專利名稱：用于束曝光的掩模及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于束曝光如帶電粒子曝光、特別是電子束曝光和X射線曝光的掩模及這種掩模的制造方法。
現(xiàn)有技術(shù)的用于電子束曝光的掩模是模版型。但是，模版型掩模幾乎不能提供無端圖形。這將在后面詳細(xì)解釋。
其它現(xiàn)有技術(shù)的用于電子束曝光的掩模是薄膜型掩模。然而，當(dāng)在薄膜型掩模中形成有端圖形時，不能完全在掩模中開出用于有端圖形的開口，因而降低了電子束的對比度。而且，由于電子束被薄膜結(jié)構(gòu)散射，增加了電子束的模糊現(xiàn)象。這樣，對于有端圖形不能實現(xiàn)較高的分辨率。這將在后面詳細(xì)解釋。
本發(fā)明的另一個目的是提供制造這種掩模的方法。
根據(jù)本發(fā)明，在用于束曝光的掩模中，提供組合的用于無端圖形的薄膜結(jié)構(gòu)和用于有端圖形的模版結(jié)構(gòu)。
在介紹優(yōu)選實施例之前，先參照

圖1A、1B、2A、2B、3A、3B、4、5和6介紹現(xiàn)有技術(shù)的用于電子束曝光的掩模。
圖1A是表示第一現(xiàn)有技術(shù)掩模的平面圖，圖1B是沿著圖1A的線B-B截取的剖視圖。在圖1A和1B中，掩模是由硅襯底構(gòu)成的模版型，其中在襯底中開出帶有有端圖形的開口102a和102b。在圖1A和1B的掩模中沒有問題。
圖2A是表示第二現(xiàn)有技術(shù)掩模的平面圖，圖2B是沿著圖2A的線B-B截取的剖視圖。在圖2A和2B中，在圖1A和1B的硅襯底中開出具有無端圖形的另外的開口103。然而在這種情況下，由于硅襯底101的島101a不被其余部分支撐，因此島101a與硅襯底101分離。結(jié)果，圖2A和圖2B的掩模實際上是圖3A和3B中所示的掩模，其中開出矩形開口103’。
這樣，在圖2A和2B的模版型掩模中，不可能形成無端圖形，這就是一個問題。
在表示第三現(xiàn)有技術(shù)掩模的圖4中，提供兩個模版型的互補(bǔ)掩模401a和401b。掩模401a和401b分別具有用于有端圖形的開口402a和402b，及用于有端圖形的開口403a和403b。就是說，開口403a和403b組合對應(yīng)于圖2A和2B的開口103形成無端圖形。
在顯示第四現(xiàn)有技術(shù)掩模透視圖的圖5中，提供模版型的一個互補(bǔ)掩模401。掩模401有用于有端圖形的開口402a和402b及用于有端圖形的開口403a和403b。在圖5中，按照與圖4相同的方式，開口403a和403b組合對應(yīng)于圖2A和2B的開口103。
在圖4和5中，解決了由圖2A和2B的掩模產(chǎn)生的問題。然而在圖4和5中，由于必須為每個無端圖形形成兩個圖形，因此對于描繪兩個圖形的控制很復(fù)雜。而且，由于要求電子束偏轉(zhuǎn)，因此兩個圖形之間的電子束曝光的對接精度低。結(jié)果，增加了半導(dǎo)體器件的制造成本，同時降低了其可靠性。
圖6A是表示第五現(xiàn)有技術(shù)掩模的平面圖，圖6B是沿著圖6A的線B-B截取的剖視圖(見JP-A-5-62888)。在圖6A和6B中，掩模是由約150nm厚的氮化硅制成的薄膜層601和約30nm厚的鎢/鉻制成的電子屏蔽層602構(gòu)成的薄膜型。在電子屏蔽層602中，開出各個具有有端圖形的開口602a和602b及具有無端圖形的開口603a和603b。薄膜層601被由硅制成的支撐板603支撐，而支撐板由環(huán)形增強(qiáng)部件604支撐。
在圖6A和6B的掩模中，由于電子屏蔽層602的島602d被薄膜層601支撐，因此島602d不與電子屏蔽層602分離。
然而在圖6A和6B的掩模中，由于通過電子屏蔽層602的電子束的對比度因存在薄膜層601而降低。而且，由于通過電子屏蔽層602的電子束被薄膜層601散射，因此增加了電子束模糊現(xiàn)象。這樣，與圖2A和2B的模版型掩模相比，圖6A和6B的薄膜型掩模不能為有端圖形提供更高的分辨率。
圖7是表示根據(jù)本發(fā)明的掩模的第一實施例的透視圖，圖8A是圖7的掩模的平面圖，圖8B是沿著圖8A的線B-B截取的剖視圖。
在圖7、8A和8B中，掩模1由約100-200μm厚的硅制成的薄膜結(jié)構(gòu)11和約200-500μm厚的硅制成的模版結(jié)構(gòu)12通過絕緣粘合劑(未示出)互相粘接構(gòu)成。
在薄膜結(jié)構(gòu)11和模版結(jié)構(gòu)12中開出用于有端圖形的開口2a和2b。另一方面，只在薄膜結(jié)構(gòu)11中開出用于無端圖形的凹槽3。在這種情況下，處于凹槽3中的薄膜結(jié)構(gòu)11約為10-100nm厚。而且，在模版結(jié)構(gòu)12中開出對應(yīng)于包括島3a的無端圖形的開口3’。
圖7、8A和8B的掩模被與圖6B的支撐板603相同的支撐板(未示出)支撐。
在圖7、8A和8B的掩模中，由于在薄膜結(jié)構(gòu)11和模版結(jié)構(gòu)12中為有端圖形開出開口2a和2b，因此通過開口2a和2b的電子束的對比度沒有降低。而且，由于通過開口2a和2b的電子束沒有被薄膜結(jié)構(gòu)11散射，因此電子束的模糊現(xiàn)象不增加。這樣，可實現(xiàn)用于有端圖形901a和901b的更高分辨率，另一方面，由于用于無端圖形902的凹槽3是由薄膜結(jié)構(gòu)11形成的，因此島3a不與其分離。這樣，確實實現(xiàn)了無端圖形。
下面參照圖9A-9C、10A-10G、11A-11G、12A-12D介紹圖7、8A和8B的掩模的制造方法。
首先，如圖9A所示，包括有端圖形數(shù)據(jù)901a和901b及無端圖形數(shù)據(jù)902的設(shè)計圖形數(shù)據(jù)A被分成只包括有端圖形數(shù)據(jù)901a和901b的如圖9B所示的設(shè)計數(shù)據(jù)B和只包括無端圖形數(shù)據(jù)902的如圖9C所示的設(shè)計數(shù)據(jù)C。
然后，參照圖10A，制備約100-200μm厚的單晶硅襯底1001。
接著，參照圖10B，在整個表面上涂敷正型光刻膠層1002，并且利用圖9B的設(shè)計數(shù)據(jù)B對正型光刻膠層1002進(jìn)行光刻工藝。
然后，參照圖10C，利用正型光刻膠層1002作為掩模，對硅襯底1001進(jìn)行干或濕腐蝕工藝。之后，去掉光刻膠層1002，因而在硅襯底1001中開出用于有端圖形901a和901b的開口1001a和1001b，如圖10D所示。
隨后，參照圖10E，再在整個表面上涂敷正型光刻膠層1003，并且利用圖9C的設(shè)計數(shù)據(jù)C對正型光刻膠層1003進(jìn)行光刻工藝。
接著，參照圖10F，用正型光刻膠層1003作掩模，對硅襯底進(jìn)行干或濕腐蝕工藝。在這種情況下，停止腐蝕硅襯底1001，因而在其被腐蝕部分的硅襯底1001為約10-100μm厚。然后，去掉光刻膠層1003，因而在硅襯底1001中開出用于無端圖形902的開口1001C，如圖10G所示。
這樣，完成了圖7、8A和8B所示的薄膜結(jié)構(gòu)11。
應(yīng)注意，圖10A-10G所示的步驟可以被圖11A-11G所示的步驟代替。
就是說，參照圖11A，制備厚度約為100-200μm的單晶硅襯底1001。
接著，參照圖11B，在整個表面上涂敷正型光刻膠層1002’，并使用圖9A的設(shè)計數(shù)據(jù)A對正型光刻膠層1002’進(jìn)行光刻工藝。
然后，參見圖11C，用正型光刻膠層1002作為掩模，對硅襯底1001進(jìn)行干腐蝕或濕腐蝕工藝。在這種情況下，停止腐蝕硅襯底1001，因而在其被腐蝕部分的硅襯底1001的厚度為約10-100nm。然后，去掉光刻膠層1002’，從而在硅襯底1001中開出用于有端圖形901a和901b的開口1001a和1001b及用于無端圖形902的開口1001C，如圖11D所示。
接著，參見圖11E，在整個表面上再涂敷以正型光刻膠層1003’，并且利用圖9B中所示的設(shè)計數(shù)據(jù)B對正型光刻膠層1003’執(zhí)行光刻工藝。
隨后，參見圖11F，用正型光刻膠層1003’作掩模，對硅襯底1001進(jìn)行干或濕腐蝕工藝。然后，去掉光刻膠層1003’，因而在硅襯底1001中開出用于無端圖形902的開口1001C，如圖11G所示。
這樣，也完成了圖7、8A和8B的薄膜結(jié)構(gòu)11。
然后，參見圖12A，制備厚度約為200-500μm的單晶硅襯底1201。
然后，參見圖12B，在整個表面上涂敷正型光刻膠層1202，并使用圖9A的設(shè)計數(shù)據(jù)A對正型光刻膠層1202進(jìn)行光刻工藝。
接下來，參見圖12C，用正型光刻膠層1202作掩模，對硅襯底1201進(jìn)行干或濕腐蝕工藝。然后，去掉光刻膠層1202，因而在硅襯底1201中開出用于有端圖形901a和901b的開口1201a和1201b及用于無端圖形的開口1201C，如圖12D所示。在這種情況下，硅襯底1201的島1201d也與其分離。因此，在硅襯底1201中開出對應(yīng)于包括其島的無端圖形的開口1201a。
這樣，就完成了圖7、8A和8B的模版結(jié)構(gòu)12。
最后，利用絕緣粘合劑(未示出)將圖10G(11G)的薄膜結(jié)構(gòu)11粘接到圖12D的模版結(jié)構(gòu)12上，由此完成圖7、8A和8B的掩模。
在作為表示第一實施例的掩模改型的剖視圖的圖13中，圖12D的模版結(jié)構(gòu)12位于圖10G的薄膜結(jié)構(gòu)11上。
而且，在表示第一實施例的掩模的另一修改的剖視圖的圖14中，圖10G(11G)的薄膜結(jié)構(gòu)11被圖12D的彼此相同的兩個模版結(jié)構(gòu)12和12’夾在中間。雖然薄膜結(jié)構(gòu)11機(jī)械性不強(qiáng)，但是薄膜結(jié)構(gòu)11被機(jī)械性強(qiáng)的模版結(jié)構(gòu)12和12’增強(qiáng)。
在圖15A中，該圖是表示圖14的掩模的修改的剖視圖，模版結(jié)構(gòu)12的開口2a和2b的至少一個比圖14的對應(yīng)的一個小。在這些情況下，模版結(jié)構(gòu)12是利用圖15B所示的設(shè)計數(shù)據(jù)A’制造的，其中在設(shè)計數(shù)據(jù)A’中，有端圖形數(shù)據(jù)901a’不同于有端圖形數(shù)據(jù)901a。結(jié)果，由于調(diào)整了要繪制圖形的尺寸，因此可以校正電子束的鄰近效應(yīng)，這對提高電子光刻工藝有幫助。
圖16是表示根據(jù)本發(fā)明的掩模的第二實施例的透視圖，圖17A是圖16所示的掩模的平面圖，圖17B是沿著圖17A的線B-B截取的剖視圖。
在圖16、17A和17B中，掩模1A由約10-100μm厚的由氮化硅制成的薄膜結(jié)構(gòu)11A和約200-500μm厚的由硅制成的模版結(jié)構(gòu)12A通過絕緣粘合劑(未示出)互相粘接構(gòu)成。
在薄膜結(jié)構(gòu)11A和模版結(jié)構(gòu)12A中開出用于有端圖形的開口2a和2b。另一方面，只在薄膜結(jié)構(gòu)11A中開出用于無端圖形的凹槽3。在這種情況下，用于無端圖形的模版結(jié)構(gòu)12A的島3a被薄膜結(jié)構(gòu)11A支撐，用于無端圖形的模版結(jié)構(gòu)12A的島3a不與模版結(jié)構(gòu)12A的其余部分離。
在第二實施例的掩模中，使用碳化硅(SiC)代替氮化硅。而且，涉及氮化硅的硅可由Si-SiN-Si襯底代替，這提高了掩模的機(jī)械強(qiáng)度并減小其中產(chǎn)生的應(yīng)力。
下面參照圖9A、9C、18A-18G介紹圖16、17A和17B的掩模的制造方法。
首先，參見圖18A，在約200-500μm厚的單晶硅襯底1801上利用化學(xué)汽相淀積(CVD)淀積約10-100nm厚的氮化硅層1802。然后，倒置硅襯底1801。
接著，參見圖18B，在硅襯底1801的整個表面上涂敷正型光刻膠層1803，并且使用圖9A的設(shè)計數(shù)據(jù)A對正型光刻膠層1803進(jìn)行光刻工藝。
然后，參見圖18C，用正型光刻膠層1803作掩模和用氮化硅層1802做腐蝕停止層，對硅襯底1801進(jìn)行干或濕腐蝕工藝。之后，去掉光刻膠層1803，因而在硅襯底1801中開出用于有端圖形901a和901b的開口1801a和1801b及用于無端圖形902的開口1801C，如圖18D所示。
這樣，硅襯底1801用做圖16、17A和17B的模版結(jié)構(gòu)12A；然而，在這種情況下，由于島1801d由氮化硅層1802支撐，因此模版結(jié)構(gòu)12A的島1801d不與硅襯底1801的其余部分分離。
接著，參見圖18E，在整個表面上涂敷正型光刻膠層1804，并且利用圖9C的設(shè)計數(shù)據(jù)C對正型光刻膠層1804進(jìn)行光刻工藝。
接下來，參見圖18F，用正型光刻膠層1804作掩模，對氮化硅1802進(jìn)行干或濕腐蝕工藝。之后，去掉光刻膠層1804，因而在氮化硅層1802中開出用于有端圖形901a和901b的開口1801a和1801b，如圖18G所示。
這樣，完成了圖16、17A和17B的掩模。
圖16、17A和17B的掩模由與圖6B的支撐板603相同的支撐板(未示出)支撐。
在圖16、17A和17B的掩模中，由于在薄膜結(jié)構(gòu)11A和模版結(jié)構(gòu)12A中開出用于有端圖形的開口2a和2b，因此通過開口2a和2b的電子束的對比度沒有降低。而且，由于通過開口2a和2b的電子束不被薄膜結(jié)構(gòu)11A散射，因此電子束的模糊現(xiàn)象不增加。這樣，為901a和901b實現(xiàn)了更高的分辨率。另一方面，由于由薄膜結(jié)構(gòu)11A形成用于無端圖形902的凹槽3，因此島3a不與其分離。這樣，可穩(wěn)妥地實現(xiàn)無端圖形。
圖19是表示根據(jù)本發(fā)明的掩模的第三實施例的透視圖，圖20A是圖19所示掩模的平面圖，圖20B是沿著圖20A的線B-B截取的剖視圖。
在圖19、20A和20B中，掩模1B由約200-500μm厚的單晶硅襯底構(gòu)成，其中形成約10-100μm厚的薄膜結(jié)構(gòu)11B和約200-500μm厚的模版結(jié)構(gòu)12B。
在模版結(jié)構(gòu)12B中開出各個用于有端圖形的開口2a和2b。另一方面，只在薄膜結(jié)構(gòu)11B中開出用于無端圖形的凹槽3。在這種情況下，用于無端圖形的薄膜結(jié)構(gòu)11B的島3a由薄膜結(jié)構(gòu)11B本身支撐，用于無端圖形的薄膜結(jié)構(gòu)11B的島3a不與薄膜結(jié)構(gòu)11B的其余部分分離。
下面參照圖9B、9C、21A-21G介紹圖19、20A和20B所示的掩模的制造方法。
首先，參見圖21A，制備約200-500μm厚的單晶硅襯底2101。
接著，參見圖21B，在硅襯底2101的整個表面上涂敷正型光刻膠層2102，并且使用圖9B的設(shè)計數(shù)據(jù)B對正型光刻膠層2102進(jìn)行光刻工藝。
然后，參見圖21C，用正型光刻膠層2102作掩模，對硅襯底2101進(jìn)行干或濕腐蝕工藝。之后，去掉光刻膠層2101，因而在硅襯底2101中開出用于有端圖形901a和901b的開口2101a和2101b，如圖21D所示。
這樣，參見圖21E，在整個表面上再涂敷以正型光刻膠層2103，并且利用圖9C中所示的設(shè)計數(shù)據(jù)C對正型光刻膠層2103執(zhí)行光刻工藝。
接下來，參見圖21F，用正型光刻膠層2103作掩模，對氮化硅2101進(jìn)行干或濕腐蝕工藝。在這種情況下，停止硅襯底2101的腐蝕，因而硅襯底2101在其被腐蝕部分約10-100nm厚。然后，去掉光刻膠層2103，因而在硅襯底2101中開出用于無端圖形902的開口2101C，如圖21G所示。
這樣，完成了圖19、20A和20B的掩模1B。
圖19、20A和20B的掩模由與圖6B的支撐板603相同的支撐板(未示出)支撐。
甚至在圖19、20A和20B的掩模中，由于在模版結(jié)構(gòu)12B中開出用于有端圖形的開口2a和2b，因此通過開口2a和2b的電子束的對比度不會降低。而且，由于通過開口2a和2b的電子束不被薄膜結(jié)構(gòu)11B散射，因此電子束的模糊現(xiàn)象不增加。這樣，可為有端圖形901a和901b實現(xiàn)更高的分辨率。另一方面，由于用于無端圖形902的凹槽3由薄膜結(jié)構(gòu)11B形成，因此島3a不與其分離。這樣，可穩(wěn)妥地實現(xiàn)無端圖形。
在上述實施例中，雖然無端圖形形成開孔的矩形，但是本發(fā)明可適用于其它類型無端圖形。而且，可使用負(fù)型光刻膠層代替正型光刻膠層。另外，在本發(fā)明中，可在一個掩模中形成三個或更多個有端圖形和兩個或更多個無端圖形。而且，本發(fā)明可適用于其它掩模，如帶電粒子曝光、中子曝光和X射線曝光。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于在掩模中完全開出用于有端圖形的開口，因此不會降低通過的電子束等的對比度。而且，由于這種電子束等不被薄膜結(jié)構(gòu)散射，因此不增加電子束等的模糊現(xiàn)象。結(jié)果，可對有端圖形實現(xiàn)更高的分辨率。另一方面，可用薄膜結(jié)構(gòu)穩(wěn)妥地實現(xiàn)無端圖形。
權(quán)利要求
1.用于束曝光的掩模，包括將用于無端圖形(902)的薄膜結(jié)構(gòu)(11，11A，11B)和用于有端圖形(901a，901b)組合的模版結(jié)構(gòu)(12，12A，12B)。
2.權(quán)利要求1所述的掩模，其中所述薄膜結(jié)構(gòu)(11)和所述模版結(jié)構(gòu)(12)互相粘接在一起，其特征在于，用于所述有端圖形的第一開口(2a，2b)和用于所述無端圖形的凹槽(3)被形成在所述薄膜結(jié)構(gòu)中，用于所述有端圖形的第二開口(2a，2b)和用于含有島的所述無端圖形的第三開口(3’)被形成在所述模版結(jié)構(gòu)中。
3.權(quán)利要求2所述的掩模，其特征在于，所述薄膜結(jié)構(gòu)和所述模版結(jié)構(gòu)各包括硅襯底(1001，1201)。
4.權(quán)利要求2所述的掩模，其特征在于，至少所述第二開口之一小于設(shè)計開口。
5.權(quán)利要求1所述的掩模，其特征在于，所述薄膜結(jié)構(gòu)(11A)和所述模版結(jié)構(gòu)(12A)互相粘接在一起，并且用于所述有端圖形的第一開口(2a，2b)被形成在所述薄膜結(jié)構(gòu)中，用于所述無端圖形的第二開口(3)和用于所述有端圖形的第三開口(2a，2b)被形成在所述模版結(jié)構(gòu)中。
6.權(quán)利要求5所述的掩模，其特征在于，所述薄膜結(jié)構(gòu)包括氮化硅層，所述模版結(jié)構(gòu)包括硅襯底。
7.權(quán)利要求5所述的掩模，其特征在于，所述薄膜結(jié)構(gòu)包括碳化硅層，所述模版結(jié)構(gòu)包括硅襯底。
8.權(quán)利要求5所述的掩模，其特征在于，所述薄膜結(jié)構(gòu)和所述模版結(jié)構(gòu)包括Si-SiN-Si襯底。
9.權(quán)利要求5所述的掩模，其特征在于，至少一個所述第二開口小于設(shè)計開口。
10.權(quán)利要求1所述的掩模，其特征在于，所述薄膜結(jié)構(gòu)和所述模版結(jié)構(gòu)包括一個襯底，并且用于所述有端圖形的開口(2a，2b)被形成在所述襯底中，用于所述無端圖形的凹槽(3)被形成在所述襯底中。
11.權(quán)利要求10所述的掩模，其特征在于，所述襯底包括硅襯底。
12.用于束曝光的掩模，包括用于無端圖形(902)的薄膜結(jié)構(gòu)(11)和用于有端圖形(901a，901b)的兩個模版結(jié)構(gòu)(12，12’)，所述薄膜結(jié)構(gòu)被所述模版結(jié)構(gòu)夾在中間，其特征在于，用于所述有端圖形的第一開口(2a，2b)和用于所述無端圖形的凹槽(3)被形成在所述薄膜結(jié)構(gòu)中，用于所述有端圖形的第二開口(2a，2b)和用于包括其島的所述無端圖形的第三開口(3’)被形成在所述模版結(jié)構(gòu)中。
13.權(quán)利要求12所述的掩模，其特征在于，所述薄膜結(jié)構(gòu)和所述模版結(jié)構(gòu)各包括硅襯底(1001，1201)。
14.權(quán)利要求12所述的掩模，其特征在于，至少一個所述第二開口小于設(shè)計開口。
15.用于束曝光的掩模的制造方法，包括以下步驟從設(shè)計圖形數(shù)據(jù)(A)中抽取有端圖形數(shù)據(jù)(B)和無端圖形數(shù)據(jù)(C)；使用所述有端圖形數(shù)據(jù)對第一襯底(1001)進(jìn)行第一光刻和腐蝕工藝，以便在所述襯底中形成第一開口(1001a，1001b)；使用所述無端圖形數(shù)據(jù)對所述第一襯底進(jìn)行第二光刻和腐蝕工藝，以便在所述第一襯底中形成凹槽(1001c)；使用所述設(shè)計數(shù)據(jù)對第二襯底(1201)進(jìn)行第三光刻和腐蝕工藝，以便在所述第二襯底中形成第二開口(1201a，1201b，1201c)；和將所述第一襯底粘接到所述第二襯底上，使所述第一開口對應(yīng)于相應(yīng)的一個所述第二開口。
16.用于束曝光的掩模的制造方法，包括以下步驟從設(shè)計圖形數(shù)據(jù)(A)中抽取有端圖形數(shù)據(jù)(B)和無端圖形數(shù)據(jù)(C)；使用所述有端圖形數(shù)據(jù)對第一襯底(1001)進(jìn)行第一光刻和腐蝕工藝，以便在所述第一襯底中形成凹槽(1001a，1001b，1001c)；使用所述有端圖形數(shù)據(jù)對所述第一襯底進(jìn)行第二光刻和腐蝕工藝，以便在所述第一襯底中形成第一開口(1001a，1001b)；使用所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)對所述第二襯底(1201)進(jìn)行第三光刻和腐蝕工藝，以便在所述第二襯底中形成第二開口(1201a，1201b，1201c)；和將所述第一襯底粘接到所述第二襯底上，使所述第一開口對應(yīng)于相應(yīng)的一個所述第二開口。
17.用于束曝光的掩模的制造方法，包括以下步驟從設(shè)計圖形數(shù)據(jù)(A)中抽取有端圖形數(shù)據(jù)(B)和無端圖形數(shù)據(jù)(C)；在襯底(1801)上形成一層(1802)；使用所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)并用所述層作為腐蝕停止層，對所述襯底進(jìn)行第一光刻和腐蝕工藝，以便在所述襯底中形成開口(1801a，1801b，1801c)；和使用所述有端圖形數(shù)據(jù)，對所述襯底進(jìn)行第二光刻和腐蝕工藝，以便在所述層中形成開口(1801a，1801b)。
18.用于束曝光的掩模的制造方法，包括以下步驟從設(shè)計圖形數(shù)據(jù)(A)中抽取有端圖形數(shù)據(jù)(B)和無端圖形數(shù)據(jù)(C)；使用所述有端圖形數(shù)據(jù)，對襯底(2101)進(jìn)行第一光刻和腐蝕工藝，以便在所述襯底中形成開口(2101a，2101b)；和使用所述無端圖形數(shù)據(jù)，對所述襯底上進(jìn)行第二光刻和腐蝕工藝，以便在所述襯底中形成凹槽(1801a，1801b)。
全文摘要
在用于束曝光的掩模中,提供組合的用于無端圖形(902)的薄膜結(jié)構(gòu)(11,11A,11B)和模版結(jié)構(gòu)(12,12A,12B)。
文檔編號G03F1/20GK1349131SQ01136558
公開日2002年5月15日 申請日期2001年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2000年10月17日
發(fā)明者山田泰久 申請人:日本電氣株式會社