專利名稱：半導(dǎo)體組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種既可靠又經(jīng)濟(jì)的半導(dǎo)體組件。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件領(lǐng)域中的近來(lái)的發(fā)展是引人注目的，半導(dǎo)體器件的應(yīng)用領(lǐng)域已在連續(xù)地?cái)U(kuò)展。與可認(rèn)為是半導(dǎo)體器件的核心的半導(dǎo)體芯片的發(fā)展相同步，對(duì)于半導(dǎo)體芯片的封裝已進(jìn)行了很大的改進(jìn)。
例如，已提出了各種不同的建議來(lái)改善諸如公用電話磁卡的預(yù)付卡、諸如機(jī)動(dòng)車司機(jī)執(zhí)照的個(gè)人身份卡和火車通行證的安全性和增加其方便性。
如在由Shadan Hojin Joho Shori Gakkai編輯的、由KK Ohm出版的“信息處理手冊(cè)”(第1版，1990年5月30日，第302至304頁(yè))中所描述的那樣，這種IC卡的特征在于由下述部分構(gòu)成具有導(dǎo)體電路的電路板；安裝在該電路板上的半導(dǎo)體芯片；可選擇的諸如電容器的電子元件；用于接收和傳送進(jìn)入或離開(kāi)該電路板的信號(hào)的器件；和用于覆蓋該電路板的外殼。
關(guān)于該IC卡的結(jié)構(gòu)，如在由Shadan Hojin Joho Denshi Joho TsushinGakkai編輯的、由KK Ohm出版的“IC卡”(第1版，1990年5月25日，第33頁(yè))中所描述的那樣，也已知，如圖8所說(shuō)明的，將半導(dǎo)體芯片通過(guò)使用粘接劑10固定到卡基板1上，并用鍵合引線11連接半導(dǎo)體芯片的連接端與該卡基板的連接端。
這里考慮的半導(dǎo)體芯片的厚度約從200至400微米，半導(dǎo)體芯片抗彎曲應(yīng)力的能力不是很強(qiáng)，故需要控制加在半導(dǎo)體芯片上的應(yīng)力。因而，必須限制半導(dǎo)體芯片的尺寸，和/或必須用抗彎曲應(yīng)力的材料來(lái)制成外殼。
如日本專利公開(kāi)(kokai)出版物第3-87299號(hào)中所公開(kāi)的，也已知通過(guò)制備包括非常薄的LSI的IC模塊和將該IC模塊安裝在封裝體的表面上設(shè)置的凹槽內(nèi)來(lái)制作IC卡，其中上述薄的LSI是通過(guò)將LSI研磨減薄同時(shí)使驅(qū)動(dòng)器件保持不變來(lái)制備的。與使用安裝在較厚的基板上的非常薄的LSI的IC卡相聯(lián)系的一個(gè)固有的問(wèn)題是缺乏可靠性，這是因?yàn)楸〉腖SI在卡基板經(jīng)受彎曲變形時(shí)對(duì)于加到LSI芯片的正面和反面的張應(yīng)力和壓應(yīng)力是易損壞的。
在日本專利公開(kāi)(kokai)出版物第7-99267號(hào)中建議將該薄的IC放在IC卡厚度的中間部分作為克服這個(gè)問(wèn)題的方法。按照該技術(shù)，如圖9所示，將半導(dǎo)體芯片2安裝在印刷電路板1上，使半導(dǎo)體芯片的連接端和印刷電路板的連接端暴露在一個(gè)共同的面上，用被印制的導(dǎo)電糊劑12使半導(dǎo)體芯片的連接端和印刷電端板的連接端互相進(jìn)行電連接。
但是，按照該方法，在該方法中將半導(dǎo)體芯片安裝在印刷電路板上，使半導(dǎo)體芯片的連接端和印刷電路板的連接端暴露在一個(gè)共同的面上，用被印制的導(dǎo)電糊劑使半導(dǎo)體芯片的連接端和印刷電路板的連接端互相進(jìn)行電連接，當(dāng)使IC卡經(jīng)受彎曲變形時(shí)，應(yīng)力趨向于集中在半導(dǎo)體芯片的連接端和印刷電路板的連接端之間的邊界內(nèi)，在導(dǎo)電糊劑中可能產(chǎn)生裂縫，其結(jié)果是存在電斷路的很大的危險(xiǎn)性。
發(fā)明簡(jiǎn)述鑒于現(xiàn)有技術(shù)的這種問(wèn)題，本發(fā)明的主要目的是提供這樣一種半導(dǎo)體組件，該組件可提供很高的對(duì)于電斷路的可靠性，該組件對(duì)于制造來(lái)說(shuō)是經(jīng)濟(jì)的。
本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供一種可經(jīng)受重復(fù)彎曲變形的半導(dǎo)體組件。
本發(fā)明的第三個(gè)目的是提供適合用作IC卡的半導(dǎo)體組件。
本發(fā)明的這些和其他的目的可通過(guò)提供下述的半導(dǎo)體組件來(lái)達(dá)到，該組件包括包含導(dǎo)體電路的電路板，該導(dǎo)體電路包含連接焊接區(qū)；在其第1面上設(shè)有連接端的、安裝在電路板上的半導(dǎo)體芯片；覆蓋該電路板的外殼；其中將導(dǎo)體電路的連接焊接區(qū)和半導(dǎo)體芯片的連接端以彼此面對(duì)的關(guān)系來(lái)配置，并用導(dǎo)電粘接劑互相連接，半導(dǎo)體芯片的中性平面基本上與半導(dǎo)體組件的總的中性平面重合。
導(dǎo)電粘接劑最好由各向異性的導(dǎo)電粘接膜來(lái)構(gòu)成。該導(dǎo)體電路可通過(guò)例如用絲網(wǎng)印刷在電路板上淀積導(dǎo)電油墨或通過(guò)有選擇地刻蝕在電路板上形成的一層諸如銅箔的金屬箔來(lái)形成。該導(dǎo)體電路還可包括至少在電路板的一個(gè)面上形成的天線電路。
按照本發(fā)明，因?yàn)楸舜嗣鎸?duì)地設(shè)置半導(dǎo)體芯片和電路板的導(dǎo)體電路的連接端，故可減少連接部分的厚度，與常規(guī)的基于引線鍵合工藝的方法或基于涂敷導(dǎo)電油墨的方法相反，可簡(jiǎn)化電連接的步驟。
通過(guò)將多層塑料膜、塑料薄片或涂敷了粘接劑的塑料薄片固定到電路板的上表面和下表面上以便將半導(dǎo)體芯片放置在組件的厚度的中點(diǎn)，可在該組件經(jīng)受彎曲應(yīng)力時(shí)使電連接處的應(yīng)力集中為最小。
再有，通過(guò)對(duì)電路板的導(dǎo)體電路使用導(dǎo)電油墨，與迄今能做到的相比，可制造更經(jīng)濟(jì)和更平整的IC卡。
最好將一般由涂敷了粘接劑的膜構(gòu)成的襯墊固定到電路板的一個(gè)面上，該膜設(shè)有用于在其中容納半導(dǎo)體芯片的切口。這提供了一種方便的途徑來(lái)界定用于在其中容納半導(dǎo)體芯片的凹槽，而不會(huì)使該組件的外表面上出現(xiàn)任何不平整性。特別是通過(guò)將電子元件的半導(dǎo)體芯片的外輪廓和該襯墊中的切口的外周邊之間的間隙設(shè)置在預(yù)定的范圍內(nèi)，可消除任何可能另外陷在該間隙內(nèi)的氣泡，可提供可靠的和具有平整表面的IC卡。
希望本發(fā)明中使用的半導(dǎo)體芯片盡可能地薄，可以是任何普通類型的而沒(méi)有任何限制。
用于電路板的絕緣材料可由普通的塑料膜或塑料薄片，或用玻璃纖維增強(qiáng)的塑料薄片組成，上述塑料膜或塑料薄片如聚碳酸酯膜、聚乙烯膜、聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜、聚酰亞胺膜和PVC膜。根據(jù)機(jī)械強(qiáng)度和成本，聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜是比較理想的。從市場(chǎng)可購(gòu)買到的材料包括Diafoil(商標(biāo)名，Diafoil Hoekist KK)，Teijin Tetron膜(商標(biāo)名，Teijin KK)和Toyobo Ester膜(商標(biāo)名，Toyobo KK)。
可通過(guò)在用粘接劑層疊有銅層的膜上淀積抗蝕劑和用刻蝕除去銅層的不需要的部分，或在另一種方式下通過(guò)用絲網(wǎng)印刷在膜的表面上涂敷導(dǎo)電糊劑并固化該糊劑，從而在膜的表面上形成電路導(dǎo)體圖形。
本發(fā)明中使用的導(dǎo)電粘接劑可由混合有諸如銀粒子和銅粒子等導(dǎo)電粒子的聚酯樹(shù)脂、苯酚樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成。從市場(chǎng)可購(gòu)買到的材料包括LS-3015HV，LS-1048，和ACP-105(商標(biāo)名，由KK Asahi KagakuKenkyusho制造)，和FA-705A，XA-220，XA-412，D-723S，和XA-256M(商標(biāo)名，由Fujikura Kasei KK制造)。
也可使用各向異性的導(dǎo)電粘接膜來(lái)代替這種粘接劑，從市場(chǎng)上能購(gòu)買到的材料中可選擇Anisolm(商標(biāo)名，Hitachi Kasei Kogyo KK)。
能用于本發(fā)明的粘接劑可由聚酯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂或丙烯腈樹(shù)脂組成。
在其上涂敷粘接劑的塑料膜，塑料薄片或玻璃纖維增強(qiáng)的塑料薄片可在其對(duì)應(yīng)于安裝半導(dǎo)體芯片和電子元件的位置的部分設(shè)置切口。
每個(gè)切口的尺寸可按照半導(dǎo)體芯片或電子元件的厚度來(lái)選擇。例如，當(dāng)半導(dǎo)體芯片或電子元件的厚度是從110至260微米時(shí)，在半導(dǎo)體芯片或電子元件的外輪廓和在襯墊內(nèi)形成的切口的內(nèi)輪廓之間的間隙最好是從50至500微米。再有，當(dāng)半導(dǎo)體芯片或電子元件的厚度是從50至110微米時(shí)，間隙最好是從50至1000微米，當(dāng)半導(dǎo)體芯片或電子元件的厚度是從0.5至50微米時(shí)，間隙最好是從50至2000微米。
如間隙大于預(yù)定范圍，則已完成的卡的表面可能有大的不平整性。如間隙小于預(yù)定范圍，則定位變得非常困難。
附圖的簡(jiǎn)單描述以下參照附圖描述本發(fā)明，其中

圖1是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的剖面圖；圖2是圖1的組件的一部分的平面圖；圖3是圖1和圖2中示出的襯墊的平面圖；圖4是示出本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的、類似于圖1的視圖；圖5是示出本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的、類似于圖1的視圖；圖6是圖5的電路板的正面的平面圖；圖7是圖5的電路板的反面的平面圖；圖8是示出現(xiàn)有例的剖面圖；圖9是示出另一現(xiàn)有例的剖面圖；和圖10示出最小可容許的曲率半徑和半導(dǎo)體芯片的厚度之間的關(guān)系圖。
優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述實(shí)施例1如圖1和2中所示，通過(guò)使用一種導(dǎo)電糊劑3(FA-320，商標(biāo)名，由KK Asahi Kagaku Kenkyusho制造)將厚度為30微米的半導(dǎo)體和其他電子芯片2(IC和電容器)固定到其上具有印刷電路4的電路板1的一個(gè)表面上。也可通過(guò)有選擇地刻蝕一層銅箔來(lái)形成印刷電路4。將具有切口8的襯墊薄片7放置在電路板1的表面上。圖3以平面圖示出該襯墊7。將切口8的尺寸作成圍繞每個(gè)芯片界定50至2000微米的間隙。在本實(shí)施例中，襯墊薄片7包括涂敷了25微米厚的粘接劑層71的25微米厚的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜72，和在圖中未示出的1微米厚的底層。另外，通過(guò)利用層合機(jī)將由涂敷了20微米厚的粘接劑層51的125微米厚的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜52組成的、用作上蓋的外殼5層疊在襯墊7上。一旦該層疊工藝完成，就將該芯片放置于厚度為516微米的IC卡的中性平面內(nèi)。換言之，將半導(dǎo)體芯片2基本上放置在IC卡的厚度的中間部分。因?yàn)橛捎贗C卡的彎曲變形而產(chǎn)生的壓應(yīng)力和張應(yīng)力隨離開(kāi)中性平面的距離而線性地成比例地增加，故半導(dǎo)體芯片2基本上不受壓應(yīng)力和張應(yīng)力的影響。當(dāng)IC卡組件基本均勻時(shí)，這里定義的中性平面可以是幾何學(xué)上的中性平面，但象在機(jī)械領(lǐng)域中熟知的那樣，如果在IC卡的結(jié)構(gòu)中在幾何學(xué)中性平面附近存在任何不對(duì)稱性，則上述中性平面也可偏離幾何學(xué)上的中性平面。
實(shí)施例2如圖4中所示，將涂敷了20微米厚粘接劑層51的75微米厚的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜5 2構(gòu)成的附加層層疊在實(shí)施例1的IC卡的上表面和下表面上，以制成厚度為516微米的IC卡。這樣，在這種情況下，外殼5包括一對(duì)上層52和單一下層52。
實(shí)施例3與實(shí)施例2類似，將涂敷了20微米厚粘接劑層51的188微米厚的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜52構(gòu)成的附加層層疊在實(shí)施例1的IC卡的上表面和下表面上，以制成厚度為742微米的IC卡。
實(shí)施例4使用30微米厚的芯片2來(lái)代替實(shí)施例1的50微米厚的芯片，使用由聚對(duì)苯二甲酸乙酯制成的50微米厚的襯墊7來(lái)制造厚度為346微米的IC卡。
實(shí)施例5將涂敷了20微米厚粘接劑層51的75微米厚的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜52構(gòu)成的附加層層疊在實(shí)施例4的IC卡的上表面和下表面上，以制造如圖4中示出的厚度為536微米的IC卡。
實(shí)施例6與實(shí)施例5類似，將一個(gè)覆蓋膜，一個(gè)涂敷了20微米厚粘接劑層51的188微米厚的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜52構(gòu)成的附加層層疊在實(shí)施例4的IC卡的上表面和下表面上，以制成厚度為762微米的IC卡。
實(shí)施例7使用100微米厚的半導(dǎo)體芯片2來(lái)代替實(shí)施例1的芯片，使用由聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜72制成的100微米厚的襯墊7來(lái)制造厚度為346微米的IC卡。切口8是這樣設(shè)置的，使得圍繞每個(gè)由IC和其他電子元件組成的芯片2界定50至1000微米的間隙。
實(shí)施例8將涂敷了20微米厚粘接劑層51的75微米厚的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜52構(gòu)成的附加層層疊在實(shí)施例7的IC卡的上表面和下表面上，以制造如圖4中示出的厚度為586微米的IC卡。
實(shí)施例9與實(shí)施例8類似，將涂敷了20微米厚粘接劑層51的188微米厚的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜52構(gòu)成的附加層層疊在實(shí)施例7的IC卡的上表面和下表面上，以制成厚度為812微米的IC卡。
實(shí)施例10使用200微米厚的芯片2來(lái)代替實(shí)施例1的芯片，使用由聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜72制成的188微米厚的襯墊7來(lái)制造厚度為496微米的IC卡。切口8是這樣設(shè)置的，使得圍繞每個(gè)芯片2界定50至500微米的間隙。
實(shí)施例11將涂敷了20微米厚的粘接劑層51的75微米厚的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜52構(gòu)成的附加層層疊在實(shí)施例10的IC卡的上表面和下表面上，以制成圖4中示出的厚度為686微米的IC卡。
實(shí)施例12與實(shí)施例11類似，將涂敷了20微米厚粘接劑層51的188微米厚的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜52構(gòu)成的附加層層疊在實(shí)施例10的IC卡的上表面和下表面上，以制造厚度為912微米的IC卡。
實(shí)施例13使用500微米厚的芯片2來(lái)代替實(shí)施例1的芯片，使用由聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜72制成的500微米厚的襯墊7來(lái)制造厚度為796微米的IC卡。
實(shí)施例14將涂敷了20微米厚粘接劑層51的75微米厚的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜52構(gòu)成的附加層層疊在實(shí)施例13的IC卡的上表面和下表面上，以制成圖4中示出的厚度為986微米的IC卡。
實(shí)施例15與實(shí)施例14類似，將涂敷了20微米厚粘接劑層51的188微米厚的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜52構(gòu)成的附加層層疊在實(shí)施例10的IC卡的上表面和下表面上，以制造厚度為1,212微米的IC卡。
實(shí)施例16參照?qǐng)D5至7，其中對(duì)應(yīng)于以上的實(shí)施例的部分用相同的數(shù)字來(lái)表示，通過(guò)將由18微米厚導(dǎo)電層組成的天線電路41放置在75微米厚的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜層的兩個(gè)表面上來(lái)形成印刷電路板1，通過(guò)使用以商標(biāo)名為Anisolm銷售的各向異性導(dǎo)電膜將厚度為50微米的半導(dǎo)體芯片和電容器芯片4a和4b安裝在該印刷電路板1上，以形成IC卡的功能部分。
在75微米厚的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜層的每個(gè)面上形成天線線圈41和42，將該膜的上表面和下表面上的兩個(gè)線圈經(jīng)由預(yù)先在電路板1的預(yù)定部分設(shè)置的通孔43和44而互相連接。
將三層襯墊膜71放置在該功能部分上，將一對(duì)由涂敷了24微米厚粘接劑層的188微米和75微米厚的聚對(duì)苯二甲酸乙酯組成的覆蓋膜層52通過(guò)使用層合機(jī)分別層疊在該組件的上表面和下表面上，從而在層疊工藝之后形成厚度為474微米的IC卡。
實(shí)施例17使用一對(duì)由250微米和125微米厚的聚對(duì)苯二甲酸乙酯組成的覆蓋膜層51分別代替實(shí)施例16的188微米厚的上覆蓋膜和75微米厚的下覆蓋膜，從而得到厚度為574微米的IC卡。
實(shí)施例18對(duì)印刷電路板1使用125微米厚的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜來(lái)代替實(shí)施例16的75微米厚的膜，以改善印刷精度。另外，分別使用測(cè)量厚度分別為188微米和100微米的二層覆蓋膜51作為上覆蓋膜，使用125微米厚的膜代替75微米厚的下覆蓋膜，從而得到厚度為720微米的IC卡。
實(shí)施例19在實(shí)施例10和13中，在L-K＞500微米的條件下，其中K是芯片的尺寸，L是襯墊內(nèi)的切口8的尺寸，在IC卡的表面產(chǎn)生超過(guò)100微米的表面不平整度。這些不平整度可歸因于過(guò)大的內(nèi)部間隙的尺寸，通過(guò)調(diào)整使得L-K＜500微米可將表面不平整度降低到80微米或更小。
實(shí)施例20在實(shí)施例7中，在L-K＞1000微米的條件下，在IC卡的表面是產(chǎn)生超過(guò)100微米的表面不平整度。這些不平整度可歸因于過(guò)大的內(nèi)部間隙的尺寸，通過(guò)調(diào)整使得L-K＜1000微米可將表面不平整度降低到80微米或更小。
實(shí)施例21在實(shí)施例4中，在L-K＞2000微米的條件下，在IC卡的表面是產(chǎn)生超過(guò)100微米的表面不平整度。這些不平整度可歸因于過(guò)大的內(nèi)部間隙的尺寸，通過(guò)調(diào)整使得L-K＜2000微米可將表面不平整度降低到80微米或更小。
對(duì)這樣制備的IC卡在經(jīng)受彎曲變形時(shí)的電連接的可靠性進(jìn)行了測(cè)試。在一些情況下已觀察到物理?yè)p傷，但當(dāng)曲率半徑為2.5至5mm時(shí)對(duì)50微米厚的IC芯片不發(fā)生電斷路，當(dāng)曲率半徑為10至15mm時(shí)對(duì)100微米厚的IC芯片不發(fā)生電斷路，當(dāng)曲率半徑為25至30mm時(shí)對(duì)200微米厚的IC芯片不發(fā)生電斷路。圖10是示出最小可容許的曲率半徑和半導(dǎo)體芯片的厚度之間的關(guān)系圖，該圖是通過(guò)應(yīng)用實(shí)施例1的配置從實(shí)驗(yàn)得到的。
為了比較，按照日本專利公開(kāi)出版物第7-99267號(hào)的所述內(nèi)容通過(guò)將半導(dǎo)體芯片安裝在電路基板上來(lái)制備IC卡，其中使半導(dǎo)體芯片的連接端和該電路基板的連接端暴露在一個(gè)共同的面上和通過(guò)使用導(dǎo)電糊劑將這些連接端互相連接。其材料與實(shí)施例1中使用的材料相同，使最終厚度與按照本發(fā)明的組件的最終厚度一致。按照這些用于比較的IC卡，對(duì)于彎曲應(yīng)力的相同范圍，在20％至40％的情況下發(fā)生電斷路，這一點(diǎn)證明了按照本發(fā)明制備的IC卡中的電連接的高的可靠性。因此，本發(fā)明的器件對(duì)于電連接是高可靠的，對(duì)于制造來(lái)說(shuō)是經(jīng)濟(jì)的。
雖然已根據(jù)特定的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但在不偏離本發(fā)明的精神的情況下可進(jìn)行修正和改變其細(xì)節(jié)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體組件，包括電路板(1)，包含導(dǎo)體電路，所述導(dǎo)體電路包含連接焊接區(qū)；半導(dǎo)體芯片(2)，在其第1面上設(shè)有連接端，該半導(dǎo)體芯片安裝在所述電路板上；和外殼(5)，覆蓋所述電路板；其中將所述導(dǎo)體電路的連接焊接區(qū)和半導(dǎo)體芯片的所述連接端以彼此面對(duì)的關(guān)系來(lái)配置，并用導(dǎo)電粘接劑互相連接，半導(dǎo)體芯片的中性平面基本上與所述半導(dǎo)體組件的總的中性平面重合。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其中所述導(dǎo)電粘接劑由各向異性的導(dǎo)電粘接膜來(lái)構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其中所述導(dǎo)體電路可通過(guò)在所述電路板上淀積導(dǎo)電油墨來(lái)形成。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其中所述導(dǎo)體電路可通過(guò)有選擇地刻蝕在所述電路板上形成的一層金屬箔來(lái)形成。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其中所述導(dǎo)體電路還包括至少在所述電路板的一個(gè)面上形成的天線電路(41，42)。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其中將由覆蓋了粘接劑的膜組成的襯墊(7)固定到所述電路板的表面上，所述膜設(shè)有用于在其中容納所述半導(dǎo)體芯片的切口(8)。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體組件，其中在所述半導(dǎo)體芯片的周邊部分和所述切口的周圍邊緣之間的間隙足夠小，以避免任何不可接受的表面不平整性在所述組件中發(fā)展。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其中在所述半導(dǎo)體芯片的周邊部分和所述切口的周圍邊緣之間的間隙足夠小，以使L-K＜2000微米，其中L是所述切口的尺寸，K是所述半導(dǎo)體芯片的對(duì)應(yīng)的尺寸。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其中所述外殼包括放置在所述電路板上的塑料膜。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其中所述半導(dǎo)體芯片具有不大于200微米的厚度。
全文摘要
提供了一種半導(dǎo)體組件,它包括:電路板(1),它包含導(dǎo)體電路(4),該導(dǎo)體電路包含連接焊接區(qū);半導(dǎo)體芯片(2),在其第1面上設(shè)有連接端;和安裝在電路板上的、覆蓋電路板的外殼(5),其中將導(dǎo)體電路的連接焊接區(qū)和半導(dǎo)體芯片的連接端配置成互相面對(duì)的關(guān)系,并用導(dǎo)電粘接劑進(jìn)行互相連接,半導(dǎo)體芯片的中性平面基本上與半導(dǎo)體組件的總的中性平面重合。
文檔編號(hào)B42D15/10GK1185232SQ96194071
公開(kāi)日1998年6月17日 申請(qǐng)日期1996年5月22日 優(yōu)先權(quán)日1995年5月23日
發(fā)明者宇佐美光雄, 西邦彥, 三上喜勝, 鈴木正勝 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所, 日立化成工業(yè)株式會(huì)社