背光單元及具有背光單元的顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本申請涉及一種背光單元及具有背光單元的顯示裝置。所述背光單元包括光源部、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及光源驅(qū)動電路。DC/DC轉(zhuǎn)換器接收輸入電壓并且向光源部提供驅(qū)動電壓。光源驅(qū)動電路接收模擬電壓，基于模擬電壓來生成鉗位電壓以及基于模擬電壓和鉗位電壓來生成要被施加到DC/DC轉(zhuǎn)換器的主驅(qū)動信號。當模擬電壓等于或小于參考電壓時，光源驅(qū)動電路降低主驅(qū)動信號的占空比。
【專利說明】背光單元及具有背光單元的顯示裝置
[0001]對相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本專利申請要求2015年4月30日提交的、第10-2015-0062093號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的內(nèi)容通過引用整體并入于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的實施例的各方面涉及背光單元、驅(qū)動該背光單元的方法以及具有該背光單元的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]顯示裝置可以被分類為:自發(fā)光(self-emissive)顯示裝置，諸如有機發(fā)光二極管顯示器(OLED)、場發(fā)射顯示器(FED)、真空熒光顯示器(VFD)、等離子顯示面板(PDP)等；以及非自發(fā)光顯示裝置，諸如液晶顯示器(LCD)、電泳成像(electrophoretic)顯示器等。
[0005]非自發(fā)光顯示裝置可以包括用于生成光的背光單元。例如，背光單元可以包括發(fā)射光的光源。各種光源，例如冷陰極熒光燈(CCFL )、平面熒光燈(FFL )、發(fā)光二極管(LED)等，可以被用作光源。近年，發(fā)光二極管變得流行，這是因為發(fā)光二極管具有諸如相對低功耗和相對低發(fā)熱的特性。
[0006]背光單元可以響應(yīng)于被施加至其的電壓信號來控制流過發(fā)光二極管陣列的電流，以便確定背光單元的發(fā)光亮度。背光單元將流過發(fā)光二極管陣列的電流控制在從最小電壓(例如，預(yù)定的最小電壓)到最大電壓(例如，預(yù)定的最大電壓)的范圍中。
[0007]在本【背景技術(shù)】部分中所公開的以上信息僅用于增進對本發(fā)明的背景的理解，并且因此其可以包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的實施例的各方面涉及背光單元、驅(qū)動該背光單元的方法以及具有該背光單元的顯示裝置。額外地，本發(fā)明的一些實施例的各方面涉及以低電壓操作的背光單元、驅(qū)動該背光單元的方法以及具有該背光單元的顯示裝置。
[0009]本發(fā)明的一些實施例的各方面包括能夠降低流過發(fā)光二極管陣列的驅(qū)動電流的背光單元。
[0010]本發(fā)明的一些實施例的各方面包括驅(qū)動該背光單元的方法。
[0011]本發(fā)明的一些實施例的各方面包括具有該背光單元的顯示裝置。
[0012]本發(fā)明的一些實施例包括背光單元，該背光單元包括:光源，包括發(fā)光二極管陣列;DC/DC轉(zhuǎn)換器，被配置為接收輸入電壓并且向發(fā)光二極管陣列施加驅(qū)動電壓；以及光源驅(qū)動電路，被配置為:接收模擬電壓，根據(jù)該模擬電壓來生成鉗位電壓，以及根據(jù)模擬電壓和鉗位電壓來生成要被施加到DC/DC轉(zhuǎn)換器的主驅(qū)動信號，其中，模擬電壓具有在第一下限與第一上限之間的電壓范圍，鉗位電壓具有在高于第一下限的第二下限與低于第一上限的第二上限之間的電壓范圍，該背光單元被配置為當模擬電壓具有在第二下限與第一上限之間的第一電平時操作于第一模式中，該背光單元被配置為當模擬電壓具有在第一下限與第二下限之間的第二電平時操作于第二模式中，以及第一模式期間的驅(qū)動電壓與第二模式期間的驅(qū)動電壓不同。
[0013]根據(jù)一些實施例，光源驅(qū)動電路被配置為控制主驅(qū)動信號，以允許第二模式中的主驅(qū)動信號的占空比小于第一模式中的主驅(qū)動信號的占空比。
[0014]根據(jù)一些實施例，在第二模式期間，當模擬電壓的電平降低時驅(qū)動電壓降低。
[0015]根據(jù)一些實施例，DC/DC轉(zhuǎn)換器包括:電感器，被配置為在第一端子處接收輸入電壓;在電感器的第二端子與發(fā)光二極管陣列的第一端部之間的主二極管，用于向發(fā)光二極管陣列的第一端部施加驅(qū)動電壓;主晶體管，包括連接到電感器與主二極管之間的節(jié)點的第一端子，和被配置為接收主驅(qū)動信號的控制端子；以及主晶體管的第二端子與地(ground)之間的主電阻器。
[0016]根據(jù)一些實施例，光源進一步包括:電流控制晶體管，包括連接到發(fā)光二極管陣列的第二端部的第一端子，和被配置為從光源驅(qū)動電路接收控制信號的控制端子；以及主電阻器，連接到電流控制晶體管的第二端子和地。
[0017]根據(jù)一些實施例，光源驅(qū)動電路包括:電壓范圍改變器(changer)，被配置為生成鉗位電壓；占空(duty)控制器，被配置為根據(jù)來自主晶體管的第二端子的主節(jié)點電壓、來自電流控制晶體管的第二端子的光源電阻器電壓、鉗位電壓、時鐘信號以及模擬電壓來生成主驅(qū)動信號；以及控制信號生成器，被配置為根據(jù)鉗位電壓和光源電阻器電壓來生成控制信號。
[0018]根據(jù)一些實施例，占空控制器包括:誤差放大器，包括被配置為接收鉗位電壓的第一端子，被配置為接收光源電阻器電壓的第二端子以及被配置為輸出放大器輸出信號的輸出端子;偏移(offset)補償器，被配置為接收通過放大主節(jié)點電壓的放大后的主節(jié)點電壓和模擬電壓，并且在第二模式期間補償放大后的主節(jié)點電壓的電平以生成主電壓信號；主比較器，包括被配置為接收主電壓信號的非反相(rum-1nverting)輸入端子和被配置為接收放大器輸出信號的反相輸入端子，并且該主比較器用于將主電壓信號與放大器輸出信號進行比較以輸出高信號或低信號；以及鎖存器，包括被配置為接收時鐘信號的設(shè)定端子，被配置為從主比較器接收輸出信號的重置端子以及被配置為輸出主驅(qū)動信號的輸出端子，該主驅(qū)動信號在從時鐘信號的上升沿到主比較器的輸出信號的上升沿的時段期間具有開啟(pulse on)時段。
[0019]根據(jù)一些實施例，偏移補償器包括:比較器，包括被配置為接收模擬電壓的非反相輸入端子和被配置為接收鉗位電壓的第二下限的反相輸入端子，該比較器被配置為將模擬電壓與鉗位電壓的第二下限進行比較以輸出高信號或低信號；電壓反相器，被配置為通過從鉗位電壓的第二下限中減去模擬電壓來生成反相模擬電壓;偏移晶體管，包括被配置為接收反相模擬電壓的第一端子和被配置為從比較器接收輸出信號的控制端子；以及加法器，被配置為當偏移晶體管導(dǎo)通時輸出通過將放大后的主節(jié)點電壓和反相模擬電壓相加所獲得的信號作為主電壓信號，并且被配置為當偏移晶體管截止時輸出放大后的主節(jié)點電壓作為主電壓信號。
[0020]根據(jù)一些實施例，偏移晶體管是具有P溝道的場效應(yīng)晶體管。
[0021]根據(jù)一些實施例，占空控制器包括:誤差放大器，包括被配置為接收鉗位電壓的第一端子，被配置為接收光源電阻器電壓的第二端子以及被配置為輸出放大器輸出信號的輸出端子;偏移補償器，被配置為接收放大器輸出信號和模擬電壓，并且被配置為在第二模式期間補償放大器輸出信號的電平以生成放大器補償信號；主比較器，包括被配置為接收通過放大主節(jié)點電壓所獲得的放大后的主節(jié)點電壓的非反相輸入端子，該主比較器進一步包括被配置為接收放大器補償信號的反相輸入端子，該主比較器被配置為將放大后的主節(jié)點電壓與放大器補償信號進行比較以輸出高信號或低信號；以及鎖存器，包括被配置為接收時鐘信號的設(shè)定端子，被配置為從主比較器接收輸出信號的重置端子以及被配置為輸出主驅(qū)動信號的輸出端子，該主驅(qū)動信號在從時鐘信號的上升沿到主比較器的輸出信號的上升沿的時段期間具有開啟時段。
[0022]根據(jù)一些實施例，偏移補償器包括:比較器，包括被配置為接收模擬電壓的非反相輸入端子和被配置為接收鉗位電壓的第二下限的反相輸入端子，該比較器被配置為將模擬電壓與鉗位電壓的第二下限進行比較以輸出高信號或低信號；電壓反相器，被配置為通過從鉗位電壓的第二下限中減去模擬電壓來生成反相模擬電壓;偏移晶體管，包括被配置為接收反相模擬電壓的第一端子和被配置為從比較器接收輸出信號的控制端子；以及加法器，被配置為當偏移晶體管導(dǎo)通時輸出通過將放大后的主節(jié)點電壓和反相模擬電壓相加所獲得的信號作為主電壓信號，并且被配置為當偏移晶體管截止時輸出放大后的主節(jié)點電壓作為主電壓信號。
[0023]根據(jù)一些實施例，偏移晶體管是具有P溝道的場效應(yīng)晶體管。
[0024]根據(jù)一些實施例，占空控制器包括:誤差放大器，包括被配置為接收鉗位電壓的第一端子，被配置為接收光源電阻器電壓的第二端子以及被配置為輸出放大器輸出信號的輸出端子;主比較器，包括被配置為接收通過放大主節(jié)點電壓的放大后的主節(jié)點電壓的非反相輸入端子和被配置為接收放大器輸出信號的反相輸入端子，該主比較器被配置為將放大后的主節(jié)點電壓與放大器輸出信號進行比較以輸出高信號或低信號;鎖存器，包括被配置為接收時鐘信號的設(shè)定端子，被配置為接收從主比較器輸出的輸出信號的重置端子以及被配置為輸出初始主驅(qū)動信號的輸出端子，該初始主驅(qū)動信號在從時鐘信號的上升沿到主比較器的輸出信號的上升沿的時段期間具有開啟時段；以及偏移補償器，被配置為在第二模式期間控制初始主驅(qū)動信號的占空比以生成主驅(qū)動信號。
[0025]根據(jù)一些實施例，偏移補償器包括:第一比較器，包括被配置為接收模擬電壓的非反相輸入端子和被配置為接收鉗位電壓的第二下限的反相輸入端子，該第一比較器被配置為將模擬電壓與鉗位電壓的第二下限進行比較以輸出高信號或低信號；第一偏移晶體管，包括被配置為接收初始主驅(qū)動信號的第一端子，被配置為接收接地電壓的第二端子以及被配置為從第一比較器接收輸出信號的控制端子；電壓脈沖生成器，被配置為接收模擬電壓和時鐘信號以生成電壓脈沖信號；第二偏移晶體管，包括被配置為接收鉗位電壓的第二下限的第一端子和被配置為當?shù)谝黄凭w管導(dǎo)通時接收接地電壓的控制端子;第二比較器，包括被配置為當?shù)诙凭w管導(dǎo)通時通過第二偏移晶體管的第二端子接收鉗位電壓的第二下限的非反相輸入端子，和被配置為接收電壓脈沖信號的反相輸入端子，并且該第二比較器用于當?shù)诙凭w管導(dǎo)通時將鉗位電壓的第二下限與電壓脈沖信號進行比較以輸出高信號或低信號；以及第三偏移晶體管，包括被配置為從第二比較器接收輸出信號的第一端子，被配置為輸出主驅(qū)動信號的第二端子以及被配置為當?shù)谝黄凭w管導(dǎo)通時接收接地電壓的控制端子。
[0026]根據(jù)一些實施例，第一偏移晶體管是具有η溝道的場效應(yīng)晶體管，并且第二偏移晶體管和第三偏移晶體管中的每個是具有P溝道的場效應(yīng)晶體管。
[0027]根據(jù)一些實施例，電壓脈沖生成器包括:積分器，被配置為接收時鐘信號并且以一個時段為單位對時鐘信號進行積分以生成三角脈沖信號；電壓反相器，被配置為通過從鉗位電壓的第二下限中減去模擬電壓來生成反相模擬電壓；以及加法器，被配置為將三角脈沖信號與反相模擬電壓相加以生成電壓脈沖信號。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的一些示例實施例，顯示裝置包括:顯示面板，被配置為顯示圖像；以及背光，被配置為向顯示面板提供光，該背光包括:光源，包括發(fā)光二極管陣列;DC/DC轉(zhuǎn)換器，被配置為接收輸入電壓并且向發(fā)光二極管陣列施加驅(qū)動電壓；以及光源驅(qū)動電路，被配置為:接收模擬電壓，根據(jù)該模擬電壓來生成鉗位電壓，以及根據(jù)模擬電壓和鉗位電壓來生成要被施加到DC/DC轉(zhuǎn)換器的主驅(qū)動信號，其中，模擬電壓具有在第一下限與第一上限之間的電壓范圍，鉗位電壓具有在高于第一下限的第二下限與低于第一上限的第二上限之間的電壓范圍，該背光被配置為當模擬電壓具有在第二下限與第一上限之間的第一電平時操作于第一模式中，該背光被配置為當模擬電壓具有在第一下限與第二下限之間的第二電平時操作于第二模式中，以及光源驅(qū)動電路被配置為控制主驅(qū)動信號，以允許在第一模式期間的主驅(qū)動信號的占空比與在第二模式期間的主驅(qū)動信號的占空比不同。
[0029]根據(jù)一些實施例，在第二模式期間，當模擬電壓的電平降低時主驅(qū)動信號的占空比降低。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的一些示例實施例，在驅(qū)動背光單元的方法中，該方法包括:根據(jù)具有在低于第二下限的第一下限與高于第二上限的第一上限中間的電壓范圍的模擬電壓，來生成具有在第二下限與第二上限之間的電壓范圍的鉗位電壓;根據(jù)模擬電壓和鉗位電壓來生成要被施加到DC/DC轉(zhuǎn)換器的主晶體管的控制端子的主驅(qū)動信號；以及確定模擬電壓是否等于或低于設(shè)定的參考電壓，其中，當模擬電壓等于或低于設(shè)定的參考電壓時，當模擬電壓的電平降低時主驅(qū)動信號的占空比降低。
[0031]根據(jù)一些實施例，設(shè)定的參考電壓與第二下限相對應(yīng)。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，可以降低流過發(fā)光二極管陣列的驅(qū)動電流。
【附圖說明】
[0033]通過參考結(jié)合附圖所考慮的下面的詳細說明，本發(fā)明的以上和其他方面將容易變得更加明顯，在附圖中:
[0034]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的顯示裝置的框圖；
[0035]圖2是示出了圖1中所示的背光單元的進一步的詳情的電路圖；
[0036]圖3是示出了圖2中所示的光源驅(qū)動電路的進一步的詳情的電路圖；
[0037]圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的模擬電壓、鉗位電壓以及流過第一發(fā)光二極管陣列的電流的波形圖；
[0038]圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的主節(jié)點電壓、放大后的主節(jié)點電壓以及主電壓信號的視圖；
[0039]圖6是示出了圖3中所示的偏移補償器的進一步的詳情的電路圖；
[0040]圖7是示出了被輸入到圖3中所示的主比較器和鎖存器或從圖3中所示的主比較器和鎖存器所輸出的信號的進一步的詳情的視圖；
[0041]圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的光源驅(qū)動電路的電路圖；
[0042]圖9是示出了圖8中所示的偏移補償器的進一步的詳情的電路圖；
[0043]圖10是示出了被輸入到圖8中所示的主比較器和鎖存器或從圖8中所示的主比較器和鎖存器所輸出的信號的進一步的詳情的視圖；
[0044]圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的光源驅(qū)動電路的電路圖；
[0045]圖12是示出了圖11中所示的偏移補償器的進一步的詳情的電路圖；
[0046]圖13是示出了圖12中所示的電壓脈沖生成器的進一步的詳情的視圖；
[0047]圖14是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的、在第二模式期間被輸入到第二比較器或從第二比較器所輸出的信號的進一步的詳情的視圖；以及
[0048]圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的驅(qū)動背光單元的方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0049]下面參考附圖的描述被提供來幫助對通過權(quán)利要求書及其等同物定義的本公開的各種實施例的更全面的理解。其包括各種具體細節(jié)來幫助理解，但是這些細節(jié)將被認為僅僅是示范性的。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認識到，能夠?qū)@里描述的各種實施例進行各種改變和修改，而不脫離本發(fā)明的范圍和精神。此外，為了清楚和簡明，對于熟知功能和結(jié)構(gòu)的描述可以被省略。除非另外地指示，否則貫穿附圖和所撰寫的說明書，相同的附圖標記指示相同的元件，并且因此，將不重復(fù)其說明。在附圖中，為了清楚，元件、層以及區(qū)域的相對大小可能被夸大。
[0050]在下面說明書和權(quán)利要求書中使用的術(shù)語和詞語不限于書目含義，而是僅僅被發(fā)明人使用使得能夠清楚和一致地理解本發(fā)明。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解下面對本公開的各種實施例的描述被提供僅僅用于例示的目的，而非用于限制由所附權(quán)利要求書以及它們的等同物所定義的本公開的目的。
[0051]在下文中，將參考附圖更詳細地解釋本發(fā)明。
[0052]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的顯示裝置1000的框圖。
[0053]參考圖1，顯示裝置1000包括顯示面板100、定時控制器200、數(shù)據(jù)驅(qū)動電路300、柵極驅(qū)動電路400以及背光單元500。
[0054]顯示面板100顯示圖像。顯示面板100可以是但不限于使用環(huán)境光來顯示圖像的顯示面板，而不是自發(fā)光顯示面板，例如有機發(fā)光二極管顯示面板。例如，顯示面板100可以是液晶顯示面板、電泳成像顯示面板或電潤濕(electrowetting)顯示面板之一。在下文中，液晶顯示面板將被描述為顯示面板100，但是本發(fā)明的實施例不限于此。
[0055]顯示面板100包括接收柵極信號的多個柵極線Gl至Gk，以及接收數(shù)據(jù)電壓的多個數(shù)據(jù)線Dl至Dm。柵極線Gl至Gk與數(shù)據(jù)線Dl至Dm絕緣，而同時與數(shù)據(jù)線Dl至Dm交叉。顯示面板100包括在其中定義并且以矩陣配置所布置的多個像素區(qū)域，以及多個像素分別地被布置在像素區(qū)域中。圖1示出了像素之中的一個像素PX的等效電路圖作為代表性示例。像素PX包括薄膜晶體管110、液晶電容器120以及存儲電容器130。
[0056]薄膜晶體管110包括控制端子、第一端子以及第二端子。薄膜晶體管110的控制端子連接到柵極線Gl至Gk中的第一柵極線G1。薄膜晶體管110的第一端子連接到數(shù)據(jù)線Dl至Dm中的第一數(shù)據(jù)線DI ο薄膜晶體管110的第二端子連接到液晶電容器120和存儲電容器130。液晶電容器120和存儲電容器130并聯(lián)連接到薄膜晶體管110的第二端子。
[0057]顯示面板100包括第一顯示基板、面對第一顯示基板的第二顯示基板以及被布置在第一顯示基板與第二顯示基板之間的液晶層。
[0058]柵極線Gl至Gk、數(shù)據(jù)線Dl至Dm、薄膜晶體管110以及操作為液晶電容器120的第一電極的像素電極被布置在第一顯示基板上。薄膜晶體管110響應(yīng)于柵極信號向像素電極施加數(shù)據(jù)電壓。
[0059]第二顯示基板包括操作為液晶電容器120的第二電極的公共電極，并且公共電極被施加以參考電壓。然而，公共電極的位置不應(yīng)當限制于此或不應(yīng)當受其限制。即，根據(jù)實施例，公共電極可以被布置在第一顯示基板上。
[0060]液晶層用作像素電極與公共電極之間的電介質(zhì)物質(zhì)。液晶電容器120被充電以與數(shù)據(jù)電壓和參考電壓之間的電勢差相對應(yīng)的電壓。
[0061 ]定時控制器200從外部源接收圖像數(shù)據(jù)DATAl和控制信號CS?？刂菩盘朇S包括作為幀區(qū)分信號的垂直同步信號、作為行區(qū)分信號的水平同步信號、在指示數(shù)據(jù)輸入時段的其中輸出數(shù)據(jù)的時段期間被維持在高電平的數(shù)據(jù)使能信號。
[0062]定時控制器200將圖像數(shù)據(jù)DATAl轉(zhuǎn)換為適合于數(shù)據(jù)驅(qū)動電路300的規(guī)范的圖像數(shù)據(jù)DATA，并且將轉(zhuǎn)換后的圖像數(shù)據(jù)DATA施加至數(shù)據(jù)驅(qū)動電路300。
[0063]定時控制器200基于控制信號CS生成柵極控制信號CT1、數(shù)據(jù)控制信號CT2以及背光控制信號CT3。定時控制器200向柵極驅(qū)動電路400施加?xùn)艠O控制信號CTl、向數(shù)據(jù)驅(qū)動電路300施加數(shù)據(jù)控制信號CT2以及向背光單元500施加背光控制信號CT3。
[0064]柵極控制信號CTl被用于控制柵極驅(qū)動電路400的操作。柵極控制信號CTl包括:指示掃描的掃描起始信號，控制柵極導(dǎo)通電壓的輸出時段的至少一個時鐘信號以及確定柵極導(dǎo)通電壓的維持時間的輸出使能信號。
[0065]數(shù)據(jù)控制信號CT2被用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動電路300的操作。數(shù)據(jù)控制信號CT2包括:指示向數(shù)據(jù)驅(qū)動電路300傳輸轉(zhuǎn)換后的圖像數(shù)據(jù)DATA的電平起始信號STH，指示對數(shù)據(jù)線Dl至Dm施加數(shù)據(jù)電壓的加載信號以及使數(shù)據(jù)電壓的極性關(guān)于參考電壓反相的反相信號。
[0066]背光控制信號CT3被用于控制背光單元500的操作。背光控制信號CT3包括:輸入電壓Vin、模擬電壓Vg、時鐘信號CLK以及用于確定背光單元500的占空比的占空控制信號。
[0067]數(shù)據(jù)驅(qū)動電路300根據(jù)基于數(shù)據(jù)控制信號CT2所轉(zhuǎn)換的圖像數(shù)據(jù)DATA來生成灰度電壓，并且向數(shù)據(jù)線Dl至Dm施加灰度電壓作為數(shù)據(jù)電壓。
[0068]柵極驅(qū)動電路400基于柵極控制信號CTl生成柵極信號，并且向柵極線Gl至Gk施加?xùn)艠O信號。
[0069]背光單元500被布置在顯示面板100之下。背光單元500響應(yīng)于背光控制信號CT3向顯示面板提供光。
[0070]圖2是示出了圖1中所示的背光單元500的電路圖。
[0071]參考圖2，背光單元500包括光源部(或光源)510、DC/DC轉(zhuǎn)換器520以及光源驅(qū)動電路 530 0
[0072]光源部510包括第一光源部(或第一光源)511和第二光源部(或第二光源)513。第一光源部511和第二光源部513彼此并聯(lián)連接。第一光源部511的一端和第二光源部513的一端彼此連接，以接收驅(qū)動電壓Vout。第一光源部511的另一端和第二光源部513的另一端接地。光源部510的數(shù)量不應(yīng)當被限制為兩個。即，光源部510在數(shù)量上可以被提供為三個或更多個。
[0073]第一光源部511包括第一發(fā)光二極管陣列LDA1、第一電流控制晶體管TRl以及第一電阻器RSl。
[0074]第一發(fā)光二極管陣列LDAl包括彼此串聯(lián)連接的多個發(fā)光二極管LED。第一發(fā)光二極管陣列LDAl具有通過與陽極AN和陰極CAl之間的電壓差相對應(yīng)的電流所確定的發(fā)光亮度。
[0075]第一電流控制晶體管TRl是三端子晶體管，包括第一端子、第二端子以及控制端子。第一電流控制晶體管TRl可以是但不限于場效應(yīng)晶體管(FET)或雙極結(jié)晶體管(BJT)。
[0076]在本示例實施例中，第一電流控制晶體管TRl可以是具有η溝道的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。第一電流控制晶體管TRl操作于以下區(qū)域中:在該區(qū)域中，當?shù)谝欢俗优c第二端子之間的電壓升高時，流過第一端子的電流增加。
[0077]第一電流控制晶體管TRl的第一端子連接到第一發(fā)光二極管陣列LDAl的陰極CAl。第一電流控制晶體管TRl的控制端子從光源驅(qū)動電路530接收第一控制信號CTL1。流過第一發(fā)光二極管陣列LDAl的電流依賴于第一控制信號CTLl的電平而改變。
[0078]第一電阻器RSl連接到第一電流控制晶體管TRl的第二端子。第一電阻器RSl具有恒定電阻值。第一電阻器RSl與第一電流控制晶體管TRl之間的第一節(jié)點連接到光源驅(qū)動電路530。光源驅(qū)動電路530接收第一節(jié)點NDl的電壓作為第一節(jié)點電壓VR1。
[0079]第二光源513包括第二發(fā)光二極管陣列LDA2、第二電流控制晶體管TR2以及第二電阻器RS2。第一發(fā)光晶體管陣列LDAl和第二發(fā)光二極管陣列LDA2被控制為具有不同的亮度。在本示例實施例中，因為第一光源部511和第二光源部513具有相同或相似的結(jié)構(gòu)和功能，所以將省略第二光源部513的一些詳情。
[0080]DC/DC轉(zhuǎn)換器520接收輸入電壓Vin，生成驅(qū)動電壓Vout以及向第一發(fā)光二極管陣列LDAl和第二發(fā)光二極管陣列LDA2的陽極AN施加驅(qū)動電壓Vout。驅(qū)動電壓Vout和輸入電壓Vin是直流電壓并且具有不同的電壓電平。例如，驅(qū)動電壓Vout具有通過升壓(boost)輸入電壓Vin所獲得的電壓電平。
[0081 ] DC/DC轉(zhuǎn)換器520包括電感器L1、主晶體管MTF、主電阻器Rm以及主二極管DDl。
[0082]電感器LI的一端接收輸入電壓Vin而電感器LI的另一端連接到主二極管DDl。主二極管DDl連接在電感器LI與第一發(fā)光二極管陣列LDAl和第二發(fā)光二極管陣列LDA2的陽極AN之間。主二極管DDl傳遞從電感器LI流向陽極AN的電流并且阻擋從陽極AN流向電感器LI的電流。
[0083]主晶體管MTF是三端子晶體管，包括第一端子、第二端子以及控制端子。主晶體管MTF可以是但不限于，場效應(yīng)晶體管(FET)或雙極結(jié)晶體管(BJT)。
[0084]在本示例實施例中，主晶體管MTF是具有η溝道的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。
[0085]主晶體管MTF的第一端子連接到電感器LI與主二極管DDI之間的節(jié)點。主晶體管MTF的第二端子連接到主電阻器Rm。主晶體管MTF的控制端子從光源驅(qū)動電路530接收主驅(qū)動信號MDR。主晶體管MTF在主驅(qū)動信號MDR的高時段期間導(dǎo)通，并且在主驅(qū)動信號MDR的低時段期間截止。
[0086]主電阻器Rm連接在主晶體管MTF的第二端子與地之間。主電阻器Rm具有恒定電阻值。主晶體管MT F與主電阻器Rm之間的節(jié)點被稱為主節(jié)點ND_M。
[0087]主二極管DDl連接在電感器LI的另一端與第一發(fā)光二極管陣列LDAl的陽極AN之間。主二極管DDl傳遞從電感器LI或主晶體管MTF流向第一發(fā)光二極管陣列LDAl的陽極AN的電流并且阻擋從第一發(fā)光二極管陣列LDAl的陽極AN流向電感器LI或主晶體管MTF的電流。
[0088]光源驅(qū)動電路530控制第一發(fā)光二極管陣列LDAl和第二發(fā)光二極管陣列LDA2的發(fā)光亮度。光源驅(qū)動電路530接收模擬電壓Vg和時鐘信號CLK，接收主節(jié)點ND_M的電壓作為主節(jié)點電壓ISW，以及接收第一節(jié)點電壓VRl和第二節(jié)點電壓VR2。光源驅(qū)動電路530基于模擬電壓Vg、主節(jié)點電壓ISW、第一節(jié)點電壓VRl以及第二節(jié)點電壓VR2來生成第一控制信號CTLl、第二控制信號CTL2以及主驅(qū)動信號MDR。
[0089]背光單元500操作于第一模式或第二模式中。第一模式是正常模式，并且當模擬電壓Vg的電壓電平超過參考電壓(例如，預(yù)定的或設(shè)定的參考電壓)時，背光單元500操作于第一模式中。當背光單元500操作于第一模式中時，第一發(fā)光二極管陣列LDAl的陰極CAl的電壓電平被控制，以控制流過第一發(fā)光二極管陣列LDAl的電流。在第一模式中，第一控制信號CTLl的電壓電平被控制，以控制第一發(fā)光二極管陣列LDAl的陰極CAl的電壓電平。
[0090]當模擬電壓Vg的電壓電平超過參考電壓(例如，預(yù)定的或設(shè)定的參考電壓)時，流過第一發(fā)光二極管陣列LDAl和第二發(fā)光二極管陣列LDA2的驅(qū)動電流超過參考電流(例如，預(yù)定的或設(shè)定的參考電流)。當在第一模式中驅(qū)動電壓Vout的電壓電平改變時，流過第一發(fā)光二極管陣列LDAl的驅(qū)動電流與流過第二發(fā)光二極管陣列LDA2的驅(qū)動電流之間的差異增加，并且第一發(fā)光二極管陣列LDAl與第二發(fā)光二極管陣列LDA2之間的發(fā)光亮度的差異增加。
[0091]第二模式是低電壓模式。當模擬電壓Vg的電壓電平等于或低于參考電壓(例如，預(yù)定的參考電壓)時，背光單元500操作于第二模式中。當背光單元500操作于第二模式中時，第一發(fā)光二極管陣列LDAl的陽極AN的電壓與第一模式中陽極AN的電壓不同。因為第一發(fā)光二極管陣列LDAl的陽極AN的電壓被控制，所以流過第一發(fā)光二極管陣列LDAl的驅(qū)動電流可以被控制。在第二模式中，主驅(qū)動信號MDR的占空比被控制。
[0092]當模擬電壓Vg的電壓電平等于或低于參考電壓(例如，預(yù)定的參考電壓)時，流過第一發(fā)光二極管陣列LDAl和第二發(fā)光二極管陣列LDA2的驅(qū)動電流等于或小于參考電流(例如，預(yù)定的參考電流)。因為流過第一發(fā)光二極管陣列LDAl和第二發(fā)光二極管陣列LDA2的驅(qū)動電流非常低，所以驅(qū)動電壓Vout的電壓電平被改變，并且因此流過第一發(fā)光二極管陣列LDAl的驅(qū)動電流與流過第二發(fā)光二極管陣列LDA2的驅(qū)動電流之間的差異被實質(zhì)降低。因此，當模擬電壓Vg的電壓電平等于或低于參考電壓(例如，預(yù)定的參考電壓)時，與第一模式中的驅(qū)動電壓Vout相比，驅(qū)動電壓Vout變得更低，并且因此，流過第一發(fā)光二極管陣列LDAl和第二發(fā)光二極管陣列LDA2的驅(qū)動電流降低。
[0093]圖3是示出了圖2中所示的光源驅(qū)動電路530的電路圖，而圖4是示出了模擬電壓、鉗位電壓以及流過第一發(fā)光二極管陣列LDAl的電流的波形圖。
[0094]參考圖3，光源驅(qū)動電路530包括電壓范圍改變部(或電壓范圍改變器)600、占空控制器605、第一控制信號生成部(或第一控制信號生成器)660以及第二控制信號生成部(或第二控制信號生成器)670。
[0095]電壓范圍改變部600接收模擬電壓Vg，并且響應(yīng)于模擬電壓Vg生成鉗位電壓Vd。
[0096]模擬電壓Vg具有在第一下限與第一上限之間的第一電壓范圍。在本示例實施例中，第一下限為大約O伏特并且第一上限為大約3.3伏特。如圖4中所示，模擬電壓Vg從第一上限線性地降低到第一下限。
[0097]鉗位電壓Vd具有在第二下限與第二上限之間的第二電壓范圍。第二下限高于第一下限并且第二上限低于第一上限。
[0098]鉗位電壓Vd通過將模擬電壓Vg中在第二上限與第一上限之間的電壓維持在第二上限處并且通過將模擬電壓Vg中在第一下限與第二下限之間的電壓維持在第二下限處而生成。在本示例實施例中，第二下限為大約125mV并且第二上限為大約2.5伏特。
[0099]在第一模式中，第一發(fā)光二極管陣列LDAl的陰極CAl和第二發(fā)光二極管陣列LDA2的陰極CA2的電壓通過鉗位電壓Vd而確定。因此，流過第一發(fā)光二極管陣列LDAl和第二發(fā)光二極管陣列LDA2的電流I d的波形遵從(fo 11 ow)鉗位電壓Vd的波形。
[0100]如圖4中所示，在第一模式中流過第一發(fā)光二極管陣列LDAl和第二發(fā)光二極管陣列LDA2的驅(qū)動電流Id的上限為大約100mA，并且在第一模式中流過第一發(fā)光二極管陣列LDAl和第二發(fā)光二極管陣列LDA2的驅(qū)動電流Id的下限為大約5mA。在本示例實施例中，背光單元500可以操作于第二模式中，以允許流過第一發(fā)光二極管陣列LDAl和第二發(fā)光二極管陣列LDA2的驅(qū)動電流Id等于或小于大約5mA。在第二模式期間，驅(qū)動電壓Vout的電壓電平低于在第一模式中的驅(qū)動電壓Vout的電壓電平。通過控制被施加到主晶體管MTF的控制端子的主驅(qū)動信號MDR的占空比，來控制驅(qū)動電壓Vout的電壓電平。
[0101]占空控制器605接收主節(jié)點電壓ISW、光源電阻器電壓ISEN、鉗位電壓Vd以及模擬電壓Vg。光源電阻器電壓ISEN可以是第一節(jié)點電壓VRl或第二節(jié)點電壓VR2。例如，光源電阻器電壓ISEN與第一節(jié)點電壓VRl和第二節(jié)點電壓VR2中的相對低的電壓相對應(yīng)。占空控制器605基于主節(jié)點電壓ISW、光源電阻器電壓ISEN、鉗位電壓Vd、時鐘信號CLK以及模擬電壓Vg來生成其占空比被確定的主驅(qū)動信號MDR。
[0102]占空控制器605包括放大器650、偏移補償器610、誤差放大器620、主比較器630以及鎖存器640。
[0103]放大器650接收主節(jié)點電壓ISW并且放大主節(jié)點電壓ISW的幅值以生成放大后的主節(jié)點電壓ISW-A。放大器650向偏移補償器610施加放大后的主節(jié)點電壓ISW-A。
[0104]在本示例實施例中，放大器650可以被省略。在這種情況下，主節(jié)點電壓ISW被施加到偏移補償器610而未被放大。
[0?05] 偏移補償器610連接在主比較器630的非反相輸入端子與放大器650之間。偏移補償器610接收放大后的主節(jié)點電壓ISW-A和模擬電壓Vg。在第二模式期間，偏移補償器610補償放大后的主節(jié)點電壓ISW-A的電平以生成主電壓信號ISW-1。
[0106]鉗位電壓Vd被施加到誤差放大器620的非反相輸入端子，并且光源電阻器電壓ISEN被施加到誤差放大器620的反相輸入端子。誤差放大器620通過其輸出端子來輸出放大器輸出信號SST以允許鉗位電壓Vd等于光源電阻器電壓ISEN。誤差放大器620的反相輸入端子和非反相輸出端子相對于彼此改變。[0?07]主電壓信號ISW-1被施加到主比較器630的非反相輸入端子，并且放大器輸出信號SST被施加到主比較器630的反相輸入端子。當被施加到非反相輸入端子的信號的電平高于被施加到反相輸入端子的信號的電平時，從主比較器630所輸出的輸出信號RSS是高信號；而當被施加到非反相輸入端子的信號的電平低于被施加到反相輸入端子的信號的電平時，從主比較器630所輸出的輸出信號RSS是低信號。
[0108]鎖存器640可以是但不限于S-R鎖存器。從主比較器630所輸出的輸出信號RSS被施加到鎖存器640的重置端子R，并且時鐘信號CLK被施加到鎖存器640的設(shè)定端子S。鎖存器640通過其輸出端子Q輸出主驅(qū)動信號MDR。
[0109]第一控制信號生成部(或第一控制信號生成器)660可以是但不限于差分放大器。鉗位電壓Vd被施加到第一控制信號生成部660的第一輸入端子，并且第一節(jié)點電壓VRl被施加到第一控制信號生成部660的第二輸入端子。第一控制信號生成部660放大鉗位電壓Vd與第一節(jié)點電壓VRl之間的差以生成第一控制信號CTL1。
[0110]第二控制信號生成部(或第二控制信號生成器)670可以是但不限于差分放大器。鉗位電壓Vd被施加到第二控制信號生成部670的第一輸入端子，并且第二節(jié)點電壓VR2被施加到第二控制信號生成部670的第二輸入端子。第二控制信號生成部670放大鉗位電壓Vd與第二節(jié)點電壓VR2之間的差以生成第二控制信號CTL2。
[0111]圖5是示出了主節(jié)點電壓ISW、放大后的主節(jié)點電壓ISW-A以及主電壓信號ISW-1的視圖。
[0112]參考圖2、圖3以及圖5，由于電感器LI和主晶體管MTF的操作，主節(jié)點電壓ISW具有三角脈沖波形。如圖6所示，主節(jié)點電壓ISW具有第一幅值A(chǔ)MPI，并且放大后的主節(jié)點電壓ISW-A具有大于第一幅值A(chǔ)MPl的第二幅值ΑΜΡ2。主節(jié)點電壓ISW和放大后的主節(jié)點電壓ISW-A可以具有相同的頻率。另外，主節(jié)點電壓ISW和放大后的主節(jié)點電壓ISW-A可以具有相同的最小電壓電平VI。以下將更詳細地描述主電壓信號ISW-1的波形。
[0113]圖6是示出了圖3中所示的偏移補償器610的進一步的詳情的電路圖。
[0114]參考圖6，偏移補償器610包括比較器700、偏移晶體管710、電壓反向器720以及加法器730。
[0115]模擬電壓Vg被施加到比較器700的非反相輸入端子，并且與鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min相對應(yīng)的電壓被施加到比較器700的反相輸入端子。當被施加到比較器700的非反相輸入端子的信號的電平高于被施加到比較器700的反相輸入端子的信號的電平時，比較器700輸出高信號;而當被施加到比較器700的非反相輸入端子的信號的電平低于被施加到比較器700的反相輸入端子的信號的電平時，比較器700輸出低信號。
[0116]偏移晶體管710是三端子晶體管，包括第一端子、第二端子以及控制端子。偏移晶體管710可以是但不限于場效應(yīng)晶體管(FET)或雙極結(jié)晶體管(BJT)。
[0117]在本示例實施例中，偏移晶體管710可以是具有P溝道的場效應(yīng)晶體管。來自比較器700的輸出信號被施加到偏移晶體管710的控制端子。當被施加到控制端子的信號是低信號時，偏移晶體管710導(dǎo)通;而當被施加到控制端子的信號是高信號時，偏移晶體管710截止。偏移晶體管710的第一端子連接到電壓反相器720，并且偏移晶體管710的第二端子連接到加法器730。
[0118]電壓反相器720接收模擬電壓Vg并且使模擬電壓Vg反相以生成反相模擬電壓Vg-R。反相模擬電壓Vg-R可以通過從與鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min相對應(yīng)的電壓中減去模擬電壓Vg而獲得。
[0119]當偏移晶體管710導(dǎo)通時，加法器730輸出通過將放大后的主節(jié)點電壓ISW-A和反相模擬電壓Vg-R相加所獲得的信號作為主電壓信號ISW-1。當偏移晶體管710截止時，加法器730輸出放大后的主節(jié)點電壓ISW-A作為主電壓信號ISW-1。
[0120]參考圖5和圖6，當偏移晶體管710導(dǎo)通時，主電壓信號ISW-1的最小電壓電平V2可以大于主節(jié)點電壓ISW的最小電壓電平VI。當偏移晶體管710截止時，主電壓信號ISW-1的最小電壓電平V2可以與主節(jié)點電壓ISW的最小電壓電平Vl相同。
[0121]在下文中，將參考圖6更詳細地描述偏移補償器610根據(jù)模擬電壓Vg的電平的操作。
[0122]當模擬電壓Vg大于鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min--例如大約125mV--時，比較器700向偏移晶體管710的控制端子施加高信號并且偏移晶體管710截止。加法器730輸出放大后的主節(jié)點電壓ISW-A作為主電壓信號ISW-1。
[0123]當模擬電壓Vg小于鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min--例如大約125mV--時，比較器700向偏移晶體管710的控制端子施加低信號并且偏移晶體管710導(dǎo)通。加法器730輸出通過將放大后的主節(jié)點電壓ISW-A和反相模擬電壓Vg-R相加所獲得的信號作為主電壓信號ISff-1o
[0124]圖7是示出了被輸入到圖3中所示的主比較器630和鎖存器640或從圖3中所示的主比較器630和鎖存器640所輸出的信號的視圖。
[0125]在下文中，將參考圖2、圖3以及圖5至圖7更詳細地描述要控制主驅(qū)動信號MDR的占空比的占空控制器605的操作。
[0126]來自主比較器630的輸出信號RSS被施加到鎖存器640的重置端子R。
[0127]主比較器630在主電壓信號ISW-1的電平大于放大器輸出信號SST的電平的時段期間輸出高信號，而在主電壓信號ISW-1的電平小于放大器輸出信號SST的電平的時段期間輸出低信號。
[0128]時鐘信號CLK被施加到鎖存器640的設(shè)定端子S。時鐘信號CLK具有與主電壓信號ISW-1的頻率相同的頻率。
[0129]主驅(qū)動信號MDR在從時鐘信號CLK的上升沿到主比較器630的輸出信號RSS的上升沿的時段期間具有開啟時段。主驅(qū)動信號MDR的占空比依賴于主比較器630的輸出信號RSS的上升沿而被控制。
[0130]當模擬電壓Vg大于鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min--例如大約125mV--時，占空控制器605操作于第一模式中。主比較器630的輸出信號RSS的波形在第一模式期間恒定。
[0131]當模擬電壓Vg小于鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min--例如大約125mV--時，占空控制器605操作于第二模式中。在第二模式中主電壓信號ISW-1的電平高于在第一模式中主電壓信號ISW-1的電平。另外，放大器輸出信號SST的電平在第一模式和第二模式期間恒定。因此，主比較器630的輸出信號RSS的上升沿在一個時段中向前移動。在第二模式期間，主驅(qū)動信號MDR的占空比與第一模式的主驅(qū)動信號MDR的占空比相比降低，并且在第二模式中的驅(qū)動電壓Vout與第一模式的驅(qū)動電壓Vout相比降低。在第二模式期間，當模擬電壓Vg的電平變低時驅(qū)動電壓Vout的電平變低。
[0132]圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個示例實施例的光源驅(qū)動電路531的電路圖。
[0133]參考圖8，光源驅(qū)動電路531包括電壓范圍改變部600、占空控制器606、第一控制信號生成部660以及第二控制信號生成部670。除了偏移補償器611和主比較器631之外，占空控制器606具有與圖3中所示的占空控制器605的結(jié)構(gòu)和功能相同或相似的功能和結(jié)構(gòu)。在下文中，將更詳細地描述偏移補償器611和主比較器631，并且將省略其他相似組件的一些詳情。
[0134]偏移補償器611連接到主比較器630的反相輸入端子和誤差放大器620的輸出端子。偏移補償器611接收放大器輸出信號SST和模擬電壓Vg。在第二模式期間，偏移補償器611補償放大器輸出信號SST的電平，以生成放大器補償信號SST-1。
[0135]放大后的主節(jié)點電壓ISW-A被施加到主比較器631的非反相輸入端子，并且放大器補償信號SST-1被施加到反相輸入端子。
[0136]圖9是示出了圖8中所示的偏移補償器611的進一步的詳情的電路圖。
[0137]參考圖9，偏移補償器611包括比較器800、偏移晶體管810、電壓反相器820以及減法器830。
[0138]模擬電壓Vg被施加到比較器800的非反相輸入端子，并且與鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min相對應(yīng)的電壓被施加到比較器800的反相輸入端子。當被施加到比較器800的非反相輸入端子的信號的電平高于被施加到比較器800的反相輸入端子的信號的電平時，比較器800輸出高信號；而當被施加到比較器800的非反相輸入端子的信號的電平低于被施加到比較器800的反相輸入端子的信號的電平時，比較器800輸出低信號。
[0139]偏移晶體管810是三端子晶體管，包括第一端子、第二端子以及控制端子。偏移晶體管810是場效應(yīng)晶體管或雙極結(jié)晶體管。
[0140]在本示例實施例中，偏移晶體管810可以是具有P溝道的場效應(yīng)晶體管。來自比較器800的輸出信號被施加到偏移晶體管810的控制端子。當被施加到控制端子的信號是低信號時，偏移晶體管810導(dǎo)通;而當被施加到控制端子的信號是高信號時，偏移晶體管810截止。
[0141]電壓反相器820接收模擬電壓Vg并且使模擬電壓Vg反相以生成反相模擬電壓Vg-R。反相模擬電壓Vg-R可以通過從與鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min相對應(yīng)的電壓中減去模擬電壓Vg而獲得。
[0142]當偏移晶體管810導(dǎo)通時，減法器830輸出通過從放大器輸出信號SST中減去反相模擬電壓Vg-R所獲得的信號作為放大器補償信號SST-1。當偏移晶體管810導(dǎo)通時，放大器補償信號SST-1的電平低于放大器輸出信號SST的電平。
[0143]當偏移晶體管810截止時，減法器830輸出放大器輸出信號SST作為放大器補償信號SST-1O
[0144]在下文中，將參考圖9更詳細地描述偏移補償器611根據(jù)模擬電壓Vg的電平的操作。
[0145]當模擬電壓Vg大于鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min--例如大約125mV--時，比較器800向偏移晶體管810的控制端子施加高信號并且偏移晶體管810截止。減法器830輸出放大器輸出信號SST作為放大器補償信號SST-1。
[0146]當模擬電壓Vg小于鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min--例如大約125mV--時，比較器800向偏移晶體管810的控制端子施加低信號并且偏移晶體管810導(dǎo)通。減法器830輸出通過從放大器輸出信號SST中減去反相模擬電壓Vg-R所獲得的信號作為放大器補償信號SST-1o
[0147]圖10是示出了被輸入到圖8中所示的主比較器631和鎖存器640或從圖8中所示的主比較器631和鎖存器640所輸出的信號的視圖。
[0148]在下文中，將參考圖2以及圖8至圖10更詳細地描述要控制主驅(qū)動信號MDR的占空比的占空控制器606的操作。
[0149]主比較器631的輸出信號RSS被施加到鎖存器640的重置端子R。
[0150]主比較器631在放大后的主節(jié)點電壓ISW-A的電平大于放大器補償信號SST-1的電平的時段期間輸出高信號，并且在放大后的主節(jié)點電壓ISW-A的電平小于放大器補償信號SST-1的電平的時段期間輸出低信號。
[0151]時鐘信號CLK被施加到鎖存器640的設(shè)定端子S。時鐘信號CLK具有與放大后的主節(jié)點電壓ISW-A相同的頻率。
[0152]主驅(qū)動信號MDR在從時鐘信號CLK的上升沿到主比較器631的輸出信號RSS的上升沿的時段期間具有開啟時段。主驅(qū)動信號MDR的占空比依賴于主比較器631的輸出信號RSS的上升沿而被控制。
[0153]當模擬電壓Vg大于鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min--例如大約125mV--時，占空控制器606操作于第一模式中。主比較器631的輸出信號RSS的波形在第一模式期間恒定。
[0154]當模擬電壓Vg小于鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min--例如大約125mV--時，占空控制器606操作于第二模式中。在第二模式中放大器補償信號SST-1的電平低于在第一模式中放大器補償信號SST-1的電平。另外，放大后的主節(jié)點電壓ISW-A的波形在第一模式和第二模式期間恒定。因此，主比較器631的輸出信號RSS的上升沿在一個時段中向前移動。在第二模式期間，主驅(qū)動信號MDR的占空比與第一模式的主驅(qū)動信號MDR的占空比相比降低，并且在第二模式中的驅(qū)動電壓Vout與第一模式的驅(qū)動電壓Vout相比降低。
[0155]圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個示例實施例的光源驅(qū)動電路532的電路圖。
[0156]參考圖11，光源驅(qū)動電路532包括電壓范圍改變部600、占空控制器607、第一控制信號生成部660以及第二控制信號生成部670。除了偏移補償器612和主比較器632之外，占空控制器607具有與圖3中所示的占空控制器605的結(jié)構(gòu)和功能相同或相似的功能和結(jié)構(gòu)。在下文中，將更詳細地描述偏移補償器612和主比較器632，并且將省略其他相似組件的一些詳情。
[0157]偏移補償器612連接到鎖存器的輸出端子Q。偏移補償器612從鎖存器640的輸出端子Q接收初始主驅(qū)動信號MDR-1，并且控制初始主驅(qū)動信號MDR-1的占空比以生成主驅(qū)動信號 MDR 0
[0158]放大后的主節(jié)點電壓ISW-A被施加到主比較器632的非反相輸入端子，并且放大器輸出信號SST被施加到主比較器6 3 2的反相輸入端子。
[0159]圖12是示出了圖11中所示的偏移補償器612的電路圖。
[0160]參考圖12，偏移補償器612包括第一比較器900、第一偏移晶體管910、電壓脈沖生成器920、第二比較器930、第二偏移晶體管940、第一二極管950、第三偏移晶體管960、第二二極管970以及第三二極管980。
[0161]模擬電壓Vg被施加到第一比較器900的反相輸入端子，并且與鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min相對應(yīng)的電壓被施加到第一比較器900的非反相輸入端子。當被施加到第一比較器900的非反相輸入端子的信號的電平高于被施加到第一比較器900的反相輸入端子的信號的電平時，第一比較器900輸出高信號；而當被施加到第一比較器900的非反相輸入端子的信號的電平低于被施加到第一比較器900的反相輸入端子的信號的電平時，第一比較器900輸出低信號。
[0162]第一偏移晶體管910是三端子晶體管，包括第一端子、第二端子以及控制端子。來自第一比較器900的輸出信號被施加到第一偏移晶體管910的控制端子。第一偏移晶體管910的第一端子接收初始主驅(qū)動信號MDR-1，并且第一偏移晶體管910的第二端子接地。
[0163]在本示例實施例中，第一偏移晶體管910可以是但不限于具有η溝道的場效應(yīng)晶體管。當來自第一比較器900的輸出信號是高信號時，第一偏移晶體管910導(dǎo)通;而當來自第一比較器900的輸出信號是低信號時，第一偏移晶體管910截止。
[0164]電壓脈沖生成器920接收時鐘信號CLK和模擬電壓Vg。電壓脈沖生成器920基于時鐘信號CLK和模擬電壓Vg來生成電壓脈沖信號Vp。
[0165]第二比較器930的非反相輸入端子連接到第二偏移晶體管940的第二端子，并且第二比較器930的反相輸入端子接收電壓脈沖信號Vp。當?shù)诙凭w管940導(dǎo)通時，與鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min相對應(yīng)的電壓被施加到第二比較器930的非反相輸入端子。當被施加到第二比較器930的非反相輸入端子的信號的電平高于被施加到第二比較器930的反相輸入端子的信號的電平時，第二比較器930輸出高信號；而當被施加到第二比較器930的非反相輸入端子的信號的電平低于被施加到第二比較器930的反相輸入端子的信號的電平時，第二比較器930輸出低信號。
[0166]第二偏移晶體管940是三端子晶體管，包括第一端子、第二端子以及控制端子。第二偏移晶體管940的控制端子連接到第一二極管950。當?shù)谝黄凭w管910導(dǎo)通時，第二偏移晶體管940的控制端子接地。第二偏移晶體管940的第一端子接收鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min，并且第二偏移晶體管940的第二端子連接到第二比較器930的非反相輸入端子。
[0167]在本示例實施例中，第二偏移晶體管940可以是但不限于具有P溝道的場效應(yīng)晶體管。當被施加到第二偏移晶體管940的控制端子的信號是低信號時，第二偏移晶體管940導(dǎo)通，而當被施加到第二偏移晶體管940的控制端子的信號是高信號時，第二偏移晶體管940截止。
[0168]第一二極管950連接在第二偏移晶體管940的控制端子與第一偏移晶體管910的第一端子之間。第一二極管950傳遞從第二偏移晶體管940的控制端子流向第一偏移晶體管910的第一端子的電流，并且阻擋從第一偏移晶體管910的第一端子流向第二偏移晶體管940的控制端子的電流。
[0169]第三偏移晶體管960是三端子晶體管，包括第一端子、第二端子以及控制端子。第三偏移晶體管960的控制端子連接到第二二極管970。當?shù)谝黄凭w管910導(dǎo)通時，第三偏移晶體管960的控制端子接地。第三偏移晶體管960的第一端子從第二比較器930接收輸出信號，并且第三偏移晶體管960的第二端子連接到輸出節(jié)點ND-0UT。主驅(qū)動信號MDR通過輸出節(jié)點ND-OUT被輸出。
[0170]在本示例實施例中，第三偏移晶體管960可以是但不限于具有P溝道的場效應(yīng)晶體管。當被施加到第三偏移晶體管960的控制端子的信號是低信號時，第三偏移晶體管960導(dǎo)通;而當被施加到第三偏移晶體管960的控制端子的信號是高信號時，第三偏移晶體管960截止。
[0171]第二二極管970連接在第三偏移晶體管960的控制端子與連接到第一偏移晶體管910的第一端子的輸入節(jié)點ND-1N之間。第二二極管970傳遞從第三偏移晶體管960的控制端子流向輸入節(jié)點ND-1N的電流，并且阻擋從輸入節(jié)點ND-1N流向第三偏移晶體管960的控制端子的電流。
[0172]第三二極管980連接在輸出節(jié)點ND-OUT與輸入節(jié)點ND-1N之間。第三二極管980傳遞從輸入節(jié)點ND-1N流向輸出節(jié)點ND-OUT的電流，并且阻擋從輸出節(jié)點ND-OUT流向輸入節(jié)點ND-1N的電流。
[0173]圖13是示出了圖12中所示的電壓脈沖生成器920的進一步的詳情的視圖。
[0174]參考圖13，電壓脈沖生成器920包括積分器921、電壓反相器923和加法器925。
[0175]積分器921接收時鐘信號CLK并且生成具有與時鐘信號CLK的頻率相同頻率的三角脈沖信號CLK-1。三角脈沖信號CLK-1是通過以一個時段為單位對時鐘信號CLK進行積分所獲得的信號。由一個時段中的高時段和時鐘信號CLK的高電平所確定的四邊形面積(area)可以基本上與由一個時段和三角脈沖信號CLK-1的最大電平所確定的三角形面積相同。
[0176]電壓反相器923接收模擬電壓Vg并且使模擬電壓Vg反相以生成反相模擬電壓Vg-R。反相模擬電壓Vg-R是通過從與鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min相對應(yīng)的電壓中減去模擬電壓Vg所獲得的。
[0177]加法器935輸出通過將三角脈沖信號CLK-1和反相模擬電壓Vg-R相加所獲得的信號作為電壓脈沖信號Vp。
[0178]圖14是示出在第二模式期間被輸入到第二比較器930或從第二比較器930所輸出的信號的視圖。
[0179]在下文中，將參考圖12至圖14更詳細地描述偏移補償器612根據(jù)模擬電壓Vg的電平的操作。
[0180]當模擬電壓Vg大于鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min(例如大約125mV)時，第一比較器900輸出低信號并且第一偏移晶體管910截止。偏移補償器612操作于第一模式中。在通過第三二極管980和輸出節(jié)點ND-OUT之后，被施加到輸入節(jié)點ND-1N的初始主驅(qū)動信號MDR-1被輸出為主驅(qū)動信號MDR。
[0181]當模擬電壓Vg小于鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min(例如大約125mV)時，第一比較器900輸出高信號并且第一偏移晶體管910導(dǎo)通。偏移補償器612操作于第二模式中。
[0182]當偏移補償器612操作于第二模式中時，初始主驅(qū)動信號MDR-1通過第一偏移晶體管910被施加到地。另外，因為第二偏移晶體管940的控制端子接地，所以第二偏移晶體管940導(dǎo)通。與鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min相對應(yīng)的電壓被施加到第二比較器930的非反相輸入端子。
[0183]因為反相模擬電壓Vg-R隨著模擬電壓Vg降低而升高，所以電壓脈沖信號Vp的電平升高。當電壓脈沖信號Vp的電平升高時，鉗位電壓Vd的第二下限Vd-min高于電壓脈沖信號Vp的電平的時段縮短。因此，第二比較器930的輸出信號的占空比降低。
[0184]第三偏移晶體管960的控制端子接地，并且因此，第三偏移晶體管960導(dǎo)通。第二比較器930的輸出信號通過輸出節(jié)點ND-OUT被輸出為主驅(qū)動信號MDR。
[0185]圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的驅(qū)動背光單元的方法的流程圖。
[0186]參考圖1至圖15，基于模擬電壓Vg生成鉗位電壓Vd(SlOO)。模擬電壓Vg具有在第一下限與第一上限之間的電壓范圍。鉗位電壓Vd具有在高于第一下限的第二下限與低于第一上限的第二上限之間的電壓范圍。
[0187]然后，基于模擬電壓Vg和鉗位電壓Vd來生成主驅(qū)動信號MDR(SllO)。主驅(qū)動信號MDR可以是被施加到DC/DC轉(zhuǎn)換器520的主晶體管MTF的控制端子的信號。從DC/DC轉(zhuǎn)換器520所輸出的驅(qū)動電壓Vout可以通過主驅(qū)動信號MDR的占空比來控制。
[0188]之后，確定模擬電壓Vg是否等于或低于參考電壓(例如，預(yù)定的參考電壓)(S120)。參考電壓(例如，預(yù)定的參考電壓)是第二下限。在本示例實施例中，第二下限為大約125mV。
[0189]當模擬電壓超過參考電壓(例如，預(yù)定的參考電壓)時，流過發(fā)光二極管陣列的驅(qū)動電流被控制為超過參考電流(例如，預(yù)定的參考電流)(S150)。在本示例實施例中，參考電流(例如，預(yù)定的參考電流)為大約5mA(參考圖4)。
[0190]當模擬電壓等于或低于參考電壓(例如，預(yù)定的參考電壓)時，主驅(qū)動信號MDR的占空比變得更小(S160)。當主驅(qū)動信號MDR的占空比變得更小時，驅(qū)動電壓Vout降低(S170)。當驅(qū)動電壓Vout降低時，流過發(fā)光二極管陣列的驅(qū)動電流被控制為等于或小于參考電流(例如，預(yù)定的參考電流)(S180)。
[0191]因此，當模擬電壓Vg的電平等于或低于參考電壓(例如，預(yù)定的參考電壓)時，主驅(qū)動信號MDR和驅(qū)動電壓Vout的占空比被控制為降低。作為結(jié)果，流向第一發(fā)光二極管陣列LDAl和第二發(fā)光二極管陣列LDA2的驅(qū)動電流可以被控制為降低更多。
[0192]在這里所使用的術(shù)語僅出于描述特定實施例的目的并且不意欲限制本發(fā)明。當在這里使用時，單數(shù)形式的“一”和“一個”也意欲包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地指示并非如此。將進一步理解，當在本說明書中使用時，術(shù)語“包括”、“包括有”、“包含”以及“包含有”指明所陳述的特征、整體、步驟、操作、元素和/或組件的存在，但是不排除一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元素、組件和/或其群組的存在。當在這里使用時，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)聯(lián)列舉項的任何和所有組合。當在元素列表之后時，諸如“……中至少一個”的表述修飾整個元素列表而不修飾列表中的單個元素。
[0193]當在這里使用時，術(shù)語“基本上”、“大約”以及相似的術(shù)語被用作近似術(shù)語而不是程度術(shù)語，并且意欲考慮到本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認識到的測量值或計算值中的固有偏差。此外，當描述本發(fā)明的實施例時“可能”的使用指代“本發(fā)明的一個或多個實施例”。當在這里使用時，術(shù)語“使用”、“使用于”以及“被用于”可以分別地被認為與術(shù)語“利用”、“利用于”以及“被利用”同意。另外，術(shù)語“示例性的”意欲指代示例或圖示。
[0194]根據(jù)這里所描述的本發(fā)明的實施例的電子器件或電子設(shè)備和/或任何其他相關(guān)的設(shè)備或組件可以利用任何合適的硬件、固件(例如，特定用途集成電路)、軟件或者軟件、固件以及硬件的組合來實現(xiàn)。例如，這些設(shè)備的各種組件可以形成在一個集成電路(IC)芯片上或單獨的IC芯片上。此外，這些設(shè)備的各種組件可以實現(xiàn)在柔性印刷電路薄膜上、帶載封裝(TCP)、印刷電路板(PCB)上，或可以形成在一個基板上。此外，這些設(shè)備的各種組件可以是處理或線程，運行在一個或多個處理器上，處于一個或多個計算設(shè)備中，執(zhí)行計算機程序指令以及與其他系統(tǒng)組件交互以用于執(zhí)行這里所描述的各種功能。計算機程序指令被存儲在存儲器中，該存儲器例如可以使用諸如隨機存取存儲器(RAM)的標準存儲器設(shè)備實現(xiàn)在計算設(shè)備中。例如，計算機程序指令還可以被存儲在非暫態(tài)計算機可讀介質(zhì)中，諸如CD-ROM、閃驅(qū)等。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當意識到各種計算設(shè)備的功能可以被組合到或集成到為單個計算設(shè)備中，或者特定計算設(shè)備的功能可以被分布在一個或多個其他計算設(shè)備上，而不脫離本發(fā)明的示例性實施例的精神和范圍。
[0195]除非另外地定義，否則這里所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員之一通常理解的含義相同的含義。將進一步理解，諸如在通用字典中所定義的術(shù)語的術(shù)語應(yīng)當被解釋為具有與在現(xiàn)有技術(shù)的語境和/或本說明書中它們的含義一致的含義，并且不應(yīng)當被解釋為理想化的或過于正式的意味，除非這里明確地如此定義。
[0196]盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例實施例，但是理解到本發(fā)明不應(yīng)當被限制為這些示例實施例，而是在如下述權(quán)利要求書及其等價物中所定義的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以進行各種改變和修改。
【主權(quán)項】
1.一種背光單元，包括: 光源，包括發(fā)光二極管陣列； DC/DC轉(zhuǎn)換器，被配置為接收輸入電壓并且向所述發(fā)光二極管陣列施加驅(qū)動電壓；以及 光源驅(qū)動電路，被配置為: 接收模擬電壓； 根據(jù)所述模擬電壓來生成鉗位電壓；以及 根據(jù)所述模擬電壓和所述鉗位電壓來生成要被施加到所述DC/DC轉(zhuǎn)換器的主驅(qū)動信號，其中 所述模擬電壓具有在第一下限與第一上限之間的電壓范圍，所述鉗位電壓具有在高于所述第一下限的第二下限與低于所述第一上限的第二上限之間的電壓范圍， 所述背光單元被配置為當所述模擬電壓具有在所述第二下限與所述第一上限之間的第一電平時操作于第一模式中， 所述背光單元被配置為當所述模擬電壓具有在所述第一下限與所述第二下限之間的第二電平時操作于第二模式中，以及 所述背光單元操作于所述第一模式時的所述驅(qū)動電壓與所述背光單元操作于所述第二模式時的所述驅(qū)動電壓不同。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背光單元，其中，所述光源驅(qū)動電路被配置為控制所述主驅(qū)動信號，以允許所述第二模式中的所述主驅(qū)動信號的占空比小于所述第一模式中的所述主驅(qū)動信號的占空比。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背光單元，其中，在所述背光單元操作于所述第二模式的期間，當所述模擬電壓的電平降低時，所述驅(qū)動電壓降低。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背光單元，其中，所述DC/DC轉(zhuǎn)換器包括: 電感器，被配置為在第一端子處接收所述輸入電壓； 所述電感器的第二端子與所述發(fā)光二極管陣列的第一端部之間的主二極管，用于向所述發(fā)光二極管陣列的第一端部施加所述驅(qū)動電壓； 主晶體管，包括連接到所述電感器與所述主二極管之間的節(jié)點的第一端子、和被配置為接收所述主驅(qū)動信號的控制端子;以及 所述主晶體管的第二端子與地之間的主電阻器。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背光單元，其中，所述光源進一步包括: 電流控制晶體管，包括連接到所述發(fā)光二極管陣列的第二端部的第一端子、和被配置為從所述光源驅(qū)動電路接收控制信號的控制端子;以及 主電阻器，連接到所述電流控制晶體管的第二端子和所述地。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的背光單元，其中，所述光源驅(qū)動電路包括: 電壓范圍改變器，被配置為生成所述鉗位電壓； 占空控制器，被配置為根據(jù)來自所述主晶體管的第二端子的主節(jié)點電壓、來自所述電流控制晶體管的第二端子的光源電阻器電壓、所述鉗位電壓、時鐘信號以及所述模擬電壓來生成所述主驅(qū)動信號；以及 控制信號生成器，被配置為根據(jù)所述鉗位電壓和所述光源電阻器電壓來生成所述控制信號。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的背光單元，其中，所述占空控制器包括: 誤差放大器，包括被配置為接收所述鉗位電壓的第一端子，被配置為接收所述光源電阻器電壓的第二端子以及被配置為輸出放大器輸出信號的輸出端子； 偏移補償器，被配置為接收通過放大所述主節(jié)點電壓的放大后的主節(jié)點電壓和所述模擬電壓，并且在所述第二模式期間補償所述放大后的主節(jié)點電壓的電平以生成主電壓信號； 主比較器，包括被配置為接收所述主電壓信號的非反相輸入端子、和被配置為接收所述放大器輸出信號的反相輸入端子，并且所述主比較器用于將所述主電壓信號與所述放大器輸出信號進行比較以輸出高信號或低信號；以及 鎖存器，包括被配置為接收所述時鐘信號的設(shè)定端子，被配置為從所述主比較器接收輸出信號的重置端子以及被配置為輸出所述主驅(qū)動信號的輸出端子，所述主驅(qū)動信號在從所述時鐘信號的上升沿到所述主比較器的所述輸出信號的上升沿的時段期間具有開啟時段。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背光單元，其中，所述偏移補償器包括: 比較器，包括被配置為接收所述模擬電壓的非反相輸入端子和被配置為接收所述鉗位電壓的所述第二下限的反相輸入端子，所述比較器被配置為將所述模擬電壓與所述鉗位電壓的所述第二下限進行比較以輸出高信號或低信號； 電壓反相器，被配置為通過從所述鉗位電壓的所述第二下限中減去所述模擬電壓來生成反相模擬電壓； 偏移晶體管，包括被配置為接收所述反相模擬電壓的第一端子和被配置為從所述比較器接收輸出信號的控制端子;以及 加法器，被配置為當所述偏移晶體管導(dǎo)通時輸出通過將所述放大后的主節(jié)點電壓和所述反相模擬電壓相加所獲得的信號作為所述主電壓信號，并且被配置為當所述偏移晶體管截止時輸出所述放大后的主節(jié)點電壓作為所述主電壓信號。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的背光單元，其中，所述偏移晶體管是具有P溝道的場效應(yīng)晶體管。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的背光單元，其中，所述占空控制器包括: 誤差放大器，包括被配置為接收所述鉗位電壓的第一端子，被配置為接收所述光源電阻器電壓的第二端子以及被配置為輸出放大器輸出信號的輸出端子； 偏移補償器，被配置為接收所述放大器輸出信號和所述模擬電壓，并且被配置為在所述第二模式期間補償所述放大器輸出信號的電平以生成放大器補償信號； 主比較器，包括被配置為接收通過放大所述主節(jié)點電壓所獲得的放大后的主節(jié)點電壓的非反相輸入端子，所述主比較器進一步包括被配置為接收所述放大器補償信號的反相輸入端子，所述主比較器被配置為將所述放大后的主節(jié)點電壓與所述放大器補償信號進行比較以輸出高信號或低信號；以及 鎖存器，包括被配置為接收所述時鐘信號的設(shè)定端子，被配置為從所述主比較器接收輸出信號的重置端子以及被配置為輸出所述主驅(qū)動信號的輸出端子，所述主驅(qū)動信號在從所述時鐘信號的上升沿到所述主比較器的輸出信號的上升沿的時段期間具有開啟時段。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的背光單元，其中，所述偏移補償器包括: 比較器，包括被配置為接收所述模擬電壓的非反相輸入端子和被配置為接收所述鉗位電壓的所述第二下限的反相輸入端子，所述比較器被配置為將所述模擬電壓與所述鉗位電壓的所述第二下限進行比較以輸出高信號或低信號； 電壓反相器，被配置為通過從所述鉗位電壓的所述第二下限中減去所述模擬電壓來生成反相模擬電壓； 偏移晶體管，包括被配置為接收所述反相模擬電壓的第一端子和被配置為從所述比較器接收輸出信號的控制端子;以及 加法器，被配置為當所述偏移晶體管導(dǎo)通時輸出通過將所述放大后的主節(jié)點電壓和所述反相模擬電壓相加所獲得的信號作為所述主電壓信號，并且被配置為當所述偏移晶體管截止時輸出所述放大后的主節(jié)點電壓作為所述主電壓信號。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的背光單元，其中，所述偏移晶體管是具有P溝道的場效應(yīng)晶體管。13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的背光單元，其中，所述占空控制器包括: 誤差放大器，包括被配置為接收所述鉗位電壓的第一端子、被配置為接收所述光源電阻器電壓的第二端子以及被配置為輸出放大器輸出信號的輸出端子； 主比較器，包括被配置為接收通過放大所述主節(jié)點電壓的放大后的主節(jié)點電壓的非反相輸入端子和被配置為接收所述放大器輸出信號的反相輸入端子，所述主比較器被配置為將所述放大后的主節(jié)點電壓與所述放大器輸出信號進行比較以輸出高信號或低信號；鎖存器，包括被配置為接收所述時鐘信號的設(shè)定端子，被配置為接收從所述主比較器所輸出的輸出信號的重置端子以及被配置為輸出初始主驅(qū)動信號的輸出端子，所述初始主驅(qū)動信號在從所述時鐘信號的上升沿到所述主比較器的輸出信號的上升沿的時段期間具有開啟時段；以及 偏移補償器，被配置為在所述第二模式期間控制所述初始主驅(qū)動信號的占空比以生成所述主驅(qū)動信號。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的背光單元，其中，所述偏移補償器包括: 第一比較器，包括被配置為接收所述模擬電壓的非反相輸入端子和被配置為接收所述鉗位電壓的所述第二下限的反相輸入端子，所述第一比較器被配置為將所述模擬電壓與所述鉗位電壓的所述第二下限進行比較以輸出高信號或低信號； 第一偏移晶體管，包括被配置為接收所述初始主驅(qū)動信號的第一端子、被配置為接收接地電壓的第二端子以及被配置為從所述第一比較器接收輸出信號的控制端子； 電壓脈沖生成器，被配置為接收所述模擬電壓和所述時鐘信號以生成電壓脈沖信號； 第二偏移晶體管，包括被配置為接收所述鉗位電壓的所述第二下限的第一端子和被配置為當所述第一偏移晶體管導(dǎo)通時接收所述接地電壓的控制端子； 第二比較器，包括被配置為當所述第二偏移晶體管導(dǎo)通時通過所述第二偏移晶體管的第二端子接收所述鉗位電壓的所述第二下限的非反相輸入端子、和被配置為接收所述電壓脈沖信號的反相輸入端子，并且所述第二比較器用于當所述第二偏移晶體管導(dǎo)通時將所述鉗位電壓的所述第二下限與所述電壓脈沖信號進行比較以輸出高信號或低信號；以及第三偏移晶體管，包括被配置為從所述第二比較器接收輸出信號的第一端子、被配置為輸出所述主驅(qū)動信號的第二端子以及被配置為當所述第一偏移晶體管導(dǎo)通時接收接地電壓的控制端子。15.—種顯示裝置，包括: 顯示面板，被配置為顯示圖像；以及 背光單元，被配置為向所述顯示面板提供光，所述背光單元包括: 光源，包括發(fā)光二極管陣列； DC/DC轉(zhuǎn)換器，被配置為接收輸入電壓并且向所述發(fā)光二極管陣列施加驅(qū)動電壓；以及光源驅(qū)動電路，被配置為:接收模擬電壓，根據(jù)所述模擬電壓來生成鉗位電壓，以及根據(jù)所述模擬電壓和所述鉗位電壓來生成要被施加到所述DC/DC轉(zhuǎn)換器的主驅(qū)動信號，其中，所述模擬電壓具有在第一下限與第一上限之間的電壓范圍， 所述鉗位電壓具有在高于所述第一下限的第二下限與低于所述第一上限的第二上限之間的電壓范圍， 所述背光單元被配置為當所述模擬電壓具有在所述第二下限與所述第一上限之間的第一電平時操作于第一模式中， 所述背光單元被配置為當所述模擬電壓具有在所述第一下限與所述第二下限之間的第二電平時操作于第二模式中，以及 所述光源驅(qū)動電路被配置為控制所述主驅(qū)動信號，以允許在所述背光單元操作于所述第一模式的所述主驅(qū)動信號的占空比與在所述背光單元操作于所述第二模式的所述主驅(qū)動信號的占空比不同。
【文檔編號】G09G3/34GK106097980SQ201610268648
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年4月27日 公開號201610268648.6, CN 106097980 A, CN 106097980A, CN 201610268648, CN-A-106097980, CN106097980 A, CN106097980A, CN201610268648, CN201610268648.6
【發(fā)明人】李大植, 李錫煥, 康元亨
【申請人】三星顯示有限公司