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      一種小型光隔離器的制作方法

      文檔序號:2778511閱讀:273來源:國知局
      專利名稱:一種小型光隔離器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及的是光通信技術(shù)中應用的光學器件,尤其是一種小型光隔離器。
      光隔離器是一種在光通信和光纖陀螺中廣泛應用的光學非互易器件,具有入射光的高透射率和反射光的隔離作用。在現(xiàn)有技術(shù)中的光隔離器所用的雙折射楔,一般是采用冰洲石晶體加工制成,但是,對于小型的光隔離器所用光通面只有一或兩毫米大小的雙折射楔,用冰洲石是無法切割加工制作的,這也是現(xiàn)有技術(shù)所存在的困難。
      本發(fā)明的目的,就是針對現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足,而提供一種小型光隔離器技術(shù)方案,該方案是采用釩酸釓晶體加工小型雙折射楔,由于釩酸釓晶體的硬度和可加工性能均較好,可以加工成很小體積的晶體楔塊,故能制成小型的雙折射楔和小型的光隔離器。
      本方案是通過如下技術(shù)措施來實現(xiàn)的。主要包括有磁環(huán)套及磁環(huán)套內(nèi)的固定套和在固定套內(nèi)固定的磁光旋轉(zhuǎn)器以及在磁光旋轉(zhuǎn)器兩側(cè)的正置雙折射楔和倒置雙折射楔,本方案的特點在于所述的正置雙折射楔和倒置雙折射楔是采用釩酸釓晶體制成,正置雙折射楔和倒置雙折射楔的光軸位于楔塊垂直面內(nèi),與垂直邊成22.5度角,兩雙折射楔的楔角S為75-85度,楔塊的垂直入光面寬度a=1.2-2.0毫米,高度b=1.2-2.0毫米,楔塊底邊長度c=0.5-1.0毫米。本方案具體的特點還有,所述的正置雙折射楔和倒置雙折射楔的通光面平面度要好于632.8納米波長的四分之一。而所述的正置雙折射楔和倒置雙折射楔的通光面經(jīng)鍍所用波長的增透膜后,表面反射率小于0.25%。
      根據(jù)對上述方案的敘述可知,由于在該方案中所用的正置雙折射楔和倒置雙折射楔是采用釩酸釓晶體加工制成,而釩酸釓晶體可以采用人工方法批量生產(chǎn),用人工生長的釩酸釓晶體缺陷少,可見光吸收較微,不潮解,溫度穩(wěn)定性好,釩酸釓晶體的尋常光折射率和異常光折射率又都很大,并具有較好地加工性能,因此能切割成尺寸很小的楔塊,制成本方案所要求的小型雙折射楔。本方案能達到自左向右射入的非偏振光束可近乎無損耗地通過,而反射回來的自右向左入射的光束則不能通過隔離器被隔離,起到了光隔離器的作用。本方案光隔離器的插入損耗小于0.12dB,反射光的隔離度大于38dB,可滿意地應用到光通信系統(tǒng)中。由此可見,本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有突出的實質(zhì)性特點和顯著的進步,其實施效果也是顯而易見的。
      為能清楚說明本方案的技術(shù)特點,下面通過一個具體的實施例,并結(jié)合其附圖,對本方案進行闡述。


      圖1為本發(fā)明實施例的剖視結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為圖1的左視結(jié)構(gòu)示意圖。
      通過附圖可以看出,本實施例的小型光隔離器,主要包括有磁環(huán)套1及磁環(huán)套1內(nèi)的固定套2和在固定套2內(nèi)固定的磁光旋轉(zhuǎn)器4以及在磁光旋轉(zhuǎn)器4兩側(cè)的正置雙折射楔3和倒置雙折射楔5,本方案的特點在于所述的正置雙折射楔3和倒置雙折射楔5是采用釩酸釓晶體制成,正置雙折射楔3和倒置雙折射楔5的光軸位于楔塊垂直面內(nèi),與垂直邊成22.5度角,兩雙折射楔的楔角S為75-85度,楔塊的垂直入光面寬度a=1.4毫米,高度b=1.4毫米,楔塊底邊長度c=0.5毫米。本方案所述的正置雙折射楔3和倒置雙折射楔5的通光面平面度要好于632.8納米波長的四分之一。而所述的正置雙折射楔3和倒置雙折射楔5的通光面經(jīng)鍍所用波長的增透膜后,表面反射率小于0.25%。
      權(quán)利要求
      1.一種小型光隔離器,主要包括有磁環(huán)套[1]及磁環(huán)套[1]內(nèi)的固定套[2]和在固定套[2]內(nèi)固定的磁光旋轉(zhuǎn)器[4]以及在磁光旋轉(zhuǎn)器[4]兩側(cè)的正置雙折射楔[3]和倒置雙折射楔[5],其特征在于所述的正置雙折射楔[3]和倒置雙折射楔[5]是采用釩酸釓晶體制成,正置雙折射楔[3]和倒置雙折射楔[5]的光軸位于楔塊垂直面內(nèi),與垂直邊成22.5度角,兩雙折射楔的楔角S為75-85度,楔塊的垂直入光面寬度a=1.2-2.0毫米,高度b=1.2-2.0毫米,楔塊底邊長度c=0.5-1.0毫米。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型光隔離器,其特征在于所述的正置雙折射楔[3]和倒置雙折射楔[5]的通光面平面度要好于632.8納米波長的四分之一。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的小型光隔離器,其特征在于所述的正置雙折射楔[3]和倒置雙折射楔[5]的通光面經(jīng)鍍所用波長的增透膜后,表面反射率小于0.25%。
      全文摘要
      本發(fā)明提供了一種小型光隔離器技術(shù)方案。該方案主要包括有磁環(huán)套及其內(nèi)的固定套和在套內(nèi)固定的磁光旋轉(zhuǎn)器以及在磁光旋轉(zhuǎn)器兩側(cè)的正置雙折射楔和倒置雙折射楔,本方案的特點在于所述的正置雙折射楔和倒置雙折射楔是采用釩酸釓晶體制成,正置雙折射楔和倒置雙折射楔的光軸位于楔塊垂直面內(nèi),與垂直邊成22.5度角,兩雙折射楔的楔角S為75-85度,楔塊的垂直入光面寬度a=1.2-2.0毫米,高度b=1.2-2.0毫米,楔塊底邊長度c=0.5-1.0毫米。
      文檔編號G02B26/08GK1393726SQ0111510
      公開日2003年1月29日 申請日期2001年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月26日
      發(fā)明者劉恩泉, 孫廣軍, 錢春華, 劉修華 申請人:山東新光量子科技股份有限公司
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