饋通電壓補(bǔ)償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補(bǔ)償方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種饋通電壓補(bǔ)償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補(bǔ)償方法。所述液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路包括共通線和存儲(chǔ)電容,所述存儲(chǔ)電容一端連接至液晶分子對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極,另一端連接到所述共通線,所述共通線連接有切換開關(guān),所述切換開關(guān)包括兩個(gè)輸入端,一個(gè)輸入端連接至高電平的基準(zhǔn)電壓,另一個(gè)輸入端連接至低電平的補(bǔ)償電壓。本發(fā)明由于采用了切換開關(guān)對(duì)共通線進(jìn)行切換,選擇電路在TFT閘極電壓為高電平時(shí),將共通線切到補(bǔ)償電壓的低電平信號(hào);TFT閘極電壓為低電平,將共通線切到基準(zhǔn)電壓的高電平信號(hào),這樣就可以在TFT關(guān)閉時(shí)從將共通線給予一個(gè)壓升,來提升像素連接至液晶分子對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極端的電壓上升,以補(bǔ)償饋通電壓造成的壓降。
【專利說明】
饋通電壓補(bǔ)償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補(bǔ)償方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域,更具體的說,涉及一種饋通電壓補(bǔ)償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補(bǔ)償方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的液晶顯示裝置多采用TFT進(jìn)行像素的顯示控制。
[0003]如圖1所示,TFT的閘極連接掃描線,源極連接數(shù)據(jù)線,漏極連接像素電極,像素電極與彩膜基板(CF-Vcom)之間形成像素電容C(LC)、像素電容并聯(lián)有補(bǔ)償電容C(St),補(bǔ)償電容C(st)—端跟TFT的漏極連接,另一端連接有共通線Vcom。由于TFT的閘極和漏極之間存在寄生電容Cgs,在TFT關(guān)閉的瞬間C(gs)連接閘端的壓降造成像素兩端的電壓隨之降低,產(chǎn)生了饋通電壓,造成顯示亮度下降。饋通電壓不同,在顯示屏只有一個(gè)Vcom的情況下,對(duì)造成顯示屏不同位置,有不同的亮度。如圖2所示,對(duì)于雙邊驅(qū)動(dòng)的液晶顯示裝置,常見的現(xiàn)象是顯示屏在低灰階畫面下,左右兩側(cè)畫面較亮。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種可補(bǔ)償饋通電壓的饋通電壓補(bǔ)償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補(bǔ)償方法。
[0005]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:一種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路,包括共通線和存儲(chǔ)電容,所述存儲(chǔ)電容一端連接至液晶分子對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極,另一端連接到所述共通線,所述共通線連接有切換開關(guān),所述切換開關(guān)包括兩個(gè)輸入端,一個(gè)輸入端連接至高電平的基準(zhǔn)電壓,另一個(gè)輸入端連接至低電平的補(bǔ)償電壓。
[0006]優(yōu)選的,所述共通線至少有兩條,每條共通線連接一組所述存儲(chǔ)電容,每條共通線對(duì)應(yīng)一個(gè)切換開關(guān)。處于不同位置的像素,其參數(shù)有差異,每條共通線控制一組顯示像素,可以根據(jù)參數(shù)的差異設(shè)置不同的補(bǔ)償電壓,提高控制精度,進(jìn)一步改善顯示品質(zhì)。
[0007]優(yōu)選的,所述切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓,所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補(bǔ)償電壓,兩個(gè)薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線,所述第一薄膜晶體管的閘極連接到所述基準(zhǔn)電壓,第二薄膜晶體管的閘極連接到對(duì)應(yīng)的液晶顯示器的掃描線?,F(xiàn)有的液晶顯示面板大多采用薄膜晶體管來控制像素的顯示,因此采用薄膜晶體管作為切換開關(guān),在薄膜晶體管制程過程中可同步形成切換開關(guān)的薄膜晶體管,有利于降低制造成本。
[0008]優(yōu)選的,所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管都為N型MOS管。
[0009]優(yōu)選的,所述切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓,所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補(bǔ)償電壓,兩個(gè)薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線,所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極連接到同一條對(duì)應(yīng)的液晶顯示器的掃描線。此為另一種具體的控制方式。
[0010]優(yōu)選的,所述第一薄膜晶體管為P型MOS管,所述第二薄膜晶體管為N型MOS管。
[0011]優(yōu)選的,所述共通線至少有兩條,每條共通線連接一組所述存儲(chǔ)電容,每條共通線對(duì)應(yīng)一個(gè)切換開關(guān),所述切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓,閘極連接到所述基準(zhǔn)電壓;所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補(bǔ)償電壓,閘極連接到對(duì)應(yīng)的液晶顯示器的掃描線;兩個(gè)薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線,所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管都為N型MOS管。
[0012]優(yōu)選的,所述共通線至少有兩條,每條共通線連接一組所述存儲(chǔ)電容,每條共通線對(duì)應(yīng)一個(gè)切換開關(guān),所述切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓;所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補(bǔ)償電壓,所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極連接到同一條對(duì)應(yīng)的液晶顯示器的掃描線,漏極共同連接到同一共通線,所述第一薄膜晶體管為P型MOS管,所述第二薄膜晶體管為N型MOS 管。
[0013]一種液晶顯示裝置,包括上述的一種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路。
[0014]一種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償方法,包括步驟:在當(dāng)前掃描線驅(qū)動(dòng)時(shí),通過切換開關(guān)將對(duì)應(yīng)的共通線切換到低電平的補(bǔ)償電壓;當(dāng)掃描線驅(qū)動(dòng)撤銷時(shí),將共通線切換到高電平的基準(zhǔn)電壓。
[0015]本發(fā)明由于采用了切換開關(guān)對(duì)共通線進(jìn)行切換,選擇電路在TFT閘極電壓為高電平時(shí),將共通線切到補(bǔ)償電壓的低電平信號(hào);TFT閘極電壓為低電平,將共通線切到基準(zhǔn)電壓的高電平信號(hào),這樣就可以在TFT關(guān)閉時(shí)從將共通線給予一個(gè)壓升,來提升像素兩端的電壓上升,提升顯示亮度。
【附圖說明】
[0016]圖1是現(xiàn)有的液晶顯示裝置驅(qū)動(dòng)電路示意圖。
[0017]圖2是現(xiàn)有的一種液晶顯不裝置的兩極電壓的崎變不意圖。
[0018]圖3是本發(fā)明的原理示意圖。
[0019I圖4是本發(fā)明實(shí)施例一的原理示意圖。
[°02°]圖5是本發(fā)明實(shí)施例二的原理示意圖。
[0021]圖6是本發(fā)明驅(qū)動(dòng)原理示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和較佳的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0023]如圖3所示,一種液晶顯示裝置,包括上述的一種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路,該液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路包括共通線和存儲(chǔ)電容,所述存儲(chǔ)電容一端連接至液晶分子對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極,另一端連接到所述共通線,所述共通線連接有切換開關(guān),所述切換開關(guān)包括兩個(gè)輸入端,一個(gè)輸入端連接至高電平的基準(zhǔn)電壓,另一個(gè)輸入端連接至低電平的補(bǔ)償電壓。所述共通線可以是一條,也可以是多條,優(yōu)選多條共通線,每條共通線連接一組所述存儲(chǔ)電容,每條共通線對(duì)應(yīng)一個(gè)切換開關(guān)。這樣處于不同位置的像素,其參數(shù)有差異,每條共通線控制一組顯示像素,可以根據(jù)參數(shù)的差異設(shè)置不同的補(bǔ)償電壓,提尚控制精度,進(jìn)一步改善顯不品質(zhì)。
[0024]實(shí)施例一如圖4所示,切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2,第一薄膜晶體管Tl的源極和閘極連接至基準(zhǔn)電壓A-Vcom;所述第二薄膜晶體管Τ2的源極連接至所述補(bǔ)償電壓A-Vcom-low,閘極連接到對(duì)應(yīng)的液晶顯示器的掃描線,兩個(gè)薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線Vcom。
[0025]優(yōu)選的,所述第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2都為N型MOS管。當(dāng)然兩個(gè)薄膜晶體管都為P型MOS管,或者一個(gè)為N型MOS管、另一個(gè)為P型MOS管也是可行的。
[0026]現(xiàn)有的液晶顯示面板大多采用薄膜晶體管來控制像素的顯示,因此采用薄膜晶體管作為切換開關(guān),在薄膜晶體管制程過程中可同步形成切換開關(guān)的薄膜晶體管,有利于降低制造成本。
[0027]實(shí)施例二
如圖5所述,切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2,所述第一薄膜晶體管Tl的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓A-Vcom,所述第二薄膜晶體管T2的源極連接至所述補(bǔ)償電壓A-Vcom-low,兩個(gè)薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線Vcom。所述第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2的閘極連接到同一條對(duì)應(yīng)的液晶顯示器的掃描線。此為另一種具體的控制方式。
[0028]優(yōu)選的,所述第一薄膜晶體管Tl為P型MOS管,所述第二薄膜晶體管T2為N型MOS管。當(dāng)然兩個(gè)薄膜晶體管都為P型MOS管或N型MOS管、或者第一薄膜晶體管Tl為N型MOS管,第二薄膜晶體管12為?型編3管的技術(shù)方案也是可行的。
[0029]現(xiàn)有的液晶顯示面板大多采用薄膜晶體管來控制像素的顯示,因此采用薄膜晶體管作為切換開關(guān),在薄膜晶體管制程過程中可同步形成切換開關(guān)的薄膜晶體管,有利于降低制造成本。
[0030]如圖6所述,上述的一種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路通過改變共通線的電壓來補(bǔ)償對(duì)應(yīng)掃描線的饋通電壓。具體來說,其驅(qū)動(dòng)過程包括在當(dāng)前掃描線驅(qū)動(dòng)時(shí),掃描線的電壓Vgate為高電平,此時(shí)通過切換開關(guān)將對(duì)應(yīng)的共通線切換到低電平的補(bǔ)償電壓;當(dāng)掃描線驅(qū)動(dòng)撤銷時(shí),掃描線的電壓Vgate為低電平,將共通線切換到高電平的基準(zhǔn)電壓,經(jīng)由調(diào)整共通線波形Vcom,達(dá)成饋通電壓的修正。如果共通線有多條,可以根據(jù)掃描線在不同位置處的RC阻容效應(yīng)(Gate RC)的不同,設(shè)置不同的補(bǔ)償電壓。Gate RC較小時(shí),饋通電壓修正的多。反之Gate RC較大時(shí),饋通電壓修正的少。補(bǔ)償后,在同一掃描線不同位置對(duì)應(yīng)的像素兩端的電壓(Vp ixe I)波形基本保持一致。
[0031]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明,不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換,都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路,包括共通線和存儲(chǔ)電容,所述存儲(chǔ)電容一端連接至液晶分子對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極,另一端連接到所述共通線,其特征在于,所述共通線連接有切換開關(guān),所述切換開關(guān)包括兩個(gè)輸入端,一個(gè)輸入端連接至高電平的基準(zhǔn)電壓,另一個(gè)輸入端連接至低電平的補(bǔ)償電壓。2.如權(quán)利要求1所述的一種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路,其特征在于,所述共通線至少有兩條,每條共通線連接一組所述存儲(chǔ)電容,每條共通線對(duì)應(yīng)一個(gè)切換開關(guān)。3.如權(quán)利要求1所述的一種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路,其特征在于,所述切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓,所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補(bǔ)償電壓,兩個(gè)薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線,所述第一薄膜晶體管的閘極連接到所述基準(zhǔn)電壓,第二薄膜晶體管的閘極連接到對(duì)應(yīng)的液晶顯示器的掃描線。4.如權(quán)利要求3所述的一種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路,其特征在于,所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管都為N型MOS管。5.如權(quán)利要求1所述的一種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路,其特征在于,所述切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓,所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補(bǔ)償電壓,兩個(gè)薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線,所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極連接到同一條對(duì)應(yīng)的液晶顯示器的掃描線。6.如權(quán)利要求5所述的一種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路,其特征在于,所述第一薄膜晶體管為P型MOS管,所述第二薄膜晶體管為N型MOS管。7.如權(quán)利要求1所述的一種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路,其特征在于,所述共通線至少有兩條,每條共通線連接一組所述存儲(chǔ)電容,每條共通線對(duì)應(yīng)一個(gè)切換開關(guān),所述切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓,閘極連接到所述基準(zhǔn)電壓;所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補(bǔ)償電壓,閘極連接到對(duì)應(yīng)的液晶顯示器的掃描線;兩個(gè)薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線,所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管都為N型MOS管。8.如權(quán)利要求1所述的一種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路,其特征在于,所述共通線至少有兩條,每條共通線連接一組所述存儲(chǔ)電容,每條共通線對(duì)應(yīng)一個(gè)切換開關(guān),所述切換開關(guān)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準(zhǔn)電壓;所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補(bǔ)償電壓,所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極連接到同一條對(duì)應(yīng)的液晶顯示器的掃描線,漏極共同連接到同一共通線,所述第一薄膜晶體管為P型MOS管,所述第二薄膜晶體管為N型MOS管。9.一種液晶顯示裝置,包括如權(quán)利要求1?8任一所述的一種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償電路。10.—種液晶顯示器的饋通電壓補(bǔ)償方法,包括步驟:在當(dāng)前掃描線驅(qū)動(dòng)時(shí),通過切換開關(guān)將對(duì)應(yīng)的共通線切換到低電平的補(bǔ)償電壓;當(dāng)掃描線驅(qū)動(dòng)撤銷時(shí),將共通線切換到高電平的基準(zhǔn)電壓。
【文檔編號(hào)】G09G3/36GK105913820SQ201610425505
【公開日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年6月15日
【發(fā)明人】熊勇軍
【申請(qǐng)人】蘇州眾顯電子科技有限公司