專利名稱：一種偏光棱鏡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的是激光技術(shù)和光通信技術(shù)中應(yīng)用的光學(xué)器件，尤其是一種偏光棱鏡。
在現(xiàn)有技術(shù)中的偏光棱鏡是用冰洲石晶體制成下晶體楔塊和上晶體楔塊，但激光經(jīng)冰洲石晶體的兩楔塊接觸面的空氣隙，會產(chǎn)生多次反射使激光的損失較高，造成偏光棱鏡的投射比很低，影響了偏光棱鏡在激光技術(shù)中的應(yīng)用。
本發(fā)明的目的，就是針對現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足，而提供一種采用釩酸釓晶體的偏光棱鏡技術(shù)方案，該方案的釩酸釓晶體其尋常光折射率和異常光折射率都很大，因而，全反射臨界角與布儒斯特角十分接近，從而抑制了晶體楔塊接觸面的多次反射損失，使透射比明顯提高，耐受強激光照射能力大為提高。
本方案是通過如下技術(shù)措施來實現(xiàn)的。主要包括有固定套和在固定套內(nèi)固定的下晶體楔塊、上晶體楔塊及兩晶體楔塊接觸面，本方案的特點在于所述的下晶體楔塊和上晶體楔塊是采用的釩酸釓晶體，下晶體楔塊和上晶體楔塊的光軸取向垂直楔塊底面并相互平行，下晶體楔塊和上晶體楔塊的楔角S為61.5-63度，入光面的寬度a＝8-20毫米，高度b＝8-20毫米。本方案具體的特點還有，所述的下晶體楔塊和上晶體楔塊的通光面和兩晶體楔塊接觸面的平面度要好于632.8納米波長的四分之一。所述的下晶體楔塊和上晶體楔塊的通光面和兩晶體楔塊接觸面經(jīng)鍍增透膜后的表面反射小于0.25％。
根據(jù)對上述方案的敘述可知，由于在該方案中采用了釩酸釓晶體加工制成的下晶體楔塊和上晶體楔塊，而釩酸釓晶體可以采用人工方法批量生產(chǎn)，用人工生長的釩酸釓晶體缺陷少，可見光吸收較微，不潮解，溫度穩(wěn)定性好，具有較好地加工性能，并且，釩酸釓晶體其尋常光折射率和異常光折射率都很大，因而，全反射臨界角與布儒斯特角十分接近，從而抑制了晶體楔塊接觸面的多次反射損失，再加晶體的通光面和兩晶體楔塊接觸面經(jīng)精密拋光使平面度較高，又經(jīng)鍍增透膜后使表面反射小，這均使光束透射比明顯提高，一般可達到95％-96％，并且耐受強激光照射能力也大為提高，使原來幾乎不能使用的這類偏光棱鏡可以廣泛應(yīng)用于激光技術(shù)中。由此可見，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有突出的實質(zhì)性特點和顯著的進步，其實施效果也是顯而易見的。
為能清楚說明本方案的技術(shù)特點，下面通過一個具體的格蘭-傅科(Glan-Foucault)偏光棱鏡的實施例，并結(jié)合其附圖，對本方案進行闡述。


圖1為本發(fā)明實施例的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1的左視結(jié)構(gòu)示意圖。
通過附圖可以看出，本實施例的格蘭-傅科(Glan-Foucault)偏光棱鏡，主要包括有固定套1和在固定套1內(nèi)固定的下晶體楔塊2、上晶體楔塊4及兩晶體楔塊接觸面3，本方案的特點在于所述的下晶體楔塊2和上晶體楔塊4是采用的釩酸釓晶體，下晶體楔塊2和上晶體楔塊4的光軸取向垂直楔塊底面并相互平行，下晶體楔塊2和上晶體楔塊4的楔角S為61.5-63度，入光面的寬度a＝8-20毫米，高度b＝8-20毫米，兩楔塊晶體合成的長度則按應(yīng)用要求而定。所述的下晶體楔塊2和上晶體楔塊4的通光面和兩晶體楔塊接觸面3的平面度要好于632.8納米波長的四分之一。所述的下晶體楔塊2和上晶體楔塊4的通光面和兩晶體楔塊接觸面3經(jīng)鍍增透膜后的表面反射小于0.25％。
權(quán)利要求
1.一種偏光棱鏡，主要包括有固定套[1]和在固定套[1]內(nèi)固定的下晶體楔塊[2]、上晶體楔塊[4]及兩晶體楔塊接觸面[3]，其特征在于所述的下晶體楔塊[2]和上晶體楔塊[4]是采用的釩酸釓晶體，下晶體楔塊[2]和上晶體楔塊[4]的光軸取向垂直楔塊底面并相互平行，下晶體楔塊[2]和上晶體楔塊[4]的楔角S為61.5-63度，入光面的寬度a＝8-20毫米，高度b＝8-20毫米。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏光棱鏡，其特征在于所述的下晶體楔塊[2]和上晶體楔塊[4]的通光面和兩晶體楔塊接觸面[3]的平面度要好于632.8納米波長的四分之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的偏光棱鏡，其特征在于所述的下晶體楔塊[2]和上晶體楔塊[4]的通光面和兩晶體楔塊接觸面[3]經(jīng)鍍增透膜后的表面反射小于0.25％。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種偏光棱鏡技術(shù)方案。該方案主要包括有固定套和在固定套內(nèi)固定的下晶體楔塊、上晶體楔塊及兩晶體楔塊接觸面，本方案的特點在于下晶體楔塊和上晶體楔塊是采用的釩酸釓晶體，下晶體楔塊和上晶體楔塊的光軸取向相互平行，下晶體楔塊和上晶體楔塊的楔角S為61.5－63度，入光面的寬度a＝8－20毫米，高度b＝8－20毫米。下晶體楔塊和上晶體楔塊的通光面和楔塊接觸面的平面度要好于632.8納米波長的四分之一，表面反射小于0.25％。
文檔編號G02B5/04GK1393701SQ0111510
公開日2003年1月29日 申請日期2001年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月26日
發(fā)明者劉恩泉, 孫廣軍, 錢春華, 劉修華 申請人:山東新光量子科技股份有限公司