驅(qū)動(dòng)電路和顯示設(shè)備的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種驅(qū)動(dòng)電路和顯示設(shè)備。驅(qū)動(dòng)電路包含控制模塊和移位寄存器模塊?？刂颇K由起始信號(hào)所使能并用以根據(jù)依序的第一操作信號(hào)至第N操作信號(hào)分別產(chǎn)生第一控制信號(hào)至第N控制信號(hào)。移位寄存器模塊包含第一級(jí)移位寄存器單元至第N級(jí)移位寄存器單元。第一級(jí)移位寄存器單元至第N級(jí)移位寄存器單元分別由第一控制信號(hào)至第N控制信號(hào)所使能，且分別用以根據(jù)依序的第一頻率信號(hào)至第N頻率信號(hào)產(chǎn)生第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)至第N驅(qū)動(dòng)信號(hào)。本發(fā)明可改善畫(huà)面亮度不均勻的現(xiàn)象。
【專(zhuān)利說(shuō)明】驅(qū)動(dòng)電路和顯示設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種顯示設(shè)備，且特別是有關(guān)于一種具有驅(qū)動(dòng)電路的顯示設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]近來(lái)，各種液晶顯示器的產(chǎn)品已經(jīng)相當(dāng)?shù)仄占?。為了?jié)省成本，用于產(chǎn)生信號(hào)的驅(qū)動(dòng)芯片(Driver IC)上的柵極驅(qū)動(dòng)電路通常直接制作在玻璃基板上，也就是所謂的陣列上柵極驅(qū)動(dòng)電路(Gate Driver on Array, GOA)。柵極驅(qū)動(dòng)電路包含多個(gè)彼此串接的移位寄存器電路，用以產(chǎn)生多個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)給玻璃基板上的像素陣列。柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)用以驅(qū)動(dòng)像素陣列中的像素晶體管。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電路包含控制模塊?？刂颇K用以根據(jù)依序的多個(gè)頻率信號(hào)產(chǎn)生相應(yīng)的多個(gè)控制信號(hào)給移位寄存器模塊。
[0004]本揭示內(nèi)容之一態(tài)樣是關(guān)于一種驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路包含控制模塊和移位寄存器模塊?？刂颇K由起始信號(hào)所使能并用以根據(jù)依序的第一操作信號(hào)至第N操作信號(hào)分別產(chǎn)生第一控制信號(hào)至第N控制信號(hào)。移位寄存器模塊包含第一級(jí)移位寄存器單元至第N級(jí)移位寄存器單元。第一級(jí)移位寄存器單元至第N級(jí)移位寄存器單元分別由第一控制信號(hào)至第N控制信號(hào)所使能，且分別用以根據(jù)依序的第一頻率信號(hào)至第N頻率信號(hào)產(chǎn)生第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)至第N驅(qū)動(dòng)信號(hào)，其中N為大于I的整數(shù)。
[0005]本揭示內(nèi)容之另一態(tài)樣是關(guān)于一種顯示設(shè)備。顯示設(shè)備包含像素陣列、M條掃描線(xiàn)和驅(qū)動(dòng)電路。M條掃描線(xiàn)電性耦接像素陣列。驅(qū)動(dòng)電路電性耦接M條掃描線(xiàn)。驅(qū)動(dòng)電路包含控制模塊和K個(gè)移位寄存器模塊。控制模塊由起始信號(hào)所使能并用以根據(jù)依序的第一操作信號(hào)至第N操作信號(hào)分別產(chǎn)生第一控制信號(hào)至第N控制信號(hào)。K個(gè)移位寄存器模塊用以產(chǎn)生M個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并透過(guò)M條掃描線(xiàn)將M個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳送給像素陣列。K個(gè)移位寄存器模塊中之一第一移位寄存器模塊包含第一級(jí)移位寄存器單元至第N級(jí)移位寄存器單元。第一級(jí)移位寄存器單元至第N級(jí)移位寄存器單元分別由第一控制信號(hào)至第N控制信號(hào)所使能，且分別用以根據(jù)依序的第一頻率信號(hào)至第N頻率信號(hào)產(chǎn)生M個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)至第N驅(qū)動(dòng)信號(hào)，其中K、M和N為大于I的整數(shù)且M = KXN。
[0006]綜上所述，根據(jù)依序的操作信號(hào)產(chǎn)生初始的控制信號(hào)，可使得初始的控制信號(hào)具有相同的波寬且其電壓電平亦可控制在固定的位置，進(jìn)而改善畫(huà)面亮度不均勻的現(xiàn)象。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，附圖的說(shuō)明如下:
[0008]圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的示意圖；
[0009]圖2A是繪示一種起始信號(hào)和頻率信號(hào)的時(shí)序圖；
[0010]圖2B是繪不另一種起始/[目號(hào)和頻率彳目號(hào)的時(shí)序圖；
[0011]圖2C是繪示再一種起始信號(hào)和頻率信號(hào)的時(shí)序圖；
[0012]圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種顯示設(shè)備的示意圖；
[0013]圖4是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種驅(qū)動(dòng)電路的示意圖；及
[0014]圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種控制模塊的示意圖。
[0015][主要組件附圖標(biāo)記說(shuō)明]
[0016]100:柵極驅(qū)動(dòng)電路
[0017]110:起始電路
[0018]120:級(jí)移位寄存器電路
[0019]300:顯示設(shè)備
[0020]310:像素陣列
[0021]320:驅(qū)動(dòng)電路
[0022]321:控制模塊
[0023]322:移位寄存器模塊
[0024]323:移位寄存器模塊
[0025]324:移位寄存器模塊
[0026]325:移位寄存器模塊
[0027]400:驅(qū)動(dòng)電路
[0028]410:控制模塊
[0029]420:移位寄存器模塊
[0030]421:第I級(jí)移位寄存器單元
[0031]422:第2級(jí)移位寄存器單元
[0032]430:移位寄存器模塊
[0033]431:第3級(jí)移位寄存器單元
[0034]432:第4級(jí)移位寄存器單元
[0035]440:移位寄存器模塊
[0036]441:第5級(jí)移位寄存器單元
[0037]442:第6級(jí)移位寄存器單元
[0038]450:移位寄存器模塊
[0039]451:第7級(jí)移位寄存器單元
[0040]452:第8級(jí)移位寄存器單元
[0041]500:控制模塊
[0042]510:使能單元
[0043]520:上拉單元
[0044]530:上拉單元
[0045]540:上拉單元
[0046]550:上拉單元
[0047]STP:起始信號(hào)
[0048]HCl:第一頻率信號(hào)
[0049]HC2:第二頻率信號(hào)
[0050]HC3:第三頻率信號(hào)
[0051]HC4:第四頻率信號(hào)
[0052]HC5:第五頻率信號(hào)
[0053]HC6:第六頻率信號(hào)
[0054]HC7:第七頻率信號(hào)
[0055]HC8:第八頻率信號(hào)
[0056]Q(I):第I級(jí)控制信號(hào)
[0057]Q (2):第2級(jí)控制信號(hào)
[0058]Q (3):第3級(jí)控制信號(hào)
[0059]Q (4):第4級(jí)控制信號(hào)
[0060]Q (5):第5級(jí)控制信號(hào)
[0061]Q (6):第6級(jí)控制信號(hào)
[0062]Q (7):第7級(jí)控制信號(hào)
[0063]Q (8):第8級(jí)控制信號(hào)
[0064]G(I):第I級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)
[0065]G (2):第2級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)
[0066]G (3):第3級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)
[0067]G (4):第4級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)
[0068]G (5):第5級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)
[0069]G (6):第6級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)
[0070]G (7):第7級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)
[0071]G⑶:第8級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)
[0072]G (9):第9級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)
[0073]G(1):第10級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)
[0074]G(Il):第11級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)
[0075]G (12):第12級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)
[0076]G (13):第13級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)
[0077]G (14):第14級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)
[0078]G (15):第15級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)
[0079]G (16):第16級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)
[0080]OPl:第一操作信號(hào)
[0081]0P2:第二操作信號(hào)
[0082]0P3:第三操作信號(hào)
[0083]0P4:第四操作信號(hào)
[0084]ENl:第一使能信號(hào)
[0085]EN2:第二使能信號(hào)
[0086]EN3:第三使能信號(hào)
[0087]EN4:第四使能信號(hào)
[0088]VGH:工作電壓信號(hào)
[0089]SCNl ?SCN16:掃描線(xiàn)
[0090]Tl?T8:晶體管

【具體實(shí)施方式】
[0091]下文舉實(shí)施例配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明，但所提供的實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明所涵蓋的范圍，而結(jié)構(gòu)控制的描述非用以限制其執(zhí)行的順序，任何由組件重新組合的結(jié)構(gòu)，所產(chǎn)生具有均等功效的裝置，皆為本發(fā)明所涵蓋的范圍。此外，圖式僅以說(shuō)明為目的，并未依照原尺寸作圖。為使便于理解，下述說(shuō)明中相同組件將以相同的附圖標(biāo)記標(biāo)示來(lái)說(shuō)明。
[0092]在全篇說(shuō)明書(shū)與申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所使用的用詞(terms)，除有特別注明外，通常具有每個(gè)用詞使用在此領(lǐng)域中、在此揭露的內(nèi)容中與特殊內(nèi)容中的平常意義。某些用以描述本揭露的用詞將于下或在此說(shuō)明書(shū)的別處討論，以提供本領(lǐng)域技術(shù)人員在有關(guān)本揭露的描述上額外的引導(dǎo)。
[0093]關(guān)于本文中所使用的『約』、『大約』或『大致』一般通常系指數(shù)值的誤差或范圍于百分之二十以?xún)?nèi)，較好地是于百分之十以?xún)?nèi)，而更佳地則是于百分之五以?xún)?nèi)。文中若無(wú)明確說(shuō)明，其所提及的數(shù)值皆視作為近似值，例如可如『約』、『大約』或『大致』所表示的誤差或范圍，或其他近似值。
[0094]關(guān)于本文中所使用的『第一』、『第二』、...等，并非特別指稱(chēng)次序或順位的意思，亦非用以限定本發(fā)明，其僅僅是為了區(qū)別以相同技術(shù)用語(yǔ)描述的組件或控制而已。
[0095]其次，在本文中所使用的用詞「包含」、「包括」、「具有、「含有」等等，均為開(kāi)放性的用語(yǔ)，即意指包含但不限于此。
[0096]另外，關(guān)于本文中所使用的『耦接』或『連接』，均可指二或多個(gè)組件相互直接作實(shí)體或電性接觸，或是相互間接作實(shí)體或電性接觸，亦可指二或多個(gè)組件相互控制或動(dòng)作。
[0097]請(qǐng)參考圖1,圖1是繪示本揭示內(nèi)容其中一實(shí)施例的一種柵極驅(qū)動(dòng)電路100的示意圖。柵極驅(qū)動(dòng)電路100包含起始電路110和多個(gè)級(jí)移位寄存器電路120。如圖1所示，柵極驅(qū)動(dòng)電路100為一種I傳5(即第I級(jí)控制信號(hào)Q(I)傳至第5級(jí)移位寄存器電路120)的電路架構(gòu)。具體而言，第I級(jí)移位寄存器電路120至第4級(jí)移位寄存器電路120分別用以產(chǎn)生第5級(jí)控制信號(hào)Q (5)至第8級(jí)控制信號(hào)Q (8)，且將第5級(jí)控制信號(hào)Q (5)至第8級(jí)控制信號(hào)Q(8)分別傳送給第5級(jí)移位寄存器電路120至第8級(jí)移位寄存器電路。第5級(jí)移位寄存器電路120至第8級(jí)移位寄存器電路120分別由第5級(jí)控制信號(hào)Q(5)至第8級(jí)控制信號(hào)Q8)所使能，且分別根據(jù)依序的第五頻率信號(hào)HC5至第八頻率信號(hào)HC8產(chǎn)生第5級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(5)至第8級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(8)給相應(yīng)的像素晶體管。一般而言，第N級(jí)移位寄存器電路120用以產(chǎn)生第(N+4)級(jí)控制信號(hào)并且將第(N+4)級(jí)控制信號(hào)傳送給第(N+4)級(jí)移位寄存器電路120，使得第(N+4)級(jí)移位寄存器電路120產(chǎn)生第(N+4)級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
[0098]起始電路110用以產(chǎn)生第I級(jí)控制信號(hào)Q(I)至第4級(jí)控制信號(hào)Q (4)并且分別將第I級(jí)控制信號(hào)Q(I)至第4級(jí)控制信號(hào)Q(4)傳送給第I級(jí)移位寄存器電路120至第4級(jí)移位寄存器電路120。第I級(jí)移位寄存器電路120至第4級(jí)移位寄存器電路120分別由第I級(jí)控制信號(hào)Q (I)至第4級(jí)控制信號(hào)Q (4)所使能，且分別根據(jù)依序的第一頻率信號(hào)HCl至第四頻率信號(hào)HC4依序產(chǎn)生第I級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(I)至第4級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(4)。
[0099]起始電路110包含晶體管Tl?T4。晶體管Tl?T4的汲極相互連接在一起，且晶體管Tl?T4的汲極也相互連接于各自的柵極，并且一起接收起始信號(hào)(Start Pulse) STP0由于本實(shí)施例的起始電路110中是透過(guò)起始信號(hào)STP信號(hào)控制，因此在不同時(shí)序條件的起始信號(hào)STP設(shè)定下，晶體管Tl?T4產(chǎn)生的第I級(jí)控制信號(hào)Q(I)至第4級(jí)控制信號(hào)Q (4)的電壓電平會(huì)產(chǎn)生差異。請(qǐng)參照?qǐng)D2A和圖2B。圖2A是繪示一種起始信號(hào)和頻率信號(hào)的時(shí)序圖。圖2B是繪示另一種起始信號(hào)和頻率信號(hào)的時(shí)序圖。在第一種情況時(shí)，如圖2A所示，起始信號(hào)STP并未涵蓋(未重迭)到第一頻率信號(hào)HCl至第四頻率信號(hào)HC4，此時(shí)，晶體管Tl?T4的充電時(shí)間皆相同。然而，由于起始信號(hào)STP與第一頻率信號(hào)HCl至第四頻率信號(hào)HC4之間各自的保持時(shí)間THold (Hold time)皆不相同，導(dǎo)致晶體管Tl?T4輸出端的漏電程度不同。
[0100]在第二種情況時(shí)，如圖2B所示，起始信號(hào)STP涵蓋(重迭)到部份的頻率信號(hào)(例如:起始信號(hào)STP涵蓋第一頻率信號(hào)HCl)，此時(shí)，晶體管Tl?T4的充電時(shí)間并不相同。另夕卜，由于起始信號(hào)STP完全涵蓋第一頻率信號(hào)HC1，因此晶體管Tl的汲極和源極之間的跨壓為控制信號(hào)的高電平電壓減去起始信號(hào)STP的高電平電壓。然而，由于起始信號(hào)STP并未涵蓋第三頻率信號(hào)HC3至第四頻率信號(hào)HC4，且第四頻率信號(hào)HC4與起始信號(hào)STP之間有保持時(shí)間，因此晶體管T3?T4的汲極和源極之間的跨壓為控制信號(hào)的高電平電壓減去起始信號(hào)STP的低電平電壓。此外，起始信號(hào)STP亦部份涵蓋第二頻率信號(hào)HC2。因此，晶體管Tl的汲極和源極之間的跨壓與晶體管T3?T4的汲極和源極之間的跨壓并不相同，也不相同于晶體管T2的汲極和源極之間的跨壓，使得晶體管Tl?T4輸出端的漏電程度不同。
[0101]當(dāng)上述的情況發(fā)生其中任一者時(shí)，均會(huì)導(dǎo)致第I級(jí)控制信號(hào)Q(I)至第4級(jí)控制信號(hào)Q(4)之間的電壓電平產(chǎn)生差異。此差異會(huì)在信號(hào)傳遞的過(guò)程中被放大(亦即，傳給下一級(jí)的控制信號(hào)由于充電不足使得其電壓電平越傳越低)，進(jìn)而使得畫(huà)面亮度不均勻的現(xiàn)象發(fā)生。
[0102]另外，請(qǐng)一并參照?qǐng)D2C。圖2C是繪示再一種起始信號(hào)和頻率信號(hào)的時(shí)序圖。在第三種情況時(shí)，起始信號(hào)STP完全涵蓋第一頻率信號(hào)HCl至第四頻率信號(hào)HC4，此時(shí)，晶體管Tl?T4的充電時(shí)間并不相同。雖然晶體管Tl?T4的汲極和源極之間的跨壓相同。然而，在頻率信號(hào)預(yù)先給下一級(jí)移位寄存器電路充電的電路架構(gòu)下，起始信號(hào)STP仍會(huì)部份涵蓋到第五頻率信號(hào)HC5。在這樣的情況下，會(huì)導(dǎo)致第5級(jí)移位寄存器電路120在產(chǎn)生第5級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(5)回去下拉第I級(jí)移位寄存器電路120的操作點(diǎn)至低電平電壓時(shí)(即第N+4級(jí)回拉第N級(jí)的架構(gòu))，第I級(jí)移位寄存器電路120的操作點(diǎn)仍由起始信號(hào)STP透過(guò)Tl充電，進(jìn)而導(dǎo)致無(wú)法下拉第I級(jí)移位寄存器電路120的操作點(diǎn)至低電平電壓。因此，在第三種情況下，閘級(jí)驅(qū)動(dòng)電路100可能會(huì)發(fā)生操作錯(cuò)誤的情形。
[0103]本揭不內(nèi)容提供另一種驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)施例。驅(qū)動(dòng)電路包含控制I旲塊和K個(gè)移位寄存器模塊。控制模塊由起始信號(hào)所使能并用以根據(jù)依序的第一操作信號(hào)至第N操作信號(hào)分別產(chǎn)生第一控制信號(hào)至第N控制信號(hào)。K個(gè)移位寄存器模塊用以產(chǎn)生M個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并透過(guò)M條掃描線(xiàn)將M個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳送給像素陣列。M個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)分別用以驅(qū)動(dòng)像素陣列中的像素晶體管。K個(gè)移位寄存器模塊中的第一移位寄存器模塊包含第一級(jí)移位寄存器單元至第N級(jí)移位寄存器單元。第一級(jí)移位寄存器單元至第N級(jí)移位寄存器單元分別由第一控制信號(hào)至第N控制信號(hào)所使能，且分別用以根據(jù)依序的第一頻率信號(hào)至第N頻率信號(hào)產(chǎn)生M個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)至第N驅(qū)動(dòng)信號(hào)。K、M和N為大于I的整數(shù)且M = KXN。
[0104]為了方便和清楚說(shuō)明，請(qǐng)參照?qǐng)D3，圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種顯示設(shè)備300的示意圖。顯示設(shè)備300包含像素陣列310、驅(qū)動(dòng)電路320和掃描線(xiàn)SCNl?SCN16。掃描線(xiàn)SCNl?SCN16電性耦接像素陣列310和驅(qū)動(dòng)電路320。驅(qū)動(dòng)電路320用以產(chǎn)生第I級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(I)至第16級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G (16)，并且分別透過(guò)掃描線(xiàn)SCN_1?SCN_16將第I級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(I)至第16級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G (16)傳遞至像素陣列310中所對(duì)應(yīng)的像素晶體管(未繪示于圖中)，且各像素晶體管會(huì)連接于所對(duì)應(yīng)的像素電極(未繪示)。在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路320為I傳5的電路結(jié)構(gòu)且可產(chǎn)生共16級(jí)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)給像素陣列310。亦即，在本實(shí)施例中，M = 16，K = 4且N = 4，然本實(shí)施例并不以此為限；換言之，本領(lǐng)域具有通常知識(shí)者可根據(jù)實(shí)際需求選擇驅(qū)動(dòng)電路320為I傳3或是I傳4等電路結(jié)構(gòu)。
[0105]驅(qū)動(dòng)電路320包含控制模塊321和移位寄存器模塊322?325。控制模塊321由起始信號(hào)STP所使能，并用以根據(jù)依序的第一操作信號(hào)OPl、第二操作信號(hào)0P2、第三操作信號(hào)0P3和第四操作信號(hào)0P4產(chǎn)生第I級(jí)控制信號(hào)Q(I)、第2級(jí)控制信號(hào)Q(2)、第3級(jí)控制信號(hào)Q (3)和第4級(jí)控制信號(hào)Q (4)給移位寄存器模塊322。
[0106]移位寄存器模塊322由第I級(jí)控制信號(hào)Q(I)、第2級(jí)控制信號(hào)Q(2)、第3級(jí)控制信號(hào)Q(3)和第4級(jí)控制信號(hào)Q(4)所使能，并且根據(jù)依序的第一頻率信號(hào)HC1、第二頻率信號(hào)HC2、第三頻率信號(hào)HC3和第四頻率信號(hào)HC4產(chǎn)生第I級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(I)、第2級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(2)、第3級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(3)和第4級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(4)。另外，移位寄存器模塊322還根據(jù)第一頻率信號(hào)HC1、第二頻率信號(hào)HC2、第三頻率信號(hào)HC3和第四頻率信號(hào)HC4產(chǎn)生第5級(jí)控制信號(hào)Q(5)、第6級(jí)控制信號(hào)Q (6)、第7級(jí)控制信號(hào)Q (7)和第8級(jí)控制信號(hào)Q (8)給移位寄存器模塊323。
[0107]類(lèi)似地，移位寄存器模塊323由第5級(jí)控制信號(hào)Q (5)、第6級(jí)控制信號(hào)GK6)、第7級(jí)控制信號(hào)Q (7)和第8級(jí)控制信號(hào)Q (8)所使能，并且根據(jù)依序的第五頻率信號(hào)HC5、第六頻率信號(hào)HC6、第七頻率信號(hào)HC7和第八頻率信號(hào)HC8產(chǎn)生第5級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(5)、第6級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(6)、第7級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(7)和第8級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(8)。另外，移位寄存器模塊323還產(chǎn)生下四級(jí)的控制信號(hào)給移位寄存器模塊324，而移位寄存器模塊324依據(jù)來(lái)自于移位寄存器模塊323的控制信號(hào)，且根據(jù)依序的第一頻率信號(hào)HC1、第二頻率信號(hào)HC2、第三頻率信號(hào)HC3和第四頻率信號(hào)HC4產(chǎn)生第9級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(9)、第10級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(1)、第11級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(Il)和第12級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(12)，并還產(chǎn)生下四級(jí)的控制信號(hào)給移位寄存器模塊325，以此類(lèi)推。因此，移位寄存器模塊322?325可依序產(chǎn)生第I級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G (I)至第16級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(16)給像素陣列310。
[0108]在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路320是采用八相位(8-phase)的驅(qū)動(dòng)方式。因此，移位寄存器模塊322和324是根據(jù)第一頻率信號(hào)HC1、第二頻率信號(hào)HC2、第三頻率信號(hào)HC3和第四頻率信號(hào)HC4產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)。移位寄存器模塊323和325是根據(jù)第五頻率信號(hào)HC5、第六頻率信號(hào)HC6、第七頻率信號(hào)HC7和第八頻率信號(hào)HC8產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)，但本實(shí)施例并無(wú)以此為限。
[0109]在一實(shí)施例中，起始信號(hào)STP的使能期間大于第一操作信號(hào)0P1、第二操作信號(hào)0P2、第三操作信號(hào)0P3和第四操作信號(hào)0P4的使能期間的總和。藉此，控制模塊321才有足夠的時(shí)間對(duì)起始信號(hào)STP進(jìn)行取樣。
[0110]在一實(shí)施例中，第一操作信號(hào)0P1、第二操作信號(hào)0P2、第三操作信號(hào)0P3和第四操作信號(hào)0P4可分別為依序的相應(yīng)第一頻率信號(hào)HCl的前四級(jí)頻率信號(hào)、相應(yīng)第二頻率信號(hào)HC2的前四級(jí)頻率信號(hào)、相應(yīng)第三頻率信號(hào)HC3的前四級(jí)頻率信號(hào)和相應(yīng)第四頻率信號(hào)HC4的前四級(jí)頻率信號(hào)。換言之，在控制模塊321產(chǎn)生第I級(jí)控制信號(hào)Q(I)至第4級(jí)控制信號(hào)Q (4)之前，控制模塊321會(huì)預(yù)先接收四個(gè)頻率信號(hào)用以取樣起始信號(hào)STP。因此，在本實(shí)施例中，第一操作信號(hào)0P1、第二操作信號(hào)0P2、第三操作信號(hào)0P3和第四操作信號(hào)0P4可分別為第五頻率信號(hào)HC5、第六頻率信號(hào)HC6、第七頻率信號(hào)HC7和第八頻率信號(hào)HC8。
[0111]如此一來(lái)，根據(jù)頻率信號(hào)具有相同波寬以及依序使能的特性，可使得控制模塊321產(chǎn)生的第I級(jí)控制信號(hào)Q(I)、第2級(jí)控制信號(hào)Q (2)、第3級(jí)控制信號(hào)Q (3)和第4級(jí)控制信號(hào)Q(4)具有相同的波寬且其電壓電平可控制在固定的位置，進(jìn)而改善畫(huà)面亮度不均勻的現(xiàn)象。
[0112]請(qǐng)一并參照?qǐng)D4，圖4是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種驅(qū)動(dòng)電路400的示意圖。驅(qū)動(dòng)電路400可應(yīng)用于圖3中的顯示設(shè)備300，但本實(shí)施例并不以此為限。在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路400為I傳3的電路架構(gòu)，但本實(shí)施例并不以此為限。如圖4所示，驅(qū)動(dòng)電路400包含控制模塊410、移位寄存器模塊420?450?？刂颇K410由起始信號(hào)STP所使能，并用以根據(jù)依序的第一操作信號(hào)OPl和第二操作信號(hào)0P2產(chǎn)生第I級(jí)控制信號(hào)Q (I)和第2級(jí)控制信號(hào)Q (2)。移位寄存器模塊420?450的每一者包含兩個(gè)級(jí)移位寄存器單元。
[0113]移位寄存器模塊420包含第I級(jí)移位寄存器單元421和第2級(jí)移位寄存器單元422。第I級(jí)移位寄存器單元421和第2級(jí)移位寄存器單元422分別由第I級(jí)控制信號(hào)Q(I)和第2級(jí)控制信號(hào)Q (2)所使能，且分別根據(jù)依序的第一頻率信號(hào)HCl和第二頻率信號(hào)HC2產(chǎn)生第I級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(I)和第2級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G (2)。另外，第I級(jí)移位寄存器單元421和第2級(jí)移位寄存器單元422還分別根據(jù)第一頻率信號(hào)HCl和第二頻率信號(hào)HC2產(chǎn)生第3級(jí)控制信號(hào)Q (3)和第4級(jí)控制信號(hào)Q (4)。
[0114]類(lèi)似地，移位寄存器模塊430包含第3級(jí)移位寄存器單元431和第4級(jí)移位寄存器單元432。第3級(jí)移位寄存器單元431和第4級(jí)移位寄存器單元432分別由第3級(jí)控制信號(hào)Q (3)和第4級(jí)控制信號(hào)Q (4)所使能，且分別根據(jù)依序的第三頻率信號(hào)HC3和第四頻率信號(hào)HC4產(chǎn)生第3級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(3)和第4級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(4)。另外，第3級(jí)移位寄存器單元431和第4級(jí)移位寄存器單元432還分別根據(jù)第三頻率信號(hào)HC3和第四頻率信號(hào)HC4產(chǎn)生第5級(jí)控制信號(hào)Q (5)和第6級(jí)控制信號(hào)Q (6)。類(lèi)似地，移位寄存器模塊440包含第5級(jí)移位寄存器單元441和第6級(jí)移位寄存器單元442，移位寄存器模塊450包含第7級(jí)移位寄存器單元451和第8級(jí)移位寄存器單元452，其操作如上述實(shí)施方式，在此并不贅述。因此，第I級(jí)移位寄存器單元421至第8級(jí)移位寄存器單元452可依序產(chǎn)生第I級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(I)至第8級(jí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)G(S)給像素陣列(未繪示于圖中)中所對(duì)應(yīng)的像素晶體管(未繪示于圖中)，且各像素晶體管會(huì)連接于所對(duì)應(yīng)的像素電極(未繪示)。
[0115]在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路400是采用四相位(4-phase)的驅(qū)動(dòng)方式。因此，移位寄存器模塊420和440是根據(jù)第一頻率信號(hào)HCl和第二頻率信號(hào)HC2產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)。移位寄存器模塊430和450是根據(jù)第三頻率信號(hào)HC3和第四頻率信號(hào)HC4產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)，但本實(shí)施例并不以此為限。
[0116]在一實(shí)施例中，起始信號(hào)STP的使能期間大于第一操作信號(hào)OPl和第二操作信號(hào)0P2的使能期間的總和。藉此，控制模塊410才有足夠的時(shí)間對(duì)起始信號(hào)STP進(jìn)行取樣。
[0117]在一實(shí)施例中，第一操作信號(hào)OPl和第二操作信號(hào)0P2可分別為依序的相應(yīng)第一頻率信號(hào)HCl的前二級(jí)頻率信號(hào)和相應(yīng)第二頻率信號(hào)HC2的前二級(jí)頻率信號(hào)。換言之，在控制模塊410產(chǎn)生第I級(jí)控制信號(hào)Q(I)至第2級(jí)控制信號(hào)Q(2)期間，控制模塊410會(huì)接收二個(gè)頻率信號(hào)并由起始信號(hào)STP取樣。因此，在本實(shí)施例中，第一操作信號(hào)OPl和第二操作信號(hào)0P2可分別為第三頻率信號(hào)HC3和第四頻率信號(hào)HC4。
[0118]請(qǐng)一并參照?qǐng)D5，圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種控制模塊500的示意圖，控制模塊500可應(yīng)用于圖3中的驅(qū)動(dòng)電路320或是圖4中的驅(qū)動(dòng)電路400，但本實(shí)施例并不以此為限。在本實(shí)施例中，控制模塊500是應(yīng)用于I傳5的電路架構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路，但本實(shí)施例并不以此為限。如圖5所示，控制模塊500包含使能單元510和上拉單元520?550。使能單元510由起始信號(hào)STP所使能，并根據(jù)第一操作信號(hào)0P1、第二操作信號(hào)0P2、第三操作信號(hào)0P3和第四操作信號(hào)0P4依序產(chǎn)生第一使能信號(hào)EN1、第二使能信號(hào)EN2、第三使能信號(hào)EN3和第四使能信號(hào)EN4給上拉單元520?550。上拉單元520?550分別由第一使能信號(hào)EN1、第二使能信號(hào)EN2、第三使能信號(hào)EN3和第四使能信號(hào)EN4所使能，并且根據(jù)工作電壓信號(hào)VGH分別依序產(chǎn)生第I級(jí)控制信號(hào)Q(I)、第2級(jí)控制信號(hào)Q(2)、第3級(jí)控制信號(hào)Q(3)和第4級(jí)控制信號(hào)Q(4)。工作電壓信號(hào)VGH為具有高電壓電平的電壓信號(hào)，可以由電源電路(未繪示于圖中)所提供。
[0119]在一實(shí)施例中，使能單元510包含晶體管Tl?T4。晶體管Tl?T4的每一者包含控制端、第一端和第二端。各晶體管Tl?T4的控制端皆用以接收起始信號(hào)STP。晶體管Tl?T4的第一端分別接收第一操作信號(hào)OPl、第二操作信號(hào)0P2、第三操作信號(hào)0P3和第四操作信號(hào)0P4。晶體管Tl?T4的第二端分別輸出第一使能信號(hào)EN1、第二使能信號(hào)EN2、第三使能信號(hào)EN3和第四使能信號(hào)EN4。
[0120]上拉單元520?550分別包含晶體管T5?T8。晶體管T5?T8的每一者包含控制端、第一端和第二端。各晶體管T5?T8的控制端分別電性耦接晶體管Tl?T4的第二端，且分別用以接收第一使能信號(hào)ENl、第二使能信號(hào)EN2、第三使能信號(hào)EN3和第四使能信號(hào)EN4。晶體管T5?T8的第一端皆用以接收工作電壓信號(hào)VGH。晶體管T5?T8的第二端分別用以輸出第I級(jí)控制信號(hào)Q(I)、第2級(jí)控制信號(hào)Q(2)、第3級(jí)控制信號(hào)Q(3)和第4級(jí)控制信號(hào)Q (4)。
[0121]在一實(shí)施例中，起始信號(hào)STP的使能期間大于第一操作信號(hào)0P1、第二操作信號(hào)0P2、第三操作信號(hào)0P3和第四操作信號(hào)0P4的使能期間的總和。
[0122]類(lèi)似地，第一操作信號(hào)OPl至第四操作信號(hào)0P4可分別為依序的相應(yīng)第一頻率信號(hào)HCl的前四級(jí)頻率信號(hào)至相應(yīng)第四頻率信號(hào)HC4的前四級(jí)頻率信號(hào)，亦即，預(yù)先提供給控制模塊500四個(gè)頻率信號(hào)用以取樣起始信號(hào)STP。
[0123]進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路為N傳(N+X)的電路架構(gòu)，則可透過(guò)預(yù)先提供X個(gè)頻率信號(hào)用以取樣起始信號(hào)STP來(lái)達(dá)成產(chǎn)生初始的控制信號(hào)，其中X為大于I的整數(shù)。在上述的控制模塊的設(shè)計(jì)下，僅需要改變頻率信號(hào)的布局走線(xiàn)即可完成，而不需要改變?nèi)魏螘r(shí)序上的設(shè)定。因此，把揭示內(nèi)容提供的驅(qū)動(dòng)電路其實(shí)現(xiàn)并不需要太復(fù)雜的設(shè)計(jì)以及過(guò)多的成本花費(fèi)。再者，圖3?圖5的實(shí)施例與圖1?2的實(shí)施例相比之下，圖3?圖5的實(shí)施例可以更有效的解決圖1?圖2所示的問(wèn)題，如畫(huà)面亮度不均勻與操作錯(cuò)誤等等。
[0124]由上述本發(fā)明的實(shí)施例可知，在驅(qū)動(dòng)電路為N傳(N+X)的電路架構(gòu)中，透過(guò)預(yù)先提供X個(gè)頻率信號(hào)給驅(qū)動(dòng)電路以取樣起始信號(hào)，并利用頻率信號(hào)具有相同的波寬以及依序使能的特性，可使得驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生的初始的控制信號(hào)具有相同的波寬且其電壓電平亦可控制在固定的位置，進(jìn)而改善畫(huà)面亮度不均勻的現(xiàn)象。
[0125]雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種驅(qū)動(dòng)電路，包含: 一控制模塊，由一起始信號(hào)所使能并用以根據(jù)依序的一第一操作信號(hào)至一第N操作信號(hào)分別產(chǎn)生一第一控制信號(hào)至一第N控制信號(hào)；及 一移位寄存器模塊，包含一第一級(jí)移位寄存器單元至一第N級(jí)移位寄存器單元，其中該第一級(jí)移位寄存器單元至該第N級(jí)移位寄存器單元分別由該第一控制信號(hào)至該第N控制信號(hào)所使能，且分別用以根據(jù)依序的一第一頻率信號(hào)至一第N頻率信號(hào)產(chǎn)生一第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)至一第N驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中該第一操作信號(hào)至該第N操作信號(hào)分別為依序的一相應(yīng)該第一頻率信號(hào)的前N級(jí)頻率信號(hào)至一相應(yīng)該第N頻率信號(hào)的前N級(jí)頻率信號(hào)。
3.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中該起始信號(hào)的使能期間大于該第一操作信號(hào)至該第N操作信號(hào)的使能期間的總和。
4.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中該控制模塊包含: 一使能單元，用以由該起始信號(hào)所使能，并根據(jù)該第一操作信號(hào)至該第N操作信號(hào)依序產(chǎn)生一第一使能信號(hào)至第N使能信號(hào)；及 N個(gè)上拉單元，用以分別由該第一使能信號(hào)至該第N使能信號(hào)所使能，并根據(jù)一工作電壓信號(hào)分別依序產(chǎn)生該第一控制信號(hào)至該第N控制信號(hào)。
5.如權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中該使能單元包含: N個(gè)晶體管，分別包含一控制端、一第一端和一第二端，其中該N個(gè)晶體管的該些控制端用以接收該起始信號(hào)，該N個(gè)晶體管的該些第一端分別用以接收該第一操作信號(hào)至該第N操作信號(hào)，該N個(gè)晶體管的該些第二端分別用以輸出該第一使能信號(hào)至該第N使能信號(hào)。
6.如權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中該N個(gè)上拉單元中的一第N上拉單元包含: 晶體管，包含一控制端、一第一端和一第二端，該控制端用以接收該第N使能信號(hào)，該第一端用以接收該工作電壓信號(hào)，該第二端用以輸出該第N控制信號(hào)。
7.—種顯不設(shè)備,包含: 一像素陣列； M條掃描線(xiàn)，電性耦接該像素陣列 '及 一驅(qū)動(dòng)電路，電性耦接該M條掃描線(xiàn)，其中該驅(qū)動(dòng)電路包含: 一控制模塊，由一起始信號(hào)所使能并用以根據(jù)依序的一第一操作信號(hào)至一第N操作信號(hào)分別產(chǎn)生一第一控制信號(hào)至一第N控制信號(hào)；及 K個(gè)移位寄存器模塊，用以產(chǎn)生M個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并透過(guò)該M條掃描線(xiàn)將該M個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳送給該像素陣列； 其中該K個(gè)移位寄存器模塊中的一第一移位寄存器模塊包含一第一級(jí)移位寄存器單元至一第N級(jí)移位寄存器單元，其中該第一級(jí)移位寄存器單元至該第N級(jí)移位寄存器單元分別由該第一控制信號(hào)至該第N控制信號(hào)所使能，且分別用以根據(jù)依序的一第一頻率信號(hào)至一第N頻率信號(hào)產(chǎn)生該M個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的一第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)至一第N驅(qū)動(dòng)信號(hào)，其中M =KXN。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備，其中該第一操作信號(hào)至該第N操作信號(hào)分別為依序的一相應(yīng)該第一頻率信號(hào)的前N級(jí)頻率信號(hào)至一相應(yīng)該第N頻率信號(hào)的前N級(jí)頻率信號(hào)。
9.如權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備，其中該控制模塊包含: 一使能單元，用以由該起始信號(hào)所使能，并根據(jù)該第一操作信號(hào)至該第N操作信號(hào)依序產(chǎn)生一第一使能信號(hào)至第N使能信號(hào)；及 N個(gè)上拉單元，用以分別由該第一使能信號(hào)至該第N使能信號(hào)所使能，并根據(jù)一工作電壓信號(hào)分別依序產(chǎn)生該第一控制信號(hào)至該第N控制信號(hào)。
10.如權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備，其中該控制模塊包含: N個(gè)第一晶體管，分別包含一控制端、一第一端和一第二端，其中該N個(gè)第一晶體管的該些控制端用以接收該起始信號(hào)，該N個(gè)第一晶體管的該些第一端分別用以接收該第一操作信號(hào)至該第N操作信號(hào)，該N個(gè)第一晶體管的該些第二端分別用以輸出該第一使能信號(hào)至該第N使能信號(hào)；及 N個(gè)第二晶體管，分別包含一控制端、一第一端和一第二端，其中該N個(gè)第二晶體管的該些控制端分別電性耦接該N個(gè)第一晶體管的該些第二端，該N個(gè)第二晶體管的該些第一端用以接收該工作電壓信號(hào)，該N個(gè)第二晶體管的該些第二端分別用以輸出該第一控制信號(hào)至該第N控制信號(hào)。
11.如權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備，其中該第一級(jí)移位寄存器單元至該第N級(jí)移位寄存器單元還分別根據(jù)依序的該第一頻率信號(hào)至該第N頻率信號(hào)產(chǎn)生一第(N+1)控制信號(hào)至一第2N控制信號(hào)，該些K個(gè)移位寄存器模塊中的一第二移位寄存器模塊包含一第(N+1)級(jí)移位寄存器單元至一第2N級(jí)移位寄存器單元，其中該第(N+1)級(jí)移位寄存器單元至該第2N級(jí)移位寄存器單元分別用以由該第(N+1)控制信號(hào)至該第2N控制信號(hào)所使能，且分別根據(jù)依序的一第(N+1)頻率信號(hào)至一第2N頻率信號(hào)產(chǎn)生該些M個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的一第(N+1)驅(qū)動(dòng)信號(hào)至一第2N驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
【文檔編號(hào)】G09G3/36GK104240669SQ201410529271
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年10月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月10日
【發(fā)明者】董哲維, 廖一遂, 林煒力, 陳嘉亨 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司