有機發(fā)光二極管顯示器的制造方法
【專利摘要】公開了一種有機發(fā)光二極管顯示器。該顯示器包括形成在基板上方并且被配置成輸送掃描信號的掃描線。第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線彼此相鄰并與掃描線交叉。第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線被配置成輸送數(shù)據(jù)電壓。與掃描線交叉的驅(qū)動電壓線被配置成輸送驅(qū)動電壓，并且開關(guān)晶體管電連接到掃描線和數(shù)據(jù)線，且包括被配置成輸出數(shù)據(jù)電壓的開關(guān)漏電極。驅(qū)動晶體管包括驅(qū)動?xùn)烹姌O和電連接到開關(guān)漏電極的驅(qū)動源電極。OLED電連接到驅(qū)動晶體管的驅(qū)動漏電極，并且連接器連接到驅(qū)動晶體管的驅(qū)動?xùn)烹姌O，且插入在第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之間。
【專利說明】有機發(fā)光二極管顯示器
[0001]相關(guān)申請
[0002]此申請要求于2015年2月13日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局遞交的韓國專利申請10-2015-0022527的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]所描述的技術(shù)一般涉及有機發(fā)光二極管顯示器。
【背景技術(shù)】
[0004]有機發(fā)光二極管(OLED)包括兩個電極和位于其間的有機發(fā)射層。從一個電極注入的電子和從另一個電極注入的空穴在有機發(fā)射層中彼此結(jié)合，以產(chǎn)生激子，并且激子以光的形式發(fā)射能量。OLED顯示器包括像素矩陣，每個像素包括i)為自發(fā)射器件的0LED，ii)用于驅(qū)動OLED的多個薄膜晶體管(TFT)，以及iii)存儲電容器。這些晶體管和存儲電容器經(jīng)由包括半導(dǎo)體、柵極線或數(shù)據(jù)線的多條布線連接。
[0005]通過由重疊布線引起的寄生電容很容易在顯示的圖像中產(chǎn)生水平線圖案。在存在寄生電容時，到驅(qū)動晶體管的柵極信號將根據(jù)數(shù)據(jù)信號的變化而改變。橫跨顯示器的柵極信號的這種非預(yù)期變化導(dǎo)致下降的圖像質(zhì)量。
[0006]在此背景部分公開的上述信息僅用于增強對所描述技術(shù)的背景的理解，并且因而它可能包含不構(gòu)成在該國的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已經(jīng)知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]一個發(fā)明方面涉及最小化傳輸數(shù)據(jù)信號的導(dǎo)線和傳輸柵極信號的導(dǎo)線之間的寄生電容以防止柵極信號由于數(shù)據(jù)信號的改變而改變的OLED顯示器。
[0008]另一方面是一種OLED顯不器，包括:基板;在基板上傳輸掃描信號的掃描線；與掃描線交叉并且傳送數(shù)據(jù)電壓的彼此相鄰的第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線;與掃描線交叉并且傳送驅(qū)動電壓的驅(qū)動電壓線;連接到掃描線和數(shù)據(jù)線并且包括輸出數(shù)據(jù)電壓的開關(guān)漏電極的開關(guān)晶體管;包括連接到開關(guān)漏電極的驅(qū)動源電極的驅(qū)動晶體管；電連接到驅(qū)動晶體管的驅(qū)動漏電極的0LED;連接到驅(qū)動晶體管的驅(qū)動?xùn)烹姌O并且置于第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之間的連接構(gòu)件;在連接構(gòu)件和第一數(shù)據(jù)線之間的第一屏蔽電極；以及在連接構(gòu)件和第二數(shù)據(jù)線之間的第二屏蔽電極。第一屏蔽電極和第二屏蔽電極被供給具有恒定幅度的電壓。
[0009]第一屏蔽電極和第二屏蔽電極可以連接到驅(qū)動電壓線。
[0010]第一屏蔽電極和第一數(shù)據(jù)線可以彼此平行延伸，并且第二屏蔽電極和第二數(shù)據(jù)線可以彼此平行延伸。
[0011]連接構(gòu)件可以與第一屏蔽電極和第二屏蔽電極形成在同一層上。
[0012]連接構(gòu)件可以與第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線形成在同一層上。
[0013]OLED顯示器可以進一步包括:基板上包括開關(guān)晶體管的開關(guān)溝道和驅(qū)動晶體管的驅(qū)動溝道的半導(dǎo)體；以及半導(dǎo)體上的第一絕緣層，并且驅(qū)動溝道可以在平面上是彎曲的。
[0014]OLED顯示器可以進一步包括:包括形成在第一絕緣層上并且與驅(qū)動溝道重疊的第一存儲電極的存儲電容器;覆蓋第一存儲電極的第二絕緣層；以及形成在第二絕緣層上并且與第一存儲電極重疊的第二存儲電極，并且第一存儲電極可以是驅(qū)動晶體管的驅(qū)動?xùn)烹姌O。
[0015]OLED顯示器可以進一步包括:覆蓋第二存儲電極的層間絕緣層，并且第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線可以布置在層間絕緣層上。
[0016]連接構(gòu)件、第一屏蔽電極和第二屏蔽電極、以及第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線可以形成在同一層上。
[0017]另一方面是一種有機發(fā)光二極管(0LED)顯示器，包括:基板;形成在基板上方并且被配置成輸送掃描信號的掃描線；彼此相鄰并且與掃描線交叉的第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，其中第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線被配置成輸送數(shù)據(jù)電壓；與掃描線交叉并且被配置成輸送驅(qū)動電壓的驅(qū)動電壓線；電連接到掃描線和數(shù)據(jù)線并且包括被配置成輸出數(shù)據(jù)電壓的開關(guān)漏電極的開關(guān)晶體管;包括驅(qū)動?xùn)烹姌O和電連接到開關(guān)漏電極的驅(qū)動源電極的驅(qū)動晶體管；電連接到驅(qū)動晶體管的驅(qū)動漏電極的0LED;連接到驅(qū)動晶體管的驅(qū)動?xùn)烹姌O并且在第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之間插入的連接器;在連接器和第一數(shù)據(jù)線之間插入的第一屏蔽電極；以及在連接器和第二數(shù)據(jù)線之間插入的第二屏蔽電極，其中第一屏蔽電極和第二屏蔽電極連接到具有恒定幅度的電壓源。
[0018]在上述OLED顯示器中，第一屏蔽電極和第二屏蔽電極電連接到驅(qū)動電壓線。
[0019]在上述OLED顯示器中，第一屏蔽電極和第一數(shù)據(jù)線彼此平行延伸，其中第二屏蔽電極和第二數(shù)據(jù)線彼此平行延伸。
[0020]在上述OLED顯示器中，連接器與第一屏蔽電極和第二屏蔽電極形成在同一層上。
[0021]在上述OLED顯示器中，連接器的至少一部分與第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線形成在同一層上。
[0022]在上述OLED顯示器中，第一屏蔽電極的至少一部分和第一數(shù)據(jù)線彼此平行延伸，其中第二屏蔽電極和第二數(shù)據(jù)線彼此平行延伸。
[0023]在上述OLED顯示器中，連接器的至少一部分與第一屏蔽電極和第二屏蔽電極形成在同一層上。
[0024]在上述OLED顯示器中，連接器的至少一部分與第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線形成在同一層上。
[0025]在上述OLED顯示器中，連接器的至少一部分與第一屏蔽電極和第二屏蔽電極形成在同一層上。
[0026]在上述OLED顯示器中，連接器與第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線形成在同一層上。
[0027]OLED顯示器進一步包括:形成在基板上方并且包括開關(guān)晶體管的開關(guān)溝道和驅(qū)動晶體管的驅(qū)動溝道的半導(dǎo)體；以及形成在半導(dǎo)體上方的第一絕緣層，其中驅(qū)動溝道是彎曲的。
[0028]OLED顯示器進一步包括:包括形成在第一絕緣層上方并且與驅(qū)動溝道重疊的第一存儲電極的存儲電容器;覆蓋第一存儲電極的第二絕緣層；以及形成在第二絕緣層上方并且在OLED顯示器的深度維度上與第一存儲電極重疊的第二存儲電極，其中第一存儲電極包括驅(qū)動晶體管的驅(qū)動?xùn)烹姌O。
[0029]OLED顯示器進一步包括:覆蓋第二存儲電極的層間絕緣層，其中第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線形成在層間絕緣層上方。
[0030]在上述OLED顯示器中，連接器、第一屏蔽電極和第二屏蔽電極以及第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線形成在同一層上。
[0031]在上述OLED顯示器中，連接器、第一屏蔽電極和第二屏蔽電極以及第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線形成在同一層上。
[0032]另一方面是一種有機發(fā)光二極管(0LED)顯示器，包括:基板;形成在基板上方并且被配置成輸送數(shù)據(jù)電壓的第一數(shù)據(jù)線;形成在基底上方并且與第一數(shù)據(jù)線平行的驅(qū)動電壓線，其中驅(qū)動電壓線被配置成輸送驅(qū)動電壓;在第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之間插入的數(shù)據(jù)連接器；以及在數(shù)據(jù)連接器和第一數(shù)據(jù)線之間插入的第一屏蔽電極，其中第一屏蔽電極連接到具有恒定幅度的電壓源。
[0033]OLED顯示器進一步包括:形成在基板上方并且與第一數(shù)據(jù)線平行的第二數(shù)據(jù)線，其中第二數(shù)據(jù)線被配置成輸送數(shù)據(jù)電壓；以及在數(shù)據(jù)連接器和第二數(shù)據(jù)線之間插入的第二屏蔽電極，其中第二屏蔽電極電連接到電壓源。
[0034]在上述OLED顯示器中，在第一屏蔽電極和第二屏蔽電極之間插入數(shù)據(jù)連接器。
[0035]在上述OLED顯示器中，第一屏蔽電極和第二屏蔽電極形成在同一層上。
[0036]在上述OLED顯示器中，第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線與第一屏蔽電極和第二屏蔽電極形成在同一層上。
[0037]OLED顯示器進一步包括:形成在基板上并且在OLED顯示器的深度維度中與第一屏蔽電極和第二屏蔽電極重疊的OLED。
[0038]在上述OLED顯示器中，OLED在OLED顯示器的深度維度中與數(shù)據(jù)連接器重疊。
[0039]根據(jù)所公開的實施例中的至少一個實施例，可以最小化數(shù)據(jù)信號和柵極信號之間的寄生電容，并且由此可以防止通過改變數(shù)據(jù)信號而改變柵極信號。
【附圖說明】
[0040]圖1是根據(jù)示例性實施例的OLED顯示器的一個像素的等效電路圖。
[0041 ]圖2是根據(jù)示例性實施例的施加到OLED顯示器的一個像素的信號的時序圖。
[0042]圖3是根據(jù)示例性實施例的OLED顯示器的布局圖。
[0043]圖4是示意性圖示圖3的OLED顯示器的多個晶體管和電容器的圖。
[0044]圖5是圖示圖3的OLED顯示器的信號線的特定布局圖。
[0045]圖6是沿線V1-VI截取的圖4的OLED顯示器的剖視圖。
[0046]圖7是沿線VI1-VII截取的圖4的OLED顯示器的剖視圖。
【具體實施方式】
[0047]在下文中將參照其中示出示例性實施例的附圖，更充分地描述所描述的技術(shù)。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到的，所描述的實施例可以以各種不同的方式修改，所有這些修改都不脫離所描述的技術(shù)的精神或范圍。
[0048]為了清楚地描述所描述的技術(shù)，與描述無關(guān)的部分將被省略，并且在整個說明書中，相同的元件將被指定相同的附圖標(biāo)記。
[0049]另外，為了更好地理解和易于描述，在附圖中示出的每個配置的尺寸和厚度被任意地示出，并且所描述的技術(shù)不限于此。
[0050]在附圖中，為了清楚，層、膜、面板、區(qū)域等的厚度被夸大了。為了更好地理解和易于描述，在附圖中，一些層和區(qū)域的厚度被夸大了。
[0051 ]另外，除非明確描述為相反，詞語“包括”以及諸如“含有”或“包含”的變型將被理解為暗示包括所陳述的元件，但不排除任何其它元件。進一步，在說明書中，詞語“上”意味著定位于目標(biāo)部分的上或下，且從本質(zhì)上不意味著定位于目標(biāo)部分的基于重力方向的上側(cè)。
[0052]進一步，在說明書中，詞語“在平坦表面上”意味著在從上面觀察對象部分時，詞語“在剖視圖中”意味著在從側(cè)面觀察通過垂直切割目標(biāo)部分截取的橫截面時。在此公開中，術(shù)語“基本上”在某些應(yīng)用情況下并且根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員包括完全、幾乎完全或任何顯著程度的含義。此外，“形成、設(shè)置或定位在……上方”也可指“形成、設(shè)置或定位在……上”。術(shù)語“連接”包括電連接。
[0053]現(xiàn)在將參照圖1詳細描述根據(jù)示例性實施例的OLED顯示器的一個像素的等效電路圖。圖1是根據(jù)示例性實施例的OLED顯示器的一個像素的等效電路圖。
[0054]參照圖1，根據(jù)該示例性實施例的OLED顯示器的一個像素I包括多條信號線151、152、153、158、171、172和192、連接到多條信號線的多個晶體管1'1、了2、了3、了4、了5、了6和了7、存儲電容器Cst和0LED。
[0055]晶體管1'132、了334、了536和了7包括驅(qū)動晶體管1'1、開關(guān)晶體管了2、補償晶體管T3、初始化晶體管T4、操作控制晶體管T5、發(fā)光控制晶體管T6和旁路晶體管T7。
[0056]信號線151、152、153、158、171、172和192包括傳輸掃描信號Sn的掃描線151、將前一掃描信號Sn-1傳輸?shù)匠跏蓟w管T4的前一掃描線152、將發(fā)光控制信號EM傳輸?shù)讲僮骺刂凭w管T5和發(fā)光控制晶體管T6的發(fā)光控制線153、將旁路信號BP傳輸?shù)脚月肪w管T7的旁路控制線158、與掃描線151交叉且傳輸數(shù)據(jù)信號Dm的數(shù)據(jù)線171、傳輸驅(qū)動電壓ELVDD且形成為與數(shù)據(jù)線171基本上平行的驅(qū)動電壓線172、以及傳輸對驅(qū)動晶體管Tl進行初始化的初始化電壓Vint的初始化電壓線192。驅(qū)動電壓線172包括第一屏蔽電極172a和第二屏蔽電極172b。
[0057]驅(qū)動晶體管Tl的柵電極Gl連接到存儲電容器Cst的一端Cstl，驅(qū)動晶體管Tl的源電極SI經(jīng)由操作控制晶體管T5連接到驅(qū)動電壓線172，驅(qū)動晶體管Tl的漏電極Dl經(jīng)由發(fā)光控制晶體管T6電連接到OLED的陽極。驅(qū)動晶體管Tl根據(jù)開關(guān)晶體管T2的開關(guān)操作接收數(shù)據(jù)線號Dm，以將驅(qū)動電流Id供給到0LED。
[0058]開關(guān)晶體管T2的柵電極G2連接到掃描線151，開關(guān)晶體管T2的源電極S2連接到數(shù)據(jù)線171，并且開關(guān)晶體管T2的漏電極D2連接到驅(qū)動晶體管Tl的源電極SI且經(jīng)由操作控制晶體管T5與驅(qū)動電壓線172相連接。開關(guān)晶體管T2根據(jù)通過掃描線151接收的掃描信號Sn導(dǎo)通，以執(zhí)行將傳輸?shù)綌?shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號Dm傳輸?shù)津?qū)動晶體管Tl的源電極的開關(guān)操作。
[0059]補償晶體管T3的柵電極G3直接連接到掃描線151，并且補償晶體管T3的源電極S3連接到驅(qū)動晶體管Tl的漏電極Dl且經(jīng)由發(fā)光控制晶體管T6連接到OLED的陽極。補償晶體管T3的漏電極D3同時連接到存儲電容器Cst的一端Cstl、初始化晶體管T4的漏電極D4和驅(qū)動晶體管Tl的柵電極G1。補償晶體管T3根據(jù)通過掃描線151接收的掃描信號Sn導(dǎo)通，以連接驅(qū)動晶體管Tl的柵電極Gl和漏電極Dl且使驅(qū)動晶體管Tl 二極管連接。
[0060]初始化晶體管T4的柵電極G4連接到前一掃描線152，初始化晶體管T4的源電極S4連接到初始化電壓線192，并且初始化晶體管T4的漏電極D4同時連接到存儲電容器Cst的一端Cstl、補償晶體管T3的漏電極D3和驅(qū)動晶體管Tl的柵電極G1。初始化晶體管T4根據(jù)通過前一掃描線152接收的前一掃描信號Sn-1導(dǎo)通，以將初始化電壓Vint傳送到驅(qū)動晶體管Tl的柵電極Gl，并且然后執(zhí)行初始化驅(qū)動晶體管Tl的柵電極Gl的電壓的初始化操作。
[0061 ]操作控制晶體管T5的柵電極G5連接到發(fā)光控制線153，操作控制晶體管T5的源電極S5連接到驅(qū)動電壓線172，并且操作控制晶體管T5的漏電極D5連接到驅(qū)動晶體管TI的源電極SI和開關(guān)晶體管T2的漏電極D2。
[0062]發(fā)光控制晶體管T6的柵電極G6連接到發(fā)光控制線153，發(fā)光控制晶體管T6的源電極S6連接到驅(qū)動晶體管Tl的漏電極Dl和補償晶體管T3的源電極S3，并且發(fā)光控制晶體管T6的漏電極D6電連接到OLED的陽極。操作控制晶體管T5和發(fā)光控制晶體管T6根據(jù)傳送到發(fā)光控制線153的發(fā)光控制信號EM同時導(dǎo)通，使得驅(qū)動電壓ELVDD通過二極管連接的驅(qū)動晶體管Tl被補償并且被傳送到0LED。
[0063]旁路晶體管T7的柵電極G7連接到旁路控制線158，旁路晶體管T7的源電極S7同時連接到發(fā)光控制晶體管T6的漏電極D6和OLED的陽極，并且旁路晶體管T7的漏電極D7連接到初始化電壓線192和初始化晶體管T4的源電極S4。這里，旁路控制線158連接到前一掃描線152，使得旁路信號BP和前一掃描信號Sn-1相同。
[0064]存儲電容器Cst的另一端Cst2連接到驅(qū)動電壓線172，并且OLED的陰極連接到傳輸公共電壓ELVSS的公共電壓線741。
[0065]由于柵極信號和數(shù)據(jù)信號Dm之間的串?dāng)_，通過改變供給到與柵電極Gl相鄰的數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號Dm，可能改變供給到驅(qū)動晶體管Tl的柵電極Gl的柵極信號。此串?dāng)_改變柵極電壓的幅度，并且因此，可使顯示質(zhì)量劣化。然而，在根據(jù)該示例性實施例的OLED顯示器中，傳輸具有恒定幅度的驅(qū)動電壓(ELVDD)的驅(qū)動電壓線172的第一屏蔽電極172a和第二屏蔽電極172b被設(shè)置在連接到驅(qū)動?xùn)烹姌O155a的第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174和數(shù)據(jù)線171之間。因此，可以防止柵極信號和數(shù)據(jù)信號之間的串?dāng)_。這將在下面更詳細地描述。
[0066]同時，在該示例性實施例中，圖示了具有包括旁路晶體管T7的七個晶體管和一個電容器的結(jié)構(gòu)，但所描述的技術(shù)不限于此，并且可以對晶體管的數(shù)量和電容器的數(shù)量進行各種修改。
[0067]在下文中，將參照圖2詳細描述根據(jù)該示例性實施例的OLED顯示設(shè)備的像素單元的一個像素的詳細操作過程。
[0068]圖2是根據(jù)示例性實施例的施加到OLED顯示器的一個像素的信號的時序圖。
[0069]如圖2中示出的，首先，針對初始化時段，具有低電平的前一掃描信號Sn-1通過前一掃描線152供給。然后，初始化晶體管T4響應(yīng)于具有低電平的前一掃描信號Sn-1而導(dǎo)通，初始化電壓Vint從初始化電壓線192通過初始化晶體管T4連接到驅(qū)動晶體管Tl的柵電極Gl，并且然后驅(qū)動晶體管Tl由初始化電壓Vint初始化。
[0070]此后，針對數(shù)據(jù)編程時段，具有低電平的掃描信號Sn通過掃描線151供給。然后，開關(guān)晶體管T2和補償晶體管T3響應(yīng)于具有低電平的掃描信號Sn而導(dǎo)通。同時，驅(qū)動晶體管Tl通過導(dǎo)通的補償晶體管T3被二極管連接，并且被正向偏置。
[0071]然后，從數(shù)據(jù)線171供給的數(shù)據(jù)信號Dm減去驅(qū)動晶體管Tl的閾值電壓Vth得到的補償電壓Dm+Vth(Vth為負(-)值)施加到驅(qū)動晶體管Tl的柵電極G1。驅(qū)動電壓ELVDD和補償電壓(Dm+Vth)施加到存儲電容器Cst的兩端，并且對應(yīng)于兩端之間的電壓差的電荷被存儲在存儲電容器Cst中。
[0072]接著，在發(fā)光時段期間，從發(fā)光控制線153供給的發(fā)光控制信號EM從高電平改變成低電平。因此，操作控制晶體管T5和發(fā)光控制晶體管T6在發(fā)光時段期間由低電平的發(fā)光控制信號EM導(dǎo)通。
[0073]因此，驅(qū)動電流Id根據(jù)驅(qū)動晶體管Tl的柵電極Gl的柵極電壓和驅(qū)動電壓ELVDD之間的電壓差產(chǎn)生，并且驅(qū)動電流Id通過發(fā)光控制晶體管T6供給到0LED。驅(qū)動晶體管Tl的柵源電壓Vgs在發(fā)光時段由存儲電容器Cst保持為“(Dm+Vth)-ELVDD”，并且根據(jù)驅(qū)動晶體管Tl的電流-電壓關(guān)系，驅(qū)動電流Id與從柵源電壓減去閾值電壓得到的值的平方“(Dm-ELVDD)2”成正比。因此，驅(qū)動電流Id的確定與驅(qū)動晶體管Tl的閾值電壓Vth無關(guān)。
[0074]在這種情況下，旁路晶體管T7被傳送來自旁路控制線158的旁路信號BP。旁路信號BP是能夠始終截止旁路晶體管T7的預(yù)定電平的電壓，并且旁路晶體管T7通過柵電極G7接收晶體管的截止電平的電壓，使得旁路晶體管T7始終處于截止?fàn)顟B(tài)，并且驅(qū)動電流Id的一部分通過處于截止?fàn)顟B(tài)的旁路晶體管T7作為旁路電流Ibp被泄放。
[0075]在驅(qū)動晶體管Tl的顯示黑色圖像的最小電流作為驅(qū)動電流流動時，如果OLED也發(fā)射，則黑色圖像不會被正常顯示。因此，根據(jù)示例性實施例的OLED顯示器的旁路晶體管T7可以通過除了 OLED側(cè)的電流路徑之外的另一電流路徑將驅(qū)動晶體管Tl的最小電流的一部分分散為旁路電流Ibp。這里，驅(qū)動晶體管Tl的最小電流意味著由于驅(qū)動晶體管Tl的柵極-源極電壓Vgs小于閾值電壓Vth而使驅(qū)動晶體管Tl截止的情況下的電流。在其中驅(qū)動晶體管Tl截止的情況下的最小電流(例如約1pA或更小的電流)被傳輸?shù)?LED，以表達為具有黑色亮度的圖像。在表達黑色圖像的最小驅(qū)動電流流動時，對旁路電流Ibp的旁路傳輸?shù)挠绊懞艽?，但是在表達諸如正常圖像或白色圖像的圖像的大驅(qū)動電流流動時，對旁路電流Ibp可以具有很小的影響。因此，在顯示黑色圖像的驅(qū)動電流流動時，OLED的由通過旁路晶體管T7從驅(qū)動電流Id流出的旁路電流Ibp的電流量減小的發(fā)光電流1led具有作為能夠正確地表達黑色圖像的電平的最小電流量。因而，黑色亮度圖像通過使用旁路晶體管T7被正確地實現(xiàn)，從而提高了對比度。在圖2中，旁路信號BP與前一掃描信號Sn-1相同，但不一定局限于此。
[0076]然后，將參考圖3至圖7描述根據(jù)應(yīng)用上述結(jié)構(gòu)的示例性實施例的OLED顯示器的一個像素的詳細結(jié)構(gòu)。圖3是根據(jù)示例性實施例的OLED顯示器的布局圖。圖4是示意性圖示圖3的OLED顯示器的多個晶體管和電容器的圖。圖5是圖示圖3的OLED顯示器的信號線的特定布局圖。圖6是沿線V1-VI截取的圖4的OLED顯示器的剖視圖。圖7是沿線VI1-VII截取的圖4的OLED顯示器的剖視圖。
[OO77 ]參照圖3，根據(jù)不例性實施例的OLED顯不器包括分別傳送掃描信號Sn、前一掃描信號Sn-1、發(fā)光控制信號EM和旁路信號BP并且沿行方向形成的掃描線151、前一掃描線152、發(fā)光控制線153和旁路控制線158。此外，進一步包括與掃描線151、前一掃描線152、發(fā)光控制線153和旁路控制線158交叉并分別將數(shù)據(jù)信號Dm和驅(qū)動電壓ELVDD施加到像素I的數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動電壓線172。初始化電壓Vint通過初始化晶體管T4從初始化電壓線192傳送到補償晶體管T3。
[0078]進一步，驅(qū)動晶體管Tl、開關(guān)晶體管T2、補償晶體管T3、初始化晶體管T4、操作控制晶體管Τ5、發(fā)光控制晶體管Τ6、旁路晶體管Τ7、存儲電容器Cst和OLED形成在像素I中。OLED包括像素電極191、有機發(fā)射層370和公共電極270。在這種情況下，為了阻擋泄露電流，補償晶體管Τ3和初始化晶體管Τ4被配置為雙柵極結(jié)構(gòu)的晶體管。
[0079]驅(qū)動晶體管Tl、開關(guān)晶體管Τ2、補償晶體管Τ3、初始化晶體管Τ4、操作控制晶體管Τ5、發(fā)光控制晶體管Τ6和旁路晶體管Τ7的溝道被形成在一個半導(dǎo)體130中，并且半導(dǎo)體130可以被形成為以各種形狀彎曲。半導(dǎo)體130可由多晶半導(dǎo)體材料或氧化物半導(dǎo)體材料形成。氧化物半導(dǎo)體材料可以包括基于鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、招(Al)、鉭(Ta)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)或銦(In)的任何一種氧化物，以及是其復(fù)合氧化物的氧化銦鎵鋅(InGaZn04)、氧化銦鋅(Zn-1n-O)、氧化鋅錫(Zn-Sn-O)、氧化銦鎵(In-Ga-O)、氧化銦錫(In-Sn-O)、氧化銦錯(In-Zr-O)、氧化銦錯鋅(In-Zr-Zn-O)、氧化銦錯錫(In-Zr-Sn-O)、氧化銦鋯鎵(In-Zr-Ga-O)、氧化銦鋁(In-Al-O)、氧化銦鋅鋁(In-Zn-Al-O)、氧化銦錫鋁(In-Sn-Al-O)、氧化銦鋁鎵(In-Al-Ga-O)、氧化銦鉭(In-Ta-O)、氧化銦鉭鋅(In-Ta-Zn-O)、氧化銦鉭錫(In-Ta-Sn-O)、氧化銦鉭鎵(In-Ta-Ga-O)、氧化銦鍺(In-Ge-O)、氧化銦鍺鋅(In-Ge-Zn-O)、氧化銅錯錫(In-Ge-Sn-O)、氧化銅錯嫁(In-Ge-Ga-O)、氧化欽銅梓(T1-1n-Zn-O)或氧化鉿銦鋅(Hf-1n-Zn-O)。在半導(dǎo)體130由氧化物半導(dǎo)體材料形成的情況下，可以增加用于對容易受到諸如高溫的外部環(huán)境影響的氧化物半導(dǎo)體材料進行保護的單獨的鈍化層。
[0080]半導(dǎo)體130包括被摻雜有N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)的溝道131、以及形成在溝道的相應(yīng)側(cè)并摻雜有與摻雜在溝道中的摻雜雜質(zhì)相反類型的摻雜雜質(zhì)的源極摻雜部分和漏極摻雜部分。在該示例性實施例中，源極摻雜部分和漏極摻雜部分分別對應(yīng)于源電極和漏電極。形成在半導(dǎo)體130中的源電極和漏電極可以通過僅摻雜對應(yīng)區(qū)域而形成。進一步，在半導(dǎo)體130中，不同晶體管的源電極和漏電極之間的區(qū)域被摻雜，并且因此源電極和漏電極可以彼此電連接。
[0081 ] 如圖4所示出的，溝道131包括形成在驅(qū)動晶體管TI中的驅(qū)動溝道13Ia、形成在開關(guān)晶體管T2中的開關(guān)溝道131b、形成在補償晶體管T3中的補償溝道131c、形成在初始化晶體管T4中的初始化溝道131 d、形成在操作控制晶體管T5中的操作控制溝道131 e、形成在發(fā)光控制晶體管T6中的發(fā)光控制溝道131f、以及形成在旁路晶體管T7中的旁路溝道131g。
[0082]驅(qū)動晶體管Tl包括驅(qū)動溝道13 Ia、驅(qū)動?xùn)烹姌O155a、驅(qū)動源電極136a和驅(qū)動漏電極137a。驅(qū)動溝道131a是彎曲的，并且可具有傾斜形狀或Z字形形狀。這樣，通過形成彎曲的驅(qū)動溝道131a，驅(qū)動溝道131a可以形成為在狹窄的空間中被拉長。因此，施加到驅(qū)動?xùn)烹姌O155a的柵極電壓的驅(qū)動范圍通過拉長的驅(qū)動溝道131a增加。由于柵極電壓的驅(qū)動范圍增加，從OLED發(fā)射的光的灰度級可以通過改變柵極電壓的幅度來精細地控制，并且因此，OLED顯示器的分辨率可以增強，顯示質(zhì)量可以得到提高。通過各種方式修改驅(qū)動溝道131a的形狀，可以實現(xiàn)諸如“倒S”、“S”、“M”和“W”的各種示例。
[0083]驅(qū)動?xùn)烹姌O155a與驅(qū)動溝道131a重疊，并且驅(qū)動源電極136a和驅(qū)動漏電極137a形成在驅(qū)動溝道131a的相應(yīng)側(cè)并接近。驅(qū)動?xùn)烹姌O155a通過接觸孔61連接到第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件 174。
[0084]如圖5中所示出的，驅(qū)動電壓線172的第一屏蔽電極172a和第二屏蔽電極172b被設(shè)置在連接到驅(qū)動?xùn)烹姌O155a的第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174和被設(shè)置在第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174的兩側(cè)上的兩條數(shù)據(jù)線171之間。第一屏蔽電極172a和第二屏蔽電極172b連接到驅(qū)動電壓線172，并且被供給具有恒定幅度的驅(qū)動電壓ELVDD。
[0085]如上面所描述的，被供給具有恒定幅度的驅(qū)動電壓(ELVDD)的第一屏蔽電極172a和第二屏蔽電極172b被設(shè)置在數(shù)據(jù)線171和連接到驅(qū)動?xùn)烹姌O155a的第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174之間。因此，數(shù)據(jù)線171和連接到驅(qū)動?xùn)烹姌O155a的第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174之間的寄生電容的產(chǎn)生可以被最小化。因此，可以防止通過數(shù)據(jù)線171傳送的數(shù)據(jù)信號Dm、Dm+l和供給到驅(qū)動?xùn)烹姌O155a的柵極電壓Vg之間的干擾。
[0086]開關(guān)晶體管T2包括開關(guān)溝道131b、開關(guān)柵電極155b、開關(guān)源電極136b和開關(guān)漏電極137b。為從掃描線151向下延伸的一部分的開關(guān)柵電極155b與開關(guān)溝道131b重疊，并且開關(guān)源電極136b和開關(guān)漏電極137b形成在開關(guān)溝道131b的相應(yīng)側(cè)并接近。開關(guān)源電極136b通過接觸孔62連接到數(shù)據(jù)線171。
[0087]為了防止泄露電流，形成兩個補償晶體管T3，并且包括彼此相鄰的第一補償晶體管T3-1和第二補償晶體管T3-2。第一補償晶體管T3-1定位為圍繞掃描線151，并且第二補償晶體管T3-2定位為圍繞掃描線151的突起。第一補償晶體管T3-1包括第一補償溝道131cl、第一補償柵電極155c1、第一補償源電極136cI和第一補償漏電極137cI，并且第二補償晶體管T3-2包括第二補償溝道131c2、第二補償柵電極155c2、第二補償源電極136c2和第二補償漏電極137c2。
[0088]為掃描線151的一部分的第一補償柵電極155cl與第一補償溝道131 Cl重疊，并且第一補償源電極136cl和第一補償漏電極137cl形成在第一補償溝道131cl的相應(yīng)側(cè)并接近。第一補償源電極136cl連接到發(fā)光控制源電極136f和驅(qū)動漏電極137a，并且第一補償漏電極137cl連接到第二補償源電極136c2。
[0089]為從掃描線151向上突出的突起的第二補償柵電極155c2與第二補償溝道131c2重疊，并且第二補償源電極136c2和第二補償漏電極137c2分別形成在第二補償溝道131c2的相應(yīng)側(cè)并接近。第二補償漏電極137c2通過接觸孔63連接到第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174。
[0090]為了防止泄露電流，形成兩個初始化晶體管T4，并且包括彼此相鄰的第一初始化晶體管T4-1和第二初始化晶體管T4-2。第一初始化晶體管T4-1定位為圍繞前一掃描線152，并且第二初始化晶體管T4-2定位為圍繞前一掃描線152的突起。第一初始化晶體管T4-1包括第一初始化溝道131dl、第一初始化柵電極155dl、第一初始化源電極136dl和第一初始化漏電極137dl，并且第二初始化晶體管T4-2包括第二初始化溝道131d2、第二初始化柵電極155d2、第二初始化源電極136d2和第二初始化漏電極137d2。
[0091]為前一掃描線152的一部分的第一初始化柵電極155dl與第一初始化溝道131dl重疊，并且第一初始化源電極136dl和第一初始化漏電極137dl形成在第一初始化溝道131dl的兩側(cè)并接近。第一初始化源電極136dl通過接觸孔64連接到第二數(shù)據(jù)連接構(gòu)件175，并且第一初始化漏電極137d I連接到第二初始化源電極136d2。
[0092]為從前一掃描線152向下突出的突起的第二初始化柵電極155d2與第二初始化溝道131d2重疊，并且第二初始化源電極136d2和第二初始化漏電極137d2形成在第二初始化溝道131d2的相應(yīng)側(cè)并接近。第二初始化漏電極137d2通過接觸孔63連接到第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件 174。
[0093]這樣，補償晶體管T3包括第一補償晶體管T3-1和第二補償晶體管T3-2兩個補償晶體管，而初始化晶體管T4包括第一初始化晶體管T4-1和第二初始化晶體管T4-2兩個初始化晶體管，并且因此，通過阻止處于截止?fàn)顟B(tài)的半導(dǎo)體130的電子移動路徑，可以有效地防止產(chǎn)生泄露電流。
[0094]操作控制晶體管Τ5包括操作控制溝道131e、操作控制柵電極、操作控制源電極和操作控制漏電極。為發(fā)光控制線153的一部分的操作控制柵電極155e與操作控制溝道131e重疊，并且操作控制源電極136e和操作控制漏電極137e形成在操作控制溝道131e的相應(yīng)側(cè)并接近。操作控制源電極136e通過接觸孔65連接到驅(qū)動電壓線172的一部分。
[0095]發(fā)光控制晶體管T6包括發(fā)光控制溝道131f、發(fā)光控制柵電極155f、發(fā)光控制源電極136f和發(fā)光控制漏電極137f。為發(fā)光控制線153的一部分的發(fā)光控制柵電極155f與發(fā)光控制溝道131f重疊，并且發(fā)光控制源電極136f和發(fā)光控制漏電極137f形成在發(fā)光控制溝道131f的相應(yīng)側(cè)并接近。發(fā)光控制漏電極137f通過接觸孔66連接到第三數(shù)據(jù)連接構(gòu)件179。
[0096]旁路晶體管T7包括旁路溝道131g、旁路柵電極155g、旁路源電極136g和旁路漏電極137g。為旁路控制線158的一部分的旁路柵電極155g與旁路溝道131g重疊，并且旁路源電極136g和旁路漏電極137g形成在旁路溝道131g的相應(yīng)側(cè)并接近。旁路源電極136g通過接觸孔66連接到第三數(shù)據(jù)連接構(gòu)件179，并且旁路漏電極137g與第一初始化源電極136dl直接相連。
[0097]驅(qū)動晶體管Tl的驅(qū)動溝道131a的一端連接到開關(guān)漏電極137b和操作控制漏電極137e，并且驅(qū)動溝道131a的另一端連接到補償源電極136c和發(fā)光控制源電極136f。
[0098]存儲電容器Cst包括第二絕緣層142被設(shè)置在其間的第一存儲電極155a和第二存儲電極156。第一存儲電極155a對應(yīng)于驅(qū)動?xùn)烹姌O155a，并且第二存儲電極156是從存儲線126延伸的一部分，比驅(qū)動?xùn)烹姌O155a占據(jù)更大的面積，并且完全覆蓋驅(qū)動?xùn)烹姌O155a。在本文中，第二絕緣層142是介電材料，并且存儲電容由存儲在存儲電容器Cst中的電荷和兩個電極155a和156之間的電壓確定。這樣，驅(qū)動?xùn)烹姌O155a被用作第一存儲電極155a，并且因此，可以確保其中可形成存儲電容器的空間在由像素中具有大面積的驅(qū)動溝道131a變窄的空間內(nèi)。
[0099]為驅(qū)動?xùn)烹姌O155a的第一存儲電極155a通過接觸孔61和存儲開口 68連接到第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174的一端。存儲開口 68是形成在第二存儲電極156中的開口。第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174與數(shù)據(jù)線171基本上平行地形成在同一層上，并且第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174的另一端通過接觸孔63連接到第二補償晶體管T3-2的第二補償漏電極137c2和第二初始化晶體管T4-2的第二初始化漏電極137d2。因此，第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174將驅(qū)動?xùn)烹姌O155a以及第二補償晶體管T3-2的第二補償漏電極137c2和第二初始化晶體管T4-2的第二初始化漏電極137d2彼此連接。
[0100]第二存儲電極156通過接觸孔69連接到驅(qū)動電壓線172。
[0101]因此，存儲電容器Cst存儲與通過驅(qū)動電壓線172傳輸?shù)降诙鎯﹄姌O156的驅(qū)動電壓ELVDD和驅(qū)動?xùn)烹姌O155a的柵極電壓Vg之間的差對應(yīng)的存儲電容。
[0102]第三數(shù)據(jù)連接構(gòu)件179通過接觸孔81連接到像素電極191，并且第二數(shù)據(jù)連接構(gòu)件175通過接觸孔82連接到初始化電壓線192。
[0103]在下文中將參照圖6和圖7連同圖3至圖5詳細描述根據(jù)該示例性實施例的OLED顯示器中的像素單元和外圍單元的剖面結(jié)構(gòu)。
[0104]在這種情況下，由于操作控制晶體管T5的層壓結(jié)構(gòu)和發(fā)光控制晶體管T6的層壓結(jié)構(gòu)幾乎相同，因此其詳細描述將被省略。
[0105]緩沖層120可形成在基板100上?；?00可以通過由玻璃、水晶、陶瓷、塑料等形成的絕緣基板形成，并且緩沖層120在用于形成多晶半導(dǎo)體的結(jié)晶過程期間阻擋來自基板100的雜質(zhì)，以提高多晶半導(dǎo)體的特性并減小施加到基板100的應(yīng)力。
[0106]在緩沖層120上形成半導(dǎo)體130，其包括驅(qū)動溝道131a、開關(guān)溝道131b、補償溝道131c、初始化溝道131 d、操作控制溝道131 e和發(fā)光控制溝道131 f。驅(qū)動源電極136a和驅(qū)動漏電極137a形成在半導(dǎo)體130中的驅(qū)動溝道131a的相應(yīng)側(cè)，并且開關(guān)源電極136b和開關(guān)漏電極137b形成在開關(guān)溝道131b的相應(yīng)側(cè)。另外，第一補償源電極136cl和第一補償漏電極137cl形成在第一補償溝道131cl的相應(yīng)側(cè)，第二補償源電極136c2和第二補償漏電極137c2形成在第二補償溝道131c2的相應(yīng)側(cè)，第一初始化源電極136dl和第一初始化漏電極137dl形成在第一初始化溝道131dl的相應(yīng)側(cè)，并且第二初始化源電極136d2和第二初始化漏電極137d2形成在第二初始化溝道131d2的相應(yīng)側(cè)。進一步，操作控制源電極136e和操作控制漏電極137e形成在操作控制溝道131e的相應(yīng)側(cè)，并且發(fā)光控制源電極136f和發(fā)光控制漏電極137f形成在發(fā)光控制溝道131f的相應(yīng)側(cè)。而且，旁路源電極136g和旁路漏電極137g形成在旁路溝道131g的相應(yīng)側(cè)。
[0107]覆蓋半導(dǎo)體130的第一絕緣層141形成在半導(dǎo)體130上。包括包含開關(guān)柵電極155b、第一補償柵電極155c I和第二補償柵電極155c2的掃描線151、包含第一初始化柵電極155dl和第二初始化柵電極155d2的前一掃描線152、包含操作控制柵電極155e和發(fā)光控制柵電極155f的發(fā)光控制線153、包含旁路柵電極155g的旁路控制線158、以及驅(qū)動?xùn)烹姌O(第一存儲電極)155a 的第一柵極布線151、152、153、158、155a、155b、155cl、155c2、155dl、155d2、155e、155f和155g形成在第一絕緣層141上。
[0108]覆蓋第一柵極布線151、152、153、158、155a、155b、155cl、155c2、155dl、155d2、155e、155f和155g以及第一絕緣層141的第二絕緣層142形成在其上。第一絕緣層141和第二絕緣層142由氮化硅(S iNx)或氧化硅(Si Ox)形成。
[0109]包括被設(shè)置為與掃描線151平行的存儲線126和為從存儲線126延伸的一部分的第二存儲電極156的第二柵極布線126和156形成在第二絕緣層142上。
[0110]層間絕緣層160形成在第二絕緣層142以及第二柵極布線126和156上。層間絕緣層160可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)形成。
[0111]層間絕緣層160具有接觸孔61、62、63、64、65、66和69。包括數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一屏蔽電極172a、第二屏蔽電極172b、第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174、第二數(shù)據(jù)連接構(gòu)件175和第三數(shù)據(jù)連接構(gòu)件179的數(shù)據(jù)布線171、172、172a、172b、174、175、179形成在層間絕緣層160 上。數(shù)據(jù)布線 171、172、172a、172b、174、175、179 形成在同一層上。
[0112]數(shù)據(jù)線171通過形成在第一絕緣層141、第二絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔62連接到開關(guān)源電極136b。第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174的一端通過形成在第二絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔61連接到驅(qū)動?xùn)烹姌O155a。第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174的另一端通過形成在第一絕緣層141、第二絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔63連接到第二補償漏電極137c2和第二初始化漏電極137d2。
[0113]驅(qū)動電壓線172的第一屏蔽電極172a和第二屏蔽電極172b分別被設(shè)置在連接到驅(qū)動?xùn)烹姌O155a的第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174與被設(shè)置在第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174的兩側(cè)的兩條數(shù)據(jù)線171之間。第一屏蔽電極172a和第二屏蔽電極172b連接到驅(qū)動電壓線172，并被供給具有恒定幅度的驅(qū)動電壓ELVDD。如上面所描述的，被供給具有恒定幅度的驅(qū)動電壓(ELVDD)的第一屏蔽電極172a和第二屏蔽電極172b被設(shè)置在數(shù)據(jù)線171和連接到驅(qū)動?xùn)烹姌O155a的第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174之間。因此，可以防止數(shù)據(jù)線171和連接到驅(qū)動?xùn)烹姌O155a的第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174之間的寄生電容的產(chǎn)生。
[0114]因此，盡管通過數(shù)據(jù)線171傳送數(shù)據(jù)信號Dm、Dm+l，但可以防止通過數(shù)據(jù)線171傳送的數(shù)據(jù)信號Dm、Dm+l和供給到驅(qū)動?xùn)烹姌O155a的柵極電壓Vg之間的干擾。
[0115]四邊形的第二數(shù)據(jù)連接構(gòu)件175通過形成在第一絕緣層141、第二絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔64連接到第一初始化源電極136dl。另外，四邊形的第三數(shù)據(jù)連接構(gòu)件179通過形成在第一絕緣層141、第二絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔66連接到發(fā)光控制漏電極137f。
[0116]覆蓋數(shù)據(jù)布線171、172、172a、172b、174、175、179和層間絕緣層160的鈍化層180形成在其上。鈍化層180可以由有機層形成。
[0117]像素電極191和初始化電壓線192形成在鈍化層180上。第三數(shù)據(jù)連接構(gòu)件179通過形成在鈍化層180中的接觸孔81連接到像素電極191，并且第二數(shù)據(jù)連接構(gòu)件175通過形成在鈍化層180中的接觸孔82連接到初始化電壓線192。
[0118]覆蓋鈍化層180、初始化電壓線192和像素電極191的像素限定層(PDL)350形成在鈍化層180、初始化電壓線192和像素電極191的邊緣上，并且像素限定層350具有暴露像素電極191的像素開口 351。像素限定層350可以由諸如聚丙烯酸酯樹脂和聚酰亞胺的樹脂或者二氧化娃系列無機材料制成。
[0119]有機發(fā)射層370形成在由像素開口351暴露的像素電極191上，并且公共電極270形成在有機發(fā)射層370上。公共電極270形成在通過多個像素形成的像素限定層350上。這樣，形成了包括像素電極191、有機發(fā)射層370和公共電極270的OLED。
[0120]在本文中，像素電極191是作為空穴注入電極的陽極，并且公共電極270是作為電子注入電極的陰極。然而，根據(jù)所描述的技術(shù)的示例性實施例不必局限于此，并且根據(jù)OLED顯示器的驅(qū)動方法，像素電極191可以是陰極且公共電極270可以是陽極。在空穴和電子分別從像素電極191和公共電極270注入到有機發(fā)射層370，并且通過結(jié)合注入的空穴和電子獲得的激子從激發(fā)態(tài)落入基態(tài)時，光被發(fā)射。
[0121]有機發(fā)射層370由低分子有機材料或諸如聚(3，4_乙烯二氧噻吩)(PEDOT)的高分子有機材料制成。進一步，有機發(fā)射層370可以由包括發(fā)射層、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中的至少一個層的多層形成。在有機發(fā)射層370包括所有的層時，空穴注入層被設(shè)置在為正電極的像素電極191上，并且空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層順序?qū)訅涸谄渖稀?br>[0122]有機發(fā)射層370可包括發(fā)射紅光的紅色有機發(fā)射層、發(fā)射綠光的綠色有機發(fā)射層和發(fā)射藍光的藍色有機發(fā)射層，并且紅色有機發(fā)射層、綠色有機發(fā)射層和藍色有機發(fā)射層分別形成在紅色像素、綠色像素和藍色像素處，以實現(xiàn)彩色圖像。
[0123]進一步，在有機發(fā)射層370中，所有的紅色有機發(fā)射層、綠色有機發(fā)射層和藍色有機發(fā)射層都同時層壓在紅色像素、綠色像素和藍色像素上，并且針對每個像素形成有紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器，以實現(xiàn)彩色圖像。作為另一示例，發(fā)射白光的白色有機發(fā)射層形成在所有的紅色像素、綠色像素和藍色像素上，并且針對每個像素形成有紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器，以實現(xiàn)彩色圖像。在彩色圖像通過使用白色有機發(fā)射層和濾色器實現(xiàn)時，可以不使用用于在單獨像素(也就是紅色像素、綠色像素和藍色像素)上分別沉積紅色有機發(fā)射層、綠色有機發(fā)射層和藍色有機發(fā)射層的沉積掩模。
[0124]當(dāng)然，在另一示例中描述的白色有機發(fā)射層可以由一個有機發(fā)射層形成，并且甚至包括可以通過層壓多個有機發(fā)射層來發(fā)射白光的配置。作為示例，白色有機發(fā)射層可以包括通過組合至少一個黃色有機發(fā)射層和至少一個藍色有機發(fā)射層使得能夠發(fā)射白光的配置、通過組合至少一個青色有機發(fā)射層和至少一個紅色有機發(fā)射層使得能夠發(fā)射白光的配置、通過組合至少一個品紅色有機發(fā)射層和至少一個綠色有機發(fā)射層使得能夠發(fā)射白光的配置等。
[0125]保護OLED的封裝構(gòu)件(未示出)可形成在公共電極270上，并且封裝構(gòu)件可以由密封劑密封到基板100，并且可以由諸如玻璃、石英、陶瓷、塑料和金屬的各種材料形成。另一方面，可以通過在使用密封劑的同時沉積無機層和有機層在公共電極270上形成薄膜封裝層。
[0126]盡管已經(jīng)結(jié)合目前認為是可行的示例性實施例描述了發(fā)明技術(shù)，但是應(yīng)該理解，發(fā)明不限于所公開的實施例，相反，意在覆蓋包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同設(shè)置。
【主權(quán)項】
1.一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括: 基板； 形成在所述基板上方并且被配置成輸送掃描信號的掃描線； 彼此相鄰并且與所述掃描線交叉的第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，其中所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線被配置成輸送數(shù)據(jù)電壓； 與所述掃描線交叉并且被配置成輸送驅(qū)動電壓的驅(qū)動電壓線； 電連接到所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線并且包括被配置成輸出所述數(shù)據(jù)電壓的開關(guān)漏電極的開關(guān)晶體管； 包括驅(qū)動?xùn)烹姌O和電連接到所述開關(guān)漏電極的驅(qū)動源電極的驅(qū)動晶體管； 電連接到所述驅(qū)動晶體管的所述驅(qū)動漏電極的有機發(fā)光二極管； 連接到所述驅(qū)動晶體管的所述驅(qū)動?xùn)烹姌O并且在所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線之間插入的連接器； 在所述連接器和所述第一數(shù)據(jù)線之間插入的第一屏蔽電極；以及 在所述連接器和所述第二數(shù)據(jù)線之間插入的第二屏蔽電極， 其中所述第一屏蔽電極和所述第二屏蔽電極連接到具有恒定幅度的電壓源。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一屏蔽電極和所述第二屏蔽電極電連接到所述驅(qū)動電壓線。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一屏蔽電極和所述第一數(shù)據(jù)線彼此平行延伸，并且其中所述第二屏蔽電極和所述第二數(shù)據(jù)線彼此平行延伸。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述連接器與所述第一屏蔽電極和所述第二屏蔽電極形成在同一層上。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述連接器的至少一部分與所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線形成在同一層上。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一屏蔽電極的至少一部分和所述第一數(shù)據(jù)線彼此平行延伸，并且其中所述第二屏蔽電極和所述第二數(shù)據(jù)線彼此平行延伸。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述連接器的至少一部分與所述第一屏蔽電極和所述第二屏蔽電極形成在同一層上。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述連接器的至少一部分與所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線形成在同一層上。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述連接器的至少一部分與所述第一屏蔽電極和所述第二屏蔽電極形成在同一層上。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述連接器與所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線形成在同一層上。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，進一步包括: 形成在所述基板上方并且包括所述開關(guān)晶體管的開關(guān)溝道和所述驅(qū)動晶體管的驅(qū)動溝道的半導(dǎo)體；以及 形成在所述半導(dǎo)體上方的第一絕緣層，其中所述驅(qū)動溝道是彎曲的。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光二極管顯示器，進一步包括: 包括形成在所述第一絕緣層上方并且與所述驅(qū)動溝道重疊的第一存儲電極的存儲電容器； 覆蓋所述第一存儲電極的第二絕緣層；以及 形成在所述第二絕緣層上方并且在所述有機發(fā)光二極管顯示器的深度維度上與所述第一存儲電極重疊的第二存儲電極， 其中所述第一存儲電極包括所述驅(qū)動晶體管的所述驅(qū)動?xùn)烹姌O。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光二極管顯示器，進一步包括:覆蓋所述第二存儲電極的層間絕緣層，其中所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線形成在所述層間絕緣層上方。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述連接器、所述第一屏蔽電極和所述第二屏蔽電極、以及所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線形成在同一層上。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述連接器、所述第一屏蔽電極和所述第二屏蔽電極、以及所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線形成在同一層上。
【文檔編號】G09G3/3275GK105895026SQ201610084516
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年2月14日
【發(fā)明人】李光世, 金美海, 金知惠, 黃元美
【申請人】三星顯示有限公司