像素補(bǔ)償電路、陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及液晶顯示器制造領(lǐng)域，提供了一種像素補(bǔ)償電路、陣列基板及顯示裝置。針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中閾值電壓偏移導(dǎo)致的發(fā)光不均勻、長時(shí)間開啟偏壓后出現(xiàn)TFT穩(wěn)定性下降、以及信號(hào)線上會(huì)出現(xiàn)電壓的衰減影響顯示區(qū)電流均勻性的問題，本實(shí)用新型以一種6T1C的像素補(bǔ)償電路為示例，使得其不僅具有補(bǔ)償閾值電壓偏移的功能，還具有補(bǔ)償信號(hào)電壓衰減對(duì)電流影響的功能，同時(shí)還極大地降低了幀與幀之間信號(hào)的影響。
【專利說明】像素補(bǔ)償電路、陣列基板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及液晶顯示器制造領(lǐng)域，具體提供一種像素補(bǔ)償電路、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(ActiveMatrix/Organic Light Emitting Diode,AMOLED)顯不是一種應(yīng)用于電視和移動(dòng)設(shè)備中的顯不技術(shù)，以其低功耗，低成本，大尺寸的特點(diǎn)在對(duì)功耗敏感的便攜式電子設(shè)備中有著廣闊的應(yīng)用前景。
[0003]目前在AMOLED顯示領(lǐng)域中，尤其是大尺寸基板設(shè)計(jì)中，背板TFT (Thin FilmTransistor，薄膜晶體管)在生產(chǎn)工藝過程中存在著TFT的均勻性以及穩(wěn)定性問題，不僅會(huì)使得驅(qū)動(dòng)OLED電流的不均勻、導(dǎo)致閾值電壓偏移，還會(huì)在長時(shí)間開啟偏壓后出現(xiàn)TFT穩(wěn)定性下降的問題。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，存在有很多只考慮閾值電壓偏移這一問題而進(jìn)行AMOLED補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)，卻忽視了隨著AMOLED尺寸大型化的趨勢(shì)，信號(hào)線的負(fù)載也會(huì)越來越大，致使信號(hào)線上會(huì)出現(xiàn)電壓的衰減，從而影響顯示區(qū)電流均勻性的這一問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005](一)解決的技術(shù)問題
[0006]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種像素補(bǔ)償電路、陣列基板及顯示裝置，其不僅具有補(bǔ)償閾值電壓偏移的功能，還具有補(bǔ)償信號(hào)電壓衰減對(duì)電流影響的功能，同時(shí)還極大地降低了幀與幀之間信號(hào)的影響。
[0007](二)技術(shù)方案
[0008]為實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
[0009]一種像素補(bǔ)償電路，其特征在于，包括有機(jī)發(fā)光二極管、驅(qū)動(dòng)晶體管、第一至第五開關(guān)元件和存儲(chǔ)電容，其中:所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極與第一開關(guān)元件的第二端相連；所述第一開關(guān)元件的第一端與驅(qū)動(dòng)晶體管的輸出端、第五開關(guān)元件的第一端相連；所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端與第三開關(guān)元件的第二端、第五開關(guān)元件的第二端、以及存儲(chǔ)電容的第一端相連；所述存儲(chǔ)電容的第二端與第四開關(guān)元件的第二端、第二開關(guān)元件的第二端相連。
[0010]優(yōu)選地，還包括:第一驅(qū)動(dòng)電壓線，與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入端相連；第二驅(qū)動(dòng)電壓線，與所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極相連。
[0011]優(yōu)選地，還包括數(shù)據(jù)寫入電壓線，與所述第二開關(guān)元件的第一端相連。
[0012]優(yōu)選地，還包括初始化電壓線，與第三開關(guān)元件的第一端、第四開關(guān)元件的第一端相連。
[0013]優(yōu)選地，還包括寫入開關(guān)信號(hào)線，與第二開關(guān)元件的控制端、第五開關(guān)元件的控制端相連。
[0014]優(yōu)選地，還包括復(fù)位開關(guān)信號(hào)線，與所述第三開關(guān)元件的控制端相連。[0015]優(yōu)選地，還包括驅(qū)動(dòng)開關(guān)信號(hào)線，與第一開關(guān)元件的控制端、第四開關(guān)元件的控制端相連。
[0016]優(yōu)選地，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)晶體管、第一至第五開關(guān)元件均為薄膜晶體管。
[0017]一種陣列基板，其特征在于，包括上述任意一種像素補(bǔ)償電路。
[0018]一種顯示裝置，其特征在于，包括上述任意一種陣列基板。
[0019](三)有益效果
[0020]本實(shí)用新型至少具有如下的有益效果:
[0021]本實(shí)用新型所提出的像素補(bǔ)償電路結(jié)構(gòu)，使得最終驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光的電流與閾值電壓Vth和偏置電壓Vdd無關(guān)。從而其不但能補(bǔ)償閾值電壓偏移所造成的OLED電流偏差，還具有補(bǔ)償信號(hào)電壓衰減對(duì)電流影響的功能。
[0022]同時(shí)，這樣的電路結(jié)構(gòu)還具有驅(qū)動(dòng)晶體管柵極電位在幀與幀之間的復(fù)位功能，保證上幀信號(hào)對(duì)下幀信號(hào)的影響最小化，極大降低了幀與幀之間信號(hào)的影響。
[0023]當(dāng)然，實(shí)施本實(shí)用新型的任一產(chǎn)品并不一定需要同時(shí)達(dá)到以上所述的所有優(yōu)點(diǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例中像素補(bǔ)償電路的電路結(jié)構(gòu)圖；
[0026]圖2是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例中像素補(bǔ)償電路的電路時(shí)序圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0028]實(shí)施例1
[0029]本實(shí)用新型實(shí)施例提出了 一種像素補(bǔ)償電路，參見圖1，該電路包括:有機(jī)發(fā)光二極管D1、驅(qū)動(dòng)晶體管Ml、第一至第五開關(guān)元件M2至M6，和存儲(chǔ)電容Cl，其中:
[0030]所述有機(jī)發(fā)光二極管Dl的陰極與第一開關(guān)元件M2的第二端相連；所述第一開關(guān)元件M2的第一端與驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的輸出端、第五開關(guān)元件M6的第一端相連；
[0031]所述驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的控制端與第三開關(guān)元件M4的第二端、第五開關(guān)元件M6的第二端、以及存儲(chǔ)電容Cl的第一端相連(于圖1中的點(diǎn)B)；
[0032]所述存儲(chǔ)電容Cl的第二端與第四開關(guān)元件M5的第二端、第二開關(guān)元件M3的第二端相連(于圖1中的點(diǎn)A)。
[0033]其中的開關(guān)元件指由控制端信號(hào)控制其第一端與第二端是否連通的元件，當(dāng)然其可以由多種具體電器元件實(shí)現(xiàn)。[0034]可見，該電路的基本構(gòu)成和連接關(guān)系如上所述，其中的驅(qū)動(dòng)晶體管Ml、第一開關(guān)元件M2 (在導(dǎo)通時(shí)可視作導(dǎo)線)、有機(jī)發(fā)光二極管Dl構(gòu)成基本的OLED驅(qū)動(dòng)關(guān)系，而第一至第五開關(guān)元件可分別由其各自的控制端信號(hào)控制開關(guān)處于開啟/關(guān)閉狀態(tài)。
[0035]進(jìn)一步地，為實(shí)現(xiàn)該電路的功能，需要在該電路中施加必要的偏壓，包括:
[0036]第一驅(qū)動(dòng)電壓線，上面施加有正向工作偏壓Vdd,與所述驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的輸入端相連；第二驅(qū)動(dòng)電壓線，上面施加有負(fù)向工作偏壓V4，與所述有機(jī)發(fā)光二極管Dl的陽極相連；
[0037]數(shù)據(jù)寫入電壓線，上面施加有設(shè)定該電路中OLED如何發(fā)光的數(shù)據(jù)寫入電壓VData，與所述第二開關(guān)元件M3的第一端相連；
[0038]初始化電壓線，上面施加有恒定的初始化電壓Vinitial，與第三開關(guān)元件M4的第一端、第四開關(guān)兀件M5的第一端相連。
[0039]而且，對(duì)于每個(gè)開關(guān)元件開啟或關(guān)閉的控制，這里采用三條信號(hào)線分別進(jìn)行控制:
[0040]寫入開關(guān)信號(hào)線，上面加載有寫入開關(guān)信號(hào)電壓VGate，與第二開關(guān)元件M3的控制端、第五開關(guān)元件M6的控制端相連。
[0041 ] 復(fù)位開關(guān)信號(hào)線，上面加載有復(fù)位開關(guān)信號(hào)電壓VRef，與所述第三開關(guān)元件M4的控制端相連。
[0042]驅(qū)動(dòng)開關(guān)信號(hào)線，上面加載有驅(qū)動(dòng)開關(guān)信號(hào)電壓VEmission，與第一開關(guān)元件M2的控制端、第四開關(guān)元件M5的控制端相連。
[0043]當(dāng)然，所有偏置電壓的電位零點(diǎn)都連于同一個(gè)公共端上，所有信號(hào)電壓的電位零點(diǎn)也都連于同一個(gè)公共端上。
[0044]優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)晶體管、第一至第五開關(guān)元件均為薄膜晶體管TFT。
[0045]對(duì)應(yīng)于該特征，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入端、第一至第五開關(guān)元件的第一端均代表源極，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的輸出端、第一至第五開關(guān)元件的第二端均代表漏極，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端、第一至第五開關(guān)元件的控制端均代表柵極。并且，本實(shí)施例中采用的TFT為P型溝道的薄膜晶體管。
[0046]從而，由于本像素補(bǔ)償電路包含了 6個(gè)TFT和I個(gè)電容，所以也可以按本領(lǐng)域常用的命名方式而稱為新型6T1C像素補(bǔ)償電路。
[0047]基于上述所有優(yōu)選條件下的電路連接，該電路的工作原理如下:
[0048]參見該電路的工作時(shí)序圖圖2, Gate、Ref、Emission分別代表寫入開關(guān)信號(hào)、復(fù)位開關(guān)信號(hào)和驅(qū)動(dòng)開關(guān)信號(hào)?？傮w來說，該電路的工作分為三個(gè)階段:復(fù)位階段(a_b)、數(shù)據(jù)寫入和閾值電壓鎖存階段(b-c)、和發(fā)光階段(C-)。
[0049]具體來說，在復(fù)位階段，Ref和Gate開啟(低電平)。因?yàn)镚ate開啟，晶體管M3，M6開啟。M3的開啟使存儲(chǔ)電容Cl的A點(diǎn)電位變成VData ;而M6的開啟將驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極與漏極相連，使Ml形成二極管連接并處于導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)由于Ref也處于開啟狀態(tài)，晶體管M4開啟，此時(shí)會(huì)形成一個(gè)由晶體管Ml，M6和M4形成的回路。
[0050]從而在復(fù)位階段中，與此回路相連接的存儲(chǔ)電容Cl的B點(diǎn)受M4和Ml、M6的電路控制，由于M4直接與電源信號(hào)相連接，使得B點(diǎn)信號(hào)受其控制，而非Ml和M6的回路所控制。因此此時(shí)B點(diǎn)電位是Vinitial電位,每巾貞的復(fù)位階段中，都會(huì)將B點(diǎn)復(fù)位成Vinitial電位。存儲(chǔ)電容另外一端的A點(diǎn)電位受M3控制，此時(shí)直接加載VData。所以，在復(fù)位階段中，存儲(chǔ)電容A，B端電位會(huì)分別穩(wěn)定在VData和Vinitial。
[0051]數(shù)據(jù)寫入和閾值電壓鎖存階段，Ref處于關(guān)閉狀態(tài)，這使得M4關(guān)閉，節(jié)點(diǎn)B只受Ml和M6的回路控制。此時(shí)Ml還是處于二極管連接方式，因此B點(diǎn)電位寫入的是Vdd與閾值電壓Vth之和，而A點(diǎn)電位還是由M3直接加載VData。該階段結(jié)束時(shí)，存儲(chǔ)電容A，B兩端電位分別是VData和Vdd+Vth ο
[0052]發(fā)光階段中，Gate關(guān)閉，晶體管M3和M6關(guān)閉。Emission信號(hào)的開啟，使晶體管M5和M2開啟。M5的開啟使存儲(chǔ)電容Cl 一端A點(diǎn)電位變成Vinitial。根據(jù)電容電荷守恒原理，節(jié)點(diǎn)B的電位變成Vinitial+VDD+Vth-VData，也就是說使得驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的柵極信號(hào)變成Vinitial+VDD+Vth-VData，由于Ml處于飽和區(qū)工作，根據(jù)晶體管飽和區(qū)電流公式可知
[0053]
【權(quán)利要求】
1.一種像素補(bǔ)償電路，其特征在于，包括有機(jī)發(fā)光二極管、驅(qū)動(dòng)晶體管、第一至第五開關(guān)元件和存儲(chǔ)電容，其中: 所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極與第一開關(guān)元件的第二端相連； 所述第一開關(guān)元件的第一端與驅(qū)動(dòng)晶體管的輸出端、第五開關(guān)元件的第一端相連； 所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端與第三開關(guān)元件的第二端、第五開關(guān)元件的第二端、以及存儲(chǔ)電容的第一端相連； 所述存儲(chǔ)電容的第二端與第四開關(guān)元件的第二端、第二開關(guān)元件的第二端相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素補(bǔ)償電路，其特征在于，還包括: 第一驅(qū)動(dòng)電壓線，與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入端相連； 第二驅(qū)動(dòng)電壓線，與所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素補(bǔ)償電路，其特征在于，還包括數(shù)據(jù)寫入電壓線，與所述第二開關(guān)元件的第一端相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素補(bǔ)償電路，其特征在于，還包括初始化電壓線，與第三開關(guān)元件的第一端、第四開關(guān)元件的第一端相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素補(bǔ)償電路，其特征在于，還包括寫入開關(guān)信號(hào)線，與第二開關(guān)元件的控制端、第五開關(guān)元件的控制端相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素補(bǔ)償電路，其特征在于，還包括復(fù)位開關(guān)信號(hào)線，與所述第三開關(guān)元件的控制端相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素補(bǔ)償電路，其特征在于，還包括驅(qū)動(dòng)開關(guān)信號(hào)線，與第一開關(guān)元件的控制端、第四開關(guān)元件的控制端相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的像素補(bǔ)償電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)晶體管、第一至第五開關(guān)元件均為薄膜晶體管。
9.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的像素補(bǔ)償電路。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK203733450SQ201420135355
【公開日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2014年3月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月24日
【發(fā)明者】馬占潔 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司