專利名稱：在襯底上形成微圖形的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在襯底上形成微圖形的方法；尤其涉及一種應(yīng)用壓縮構(gòu)圖工藝而在襯底上形成微圖形的方法。
另外，在傳統(tǒng)的應(yīng)用光刻工藝的技術(shù)中，構(gòu)圖工藝包括多個步驟，例如圖形的形成、蝕刻和清洗，這些步驟成本高而且費時。當(dāng)形成圖形的襯底表面不平時，就會發(fā)生光的衍射和/或反射，從而使得這種工藝難以控制。
為了改善上述問題，已經(jīng)研究出了小于100納米的微圖形的構(gòu)圖方法。研制了一種刻印方法，其將一模型壓入襯底上的熱塑薄膜中，以便產(chǎn)生用于不同領(lǐng)域的微圖形，諸如集成電路生產(chǎn)、光電磁元件制造以及其它類似過程。例如，Stephen Y.Chou等人于1995年11月20日在“應(yīng)用物理學(xué)通訊(Appl.Phys.Lett.)”第67(21)期上揭示了一種微圖形構(gòu)圖方法。
在該方法中，模型首先被壓入襯底上的一個熱塑聚合物薄膜中，薄膜例如由有機(jī)玻璃(PMMA)制成，襯底例如由硅制造，襯底在例如150℃-200℃的高溫下被加熱，比璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度要高，對于PMMA而言，璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度是104℃。高于此溫度時，聚合物成為粘性流體并可在壓力下流動，從而與模型相配合。然后模型被壓向一個樣品，直至溫度降至低于玻璃溫度。在例如100-150個大氣壓下，模型上的圖形能夠完全轉(zhuǎn)移到聚合物薄膜，例如PMMA上。
但是，由于這種方法的壓入步驟是在高溫下進(jìn)行的，因此該方法不能被反復(fù)或重復(fù)地操作。詳細(xì)地說，在襯底的一個特定位置形成了一個圖形以后，為了在襯底的另一個位置形成另一個圖形，就必須再次將具有聚合物薄膜的襯底加熱至璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度以上。
但是，當(dāng)如上所述襯底再次在高溫下被加熱時，以前形成的聚合物薄膜的圖形將會消失。因此，重復(fù)應(yīng)用該工藝是不可能的。應(yīng)當(dāng)注意，上面所指出的另一個位置可以是前一圖形化位置的相鄰位置，或者是位于已經(jīng)圖形化的聚合物薄膜的頂部位置。
為了通過一次性進(jìn)行壓入步驟以避免上述問題，模型必須被制成具有更復(fù)雜的圖形，例如一個粗糙圖形與一個精細(xì)圖形相連。但是在這種情況下，就會產(chǎn)生費用問題以及制作如此復(fù)雜模型的技術(shù)壓力。
圖5示出了一個應(yīng)用傳統(tǒng)的圖形構(gòu)圖方法所形成的襯底500之上的圖形化的聚合物薄膜501。當(dāng)在室溫下同時使圖形化的聚合物受到例如大約50-150大氣壓的高壓以進(jìn)行壓入步驟，則通常會在圖形化的聚合物薄膜上產(chǎn)生一個不希望部分。例如如圖5所示，由于所產(chǎn)生的塑性變形，因此在靠近圖形化的聚合物薄膜501的頂端會出現(xiàn)一個不需要的突出部502。
在傳統(tǒng)的壓入步驟中，當(dāng)在室溫下向襯底上的聚合物薄膜施加一負(fù)載時，如果壓力低于一定值，則聚合物薄膜上的自由體積通過減小其體積而吸收施加到它上面的壓力。但是，如果壓力大于一定值，則會在聚合物薄膜上產(chǎn)生不需要的塑性變形部分。
應(yīng)當(dāng)注意，自由體積表示聚合物薄膜中的空隙或中空部分的總體積。
綜上所述，應(yīng)用在室溫下所進(jìn)行的壓入步驟，上述傳統(tǒng)的微圖形構(gòu)圖方法不能生成一個具有合適圖形的微圖形。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種襯底上的微圖形，該方法包括以下步驟(a)在襯底上涂敷具有溶劑的聚合物材料，從而在襯底上形成一個聚合物薄膜；(b)應(yīng)用預(yù)定的壓縮工藝以使聚合物薄膜產(chǎn)生塑性變形，以便將具有一預(yù)定形狀的模型壓入襯底上的聚合物薄膜，從而在聚合物薄膜上構(gòu)造圖形；(c)通過將圖形化的聚合物薄膜用作一個蝕刻掩模，在襯底上進(jìn)行蝕刻，從而在襯底上形成一個微圖形。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種在襯底上形成微圖形的方法，該方法包括以下步驟(a)在襯底上涂敷具有溶劑的聚合物材料，從而在襯底上形成一個聚合物薄膜；(b)應(yīng)用預(yù)定的壓縮工藝，將具有第一預(yù)定形狀的第一模型壓入襯底上的聚合物薄膜，以便形成第一圖形化聚合物薄膜，然后將具有第二預(yù)定形狀的第二模型壓入第一圖形化聚合物薄膜，從而形成一個圖形化聚合物薄膜；(c)通過將圖形化的聚合物薄膜用作一個蝕刻掩模，在襯底上進(jìn)行蝕刻，從而在襯底上形成一個微圖形。
本發(fā)明的實施方式參考

圖1，示出了一種根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的用于在襯底上形成微圖形的微圖形構(gòu)圖裝置100。該裝置100包括兩個固定軸102和103、上下壓板104和105、壓力傳輸軸108以及壓入件110。上壓板104通過螺栓106、107分別裝配在固定軸102、103的頂端，如圖1所示。下壓板105裝配在壓力傳輸軸108的一端，以便板105可滑動地與軸102、103相連。壓入件110裝配在軸108的另一端，以便垂直地移動軸108。
在微圖形構(gòu)圖裝置100中，彼此相對的具有預(yù)定形狀的模型204和襯底200被安放在上壓板104和下壓板105之間，其中在襯底200上涂敷有聚合物薄膜202。應(yīng)當(dāng)注意，模型204的圖形側(cè)與襯底200上的聚合物薄膜202相對，如圖1所示。
在裝置100中，通過從壓入件110傳輸至下壓板105上的壓力，軸108向著上壓板104提升下壓板105，這時模型204被壓入聚合物薄膜中，從而隨后在聚合物薄膜202上構(gòu)造出圖形。
現(xiàn)在參考圖2A-2D、圖3A-3B和圖4A4B，以便描述根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的在襯底上形成微圖形的方法。
圖2A-2D示出了根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的微圖形構(gòu)圖工藝。圖2A示出了模型204和襯底200，在襯底200上涂敷有聚合物薄膜202。在根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的在襯底上形成一個微圖形的方法中，首先制成具有預(yù)定形狀的模型204。模型的一側(cè)，例如圖2A中的下側(cè)首先成型為一預(yù)定形狀。襯底200可以由硅或二氧化硅制成。
通過應(yīng)用一種預(yù)定的涂敷工藝，例如旋轉(zhuǎn)涂敷工藝，在襯底200上涂敷聚合物材料，從而形成聚合物薄膜202。通常聚合物材料由聚苯乙烯和有機(jī)玻璃(PMMA)等組成，但也不僅僅局限于此。在聚合物材料中通常加入甲苯或三氟乙烯(TCE)等溶劑，以便使聚合物材料具有流動性。
可以增加聚合物薄膜202的自由體積，從而施加到聚合物材料上的、使聚合物薄膜塑性變形的壓力被減小。現(xiàn)在描述各種增加聚合物薄膜的自由體積的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，通過公知的孔狀結(jié)構(gòu)形成方法，在聚合物薄膜202上形成孔狀結(jié)構(gòu)，例如空隙，以便增加聚合物薄膜的自由體積，隨后具有孔狀結(jié)構(gòu)的聚合物薄膜202被涂敷在襯底200上。
根據(jù)本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施例，聚合物薄膜202被涂敷到襯底200上，聚合物薄膜202具有溶劑，之后通過應(yīng)用真空干燥技術(shù)或者敞開式干燥技術(shù)，對襯底200進(jìn)行干燥，從而增加聚合物薄膜的自由體積。
圖4A-4B描述了根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的用于在襯底上的聚合物薄膜中形成自由體積的方法。根據(jù)本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施例，涂敷有聚合物薄膜202的襯底200被安裝在一個具有容器402的反應(yīng)器400上，容器402內(nèi)有溶劑401，如圖4A所示。然后，容器402在一定的溫度范圍下被加熱，以便使得容器內(nèi)的溶劑401蒸發(fā)，從而使得蒸發(fā)的溶劑進(jìn)入聚合薄膜202中；然后涂敷有聚合物薄膜202的襯底200通過真空干燥技術(shù)或者敞開式干燥技術(shù)而被干燥，這樣就增加了聚合物薄膜的自由體積。
根據(jù)本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施例，在壓入模型之前，具有聚合物薄膜的襯底被安裝在一個包括容器402的反應(yīng)器400中，容器402內(nèi)具有溶劑401。然后，容器402在一定的溫度范圍下被加熱，以便使得容器內(nèi)的溶劑401蒸發(fā)，從而使得蒸發(fā)的溶劑進(jìn)入聚合物薄膜中，并因此將進(jìn)入的溶劑留在聚合物薄膜中，也就是說，在溶劑所處的環(huán)境下，例如被稱作潮濕狀態(tài)的條件下，聚合物薄膜202可被壓入。
根據(jù)本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施例，如圖4B所示，通過應(yīng)用噴灑裝置404，溶劑被直接噴灑到具有聚合物薄膜202的襯底200上。隨后，涂敷有聚合物薄膜202的襯底200通過真空干燥技術(shù)或者敞開式干燥技術(shù)而被干燥，從而增加其自由體積。
在應(yīng)用上述其中一種方法而形成了具有自由體積的聚合物薄膜202以后，通過應(yīng)用壓入裝置，例如微圖形構(gòu)圖裝置100，如圖2A所示的模型204被壓入襯底200的聚合物薄膜202中，使得聚合物薄膜產(chǎn)生塑性變形，從而在聚合物薄膜上構(gòu)造出圖形，例如第一圖形化聚合物薄膜。參考圖2B，其示出了襯底200上的第一圖形化聚合物薄膜203。
通常，壓入步驟在溶劑的璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度之下進(jìn)行，通常為室溫，例如10℃-30℃。在這種情況下，所施加的外界負(fù)載通常為1個大氣壓；但是聚合物材料所受到的壓力由它的面積所決定，例如施加到聚合物材料上的壓力范圍為20-30個大氣壓。
根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，具有例如比圖2B中的模型204的形狀更加精細(xì)的一預(yù)定形狀的另一個模型205也被構(gòu)造，然后壓入第一圖形化聚合物薄膜203中，從而在襯底200上形成第二圖形化聚合物薄膜206，以形成圖2C中所示的圖形化的聚合物薄膜。
也就是說，在根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的微圖形構(gòu)圖方法的壓入步驟中，通過應(yīng)用預(yù)定的壓入工藝，具有相應(yīng)的預(yù)定形狀的N個模型可以依次被壓入襯底上的聚合物薄膜中，以便使得聚合物薄膜產(chǎn)生塑性變形，從而在聚合物薄膜上構(gòu)造出圖形，其中N是預(yù)定的正整數(shù)，一般為2。
在這種情況下，當(dāng)使用不同的模型時，具有高的縱橫尺寸比的模型通常比具有低的縱橫尺寸比的模型更早地被壓入；具有較粗糙圖形的模型通常比具有較精細(xì)圖形的模型更早地被壓入。
根據(jù)本發(fā)明，因為聚合物薄膜202內(nèi)具有自由體積，在室溫下，例如10℃-30℃，模型204和205的兩個圖形可以被依次轉(zhuǎn)移至聚合物薄膜202上。應(yīng)當(dāng)注意，借助于聚合物薄膜202內(nèi)的增加的自由體積，施加到聚合物材料上的、用于使聚合物薄膜產(chǎn)生塑性變形的壓力減小了。
在得到合適的圖形化的聚合物薄膜，例如圖2C所示的襯底200上的第二圖形化聚合物薄膜206以后，通過將合適的圖形化的聚合物薄膜用作蝕刻掩模，以便進(jìn)行蝕刻，從而形成一個微圖形，例如圖2D所示的襯底200上的圖形207。圖2D示出了通過物理蝕刻工藝，例如無功離子蝕刻(RIE)，而得到的襯底200上的圖形207。但是，蝕刻也可以為化學(xué)蝕刻。
同時，參考圖3A和3B，其示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施例的微圖形構(gòu)圖工藝。在該實施例中，襯底200的長度大于模型204的長度，其中具有自由體積的聚合物薄膜202被涂敷在襯底200上。該實施例的微圖形工藝基本上與上面參考圖2A-2D和4A-4B所描述的工藝相同，除了模型204是反復(fù)地被壓入襯底的聚合物薄膜上以外。
例如，圖3A所示的具有預(yù)定形狀的模型204被反復(fù)地壓入襯底200的聚合物薄膜202中，使得聚合物薄膜產(chǎn)生塑性變形，從而在聚合物薄膜202上構(gòu)造出圖形，其中襯底200的長度大于模型04的長度。在這種情況下，每次模型204都被壓入聚合物薄膜的不同位置，從而聚合物薄膜202的整個表面均被構(gòu)造出圖形。這種工藝在平版印刷術(shù)中被稱作逐步-反復(fù)工藝。
例如，如圖3A所示，從聚合物薄膜202的左端開始，模型204在室溫下被依次地壓入聚合物薄膜202中。結(jié)果，聚合物薄膜202被完全圖形化。可以對同一個模型或者對不同的模型進(jìn)行這種反復(fù)的壓入，即圖形構(gòu)造步驟。應(yīng)當(dāng)注意，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠容易地制作并應(yīng)用某種裝置以水平地移去模型204。
在得到合適的圖形化的聚合物薄膜以后，通過將合適的圖形化的聚合物薄膜用作蝕刻掩模，以便進(jìn)行蝕刻，從而形成一個微圖形，例如圖3B所示的襯底200上的圖形207。
雖然已經(jīng)參考一定的優(yōu)選實施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是可以理解，在不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求書的范圍和精神的前提下，可以作出各種改變和變型。
權(quán)利要求
1.一種在襯底上形成微圖形的方法，所述方法包括以下步驟(a)將具有溶劑的聚合物材料涂敷在襯底上，從而在襯底上形成一個聚合物薄膜；(b)通過應(yīng)用預(yù)定的壓縮工藝，將具有一預(yù)定形狀的模型壓入聚合物薄膜中，使得聚合物薄膜發(fā)生塑性變形，從而在聚合物薄膜上構(gòu)造出圖形；以及(c)通過將圖形化的聚合物薄膜用作蝕刻掩模，對襯底進(jìn)行蝕刻，從而在襯底上形成一個微圖形。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟(b1)在所述步驟(b)之前，增加聚合物薄膜的自由體積，以便減小施加在聚合物材料上的、使聚合物薄膜發(fā)生塑性變形所需的壓力。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟(c)中，所述蝕刻或者是等離子蝕刻或者是化學(xué)蝕刻。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟(b)之前，聚合物薄膜已經(jīng)被制成具有孔狀結(jié)構(gòu)的薄膜。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟(b1)包括以下步驟(b11)將具有聚合物薄膜的襯底安裝在一個包括一容器的反應(yīng)器中，其中容器內(nèi)具有溶劑；(b12)在一預(yù)定溫度范圍內(nèi)對容器進(jìn)行加熱，使得容器內(nèi)的溶劑蒸發(fā)，從而使得蒸發(fā)的溶劑進(jìn)入聚合物薄膜內(nèi)；以及(b13)對聚合物薄膜進(jìn)行真空干燥或者敞開式干燥，從而增加聚合物薄膜內(nèi)的自由體積。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(b)之前，進(jìn)一步包括(b11)將具有聚合物薄膜的襯底安裝在具有容器的反應(yīng)器中，其中容器內(nèi)具有溶劑；以及(b12)在一預(yù)定溫度范圍內(nèi)加熱容器，使得容器內(nèi)的溶劑蒸發(fā)，從而使得所蒸發(fā)的溶劑進(jìn)入聚合物薄膜中，因此將進(jìn)入的溶劑保留在聚合物薄膜中。
7.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步驟(b1)中，將溶劑直接噴灑到聚合物薄膜上以后，對聚合物薄膜進(jìn)行或者真空干燥或者敞開式干燥，使得自由體積增加。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在低于聚合物材料的璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度下進(jìn)行所述步驟(b)。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在大約10℃-30℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行所述步驟(b)。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶劑為三氯乙烯。
11.一種在襯底上形成微圖形的方法，所述方法包括以下步驟(a)將具有溶劑的聚合物材料涂敷在襯底上，從而在襯底上形成一個聚合物薄膜；(b)應(yīng)用預(yù)定的壓縮工藝，將具有第一預(yù)定形狀的第一模型壓入襯底上的聚合物薄膜中，以便形成第一圖形化聚合物薄膜，然后將具有第二預(yù)定形狀的第二模型壓入第一圖形化聚合物薄膜中，從而形成一個圖形化聚合物薄膜；以及(c)通過將圖形化的聚合物薄膜用作一個蝕刻掩模，在襯底上進(jìn)行蝕刻，從而在襯底上形成一個微圖形。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟(b1)在所述步驟(b)之前，增加聚合物薄膜的自由體積，以便減小施加在聚合物材料上的、使聚合物薄膜發(fā)生塑性變形所需的壓力。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在所述步驟(c)中，所述蝕刻或者是等離子蝕刻或者是化學(xué)蝕刻。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在所述步驟(b)之前，聚合物薄膜已經(jīng)被制成具有孔狀結(jié)構(gòu)的薄膜。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述步驟(b1)包括以下步驟(b11)將具有聚合物薄膜的襯底安裝在一個包括容器的反應(yīng)器上，其中容器內(nèi)具有溶劑；(b12)在一預(yù)定溫度范圍內(nèi)對容器進(jìn)行加熱，使得容器內(nèi)的溶劑蒸發(fā)，從而使得蒸發(fā)的溶劑進(jìn)入聚合物薄膜內(nèi)；以及(b13)對聚合物薄膜進(jìn)行真空干燥或者敞開式干燥，從而增加聚合物薄膜的自由體積。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在步驟(b)之前，進(jìn)一步包括(b11)將具有聚合物薄膜的襯底安裝在具有容器的反應(yīng)器中，其中容器內(nèi)具有溶劑；以及(b12)在一預(yù)定的溫度范圍內(nèi)加熱容器，使得容器內(nèi)的溶劑蒸發(fā)，從而使得所蒸發(fā)的溶劑進(jìn)入聚合物薄膜中，因此將進(jìn)入的溶劑保留在聚合物薄膜中。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，在所述步驟(b1)中，將溶劑直接噴灑到聚合物薄膜上以后，對聚合物薄膜進(jìn)行或者真空干燥或者敞開式干燥，使得自由體積增加。
18.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在低于聚合物材料的璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度下進(jìn)行所述步驟(b)。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，在大約10℃-30℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行所述步驟(b)。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述第一模型比所述第二模型具有更高的縱橫尺寸比。
21.一種在襯底上形成微圖形的方法，所述方法包括以下步驟(a)將具有溶劑的聚合物材料涂敷在襯底上，從而在襯底上形成一個聚合物薄膜；(b)通過應(yīng)用逐步-反復(fù)工藝，將具有一預(yù)定形狀的模型壓入襯底上的聚合物薄膜中，使得聚合物薄膜產(chǎn)生塑性變形，因此在聚合物薄膜上構(gòu)造出圖形，其中襯底的長度比模型的長度大；以及(c)通過將圖形化的聚合物薄膜用作一個蝕刻掩模，在襯底上進(jìn)行蝕刻，從而在襯底上形成一個微圖形。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟(b1)在所述步驟(b)之前，增加聚合物薄膜的自由體積，以便減小施加在聚合物材料上的、使聚合物薄膜發(fā)生塑性變形所需的壓力。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述步驟(b1)包括以下步驟(b11)將具有聚合物薄膜的襯底安裝在一個包括一容器的反應(yīng)器上，其中容器內(nèi)具有溶劑；(b12)在一預(yù)定的溫度范圍內(nèi)對容器進(jìn)行加熱，使得容器內(nèi)的溶劑蒸發(fā)，從而使得蒸發(fā)的溶劑進(jìn)入聚合物薄膜中；以及(b13)對聚合物薄膜進(jìn)行真空干燥或者敞開式干燥，從而增加聚合物薄膜的自由體積。
24.如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，在步驟(b)之前，進(jìn)一步包括(b11)將具有聚合物薄膜的襯底安裝在具有一容器的反應(yīng)器中，其中容器內(nèi)具有溶劑；以及(b12)在一預(yù)定的溫度范圍內(nèi)加熱容器，使得容器內(nèi)的溶劑蒸發(fā)，從而使得所蒸發(fā)的溶劑進(jìn)入聚合物薄膜中，因此將進(jìn)入的溶劑保留在聚合物薄膜中。
25.如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，在大約10℃-30℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行所述步驟(b)。
全文摘要
一種在襯底(200)上形成微圖形的方法,將具有溶劑的聚合物材料涂敷在襯底上,從而在襯底上形成一個聚合物薄膜。然后,通過應(yīng)用預(yù)定的壓縮工藝,將具有一預(yù)定形狀的模型(204)壓入襯底上的聚合物薄膜(202)中,使得聚合物薄膜發(fā)生塑性變形,從而在聚合物薄膜上構(gòu)造出圖形。在例如大約10℃－30℃的室溫下進(jìn)行壓入步驟。在本發(fā)明中,在模型(204)被壓入聚合物薄膜(202)之前,首先增加聚合物薄膜的自由體積,以便減小施加在聚合物材料上的、用于使聚合物薄膜產(chǎn)生塑性變形的壓力。隨后,通過將圖形化的聚合物薄膜用作蝕刻掩模,以便在襯底上進(jìn)行蝕刻,因此在襯底上形成微圖形。
文檔編號G03F7/16GK1347518SQ00806300
公開日2002年5月1日 申請日期2000年4月20日 優(yōu)先權(quán)日1999年4月21日
發(fā)明者姜達(dá)榮, 李弘熙 申請人:米盧塔技術(shù)株式會社