本技術(shù)涉及顯示器，具體地涉及一種新型gip電路。

背景技術(shù)：

1、隨著顯示器應(yīng)用范圍越廣，應(yīng)用場(chǎng)景多變，所需廣溫范圍的性能也相對(duì)提升。其中，中大尺寸的顯示面板設(shè)計(jì)更為復(fù)雜，中大尺寸的是顯示面板不僅需要考量邊框大小，還需要能支持長(zhǎng)時(shí)間操作于高、低溫極端天氣的環(huán)境，因此中大尺寸面板的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)尤為重要。

2、gip即gate?in?panel；gip電路是指利用現(xiàn)有薄膜晶體管液晶顯示器array(陣列)制程將gate(柵極)行掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)電路制作在顯示面板上，實(shí)現(xiàn)對(duì)柵極線(xiàn)逐行掃描的驅(qū)動(dòng)方式的一項(xiàng)技術(shù)。

3、像素電路包括像素tft，橫向設(shè)置的柵極線(xiàn)控制像素tft的開(kāi)與關(guān)，以及縱向設(shè)置的源極線(xiàn)寫(xiě)入想要顯示的資料電壓至液晶。柵極線(xiàn)信號(hào)的由面板兩側(cè)的gip電路產(chǎn)生，gip電路由多個(gè)gip電路單元級(jí)聯(lián)而成，本級(jí)的gip電路單元的輸出信號(hào)不僅會(huì)傳輸至對(duì)應(yīng)級(jí)的像素電路作為柵極線(xiàn)信號(hào)并提供給像素tft的柵極，還會(huì)參與前后級(jí)的gip電路單元的工作。

4、如圖1所示，傳統(tǒng)gip電路的示意圖。此gip電路是由13個(gè)晶體管和1個(gè)電容組成13t1c的電路單元；圖中，在預(yù)充電階段之前，p1點(diǎn)與p2點(diǎn)交替為高電平，對(duì)應(yīng)地晶體管t3與t13交替打開(kāi)，q點(diǎn)經(jīng)過(guò)晶體管t3或t13連接到vgl信號(hào)線(xiàn)，q點(diǎn)的電壓被拉低；然后在預(yù)充電階段開(kāi)始時(shí)，gn-4信號(hào)線(xiàn)為高電平，gn+4信號(hào)線(xiàn)為低電平，晶體管ti打開(kāi)，晶體管t7關(guān)閉，fw信號(hào)線(xiàn)經(jīng)過(guò)晶體管t1對(duì)q點(diǎn)進(jìn)行充電，但是在預(yù)充電階段開(kāi)始的這時(shí)間段，晶體管t3或t13處于打開(kāi)狀態(tài)，q點(diǎn)發(fā)生漏電，所以q點(diǎn)的充電速度較慢；隨著預(yù)充電的進(jìn)行，在q點(diǎn)的電壓上升到能打開(kāi)晶體管t2與t12時(shí)，p1點(diǎn)經(jīng)過(guò)晶體管t2連接到vgl信號(hào)線(xiàn)，p2點(diǎn)經(jīng)過(guò)晶體管t12連接到vgl信號(hào)線(xiàn)，此時(shí)p1點(diǎn)與p2點(diǎn)都為低電平，晶體管t3與晶體管13都關(guān)閉。所以在圖1的電路中，受p1點(diǎn)或p2點(diǎn)的下拉影響，q點(diǎn)預(yù)充能力較弱，可承受電性偏移裕度較小。

5、因此，如何強(qiáng)化q點(diǎn)預(yù)充能力，提高可承受電性偏移裕度，是目前本領(lǐng)域亟待解決的一個(gè)技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題，在于提供一種新型gip電路，強(qiáng)化q點(diǎn)預(yù)充能力，提高可承受電性偏移裕度。

2、本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種新型gip電路，包括：

3、晶體管t1、晶體管t2、晶體管t3、晶體管t4、晶體管t5、晶體管t6、晶體管t7、晶體管t8、晶體管t9、晶體管t10、晶體管t11、晶體管t12、晶體管t13、晶體管t14、晶體管t15和電容c；

4、所述晶體管t1的柵極與預(yù)充控制端連接，源極與fw信號(hào)線(xiàn)連接，漏極與q點(diǎn)連接；

5、所述晶體管t2的柵極與q點(diǎn)連接，源極與p1點(diǎn)連接，漏極與vgl信號(hào)線(xiàn)連接；

6、所述晶體管t3的柵極與p1點(diǎn)連接，源極與q點(diǎn)連接，漏極與vgl信號(hào)線(xiàn)連接；

7、所述晶體管t4的柵極與q點(diǎn)連接，源極與ck信號(hào)線(xiàn)連接，漏極與gn信號(hào)線(xiàn)連接；

8、所述晶體管t5的柵極與p2點(diǎn)連接，源極與gn信號(hào)線(xiàn)連接，漏極與vgl信號(hào)線(xiàn)連接；

9、所述晶體管t6的柵極與p1點(diǎn)連接，源極與q點(diǎn)連接，漏極與vgl信號(hào)線(xiàn)連接；

10、所述晶體管t7的柵極與釋放控制端連接，源極與bw信號(hào)線(xiàn)連接，漏極與q點(diǎn)連接；

11、所述晶體管t8的柵極、源極都與v2信號(hào)線(xiàn)連接，漏極與p1點(diǎn)連接；

12、所述晶體管t9的柵極、源極都與v1信號(hào)線(xiàn)連接，漏極與p2點(diǎn)連接；

13、所述晶體管t10的柵極與v1信號(hào)線(xiàn)連接，源極與p1點(diǎn)連接，漏極與vgl信號(hào)線(xiàn)連接；

14、所述晶體管t11的柵極與v2信號(hào)線(xiàn)連接，源極與p2點(diǎn)連接，漏極與vgl信號(hào)線(xiàn)連接；

15、所述晶體管t12的柵極與q點(diǎn)連接，源極與p2點(diǎn)連接，漏極與vgl信號(hào)線(xiàn)連接；

16、所述晶體管t13的柵極與p2點(diǎn)連接，源極與q點(diǎn)連接，漏極與vgl信號(hào)線(xiàn)連接；

17、所述晶體管t14的柵極與預(yù)充控制端連接，源極與vgl信號(hào)線(xiàn)連接，漏極與p2點(diǎn)連接；

18、所述晶體管t15的柵極與預(yù)充控制端連接，源極與vgl信號(hào)線(xiàn)連接，漏極與p1點(diǎn)連接；

19、所述電容c的一端與q點(diǎn)連接，另一端與gn信號(hào)線(xiàn)連接。

20、進(jìn)一步地，所述預(yù)充控制端與gn-4信號(hào)線(xiàn)連接，所述釋放控制端與gn+4信號(hào)線(xiàn)連接。

21、進(jìn)一步地，所述gn信號(hào)線(xiàn)與第n級(jí)像素電路的柵極線(xiàn)連接。

22、進(jìn)一步地，還包括：驅(qū)動(dòng)ic，所述驅(qū)動(dòng)ic與所述fw信號(hào)線(xiàn)、bw信號(hào)線(xiàn)、vgl信號(hào)線(xiàn)、v1信號(hào)線(xiàn)、v2信號(hào)線(xiàn)、ck信號(hào)線(xiàn)連接。

23、進(jìn)一步地，所述晶體管t1、晶體管t2、晶體管t3、晶體管t4、晶體管t5、晶體管t6、晶體管t7、晶體管t8、晶體管t9、晶體管t10、晶體管t11、晶體管t12、晶體管t13、晶體管t14、晶體管t15都是tft薄膜晶體管。

24、進(jìn)一步地，所述晶體管t1、晶體管t2、晶體管t3、晶體管t4、晶體管t5、晶體管t6、晶體管t7、晶體管t8、晶體管t9、晶體管t10、晶體管t11、晶體管t12、晶體管t13、晶體管t14、晶體管t15和電容c都固定設(shè)置在顯示面板。

25、進(jìn)一步地，所述顯示面板是lcd顯示面板或者oled顯示面板。

26、與背景技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：新增晶體管t14與t15形成兩組下拉電路，分別用于在預(yù)充階段下拉p1點(diǎn)與p2點(diǎn)的電壓，在預(yù)充階段開(kāi)始時(shí)，p1點(diǎn)與p2點(diǎn)就處于低電平，防止q點(diǎn)的電壓被下拉，強(qiáng)化q點(diǎn)預(yù)充，提高可承受電性偏移裕度，有效地提升產(chǎn)品信賴(lài)性能力。

技術(shù)特征：

1.一種新型gip電路，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型gip電路，其特征在于，所述預(yù)充控制端與gn-4信號(hào)線(xiàn)連接，所述釋放控制端與gn+4信號(hào)線(xiàn)連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型gip電路，其特征在于，所述gn信號(hào)線(xiàn)與第n級(jí)像素電路的柵極線(xiàn)連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型gip電路，其特征在于，還包括：驅(qū)動(dòng)ic，所述驅(qū)動(dòng)ic與所述fw信號(hào)線(xiàn)、bw信號(hào)線(xiàn)、vgl信號(hào)線(xiàn)、v1信號(hào)線(xiàn)、v2信號(hào)線(xiàn)、ck信號(hào)線(xiàn)連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型gip電路，其特征在于，所述晶體管t1、晶體管t2、晶體管t3、晶體管t4、晶體管t5、晶體管t6、晶體管t7、晶體管t8、晶體管t9、晶體管t10、晶體管t11、晶體管t12、晶體管t13、晶體管t14、晶體管t15都是tft薄膜晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型gip電路，其特征在于，所述晶體管t1、晶體管t2、晶體管t3、晶體管t4、晶體管t5、晶體管t6、晶體管t7、晶體管t8、晶體管t9、晶體管t10、晶體管t11、晶體管t12、晶體管t13、晶體管t14、晶體管t15和電容c都固定設(shè)置在顯示面板。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種新型gip電路，其特征在于，所述顯示面板是lcd顯示面板或者oled顯示面板。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，提供一種新型GIP電路，包括：晶體管T1、晶體管T2、晶體管T3、晶體管T4、晶體管T5、晶體管T6、晶體管T7、晶體管T8、晶體管T9、晶體管T10、晶體管T11、晶體管T12、晶體管T13、晶體管T14、晶體管T15和電容C；晶體管T14的柵極與預(yù)充控制端連接，源極與VGL信號(hào)線(xiàn)連接，漏極與P2點(diǎn)連接；晶體管T15的柵極與預(yù)充控制端連接，源極與VGL信號(hào)線(xiàn)連接，漏極與P1點(diǎn)連接。本技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于：新增晶體管T14與T15形成兩組下拉電路，分別用于在預(yù)充階段下拉P1點(diǎn)與P2點(diǎn)的電壓，在預(yù)充階段開(kāi)始時(shí)，強(qiáng)化Q點(diǎn)預(yù)充，提高可承受電性偏移裕度。

技術(shù)研發(fā)人員：汪梅藝,陳廷安
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華映科技（集團(tuán)）股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240218
技術(shù)公布日：2024/11/18