柵驅(qū)動(dòng)單元的制作方法
【專利摘要】所提供的是一種柵驅(qū)動(dòng)單元，該柵驅(qū)動(dòng)單元包括：多個(gè)級(jí)，配置為被順序地啟動(dòng)從而產(chǎn)生柵信號(hào)；以及多個(gè)修理塊，具有比相應(yīng)的級(jí)更小的尺寸并被配置為修理所述級(jí)的缺陷。所述修理塊中的每個(gè)靠近兩個(gè)或更多級(jí)設(shè)置從而被配置為修理所述兩個(gè)或更多級(jí)中的缺陷。
【專利說明】
柵驅(qū)動(dòng)單元
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本公開在這里總地涉及平板顯示器。更具體地，本公開涉及用于平板顯示裝置的柵驅(qū)動(dòng)單元。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，平板顯示裝置包括:顯示面板，具有多個(gè)像素以顯示圖像;柵驅(qū)動(dòng)單元，向該多個(gè)像素提供柵信號(hào)；以及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元，向該多個(gè)像素提供數(shù)據(jù)電壓。
[0003]柵驅(qū)動(dòng)單元產(chǎn)生柵信號(hào)并將產(chǎn)生的柵信號(hào)提供到像素。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元產(chǎn)生數(shù)據(jù)電壓并將產(chǎn)生的數(shù)據(jù)電壓提供到像素。響應(yīng)于柵信號(hào)，像素接收數(shù)據(jù)電壓以顯示圖像。
[0004]柵驅(qū)動(dòng)單元包括級(jí)聯(lián)(in cascade)連接的多個(gè)級(jí)(stage)。每個(gè)級(jí)包括彼此連接的多個(gè)晶體管以輸出柵電壓到對(duì)應(yīng)的柵線。根據(jù)這些晶體管的操作，柵信號(hào)從所述級(jí)輸出。
[0005]然而，當(dāng)柵驅(qū)動(dòng)單元的級(jí)損壞時(shí)，不產(chǎn)生正常的柵信號(hào)。結(jié)果，顯示裝置不能被正常地驅(qū)動(dòng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本公開提供一種能夠修復(fù)損壞的柵驅(qū)動(dòng)單元的柵驅(qū)動(dòng)單元以及包括該柵驅(qū)動(dòng)單元的顯示裝置。
[0007]本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式提供柵驅(qū)動(dòng)單元，該柵驅(qū)動(dòng)單元包括:多個(gè)級(jí)，配置為被順序地啟動(dòng)從而產(chǎn)生柵信號(hào)；以及多個(gè)修理塊(repair block)，具有比對(duì)應(yīng)的級(jí)更小的尺寸并被配置為修理所述級(jí)的缺陷，其中每個(gè)修理塊靠近兩個(gè)或更多級(jí)設(shè)置從而配置為修理所述兩個(gè)或更多級(jí)中的缺陷。
[0008]在一些實(shí)施方式中，所述級(jí)中的每個(gè)可以包括彼此連接以產(chǎn)生所述柵信號(hào)的第一晶體管區(qū)塊和第二晶體管區(qū)塊以及第一電容器，其中第二晶體管區(qū)塊可以靠近第一晶體管區(qū)塊的一側(cè)設(shè)置，并且第一電容器可以靠近第一晶體管區(qū)塊的另一側(cè)設(shè)置。
[0009]在另一些實(shí)施方式中，每個(gè)修理塊可以設(shè)置在相鄰的級(jí)之間，使得每個(gè)修理塊設(shè)置在第k級(jí)和第k+1級(jí)之間，其中k是奇數(shù)。
[0010]在另一些實(shí)施方式中，所述修理塊可以包括:第一修理塊，設(shè)置在第k級(jí)和第k+Ι級(jí)的第一晶體管區(qū)塊和第一電容器之間；以及第二修理塊，設(shè)置在第k級(jí)和第k+Ι級(jí)的第二晶體管區(qū)塊之間、以及第一晶體管區(qū)塊和第二晶體管區(qū)塊之間。
[0011]在另一些實(shí)施方式中，第一晶體管區(qū)塊可以包括第一晶體管和第二晶體管;第二晶體管區(qū)塊可以包括比第一晶體管和第二晶體管小的第三晶體管至第十六晶體管;并且第一晶體管和第二晶體管可以具有相同的尺寸，成形為在第一方向上延伸，并沿與第一方向交叉的第二方向并排布置。
[0012]在另一些實(shí)施方式中，第一修理塊可以設(shè)置在第k級(jí)和第k+Ι級(jí)的第二晶體管和第一電容器之間；并且第二修理塊可以設(shè)置在第k級(jí)和第k+Ι級(jí)的第二晶體管區(qū)塊之間、以及第二晶體管區(qū)塊和第二晶體管之間。
[0013]在另一些實(shí)施方式中，第一晶體管可以包括沿所述第一方向布置的多個(gè)連接的第一晶體管單元;并且第二晶體管可以包括沿第一方向布置的多個(gè)連接的第二晶體管單元。
[0014]在另一些實(shí)施方式中，每個(gè)第一晶體管單元可以包括:第一柵電極，從第一導(dǎo)電圖案延伸；以及第一源電極和第一漏電極，從第二導(dǎo)電圖案延伸，第二導(dǎo)電圖案靠近第一導(dǎo)電圖案并在其間具有絕緣層，其中每個(gè)第二晶體管單元可以包括:第二柵電極，從第一導(dǎo)電圖案延伸；以及第二源電極和第二漏電極，從第二導(dǎo)電圖案延伸。第一晶體管單元的第一柵電極可以彼此連接;第一晶體管單元的第一源電極可以彼此連接;第一晶體管單元的第一漏電極可以彼此連接;第二晶體管單元的第二柵電極可以彼此連接;第二晶體管單元的第二源電極可以彼此連接;并且第二晶體管單元的第二漏電極可以彼此連接。
[0015]在另一些實(shí)施方式中，第一修理塊可以包括:第一修理晶體管，具有與第一晶體管單元中的至少一個(gè)或者第二晶體管單元中的至少一個(gè)相同的尺寸;第一修理焊盤，設(shè)置在與第二導(dǎo)電圖案相同的層；以及第二修理焊盤和第三修理焊盤，設(shè)置在與第一導(dǎo)電圖案相同的層。第一修理晶體管可以包括分別具有與第一柵電極、第一源電極和第一漏電極實(shí)質(zhì)上相同的形狀和尺寸的第一修理柵電極、第一修理源電極和第一修理漏電極。
[0016]在另一些實(shí)施方式中，第一修理柵電極可以延伸從而交疊第一修理焊盤;第一修理源電極可以延伸從而交疊第二修理焊盤;并且第一修理漏電極可以延伸從而交疊第三修理焊盤。
[0017]在另一些實(shí)施方式中，第一柵電極和第二柵電極可以延伸從而交疊第一修理焊盤;第一源電極和第二源電極可以延伸從而交疊第二修理焊盤;并且第一漏電極和第二漏電極可以延伸從而交疊第三修理焊盤。
[0018]在另一些實(shí)施方式中，第四晶體管、第十四晶體管和第十五晶體管可以比第六晶體管大;第六晶體管可以比第七晶體管大;第七晶體管可以比第八晶體管和第十六晶體管大;第八晶體管和第十六晶體管可以比第三晶體管、第九晶體管、第十晶體管和第十一晶體管大;并且第三晶體管、第九晶體管、第十晶體管和第十一晶體管可以比第五晶體管、第十二晶體管和第十三晶體管大。
[0019]在另一些實(shí)施方式中，每個(gè)第二修理塊可以包括:多個(gè)第二修理晶體管，每個(gè)包括第二修理柵電極、第二修理源電極和第二修理漏電極;第四修理焊盤，設(shè)置在與第二修理源電極和第二修理漏電極相同的層；以及第五和第六修理焊盤，設(shè)置在與第二修理柵電極相同的層。
[0020]在另一些實(shí)施方式中，第二修理晶體管的第二修理柵電極可以彼此連接并延伸從而交疊第四修理焊盤;第二修理晶體管的第二修理源電極可以彼此連接并延伸從而交疊第五修理焊盤;并且第二修理晶體管的第二修理漏電極可以彼此連接并延伸從而交疊第六修理焊盤。
[0021]在另一些實(shí)施方式中，第三晶體管、第四晶體管、第六晶體管至第十一晶體管以及第十四晶體管至第十六晶體管的柵電極每個(gè)都可以延伸從而交疊第四修理焊盤;第三晶體管、第四晶體管、第六晶體管至第十一晶體管以及第十四晶體管至第十六晶體管的源電極每個(gè)都可以延伸從而交疊第五修理焊盤;并且第三晶體管、第四晶體管、第六晶體管至第十一晶體管以及第十四晶體管至第十六晶體管的漏電極每個(gè)都可以延伸從而交疊第六修理焊盤。
[0022]在本發(fā)明構(gòu)思的另一些實(shí)施方式中，顯示裝置包括:多個(gè)像素，連接到多個(gè)柵線和多個(gè)數(shù)據(jù)線；以及柵驅(qū)動(dòng)單元，連接到柵線以輸出柵信號(hào)。柵驅(qū)動(dòng)單元包括:多個(gè)級(jí)，配置為被順序地啟動(dòng)從而產(chǎn)生柵信號(hào)；以及多個(gè)修理塊，具有比相應(yīng)的級(jí)更小的尺寸并被配置為修理所述級(jí)的缺陷，其中每個(gè)修理塊靠近兩個(gè)或更多級(jí)設(shè)置從而被配置為修理所述兩個(gè)或更多級(jí)中的缺陷。
【附圖說明】
[0023]附圖被包括以提供對(duì)本發(fā)明構(gòu)思的進(jìn)一步理解，并被并入本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分。附圖示出本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施方式，并與文字說明一起用來解釋本發(fā)明構(gòu)思的原理。附圖中:
[0024]圖1是根據(jù)本公開的實(shí)施方式的顯示裝置的平面圖；
[0025]圖2是圖1中示出的一個(gè)像素的等效電路圖；
[0026]圖3是示出圖1中示出的柵驅(qū)動(dòng)單元的構(gòu)造的圖；
[0027]圖4是圖3中示出的級(jí)當(dāng)中的第i級(jí)的電路圖；
[0028]圖5是示出根據(jù)本公開的實(shí)施方式的一個(gè)修理塊、以及共用所述一個(gè)修理塊的級(jí)的第一晶體管至第十六晶體管和第一電容器的布置狀態(tài)的圖；
[0029]圖6是示出圖5中示出的第k級(jí)的第一晶體管和第二晶體管以及第一修理塊的平面圖；
[0030]圖7是根據(jù)本公開的實(shí)施方式的沿圖6的線Ι-Γ截取的截面圖；
[0031]圖8是根據(jù)本公開的實(shí)施方式的沿圖6的線ΙΙ-ΙΓ截取的截面圖；
[0032]圖9是根據(jù)本公開的實(shí)施方式的沿圖6的線ΙΙΙ-ΙΙΓ截取的截面圖；
[0033]圖10是示出任何一個(gè)級(jí)的通過使用第一修理塊的修理的圖；
[0034]圖11是比較第二修理塊的第二修理晶體管和每個(gè)級(jí)的晶體管的尺寸的圖；
[0035]圖12是示出第二修理塊和與之相鄰的級(jí)的分支線的連接構(gòu)造的圖；
[0036]圖13和圖14是示出一個(gè)級(jí)的通過使用第二修理塊的修理的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]參照下面更詳細(xì)地描述的實(shí)施方式，本公開的優(yōu)點(diǎn)和特征以及實(shí)現(xiàn)其的方法變得清楚。然而，本公開將以許多不同的形式實(shí)施，并且不限于這里闡述的實(shí)施方式。而是，這些實(shí)施方式也將使本公開的公開內(nèi)容完全，并被提供給本領(lǐng)域技術(shù)人員以充分地傳達(dá)本公開的構(gòu)思。本公開將僅由權(quán)利要求限定。在整個(gè)說明書中，相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。
[0038]當(dāng)一元件或?qū)颖环Q為“在”另一器件或?qū)印吧稀睍r(shí)，它可以直接在該另一器件或者層上，或者居間的元件或者層可以存在。另一方面，當(dāng)一器件被稱為“直接在......上”時(shí)，這表示沒有居間的器件或者層。術(shù)語“和/或”包括相關(guān)的所列項(xiàng)目中的一個(gè)或更多個(gè)的任何和全部組合。
[0039]空間關(guān)系術(shù)語“在......下面”、“在......下方”、“下”、“在.....上面”和“上”可以用來容易地描述如附圖所示的一個(gè)器件或部件與另一個(gè)器件或部件之間的相互關(guān)系?？臻g關(guān)系術(shù)語應(yīng)當(dāng)被理解為除了附圖所示的方向之外還包括器件在使用或操作中的不同方向的術(shù)語。在整個(gè)說明書中，相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。
[0040]雖然術(shù)語第一、第二等用來描述各種器件、部件和/或部分，但是很明顯這些器件、部件和/或部分不限于所述術(shù)語。這些術(shù)語僅用來將一個(gè)器件、部件或者部分與其它的器件、部件或者部分區(qū)別開。因此，顯然的，在本公開的技術(shù)范圍內(nèi)，以下提及的第一元件、第一部件或者第一部分可以是第二元件、第二部件或者第二部分。
[0041]本說明書中的實(shí)施方式將用平面圖和截面圖(即本公開的理想示例性圖示)來描述。因此，示例性圖的形式可以由于制造工藝和/或公差而改變。因而，本公開的實(shí)施方式不限于所示出的特定形式，并且還包括根據(jù)制造工藝產(chǎn)生的形式上的變化。因此，附圖中例示的區(qū)域具有大體的性質(zhì)，并且附圖中示出的區(qū)域的形式被用來說明器件區(qū)域的特定形狀。因而，這不應(yīng)該被解釋為限于本公開的范圍。各個(gè)附圖沒有按比例。所有的數(shù)值是近似的，并且可以改變。特定材料和成分的所有示例將被認(rèn)為是非限制性的且僅是示范性的。替代地，可以采用其他合適的材料和成分。
[0042]在下文，參照附圖更詳細(xì)地描述本公開的優(yōu)選實(shí)施方式。
[0043]圖1是根據(jù)本公開的實(shí)施方式的顯示裝置的平面圖。
[0044]參照?qǐng)D1，本公開的顯示裝置500包括顯示面板100、柵驅(qū)動(dòng)單元200、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元300和印刷電路板400。
[0045]顯示面板100可以是包括液晶層的液晶面板、包括電泳層的電泳顯示面板、包括電潤濕層的電潤濕顯示面板、包括有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光顯示面板等。
[0046]顯示面板100包括第一基板110、面對(duì)第一基板110的第二基板120、以及設(shè)置在第一基板110和第二基板120之間的圖像顯示層(未示出)。各種層諸如液晶層、電泳層、電潤濕層或者有機(jī)發(fā)光層可以用作圖像顯示層。
[0047]顯示面板100包括多個(gè)柵線GLl至GLm、多個(gè)數(shù)據(jù)線DLl至DLn以及多個(gè)像素PXll至PXmn。這里，m和η是大于O的整數(shù)。此外，顯示面板100包括顯示圖像的顯示區(qū)DA和設(shè)置為圍繞顯示區(qū)DA并且不顯示圖像的非顯示區(qū)NDA。
[0048]柵線GLl至GLm和數(shù)據(jù)線DLl至DLn設(shè)置在第一基板110上。柵線GLl至GLm和數(shù)據(jù)線DLl至DLn設(shè)置為彼此絕緣并彼此交叉。
[0049]柵線GLl至GLm在第一方向DRl上延伸以連接到柵驅(qū)動(dòng)單元200。數(shù)據(jù)線DLl至DLn在與第一方向DRl交叉的第二方向DR2上延伸以連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元300。第一方向DRl可以是行方向，第二方向DR2可以是列方向。
[0050]像素PXl I至PXmn布置成矩陣結(jié)構(gòu)并設(shè)置在顯示區(qū)DA中。例如，像素PXl I至PXmn設(shè)置在以柵線GLI至GLm和數(shù)據(jù)線DLl至DLn作為邊界的區(qū)域中。因此，像素PXl I至PXmn可以布置成m行和η列。
[0051]像素PXl I至PXmn的每個(gè)連接到柵線GLl至GLm中的對(duì)應(yīng)柵線和數(shù)據(jù)線DLl至DLn中的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線。像素PX11至PXmn的每個(gè)可以顯示原色之一。原色可以包括紅色、綠色、藍(lán)色和白色。然而，原色不限于此，還可以包括各種顏色，諸如黃色、青色和洋紅。
[0052]柵驅(qū)動(dòng)單元200可以設(shè)置在非顯示區(qū)NDA中在第一方向DRl上鄰近顯示區(qū)DA的一偵U，盡管它也可以設(shè)置在非顯示區(qū)NDA的任何其它適合的部分處。柵驅(qū)動(dòng)單元200包括多個(gè)晶體管。后面將描述柵驅(qū)動(dòng)單元200的具體構(gòu)造。
[0053]柵驅(qū)動(dòng)單元200的晶體管和設(shè)置在顯示區(qū)DA中的像素PXll至PXmn的晶體管可以通過相同的工藝基本上同時(shí)形成。柵驅(qū)動(dòng)單元200可以以非晶硅TFT柵驅(qū)動(dòng)器電路(ASG)形式集成到顯示面板100的第一基板110中。也就是，柵驅(qū)動(dòng)單元200的晶體管可以包括非晶硅薄膜晶體管。
[0054]然而，本公開不限于此，并且柵驅(qū)動(dòng)單元200可以以氧化物硅TFT柵驅(qū)動(dòng)器電路(OSG)形式集成到顯示面板100的第一基板110中。也就是，柵驅(qū)動(dòng)單元200的晶體管可以包括包含氧化物半導(dǎo)體的氧化物硅薄膜晶體管。
[0055]柵驅(qū)動(dòng)單元200從集成到印刷電路板400上的時(shí)序控制器410(以下稱為信號(hào)控制單元)接收柵控制信號(hào)。盡管沒有在附圖中示出，但是信號(hào)控制單元410以集成電路芯片的形式集成到印刷電路板400上，使得它可以連接到柵驅(qū)動(dòng)單元200和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元300。
[0056]柵控制信號(hào)通過連接在信號(hào)控制單元410和柵驅(qū)動(dòng)單元200之間的柵控制線GCL而提供到柵驅(qū)動(dòng)單元200。柵控制線GCL通過圖1中示出的最左邊的柔性電路板320連接到柵驅(qū)動(dòng)單元200。然而，本公開不限于此，柵控制線GCL可以通過柔性電路板320中的任何一個(gè)連接到柵驅(qū)動(dòng)單元200。
[0057]柵驅(qū)動(dòng)單元200響應(yīng)于柵控制信號(hào)產(chǎn)生多個(gè)柵信號(hào)。柵信號(hào)可以被順序地輸出。柵信號(hào)通過柵線GLl至GLm按行(by row)提供到像素PXlI至PXmn。結(jié)果，像素PXlI至PXmn可以按行驅(qū)動(dòng)。
[0058]數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元300包括多個(gè)源驅(qū)動(dòng)芯片310。源驅(qū)動(dòng)芯片310被集成到柔性電路板320上以連接到驅(qū)動(dòng)電路板400和非顯示區(qū)NDA的第一基板110，鄰近顯示區(qū)DA的上側(cè)。例如，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元300可以通過帶載封裝(TCP)方法連接到顯示面板100。
[0059]然而，本公開不限于此，替代地，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元300可以例如由多個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片形成以通過玻璃上芯片(COG)方法集成到顯示面板100的第一基板110上。
[0060]數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元300從信號(hào)控制單元410接收?qǐng)D像信號(hào)和數(shù)據(jù)控制信號(hào)。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元300響應(yīng)于數(shù)據(jù)控制信號(hào)產(chǎn)生與圖像信號(hào)對(duì)應(yīng)的模擬數(shù)據(jù)電壓。數(shù)據(jù)電壓通過數(shù)據(jù)線DLl至DLn提供到像素PXl I至PXmn。
[0061]像素PXl I至PXmn響應(yīng)于通過柵線GLl至GLm接收的柵信號(hào)通過數(shù)據(jù)線DLl至DLn接收數(shù)據(jù)電壓。像素PXll至PXmn顯示與數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的灰度級(jí)。因而，可以顯示圖像。
[0062]圖2是圖1中示出的一個(gè)像素的等效電路圖。
[0063]為了描述的方便，在圖2中示出連接到第一柵線GLl和第一數(shù)據(jù)線DLl的像素PX11。盡管沒有在附圖中示出，但是顯示面板100的其它像素的構(gòu)造與圖2中示出的像素PXll的構(gòu)造基本上相同。
[0064]參照?qǐng)D2，顯示面板100包括第一基板110、面對(duì)第一基板110的第二基板120以及設(shè)置在第一基板110和第二基板120之間的圖像顯示層LC。如上所述，圖像顯示層LC可以是液晶層LC ο
[0065]像素PXll包括連接到第一柵線GLl和第一數(shù)據(jù)線DLl的晶體管TR、連接到晶體管TR的液晶電容器Clc以及并聯(lián)連接到液晶電容器Clc的存儲(chǔ)電容器Cst。存儲(chǔ)電容器Cst可以被省略。
[0066]晶體管TR包括連接到第一柵線GLl的柵電極、連接到第一數(shù)據(jù)線DLl的源電極以及連接到液晶電容器Cl C和存儲(chǔ)電容器Cs t的漏電極。
[0067]液晶電容器Clc包括設(shè)置在第一基板110上的像素電極PE、設(shè)置在第二基板120上的公共電極CE以及設(shè)置在像素電極PE和公共電極CE之間的液晶層LC。液晶層LC用作電介質(zhì)。像素電極PE連接到晶體管TR的漏電極。
[0068]圖2的像素電極PE具有非狹縫結(jié)構(gòu)(也就是，它被示出為沒有孔、切口或者細(xì)小突起的單一整體結(jié)構(gòu))，但是不限于此，因此像素電極PE可以具有包括十字形部分和從該十字形部分徑向地延伸的多個(gè)分支部分的狹縫結(jié)構(gòu)。
[0069]公共電極CE可以形成在基本上整個(gè)基板120上。然而，本公開不限于此，公共電極CE可以形成在第一基板110上。在這種情況下，像素電極PE和公共電極CE中的至少一個(gè)可以具有狹縫。
[0070]存儲(chǔ)電容器Cst可以包括像素電極PE的一部分、從存儲(chǔ)線(未示出)分支出來的存儲(chǔ)電極(未示出)、以及設(shè)置在像素電極PE和存儲(chǔ)電極之間的絕緣層。存儲(chǔ)線可以設(shè)置在第一基板110上，并可以形成在與柵線GLl至GLm相同的層。存儲(chǔ)電極可以完全地或部分地交疊像素電極。
[0071]像素PX還可以包括表現(xiàn)原色之一的濾色器CF。作為示例性實(shí)施方式，如圖2所示，濾色器CF可以設(shè)置在第二基板120上。然而，本公開不限于此，替代地，濾色器CF可以設(shè)置在第一基板110上。
[0072]晶體管TR響應(yīng)于通過第一柵線GLl提供的柵信號(hào)而導(dǎo)通。然后，通過第一數(shù)據(jù)線DLl接收的數(shù)據(jù)電壓通過導(dǎo)通的晶體管TR提供到液晶電容器Clc的像素電極PE。同時(shí)，公共電壓被施加到公共電極CE。
[0073]像素電極PE與公共電極CE之間的電場(chǎng)由于數(shù)據(jù)電壓與公共電壓之間的電壓電平差而形成。液晶層LC的液晶分子被形成于像素電極PE與公共電極CE之間的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)。透光率被液晶模塊根據(jù)該電場(chǎng)來調(diào)整，從而可以顯示圖像。
[0074]雖然沒有在附圖中示出，但是用于提供光到顯示面板100的背光單元可以設(shè)置在顯不面板100的后面。
[0075]具有預(yù)定電壓電平的存儲(chǔ)電壓可以施加到存儲(chǔ)線。然而，本公開不限于此，替代地，存儲(chǔ)線可以例如接收公共電壓。存儲(chǔ)電容器Cst用來補(bǔ)充被充電到液晶電容器Clc的電壓。
[0076]圖3是示出圖1中示出的柵驅(qū)動(dòng)單元的構(gòu)造的圖。
[0077]參照?qǐng)D3，柵驅(qū)動(dòng)單元200包括多個(gè)級(jí)SRCl至SRCm和多個(gè)修理塊RB。級(jí)SRCl至SRCm被順序地啟動(dòng)以產(chǎn)生柵信號(hào)。
[0078]級(jí)SRCl至SRCm電連接到柵線GLl?GLm以輸出柵信號(hào)。級(jí)SRCl至SRCm中的每個(gè)包括輸入端子IN、時(shí)鐘端子CK、第一電壓端子Vl和第二電壓端子V2、第一控制端子CTl和第二控制端子CT2、輸出端子OUT和進(jìn)位端子(carry terminal)CR。
[0079]柵控制信號(hào)可以包括起始信號(hào)STV、第一時(shí)鐘信號(hào)CKV和第二時(shí)鐘信號(hào)CKVB。第一時(shí)鐘信號(hào)CKV和第二時(shí)鐘信號(hào)CKVB可以具有相反的相位。
[0080]級(jí)SRCl至SRCm中的每個(gè)的進(jìn)位端子CR電連接到下一個(gè)級(jí)的輸入端子IN。也就是，第i級(jí)的進(jìn)位端子CR電連接到第i+Ι級(jí)的輸入端子IN。這里，i大于O并且是小于或等于m-2的整數(shù)。
[0081 ] 級(jí)SRCl至SRCm當(dāng)中的第一級(jí)SRCl可以通過接收起始信號(hào)STV而被啟動(dòng)。第二級(jí)SRC2至第m級(jí)SRCm中的每個(gè)的輸入端子IN可以通過接收從前一級(jí)的進(jìn)位端子CR輸出的進(jìn)位信號(hào)而被啟動(dòng)。因此，如上所述，級(jí)SRCl至SRCm可以被順序地啟動(dòng)。
[0082]級(jí)SRCl至SRCm中的奇數(shù)級(jí)SRCl、SRC3......和SRCm-1和級(jí)SRCl至SRCm中的偶數(shù)級(jí)
SRC2、SRRC4......和SRCm可以接收相反相位的時(shí)鐘信號(hào)。例如，奇數(shù)級(jí)SRCl、SRC3......和
SRCm-1的時(shí)鐘端子CK可以接收第一時(shí)鐘信號(hào)CKV。偶數(shù)級(jí)SRC2、SRRC4......和SRCm的時(shí)鐘端子CK可以接收第二時(shí)鐘信號(hào)CKVB。
[0083]第一電壓VSSl (或者第一低電壓)可以施加到級(jí)SRCl至SRCm中的每個(gè)的第一電壓端子VI。第二電壓VSS2(或者第二低電壓)可以施加到級(jí)SRCl至SRCm中的每個(gè)的第二電壓端子V2。
[0084]第二電壓VSS2可以具有比第一電壓VSSl低的電壓電平。第一電壓VSSl可以是接地電壓或負(fù)電壓。例如，第一電壓VSSl可以為約-6V，第二電壓VSS2可以為約-10V。
[0085]第i級(jí)的第一控制端子CTl連接到第i+ Ι級(jí)的輸出端子OUT。第i級(jí)的第二控制端子CT2連接到第i+2級(jí)的輸出端子OUT。
[0086]第i級(jí)的第一控制端子CTI接收從第i+1級(jí)的輸出端子OUT輸出的柵信號(hào)。第i級(jí)的第二控制端子CT2接收從第i+2級(jí)的輸出端子OUT輸出的柵信號(hào)。
[0087]被施加到級(jí)SRCl至SRCm中的每個(gè)的輸入端子IN和第一控制端子CTl和第二控制端子CT2的起始信號(hào)STV、進(jìn)位信號(hào)和柵信號(hào)是用于控制級(jí)SRCl至SRCm的操作的控制信號(hào)。
[0088]最末級(jí)SRCm的第一控制端子CTl和第二控制端子CT2可以從虛設(shè)級(jí)(未示出)接收與柵信號(hào)對(duì)應(yīng)的信號(hào)。虛設(shè)級(jí)是實(shí)質(zhì)上不連接到柵線GLl至GLm的級(jí)。
[0089 ] 級(jí)SRCI至SRCm中的每個(gè)的輸出端子OUT被連接到柵線GLI至GLm中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)。級(jí)SRCl至SRCm的輸出端子OUT可以通過柵線GLl至GLm順序地輸出柵信號(hào)。
[0090]第一時(shí)鐘信號(hào)CKV和第二時(shí)鐘信號(hào)CKVB的高電平可以是用于驅(qū)動(dòng)像素的柵導(dǎo)通電壓，其低電平可以是柵關(guān)斷電壓。級(jí)SRCl至SRCm中的每個(gè)的輸出端子OUT輸出被提供到第一時(shí)鐘端子CK的時(shí)鐘信號(hào)的高電平部分。
[0091]級(jí)SRCl至SRCm中的每個(gè)的進(jìn)位端子CR輸出進(jìn)位信號(hào)，該進(jìn)位信號(hào)具有與柵信號(hào)相同的相位和相同的幅度。
[0092]每個(gè)修理塊RB具有比級(jí)SRCl至SRCm中的每個(gè)小的尺寸。修理塊RB緊挨著多個(gè)級(jí)SRCl至SRCm中的對(duì)應(yīng)的兩個(gè)或更多級(jí)的每個(gè)單元設(shè)置。此外，每個(gè)修理塊RB被設(shè)置為被對(duì)應(yīng)的兩個(gè)或更多級(jí)共用。
[0093]例如，如圖3所示，每個(gè)修理塊RB設(shè)置在兩個(gè)相鄰的級(jí)之間并被這兩個(gè)級(jí)共用。因此，圖3中示出的修理塊RB的數(shù)目是m/2。然而，本公開不限于此，并且每個(gè)修理塊RB可以對(duì)應(yīng)于超過兩個(gè)級(jí)。
[0094]雖然如方框圖所示每個(gè)修理塊RB設(shè)置在兩個(gè)級(jí)之間，但是每個(gè)修理塊RB實(shí)質(zhì)上布置為交疊一對(duì)級(jí)。
[0095]此外，當(dāng)相鄰的兩個(gè)級(jí)的晶體管被損壞時(shí)，每個(gè)修理塊RB包括用于替換損壞的晶體管的修理器件、以及從修理器件延伸并設(shè)置為交疊相鄰的級(jí)的修理線。下面將更詳細(xì)地描述這樣的構(gòu)造。
[0096]圖4是圖3的第i級(jí)的電路圖。
[0097]雖然第i級(jí)SRCi的電路圖在圖4中示出，但是圖3中示出的其它級(jí)具有實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)造。因此，在下文，描述第i級(jí)SRCi的電路構(gòu)造，并省略對(duì)其它級(jí)的構(gòu)造的描述。
[0098]參照?qǐng)D4，第i級(jí)SRCi包括彼此連接以產(chǎn)生柵信號(hào)的第一晶體管Tl至第十六晶體T16、以及第一電容器Cl至第四電容器C4。
[0099]此外，根據(jù)第一晶體管Tl至第十六晶體管T16的功能，第i級(jí)SRCi包括第一輸出單元211、第二輸出單元212、控制單元213、第一下拉單元214-1、第二下拉單元214-2、保持單元215、開關(guān)單元216和穩(wěn)定單元217。
[0100]第一輸出單元211輸出柵信號(hào)GSi到第i柵線。第二輸出單元212提供進(jìn)位信號(hào)CRSi到第i+Ι級(jí)。
[0101]控制單元213控制第一輸出單元211和第二輸出單元212的操作。更具體地，控制單元213響應(yīng)于第1-Ι級(jí)的進(jìn)位信號(hào)CRS1-1而使第一輸出單元211和第二輸出單元212導(dǎo)通。此夕卜，控制單元213響應(yīng)于第i+Ι級(jí)的柵信號(hào)GSi+Ι而使第一輸出單元211和第二輸出單元212關(guān)斷。
[0102]第一下拉單元214-1將輸出端子OUT的電位下拉至第一電壓VSSl。第二下拉單元214-2將進(jìn)位端子CR的電位下拉至第二電壓VSS2。保持單元215通過關(guān)斷的第一輸出單元211而將柵信號(hào)GSi保持在第一電壓VSSl并將進(jìn)位信號(hào)CRSi保持在第二電壓VSS2。
[0103]開關(guān)單元216控制保持單元215的導(dǎo)通/關(guān)斷操作。第二節(jié)點(diǎn)N2是開關(guān)單元216的輸出端子，并被連接到保持單元215的控制端子。穩(wěn)定單元217在柵信號(hào)GSi的低壓段(lowsect1n)期間穩(wěn)定第一節(jié)點(diǎn)NI的電位。
[0104]第一輸出單元211包括第一晶體管Tl。第一晶體管Tl包括用于接收第一時(shí)鐘信號(hào)CKV的輸入電極、連接到控制單元213的控制電極、以及用于輸出柵信號(hào)GSi的輸出電極。第一晶體管Tl的控制電極被連接到第一節(jié)點(diǎn)NI，第一節(jié)點(diǎn)NI是控制單元213的輸出端子。
[0105]第二輸出單元212包括第十四晶體管T14。第十四晶體管T14包括用于接收第一時(shí)鐘信號(hào)CKV的輸入電極、連接到第一晶體管Tl的控制電極的控制電極、以及用于輸出進(jìn)位信號(hào)CRSi的輸出電極。
[0106]控制單元213包括第四晶體管T4、第九晶體管T9和第十五晶體管T15、以及第一電容器Cl和第二電容器C2。第四晶體管T4包括用于共同接收第1-ι級(jí)的進(jìn)位信號(hào)CRS1-1的控制電極和輸入電極、以及通過第一節(jié)點(diǎn)NI連接到第一晶體管Tl和第十四晶體管T14的控制電極的輸出電極。第1-Ι級(jí)的進(jìn)位信號(hào)CRS1-1是第四晶體管T4的開關(guān)控制信號(hào)。
[0107]第九晶體管T9包括連接到第一節(jié)點(diǎn)NI的輸出電極、用于接收第i+Ι級(jí)的柵信號(hào)GSi+ 1的控制電極、以及輸入電極。第十五控制晶體管T15包括共同連接到第九晶體管T9的輸入電極的控制電極和輸出電極、以及連接到第二電壓端子V2的輸入電極。
[0108]第一電容器Cl連接在第一晶體管Tl的控制電極和輸出電極之間。第二電容器C2連接在第十四晶體管T14的控制電極和輸出電極之間。
[0109]當(dāng)?shù)谒木w管T4響應(yīng)于第1-Ι級(jí)的進(jìn)位信號(hào)CRS1-1而導(dǎo)通時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)NI的電位升高至第一高電壓，并且第一晶體管Tl和第十四晶體管T14都被導(dǎo)通。
[0110]當(dāng)?shù)?-Ι級(jí)的進(jìn)位信號(hào)CRS1-1被施加到第一節(jié)點(diǎn)NI時(shí)，第一電容器Cl被充電。然后，第一晶體管Tl被自舉(bootstrap)。也就是，連接到第一晶體管Tl的控制電極的第一節(jié)點(diǎn)NI從一高電壓升壓到第二高電壓。
[0111]當(dāng)?shù)诰啪w管T9和第十五晶體管T15響應(yīng)于第i+Ι級(jí)的柵信號(hào)GSi+Ι而導(dǎo)通時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)NI的電位降低。此時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)NI的電位由于第十五晶體管T15的影響而略微高于第二電壓VSS2 ο當(dāng)?shù)谝还?jié)點(diǎn)NI的電位降低時(shí)，連接到第一節(jié)點(diǎn)NI的第一晶體管Tl和第十四晶體管T14被關(guān)斷。
[0112]第一下拉單元214-1包括第二晶體管T2。第二晶體管T2包括連接到第一晶體管Tl的輸出電極的輸出電極、用于接收第i+Ι級(jí)的柵信號(hào)GSi+Ι的控制電極、以及連接到第一電壓端子Vl的輸入電極。第二晶體管T2響應(yīng)于第i+Ι級(jí)的柵信號(hào)GSi+Ι而將輸出端子OUT的電位降低至第一電壓VSSl。
[0113]第二下拉單元214-2包括第十六晶體管T16。第十六晶體管T16包括用于接收第i+1級(jí)的柵信號(hào)GSi+Ι的控制電極、連接到第二電壓端子V2的輸入電極、以及連接到第十四晶體管T14的輸出端子的輸出電極。第十六晶體管T16響應(yīng)于第i+Ι級(jí)的柵信號(hào)GSi+Ι而將進(jìn)位端子CR的電位降低至第二電壓VSS2。
[0114]保持單元215包括第三晶體管T3和第^^一晶體管Tll。第三晶體管T3包括連接到第一晶體管Tl的輸出電極的輸出電極、連接到第二節(jié)點(diǎn)N2的控制電極、以及連接到第一電壓端子Vl的輸入電極。
[0115]第十一晶體管Tll包括連接到第十四晶體管T14的輸出電極的輸出電極、連接到第二節(jié)點(diǎn)N2的控制電極、以及連接到第二電壓端子V2的輸入電極。
[0116]第三晶體管T3在第一晶體管Tl關(guān)斷時(shí)將輸出端子OUT的電位保持在第一電壓VSS1。第十一晶體管Tll在第十四晶體管T14關(guān)斷時(shí)將進(jìn)位端子CR的電位保持在第二電壓VSS2o
[0117]開關(guān)單元216在第一輸出單元211響應(yīng)于第1-Ι級(jí)的進(jìn)位信號(hào)CRS1-1導(dǎo)通時(shí)提供第二電壓VSS2到第二節(jié)點(diǎn)N2。接收第二電壓VSS2的保持單元215被關(guān)斷。然后，開關(guān)單元216響應(yīng)于第一時(shí)鐘信號(hào)CKV而提供第一電壓VSSl到第二節(jié)點(diǎn)N2。接收第一電壓VSSl的保持單元215的斷開狀態(tài)被維持。
[0118]開關(guān)單元216在第一輸出單元211被關(guān)斷時(shí)提供與第一時(shí)鐘信號(hào)CKV相應(yīng)的電壓到第二節(jié)點(diǎn)N2。也就是，當(dāng)?shù)谝惠敵鰡卧?11被關(guān)斷時(shí)，第一電壓VSSl和對(duì)應(yīng)于第一時(shí)鐘信號(hào)CKV的高電平的第三高電壓被交替地施加到第二節(jié)點(diǎn)N2。當(dāng)在第一輸出單元211被關(guān)斷的同時(shí)第三高電壓被施加到第二節(jié)點(diǎn)N2時(shí)，保持單元215被導(dǎo)通。
[0119]開關(guān)單元216包括第五晶體管T5、第七晶體管T7、第八晶體管T8、第十二晶體管T12和第十三晶體管T13、以及第三電容器C3和第四電容器C4。第五晶體管T5包括用于接收第1-1級(jí)的進(jìn)位信號(hào)CRS1-1的控制電極、連接到第二節(jié)點(diǎn)N2的輸出電極、以及連接到第二電壓端子V2的輸入電極。
[0120]第七晶體管T7包括用于共同接收第一時(shí)鐘信號(hào)CKV的輸入電極和控制電極、以及連接到第八晶體管T8的輸出電極的輸出電極。第八晶體管T8包括連接到第十六晶體管T16的輸出電極的控制電極、連接到第一電壓端子Vl的輸入電極、以及如上連接到第七晶體管T7的輸出電極。
[0121]第十二晶體管T12包括用于接收第一時(shí)鐘信號(hào)CKV的輸入電極、連接到第七晶體管T7的輸出電極的控制電極、以及連接到第二節(jié)點(diǎn)N2的輸出電極。
[0122]第十三晶體管T13包括從第二輸出單元212接收進(jìn)位信號(hào)CRSi并連接到第十六晶體管T16的輸出電極的控制電極、以及連接到第一電壓端子Vl的輸入電極。
[0123]第三電容器C3連接在第十二晶體管T12的輸入電極和控制電極之間。第四電容器C4連接在第七晶體管T7的輸出電極和第十二晶體管T12的輸出電極之間。
[0124]第五晶體管T5響應(yīng)于第1-Ι級(jí)的進(jìn)位信號(hào)CRS1-1提供第二電壓VSS2到第二節(jié)點(diǎn)N2。第十三晶體管T13在第二輸出單元212導(dǎo)通時(shí)提供第一電壓VSSl到第二節(jié)點(diǎn)N2。因此，第三晶體管T3和第^^一晶體管Tl I在第二輸出單元212導(dǎo)通時(shí)通過第一電壓VSSl被關(guān)斷。
[0125]第八晶體管T8在第二輸出單元212導(dǎo)通時(shí)被導(dǎo)通，使得它將第一時(shí)鐘信號(hào)CKV降低至第一電壓VSSl。因此，阻止第一時(shí)鐘信號(hào)CKV施加到第二節(jié)點(diǎn)N2。第二輸出單元212被導(dǎo)通的時(shí)刻可以對(duì)應(yīng)于第一時(shí)鐘信號(hào)CKV的高電平。
[0126]第三電容器C3和第四電容器C4被充有與第一時(shí)鐘信號(hào)CKV相應(yīng)的電壓。于是，第十二晶體管T12通過充到第三電容器C3和第四電容器C4的電壓而導(dǎo)通。此外，當(dāng)?shù)谖寰w管T5、第八晶體管T8和第十三晶體管T13關(guān)斷時(shí)，第二節(jié)點(diǎn)N2的電位通過充到第三電容器C3和第四電容器C4的電壓而升高。
[0127]當(dāng)?shù)诙?jié)點(diǎn)N2的電位升高時(shí)，第三晶體管T3和第^^一晶體管Tll導(dǎo)通，從而輸出端子OUT和進(jìn)位端子CR分別被保持在第一電壓VSSI和第二電壓VSS2。
[0128]穩(wěn)定單元217包括第六晶體管T6和第十晶體管TlO。第六晶體管T6包括用于接收第i+2級(jí)的柵信號(hào)GSi+2的控制電極、連接到第二電壓端子V2的輸入電極、以及連接到第一節(jié)點(diǎn)NI的輸出電極。第十晶體管T10包括連接到第二節(jié)點(diǎn)N2的控制電極、連接到第二電壓端子V2的輸入電極、以及連接到第一節(jié)點(diǎn)NI的輸出電極。
[0129]第六晶體管T6響應(yīng)于第i+2級(jí)的柵信號(hào)GSi+2而提供第二電壓VSS2到第一節(jié)點(diǎn)NI。因此，第一節(jié)點(diǎn)NI的電位可以通過第i+2級(jí)的柵信號(hào)GSi+2而被穩(wěn)定至第二電壓VSS2。
[0130]第十晶體管TlO根據(jù)第二節(jié)點(diǎn)N2的電位而被導(dǎo)通/關(guān)斷。當(dāng)?shù)诙?jié)點(diǎn)N2的電位被降低至第一電壓VSSl時(shí)，第十晶體管TlO被關(guān)斷。當(dāng)?shù)诙?jié)點(diǎn)N2的電位通過第一時(shí)鐘信號(hào)CKV而升高時(shí)，第十晶體管TlO被導(dǎo)通。導(dǎo)通的第十晶體管TlO將第一節(jié)點(diǎn)NI的電位降低至第二電壓VSS2。
[0131]因此，第一節(jié)點(diǎn)NI的電位可以在柵信號(hào)GSi的低電平期間通過第六晶體管T6和第十晶體管TlO而被穩(wěn)定至第二電壓VSS2。
[0132]圖5是示出根據(jù)本公開的實(shí)施方式的一個(gè)修理塊、以及共用該修理塊的級(jí)的第一至第十六晶體管和第一電容器的布置狀態(tài)的圖。
[0133]為了描述的方便，參照?qǐng)D5，第一晶體管Tl至第十六晶體管T16的連接構(gòu)造沒有被示出，替代地，第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3至第十六晶體管T16和第一電容器CI被表不為方框。
[0134]在下文，兩個(gè)級(jí)共用一個(gè)修理塊RB，這兩個(gè)級(jí)被稱為第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+1。這里，k是奇數(shù)并且k+Ι小于或等于m。
[0135]參照?qǐng)D5，修理塊RB被設(shè)置為被相應(yīng)的第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+1共用。也就是，修理塊RB被設(shè)置為交疊第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι。
[0136]級(jí)SRCk和SRCk+Ι中的每個(gè)可以包括其中設(shè)置第一晶體管Tl和第二晶體管T2的第一晶體管區(qū)塊BLKl、以及其中設(shè)置第三晶體管T3至第十六晶體管T16的第二晶體管區(qū)塊BLK2。也就是，第一晶體管區(qū)塊BLKI和第二晶體管區(qū)塊BLK2以及第一電容器Cl彼此連接以產(chǎn)生柵信號(hào)。
[0137]第二晶體管區(qū)塊BLK2在第一方向DRl上設(shè)置在第一晶體管區(qū)塊BLKl的一側(cè)，第一電容器Cl設(shè)置在第一晶體管區(qū)塊BLKl的另一側(cè)。
[0138]級(jí)SRCk和SRCk+1中的每個(gè)的第一晶體管Tl和第二晶體管T2可以具有大致相同的尺寸。第一晶體管Tl和第二晶體管Τ2可以沿第一方向DRl延伸并可以沿第二方向DR2并排布置。
[0139]第k級(jí)SRCk的第二晶體管Τ2和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι的第二晶體管Τ2可以布置為彼此面對(duì)。然而，本公開不限于此，因此替代地，第k級(jí)SRCk的第一晶體管Tl和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι的第二晶體管T2可以布置為彼此面對(duì)。此外，第k級(jí)SRCk的第二晶體管T2和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι的第一晶體管Tl可以布置為彼此面對(duì)。
[0140]第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι中的每個(gè)的第三晶體管T3至第十六晶體管T16布置為鄰近第一晶體管Tl和第二晶體管T2的相同側(cè)。第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι中的每個(gè)的第一電容器Cl布置為鄰近第一晶體管Tl和第二晶體管T2的相反側(cè)。
[0141]修理塊RB可以包括第一修理塊RBl和第二修理塊RB2。第一修理塊RBl設(shè)置在第k級(jí)SRCk和第k+1級(jí)SRCk+1的第一晶體管區(qū)塊BLKI和第一電容器Cl之間。
[0142]更具體地，第一修理塊RBl可以設(shè)置在第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι的第二晶體管T2和第一電容器Cl之間。
[0143]第二修理塊RB2可以設(shè)置在第二晶體管區(qū)塊BLK2的相反兩側(cè)并在第二晶體管區(qū)塊BLK2和第一晶體管區(qū)塊BLKl之間。
[0144]更具體地，第二修理塊RB2可以設(shè)置在第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι的第二晶體管區(qū)塊BLK2的相同側(cè)并在第二晶體管區(qū)塊BLK2和第二晶體管T2之間。
[0145]作為示例性實(shí)施方式，在圖5中示出一個(gè)第一修理塊RBl。然而，本公開不限于此，因此，兩個(gè)或更多第一修理塊RBl可以設(shè)置在第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι的第一晶體管區(qū)塊BLKl和第一電容器Cl之間。
[0146]作為示例性實(shí)施方式，所述兩個(gè)第二修理塊RB2被分別設(shè)置在第k級(jí)SRCk和第k+1級(jí)SRCk+1的第二晶體管區(qū)塊BLK2的相反兩側(cè)。然而，本公開不限于此，因此多于兩個(gè)的第二修理塊RB可以設(shè)置在第k級(jí)SRCk和第k+1級(jí)SRCk+1的第二晶體管區(qū)塊BLK2的不同側(cè)、以及在第二晶體管區(qū)塊BLK2的其他側(cè)和第一晶體管區(qū)塊BLKl之間。
[0147]級(jí)SRCk和SRCk+Ι中的每個(gè)的第一晶體管Tl包括多個(gè)第一晶體管單元TUl。此外，級(jí)SRCk和SRCk+Ι中的每個(gè)的第二晶體管T2包括多個(gè)第二晶體管單元TU2。
[0148]作為示例性實(shí)施方式，在圖5中示出三個(gè)第一晶體管單元TUl和三個(gè)第二晶體管單元TU2。然而，本公開不限于此，第一晶體管Tl可以包括兩個(gè)第一晶體管單元TUl或者多于三個(gè)的第一晶體管單元TUl。此外，第二晶體管T2可以包括兩個(gè)第二晶體管單元TU2或者多于三個(gè)的第二晶體管單元TU2。對(duì)于任何所述晶體管，任何數(shù)量的晶體管單元被考慮到。
[0149]第一晶體管Tl中的每個(gè)和第二晶體管T2中的每個(gè)可以具有實(shí)質(zhì)上相同的尺寸。第一修理塊RBl可以具有與每個(gè)第一晶體管單元TUl或每個(gè)第二晶體管單元TU2實(shí)質(zhì)上相同的尺寸。
[0150]圖6是示出圖5中示出的第k級(jí)的第一晶體管和第二晶體管以及第一修理塊的平面圖。圖7是根據(jù)本公開的實(shí)施方式的沿圖6的線1-Γ截取的截面圖。圖8是根據(jù)本公開的實(shí)施方式的沿圖6的線11-11’截取的截面圖。圖9是根據(jù)本公開的實(shí)施方式的沿圖6的線II1-1II’截取的截面圖。
[0151]參照?qǐng)D6至圖9，第一晶體管Tl具有沿第一方向DRl彼此連接的多個(gè)第一晶體管單元TU1。第二晶體管T2同樣具有沿第一方向DRl彼此連接的多個(gè)第二晶體管單元TU2。
[0152]第一晶體管Tl和第二晶體管Τ2具有實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)造和實(shí)質(zhì)上相同的尺寸。因此，在下文，第一晶體管Tl的構(gòu)造被詳細(xì)地描述，第二晶體管Τ2的構(gòu)造被簡要地描述或者省略。
[0153]第一晶體管單元TUl中的每個(gè)包括第一柵電極GEl、第一半導(dǎo)體層SMl、第一源電極SEl和第一漏電極DE1。第一晶體管單元TUl設(shè)置在第一底基板111上。第一基板110包括第一底基板111。
[0154]更詳細(xì)地，第一柵電極GEl設(shè)置在第一底基板111上。第一柵電極GEl通過從第一導(dǎo)電圖案CPl分支出來而形成。第一導(dǎo)電圖案CPl可以是用于形成第一晶體管Tl至第十六晶體管Τ16的控制電極的導(dǎo)電圖案。第一導(dǎo)電圖案CPl通過與柵線GLl至GLm相同的工藝形成在與柵線GLl至GLm相同的層。
[0155]第一柵電極GEl可以形成為具有沿第一方向DRl的長邊和沿第二方向DR2的短邊的矩形形狀。第一晶體管單元TUl的第一柵電極GEl沿第一方向DRl布置以彼此連接。
[0156]第一絕緣層112設(shè)置在第一底基板111上以覆蓋第一柵電極GE1。第一絕緣層112可以被定義為柵絕緣層。交疊第一柵電極GEl的第一半導(dǎo)體層SMl設(shè)置在第一絕緣層112上。雖然沒有在附圖中示出，但是第一半導(dǎo)體層SMl中的每個(gè)可以包括有源層和歐姆接觸層。
[0157]第一源電極SEl和第一漏電極DEl在第一半導(dǎo)體層SMl和第一絕緣層112之上彼此間隔開地形成。第一源電極SEl和第一漏電極DEl可以通過從第二導(dǎo)電圖案CP2分支出來而形成。
[0158]第二導(dǎo)電圖案CP2可以是用于形成第一晶體管Tl至第十六晶體管Τ16的輸入電極和輸出電極的導(dǎo)電圖案。第二導(dǎo)電圖案CP2通過與數(shù)據(jù)線DLl至DLn相同的工藝形成在與數(shù)據(jù)線DLl至DLn相同的層。
[0159]第一晶體管單元TUl的第一源電極SEl彼此連接。第一晶體管單元TUl的第一漏電極DEl彼此連接。第一半導(dǎo)體層SMl形成第一源電極SEl和第一漏電極DEl之間的導(dǎo)電溝道。
[0160]第一源電極SEl中的每個(gè)包括在第二方向DR2上延伸的多個(gè)溝槽G。每個(gè)溝槽G從第一源電極SEl的邊緣凹進(jìn)到第一源電極SEl的內(nèi)部。也就是，溝槽G沿第一源電極SEl中的每個(gè)的上邊和下邊設(shè)置并在第二方向DR2上延伸。
[0161]第一漏電極DEl包括在第二方向DR2上延伸并對(duì)應(yīng)于溝槽G(例如，延伸到溝槽G中)的多個(gè)突出部分P。突出部分P設(shè)置為鄰近溝槽G。也就是，突出部分P設(shè)置為鄰近第一源電極SEl的上邊處的溝槽G和設(shè)置在第一源電極SE I的下邊處的溝槽G ο突出部分P的在第二方向DR2上不鄰近溝槽G的端部彼此連接。
[0162]第二絕緣層113設(shè)置在第一絕緣層112和第一半導(dǎo)體層SMl上。第二絕緣層113可以被定義為鈍化層。
[0163]第一電容器Cl包括從第一晶體管Tl的第一柵電極GEl分支出來的第一電極和從第一晶體管Tl的第一漏電極DEl分支出來的第二電極。雖然在圖6中僅不出第一電容器Cl的一部分，但是實(shí)質(zhì)上第一電容器Cl可以延伸以鄰近第一修理晶體管RTl設(shè)置。
[0164]第一晶體管單元TUl的互相連接的第一柵電極GEl延伸以連接到第一柵分支線GBL1。第二晶體管單元TU2的互相連接的第二柵電極GE2延伸以連接到第二柵分支線GBL2。
[0165]第一晶體管單元TUl的互相連接的第一源電極SEl延伸以連接到第二源分支線SBL2。第二晶體管單元TU2的互相連接的第二源電極SE2延伸以連接到第一源分支線SBL1。
[0166]第一晶體管單元TUl的互相連接的第一漏電極DEl延伸以連接到第一漏分支線DBL1。第二晶體管單元TU2的互相連接的第二漏電極DE2延伸以連接到第二漏分支線DBL2。
[0167]第一修理塊RBl包括第一修理晶體管RTl、多個(gè)修理線RLl、RL2和RL3、以及多個(gè)修理焊盤RPDURPD2和RPD3。第一修理晶體管RTl是修理器件。
[0168]第一修理晶體管RTl可以實(shí)質(zhì)上具有與一個(gè)第一晶體管單元TUl相同的尺寸和相同的構(gòu)造。例如，第一修理晶體管RTI包括:第一修理柵電極RGEl，具有與第一柵電極GE I相同的尺寸并設(shè)置在與第一柵電極GEl相同的層;第一修理半導(dǎo)體層RSM1，具有與第一半導(dǎo)體層SMl相同的尺寸并設(shè)置在與第一半導(dǎo)體層SMl相同的層;第一修理源電極RSEl，具有與第一源電極SEl相同的尺寸并設(shè)置在與第一源電極SEl相同的層；以及第一修理漏電極RDEl，具有與第一漏電極DEl相同的尺寸并設(shè)置在與第一漏電極DEl相同的層。
[0169]修理線RLl、RL2和RL3包括從第一修理柵電極RGEl延伸的第一修理線RLl、從第一修理源電極RSEI延伸的第二修理線RL2、以及從第一修理漏電極RDEI延伸的第三修理線RL3。
[0170]修理焊盤RPDl、RPD2和RPD3包括交疊第一修理線RLl的第一修理焊盤RPDl、交疊第二修理線RL2的第二修理焊盤RPD2、以及交疊第三修理線RL3的第三修理焊盤RPD3。
[0171]如圖8所示，第一修理焊盤RPDl設(shè)置在與第一源電極SEl和第一漏電極DEl相同的層。也就是，第一修理焊盤RPDl設(shè)置在與第二導(dǎo)電層CP2相同的層。
[0172]如圖9所示，第二修理焊盤RPD2設(shè)置在與第一柵電極GEl相同的層。雖然沒有在截面圖中示出，但是第三修理焊盤RPD3也設(shè)置在與第一柵電極GEl相同的層。也就是，第二修理焊盤RPD2和第三修理焊盤RPD3設(shè)置在與第一導(dǎo)電層CPl相同的層。
[0173]第一柵分支線GBLl和第二柵分支線GBL2設(shè)置為交疊第一修理焊盤RPDl。雖然第k+I級(jí)SRCk+Ι的構(gòu)造沒有被示出，但是第k+Ι級(jí)SRCk+Ι的第一柵分支線GBLl和第二柵分支線GBL2也可以設(shè)置為交疊第一修理焊盤RPDl。
[0174]第一源分支線SBLl和第二源分支線SBL2設(shè)置為交疊第二修理焊盤RPD2。第k+Ι級(jí)SRCk+Ι的第一源分支線SBLl和第二源分支線SBL2也設(shè)置為交疊第二修理焊盤RPD2。
[0175]第一漏分支線DBLl和第二漏分支線DBL2設(shè)置為交疊第三修理焊盤RPD3。第k+Ι級(jí)SRCk+Ι的第一漏分支線DBLl和第二漏分支線DBL2也設(shè)置為交疊第三修理焊盤RPD3。
[0176]圖10是示出任何一個(gè)級(jí)的通過使用第一修理塊的修理的圖。
[0177]參照?qǐng)D1O，在設(shè)置于第k級(jí)SRCk的第一晶體管單元TUI的中央的第一晶體管單元TUl中，第一源電極SEl和第一漏電極DEl短路，使得缺陷DF出現(xiàn)在第一晶體管Tl中。
[0178]盡管第一源電極SEl和第一漏電極DEl之間的短路被示出，但是各種其它缺陷可以在第一晶體管單元TUl中發(fā)生。例如，當(dāng)?shù)谝粬烹姌OGEl與第一源電極SEl和第一漏電極DEl可能短路或者第一晶體管單元TUl的溝道被燒毀時(shí)，缺陷可以在第一晶體管單元TUl中發(fā)生。
[0179]損壞的第一晶體管單元TUl的第一漏電極DEl用激光切斷(見L0)。更詳細(xì)地，突出部分P的預(yù)定區(qū)域被沿第一方向DRl切斷。因此，損壞的第一晶體管單元TUl從第一晶體管Tl分離。未損壞的第一晶體管單元TUl的第一漏電極DEl保持彼此連接。
[0180]交疊第一修理焊盤RPDI的第一柵分支線GBLl通過激光而被短路LS到第一修理焊盤RPDl。另外，交疊第一修理焊盤RPDl的第一修理線RLl通過激光而被短路LS到第一修理焊盤RPDl。因此，第一柵分支線GBLl和第一修理線RLl彼此電連接。也就是，第一修理晶體管RTl的第一修理柵電極RGEl被電連接到第一晶體管Tl的第一柵電極GEl。
[0181 ] 交疊第二修理焊盤RPD2的第二源分支線SBL2和第二修理線RL2通過激光而被短路LS到第二修理焊盤RPD2。因此，第二源分支線SBL2被電連接到第二修理線RL2。也就是，第一修理晶體管RTl的第一修理源電極RSEl被電連接到第一晶體管Tl的第一源電極SEl。
[0182]交疊第三修理焊盤RPD3的第一漏分支線DBLl和第三修理線RL3通過激光而被短路LS到第三修理焊盤RPD3。因此，第一漏分支線DBLl和第三修理線RL3彼此電連接。也就是，第一修理晶體管RTl的第一修理漏電極RDEl被電連接到第一晶體管Tl的第一漏電極DEl。
[0183]結(jié)果，損壞的第一晶體管單元TUl可以從第一晶體管Tl去除，第一修理晶體管RTl可以連接到第一晶體管Tl來替代損壞的第一晶體管單元TU1。因此，第一晶體管Tl可以通過第一修理晶體管RTI來修理。
[0184]以同樣的方式，當(dāng)?shù)趉級(jí)SRCk的第二晶體管單元TU2中的一個(gè)第二晶體管單元TU2被損壞時(shí)，第二晶體管T2可以通過第一修理晶體管RTI來修理。另外，當(dāng)?shù)趉+Ι級(jí)SRCk+Ι的第一晶體管Tl或者第二晶體管T2損壞時(shí)，該第一晶體管Tl或者第二晶體管T2可以通過第一修理晶體管RTI來修理。
[0185]第一晶體管Tl可以被形成為一個(gè)連續(xù)的晶體管，其沒有被劃分為第一晶體管單元TUl并具有與第一晶體管單元TUl的尺寸的總和相對(duì)應(yīng)的尺寸。也就是，所述級(jí)中的每個(gè)可以包括具有與第一晶體管單元TUl的尺寸的總和相對(duì)應(yīng)的尺寸的第一晶體管。
[0186]當(dāng)缺陷在這樣的級(jí)中發(fā)生時(shí)，可以使用具有與有缺陷的級(jí)相同的構(gòu)造的修理級(jí)。也就是，即使當(dāng)級(jí)的僅一個(gè)晶體管損壞時(shí)，損壞的級(jí)本身用修理級(jí)替換。因此，用于放置修理級(jí)的區(qū)域與損壞的級(jí)的區(qū)域大小相同。另外，即使當(dāng)級(jí)的僅一個(gè)晶體管損壞時(shí)，由于整個(gè)損壞的級(jí)用修理級(jí)替代，所以柵驅(qū)動(dòng)單元的修理被低效率地實(shí)現(xiàn)。
[0187]然而，根據(jù)本公開的實(shí)施方式，第一晶體管Tl被分成多個(gè)第一晶體管單元TU1。因此，當(dāng)任何一個(gè)第一晶體管單元TUl損壞時(shí)，與第一晶體管單元TUl的尺寸相對(duì)應(yīng)的第一修理晶體管RTl用于修理損壞的第一晶體管單元TU1。結(jié)果，與使用修理級(jí)時(shí)相比，用于放置第一修理晶體管RTl的區(qū)域被減小，并且柵驅(qū)動(dòng)單元200的修理被更高效地且更容易地進(jìn)行。
[0188]全部第一晶體管單元TUl將被損壞的概率比任何一個(gè)第一晶體管單元TUl將被損壞的概率低得多。全部的第一晶體管Tl和第二晶體管T2將被損壞的概率比第一晶體管單元TUl和第二晶體管T2中的任何一個(gè)將被損壞的概率低得多。另外，兩個(gè)級(jí)將被損壞的概率比一個(gè)級(jí)將被損壞的概率低得多。
[0189]因此，可以為至少兩個(gè)級(jí)設(shè)置一個(gè)第一修理塊RB1。然而，本公開不限于此，如上所述，第一修理塊RBl可以設(shè)置為修理超過兩個(gè)級(jí)。
[0190]作為示例性實(shí)施方式，一個(gè)第一修理塊RBl設(shè)置在第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι中以修理第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι。然而，本公開不限于此，如上所述，多個(gè)第一修理塊RBl設(shè)置在第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι中以修理第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+1。也就是，可以設(shè)置至少一個(gè)第一修理塊RBl以修理第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι。
[0191 ] 例如，當(dāng)兩個(gè)第一修理塊RBl設(shè)置為被第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι共用時(shí)，兩個(gè)損壞的第一和第二晶體管單元TUl和TU2可以通過兩個(gè)第一修理晶體管RTl來修理。
[0192]圖11是比較第二修理塊的第二修理晶體管和每個(gè)級(jí)的晶體管的尺寸的圖。圖12是示出第二修理塊和與之相鄰的級(jí)的分支線的連接構(gòu)造的圖。
[0193]雖然在圖11和12中示出一個(gè)第二修理塊，但是圖5中示出的其它修理塊可以具有實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)造。
[0194]參照?qǐng)D11和圖12，第二修理塊RB2包括多個(gè)第二修理晶體管RT2、多個(gè)修理線RL4、RL5和RL6以及多個(gè)修理焊盤RPD4、RH)5和RPD6。第二修理晶體管RT2是修理器件。第二修理晶體管RT2沿第一方向DRl布置以彼此連接。
[0195]第二修理晶體管RT2中的每個(gè)包括第二修理柵電極RGE2、第二修理半導(dǎo)體層RSM2、第二修理源電極RSE2以及第二修理漏電極RDE2。
[0196]多個(gè)溝槽G可以在每個(gè)第二修理晶體管RT2的第二修理源電極RSE2的一側(cè)中形成以在第二方向DR2上延伸。每個(gè)第二修理晶體管RT2的第二修理漏電極RDE2包括在第二方向DR2上延伸從而鄰近第二修理源電極RSE2的溝槽G(即在平面圖中在溝槽G內(nèi))設(shè)置的多個(gè)突出部分P。
[0197]第二修理晶體管RT2的尺寸小于第一修理晶體管RTl的尺寸。除了它們的尺寸之夕卜，第二修理晶體管RT2具有與第一修理晶體管RTl實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)造。
[0198]第二修理晶體管RT2的第二修理柵電極RGE2彼此連接。第二修理晶體管RT2的第二修理源電極RSE2彼此連接。第二修理晶體管RT2的第二修理漏電極RDE2彼此連接。
[0199]第二修理塊RB2的修理線RL4、RL5和RL6包括從第二修理柵電極RGE2延伸的第四修理線RL4、從互相連接的第二修理源電極RSE2延伸的第五修理線RL5以及從互相連接的第二修理漏電極RDE2延伸的第六修理線RL6。
[0200]第二修理塊RB2的修理焊盤RPD4、RH)5和RPD6包括交疊第四修理線RL4的第四修理焊盤RPD4、交疊第五修理線RL5的第五修理焊盤RPD5、以及交疊第六修理線RL6的第六修理焊盤RTO6。
[0201]在此實(shí)施方式中，第四修理焊盤RPD4設(shè)置在與第一修理焊盤RPDl相同的層，第五修理焊盤RPD5和第六修理焊盤RPD6設(shè)置在與第二修理焊盤RPD2和第三修理焊盤RPD3相同的層。
[0202]第一晶體管Tl和第二晶體管T2的尺寸大于第三晶體管T3至第十六晶體管T16的尺寸。除了它們的尺寸之外，第三晶體管T3至第十六晶體管T16具有與第一晶體管Tl和第二晶體管T2實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)造。
[0203]因此，為了描述的方便，在圖11和圖12中沒有示出第三晶體管T3至第十六晶體管T16的具體構(gòu)造，虛線方框在圖11中示出以將第二修理晶體管RT2的尺寸與第三晶體管T3至第十六晶體管T16比較。
[0204]第三晶體管T3、第九晶體管T9、第十晶體管TlO和第十一晶體管Tll中的每個(gè)的尺寸可以每個(gè)與一個(gè)第二修理晶體管RT2的尺寸實(shí)質(zhì)上相同。
[0205]第八晶體管T8和第十六晶體管T16的尺寸大于第三晶體管T3、第九晶體管T9、第十晶體管TlO和第十一晶體管Tll的尺寸。第八晶體管T8和第十六晶體管T16中的每個(gè)的尺寸可以與兩個(gè)第二修理晶體管RT2的尺寸實(shí)質(zhì)上相同。
[0206]第七晶體管T7的尺寸大于第八晶體管T8和第十六晶體管T16的尺寸。第七晶體管T7的尺寸可以與三個(gè)第二修理晶體管RT2的尺寸實(shí)質(zhì)上相同。
[0207]第六晶體管T6的尺寸大于第七晶體管T7的尺寸。第六晶體管T6的尺寸可以與四個(gè)第二修理晶體管RT2的尺寸實(shí)質(zhì)上相同。
[0208]第四晶體管Τ4、第十四晶體管Τ14和第十五晶體管Τ15的尺寸大于第六晶體管Τ6的尺寸。第四晶體管Τ4、第十四晶體管Τ14和第十五晶體管Τ15中的每個(gè)的尺寸可以與五個(gè)第二修理晶體管RT2的尺寸實(shí)質(zhì)上相同。
[0209]也就是，第二修理晶體管RT2可以用五個(gè)不同的晶體管形成。本發(fā)明的實(shí)施方式包括具有與想要修理的最大晶體管的尺寸相對(duì)應(yīng)的修理晶體管數(shù)量的第二修理晶體管RT2。
[0210]分別從第k級(jí)SRCk和第k+1級(jí)SRCk+1的第三晶體管T3、第四晶體管T4、第六晶體管T6至第^^一晶體管Tll和第十四晶體管T14至第十六晶體管T16的柵電極延伸的第三、第四、第六至第十一和第十四至第十六柵分支線被設(shè)置為交疊第四修理焊盤RPD4。為了描述的方便，在圖12中僅示出第三柵分支線GBL3和第十六柵分支線GBLl 6。
[0211]分別從第k級(jí)SRCk和第k+1級(jí)SRCk+1的第三晶體管T3、第四晶體管T4、第六晶體管T6至第^^一晶體管Tll和第十四晶體管T14至第十六晶體管T16的源電極延伸的第三、第四、第六至第十一和第十四至第十六源分支線被設(shè)置為交疊第五修理焊盤RPD5。為了描述的方便，在圖12中僅示出第三源分支線SBL3和第十六源分支線SBL16。
[0212]分別從第k級(jí)SRCk和第k+1級(jí)SRCk+1的第三晶體管T3、第四晶體管T4、第六晶體管T6至第^^一晶體管Tll和第十四晶體管T14至第十六晶體管T16的漏電極延伸的第三、第四、第六至第十一和第十四至第十六漏分支線被設(shè)置為交疊第六修理焊盤RPD6。為了描述的方便，在圖12中僅示出第三漏分支線DBL3和第十六漏分支線DBL16。
[0213]第五晶體管T5、第十二晶體管T12和第十三晶體管T13的尺寸大于第三晶體管T3、第九晶體管T9、第十晶體管TlO和第十一晶體管Tll的尺寸。第五晶體管T5、第十二晶體管T12和第十三晶體管T13的柵電極、源電極和漏電極不與第四修理焊盤RPD4、第五修理焊盤RPD5和第六修理焊盤RPD6交疊。
[0214]第一晶體管Tl和第二晶體管T2將被損壞的概率比第三晶體管T3、第四晶體管T4、第六晶體管T6至第十一晶體管Tll和第十四晶體管T14至第十六晶體管T16將被損壞的概率高。第三晶體管T3、第四晶體管T4、第六晶體管T6至第^^一晶體管Tll和第十四晶體管T14至第十六晶體管T16將被損壞的概率比第五晶體管T5、第十二晶體管T12和第十三晶體管T13將被損壞的概率高。
[0215]圖13和圖14是示出一個(gè)級(jí)的通過使用第二修理塊的修理的圖。
[0216]參照?qǐng)D13，第k級(jí)SRCk的第三晶體管T3、第九晶體管T9、第十晶體管T1和第^^一晶體管Tll中的一個(gè)可能被損壞。例如，第三晶體管T3可能被損壞。雖然沒有在附圖中示出，但是在這樣的情況下，損壞的第三晶體管T3的漏電極如參照?qǐng)D10所描述的用激光切斷。
[0217]第四修理線RL4和從第三晶體管T3延伸的第三柵分支線GBL3通過激光被短路到第四修理焊盤RPD4。第五修理線RL5和從第三晶體管T3延伸的第三源分支線SBL3通過激光被短路到第五修理焊盤RPD5。第六修理線RL6和從第三晶體管T3延伸的第三漏分支線DBL3通過激光被短路到第六修理焊盤RPD6。
[0218]剩余的四個(gè)第二修理晶體管RT2的第二修理漏電極RDE2用激光切斷(見L0)，使得對(duì)應(yīng)于第三晶體管T3的尺寸的一個(gè)第二修理晶體管RT2保留。
[0219]更具體地，突出部分P的在溝槽G外的預(yù)定區(qū)域被沿第一方向DRl切斷。因此，損壞的第三晶體管T3被去除，并且一個(gè)第二修理晶體管RT2可以替代第三晶體管T3。
[0220]參照?qǐng)D14，第k級(jí)SRCk的第八晶體管Τ8和第十六晶體管Τ16中的任何一個(gè)可能被損壞。例如，第十六晶體管T16可能被損壞。雖然沒有在附圖中示出，但是在這樣的情況下，損壞的第十六晶體管T16的漏電極如參照?qǐng)D10所述的用激光切斷。
[0221 ]第四修理線RL4和從第十六晶體管T16延伸的第十六柵分支線GBL16通過激光被短路到第四修理焊盤RPD4。第五修理線RL5和從第十六晶體管T16延伸的第十六源分支線SBL16通過激光被短路到第五修理焊盤RPD5。第六修理線RL6和從第十六晶體管T16延伸的第十六漏分支線DBL16通過激光被短路到第六修理焊盤RPD6。
[0222]三個(gè)第二修理晶體管RT2的第二修理漏電極RDE2通過激光切斷(見L0)，使得兩個(gè)第二修理晶體管RT2保留，其對(duì)應(yīng)于第十六晶體管T16的尺寸。
[0223]因此，損壞的第十六晶體管T16被去除，并且兩個(gè)第二修理晶體管RT2可以替代第十六晶體管T16。結(jié)果，損壞的第十六晶體管T16可以通過兩個(gè)第二修理晶體管RT2來修理。
[0224]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，當(dāng)?shù)谄呔w管T7損壞時(shí)，三個(gè)第二修理晶體管RT2可以替代第七晶體管T7，以與以上類似的方式。當(dāng)?shù)诹w管T6損壞時(shí)，四個(gè)第二修理晶體管RT2可以替代第六晶體管T6。當(dāng)?shù)谒木w管T4、第十四晶體管T14和第十五晶體管T15之一損壞時(shí)，五個(gè)第二修理晶體管RT2可以替代損壞的晶體管。
[0225]另外，當(dāng)?shù)趉+Ι級(jí)SRCk+Ι的第三晶體管T3、第四晶體管T4、第六晶體管T6至第^^一晶體管Tll和第十四晶體管T14至第十六晶體管T16中的任何一個(gè)損壞時(shí)，損壞的晶體管可以通過第二修理晶體管RT2來修理。
[0226]由于兩個(gè)第二修理塊RB2設(shè)置在第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι中或者鄰近第k級(jí)SRCk和第k+1級(jí)SRCk+1設(shè)置，所以第k級(jí)SRCk和第k+1級(jí)SRCk+1的第三晶體管T3、第四晶體管T4、第六晶體管T6至第十一晶體管Tll和第十四晶體管T14至第十六晶體管T16中的任何兩個(gè)可以被修理。
[0227]在本公開的實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)谌w管T3、第四晶體管T4、第六晶體管T6至第十一晶體管T11和第十四晶體管T14至第十六晶體管T16中的任何一個(gè)損壞時(shí)，第二修理晶體管RT2可以用來修理損壞的晶體管。結(jié)果，與使用傳統(tǒng)的修理級(jí)時(shí)相比，第二修理晶體管RT2所占用的面積更小，并且柵驅(qū)動(dòng)單元200的修理被更高效且容易地進(jìn)行。
[0228]作為示例性實(shí)施方式，兩個(gè)第二修理塊RB2設(shè)置在第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι中或者靠近第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι設(shè)置，以被第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι共用。然而，本發(fā)明不限于此，如上所述，多于兩個(gè)的第二修理塊RB2可以設(shè)置在第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+ 1中或附近，以被第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι共用(即，被第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+1中的任何一個(gè)或者兩個(gè)使用)。
[0229]另外，作為示例性實(shí)施方式，第一修理塊RBl和第二修理塊RB2被設(shè)置為被第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι共用。然而，本發(fā)明不限于此，并且由于第一晶體管Tl和第二晶體管T2將被損壞的概率可以是最高的，所以僅第一修理塊RBl可以設(shè)置在第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+1中或附近，以被第k級(jí)SRCk和第k+1級(jí)SRCk+1共用。另外，本發(fā)明不限于此，并且如上所述，僅第二修理塊RB2可以設(shè)置在第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι中或附近，以被第k級(jí)SRCk和第k+Ι級(jí)SRCk+Ι共用。其它修理塊可以遠(yuǎn)離它們的級(jí)定位。
[0230]在本發(fā)明的實(shí)施方式中，修理塊RB設(shè)置在柵驅(qū)動(dòng)單元200中以分別被相應(yīng)的級(jí)共用。因此，當(dāng)?shù)谝痪w管Tl至第十六晶體管T16損壞時(shí)，包括損壞的晶體管的整個(gè)級(jí)不用修理級(jí)替代，并且可以僅損壞的晶體管用修理塊RB的第一修理晶體管RTl和第二修理晶體管RT2替代。
[0231]結(jié)果，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的柵驅(qū)動(dòng)單元200和包括柵驅(qū)動(dòng)單元200的顯示裝置500可以更高效地修理柵驅(qū)動(dòng)單元200。
[0232]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，柵驅(qū)動(dòng)單元和包括該柵驅(qū)動(dòng)單元的顯示裝置可以更高效地進(jìn)行柵驅(qū)動(dòng)單元的修理。
[0233]以上公開的主題將被認(rèn)為是說明性的而非限制性的，權(quán)利要求意在覆蓋落入本發(fā)明構(gòu)思的真正主旨和范圍內(nèi)的所有這樣的變更、改進(jìn)和其它實(shí)施方式。因而，在法律所允許的最大程度上，本發(fā)明構(gòu)思的范圍將由權(quán)利要求書和它們的等同物的可允許的最寬解釋來確定，而不應(yīng)被先前的詳細(xì)說明約束或者限制。此外，各個(gè)實(shí)施方式的被公開或者被另外地理解的不同特征能夠以任何方式混合和搭配，以產(chǎn)生本發(fā)明的范圍內(nèi)的另一些實(shí)施方式。
[0234]本申請(qǐng)要求于2015年2月5日提交的韓國專利申請(qǐng)N0.10-2015-0018112的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種柵驅(qū)動(dòng)單元，包括: 多個(gè)級(jí)，配置為被順序地啟動(dòng)從而產(chǎn)生柵信號(hào)；以及 多個(gè)修理塊，具有比相應(yīng)的級(jí)更小的尺寸并被配置為修理所述級(jí)的缺陷， 其中所述修理塊中的每個(gè)靠近兩個(gè)或更多級(jí)設(shè)置從而被配置為修理所述兩個(gè)或更多級(jí)中的缺陷。2.如權(quán)利要求1所述的柵驅(qū)動(dòng)單元，其中所述級(jí)中的每個(gè)包括彼此連接以產(chǎn)生所述柵信號(hào)的第一晶體管區(qū)塊和第二晶體管區(qū)塊以及第一電容器，以及 其中所述第二晶體管區(qū)塊靠近所述第一晶體管區(qū)塊的一側(cè)設(shè)置，并且所述第一電容器靠近所述第一晶體管區(qū)塊的另一側(cè)設(shè)置。3.如權(quán)利要求2所述的柵驅(qū)動(dòng)單元，其中所述修理塊中的每個(gè)設(shè)置在相鄰的級(jí)之間，使得所述修理塊中的每個(gè)設(shè)置在第k級(jí)和第k+Ι級(jí)之間，其中k是奇數(shù)。4.如權(quán)利要求3所述的柵驅(qū)動(dòng)單元，其中所述修理塊包括: 第一修理塊，設(shè)置在所述第k級(jí)和所述第k+Ι級(jí)的所述第一晶體管區(qū)塊和所述第一電容器之間；以及 第二修理塊，設(shè)置在所述第k級(jí)和所述第k+Ι級(jí)的所述第二晶體管區(qū)塊之間、以及所述第一晶體管區(qū)塊和所述第二晶體管區(qū)塊之間。5.如權(quán)利要求4所述的柵驅(qū)動(dòng)單元，其中 所述第一晶體管區(qū)塊包括第一晶體管和第二晶體管； 所述第二晶體管區(qū)塊包括比所述第一晶體管和所述第二晶體管小的第三至第十六晶體管；以及 所述第一晶體管和所述第二晶體管具有相同的尺寸，每個(gè)被成形為在第一方向上延伸，并且沿與所述第一方向交叉的第二方向并排布置。6.如權(quán)利要求5所述的柵驅(qū)動(dòng)單元，其中 所述第一修理塊設(shè)置在所述第k級(jí)和所述第k+Ι級(jí)的所述第二晶體管和所述第一電容器之間；以及 所述第二修理塊設(shè)置在所述第k級(jí)和所述第k+Ι級(jí)的所述第二晶體管區(qū)塊之間、以及所述第二晶體管區(qū)塊和所述第二晶體管之間。7.如權(quán)利要求5所述的柵驅(qū)動(dòng)單元，其中 所述第一晶體管包括沿所述第一方向布置的多個(gè)連接的第一晶體管單元；以及 所述第二晶體管包括沿所述第一方向布置的多個(gè)連接的第二晶體管單元。8.如權(quán)利要求7所述的柵驅(qū)動(dòng)單元，其中所述第一晶體管單元中的每個(gè)包括: 第一柵電極，從第一導(dǎo)電圖案延伸；以及 第一源電極和第一漏電極，從第二導(dǎo)電圖案延伸，所述第二導(dǎo)電圖案靠近所述第一導(dǎo)電圖案并且在兩者之間具有絕緣層， 其中所述第二晶體管單元中的每個(gè)包括: 第二柵電極，從所述第一導(dǎo)電圖案延伸；以及 第二源電極和第二漏電極，從所述第二導(dǎo)電圖案延伸，以及 其中: 所述第一晶體管單元的所述第一柵電極彼此連接； 所述第一晶體管單元的所述第一源電極彼此連接； 所述第一晶體管單元的所述第一漏電極彼此連接； 所述第二晶體管單元的所述第二柵電極彼此連接； 所述第二晶體管單元的所述第二源電極彼此連接;并且 所述第二晶體管單元的所述第二漏電極彼此連接。9.如權(quán)利要求8所述的柵驅(qū)動(dòng)單元，其中所述第一修理塊包括: 第一修理晶體管，具有與所述第一晶體管單元中的至少一個(gè)或者所述第二晶體管單元中的至少一個(gè)相同的尺寸； 第一修理焊盤，設(shè)置在與所述第二導(dǎo)電圖案相同的層；以及 第二修理焊盤和第三修理焊盤，設(shè)置在與所述第一導(dǎo)電圖案相同的層， 其中所述第一修理晶體管包括分別具有與所述第一柵電極、所述第一源電極和所述第一漏電極相同的形狀和尺寸的第一修理柵電極、第一修理源電極和第一修理漏電極。10.如權(quán)利要求9所述的柵驅(qū)動(dòng)單元，其中 所述第一修理柵電極延伸從而交疊所述第一修理焊盤； 所述第一修理源電極延伸從而交疊所述第二修理焊盤；以及 所述第一修理漏電極延伸從而交疊所述第三修理焊盤。11.如權(quán)利要求10所述的柵驅(qū)動(dòng)單元，其中 所述第一柵電極和所述第二柵電極延伸從而交疊所述第一修理焊盤； 所述第一源電極和所述第二源電極延伸從而交疊所述第二修理焊盤;并且 所述第一漏電極和所述第二漏電極延伸從而交疊所述第三修理焊盤。12.如權(quán)利要求5所述的柵驅(qū)動(dòng)單元，其中 所述第四晶體管、所述第十四晶體管和所述第十五晶體管比所述第六晶體管大； 所述第六晶體管比所述第七晶體管大； 所述第七晶體管比所述第八晶體管和所述第十六晶體管大； 所述第八晶體管和所述第十六晶體管比所述第三晶體管、所述第九晶體管、所述第十晶體管和所述第十一晶體管大；以及 所述第三晶體管、所述第九晶體管、所述第十晶體管和所述第十一晶體管比所述第五晶體管、所述第十二晶體管和所述第十三晶體管大。13.如權(quán)利要求12所述的柵驅(qū)動(dòng)單元，其中所述第二修理塊中的每個(gè)包括: 多個(gè)第二修理晶體管，每個(gè)包括第二修理柵電極、第二修理源電極和第二修理漏電極； 第四修理焊盤，設(shè)置在與所述第二修理源電極和所述第二修理漏電極相同的層；以及 第五修理焊盤和第六修理焊盤，設(shè)置在與所述第二修理柵電極相同的層。14.如權(quán)利要求13所述的柵驅(qū)動(dòng)單元，其中 所述第二修理晶體管的所述第二修理柵電極彼此連接并延伸從而交疊所述第四修理焊盤； 所述第二修理晶體管的所述第二修理源電極彼此連接并延伸從而交疊所述第五修理焊盤；以及 所述第二修理晶體管的所述第二修理漏電極彼此連接并延伸從而交疊所述第六修理焊盤。15.如權(quán)利要求14所述的柵驅(qū)動(dòng)單元，其中 所述第三晶體管、所述第四晶體管、所述第六晶體管至所述第十一晶體管以及所述第十四晶體管至所述第十六晶體管的柵電極每個(gè)都延伸從而交疊所述第四修理焊盤； 所述第三晶體管、所述第四晶體管、所述第六晶體管至所述第十一晶體管以及所述第十四晶體管至所述第十六晶體管的源電極每個(gè)都延伸從而交疊所述第五修理焊盤;并且所述第三晶體管、所述第四晶體管、所述第六晶體管至所述第十一晶體管以及所述第十四晶體管至所述第十六晶體管的漏電極每個(gè)都延伸從而交疊所述第六修理焊盤。
【文檔編號(hào)】G09G3/20GK105869556SQ201610076188
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年2月3日
【發(fā)明人】趙世衡, 金京勛, 金瞳佑, 金坤, 金一坤, 鄭美惠, 趙康文
【申請(qǐng)人】三星顯示有限公司