檢測電路、結(jié)構(gòu)特征的識別方法及顯示基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種檢測電路、結(jié)構(gòu)特征的識別方法及顯示基板，所述檢測電路，用于識別待識別特征結(jié)構(gòu)，所述檢測電路包括：感應(yīng)模塊和處理模塊；所述感應(yīng)模塊用于向所述處理模塊輸出只包含所述感應(yīng)模塊的噪聲信息的第一信號，所述感應(yīng)模塊還用于感應(yīng)待識別特征結(jié)構(gòu)，得到包含待識別特征結(jié)構(gòu)信息的第二信號，并向處理模塊輸出包含第一信號和第二信號的第三信號，所述處理模塊用于對第一信號和第三信號進(jìn)行求差處理，以輸出所述第二信號。本發(fā)明提供的檢測電路能夠提高特征識別的準(zhǔn)確度。
【專利說明】
檢測電路、結(jié)構(gòu)特征的識別方法及顯示基板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及信息處理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種檢測電路、結(jié)構(gòu)特征的識別方法及顯示基板。
【背景技術(shù)】
[0002]對于一些智能設(shè)備而言，在進(jìn)行特征識別時，一般都是采用相應(yīng)的電路對待識別的特征進(jìn)行識別。然而受電路器件工藝差異以及器件一致性的影響，使得特征識別的準(zhǔn)確性受到電路本身結(jié)構(gòu)的影響，從而導(dǎo)致特征識別結(jié)果不太準(zhǔn)確，進(jìn)而影響用戶體驗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明提供一種檢測電路、結(jié)構(gòu)特征的識別方法及顯示基板，能夠提高特征識別的準(zhǔn)確度。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
[0005]第一方面，本發(fā)明提供了一種檢測電路，用于識別待識別特征結(jié)構(gòu)，所述檢測電路包括:感應(yīng)模塊和處理模塊；
[0006]所述感應(yīng)模塊用于向所述處理模塊輸出只包含所述感應(yīng)模塊的噪聲信息的第一信號，所述感應(yīng)模塊還用于感應(yīng)待識別特征結(jié)構(gòu)，得到包含待識別特征結(jié)構(gòu)信息的第二信號，并向處理模塊輸出包含第一信號和第二信號的第三信號，所述處理模塊用于對第一信號和第三信號進(jìn)行求差處理，以輸出所述第二信號。
[0007]優(yōu)選地，所述感應(yīng)模塊包括:感應(yīng)單元、復(fù)位晶體管、第一晶體管、第二晶體管、存儲電容和放大晶體管;其中，所述感應(yīng)單元的第一端與第一電源端連接，第二端與第一節(jié)點連接；
[0008]所述復(fù)位晶體管的第一端與復(fù)位控制端連接、第二端與第二電源端連接，第三端與第一節(jié)點連接；
[0009]所述第一晶體管的第一端與第一控制端連接，第二端與第一節(jié)點連接，第三端與第二節(jié)點連接；
[0010]所述存儲電容的第一端與第一電源端連接，第二端與第二節(jié)點連接；
[0011]所述第二晶體管的第一端與第二控制端連接，第二端與第二節(jié)點連接，第三端與所述放大晶體管的柵極連接；
[0012]所述放大晶體管的源極和漏極中的一個與第二電源端連接，另一個作為感應(yīng)模塊的輸出端，與處理模塊連接。
[0013]優(yōu)選地，所述處理模塊包括:第一存儲支路、第二存儲支路和去噪支路；
[0014]所述第一存儲支路用于接收并存儲所述第一信號；
[0015]所述第二存儲支路用于接收并存儲所述第三信號；
[0016]所述去噪支路用于對第一信號和第三信號進(jìn)行求差處理，以輸出所述第二信號；
[0017]所述第一存儲支路包括:第三晶體管、第一電容和第四晶體管；其中，所述第三晶體管的第一端與第三控制端連接，第二端與所述感應(yīng)模塊的輸出端連接，第三端與第三節(jié)點連接;所述第一電容的第一端與地連接，第二端與第三節(jié)點連接;所述第四晶體管的第一端與第四控制端連接，第二端與第三節(jié)點連接，第三端作為第一存儲支路的輸出端，與所述去噪支路連接；
[0018]其中，所述第二存儲支路包括:第五晶體管、第二電容和第六晶體管;其中，所述第五晶體管的第一端與第五控制端連接，第二端與所述感應(yīng)模塊的輸出端連接，第三端與第四節(jié)點連接;所述第二電容的第一端與地連接，第二端與第四節(jié)點連接;所述第六晶體管的第一端與第六控制端連接，第二端與第四節(jié)點連接，第三端作為第二存儲支路的輸出端，與所述去噪支路連接；
[0019]其中，所述去噪支路包括:比較電容、第七晶體管和第八晶體管;所述比較電容的第一端與第一存儲支路的輸出端連接，第二端與第二存儲支路的輸出端連接;所述第七晶體管的第一端與第七控制端連接，第二端與地連接，第三端與所述比較電容的第二端連接；所述第八晶體管的第一端與第八控制端連接，第二端與所述比較電容的第一端連接，第三端作為所述去噪支路的輸出端。
[0020]優(yōu)選地，所述存儲電容的電容容量為5PF?15PF。
[0021]優(yōu)選地，所述感應(yīng)單元包括光電二極管。
[0022]優(yōu)選地，所述待識別特征結(jié)構(gòu)包括指紋。
[0023]第二方面，本發(fā)明還提供了一種檢測系統(tǒng)，包括至少兩個依次設(shè)置的如上面所述的檢測電路和若干個比較電路；
[0024]其中，每兩個相鄰的檢測電路對應(yīng)一個比較電路;每兩個相鄰的檢測電路的輸出端分別連接對應(yīng)的比較電路的兩個輸入端，以使每個比較電路在比較階段對與該比較電路連接的兩個檢測電路的輸出進(jìn)行比較，以確定每兩個相鄰的檢測電路檢測到的待識別特征結(jié)構(gòu)的變化趨勢。
[0025]第三方面，本發(fā)明還提供了一種基于上面所述的檢測電路的結(jié)構(gòu)特征的識別方法，包括:
[0026]在第一采樣階段，所述感應(yīng)模塊輸出只包含所述感應(yīng)模塊的噪聲信息的第一信號至所述處理模塊；
[0027]在曝光階段，所述感應(yīng)模塊感應(yīng)待識別特征結(jié)構(gòu)，獲得包含感應(yīng)模塊感應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)信息的第二信號；
[0028]在第二采樣階段，所述感應(yīng)模塊輸出包含所述第一信號和所述第二信號的第三信號至所述處理模塊；
[0029]在去噪階段，所述處理模塊對第一信號和第三信號進(jìn)行求差處理，以輸出所述第二信號。
[0030]優(yōu)選地，在第一采樣階段，復(fù)位晶體管、第一晶體管、第二晶體管導(dǎo)通和放大晶體管導(dǎo)通，以使所述感應(yīng)模塊輸出只包含所述感應(yīng)模塊的噪聲信息的第一信號至所述處理模塊；
[0031]在曝光階段，復(fù)位晶體管、第一晶體管和第二晶體管關(guān)閉，以使所述感應(yīng)單元感應(yīng)待識別特征結(jié)構(gòu)，獲得第二信號；
[0032]在第二采樣階段，第一晶體管導(dǎo)通，第二晶體管關(guān)閉，將感應(yīng)單元獲取的第二信號轉(zhuǎn)移到存儲電容中后，第一晶體管關(guān)閉，第二晶體管導(dǎo)通，放大晶體管導(dǎo)通，以使感應(yīng)模塊輸出包含所述第一信號和所述第二信號的第三信號至處理模塊。
[0033]優(yōu)選地，在第一采樣階段，所述第三晶體管導(dǎo)通，所述第一電容存儲所述第一信號；
[0034]在第二采樣階段，所述第五晶體管導(dǎo)通，所述第二電容存儲所述第三信號；
[0035]在去噪階段，第四晶體管和第六晶體管導(dǎo)通，以使比較電容的第一端和第二端的電壓差為所述第二信號;第四晶體管和第六晶體管關(guān)閉，第七晶體管導(dǎo)通，以使比較電容的第一端的電壓信息保持為所述第二信號;第七晶體管關(guān)閉，第八晶體管導(dǎo)通，以使第八晶體管的第三端輸出所述第二信號。
[0036]第四方面，本發(fā)明還提供了一種基于上面所述的檢測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)特征的識別方法，包括:
[0037]在第一采樣階段，每個檢測電路的感應(yīng)模塊輸出只包含感應(yīng)模塊的噪聲信息的第一信號至對應(yīng)檢測電路的處理模塊；
[0038]在曝光階段，每個檢測電路的感應(yīng)模塊感應(yīng)對應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)，獲得包含感應(yīng)模塊感應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)信息的第二信號；
[0039]在第二采樣階段，每個檢測電路的感應(yīng)模塊輸出包含所述第一信號和所述第二信號的第三信號至對應(yīng)檢測電路的處理模塊；
[0040]在去噪階段，每個檢測電路的處理模塊對接收到的第一信號和第三信號進(jìn)行求差處理，以輸出對應(yīng)檢測電路的感應(yīng)模塊獲取的第二信號；
[0041]在比較階段，每個比較電路分別對與該比較電路連接的兩個相鄰的檢測電路的輸出進(jìn)行比較，以確定每兩個相鄰的檢測電路檢測到的待識別特征結(jié)構(gòu)的變化趨勢。
[0042]第五方面，本發(fā)明還提供了一種有機發(fā)光二極管顯示基板，包括如上面所述的檢測電路。
[0043]優(yōu)選地，所述顯示基板包括多個像素單元，每個像素單元中設(shè)置有一個所述檢測電路。
[0044]優(yōu)選地，所述顯示基板包括基板和設(shè)置在基板上的有機發(fā)光層，所述檢測電路設(shè)置在基板和有機發(fā)光層之間，且所述顯示基板為底發(fā)射式有機發(fā)光二極管顯示基板。
[0045]第六方面，本發(fā)明還提供了一種有機發(fā)光二極管顯示基板，包括如上面所述的檢測系統(tǒng)。
[0046]優(yōu)選地，所述顯示基板包括多個像素單元，每個像素單元中設(shè)置有一個所述檢測電路；
[0047]每兩個相鄰的檢測電路對應(yīng)一個比較電路；
[0048]每兩個相鄰的檢測電路的輸出端分別連接對應(yīng)的比較電路的兩個輸入端，以使每個比較電路對與該比較電路連接的兩個檢測電路的輸出進(jìn)行比較，以確定每兩個相鄰的檢測電路檢測到的待識別特征結(jié)構(gòu)的變化趨勢。
[0049]由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明提供的檢測電路包括感應(yīng)模塊和處理模塊，其中感應(yīng)模塊用于感應(yīng)待識別特征結(jié)構(gòu)，而處理模塊用于將感應(yīng)模塊在進(jìn)行信息感應(yīng)時本身的噪聲信息去除，從而使得整個檢測電路能夠準(zhǔn)確輸出感應(yīng)模塊感應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)。
【附圖說明】
[0050]為了更清楚地說明本實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0051 ]圖1是本發(fā)明第一個實施例提供的檢測電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖2是本發(fā)明第二個實施例提供的感應(yīng)模塊的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0053]圖3是本發(fā)明第三個實施例提供的處理模塊的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0054]圖4是本發(fā)明第三個實施例提供的檢測電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0055]圖5是圖4所不的檢測電路的工作時序圖；
[0056]圖6是本發(fā)明第四個實施例提供的檢測系統(tǒng)的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0057]圖7是本發(fā)明第五個實施例提供的結(jié)構(gòu)特征的識別方法的流程圖；
[0058]圖8是本發(fā)明第六個實施例提供的結(jié)構(gòu)特征的識別方法的流程圖；
[0059]圖9是本發(fā)明第七個實施例提供的有機發(fā)光二極管顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0060]圖10是本發(fā)明第八個實施例提供的有機發(fā)光二極管顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0061]為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0062]實施例一
[0063]本發(fā)明實施例一提供一種檢測電路，用于識別待識別特征結(jié)構(gòu)，參見圖1，所述檢測電路包括:感應(yīng)模塊100和處理模塊200 ；
[0064]在第一采樣階段，所述感應(yīng)模塊100用于輸出只包含所述感應(yīng)模塊100的噪聲信息的第一信號至所述處理模塊200;
[0065]在曝光階段，所述感應(yīng)模塊100用于感應(yīng)待識別特征結(jié)構(gòu)，獲得包含感應(yīng)模塊100感應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)信息的第二信號；
[0066]在第二采樣階段，所述感應(yīng)模塊100用于輸出包含所述第一信號和所述第二信號的第三信號至所述處理模塊200;
[0067]在去噪階段，所述處理模塊200，用于對第一信號和第三信號進(jìn)行求差處理，以輸出所述第二信號。
[0068]在本實施例中，待識別特征結(jié)構(gòu)可以是指紋、二維碼、條形碼等等特征結(jié)構(gòu)。
[0069]在本實施例中，感應(yīng)模塊100的噪聲信息是指感應(yīng)模塊100本身特性中對感應(yīng)模塊100感應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)造成影響的信息。例如，假設(shè)感應(yīng)模塊100由光電二級管和放大晶體管TFT組成，由于光電二極管以及放大晶體管TFT自身的漏電流差異較大，那么感應(yīng)模塊100本身的某些特性就極大地影響了其對待識別特征結(jié)構(gòu)的準(zhǔn)確識別。
[0070]本實施例提供的檢測電路包括感應(yīng)模塊和處理模塊，其中感應(yīng)模塊用于感應(yīng)待識別特征結(jié)構(gòu)，而處理模塊用于將感應(yīng)模塊在進(jìn)行信息感應(yīng)時本身的噪聲信息去除，從而使得整個檢測電路能夠準(zhǔn)確輸出感應(yīng)模塊感應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)。
[0071]實施例二
[0072]本發(fā)明實施例二給出了上述實施例一提到的感應(yīng)模塊100的一種具體實現(xiàn)結(jié)構(gòu)。參見圖2，本實施例提供的感應(yīng)模塊100包括:
[0073]感應(yīng)單元、復(fù)位晶體管Trst、第一晶體管Tl、第二晶體管T2、存儲電容Cst和放大晶體管Ta;優(yōu)選地，圖2中感應(yīng)單元采用光電二極管實現(xiàn)，當(dāng)然本發(fā)明并不限于此，例如還可以采用其他光電轉(zhuǎn)換器件實現(xiàn)。放大晶體管Ta為工作在線性區(qū)的場效應(yīng)管，其作用為放大信號。
[0074]其中，所述感應(yīng)單元的第一端與第一電源端Vl連接，第二端與第一節(jié)點NI連接;圖2?圖4中的標(biāo)號1、2、3分別表不每個器件的第一端、第二端和第三端；
[0075]所述復(fù)位晶體管Trst的第一端與復(fù)位控制端連接、第二端與第二電源端V2連接，第三端與第一節(jié)點NI連接；
[0076]所述第一晶體管Tl的第一端與第一控制端連接，第二端與第一節(jié)點NI連接，第三端與第二節(jié)點N2連接；
[0077]所述存儲電容Cst的第一端與第一電源端Vl連接，第二端與第二節(jié)點N2連接；
[0078]所述第二晶體管T2的第一端與第二控制端連接，第二端與第二節(jié)點N2連接，第三端與所述放大晶體管Ta的柵極連接；
[0079]所述放大晶體管Ta的源極和漏極中的一個與第二電源端V2連接，另一個作為感應(yīng)模塊100的輸出端，與處理模塊200連接；
[0080]參見圖5所示的時序圖，在第一采樣階段，所述復(fù)位晶體管Trst、第一晶體管Tl、第二晶體管T2導(dǎo)通和放大晶體管Ta導(dǎo)通，以使所述感應(yīng)模塊100輸出只包含所述感應(yīng)模塊的噪聲信息的第一信號至所述處理模塊200;
[0081]在曝光階段，所述復(fù)位晶體管Trst、第一晶體管Tl和第二晶體管T2關(guān)閉，以使所述感應(yīng)單元感應(yīng)待識別特征結(jié)構(gòu)，獲得第二信號；
[0082]在第二采樣階段，所述第一晶體管Tl導(dǎo)通，第二晶體管T2關(guān)閉，將所述感應(yīng)單元獲取的第二信號轉(zhuǎn)移到存儲電容Cst中后，所述第一晶體管Tl關(guān)閉，第二晶體管T2導(dǎo)通，放大晶體管Ta導(dǎo)通，以使感應(yīng)模塊100輸出包含所述第一信號和所述第二信號的第三信號至處理模塊200。
[0083]為了實現(xiàn)上述各個階段相應(yīng)的工作狀態(tài)，需要分別對復(fù)位控制端、第一控制端和第二控制端進(jìn)行相應(yīng)的控制來使得復(fù)位晶體管Trst、第一晶體管Tl和第二晶體管T2在各個階段實現(xiàn)相應(yīng)的導(dǎo)通或關(guān)閉狀態(tài)。
[0084]為了突出電荷轉(zhuǎn)移后存儲電容Cst上電位的變化，優(yōu)選地，所述存儲電容的電容容量應(yīng)設(shè)置為較小的數(shù)值，如5PF?15PF ；
[0085]從上面描述可知，本實施例提供的感應(yīng)模塊包括感應(yīng)單元、復(fù)位晶體管Trst、第一晶體管Tl、第二晶體管T2、存儲電容Cst和放大晶體管Ta;在第一采樣階段，所述復(fù)位晶體管Trst、第一晶體管Tl、第二晶體管T2導(dǎo)通和放大晶體管Ta導(dǎo)通，以使所述感應(yīng)模塊100輸出只包含所述感應(yīng)模塊的噪聲信息的第一信號至所述處理模塊200;在曝光階段，所述復(fù)位晶體管Trst、第一晶體管Tl和第二晶體管T2關(guān)閉，以使所述感應(yīng)單元感應(yīng)待識別特征結(jié)構(gòu)，獲得第二信號；在第二采樣階段，所述第一晶體管Tl導(dǎo)通，第二晶體管T2關(guān)閉，將所述感應(yīng)單元獲取的第二信號轉(zhuǎn)移到存儲電容中后，所述第一晶體管Tl關(guān)閉，第二晶體管Τ2導(dǎo)通，放大晶體管Ta導(dǎo)通，以使感應(yīng)模塊100輸出包含所述第一信號和所述第二信號的第三信號至處理模塊200?？梢?，本實施例提供的感應(yīng)模塊實現(xiàn)了兩路信號的輸出控制，一路是感應(yīng)模塊的噪聲信息，另一路是感應(yīng)模塊的噪聲信息+感應(yīng)模塊感應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)。在后續(xù)實施例三中，將介紹如何通過處理模塊的處理最終獲取感應(yīng)模塊感應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)。
[0086]實施例三
[0087]在上述實施例一或?qū)嵤├幕A(chǔ)之上，本發(fā)明實施例三給出了上述處理模塊200的一種具體實現(xiàn)結(jié)構(gòu)。參見圖3，本實施例提供的處理模塊200包括:第一存儲支路celll、第二存儲支路cell2和去噪支路cell3;
[0088]所述第一存儲支路celll用于在第一采樣階段接收并存儲所述第一信號；
[0089]所述第二存儲支路cell2用于在第二采樣階段接收并存儲所述第三信號；
[0090]所述去噪支路cel13用于在去噪階段對第一信號和第三信號進(jìn)行求差處理，以輸出所述第二信號。
[0091]本實施例提供的處理模塊200包括三個支路，分別為第一存儲支路celll、第二存儲支路cell2和去噪支路cell3;其中，第一存儲支路celll用于存儲感應(yīng)模塊100的噪聲信息;第二存儲支路cel 12用于存儲感應(yīng)模塊100的噪聲信息+感應(yīng)模塊100感應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)；去噪支路cell3用于通過求差處理獲取感應(yīng)模塊100感應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)，從而實現(xiàn)了去除感應(yīng)模塊100固有噪聲的目的。由于處理模塊200去除了感應(yīng)模塊100的固有噪聲，因此采用本實施例所述的檢測電路能夠提高特征識別的準(zhǔn)確度。
[0092]進(jìn)一步地，本實施例還給出了上述第一存儲支路celll、第二存儲支路cell2和去噪支路ce 113的具體電路實現(xiàn)結(jié)構(gòu)。
[0093]其中，所述第一存儲支路celll包括:第三晶體管T3、第一電容Cstl和第四晶體管T4;其中，所述第三晶體管T3的第一端與第三控制端連接，第二端與所述感應(yīng)模塊的輸出端連接，第三端與第三節(jié)點N3連接;所述第一電容Cst I的第一端與地連接，第二端與第三節(jié)點N3連接;所述第四晶體管T4的第一端與第四控制端連接，第二端與第三節(jié)點N3連接，第三端作為第一存儲支路celll的輸出端，與所述去噪支路cell3連接；
[0094]其中，所述第二存儲支路cell2包括:第五晶體管T5、第二電容Cst2和第六晶體管T6;其中，所述第五晶體管T5的第一端與第五控制端連接，第二端與所述感應(yīng)模塊的輸出端連接，第三端與第四節(jié)點N4連接;所述第二電容Cst2的第一端與地連接，第二端與第四節(jié)點N4連接;所述第六晶體管T6的第一端與第六控制端連接，第二端與第四節(jié)點N4連接，第三端作為第二存儲支路cell2的輸出端，與所述去噪支路cell3連接；
[0095]其中，所述去噪支路cell3包括:比較電容Ctest、第七晶體管T7和第八晶體管T8;所述比較電容Ctest的第一端與第一存儲支路celll的輸出端連接，第二端與第二存儲支路cell2的輸出端連接;所述第七晶體管T7的第一端與第七控制端連接，第二端與地連接，第三端與所述比較電容Ctest的第二端連接;所述第八晶體管T8的第一端與第八控制端連接，第二端與所述比較電容Ctest的第一端連接，第三端作為所述去噪支路cel 13的輸出端；
[0096]其中在第一采樣階段，所述第三晶體管導(dǎo)通，所述第一電容存儲所述第一信號；
[0097]在第二采樣階段，所述第五晶體管導(dǎo)通，所述第二電容存儲所述第三信號；
[0098]在去噪階段，所述第四晶體管和第六晶體管導(dǎo)通，以使所述比較電容的第一端和第二端的電壓差為所述第二信號;所述第四晶體管和第六晶體管關(guān)閉，所述第七晶體管導(dǎo)通，由于比較電容Ctest的自舉效應(yīng)，以使所述比較電容Ctest的第一端的電壓信息保持為所述第二信號;第七晶體管關(guān)閉，第八晶體管導(dǎo)通，以使所述第八晶體管的第三端輸出所述第二信號。
[0099]從上面描述可知，本實施例提供的處理模塊包括第一存儲支路cel11、第二存儲支路cell2和去噪支路cell3;其中，第一存儲支路celll包括:第三晶體管T3、第一電容Cstl和第四晶體管T4;第二存儲支路cell2包括:第五晶體管T5、第二電容Cst2和第六晶體管T6;所述去噪支路cell3包括:比較電容Ctest、第七晶體管T7和第八晶體管T8;具體地，在第一采樣階段，所述第三晶體管導(dǎo)通，所述第一存儲支路接收所述第一信號；在第二采樣階段，所述第五晶體管導(dǎo)通，所述第二存儲支路接收所述第三信號;在去噪階段，所述第四晶體管和第六晶體管導(dǎo)通，以使所述比較電容的第一端和第二端的電壓差為所述第二信號;所述第四晶體管和第六晶體管關(guān)閉，所述第七晶體管導(dǎo)通，以使所述比較電容的第一端的電壓信息保持為所述第二信號;第七晶體管關(guān)閉，第八晶體管導(dǎo)通，以使所述第八晶體管的第三端輸出所述第二信號?？梢姡緦嵤├ㄟ^第一存儲支路ce 111、第二存儲支路cel 12和去噪支路cell3實現(xiàn)了感應(yīng)模塊固有噪聲的消除，使得檢測電路可以識別得到較為準(zhǔn)確的待識別特征結(jié)構(gòu)。
[0100]參見圖4和圖5，圖4是由圖2所示的感應(yīng)模塊100和圖3所示的處理模塊200組成的檢測電路;圖5是圖4所示的檢測電路的工作時序圖。
[0101]首先，假設(shè)所述感應(yīng)模塊中的感應(yīng)單元為光電二極管，所述待識別特征結(jié)構(gòu)為指紋。
[0102]所述第一電源端Vl為Vss，所述第二電源端V2為VDD。那么當(dāng)指紋上的指紋紋路(如谷或脊)的反射光照射到光電二級管上時，曝光實際上已經(jīng)發(fā)生，但由于檢測電路中開關(guān)晶體管均處于關(guān)閉狀態(tài)，所以此時的曝光實際上沒有意義。首先，Trst、Tl全部導(dǎo)通，對光電二級管進(jìn)行反偏重置，對存儲電容Cst進(jìn)行重置，Ta為工作在線性區(qū)的場效應(yīng)管，其作用為放大信號，與此同時T2&T3打開，對Ctsl進(jìn)行充電，此過程為第一采樣階段。在第一采樣階段，采樣數(shù)值為VDD信號通過Tl、T2、T3和Ta后的信號。接下來為曝光階段，所有晶體管TFT關(guān)閉，光電二極管進(jìn)行感光，此過程中由于手指指紋反射光的強弱不同，產(chǎn)生光生載流子的濃度不同，NI點電位開始下降，光照強度越高，NI點電位下降越多。
[0103]接下來為第二采樣階段以及去噪階段。Tl打開保存在光電二極管中的電荷向存儲電容Cst進(jìn)行轉(zhuǎn)移，存儲電容Cst可以設(shè)計較小，以此來突出電荷轉(zhuǎn)移后存儲電容Cst上電位的變化。此后Tl關(guān)閉，Τ2、Τ5打開，Ta開始采樣工作，由于曝光后NI點電位下降，導(dǎo)致Ta流過電流減小，第二電容Cst2存儲電荷減小(相比于第一電容Cstl而目)，此次米樣過程米取的是包含手指指紋信息的信號。然后，T2&T5關(guān)閉，T4&T6打開(其中T6可以去掉hCstl和Cst2同時向比較電容Ctest進(jìn)行充電，由于Cstl電位比Cst2電位要高，所以A點比B點電位高，其差值為與指紋信息有正比關(guān)系的量，差值越大，說明光電二極管受光越強，說明與檢測電路對應(yīng)位置處的指紋紋路的特征量越大，否則說明與檢測電路對應(yīng)位置處的指紋紋路的特征量越小。由于第一采樣階段和第二采樣階段均含有T1、T2、T3和Ta器件的固有信息，所以在減法過程中，此固有信息被剔除，也就是消除了固有噪聲，尤其是工作在線性區(qū)的Ta，其均一性很難保證，通過去噪過程將Ta的差異進(jìn)行了剔除。然后所有TFT關(guān)閉，T7打開，A點的電位即為兩次采樣的差值，繼而T8打開，差值信號(即為光電二極管感應(yīng)的待識別結(jié)構(gòu)特征)通過T8的第三端輸出。
[0104]實施例四
[0105]從上面描述可知，上面實施例所述的檢測電路只能識別出與檢測電路對應(yīng)位置處的指紋紋路的特征量，而無法直接確定手指指紋紋路的具體形狀，為了解決該問題，進(jìn)一步地，本發(fā)明實施四提供了一種檢測系統(tǒng)，包括至少兩個依次設(shè)置的如上面任一實施例所述的檢測電路和若干個比較電路Al;
[0106]每兩個相鄰的檢測電路對應(yīng)一個比較電路Al;每兩個相鄰的檢測電路的輸出端分別連接對應(yīng)的比較電路AI的兩個輸入端，以使每個比較電路AI對與該比較電路AI連接的兩個檢測電路的輸出進(jìn)行比較，以確定每兩個相鄰的檢測電路檢測到的待識別特征結(jié)構(gòu)的變化趨勢。
[0107]參見圖6，每兩個相鄰的檢測電路將檢測到的待識別特征結(jié)構(gòu)輸入至比較電路Al中，比較電路Al對輸入至其中的兩個輸入信號進(jìn)行比較，從而確定每兩個相鄰的檢測電路檢測到的待識別特征結(jié)構(gòu)的變化趨勢。例如，假設(shè)與某一比較電路Al連接的兩個檢測電路分別為第一檢測電路和第二檢測電路，在比較電路Al經(jīng)過比較這兩個檢測電路的輸出后確定第一檢測電路識別到的信息小于第二檢測電路識別到的信息。假設(shè)對于指紋識別來說，那么代表第二檢測電路對應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)相對于第一檢測電路對應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)來說為上升趨勢，即第二檢測電路對應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)相對于第一檢測電路對應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)來說為谷。其中，比較電路在確定出每兩個相鄰的檢測電路檢測到的待識別特征結(jié)構(gòu)的變化趨勢之后，將這些變化趨勢輸出并進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換最后可得到指紋紋路的具體形狀。
[0108]實施例五
[0109]本發(fā)明實施例五提供了一種基于上面任一實施例所述的檢測電路的結(jié)構(gòu)特征的識別方法，參見圖7，該方法包括如下步驟:
[0110]步驟101:在第一采樣階段，所述感應(yīng)模塊輸出只包含所述感應(yīng)模塊的噪聲信息的第一信號至所述處理模塊。
[0111]步驟102:在曝光階段，所述感應(yīng)模塊感應(yīng)待識別特征結(jié)構(gòu)，獲得包含感應(yīng)模塊感應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)信息的第二信號。
[0112]步驟103:在第二采樣階段，所述感應(yīng)模塊輸出包含所述第一信號和所述第二信號的第三信號至所述處理模塊。
[0113]步驟104:在去噪階段，所述處理模塊對第一信號和第三信號進(jìn)行求差處理，以輸出所述第二信號。
[0114]本實施例提供的結(jié)構(gòu)特征的識別方法，應(yīng)用如上述任一實施例所述的檢測電路進(jìn)行識別，其具體工作原理以及產(chǎn)生的有益效果可以參見上述各實施例的記載，這里不再贅述。
[0115]進(jìn)一步地，當(dāng)檢測電路的感應(yīng)模塊100的電路結(jié)構(gòu)如圖2所示，且處理模塊200的電路結(jié)構(gòu)如圖3所示時，結(jié)合時序圖5，上述基于檢測電路的結(jié)構(gòu)特征的識別方法的具體實現(xiàn)過程如下所述:
[0116]在第一采樣階段，所述復(fù)位晶體管Trst、第一晶體管Tl、第二晶體管T2導(dǎo)通、放大晶體管Ta和第三晶體管導(dǎo)通導(dǎo)通，所述感應(yīng)模塊100輸出只包含所述感應(yīng)模塊的噪聲信息的第一信號至所述處理模塊200，所述處理模塊200中的第一存儲支路接收并存儲所述第一信號，也即所述第三晶體管導(dǎo)通，所述第一電容存儲所述第一信號；
[0117]在曝光階段，所述復(fù)位晶體管Trst、第一晶體管Tl和第二晶體管Τ2關(guān)閉，所述感應(yīng)單元感應(yīng)待識別特征結(jié)構(gòu)，獲得第二信號；
[0118]在第二采樣階段，所述第一晶體管Tl導(dǎo)通，第二晶體管T2關(guān)閉，所述感應(yīng)單元獲取的第二信號轉(zhuǎn)移到存儲電容Cst中后，所述第一晶體管Tl關(guān)閉，第二晶體管T2導(dǎo)通，第五晶體管T5導(dǎo)通，放大晶體管Ta導(dǎo)通，感應(yīng)模塊100輸出包含所述第一信號和所述第二信號的第三信號至處理模塊200，所述處理模塊200中的第二存儲支路接收并存儲所述第三信號，也即第五晶體管導(dǎo)通，所述第二電容存儲所述第三信號；
[0119]在去噪階段，所述第四晶體管和第六晶體管導(dǎo)通，所述比較電容的第一端和第二端的電壓差為所述第二信號;之后，所述第四晶體管和第六晶體管關(guān)閉，所述第七晶體管導(dǎo)通，所述比較電容的第一端的電壓信息保持為所述第二信號；之后，第七晶體管關(guān)閉，第八晶體管導(dǎo)通，所述第八晶體管的第三端輸出所述第二信號。可見最終，處理模塊200輸出第二信號，也即為感應(yīng)模塊100感應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)，由于處理模塊200去除了感應(yīng)模塊100的固有噪聲(第一信號)，因此采用本實施例所述的結(jié)構(gòu)特征的識別方法能夠提高特征識別的準(zhǔn)確度。
[0120]下面結(jié)合圖4和圖5，更為具體地介紹一下整個檢測電路各器件的工作過程。
[0121]首先，假設(shè)所述感應(yīng)模塊中的感應(yīng)單元為光電二極管，所述待識別特征結(jié)構(gòu)為指紋。
[0122]所述第一電源端Vl為Vss，所述第二電源端V2為VDD。那么當(dāng)指紋上的指紋紋路(如谷或脊)的反射光照射到光電二級管上時，曝光實際上已經(jīng)發(fā)生，但由于檢測電路中開關(guān)晶體管均處于關(guān)閉狀態(tài)，所以此時的曝光實際上沒有意義。首先，Trst、Tl全部導(dǎo)通，對光電二級管進(jìn)行反偏重置，對存儲電容Cst進(jìn)行重置，Ta為工作在線性區(qū)的場效應(yīng)管，其作用為放大信號，與此同時T2&T3打開，對Ctsl進(jìn)行充電，此過程為第一采樣階段。在第一采樣階段，采樣數(shù)值為VDD信號通過Tl、T2、T3和Ta后的信號。接下來為曝光階段，所有晶體管TFT關(guān)閉，光電二極管進(jìn)行感光，此過程中由于手指指紋反射光的強弱不同，產(chǎn)生光生載流子的濃度不同，NI點電位開始下降，光照強度越高，NI點電位下降越多。
[0123]接下來為第二采樣階段以及去噪階段。Tl打開保存在光電二極管中的電荷向存儲電容Cst進(jìn)行轉(zhuǎn)移，存儲電容Cst可以設(shè)計較小，以此來突出電荷轉(zhuǎn)移后存儲電容Cst上電位的變化。此后Tl關(guān)閉，Τ2、Τ5打開，Ta開始采樣工作，由于曝光后NI點電位下降，導(dǎo)致Ta流過電流減小，第二電容Cst2存儲電荷減小(相比于第一電容Cstl而目)，此次米樣過程米取的是包含手指指紋信息的信號。然后，T2&T5關(guān)閉，T4&T6打開(其中T6可以去掉hCstl和Cst2同時向比較電容Ctest進(jìn)行充電，由于Cstl電位比Cst2電位要高，所以A點比B點電位高，其差值為與指紋信息有正比關(guān)系的量，差值越大，說明光電二極管受光越強，說明與檢測電路對應(yīng)位置處的指紋紋路的特征量越大，否則說明與檢測電路對應(yīng)位置處的指紋紋路的特征量越小。由于第一采樣階段和第二采樣階段均含有T1、T2、T3和Ta器件的固有信息，所以在減法過程中，此固有信息被剔除，也就是消除了固有噪聲，尤其是工作在線性區(qū)的Ta，其均一性很難保證，通過去噪過程將Ta的差異進(jìn)行了剔除。然后所有TFT關(guān)閉，T7打開，A點的電位即為兩次采樣的差值，繼而T8打開，差值信號(即為光電二極管感應(yīng)的待識別結(jié)構(gòu)特征)通過T8的第三端輸出。
[0124]實施例六
[0125]本發(fā)明實施例六提供了一種基于上面實施例所述的檢測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)特征的識別方法，參見圖8，該方法包括如下步驟:
[0126]步驟201:在第一采樣階段，每個檢測電路的感應(yīng)模塊輸出只包含感應(yīng)模塊的噪聲信息的第一信號至對應(yīng)檢測電路的處理模塊。
[0127]步驟202:在曝光階段，每個檢測電路的感應(yīng)模塊感應(yīng)對應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)，獲得包含感應(yīng)模塊感應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)信息的第二信號。
[0128]步驟203:在第二采樣階段，每個檢測電路的感應(yīng)模塊輸出包含所述第一信號和所述第二信號的第三信號至對應(yīng)檢測電路的處理模塊。
[0129]步驟204:在去噪階段，每個檢測電路的處理模塊對接收到的第一信號和第三信號進(jìn)行求差處理，以輸出對應(yīng)檢測電路的感應(yīng)模塊獲取的第二信號。
[0130]步驟205:在比較階段，每個比較電路分別對與該比較電路連接的兩個相鄰的檢測電路的輸出進(jìn)行比較，以確定每兩個相鄰的檢測電路檢測到的待識別特征結(jié)構(gòu)的變化趨勢。
[0131]在本步驟中，多個比較電路級聯(lián)后，就可以確定待識別特征結(jié)構(gòu)的整體線路走勢，如指紋紋路的具體形狀。
[0132]本實施例所述的結(jié)構(gòu)特征的識別方法中關(guān)于檢測電路的第一采樣階段、曝光階段、第二采樣階段和去噪階段的具體實現(xiàn)方式可參見實施例五的舉例介紹，這里不再詳述。本實施例提供的結(jié)構(gòu)特征的識別方法，應(yīng)用如上述實施例所述的檢測系統(tǒng)進(jìn)行識別，其具體工作原理以及產(chǎn)生的有益效果可以參見上述實施例的記載，這里不再贅述。
[0133]實施例七
[0134]本發(fā)明實施例七提供了一種有機發(fā)光二極管顯示基板，包括如上面任一實施例所述的檢測電路。
[0135]所述有機發(fā)光二極管顯示基板包括多個像素單元，每個像素單元中設(shè)置有一個所述檢測電路。
[0136]優(yōu)選地，所述有機發(fā)光二極管顯示基板包括基板和設(shè)置在基板上的有機發(fā)光層，所述檢測電路設(shè)置在基板和有機發(fā)光層之間，且所述顯示基板為底發(fā)射式有機發(fā)光二極管顯示基板。
[0137]參見圖9，在顯示基板的剖面上，有機發(fā)光二極管顯示基板依次包括基板10、0LED(Organic Light-Emitting D1de，有機發(fā)光二極管)像素電路20、陽極30、有機發(fā)光層40、陰極50和蓋板70;優(yōu)選地，檢測電路60設(shè)置在與OLED像素電路20同層的位置。當(dāng)然也即檢測電路60設(shè)置在基板10和有機發(fā)光層40之間。
[0138]在水平方向上觀看，有機發(fā)光二極管顯示基板包括多個用于顯示的像素電路區(qū)100和多個用于識別待識別特征結(jié)構(gòu)的識別區(qū)200;其中，每個識別區(qū)200中均設(shè)置有一個檢測電路60。從圖中可見，檢測電路60設(shè)置在基板10和有機發(fā)光層40之間，且所述有機發(fā)光二極管顯示基板為底發(fā)射式有機發(fā)光二極管顯示基板。優(yōu)選地，每兩個相鄰的像素電路區(qū)之間均設(shè)置有一個識別區(qū)。參見圖9，其中F為待識別特征結(jié)構(gòu)，設(shè)置在有機發(fā)光二極管顯示基板中的檢測電路分別用于對與檢測電路對應(yīng)位置處的待識別特征結(jié)構(gòu)進(jìn)行識別。
[0139]本實施例提供的OLED顯示基板，在OLED像素電路的間隙設(shè)置有檢測電路。OLED顯示基板的有機發(fā)光層作為光源，光線通過待識別特征結(jié)構(gòu)的紋路發(fā)生反射，反射到檢測電路中的光電二極管上，由于待識別特征結(jié)構(gòu)上不同細(xì)節(jié)結(jié)構(gòu)(如谷、脊)反射光強不同，從而導(dǎo)致光電二級管上產(chǎn)生的光生載流子濃度不同，以此來對待識別特征結(jié)構(gòu)進(jìn)行判別。
[0140]實施例八
[0141]本發(fā)明實施例八提供了一種有機發(fā)光二極管顯示基板，包括如上面實施例所述的檢測系統(tǒng)。
[0142]優(yōu)選地，所述顯示基板包括多個像素單元，每個像素單元中設(shè)置有一個所述檢測電路；
[0143]每兩個相鄰的檢測電路對應(yīng)一個比較電路；
[0144]每兩個相鄰的檢測電路的輸出端分別連接對應(yīng)的比較電路的兩個輸入端，以使每個比較電路對與該比較電路連接的兩個檢測電路的輸出進(jìn)行比較，以確定每兩個相鄰的檢測電路檢測到的待識別特征結(jié)構(gòu)的變化趨勢。
[0145]參見圖10，在豎直方向上觀看，有機發(fā)光二極管顯示基板依次包括基板10、0LED像素電路20、陽極30、有機發(fā)光層40、陰極50和蓋板70;優(yōu)選地，檢測電路601、602、603以及比較電路11、12和13設(shè)置在與OLED像素電路20同層的位置。
[0146]在水平方向上觀看，有機發(fā)光二極管顯示基板包括多個用于顯示的像素電路區(qū)100和多個用于識別待識別特征結(jié)構(gòu)的識別區(qū)200;其中，每個識別區(qū)200中均設(shè)置有一個比較電路和檢測電路(起始的識別區(qū)中不用設(shè)置比較電路)。其中，比較電路和檢測電路設(shè)置在基底10和有機發(fā)光層40之間，且所述有機發(fā)光二極管顯示基板為底發(fā)射式有機發(fā)光二極管顯示基板。優(yōu)選地，每兩個相鄰的像素電路區(qū)之間均設(shè)置有一個識別區(qū)。
[0147]其中，每兩個相鄰的檢測電路對應(yīng)一個比較電路。參見圖10，相鄰的檢測電路601和檢測電路602對應(yīng)一個比較電路12，相鄰的檢測電路602和檢測電路603對應(yīng)一個比較電路13。具體地，每兩個相鄰的檢測電路的輸出端分別連接對應(yīng)的比較電路的兩個輸入端，以使每個比較電路對與該比較電路連接的兩個檢測電路的輸出進(jìn)行比較，以確定每兩個相鄰的檢測電路檢測到的待識別特征結(jié)構(gòu)的變化趨勢。例如，對于圖10所示的待識別特征結(jié)構(gòu)F(如指紋特征)，可以通過比較電路確定每兩個相鄰的檢測電路檢測到的待識別特征結(jié)構(gòu)的變化趨勢，進(jìn)而直接確定指紋紋路的形狀信息。
[0148]本實施例提供的OLED顯示基板，在OLED像素電路的間隙設(shè)置有比較電路和檢測電路。其中，OLED顯示基板的有機發(fā)光層作為光源，光線通過待識別特征結(jié)構(gòu)的紋路發(fā)生反射，反射到檢測電路中的光電二極管上，由于待識別特征結(jié)構(gòu)上不同細(xì)節(jié)結(jié)構(gòu)(如谷、脊)反射光強不同，從而導(dǎo)致光電二級管上產(chǎn)生的光生載流子濃度不同，從而使得檢測電路輸出與檢測電路對應(yīng)位置處的待識別特征結(jié)構(gòu)的具體特征量，然后再通過設(shè)置在兩個相鄰檢測電路之間的比較電路對兩個相鄰檢測電路的輸出進(jìn)行比較，從而對兩個相鄰檢測電路識別的待識別特征結(jié)構(gòu)的變化趨勢進(jìn)行判斷，進(jìn)而可以直接得到待識別特征結(jié)構(gòu)的形狀信息。
[0149]以上實施例僅用于說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項】
1.一種檢測電路，其特征在于，用于識別待識別特征結(jié)構(gòu)，所述檢測電路包括:感應(yīng)模塊和處理模塊； 所述感應(yīng)模塊用于向所述處理模塊輸出只包含所述感應(yīng)模塊的噪聲信息的第一信號，所述感應(yīng)模塊還用于感應(yīng)待識別特征結(jié)構(gòu)，得到包含待識別特征結(jié)構(gòu)信息的第二信號，并向處理模塊輸出包含第一信號和第二信號的第三信號，所述處理模塊用于對第一信號和第三信號進(jìn)行求差處理，以輸出所述第二信號。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測電路，其特征在于，所述感應(yīng)模塊包括:感應(yīng)單元、復(fù)位晶體管、第一晶體管、第二晶體管、存儲電容和放大晶體管;其中，所述感應(yīng)單元的第一端與第一電源端連接，第二端與第一節(jié)點連接； 所述復(fù)位晶體管的第一端與復(fù)位控制端連接、第二端與第二電源端連接，第三端與第一節(jié)點連接； 所述第一晶體管的第一端與第一控制端連接，第二端與第一節(jié)點連接，第三端與第二節(jié)點連接； 所述存儲電容的第一端與第一電源端連接，第二端與第二節(jié)點連接； 所述第二晶體管的第一端與第二控制端連接，第二端與第二節(jié)點連接，第三端與所述放大晶體管的柵極連接； 所述放大晶體管的源極和漏極中的一個與第二電源端連接，另一個作為感應(yīng)模塊的輸出端，與處理模塊連接。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的檢測電路，其特征在于，所述處理模塊包括:第一存儲支路、第二存儲支路和去噪支路； 所述第一存儲支路用于接收并存儲所述第一信號； 所述第二存儲支路用于接收并存儲所述第三信號； 所述去噪支路用于對第一信號和第三信號進(jìn)行求差處理，以輸出所述第二信號； 所述第一存儲支路包括:第三晶體管、第一電容和第四晶體管；其中，所述第三晶體管的第一端與第三控制端連接，第二端與所述感應(yīng)模塊的輸出端連接，第三端與第三節(jié)點連接;所述第一電容的第一端與地連接，第二端與第三節(jié)點連接;所述第四晶體管的第一端與第四控制端連接，第二端與第三節(jié)點連接，第三端作為第一存儲支路的輸出端，與所述去噪支路連接； 其中，所述第二存儲支路包括:第五晶體管、第二電容和第六晶體管;其中，所述第五晶體管的第一端與第五控制端連接，第二端與所述感應(yīng)模塊的輸出端連接，第三端與第四節(jié)點連接;所述第二電容的第一端與地連接，第二端與第四節(jié)點連接;所述第六晶體管的第一端與第六控制端連接，第二端與第四節(jié)點連接，第三端作為第二存儲支路的輸出端，與所述去噪支路連接； 其中，所述去噪支路包括:比較電容、第七晶體管和第八晶體管;所述比較電容的第一端與第一存儲支路的輸出端連接，第二端與第二存儲支路的輸出端連接;所述第七晶體管的第一端與第七控制端連接，第二端與地連接，第三端與所述比較電容的第二端連接;所述第八晶體管的第一端與第八控制端連接，第二端與所述比較電容的第一端連接，第三端作為所述去噪支路的輸出端。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測電路，其特征在于，所述存儲電容的電容容量為5PF?15PFo5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測電路，其特征在于，所述感應(yīng)單元包括光電二極管。6.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4或5所述的檢測電路，其特征在于，所述待識別特征結(jié)構(gòu)包括指紋。7.—種檢測系統(tǒng)，其特征在于，包括至少兩個依次設(shè)置的如權(quán)利要求1?6任一項所述的檢測電路和若干個比較電路； 其中，每兩個相鄰的檢測電路對應(yīng)一個比較電路;每兩個相鄰的檢測電路的輸出端分別連接對應(yīng)的比較電路的兩個輸入端，以使每個比較電路在比較階段對與該比較電路連接的兩個檢測電路的輸出進(jìn)行比較，以確定每兩個相鄰的檢測電路檢測到的待識別特征結(jié)構(gòu)的變化趨勢。8.—種基于如權(quán)利要求1?6任一項所述的檢測電路的結(jié)構(gòu)特征的識別方法，其特征在于，包括: 在第一采樣階段，所述感應(yīng)模塊輸出只包含所述感應(yīng)模塊的噪聲信息的第一信號至所述處理模塊； 在曝光階段，所述感應(yīng)模塊感應(yīng)待識別特征結(jié)構(gòu)，獲得包含感應(yīng)模塊感應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)信息的第二信號； 在第二采樣階段，所述感應(yīng)模塊輸出包含所述第一信號和所述第二信號的第三信號至所述處理模塊；在去噪階段，所述處理模塊對第一信號和第三信號進(jìn)行求差處理，以輸出所述第二信號。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于， 在第一采樣階段，復(fù)位晶體管、第一晶體管、第二晶體管導(dǎo)通和放大晶體管導(dǎo)通，以使所述感應(yīng)模塊輸出只包含所述感應(yīng)模塊的噪聲信息的第一信號至所述處理模塊； 在曝光階段，復(fù)位晶體管、第一晶體管和第二晶體管關(guān)閉，以使所述感應(yīng)單元感應(yīng)待識別特征結(jié)構(gòu)，獲得第二信號； 在第二采樣階段，第一晶體管導(dǎo)通，第二晶體管關(guān)閉，將感應(yīng)單元獲取的第二信號轉(zhuǎn)移到存儲電容中后，第一晶體管關(guān)閉，第二晶體管導(dǎo)通，放大晶體管導(dǎo)通，以使感應(yīng)模塊輸出包含所述第一信號和所述第二信號的第三信號至處理模塊。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于， 在第一采樣階段，所述第三晶體管導(dǎo)通，所述第一電容存儲所述第一信號； 在第二采樣階段，所述第五晶體管導(dǎo)通，所述第二電容存儲所述第三信號； 在去噪階段，第四晶體管和第六晶體管導(dǎo)通，以使比較電容的第一端和第二端的電壓差為所述第二信號;第四晶體管和第六晶體管關(guān)閉，第七晶體管導(dǎo)通，以使比較電容的第一端的電壓信息保持為所述第二信號;第七晶體管關(guān)閉，第八晶體管導(dǎo)通，以使第八晶體管的第三端輸出所述第二信號。11.一種基于如權(quán)利要求7所述的檢測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)特征的識別方法，其特征在于，包括: 在第一采樣階段，每個檢測電路的感應(yīng)模塊輸出只包含感應(yīng)模塊的噪聲信息的第一信號至對應(yīng)檢測電路的處理模塊；在曝光階段，每個檢測電路的感應(yīng)模塊感應(yīng)對應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)，獲得包含感應(yīng)模塊感應(yīng)的待識別特征結(jié)構(gòu)信息的第二信號； 在第二采樣階段，每個檢測電路的感應(yīng)模塊輸出包含所述第一信號和所述第二信號的第三信號至對應(yīng)檢測電路的處理模塊； 在去噪階段，每個檢測電路的處理模塊對接收到的第一信號和第三信號進(jìn)行求差處理，以輸出對應(yīng)檢測電路的感應(yīng)模塊獲取的第二信號； 在比較階段，每個比較電路分別對與該比較電路連接的兩個相鄰的檢測電路的輸出進(jìn)行比較，以確定每兩個相鄰的檢測電路檢測到的待識別特征結(jié)構(gòu)的變化趨勢。12.—種有機發(fā)光二極管顯示基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1?6任一項所述的檢測電路。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板包括多個像素單元，每個像素單元中設(shè)置有一個所述檢測電路。14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板包括基板和設(shè)置在基板上的有機發(fā)光層，所述檢測電路設(shè)置在基板和有機發(fā)光層之間，且所述顯示基板為底發(fā)射式有機發(fā)光二極管顯示基板。15.—種有機發(fā)光二極管顯示基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求7所述的檢測系統(tǒng)。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板包括多個像素單元，每個像素單元中設(shè)置有一個所述檢測電路； 每兩個相鄰的檢測電路對應(yīng)一個比較電路； 每兩個相鄰的檢測電路的輸出端分別連接對應(yīng)的比較電路的兩個輸入端，以使每個比較電路對與該比較電路連接的兩個檢測電路的輸出進(jìn)行比較，以確定每兩個相鄰的檢測電路檢測到的待識別特征結(jié)構(gòu)的變化趨勢。
【文檔編號】G09G3/00GK105869554SQ201610439882
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年6月17日
【發(fā)明人】丁小梁, 董學(xué), 王海生, 陳小川, 劉英明, 楊盛際
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司