專利名稱：金屬感高分子殼體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高分子殼體，特別是涉及一種在高分子殼體表面貼附一金屬箔 層，由金屬箔層表面的粗糙度以提升與硬化層間附著力并提供立體化視覺感的金屬感高分 子殼體。
背景技術(shù)：
隨著地球礦物資源逐年減少，其價格亦隨之水漲船高，其中又以貴金屬(如金、 銀、白金等)的價格漲幅最為劇烈。因此，如何在不破壞貴金屬產(chǎn)質(zhì)量感的前提下，有效降 低生產(chǎn)成本是目前業(yè)界所欲突破的問題。有鑒于上述因素，業(yè)界開發(fā)出一種于高分子殼體表面鍍覆一金屬膜層的技術(shù)。目 前常見將高分子殼體表面金屬化的方法，例如無電極電鍍法、化學(xué)電鍍法、真空濺鍍法以及 真空電鍍法等。其中，又以真空電鍍法最廣為業(yè)界所使用，該技術(shù)是于一真空條件下，由特 定有機(jī)物轉(zhuǎn)換機(jī)制，使金屬粒子沉積或吸附于高分子基材表面，再配合傳統(tǒng)表面硬化技術(shù) 即可增強(qiáng)金屬化高分子殼體的環(huán)境耐受性以及具有電磁波遮蔽特性。綜合以上所述，以下將結(jié)合圖式并列舉一現(xiàn)有的金屬高分子殼體加以具體說明。 請參閱圖1A、圖1B、圖2A以及圖2B，1A為現(xiàn)有金屬高分子殼體的示意圖，圖1B為現(xiàn)有高分 子殼體的AA視角剖面圖，圖2A為現(xiàn)有金屬高分子殼體的側(cè)視圖，圖2B為現(xiàn)有金屬高分子 殼體表面的放大示意圖。如圖所示，現(xiàn)有的金屬化高分子殼體PA100包含一高分子殼體PA12、一金屬膜層 PA14以及一硬化層PA16。其中，該金屬膜層PA14還包含一上表面PA141以及一下表面 PA142。使用者是利用一真空電鍍技術(shù)將金屬膜層PA14鍍覆于高分子殼體PA12的外側(cè)表 面，請參照圖2B，如圖所示，該金屬膜層PA14的上表面PA141的表面相當(dāng)平整。接著，再由 一表面硬化工藝將硬化層PA16披覆于金屬膜層PA14的上表面PA141。在實(shí)際應(yīng)用上，由于 上表面PA141的粗糙度極小，會導(dǎo)致硬化層PA16的附著力大幅下降，而降低產(chǎn)品使用時間。然，上述方法雖可達(dá)到高分子殼體快速金屬化的目的，但其所制造的金屬膜層粗 糙度極低，因而導(dǎo)致金屬膜層與硬化層間的附著度下降大幅縮短該殼體使用壽限。此外，真 空電鍍法使用的真空鍍膜系統(tǒng)造價相當(dāng)昂貴，更會導(dǎo)致成本的上升。為有效提升金屬膜層與硬化層間的附著度并降低制作成本，本發(fā)明提供一種金屬 高分子殼體，是將金屬箔貼合于高分子殼體表面，再通過表面硬化工藝增強(qiáng)該金屬高分子 殼體的環(huán)境耐受性。由上述方法，除可有效提升膜層間的附著性并大幅降低制造成本且仍 保有電磁遮蔽特性，更提供一種立體化視覺效果，以增加殼體的美觀度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所欲解決的技術(shù)問題與目的有鑒于現(xiàn)有技術(shù)中，利用真空電鍍法制造的金屬高分子殼體，其金屬膜層極為平滑導(dǎo)致金屬膜層與硬化層間的附著度下降，造成殼體使用壽限大幅縮短。此外，真空電鍍法 使用的真空鍍膜系統(tǒng)造價相當(dāng)昂貴，更使得制造成本上升。緣此，本發(fā)明的主要目的在于提 供一種將金屬箔層貼合于高分子殼體，使金屬箔層表面粗糙度大于0. 8 y m，以強(qiáng)化與硬化 層間的附著性。此外，本發(fā)明的次要目的在于提供相較于現(xiàn)有技術(shù)更具立體化視覺效果的金屬高 分子殼體，以增加殼體的美觀度以及趣味性。本發(fā)明解決問題的技術(shù)手段本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)的問題所采用的技術(shù)手段是提供一種金屬高分子殼體，該 種金屬高分子殼體包含一高分子殼體、一金屬箔層、一膠合層以及一硬化層。該金屬箔層利 用該膠合層以黏合于高分子殼體外側(cè)表面，再由一表面硬化工藝將硬化層披覆于金屬箔層 表面。較佳者，上述的表面硬化工藝為一低溫表面硬化處理工藝。本發(fā)明對照現(xiàn)有技術(shù)的功效相較于現(xiàn)有金屬高分子殼體制造技術(shù)，由于本發(fā)明是利用金屬箔貼合方式增加金 屬箔層的表面粗糙度，達(dá)到提升膜層間的附著性的目的；此外，本發(fā)明不需使用昂貴真空鍍 膜系統(tǒng)，且通過低溫表面硬化工藝既可降低膠合層的成本更避免因加熱而導(dǎo)致接口弱化問 題。綜合上述各項(xiàng)因素，得知本發(fā)明不僅有效提升金屬高分子殼體的可靠度更大幅降 低其制造成本。此外，本發(fā)明的金屬感高分子殼體更提供一種立體化視覺效果，可使該金屬 化高分子殼體更具美觀度以及趣味性。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。




圖1A為現(xiàn)有金屬高分子殼體的示意圖1B為現(xiàn)有高分子殼體的AA視角剖面圖2A為現(xiàn)有金屬高分子殼體的側(cè)視圖2B為現(xiàn)有金屬高分子殼體表面的放大示意圖3A為本發(fā)明金屬高分子殼體的示意圖3B為本發(fā)明金屬高分子殼體的BB視角剖面圖4A為本發(fā)明金屬高分子殼體未披覆硬化層的側(cè)視圖4B為本發(fā)明金屬高分子殼體未披覆硬化層的放大示意圖；以及
圖5A至圖5D為本發(fā)明一系列加工工藝的示意圖。
其中，附圖標(biāo)記
PA100金屬化高分子殼體PA12高分子殼體PA14金屬膜層PA141上表面PA142下表面PA16硬化層100金屬高分子殼體
4
12高分子殼體
14膠合層
16金屬箔層
161上表面
162下表面
18硬化層
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述由于本發(fā)明所提供的金屬高分子殼體，是使用金屬箔直接貼附于高分子殼體的表 面，再通過表面硬化工藝將硬化層鍍覆于金屬箔層上，由提升金屬箔層的表面粗糙度可增 加金屬箔層與硬化層間的附著度更提供一種立體化視覺感，以增添該金屬高分子殼體的美 觀度以及趣味性。較佳者，上述的表面硬化工藝是為低溫表面硬化工藝，為此可降低膠合層 的成本更可避免加熱過度導(dǎo)致接口的弱化。本發(fā)明所提供的金屬高分子殼體，可廣泛應(yīng)用 于各種電子裝置外殼，其相關(guān)的組合實(shí)施方式著實(shí)不勝枚舉，故在此不再一一贅述，于此列 舉本發(fā)明的較佳實(shí)施例加以具體說明。以下將參照各圖式，說明本發(fā)明的較佳實(shí)施例。請參閱圖3A以及圖3B，圖3A為本 發(fā)明金屬高分子殼體100的示意圖，圖3B為本發(fā)明金屬高分子殼體100的BB視角剖面圖。如圖所示，金屬高分子殼體100包含一高分子殼體12、一膠合層14、一金屬箔層16 以及一硬化層18。其中，膠合層14設(shè)置于高分子殼體12以及該金屬箔層16之間，且硬化 層18通過一表面硬化工藝而涂覆于金屬箔層16表面。實(shí)際應(yīng)用中，上述的高分子殼體12 為一移動通訊裝置殼體、一計算器殼體以及一筆記型計算機(jī)殼體中之一，金屬箔層16為一 金箔或一銀箔中至少之一，表面硬化工藝是為一 UV硬化工藝以及一冷烤漆工藝中之一。請進(jìn)一步參照圖4A以及圖4B，圖4A為本發(fā)明金屬高分子殼體未披覆硬化層18的 側(cè)示圖，圖4B為本發(fā)明金屬高分子殼體未披覆硬化層18的放大示意圖。如圖所示，該金屬 箔層16包含一上表面161以及一下表面162，且該上表面161更具有一粗糙度。經(jīng)反復(fù)實(shí) 驗(yàn)所得結(jié)果，該粗糙度需大于0. 8 y m，由提升上表面161的粗糙度可使金屬箔層16以及硬 化層18間的附著度大幅提升。接著，為了更進(jìn)一步推廣本發(fā)明所揭露的技術(shù)，以下將進(jìn)一步將本發(fā)明的較佳實(shí) 施例所揭露的技術(shù)匯整為一系列加工工藝的示意圖，以便在所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識 者更容易記憶。請參閱圖5A至圖5D，如圖5A所示，欲制備金屬高分子殼體100，需先制備高分子 殼體12，該高分子殼體12可由一射出成型工藝而制得。如圖5B所示，接著，將膠合層14涂 覆于高分子殼體12的表面。較佳者，上述的膠合層14，為一金屬箔用膠體。如圖5C所示，再將金屬箔層16仔細(xì)貼合于高分子殼體12的表面，此時金屬箔層 16的表面將呈現(xiàn)一粗糙度。其中，該粗糙度為大于0.8微米。如圖5D所示，最后，再由一表 面硬化工藝將硬化層18鍍覆于金屬箔層16的表面，以強(qiáng)化該金屬箔層16的抗刮強(qiáng)度。舉凡在所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員皆能輕易理解，本發(fā)明所提供的金屬高分子 殼體，是使金屬箔層16直接貼附于高分子殼體12表面以增加金屬箔層16的粗糙度，相較于現(xiàn)有的真空鍍膜技術(shù)，本發(fā)明可有效提升膜層間的附著性并大幅降低制造成本且仍保有 電磁遮蔽特性。此外，本發(fā)明還提供一種立體化視覺效果，以增加殼體的美觀度以及趣味 性。 當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟 悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變 形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種金屬感高分子殼體，其特征在于，包含一高分子殼體；一膠合層；一金屬箔層，通過該膠合層貼附于該高分子殼體表面，其中該金屬箔層異于該高分子殼體一側(cè)的表面具有一表面粗糙度，所述的表面粗糙度為大于0.8μm；以及一硬化層，披覆于該金屬箔層異于該高分子殼體一側(cè)的表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具金屬感高分子殼體，其特征在于，該高分子殼體為一電子 裝置殼體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具金屬感高分子殼體，其特征在于，該高分子殼體為一計算 器殼體。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具金屬感高分子殼體，其特征在于，該高分子殼體為一筆記 型計算機(jī)殼體。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具金屬感高分子殼體，其特征在于，該高分子殼體為一移動 通訊裝置殼體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具金屬質(zhì)感的高分子殼體，其特征在于，該金屬箔層為一金箔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具金屬感高分子殼體，其特征在于，該金屬箔層為一銀箔。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具金屬感高分子殼體，其特征在于，該硬化層由一表面硬化 工藝以披覆于該金屬箔層的表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具金屬感高分子殼體，其特征在于，該表面硬化工藝為一低 溫表面硬化工藝。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具金屬感高分子殼體，其特征在于，該低溫表面硬化工藝為一 UV硬化工藝。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具金屬感高分子殼體，其特征在于，該低溫表面硬化工藝為 一冷烤漆工藝。
全文摘要
本發(fā)明所揭露的一種金屬感高分子殼體包含一高分子殼體、一金屬箔層、一膠合層以及一硬化層。該金屬箔層是利用膠合層以黏合手高分子殼體的表面，再經(jīng)由一表面硬化工藝將硬化層披覆于金屬箔層表面。其中，金屬箔層的表面粗糙度為大于0.8微米，以增加金屬箔層與硬化層的附著強(qiáng)度并提供一立體化視覺感。
文檔編號B44C1/14GK101856896SQ20091013378
公開日2010年10月13日 申請日期2009年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月13日
發(fā)明者周傳斌 申請人:微璽科技股份有限公司