專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示裝置和用于制造所述液晶顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示(LCD)裝置，更具體地說(shuō)，涉及CLD裝置和用于制造所述裝置的方法，其中利用具有層疊結(jié)構(gòu)的電容器補(bǔ)償由于柵互連線和數(shù)據(jù)互連線之間的長(zhǎng)度差而導(dǎo)致的圖像劣化。
背景技術(shù)：
一般地說(shuō)，LCD裝置的模塊按照用于固定驅(qū)動(dòng)IC的方法被分成兩類(lèi)。一類(lèi)被稱(chēng)為“玻璃上芯片”(chip on glass，即COG)型，另一類(lèi)被稱(chēng)為“帶自動(dòng)連接”(TAB)型。
在COG型中，驅(qū)動(dòng)IC被直接安裝在LCD屏的柵區(qū)域和數(shù)據(jù)區(qū)域，使得電信號(hào)被傳輸?shù)絃CD屏。此時(shí)，一般使用各向異性的導(dǎo)電膜(ACF)把驅(qū)動(dòng)IC固定到液晶顯示屏上。
在TAB型中，其上安裝有驅(qū)動(dòng)IC的“帶載體封裝”(TCP)被連接到液晶顯示屏和PCB上。在TCP被連接到液晶顯示屏的情況下，考慮到玻璃和金屬的特定的材料特性，并且考慮到相應(yīng)于0.2mm或更小的間距是非常復(fù)雜的，使用各向異性導(dǎo)電膜代替引線。在另一方面，當(dāng)TCP被連接到PCB的情況下，則使用引線。不過(guò)，關(guān)于后一種情況，預(yù)計(jì)在將來(lái)按照愈加復(fù)雜的間距的趨勢(shì)，將使用ACF。
下面參照


相關(guān)技術(shù)的LCD裝置。
圖1是相關(guān)技術(shù)的使用TAB型的TFT-LCD模塊的示意圖。
如圖1所示，LCD裝置包括相互交叉的用于限定一個(gè)象素區(qū)域的多個(gè)數(shù)據(jù)線和柵線；在交點(diǎn)部分包括TFT的第一襯底11；其上形成有彩色過(guò)濾層和公共電極的第二襯底12；在第一襯底和第二襯底之間注入的LCD13；以及被分別連接在第一和第二襯底11和12的外側(cè)從而形成LCD屏的平面狀的平板14。其上堆疊有控制或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC17的TCP16通過(guò)ACF15與第一襯底11的每個(gè)導(dǎo)線相連，使得信號(hào)被提供給第一襯底11的柵線或數(shù)據(jù)線。其中未說(shuō)明的部分是PCB18。
下面說(shuō)明和TCP的驅(qū)動(dòng)IC以及TFT-LCD屏相連的互連線部分。
圖2表示互連線部分的平面圖，其上連接有相關(guān)技術(shù)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC和TFT-LCD的數(shù)據(jù)線，圖3詳細(xì)表示相關(guān)技術(shù)的互連線部分。
在屏內(nèi)的每個(gè)數(shù)據(jù)線的寬度一般大于和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC相連的TAB焊盤(pán)的寬度。
因而，互連線部分包括沿一個(gè)方向具有恒定間隔的和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC相連的直線部分20；用于連接直線部分20和每個(gè)數(shù)據(jù)線22的彎曲部分21。
然而，在相關(guān)技術(shù)的LCD裝置中，因?yàn)樵谄羶?nèi)的每個(gè)數(shù)據(jù)線的寬度一般大于和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC相連的TAB焊盤(pán)的寬度，所以在驅(qū)動(dòng)IC的中心部分和外部之間形成的互連線之間產(chǎn)生線路長(zhǎng)度的差異。
這樣，由于互連線的不同的線路長(zhǎng)度，導(dǎo)致在各個(gè)互連線之間的電阻差異以及在互連線的公共電極和襯底之間的電容差異，從而產(chǎn)生不均勻的圖像。
本發(fā)明的內(nèi)容因而，本發(fā)明旨在提供一種LCD裝置和用于制造所述LCD裝置的方法，其基本上消除了由于相關(guān)技術(shù)的限制或缺點(diǎn)而造成的一個(gè)或幾個(gè)問(wèn)題。
本發(fā)明的目的在于提供一種LCD裝置和用于制造所述LCD裝置的方法，其補(bǔ)償由于在互連線之間的線路長(zhǎng)度的不同而導(dǎo)致的電容(靜電電容)的不同。
本發(fā)明的附加的優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將在下面的說(shuō)明中部分地提出，其中的一部分對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員是明顯的，或者可以從本發(fā)明的實(shí)施中得知。本發(fā)明的這些目的和其它的優(yōu)點(diǎn)通過(guò)在本說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中具體提出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。
為實(shí)現(xiàn)這些目的和其它的優(yōu)點(diǎn)并且按照本發(fā)明的目的，如同其中所包括的和廣義說(shuō)明的，一種具有用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的互連線部分的LCD裝置包括襯底；以及被形成在所述互連線部分的襯底上的多個(gè)互連線，所述互連線的中心部分的寬度大于外周部分的寬度。
其中，各個(gè)互連線包括和驅(qū)動(dòng)IC相連的第一直線部分；和LCD屏的柵線或數(shù)據(jù)線相連的第二直線部分；以及用于連接第一直線部分和第二直線部分的彎曲部分。在這種情況下，最好是，各個(gè)互連線只在所述第一直線部分和第二直線部分被較粗地形成。
在本發(fā)明的另一方面，一種LCD裝置包括用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的多個(gè)互連線部分；以及在各個(gè)互連線之間形成的用于和各個(gè)互連線相連的多個(gè)補(bǔ)充導(dǎo)電圖形。
其中所述補(bǔ)充導(dǎo)電圖形由和柵線或數(shù)據(jù)線的材料相同的材料制成。
和所述互連線相連的補(bǔ)充導(dǎo)電圖形的中心部分比外周部分具有較大的尺寸。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，一種具有用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的互連線部分的LCD裝置包括襯底；在互連線部分的襯底上形成的在中心部分具有比周邊部分較寬的區(qū)域的導(dǎo)電層；在包括所述導(dǎo)電層的整個(gè)襯底上形成的絕緣膜；以及被設(shè)置為與在所述絕緣膜上的導(dǎo)電層沿一個(gè)方向重疊的多個(gè)互連線。
其中，在所述多個(gè)互連線和所述導(dǎo)電層之間形成電容器，并且在所述多個(gè)互連線和所述導(dǎo)電層之間的電容從外周邊部分向中心部分逐漸增加。
最好是，在所述導(dǎo)電層上施加用于阻止靜電的電壓。
最好是，在所述導(dǎo)電層上施加一個(gè)公共電壓。
所述導(dǎo)電層最好由摻有雜質(zhì)的半導(dǎo)體層構(gòu)成。
所述導(dǎo)電層的形狀最好是三角形，使得和所述導(dǎo)電層重疊的中心部分的寬度大于在外周邊部分的寬度。
所述絕緣膜最好是由柵絕緣膜和層間絕緣膜構(gòu)成的的雙重結(jié)構(gòu)。
最好是，還包括和各個(gè)互連線電氣相連的多個(gè)補(bǔ)充線。
所述多個(gè)補(bǔ)充線最好由和所述互連線的材料相同的材料制成。
所述互連線最好是數(shù)據(jù)互連線。
所述導(dǎo)電層最好由和柵線相同的材料制成。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，具有用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的互連線部分的LCD裝置包括襯底；沿一個(gè)方向被設(shè)置在所述襯底上的多個(gè)互連線；被形成在包括所述多個(gè)互連線的襯底的整個(gè)表面上的絕緣膜；以及被形成在互連線的襯底上的且具有中心部分比外周邊部分較寬的區(qū)域的導(dǎo)電層。
一種用于制造LCD裝置的方法，所述LCD裝置具有用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的數(shù)據(jù)互連線部分；和單元陣列部分，其中和多個(gè)數(shù)據(jù)線交叉的多個(gè)柵線被設(shè)置用于限定一個(gè)象素區(qū)域，并且TFT被形成在交叉區(qū)域，所述方法包括以下步驟在其中形成有單元陣列部分的各個(gè)TFT的區(qū)域中形成島形的第一有源層，并在襯底上形成第二有源層，使得數(shù)據(jù)互連線部分在中心部分具有比在外周邊部分較寬的區(qū)域；在包括所述第一和第二有源層的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜；在第一有源層上以恒定間隔沿一個(gè)方向形成多個(gè)柵線，從而形成柵極；通過(guò)使用所述柵極作為掩模進(jìn)行的雜質(zhì)離子植入在第一有源層中形成源極/漏極區(qū)域，并在第二有源層中形成導(dǎo)電層；在源極/漏極區(qū)域的整個(gè)表面上形成層間絕緣膜，用于形成接觸孔；并形成多個(gè)數(shù)據(jù)線和互連線，所述數(shù)據(jù)線和源極/漏極區(qū)域相連，并和所述柵線垂直地被形成，使得所述互連線和第二有源層之間的電容從外周邊部分朝向中心部分逐漸增大。
其中，最好是還包括形成和數(shù)據(jù)互連線的材料相同的材料的多個(gè)補(bǔ)充線，使得所述補(bǔ)充線和各個(gè)數(shù)據(jù)互連線電氣相連。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，一種用于制造LCD裝置的方法，所述LCD裝置具有用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的數(shù)據(jù)互連線部分；和單元陣列部分，其中和多個(gè)數(shù)據(jù)線交叉的多個(gè)柵線被設(shè)置用于限定一個(gè)象素區(qū)域，并且TFT被形成在交叉區(qū)域，所述方法包括以下步驟在形成有TFT的區(qū)域中形成具有柵極的多個(gè)柵線，并且同時(shí)形成柵金屬圖形層，其在中心部分具有比外周邊部分較寬的區(qū)域；在包括柵線和柵金屬圖形層的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜；在形成有各個(gè)TFT的區(qū)域中形成島形的有源層；并形成和所述柵線垂直的多個(gè)數(shù)據(jù)線和互連線，使得源極/漏極被形成在有源層的兩側(cè)，并且和柵金屬圖形層間的電容從外周邊部分向中心部分逐漸增加。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，一種用于制造LCD裝置的方法，所述LCD裝置具有用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的數(shù)據(jù)互連線部分；和單元陣列部分，其中和多個(gè)數(shù)據(jù)線交叉的多個(gè)柵線被設(shè)置用于限定一個(gè)象素區(qū)域，并且TFT被形成在交叉區(qū)域，所述方法包括以下步驟在形成有TFT的區(qū)域中形成有源層；在襯底的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成多個(gè)柵線，并在數(shù)據(jù)互連線部分形成柵金屬圖形層，使得在所述有源層的上方形成柵極，并且所述控制金屬圖形的中心部分的寬度大于外周邊部分的寬度；通過(guò)使用所述柵極作為掩模在所述有源層中形成雜質(zhì)區(qū)域，并且在包括柵線和柵金屬圖形層的整個(gè)表面上形成層間絕緣膜，從而在雜質(zhì)區(qū)域中形成接觸孔；并且和柵線垂直地形成多個(gè)數(shù)據(jù)線和互連線，使得源極/漏極通過(guò)所述接觸孔和所述雜質(zhì)區(qū)域相連，并且和柵金屬圖形層之間的電容從外周邊部分朝向中心部分逐漸增大。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，一種用于制造LCD裝置的方法，所述LCD裝置具有用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的數(shù)據(jù)互連線部分；和單元陣列部分，其中和多個(gè)數(shù)據(jù)線交叉的多個(gè)柵線被設(shè)置用于限定一個(gè)象素區(qū)域，并且TFT被形成在交叉區(qū)域，所述方法包括以下步驟在形成有TFT的區(qū)域中形成有源層；在所述有源層的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成多個(gè)柵線和柵互連線，從而在所述有源層上形成柵極；通過(guò)使用所述柵極作為掩模在所述有源層中形成雜質(zhì)區(qū)域，并且在包括柵線和柵互連線的整個(gè)表面上形成層間絕緣膜，從而在雜質(zhì)區(qū)域中形成接觸孔；并且形成和柵線垂直的多個(gè)數(shù)據(jù)線，使得源極/漏極通過(guò)所述接觸孔和所述雜質(zhì)區(qū)域相連，并同時(shí)形成和柵互連線重疊的數(shù)據(jù)金屬圖形層，使得數(shù)據(jù)金屬圖形層中心部分的寬度大于外周邊部分的寬度。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，一種用于制造LCD裝置的方法，所述LCD裝置具有用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的柵互連線部分；和單元陣列部分，其中和多個(gè)數(shù)據(jù)線交叉的多個(gè)柵線被設(shè)置用于限定一個(gè)象素區(qū)域，并且TFT被形成在交叉區(qū)域，所述方法包括以下步驟在形成有TFT的區(qū)域中形成具有柵極的多個(gè)柵線和柵互連線；在包括柵線和柵互連線的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜；在形成有各個(gè)TFT的區(qū)域中形成島形的有源層；在所述有源層的兩側(cè)形成和所述柵線垂直的多個(gè)數(shù)據(jù)線，從而形成源極/漏極，并且同時(shí)形成和柵互連線重疊的數(shù)據(jù)金屬圖形層，使得數(shù)據(jù)金屬圖形層的中心部分的寬度大于外周邊部分的寬度。
應(yīng)當(dāng)理解，上面的一般性說(shuō)明和下面的詳細(xì)說(shuō)明只是一些示例的例子，旨在提供如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明。

這里包括的附圖用于幫助理解本發(fā)明，并且作為本申請(qǐng)的一部分，用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例，其和說(shuō)明書(shū)一道，用于說(shuō)明本發(fā)明的原理，其中圖1是表示相關(guān)技術(shù)的使用TAB型的TFT-LCD模塊的示意圖；圖2表示和相關(guān)技術(shù)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC以及TFT-LCD的數(shù)據(jù)線相連的互連線部分的平面圖；圖3是表示相關(guān)技術(shù)的互連線部分的詳細(xì)示意圖；圖4表示按照本發(fā)明的第1實(shí)施例的LCD裝置的示意圖；圖5表示按照本發(fā)明的第2實(shí)施例的LCD裝置的示意圖；圖6表示按照本發(fā)明的第3實(shí)施例和第6實(shí)施例的LCD裝置的示意圖；圖7A-7C是按照本發(fā)明第3實(shí)施例的LCD裝置的單元陣列部分的TFT的截面圖；圖8A-8C是沿圖6的I-I’取的按照本發(fā)明的第3實(shí)施例的LCD裝置的截面圖；圖9A-9C是按照本發(fā)明第4實(shí)施例的LCD裝置的單元陣列部分的TFT的截面圖；圖10A-10C是沿圖6的I-I’取的按照本發(fā)明的第4實(shí)施例的LCD裝置的截面圖；圖11A-11B是按照本發(fā)明第6實(shí)施例的LCD裝置的單元陣列部分的TFT的截面圖；
圖12A-12B是沿圖6的I-I’取的按照本發(fā)明的第5實(shí)施例的LCD裝置的截面圖；圖13A-13B是按照本發(fā)明第6實(shí)施例的LCD裝置的單元陣列部分的TFT的截面圖；圖14A-14B是沿圖6的I-I’取的按照本發(fā)明的第6實(shí)施例的LCD裝置的截面圖；以及圖15表示按照本發(fā)明的第7實(shí)施例的LCD裝置的示意圖。
本發(fā)明的典型實(shí)施例本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明現(xiàn)在仔細(xì)參看本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其中的一些例子在附圖中說(shuō)明了。在可能時(shí)，在所有附圖中使用相同的標(biāo)號(hào)表示相同或相似的部分。
第1實(shí)施例圖4是按照本發(fā)明的第1實(shí)施例的LCD裝置的示意圖。
如圖4所示，在按照本發(fā)明的第1實(shí)施例的LCD裝置中，在驅(qū)動(dòng)IC41和數(shù)據(jù)線或柵線42之間的互連線部分中的中心部分的短線被加粗了，從而使得在互連線44和上襯底45的公共電極(未示出)之間形成的靜電在中心部分和在外周邊部分中具有相同的容量。
其中，所述互連線部分一般包括和驅(qū)動(dòng)IC相連的開(kāi)始部分；和直線形的柵線或數(shù)據(jù)線相連的結(jié)束部分，以及呈彎曲形狀的其余的中間部分。
應(yīng)用本發(fā)明的其中彎曲部分的線被加粗的第1實(shí)施例使得在驅(qū)動(dòng)IC和TFT-LCD之間具有一個(gè)加寬的寬度。因而，在本發(fā)明中，互連線部分的開(kāi)始部分和結(jié)束部分被加粗時(shí)不加粗開(kāi)始部分，借以保持在驅(qū)動(dòng)IC和TFT-LCD模塊本身之間的寬度。
第2實(shí)施例圖5是按照本發(fā)明的第2實(shí)施例的LCD裝置的示意圖。
在具有增加互連線部分的寬度的限制本發(fā)明的第2實(shí)施例中，如圖5所示，互連線部分52之間，形成和互連線52電氣相連的補(bǔ)充金屬圖形54。其中，補(bǔ)充金屬圖形54用和互連線相同的材料制成，所述互連線是柵線或數(shù)據(jù)線。此外，和互連線相連的補(bǔ)充金屬圖形的中心部分比外周邊部分具有較大的尺寸。
這就是說(shuō)，補(bǔ)充金屬圖形54的中心部分的長(zhǎng)度比外周邊部分較長(zhǎng)，同時(shí)保持相同的寬度。
第3實(shí)施例圖6是按照本發(fā)明的第3或第6實(shí)施例的LCD裝置的示意圖。在本發(fā)明的第3和第6實(shí)施例中，形成三角形的導(dǎo)電層B，使得互連線部分A的中心部分寬于外周邊部分，借以在導(dǎo)電層B和各個(gè)互連線之間形成補(bǔ)償電容器。
這就是說(shuō)，在互連線和導(dǎo)電層之間形成的補(bǔ)償電容器的中心部分比在互連線和導(dǎo)電層之間形成的補(bǔ)償電容器的外周邊部分具有較大的容量。此外，導(dǎo)電層B和一個(gè)用以防止靜電的電壓線或公共電壓線C相連。
下面說(shuō)明按照本發(fā)明的第3實(shí)施例的LCD裝置的結(jié)構(gòu)和用于制造所述LCD裝置的方法。
圖7A-7C是按照本發(fā)明的第3實(shí)施例的LCD裝置的單元陣列部分的TFT的截面圖，圖8A-8C是沿圖6的線I-I’取的按照本發(fā)明第3實(shí)施例的LCD裝置的截面圖。
在本發(fā)明的第3實(shí)施例中，在LCD裝置的單元陣列的TFT被制成頂柵極型多晶硅晶體管的情況下，補(bǔ)償電容器被形成在數(shù)據(jù)互連線部分中。使用所述導(dǎo)電層作為摻雜有雜質(zhì)的半導(dǎo)體層形成補(bǔ)償電容器。
如圖7A，8A所示，半導(dǎo)體層例如緩沖層31和多晶硅被淀積在玻璃襯底30的整個(gè)表面上，然后被選擇地除去，從而在將形成單元陣列部分的TFT的區(qū)域和在互連線處分別形成第一半導(dǎo)體層32和第二半導(dǎo)體層33。然后，在整個(gè)襯底上形成柵絕緣膜34。
如圖7B，8B所示，在整個(gè)表面上淀積金屬層，然后選擇地被除去，從而在第一半導(dǎo)體層32的上方的柵絕緣膜34上形成柵極35。然后，在柵極35的兩側(cè)在第一和第二半導(dǎo)體層的整個(gè)表面上植入雜質(zhì)離子，借以形成雜質(zhì)區(qū)域。此時(shí)，在柵極35的兩側(cè)的第一半導(dǎo)體層32的雜質(zhì)區(qū)域成為源極區(qū)/漏極區(qū)32a，32b，并且第二半導(dǎo)體層33的雜質(zhì)區(qū)域被轉(zhuǎn)換為導(dǎo)電層。
如圖7C，8C所示，在襯底的整個(gè)表面上形成層間絕緣膜36。然后，柵極絕緣膜33和層間絕緣膜36被選擇地除去，從而在第一半導(dǎo)體層32的源極區(qū)/漏極區(qū)32a，32b中形成接觸孔。
接著，在整個(gè)表面上淀積金屬層，然后被選擇地除去，從而形成具有源極/漏極和數(shù)據(jù)互連線的數(shù)據(jù)線。這就是說(shuō)，使數(shù)據(jù)線37的源極37a凸出，并且和源極區(qū)32a電氣相連，并且使漏極37b和漏極區(qū)32b相連。此外，數(shù)據(jù)互連線37c從數(shù)據(jù)線延伸。
然后，在包括數(shù)據(jù)線37和含有源極、漏極37a，37b的數(shù)據(jù)互連線37c的整個(gè)表面上形成鈍化膜38。接著，形成接觸孔，從而露出漏極37a，然后在象素區(qū)域中形成象素電極39。
因而，如圖8C所示，在數(shù)據(jù)互連線和沒(méi)有附加掩模的半導(dǎo)體層33之間形成補(bǔ)償電容器。此外，如圖6所示，在各個(gè)互連線和半導(dǎo)體層之間的補(bǔ)償電容器具有在中心部分比在外周邊部分大的電容器容量。
第4實(shí)施例同時(shí)，在按照本發(fā)明的第4實(shí)施例中，形成三角形的金屬圖形，從而使得數(shù)據(jù)互連線的中心部分比外周邊部分寬，借以在金屬圖形和各個(gè)互連線之間形成補(bǔ)償電容器。而在本發(fā)明的第3實(shí)施例中，形成由摻雜有雜質(zhì)的半導(dǎo)體層構(gòu)成的導(dǎo)電層，在本發(fā)明的第4實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層由控制金屬層構(gòu)成。
下面說(shuō)明按照本發(fā)明第4實(shí)施例的LCD裝置和用于制造所述LCD裝置的方法。
圖9A-9C是按照本發(fā)明第4實(shí)施例的LCD裝置的單元陣列部分的TFT的示意的截面圖，圖10A-10C是沿圖6的線I-I’取的按照本發(fā)明的第4實(shí)施例的LCD裝置的示意的截面圖。
在本發(fā)明的第4實(shí)施例中，在LCD裝置的單元陣列的TFT被制成頂柵極多晶硅晶體管的情況下，形成由控制金屬層而不由半導(dǎo)體層構(gòu)成的補(bǔ)償電容器。
如圖9A，10A所示，半導(dǎo)體層例如緩沖層31和多晶硅被淀積在玻璃襯底30的整個(gè)表面上，然后被選擇地除去，從而在將要形成單元陣列部分的TFT的區(qū)域中形成半導(dǎo)體層32。然后，在襯底的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜34。
如圖9B，10B所示，在整個(gè)表面上淀積金屬層并選擇地除去，使得在互連線部分同時(shí)形成在第一半導(dǎo)體層32的上方的柵絕緣膜34上的柵極35和控制金屬層35a。然后，在柵極35的兩側(cè)的半導(dǎo)體層32中植入雜質(zhì)離子，從而形成雜質(zhì)區(qū)域。在此時(shí)，在柵極35的兩側(cè)的半導(dǎo)體層32的雜質(zhì)區(qū)域成為源極/漏極區(qū)32a，32b。
如圖9C，10C所示，在襯底的整個(gè)表面上形成層間絕緣膜36。然后，選擇地除去柵絕緣膜33和層間絕緣膜36，從而在半導(dǎo)體層32的源極/漏極區(qū)32a，32b中形成接觸孔。
然后淀積金屬層并選擇地除去，從而形成包括源極/漏極的數(shù)據(jù)互連線。這就是說(shuō)，使數(shù)據(jù)線37的源極37a凸出并和源極區(qū)32a電氣相連，并且使漏極37b和漏極區(qū)32b相連。此外，數(shù)據(jù)互連線從數(shù)據(jù)線延伸。
接著，在包括數(shù)據(jù)線37和含有源極、漏極37a，37b的互連線37c的整個(gè)表面上形成鈍化膜38。然后，形成接觸孔，從而露出漏極37b，然后在象素區(qū)域中形成象素電極39。
因而，如圖10C所示，在數(shù)據(jù)互連線和沒(méi)有附加掩模的柵金屬圖形層35a之間形成補(bǔ)償電容器。此外，如圖6所示，在各個(gè)互連線和金屬圖形層之間的補(bǔ)償電容器在中心部分具有比在外周邊部分大的電容器容量。
第5實(shí)施例在本發(fā)明的第5實(shí)施例中，在單元陣列部分的TFT被制成底柵極型無(wú)定形硅TFT的情況下，形成三角形的金屬圖形層，從而數(shù)據(jù)互連線的中心部分寬于外周邊部分，借以在金屬圖形和各個(gè)互連線之間形成補(bǔ)償電容器。
下面說(shuō)明按照本發(fā)明第5實(shí)施例的LCD裝置和用于制造所述LCD裝置的方法。
圖11A和11B是按照本發(fā)明第5實(shí)施例的LCD裝置的單元陣列部分TFT的示意的截面圖，圖12A-12B是沿圖6的線I-I’取的按照本發(fā)明的第5實(shí)施例的LCD裝置的示意的截面圖。
在本發(fā)明的第5實(shí)施例中，在LCD裝置的單元陣列部分的TFT被制成無(wú)定形硅晶體管的情況下，形成由控制金屬層構(gòu)成的導(dǎo)電層，從而形成補(bǔ)償電容器。
如圖11A，12A所示，金屬層被淀積在玻璃襯底30的整個(gè)表面上，然后被選擇地除去，從而在單元陣列部分中形成柵極35，同時(shí)在互連線部分中形成柵金屬圖形層35a。然后，在整個(gè)表面上形成柵絕緣膜34，并在柵極35上方的絕緣膜34上形成半導(dǎo)體層32。
如圖11B，12B所示，淀積金屬層并選擇地除去，使得形成數(shù)據(jù)線37和包括源極/漏極37a，37b的數(shù)據(jù)互連線37c。這就是說(shuō)，使數(shù)據(jù)線37的源極37a凸出，并且在源極37a的相對(duì)側(cè)形成漏極37b。此外，數(shù)據(jù)互連線從數(shù)據(jù)線延伸。
接著，在包括數(shù)據(jù)線37和含有源極/漏極37a，37b的數(shù)據(jù)互連線37c的整個(gè)表面上形成鈍化膜38。接著，形成接觸孔，從而露出漏極37b，然后在象素區(qū)域中形成象素電極39。
因而，如圖12B所示，在數(shù)據(jù)互連線和沒(méi)有附加掩模的柵金屬圖形層35a之間形成補(bǔ)償電容器。此外，如圖6所示，在各個(gè)互連線和金屬圖形層之間的補(bǔ)償電容器在中心部分具有比在外周邊部分大的電容器容量。
第6實(shí)施例如上所述，在本發(fā)明的第6實(shí)施例中，在柵互連線部分形成具有中心部分比外周邊部分較寬的區(qū)域的三角形形狀的導(dǎo)電層，借以在導(dǎo)電層和各個(gè)互連線之間形成補(bǔ)償電容器。在本發(fā)明的第6實(shí)施例中，形成由用于形成數(shù)據(jù)線的金屬制成的導(dǎo)電層。
下面說(shuō)明按照本發(fā)明第6實(shí)施例的LCD裝置和用于制造所述LCD裝置的方法。
圖13A和13B是按照本發(fā)明第6實(shí)施例的LCD裝置的單元陣列部分TFT的示意的截面圖，圖14A-14B是沿圖6的線I-I’取的按照本發(fā)明的第6實(shí)施例的LCD裝置的示意的截面圖。
在本發(fā)明的第6實(shí)施例中，在LCD裝置的單元陣列的TFT是頂柵極型或底柵極型的情況下，形成由數(shù)據(jù)線金屬層構(gòu)成的補(bǔ)償電容器。此處，將說(shuō)明底柵極型TFT的情況，將省略形成頂柵極型TFT的情況，因?yàn)槠淇梢詮谋景l(fā)明的第6實(shí)施例或第4和第5實(shí)施例的組合導(dǎo)出。
如圖13A，14A所示，在玻璃襯底30的整個(gè)表面上淀積金屬層然后被選擇地除去，使得在單元陣列部分中形成柵極35，在互連線部分中形成柵互連線35b。然后，在整個(gè)表面上形成絕緣膜34，并在柵極35上方的柵絕緣膜34上形成半導(dǎo)體層32。
如圖13B，14B所示，在整個(gè)表面上淀積金屬層并被選擇地除去，使得在半導(dǎo)體層32的兩側(cè)形成數(shù)據(jù)線37和源極/漏極37a，37b，并在互連線部分形成數(shù)據(jù)金屬圖形37d。這就是說(shuō)，使數(shù)據(jù)線37的源極37a凸出，并且在源極37a的相對(duì)側(cè)形成漏極37b。此外，使數(shù)據(jù)金屬圖形37d和柵互連線重疊。
接著，在包括數(shù)據(jù)線37和含有源極/漏極37a，37b的數(shù)據(jù)互連線部分37c的整個(gè)表面上形成鈍化膜38。然后，形成接觸孔，從而露出漏極37b，然后在象素區(qū)域中形成象素電極39。
因而，如圖14B所示，在柵互連線和沒(méi)有附加掩模的金屬圖形層37d之間形成補(bǔ)償電容器。此外，如圖6所示，在各個(gè)互連線和金屬圖形層之間的補(bǔ)償電容器在中心部分具有比在外周邊部分大的電容器容量。
第7實(shí)施例在本發(fā)明的第7實(shí)施例中，在互連線(柵互連線或數(shù)據(jù)互連線)之間形成附加的金屬圖形。
在圖6中，因?yàn)榇嬖诨ミB線之間的寬度的限制，所以在互連線之間形成補(bǔ)充金屬圖形。由和各個(gè)互連線的材料相同的材料制成的所述補(bǔ)充金屬圖形和各個(gè)互連線電氣相連，從而更可靠地補(bǔ)償電容。
圖15是按照本發(fā)明的LCD裝置的示意圖。
在本發(fā)明的第7實(shí)施例中，在柵互連線35b之間或在數(shù)據(jù)互連線37c之間形成由和柵互連線35b以及數(shù)據(jù)互連線37c相同的材料制成的補(bǔ)充金屬圖形(補(bǔ)充線)35c或37e。各個(gè)補(bǔ)充金屬圖形35c或37e和附近的互連線35b或37c電氣相連，并被形成具有相同的面積。此外，形成在中心部分具有比外周邊部分較寬區(qū)域的三角形的導(dǎo)電層B，從而在導(dǎo)電層B，互連線和補(bǔ)充金屬圖形35c或37e當(dāng)中形成補(bǔ)償電容器。其中，所述導(dǎo)電層利用和本發(fā)明的第3實(shí)施例以及第6實(shí)施例所述的相同的方法制成。
這就是說(shuō)，在互連線、補(bǔ)充金屬圖形和導(dǎo)電層當(dāng)中的中心部分形成的補(bǔ)償電容器比在外周邊部分形成的補(bǔ)償電容器具有較大的容量。
此外，在每個(gè)實(shí)施例中，對(duì)所述導(dǎo)電層施加用于防止靜電的電壓。
按照本發(fā)明的LCD裝置具有以下優(yōu)點(diǎn)。
首先，和相關(guān)技術(shù)不同，在相關(guān)技術(shù)中，由于由每個(gè)互連線的不同的長(zhǎng)度引起的靜電電容不同而產(chǎn)生不均勻的圖像，在本發(fā)明中，所述靜電電容的不同被克服了。為此，互連線的寬度互不相同，或者附加地形成不同尺寸的補(bǔ)充金屬圖形，或者在互連線部分中形成單獨(dú)的導(dǎo)電層，用于補(bǔ)償靜電電容的不同，借以解決不均勻圖像的問(wèn)題。
第二，因?yàn)橄鄳?yīng)于用于形成補(bǔ)償電容器的互連線的導(dǎo)電層由TFT的有源層或由柵極和數(shù)據(jù)電極的材料構(gòu)成，使得不需要形成附加的掩模。
第三，在每個(gè)互連線和導(dǎo)電層之間形成補(bǔ)償電容器，在所述導(dǎo)電層中形成柵絕緣膜或?qū)娱g絕緣膜，從而獲得較大的補(bǔ)償電容。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明作出各種改變和改型。因而，所附的權(quán)利要求旨在包括所有這些改變和改型及其等效物。
權(quán)利要求
1.一種具有用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的互連線部分的LCD裝置，所述LCD裝置包括襯底；以及被形成在所述互連線部分的襯底上的多個(gè)互連線，所述互連線的中心部分的寬度大于外周部分的寬度。
2.如權(quán)利要求1所述的LCD裝置，其特征在于，各個(gè)互連線包括和驅(qū)動(dòng)IC相連的第一直線部分；和LCD屏的柵線或數(shù)據(jù)線相連的第二直線部分；以及用于連接第一直線部分和第二直線部分的彎曲部分。
3.如權(quán)利要求2所述的LCD裝置，其特征在于，各個(gè)互連線只在所述第一直線部分和第二直線部分被較粗地形成。
4.一種LCD裝置，包括用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的多個(gè)互連線部分；以及在各個(gè)互連線之間形成的用于和各個(gè)互連線相連多個(gè)補(bǔ)充導(dǎo)電圖形。
5.如權(quán)利要求4所述的LCD裝置，其特征在于，所述補(bǔ)充導(dǎo)電圖形由和柵線或數(shù)據(jù)線的材料相同的材料制成。
6.如權(quán)利要求4所述的LCD裝置，其特征在于，和所述互連線相連的補(bǔ)充導(dǎo)電圖形的中心部分比外周部分具有較大的尺寸。
7.一種具有用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的互連線部分的LCD裝置，所述LCD裝置包括襯底；在互連線部分的襯底上形成的在中心部分具有比周邊部分較寬的區(qū)域的導(dǎo)電層；在包括所述導(dǎo)電層的整個(gè)襯底上形成的絕緣膜；以及被設(shè)置和所述絕緣膜上的導(dǎo)電層沿一個(gè)方向重疊的多個(gè)互連線。
8.如權(quán)利要求7所述的LCD裝置，其特征在于，在所述多個(gè)互連線和所述導(dǎo)電層之間形成電容器，并且在所述各個(gè)互連線和所述導(dǎo)電層之間的電容從外周邊部分向中心部分逐漸增加。
9.如權(quán)利要求7所述的LCD裝置，其特征在于在所述導(dǎo)電層上施加用于防止靜電的電壓。
10.如權(quán)利要求7所述的LCD裝置，其特征在于，在所述導(dǎo)電層上施加一個(gè)公共電壓。
11.如權(quán)利要求7所述的LCD裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電層由摻有雜質(zhì)的半導(dǎo)體層構(gòu)成。
12.如權(quán)利要求7所述的LCD裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電層被形成三角形的形狀，使得和所述互連線重疊的導(dǎo)電層的外周邊部分比中心部分具有較小的區(qū)域。
13.如權(quán)利要求7所述的LCD裝置，其特征在于，所述絕緣膜是由柵絕緣膜和層間絕緣膜構(gòu)成的雙重結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求7所述的LCD裝置，還包括被形成在各個(gè)互連線之間的用于和各個(gè)互連線電氣相連的多個(gè)補(bǔ)充線。
15.如權(quán)利要求14所述的LCD裝置，其特征在于，所述多個(gè)補(bǔ)充線由和所述互連線的材料相同的材料制成。
16.如權(quán)利要求14所述的LCD裝置，其特征在于，所述多個(gè)補(bǔ)充線彼此具有相同的尺寸。
17.如權(quán)利要求7所述的LCD裝置，其特征在于，所述互連線是數(shù)據(jù)互連線。
18.如權(quán)利要求7所述的LCD裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電層由和柵線相同的材料制成。
19.一種具有用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的互連線部分的LCD裝置，所述LCD裝置包括襯底；沿一個(gè)方向被設(shè)置在所述襯底上的多個(gè)互連線；被形成在包括所述多個(gè)互連線的襯底的整個(gè)表面上的絕緣膜；以及被形成在互連線的襯底上的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層的中心部分具有比外周邊部分較寬的區(qū)域。
20.如權(quán)利要求19所述的LCD裝置，其特征在于，在所述導(dǎo)電層上施加用于防止靜電的電壓。
21.如權(quán)利要求19所述的LCD裝置，其特征在于，在所述導(dǎo)電層上施加一個(gè)公共電壓。
22.如權(quán)利要求19所述的LCD裝置，其特征在于，所述互連線是柵互連線，所述導(dǎo)電層由和數(shù)據(jù)線相同的材料制成。
23.如權(quán)利要求19所述的LCD裝置，還包括和各個(gè)互連線電氣相連的多個(gè)補(bǔ)充線。
24.一種用于制造LCD裝置的方法，所述LCD裝置具有用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的數(shù)據(jù)互連線部分；和單元陣列部分，在所述單元陣列部分中設(shè)置和多個(gè)數(shù)據(jù)線交叉的多個(gè)柵線，用于限定一個(gè)象素區(qū)域，并且在交叉區(qū)域形成TFT，所述方法包括以下步驟在其中形成有單元陣列部分的各個(gè)TFT的區(qū)域中形成島形的第一有源層，并在襯底上形成第二有源層，使得數(shù)據(jù)互連線部分在中心部分具有比外周邊部分較寬的區(qū)域；在包括所述第一和第二有源層的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜；在第一有源層上以恒定間隔沿一個(gè)方向形成多個(gè)柵線，從而形成柵極；通過(guò)使用所述柵極作為掩模進(jìn)行的雜質(zhì)離子植入在第一有源層中形成源極/漏極區(qū)，并在第二有源層中形成導(dǎo)電層；在源極/漏極區(qū)的整個(gè)表面上形成層間絕緣膜，用于形成接觸孔；以及形成多個(gè)數(shù)據(jù)線和互連線，所述數(shù)據(jù)線和源極/漏極區(qū)域相連，并和所述柵線垂直地被形成，使得所述互連線和第二有源層之間的電容從外周邊部分朝向中心部分逐漸增大。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，還包括形成和數(shù)據(jù)互連線的材料相同的材料的多個(gè)補(bǔ)充線的步驟，使得和各個(gè)數(shù)據(jù)互連線電氣相連。
26.一種用于制造LCD裝置的方法，所述LCD裝置具有用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的數(shù)據(jù)互連線部分；和單元陣列部分，其中和多個(gè)數(shù)據(jù)線交叉的多個(gè)柵線被設(shè)置用于限定一個(gè)象素區(qū)域，并且TFT被形成在交叉區(qū)域，所述方法包括以下步驟在形成有TFT的區(qū)域中形成具有柵極的多個(gè)柵線，并且同時(shí)形成柵金屬圖形層，其中心部分具有比外周邊部分較寬的區(qū)域；在包括柵線和柵金屬圖形層的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜；在形成有各個(gè)TFT的區(qū)域中形成島形的有源層；以及形成和所述柵線垂直的多個(gè)數(shù)據(jù)線和互連線，使得源極/漏極被形成在有源層的兩側(cè)，并且和柵金屬圖形層之間的電容從外周邊部分向中心部分逐漸增加。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，還包括形成和數(shù)據(jù)互連線的材料相同的材料的多個(gè)補(bǔ)充線的步驟，使得和各個(gè)數(shù)據(jù)互連線電氣相連。
28.一種用于制造LCD裝置的方法，所述LCD裝置具有用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的數(shù)據(jù)互連線部分；以及單元陣列部分，其中和多個(gè)數(shù)據(jù)線交叉的多個(gè)柵線被設(shè)置用于限定一個(gè)象素區(qū)域，并且TFT被形成在交叉區(qū)域，所述方法包括以下步驟在形成有TFT的區(qū)域中形成有源層；在襯底的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上在單元陣列部分形成多個(gè)柵線，并在數(shù)據(jù)互連線部分在柵絕緣膜上形成柵金屬圖形層，使得在所述有源層的上方形成柵極，并且所述控制金屬圖形的中心部分的寬度大于外周邊部分的寬度；通過(guò)使用柵極作為掩模在所述有源層中形成雜質(zhì)區(qū)域，并且在包括柵線和柵金屬圖形層的整個(gè)表面上形成層間絕緣膜，從而在雜質(zhì)區(qū)域形成接觸孔；并且和柵線垂直地形成多個(gè)數(shù)據(jù)線和互連線，使得源極/漏極通過(guò)所述接觸孔和所述雜質(zhì)區(qū)域相連，并且和柵金屬圖形層之間的電容從外周邊部分朝向中心部分逐漸增大。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，還包括形成和數(shù)據(jù)互連線的材料相同的材料的多個(gè)補(bǔ)充線的步驟，使得和各個(gè)數(shù)據(jù)互連線電氣相連。
30.一種用于制造LCD裝置的方法，所述LCD裝置具有用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的數(shù)據(jù)互連線部分；和單元陣列部分，其中和多個(gè)數(shù)據(jù)線交叉的多個(gè)柵線被設(shè)置用于限定一個(gè)象素區(qū)域，并且TFT被形成在交叉區(qū)域，所述方法包括以下步驟在形成有TFT的區(qū)域中形成有源層；在所述有源層的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成多個(gè)柵線和柵互連線，從而在所述有源層上形成柵極；通過(guò)使用柵極作為掩模在所述有源層中形成雜質(zhì)區(qū)域，并且在包括柵線和柵互連線的整個(gè)表面上形成層間絕緣膜，從而在雜質(zhì)區(qū)域中形成接觸孔；并且形成和柵線垂直的多個(gè)數(shù)據(jù)線，使得源極/漏極通過(guò)所述接觸孔和所述雜質(zhì)區(qū)域相連，并同時(shí)形成和柵互連線重疊的數(shù)據(jù)金屬圖形層，使得數(shù)據(jù)金屬圖形層中心部分的寬度大于外周邊部分的寬度。
31.如權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，還包括形成和柵互連線的材料相同的材料的多個(gè)補(bǔ)充線的步驟，使得和各個(gè)柵互連線電氣相連。
32.一種用于制造LCD裝置的方法，所述LCD裝置具有用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的柵互連線部分；和單元陣列部分，其中和多個(gè)數(shù)據(jù)線交叉的多個(gè)柵線被設(shè)置用于限定一個(gè)象素區(qū)域，并且TFT被形成在交叉區(qū)域，所述方法包括以下步驟在形成有TFT的區(qū)域中形成具有柵極的多個(gè)柵線和柵互連線；在包括柵線和柵互連線的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜；在形成有各個(gè)TFT的區(qū)域中形成島形的有源層；在所述有源層的兩側(cè)形成和所述柵線垂直的多個(gè)數(shù)據(jù)線，從而形成源極/漏極，并且同時(shí)形成和柵互連線重疊的數(shù)據(jù)金屬圖形層，使得數(shù)據(jù)金屬圖形層的中心部分的寬度大于外周邊部分的寬度。
33.如權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，還包括形成和柵互連線的材料相同的材料的多個(gè)補(bǔ)充線的步驟，以電氣相連到各個(gè)柵互連線。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種液晶顯示(LCD)裝置和用于制造所述液晶顯示裝置的方法,其中由互連線的不同長(zhǎng)度導(dǎo)致的圖像劣化利用具有層疊結(jié)構(gòu)的電容得以補(bǔ)償。為此,形成具有不同厚度的用于從驅(qū)動(dòng)IC向LCD屏提供信號(hào)的互連線部分,或者在互連線部分的襯底上形成導(dǎo)電層,使所述導(dǎo)電層的中心部分的寬度大于外周邊部分的寬度。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK1360296SQ0114039
公開(kāi)日2002年7月24日 申請(qǐng)日期2001年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月21日
發(fā)明者呂柱天, 鄭壎 申請(qǐng)人:Lg.飛利浦Lcd有限公司