo)電型的情況下，區(qū)域5353具有ρ型導(dǎo)電型。區(qū)域5355是對(duì)半導(dǎo)體襯底5352添加有雜質(zhì)的區(qū)域，并用作源區(qū)或漏區(qū)。另外，可以在半導(dǎo)體襯底5352中形成LDD區(qū)域。
[0189]接著，說明各層所具有的功能的一個(gè)例子。
[0190]將絕緣層5261用作基底膜。將絕緣層5354用作元件間分離層(elementisolat1n layer)(例如，場(chǎng)氧化膜)。將絕緣層5263、絕緣層5302、絕緣層5356用作柵極絕緣膜。將導(dǎo)電層5264、導(dǎo)電層5301、導(dǎo)電層5357用作柵電極。將絕緣層5265、絕緣層5267、絕緣層5305及絕緣層5358可以用作層間膜或者平坦化膜。將導(dǎo)電層5266、導(dǎo)電層5304以及導(dǎo)電層5359可以用作布線、晶體管的電極或電容元件的電極等。將導(dǎo)電層5268以及導(dǎo)電層5306用作像素電極或反射電極等。將絕緣層5269可以用作分隔壁。將導(dǎo)電層5271及導(dǎo)電層5308用作對(duì)置電極或者共同電極等。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。
[0191]接著，說明各層的材料、結(jié)構(gòu)或特征等。
[0192]首先，作為襯底(例如襯底5260或襯底5300)的一個(gè)例子，可以使用半導(dǎo)體襯底(例如，單晶襯底或硅襯底)、soi襯底、玻璃襯底、石英襯底、塑料襯底、金屬襯底、不銹鋼襯底、具有不銹鋼箔的襯底、鎢襯底、具有鎢箔的襯底、柔性襯底、貼合薄膜、包含纖維狀的材料的紙或者基材薄膜等。作為玻璃襯底的一個(gè)例子，有鋇硼硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃等。作為柔性襯底的一個(gè)例子，有以聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)為代表的塑料或丙烯酸樹脂等的具有柔性的合成樹脂等。作為貼合薄膜的一個(gè)例子，有聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟化乙烯、氯乙烯等。作為基材薄膜的一個(gè)例子，有聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、無機(jī)蒸鍍薄膜、紙類等。尤其是，通過使用半導(dǎo)體襯底、單晶襯底或SOI襯底等制造晶體管，可以制造特性、尺寸或形狀等的不均勻性小、電流能力高且尺寸小的晶體管。當(dāng)利用上述晶體管構(gòu)成電路時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)電路的低功耗化或電路的高集成化。
[0193]另外，也可以在某個(gè)襯底上形成晶體管，然后將該晶體管轉(zhuǎn)置到另一襯底上。作為該另一襯底的一個(gè)例子,不僅可以使用上述襯底,還可以使用紙襯底、玻璃紙襯底、石材襯底、木材襯底、布襯底(包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)或再生纖維(醋酯纖維、銅氨纖維、人造纖維、再生聚酯)等)、皮革襯底或橡皮襯底等。通過使用上述襯底，可以實(shí)現(xiàn)特性良好的晶體管的形成、功耗低的晶體管的形成、高耐久性的裝置的制造、耐熱性的提高、輕量化或薄型化。
[0194]另外，可以在同一襯底(例如，玻璃襯底、塑料襯底、單晶襯底或SOI襯底等)上形成為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定的功能所需要的所有電路。像這樣，可以通過減少部件個(gè)數(shù)來降低成本或者可以通過減少與電路部件之間的連接數(shù)來提高可靠性。
[0195]另外，也可以將為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定的功能所需要的電路中不都形成在同一襯底上。換言之，也可以將為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定的功能所需要的電路的一部分形成在某個(gè)襯底上，并且將為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定的功能所需要的電路的另一部分形成在另一襯底上。例如，也可以將為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定的功能所需要的電路的一部分形成在玻璃襯底上，并且將為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定的功能所需要的電路的另一部分形成在單晶襯底(或SOI襯底)上。并且，也可以通過COG (ChipOn Glass:玻璃上芯片)將形成有為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定的功能所需要的電路的另一部分的單晶襯底(也稱為IC芯片)連接到玻璃襯底，從而在玻璃襯底上配置該IC芯片?；蛘撸部梢允褂?TAB (Tape Automated Bonding:卷帶自動(dòng)接合)、COF (Chip On Film:薄膜上芯片)、SMT (Surface Mount Technology:表面粘著技術(shù))或印刷電路板使該IC芯片和玻璃襯底連接。
[0196]接著，作為絕緣層(例如絕緣層5261、絕緣層5263、絕緣層5265、絕緣層5267、絕緣層5269、絕緣層5305、絕緣層5356及絕緣層5358)的一個(gè)例子，有包含氧或氮的膜(例如氧化硅(S1x)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(S1xNy) (x > y > O)膜、氮氧化硅(SiNxOy)(x > Y > O)等)、包含碳的膜(例如DLC (類金剛石碳)等)、有機(jī)材料(例如硅氧烷樹脂、環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯基苯酚、苯并環(huán)丁烯、丙烯酸樹脂等)等的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)等。但是，本實(shí)施方式的一個(gè)例子不局限于此。
[0197]另外，在絕緣層為兩層結(jié)構(gòu)的情況下，作為第一層的絕緣層設(shè)置氮化硅膜，并且作為第二層的絕緣層設(shè)置氧化硅膜即可。在絕緣層為三層結(jié)構(gòu)的情況下，作為第一層的絕緣層設(shè)置氧化硅膜，作為第二層的絕緣層設(shè)置氮化硅膜，并且作為第三層的絕緣層設(shè)置氧化硅膜即可。
[0198]接著，作為半導(dǎo)體層(例如半導(dǎo)體層5262、半導(dǎo)體層5303a以及半導(dǎo)體層5303b等)的一個(gè)例子，有非單晶半導(dǎo)體(例如，非晶硅、多晶硅、微晶硅等)、單晶半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體或者氧化物半導(dǎo)體(例如，ZnO, InGaZnO、SiGe、GaAs、IZO (氧化銦鋅)、ITO (氧化銦錫)、Sn0、Ti0、AlZnSnO (AZTO))、有機(jī)半導(dǎo)體或碳納米管等。
[0199]另外，當(dāng)制造多晶硅或微晶硅時(shí)，可以通過使用催化劑(鎳等)進(jìn)一步提高結(jié)晶性，從而制造電特性良好的晶體管。由此，可以在襯底上一體形成柵極驅(qū)動(dòng)電路(掃描線驅(qū)動(dòng)電路)、源極驅(qū)動(dòng)電路(信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路)、該源極驅(qū)動(dòng)電路的一部分(例如視頻信號(hào)分割用的開關(guān)等)以及信號(hào)處理電路(信號(hào)生成電路、Y校正電路、DA轉(zhuǎn)換電路等)。尤其是在使用催化劑(鎳等)制造微晶硅的情況下，僅通過進(jìn)行熱處理而不進(jìn)行激光照射，就可以提高結(jié)晶性。由此，可以抑制硅的結(jié)晶性的不均勻，所以可以顯示圖像質(zhì)量得到了提高的圖像。但是，也可以不使用催化劑(鎳等)而制造多晶硅或微晶硅。
[0200]另外，雖然優(yōu)選在整個(gè)面板上使硅的結(jié)晶性提高到多晶或微晶等，但不局限于此。也可以僅在面板的一部分區(qū)域中提高硅的結(jié)晶性。通過選擇性地照射激光等，可以選擇性地提高結(jié)晶性。例如，也可以僅對(duì)作為像素以外的區(qū)域的外圍電路區(qū)域，即柵極驅(qū)動(dòng)電路及源極驅(qū)動(dòng)電路等的區(qū)域或源極驅(qū)動(dòng)電路的一部分(例如，模擬開關(guān))的區(qū)域等需要使其電路高速工作的區(qū)域照射激光。另一方面，在像素區(qū)域中，由于使其高速工作的必要性低，所以即使不提高結(jié)晶性，也可以使像素電路工作而不發(fā)生問題。像這樣，由于提高結(jié)晶性的區(qū)域較少即可，所以也可以縮短制造工序。由此可以提高成品率并降低制造成本?；蛘撸捎谒枰闹圃煅b置的數(shù)量較少就能夠進(jìn)行制造，所以可以降低制造成本。
[0201]接著，作為導(dǎo)電層(例如導(dǎo)電層5264、導(dǎo)電層5266、導(dǎo)電層5268、導(dǎo)電層5271、導(dǎo)電層5301、導(dǎo)電層5304、導(dǎo)電層5306、導(dǎo)電層5308、導(dǎo)電層5357以及導(dǎo)電層5359等)的一個(gè)例子，有單體膜或者該單體膜的層疊結(jié)構(gòu)等。作為該單體膜的材料的一個(gè)例子，有選自由鋁(Al)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)、鎢(W)、釹(Nd)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、錳(Mn)、鈷(Co)、鈮(Nb)、硅(Si)、鐵(Fe)、鈀(Pd)、碳(C)、鈧(Sc)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、鋯(Zr)、鈰(Ce)構(gòu)成的組中的一種元素或包含選自上述組中的一種或多種元素的化合物等。另外，作為該單體膜的一個(gè)例子，可以舉出納米管材料(例如碳納米管、有機(jī)納米管、無機(jī)納米管或金屬納米管等)、含有高分子膜的膜或?qū)щ娝芰?例如聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)等)等。另外，該單體膜可以包含磷(P)、硼(B)、砷(As)及/或氧(O)等。
[0202]作為該化合物的一個(gè)例子，有包含選自上述多種元素中的一種元素或多種元素的化合物(例如合金)；選自上述多種元素中的一種元素或多種元素與氮的化合物(例如氮化膜)；或者選自上述多種元素中的一種元素或多種元素與硅的化合物(例如硅化物膜)等。作為合金的一個(gè)例子，有氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、包含氧化硅的氧化銦錫(ITSO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO)、氧化錫鎘(CTO)、鋁釹(Al-Nd)、鋁鎢(Al-W)、鋁鋯(Al-Zr)、鋁鈦(Al-Ti)、鋁鈰(Al-Ce)、鎂銀(Mg-Ag)、鑰鈮(Mo-Nb)、鑰鎢(Mo-W)、鑰鉭(Mo-Ta)等。作為氮化膜的一個(gè)例子,有氮化鈦、氮化鉭、氮化鑰等。作為硅化物膜的一個(gè)例子，有硅化鎢、硅化鈦、硅化鎳、鋁硅、鑰硅等。
[0203]接著，作為發(fā)光層(例如發(fā)光層5270)的一個(gè)例子，有有機(jī)EL元件或者無機(jī)EL元件等。作為有機(jī)EL元件的一個(gè)例子，有由空穴注入材料構(gòu)成的空穴注入層、由空穴傳輸材料構(gòu)成的空穴傳輸層、由發(fā)光材料構(gòu)成的發(fā)光層、由電子傳輸材料構(gòu)成的電子傳輸層、由電子注入材料構(gòu)成的電子注入層等；混合上述材料中的多種材料而成的層的單層結(jié)構(gòu)；這些層的疊層結(jié)構(gòu)等。
[0204]接著，作為液晶層5307的一個(gè)例子，有利用液晶的光學(xué)調(diào)制作用控制光透過或非透過的元件。該元件可以由一對(duì)電極和液晶層構(gòu)成。另外，液晶的光學(xué)調(diào)制作用由施加到液晶的電場(chǎng)(包括橫向電場(chǎng)、縱向電場(chǎng)或傾斜方向電場(chǎng))來控制。另外，具體而言，作為液晶兀件的一個(gè)例子，可以舉出向列液晶、膽留相(cholesteric)液晶、近晶相液晶、盤狀液晶、熱致液晶、溶致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC)、鐵電液晶、反鐵電液晶、主鏈型液晶、側(cè)鏈型高分子液晶、等離子體尋址液晶(PALC)、香蕉型液晶等。另夕卜，作為液晶的驅(qū)動(dòng)方式，有TN(Twisted Nematic:扭轉(zhuǎn)向列)模式、STN(Super TwistedNematic:超扭轉(zhuǎn)向列)模式、IPS (In-Plane-Switching:平面內(nèi)切換)模式、FFS (FringeField Switching:邊緣場(chǎng)切換)模式、MVA(Mult1-domain Vertical Alignment:多象限垂直配向)模式、PVA(Patterned Vertical Alignment:垂直取向構(gòu)型)模式、ASV(AdvancedSuper View:流動(dòng)超視覺)模式、ASM (Axially Symmetric aligned Micro-cell:軸對(duì)稱排列微胞)模式、OCB(Optically Compensated Birefringence:光學(xué)補(bǔ)償彎曲)模式、ECB (Electrically Controlled Birefringence:電控雙折射)模式、FLC (FerroelectricLiquid Crystal:鐵電性液晶)模式、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal:反鐵電性液晶)模式、F1DLC(Pc)Iymer Dispersed Liquid Crystal:聚合物分散液晶)模式、PNLC (Polymer Network Liquid Crystal:聚合物網(wǎng)絡(luò)液晶)、賓主模式、藍(lán)相(Blue Phase)模式等。
[0205]另外，構(gòu)成上述晶體管的各層可以使用噴墨法或印刷法形成。像這樣，可以在室溫下進(jìn)行制造，以低真空度制造或在大型襯底上進(jìn)行制造。由此，即使不使用掩模(中間掩模(reticule))也可以進(jìn)行制造，所以可以容易改變晶體管的布局?；蛘撸?yàn)榭梢圆皇褂每刮g劑地進(jìn)行制造，所以可以減少材料費(fèi)，并減少工序數(shù)?；蛘撸?yàn)榭梢灾辉谛枰牟糠稚闲纬赡?，所以與在整個(gè)面上形成膜之后進(jìn)行蝕刻的制造方法相比不浪費(fèi)材料從而可以實(shí)現(xiàn)低成本。
[0206]以上說明了晶體管的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。但是，晶體管的結(jié)構(gòu)不局限于上述結(jié)構(gòu)，也可以使用其他各種結(jié)構(gòu)。
[0207]例如，作為晶體管可以使用MOS型晶體管、結(jié)型晶體管、雙極晶體管等。尤其是作為晶體管使用MOS型晶體管，可以減少晶體管尺寸。尤其是作為晶體管使用雙極晶體管，可以流過大電流。因此，可以使電路高速工作。
[0208]作為另一個(gè)例子，晶體管可以應(yīng)用在溝道的上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)。通過采用在溝道的上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)，成為多個(gè)晶體管如以串聯(lián)的方式連接的電路結(jié)構(gòu)。由此，可以增加溝道區(qū)，所以可以增加電流值?；蛘?，通過采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)，容易產(chǎn)生耗盡層，因此可以改善S值。
[0209]作為另一個(gè)例子，晶體管也可以具有如下結(jié)構(gòu):將柵電極配置在溝道區(qū)之上的結(jié)構(gòu)；將柵電極配置在溝道區(qū)之下的結(jié)構(gòu)；正交錯(cuò)結(jié)構(gòu)；反交錯(cuò)結(jié)構(gòu)；將溝道區(qū)分割成多個(gè)區(qū)域的結(jié)構(gòu)；并聯(lián)連接溝道區(qū)的結(jié)構(gòu)；串聯(lián)連接溝道區(qū)的結(jié)構(gòu)。
[0210]作為另一個(gè)例子，晶體管可以采用溝道區(qū)(或其一部分)與源電極或漏電極重疊的結(jié)構(gòu)。通過采用溝道區(qū)(或其一部分)與源電極或漏電極重疊的結(jié)構(gòu)，可以防止因電荷聚集在溝道區(qū)的一部分而造成的工作不穩(wěn)定。
[0211]本實(shí)施方式的晶體管可以用于實(shí)施方式I至實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置或顯示裝置。
[0212]實(shí)施方式6
[0213]在本實(shí)施方式中，說明顯示裝置的截面結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。
[0214]圖20A是顯示裝置的俯視圖的一個(gè)例子。在襯底5391上形成有驅(qū)動(dòng)電路5392和像素部5393。作為驅(qū)動(dòng)電路5392的一個(gè)例子，有掃描線驅(qū)動(dòng)電路或信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路等。
[0215]圖20B示出沿著圖20A所示的顯示裝置的沿A-B線截?cái)嗟慕孛娴囊粋€(gè)例子。顯示裝置包括:襯底5400 ;導(dǎo)電層5401 ;絕緣層5402 ;半導(dǎo)體層5403a ;導(dǎo)電層5403b ;導(dǎo)電層5404 ;絕緣層5405 ;導(dǎo)電層5406 ;絕緣層5408 ;液晶層5407 ;導(dǎo)電層5409 ;襯底5410。導(dǎo)電層5401形成在襯底5400上。絕緣層5402覆蓋導(dǎo)電層5401地形成。半導(dǎo)體層5403a形成在導(dǎo)電層5401及絕緣層5402上。半導(dǎo)體層5403b形成在半導(dǎo)體層5403a上。導(dǎo)電層5404形成在半導(dǎo)體層5403b上及絕緣層5402上。絕緣層5405形成在絕緣層5402上及導(dǎo)電層5404上并包括開口部。導(dǎo)電層5406形成在絕緣層5405上及絕緣層5405的開口部中。液晶層5407形成在絕緣層5405上。絕緣層5408形成在絕緣層5405上及導(dǎo)電層5406上。導(dǎo)電層5409形成在液晶層5407上及絕緣層5405上。
[0216]將導(dǎo)電層5401用作柵電極。將絕緣層5402用作柵極絕緣膜。將導(dǎo)電層5404用作布線、晶體管的電極或電容元件的電極等。將絕緣層5405用作層間膜或平坦化膜。將導(dǎo)電層5406用作布線、像素電極或反射電極。將絕緣層5408用作密封材料。將導(dǎo)電層5409用作對(duì)置電極或共同電極。
[0217]在此，有時(shí)在驅(qū)動(dòng)電路5392和導(dǎo)電層5409之間產(chǎn)生寄生電容。其結(jié)果是，在驅(qū)動(dòng)電路5392的輸出信號(hào)或各節(jié)點(diǎn)的電位產(chǎn)生畸變或延遲等。由此，功耗增大。但是，如圖20B所示，通過在驅(qū)動(dòng)電路5392上形成可用作密封材料的絕緣層5408，可以減少產(chǎn)生在驅(qū)動(dòng)電路5392和導(dǎo)電層5409之間的寄生電容。這是因?yàn)樵诤芏嗲闆r下密封材料的介電常數(shù)比液晶層的介電常數(shù)低。因此，可以減少驅(qū)動(dòng)電路5392的輸出信號(hào)或各節(jié)點(diǎn)的電位的畸變或延遲。從而，可以減少功耗。
[0218]另外，如圖20C所示，可以在驅(qū)動(dòng)電路5392的一部分上形成可以用作密封材料的絕緣層5408。由于在此情況下也可以減少產(chǎn)生在驅(qū)動(dòng)電路5392和導(dǎo)電層5409之間的寄生電容，因此可以減少驅(qū)動(dòng)電路5392的輸出信號(hào)或各節(jié)點(diǎn)的電位的畸變或延遲。
[0219]另外，顯示元件不局限于液晶元件而可以使用EL元件或電泳元件等的各種顯示元件。
[0220]另外，本實(shí)施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于實(shí)施方式I至5的半導(dǎo)體裝置或顯示裝置。例如，當(dāng)作為晶體管的半導(dǎo)體層，使用非單晶半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體等時(shí)，在很多情況下晶體管的溝道寬度增大。但是，若是能夠如本實(shí)施方式那樣地減少驅(qū)動(dòng)電路的寄生電容，則可以縮小晶體管的溝道寬度。因此，可以實(shí)現(xiàn)縮小布局面積，從而可以使顯示裝置的邊框變窄?；蛘撸梢詫?shí)現(xiàn)顯示裝置的高精細(xì)化。
[0221]實(shí)施方式7
[0222]在本實(shí)施方式中說明半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子及半導(dǎo)體裝置的制造工序的一個(gè)例子。尤其說明晶體管的制造工序的一個(gè)例子和電容元件的制造工序的一個(gè)例子。尤其說明作為半導(dǎo)體層使用氧化物半導(dǎo)體的制造工序。
[0223]圖21A至21C示出晶體管及電容元件的制造工序的一個(gè)例子。晶體管5441是反交錯(cuò)型薄膜晶體管，在氧化物半導(dǎo)體層上隔著源電極或漏電極設(shè)置有布線。
[0224]首先，在襯底5420的整個(gè)面上通過濺射法形成第一導(dǎo)電層。接著，使用通過使用第一光掩模的光刻工序形成的抗蝕劑掩模選擇性地對(duì)第一導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻，從而形成導(dǎo)電層5421及導(dǎo)電層5422。導(dǎo)電層5421可以用作柵電極,導(dǎo)電層5422可以用作電容兀件的一個(gè)電極。但是不局限于此，導(dǎo)電層5421及導(dǎo)電層5422可以具有用作布線、柵電極或電容元件的電極的部分。然后，去除抗蝕劑掩模。
[0225]接著，在整個(gè)面上通過等離子體CVD法或?yàn)R射法形成絕緣層5423。絕緣層5423可以用作柵極絕緣層，且覆蓋導(dǎo)電層5421及導(dǎo)電層5422地形成。另外，在很多情況下，絕緣層5423的膜厚度為50nm至250nm。
[0226]接著，使用通過使用第二光掩模的光刻工序形成的抗蝕劑掩模對(duì)絕緣層5423選擇性地進(jìn)行蝕刻來形成到達(dá)導(dǎo)電層5421的接觸孔5424。然后，去除抗蝕劑掩模。但是不局限于此，也可以省略接觸孔5424。或者，可以在形成氧化物半導(dǎo)體層之后形成接觸孔5424。到此為止的階段的截面圖相當(dāng)于圖21A。
[0227]接著，在整個(gè)面上通過濺射法形成氧化物半導(dǎo)體層。但是，不局限于此，也可以通過濺射法形成氧化物半導(dǎo)體層，且在其上形成緩沖層(例如，n+層)。另外，在很多情況下，氧化物半導(dǎo)體層的膜厚度為5nm至200nm。
[0228]接著，使用第三光掩模對(duì)氧化物半導(dǎo)體層選擇性地進(jìn)行蝕刻。然后，去除抗蝕劑掩模。
[0229]接著，在整個(gè)面上通過濺射法形成第二導(dǎo)電層。然后，使用通過使用第四光掩模的光刻工序形成的抗蝕劑掩模對(duì)第二導(dǎo)電層選擇性地進(jìn)行蝕刻來形成導(dǎo)電層5429、導(dǎo)電層5430及導(dǎo)電層5431。導(dǎo)電層5429通過接觸孔5424與導(dǎo)電層5421連接。導(dǎo)電層5429及導(dǎo)電層5430可以用作源電極或漏電極，并且導(dǎo)電層5431可以用作電容元件的另一個(gè)電極。但是，不局限于此，導(dǎo)電層5429、導(dǎo)電層5430及導(dǎo)電層5431也可以包括用作布線、源電極或漏電極或電容元件的電極的部分。到此為止的階段的截面圖相當(dāng)于圖21B。
[0230]接著，在大氣氣氛下或氮?dú)夥障乱?0(TC至60(TC進(jìn)行加熱處理。通過該熱處理，進(jìn)行In-Ga-Zn-O類非單晶層的原子級(jí)的重新排列。像這樣，通過熱處理(還包括光退火)消除阻礙載流子移動(dòng)的畸變。另外，進(jìn)行該加熱處理的時(shí)序不局限于此，只要在形成氧化物半導(dǎo)體之后，就可以以各種時(shí)序進(jìn)行該加熱處理。
[0231]接著，在整個(gè)面上形成絕緣層5432。絕緣層5432可以采用單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)作為絕緣層5432使用有機(jī)絕緣層時(shí)，涂敷有機(jī)絕緣層的材料的組成物，在大氣氣氛下或氮?dú)夥障乱?00°C至600°C的加熱處理形成有機(jī)絕緣層。像這樣，通過形成與氧化物半導(dǎo)體層接觸的有機(jī)絕緣層，可以制造電特性可靠性高的薄膜晶體管。另外，當(dāng)使用用作絕緣層5432的有機(jī)絕緣層時(shí)，可以在有機(jī)絕緣層之下設(shè)置氮化硅膜或氧化硅膜。
[0232]接著，在整個(gè)面上形成第三導(dǎo)電層。然后，使用通過使用第五光掩模的光刻工序形成的抗蝕劑掩模對(duì)第三導(dǎo)電層選擇性地進(jìn)行蝕刻來形成導(dǎo)電層5433及導(dǎo)電層5434。到此為止的階段的截面圖相當(dāng)于圖21C。導(dǎo)電層5433及導(dǎo)電層5434可以用作布線、像素電極、反射電極、透光電極或電容元件的電極。尤其是，由于導(dǎo)電層5434與導(dǎo)電層5422連接，因此可以用作電容元件5442的電極。但是，不局限于此，導(dǎo)電層5434還可以具有連接第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的功能。例如，通過連接導(dǎo)電層5433和導(dǎo)電層5434，可以使導(dǎo)電層5422和導(dǎo)電層5430通過第三導(dǎo)電層(導(dǎo)電層5433及導(dǎo)電層5434)連接。
[0233]通過上述工序，可以制造晶體管5441和電容元件5442。本實(shí)施方式的晶體管可以用于實(shí)施方式I至實(shí)施方式8的半導(dǎo)體裝置或顯示裝置。
[0234]另外，如圖21D所示，可以在氧化物半導(dǎo)體層5425上形成絕緣層5435。
[0235]此外，如圖21E所示，可以在對(duì)第二導(dǎo)電層進(jìn)行圖案形成之后形成氧化物半導(dǎo)體層 5425。
[0236]注意，作為本實(shí)施方式的襯底、絕緣層、導(dǎo)電層及半導(dǎo)體層，可以使用其他實(shí)施方式所描述的材料或本說明書所描述的材料。
[0237]實(shí)施方式8
[0238]在本實(shí)施方式中說明電子設(shè)備的例子。
[0239]圖22A至22H以及圖23A至23D是示出電子設(shè)備的圖。這些電子設(shè)備可以包括框體5000、顯示部5001、揚(yáng)聲器5003、LED燈5004、操作鍵5005 (包括電源開關(guān)或操作開關(guān))、連接端子5006、傳感器5007(它包括測(cè)定如下因素的功能:力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)速、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時(shí)間、硬度、電場(chǎng)、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、傾斜度、振動(dòng)、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)5008等。
[0240]圖22A示出移動(dòng)計(jì)算機(jī)，該移動(dòng)計(jì)算機(jī)除了上述以外還可以包括開關(guān)5009、紅外端口 5010等。圖22B示出具備記錄媒體的便攜式圖像再現(xiàn)裝置(例如DVD再現(xiàn)裝置)，該便攜式圖像再現(xiàn)裝置除了上述以外還可以包括第二顯示部5002、記錄媒體讀取部5011等。圖22C示出護(hù)目鏡型顯示器，該護(hù)目鏡型顯示器除了上述以外還可以包括第二顯示部5002、支撐部5012、耳機(jī)5013等。圖22D示出便攜式游戲機(jī)，該便攜式游戲機(jī)除了上述以外還可以包括記錄媒體讀取部5011等。圖22E示出具有電視接收功能的數(shù)碼相機(jī)，該數(shù)碼相機(jī)除了上述以外還可以包括天線5014、快門按鈕5015、圖像接收部5016等。圖22F示出便攜式游戲機(jī)，該便攜式游戲機(jī)除了上述以外還可以包括第二顯示部5002、記錄媒體讀取部5011等。圖22G示出電視接收機(jī)，該電視接收機(jī)除了上述以外還可以包括調(diào)諧器、圖像處理部等。圖22H示出便攜式電視接收機(jī)，該便攜式電視接收機(jī)除了上述以外還可以包括能夠收發(fā)信號(hào)的充電器5017等。圖23A示出顯示器，該顯示器除了上述以外還可以包括支撐臺(tái)5018等。圖23B示出照相機(jī)，該照相機(jī)除了上述以外還可以包括外部連接端口 5019、快門按鈕5015、圖像接收部5016等。圖23C示出計(jì)算機(jī)，該計(jì)算機(jī)除了上述以外還可以包括定位裝置5020、外部連接端口 5019、讀寫器5021等。圖23D示出移動(dòng)電話機(jī)，該移動(dòng)電話機(jī)除了上述以外還可以包括發(fā)送部、接收部、用于移動(dòng)電話/移動(dòng)終端的單波段播放(one-segment broadcasting)部分接收服務(wù)用調(diào)諧器等。
[0241]圖22A至22H、圖23A至23D所示的電子設(shè)備可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能:將各種信息(靜態(tài)圖像、動(dòng)態(tài)圖像、文字圖像等)顯示在顯示部上；觸控面板；顯示日歷、日期或時(shí)刻等；通過利用各種軟件(程序)控制處理；進(jìn)行無線通信；通過利用無線通信功能來連接到各種計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)；通過利用無線通信功能，進(jìn)行各種數(shù)據(jù)的發(fā)送或接收；讀出儲(chǔ)存在記錄媒體中的程序或數(shù)據(jù)來將其顯示在顯示部上等。再者，在具有多個(gè)顯示部的電子設(shè)備中，可以具有如下功能:一個(gè)顯示部主要顯示圖像信息，而另一個(gè)顯示部主要顯示文字信息；或者，在多個(gè)顯示部上顯示考慮到視差的圖像來顯示立體圖像等。再者，在具有圖像接收部的電子設(shè)備中，可以具有如下功能:拍攝靜態(tài)圖像；拍攝動(dòng)態(tài)圖像；對(duì)所拍攝的圖像進(jìn)行自動(dòng)或手動(dòng)校正；將所拍攝的圖像儲(chǔ)存在記錄媒體(外部或內(nèi)置于影像拍攝裝置)中；將所拍攝的圖像顯示在顯示部上等。注意，圖22A至22H、圖23A至23D所示的電子設(shè)備可具有的功能不局限于上述功能，而可以具有各種各樣的功能。
[0242]本實(shí)施方式所述的電子設(shè)備的特征在于，具有用來顯示某些信息的顯示部。通過作為該顯示部使用實(shí)施方式I至實(shí)施方式9所述的半導(dǎo)體裝置或顯示裝置，可以實(shí)現(xiàn)制造成本的降低、可罪性的提聞或成品率的提聞等。
[0243]下面，說明半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用例子。
[0244]圖23E示出將半導(dǎo)體裝置和建筑物設(shè)置為一體的例子。圖23E包括框體5022、顯示部5023、作為操作部的遙控裝置5024、揚(yáng)聲器5025等。半導(dǎo)體裝置以壁掛式的方式結(jié)合到建筑物內(nèi)并且可以不需要較大的空間而設(shè)置。
[0245]圖23F不出在建筑物內(nèi)將半導(dǎo)體裝置和建筑物設(shè)置為一體的另一個(gè)例子。顯不面板5026和浴室5027設(shè)置為一體，并且洗澡的人可以觀看顯示面板5026。
[0246]注意，在本實(shí)施方式中，舉出墻、浴室作為建筑物的例子。但是，本實(shí)施方式不局限于此，也可以將半導(dǎo)體裝置安裝到各種建筑物。
[0247]下面,示出將半導(dǎo)體裝置和移動(dòng)體設(shè)置為一體的例子。
[0248]圖23G是示出將半導(dǎo)體裝置設(shè)置到汽車中的例子的圖。顯示面板5028被安裝到汽車的車體5029，并且可以根據(jù)需要而顯示車體的工作或從車體內(nèi)部或外部輸入的信息。另外，也可以具有導(dǎo)航功能。
[0249]圖23H是示出將半導(dǎo)體裝置和旅客用飛機(jī)設(shè)置為一體的例子的圖。圖23H是示出在將顯示面板5031設(shè)置在旅客用飛機(jī)的座位上方的天花板5030的情況下的使用形狀的圖。顯示面板5031通過鉸鏈部5032被結(jié)合到天花板5030，并且利用鉸鏈部5032的伸縮乘客可以觀看顯示面板5031。顯示面板5031具有通過乘客的操作來顯示信息的功能。
[0250]注意，在本實(shí)施方式中，舉出汽車、飛機(jī)作為移動(dòng)體，但是不限于此，還可以設(shè)置在各種移動(dòng)體諸如摩托車、自動(dòng)四輪車(包括汽車、公共汽車等)、電車(包括單軌、鐵路等)以及船舶等。
[0251]本說明書根據(jù)2009年9月16日在日本專利局受理的日本專利申請(qǐng)編號(hào)2009-214848而制作，所述申請(qǐng)內(nèi)容包括在本說明書中。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 第一晶體管； 第二晶體管； 第三晶體管； 第四晶體管； 第五晶體管；以及 第六晶體管， 其中，所述第一晶體管的第一端子電連接于第一布線，所述第一晶體管的第二端子電連接于第二布線， 所述第二晶體管的第一端子電連接于第三布線，所述第二晶體管的第二端子電連接于所述第二布線， 所述第三晶體管的第一端子電連接于所述第一布線或第九布線，所述第三晶體管的第二端子電連接于所述第一晶體管的柵極，所述第三晶體管的柵極電連接于第四布線， 所述第四晶體管的第一端子電連接于第七布線，所述第四晶體管的第二端子電連接于所述第一晶體管的所述柵極，所述第四晶體管的柵極電連接于所述第二晶體管的柵極，所述第五晶體管的第一端子電連接于第五布線，所述第五晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極，所述第五晶體管的柵極電連接于第六布線， 并且，所述第六晶體管的第一端子電連接于第八布線，所述第六晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極，所述第六晶體管的柵極電連接于所述第四布線。
2.—種半導(dǎo)體裝置，包括: 第一晶體管； 第二晶體管； 第三晶體管； 第四晶體管； 第五晶體管；以及 第六晶體管， 其中，所述第一晶體管的第一端子電連接于第一布線，所述第一晶體管的第二端子電連接于第二布線， 所述第二晶體管的第一端子電連接于第三布線，所述第二晶體管的第二端子電連接于所述第二布線， 所述第三晶體管的第一端子電連接于所述第三晶體管的柵極，所述第三晶體管的第二端子電連接于所述第一晶體管的柵極，所述第三晶體管的所述柵極電連接于第四布線，所述第四晶體管的第一端子電連接于所述第三布線，所述第四晶體管的第二端子電連接于所述第一晶體管的所述柵極，所述第四晶體管的柵極電連接于所述第二晶體管的柵極， 所述第五晶體管的第一端子電連接于第五布線，所述第五晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極，所述第五晶體管的柵極電連接于所述第五晶體管的所述第二端子， 并且，所述第六晶體管的第一端子電連接于所述第三布線，所述第六晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極，所述第六晶體管的柵極電連接于所述第四布線。
3.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 第一晶體管； 第二晶體管； 第三晶體管； 第四晶體管； 第五晶體管；以及 第六晶體管， 其中，所述第一晶體管的第一端子電連接于第一布線，所述第一晶體管的第二端子電連接于第二布線， 所述第二晶體管的第一端子電連接于第三布線，所述第二晶體管的第二端子電連接于所述第二布線， 所述第三晶體管的第一端子電連接于所述第三晶體管的柵極，所述第三晶體管的第二端子電連接于所述第一晶體管的柵極，所述第三晶體管的所述柵極電連接于第四布線， 所述第四晶體管的第一端子電連接于所述第三布線，所述第四晶體管的第二端子電連接于所述第一晶體管的所述柵極，所述第四晶體管的柵極電連接于所述第二晶體管的柵極， 所述第五晶體管的第一端子電連接于所述第一布線，所述第五晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極，所述第五晶體管的柵極電連接于第六布線，并且，所述第六晶體管的第一端子電連接于所述第三布線，所述第六晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極，所述第六晶體管的柵極電連接于所述第四布線。
4.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 第一晶體管； 第二晶體管； 第三晶體管； 第四晶體管； 第五晶體管；以及 第六晶體管， 其中，所述第一晶體管的第一端子電連接于第一布線，所述第一晶體管的第二端子電連接于第二布線， 所述第二晶體管的第一端子電連接于第三布線，所述第二晶體管的第二端子電連接于所述第二布線， 所述第三晶體管的第一端子電連接于所述第三晶體管的柵極，所述第三晶體管的第二端子電連接于所述第一晶體管的柵極，所述第三晶體管的所述柵極電連接于第四布線， 所述第四晶體管的第一端子電連接于所述第三布線，所述第四晶體管的第二端子電連接于所述第一晶體管的所述柵極，所述第四晶體管的柵極電連接于所述第二晶體管的柵極， 所述第五晶體管的第一端子電連接于第五布線，所述第五晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極，所述第五晶體管的柵極電連接于所述第五布線， 并且，所述第六晶體管的第一端子電連接于所述第三布線，所述第六晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極，所述第六晶體管的柵極電連接于所述第四布線。
5.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 第一晶體管； 第二晶體管； 第三晶體管； 第四晶體管； 第五晶體管；以及 第六晶體管， 其中，所述第一晶體管的第一端子電連接于第一布線，所述第一晶體管的第二端子電連接于第二布線， 所述第二晶體管的第一端子電連接于第三布線，所述第二晶體管的第二端子電連接于所述第二布線， 所述第三晶體管的第一端子電連接于所述第三晶體管的柵極，所述第三晶體管的第二端子電連接于所述第一晶體管的柵極，所述第三晶體管的所述柵極電連接于第四布線， 所述第四晶體管的第一端子電連接于所述第三布線，所述第四晶體管的第二端子電連接于所述第一晶體管的所述柵極，所述第四晶體管的柵極電連接于所述第二晶體管的柵極， 所述第五晶體管的第一端子電連接于第五布線，所述第五晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極，所述第五晶體管的柵極電連接于所述第一布線， 并且，所述第六晶體管的第一端子電連接于所述第三布線，所述第六晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極，所述第六晶體管的柵極電連接于所述第四布線。
6.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 電容器； 第一晶體管； 第二晶體管； 第三晶體管； 第四晶體管； 第五晶體管；以及 第六晶體管， 其中，所述第一晶體管的第一端子電連接于第一布線，所述第一晶體管的第二端子電連接于第二布線， 所述第二晶體管的第一端子電連接于第三布線，所述第二晶體管的第二端子電連接于所述第二布線， 所述第三晶體管的第一端子電連接于所述第一布線，所述第三晶體管的第二端子電連接于所述第一晶體管的柵極，所述第三晶體管的柵極電連接于第四布線， 所述第四晶體管的第一端子電連接于所述第三布線，所述第四晶體管的第二端子電連接于所述第一晶體管的所述柵極，所述第四晶體管的柵極電連接于所述第二晶體管的柵極， 所述第五晶體管的第一端子電連接于第五布線，所述第五晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極，所述第五晶體管的柵極電連接于所述第一布線、所述第五布線和第六布線中的任一個(gè)， 所述第六晶體管的第一端子電連接于所述第三布線，所述第六晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極，所述第六晶體管的柵極電連接于所述第四布線， 并且，所述電容器電連接于所述第二晶體管的所述柵極及所述第一布線、所述第五布線和所述第六布線中的任一個(gè)。
7.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 電容器； 第一晶體管； 第二晶體管； 第三晶體管； 第四晶體管； 第五晶體管；以及 第六晶體管， 其中，所述第一晶體管的第一端子電連接于第一布線，所述第一晶體管的第二端子電連接于第二布線， 所述第二晶體管的第一端子電連接于第三布線，所述第二晶體管的第二端子電連接于所述第二布線， 所述第三晶體管的第一端子電連接于第七布線或所述第三晶體管的柵極，所述第三晶體管的第二端子電連接于所述第一晶體管的柵極，所述第三晶體管的所述柵極電連接于第四布線， 所述第四晶體管的第一端子電連接于所述第三布線，所述第四晶體管的第二端子電連接于所述第一晶體管的所述柵極，所述第四晶體管的柵極電連接于所述第二晶體管的柵極， 所述第五晶體管的第一端子電連接于第五布線，所述第五晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極，所述第五晶體管的柵極電連接于第六布線， 所述第六晶體管的第一端子電連接于所述第三布線，所述第六晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極，所述第六晶體管的柵極電連接于所述第四布線， 并且，所述電容器電連接于所述第二晶體管的所述柵極及所述第一布線、所述第五布線和所述第六布線中的任一個(gè)。
8.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 電容器； 第一晶體管； 第二晶體管； 第三晶體管； 第四晶體管； 第五晶體管；以及 第六晶體管， 其中，所述第一晶體管的第一端子電連接于第一布線，所述第一晶體管的第二端子電連接于第二布線， 所述第二晶體管的第一端子電連接于第三布線，所述第二晶體管的第二端子電連接于所述第二布線， 所述第三晶體管的第一端子電連接于第四布線，所述第三晶體管的第二端子電連接于所述第一晶體管的柵極，所述第三晶體管的柵極電連接于第五布線， 所述第四晶體管的第一端子電連接于所述第三布線，所述第四晶體管的第二端子電連接于所述第一晶體管的所述柵極，所述第四晶體管的柵極電連接于所述第二晶體管的柵極， 所述第五晶體管的第一端子電連接于第五布線，所述第五晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極，所述第五晶體管的柵極電連接于第六布線， 所述第六晶體管的第一端子電連接于所述第三布線，所述第六晶體管的第二端子電連接于所述第二晶體管的所述柵極，所述第六晶體管的柵極電連接于所述第四布線， 并且，所述電容器電連接于所述第二晶體管的所述柵極及所述第一布線、所述第五布線和所述第六布線中的任一個(gè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1一 8中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置， 其中，對(duì)所述第四布線輸入第一信號(hào)， 從所述第二布線輸出第二信號(hào)， 并且，所述第二信號(hào)的振幅電壓大于所述第一信號(hào)的振幅電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置， 其中，所述第一信號(hào)是數(shù)字信號(hào)， 所述第二信號(hào)是數(shù)字信號(hào)， 在所述第一信號(hào)是H電平時(shí)，所述第二信號(hào)是H電平， 并且，在所述第一信號(hào)是L電平時(shí)，所述第二信號(hào)是L電平。
11.根據(jù)權(quán)利要求1一 8中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第四布線電連接于移位寄存電路。
12.根據(jù)權(quán)利要求1一 8中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一至第六晶體管是包括氧化物半導(dǎo)體的晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求1一 8中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一至第六晶體管是包括選自由InGaZnO、SiGe, GaAs, IZO、ITO, SnO、T1和AlZnSnO構(gòu)成的組中的材料的晶體管。
14.一種具備如權(quán)利要求1 一 8中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備。
【文檔編號(hào)】G09G3/20GK104240663SQ201410460981
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2010年9月6日 優(yōu)先權(quán)日:2009年9月16日
【發(fā)明者】小山潤(rùn), 梅崎敦司 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所