專利名稱：衰減極端紫外相移掩模的制造方法
技術(shù)領域：
通常，本發(fā)明涉及集成電路的領域和制造集成電路和掩模(mask)或用來制造這些器件的光柵(reticles)的方法。更具體地，本發(fā)明涉及可同時用于器件基片(substrate)和掩?；挠惭谀?hard mask)生成的光子輔助沉積方法(photon assisted deposition)。
背景技術(shù)：
半導體器件或集成電路(ICs)可能包括上百萬個如晶體管之類的器件。而超大規(guī)模集成(ULSI)電路則可能包括互補金屬氧化物半導體(CMOS)場效應管(FET)。雖然傳統(tǒng)的系統(tǒng)和工藝已有能力將百萬以上的器件放置在一片IC上，但仍然有必要將IC器件上的部件尺寸進一步縮小，因而可以增加一片IC上器件的數(shù)目。
光光刻刻(lithography)使IC關鍵尺寸小型化受到限制。一般而言，所謂的投射式光刻指的是在基片上不同的介質(zhì)上進行圖案轉(zhuǎn)移的過程，它是用在集成電路制造過程中的一種技術(shù)，在該制造過程中，一片硅片(silicon slice)，即晶片，被均勻地鍍上一層輻射感光薄膜和光刻膠。一個曝光源(如激光射線、x射線光子、或電子束)經(jīng)過一個交錯主樣板，即掩?；蚬鈻牛丈湓谶x定的表面區(qū)域，以形成特定的圖案。光刻鍍膜或光刻膠通常是一個輻射感光的薄膜，適于用來接收主體線路圖案的投射影像。一旦影像被投射下來，它就會形成在鍍膜層上且不能磨滅。該投射的影像的形成可以利用負性(negative tone)或正性(positive tone)的光刻膠。
經(jīng)過掩模之后，鍍膜的曝光會使得影像區(qū)域變得選擇性地交叉在一起，如果這些區(qū)域是屬于負性光刻膠，那么經(jīng)過照射之后，被照射的光刻膠在顯影劑中會變得比較不容易被溶解。在正性光刻膠的情況下，經(jīng)過照射之后，被照射的區(qū)域會比薄膜其它區(qū)域更容易溶解，這是因為在薄膜中曝光于影像輻射的聚合物的去保護作用。在利用任何一種性質(zhì)的光刻膠成像之后，比較容易溶解區(qū)域就會在顯影過程當中被去除，在鍍膜中留下比較不容易溶解的聚分子部份形成的圖案中的影像。對兩種光刻膠型態(tài)而言，溶解度的差異必須足夠大，才能在光刻膠鍍膜中形成保真度良好的圖案。
經(jīng)過光刻工藝在光刻膠內(nèi)所形成的圖案會在隨后的等離子體蝕刻中作為掩模來使用，等離子體蝕刻是要將其下的一層或者數(shù)層材料進行蝕刻。等離子體蝕刻工藝是指化學物質(zhì)撞擊表面，然后由晶片表面和等離子體中處于激發(fā)狀態(tài)下的物質(zhì)之間的化學作用過程而將物質(zhì)從層之中去除。如果光刻膠有足夠的抵抗而可以保護其下的層免于被蝕刻，那么光刻膠掩模就可以由等離子體蝕刻工藝而將圖案轉(zhuǎn)移至其下一層。如果光刻膠掩模無法經(jīng)受其下每一層在蝕刻過程中的需求，那么在光刻膠及其將被圖案化的較下層之間在蝕刻時需要一附加的薄硬掩模層。在這種情況下，在其中一種型式蝕刻工藝所使用的光刻膠掩模以對硬掩模進行蝕刻，隨后采用的不同型式的蝕刻工藝將其較下層制作出圖案。最后型式的蝕刻工藝不會破壞硬掩模，而且可以利用該硬掩模以防止想要保留區(qū)域的物質(zhì)被去除，這些想要保留的區(qū)域由光刻膠中的最初的圖案所決定。
投射式光刻對微電子工藝而言是一個功能強大而且基本的工具，當部件尺寸趨向于愈來愈小的時候，光學系統(tǒng)也就達到它的極限，這是因為受到這些系統(tǒng)中光學輻射的波長和光刻膠整體分辨能力的限制。
傳統(tǒng)的光刻技術(shù)常常利用掩?；蚬鈻排c硬掩模的組合，在集成電路制造過程中在不同的層之間轉(zhuǎn)移圖案。硬掩模是集成電路晶片上的一層材料，其可以在等離子體蝕刻過程中保護掩模下面的物質(zhì)不會被化學去除。光柵是一種制作圖案的工具，它包含可被完全轉(zhuǎn)移到整個集成電路晶片的圖案，這是由基片上光刻膠鍍膜被一次或者多次曝光后，將圖案轉(zhuǎn)移至整個集成電路晶片的過程。
硬掩模利用一層比較薄的光刻膠鍍膜，該鍍膜可以允許在光刻膠及其后續(xù)的薄膜中產(chǎn)生較小的尺寸，此處提及的薄膜可以包含在晶片上的半導體器件，這樣就提高了等離子體蝕刻工藝的能力，因此利用硬掩模可以增加制造過程當中的分辨能力。
另一個改善制造能力的方法是改善光柵本身的分辨能力。通常，投射式光刻中所用的光柵具有4x或5x的縮小率，所以降低光柵基片上的最小部件尺寸可以降低晶片表面上的部件尺寸。光柵基片涂覆有多層鍍膜，其應用類似于利用光刻膠掩模的半導體器件制造的方法進行蝕刻，此處所述光刻膠掩模是通過曝光于某種輻射中而制造出來的。通常，這些層不是利用光柵或掩模制造出來，而是利用儲存在計算機中的數(shù)據(jù)庫中的射線掃描之后將掩模寫出來。
有多種先進的技術(shù)可用以形成具有更強大的影像分辨能力的光柵。這些技術(shù)包括相移掩模(PSMs)，在所要形成影像的掩模部件的周圍區(qū)域產(chǎn)生相移，因此會和鄰近圖案的影像產(chǎn)生干涉，在晶片表面上產(chǎn)生一個尺寸更小的部件。又，硬掩?？梢杂脕砀纳乒鈻诺闹圃炷芰?，而改善的程度取決于光柵基片上的薄膜。對某些型式的相移掩模而言，加入硬掩模材質(zhì)本身就可以形成相移位區(qū)域，然而對其它型態(tài)的相移掩模PSMs而言，硬掩模本身可以是一層材料，其可作為一種蝕刻硬掩模和薄膜的材料，其光學性質(zhì)可以使該型式的PSM具有相移的性質(zhì)。
硬掩模通常是利用化學蒸鍍法(Chemical Vapor Deposition，CVD)在一個敷層上沉積一種物質(zhì)而形成。接下來，利用一個光刻膠掩模和各種不同的蝕刻或去除技術(shù)在硬掩模上將圖案蝕刻成形。由于光刻膠厚度和成像系統(tǒng)中光刻膠反應時間的緣故，即使應用硬掩模，傳統(tǒng)系統(tǒng)的分辨能力也會受到限制。因此，就有必要使用一種光子輔助化學蒸鍍法型式的沉積法，其利用激光或同步加速器射線而允許直接在硬掩模層上制造出圖案，而毋需再利用硬掩模光刻膠，同時它們可通過選擇在光子照射的地方增加一層薄的硬掩模，而進一步提高分辨率。
因為使用光刻膠為基材的圖案轉(zhuǎn)移，不論是否使用硬掩模在其下層形成圖案，其所獲得的分辨度都會受到限制，所以就有必要采用非傳統(tǒng)性的光刻技術(shù)形成在IC器件上的圖案。此外，當應用硬掩模制造圖案時，有必要使用替代的方法在集成電路晶片表面上覆蓋一層硬掩模物質(zhì)，或者光柵，這是因為隨后其必須利用光刻膠為基材的掩模工藝而將之蝕刻。此外，也有必要采用一種光子輔助沉積法，其可適用于硬掩模的形成，這是因為該層可以被選擇作為集成電路部件的圖案，此種非光刻膠基材的光刻可以增強分辨能力。

發(fā)明內(nèi)容
所揭示的實施例是有關于一種衰減極端紫外(EUV)相移掩模的制造方法。本方法可以包括在集成電路基片或空白掩模上提供一多層鏡片，在該多層鏡片上提供一層緩沖層，在該緩沖層上提供一種雙元素物質(zhì)層，以及當沉積雙元素物質(zhì)層時，利用光子輔助蒸鍍工藝在集成電路基片或空白掩模上選擇性生長出部件。
另一個揭示的實施例是有關于制造一種衰減極端紫外(EUV)相移掩模的系統(tǒng)，該系統(tǒng)可以包括一個蒸汽室(vapor chamber)，在該蒸汽室內(nèi)散布化學蒸汽的裝置，以及為集成電路基片的選擇部份提供輻射以在雙元素物質(zhì)層上形成部件的裝置，該雙元素物質(zhì)層沉積在一緩沖層上，而該緩沖層沉積在集成電路晶片上的多層鏡片上。
另一個揭示的實施例是有關于在制造衰減相移掩模過程當中，一種用以沉積物質(zhì)的光子輔助蒸鍍法。該方法可以包括在蒸汽室中提供所需要的化學蒸汽，而該蒸汽室內(nèi)有一個集成電路基片，還包括選擇性將激光照射于集成電路基片的部份區(qū)域以在集成電路基片上形成部件。
本領域技術(shù)人員在閱讀下列附圖、詳細說明和權(quán)利要求范圍后，本發(fā)明中其它原則性的特點和優(yōu)點也會變得容易了解。


下面，結(jié)合附圖對本發(fā)明的代表性實施例進行描述，其中相同的標號代表相同的部件。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個代表性實施例的硬掩模形成系統(tǒng)的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個代表性實施例中，一個包含有已被制造出硬掩模的集成電路晶片的上視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所制造的反射EUV衰減相移掩模的一部份的剖面圖；圖4是圖3中反射EUV衰減相移掩模的一部份經(jīng)過一道蝕刻工藝之后的剖面圖；圖5是根據(jù)傳統(tǒng)制造技術(shù)的另一種相移掩模的一部份的剖面圖圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的另一種相移掩模的一部份的剖面圖。
具體實施例方式
參考圖1，其中的硬掩模生成系統(tǒng)10包括一個反應室(chamber)12、一個光源14、一個蒸汽源16、一個集成電路晶片支撐結(jié)構(gòu)18、和一個計算裝置20。反應室12是一個封閉的結(jié)構(gòu)，其在集成電路制造過程中形成結(jié)構(gòu)時，可以用作含有作為反應劑的氣體的真空型反應器。光源14可以是任何能夠產(chǎn)生光線的激光產(chǎn)生裝置，其可以是紫外激光器(UVlaser)或軟x-射線源，其中UVlaser可以是激元(excimer)源或一個波長為266nm的4th諧振的Nd∶YAG激光器，而軟x-射線源則可以位于100nm和1nm之間，或者是一個位于13.4nm的EUV源。
蒸汽源16可以是任何型式的能夠提供蒸汽的蒸汽產(chǎn)生裝置，其是一種對于沉積物質(zhì)可以在基片表面和光發(fā)生既定的反應的CVD蒸汽預報器。在一實施例中，蒸汽物質(zhì)源16為非有機物質(zhì)提供前導化學物質(zhì).比如蒸汽型式的SiO2或Ni，它們是利用蒸汽相位外延沉積或其它型式的化學蒸鍍法以達到沉積的目的。在另一個實施例中，蒸汽源16是其它型式的化學蒸汽源。
集成電路晶片支撐結(jié)構(gòu)18為集成電路晶片22提供支撐作用。在一個實施例中，集成電路晶片支撐結(jié)構(gòu)18可以旋轉(zhuǎn)以方便物質(zhì)在集成電路晶片22上的沉積。在另一個實施例中，集成電路晶片支撐結(jié)構(gòu)可以以不同的方向操作，使硬掩模的制造和其它集成電路的制造步驟更為方便。如同本說明書中所使用的，術(shù)語“晶片”指任何在集成電路制造過程當中所用到的基片或是在此類基片之上的生成層。該基片或生成層可以是導電體的、半導體的、或者是絕緣體的。
計算裝置20可以是一個連接至計算機輔助設計/計算機輔助制造(CAD-CAM)的數(shù)據(jù)庫24上的個人計算機(PC)或者是一個計算機工作站。計算裝置20與光源14連接，使其可以保持通信以提供控制訊號，該控制訊號可以選擇將光源14移動以使激光或輻射照射在希望照射的區(qū)域上。在一個實施例中，計算裝置20是一個工作站或是一個由位于加利福尼亞州的桑尼維爾的Advanced Micro Devices，Inc.(AMD)所制造的微處理器驅(qū)動的計算機。
在操作中，硬掩模生成系統(tǒng)10提供一種無機物質(zhì)的化學蒸汽前導子(chemical vapor precursor)，如來自于蒸汽源16的Al、Ni、W、SiO2、Si3N4、或Al2O3。因此，反應室12中具有化學蒸汽。光源14會提供在反應室12內(nèi)的蒸汽化學物質(zhì)發(fā)生反應所必須的熱或光化學反應。所以蒸汽化學物質(zhì)在集成電路晶片22上有光源14輻射的地方發(fā)生沉積。這樣，根據(jù)光源14移動所產(chǎn)生的圖案以及因照射蒸汽化學物質(zhì)而發(fā)生的反應，沉積會在集成電路晶片22上形成一個硬掩模。
在本發(fā)明的一個實施例中，所使用的方法是將晶片支撐結(jié)構(gòu)18可采用各種方法選擇性移動，而不是移動光源14使激光或輻射射到集成電路晶片22的不同區(qū)域上。在該實施例中，集成電路晶片支撐結(jié)構(gòu)18與計算裝置20連接保持通信以控制其移動。在另一個實施例中，光源14利用一個精確位移器件實現(xiàn)其移動。也可以使用其它的機構(gòu)和裝置選擇性操控光源14。特別是不同的裝置和工具可以讓光源14的移動獲得更大的準確度，以準確地導引光源14上的光線的移動。
更具優(yōu)點的方式為，不用在整個集成電路晶片22的表面上形成一層覆蓋的物質(zhì)，然后又將其圖案蝕刻到硬掩模上，這里所用的方式是硬掩模生成系統(tǒng)10可以利用光照射在集成電路晶片22的表面上，然后和蒸汽狀態(tài)下的化學物質(zhì)發(fā)生反應以使沉積發(fā)生。在另一個實施例中，集成電路晶片22被涂覆上一種輔助化學物質(zhì)，比如有機硅烷(organosilane)(例如，(氨乙基氨甲基，aminoethylaminomethy)，苯乙基三甲氧硅烷(phenethyltrimethoxysilane，PEDA)或4-氯甲基苯基三氯硅烷(CMPTS))，這些化學物質(zhì)可以幫助或者促進光和蒸汽化學物質(zhì)之間的反應。
利用硬掩模生成系統(tǒng)10，電介質(zhì)可以生成并用來當作硬掩模來使用，或者采取另一種方式，即生成金屬線以構(gòu)成內(nèi)接線。輻射源14發(fā)出的光可以被計算裝置20所控制，利用CAD-CAM數(shù)據(jù)庫24制造出任意不同的集成電路圖案。如果金屬線的生成是供一個內(nèi)接層使用，那么在選擇區(qū)域光的第二種應用是形成標柱(post)。隨后，整個晶片被一電介質(zhì)材料覆蓋以相反的順序形成波紋。正常的波紋包括對有洞和溝的絕緣層進行蝕刻，然后在洞和溝上沉積金屬，使得在絕緣層內(nèi)形成內(nèi)接線，其連接這些被蝕刻出洞和溝的層的上層和下層。該過程可以重復與連接集成電路器件的不同區(qū)域所必須建立的層數(shù)相同的次數(shù)。在實施例中，可以有5層甚至更多的層。
在波紋相反的應用中，內(nèi)接線和標柱可以被形成，然后在其上施以氧化物或絕緣物質(zhì)。這樣的動作可以重復多次以形成所有IC所必需的層。Si3N4的薄膜可以沉積在金屬線上作為一條在金屬線的隔線，用以防止擴散到氧化物內(nèi)。
再者，在一個實施例中，除了一個硬掩模就有一層或一個金屬內(nèi)接就有一層外，可以用多重連續(xù)層來建造集成電路晶片22的背面(利用硬掩模生成系統(tǒng)10)。這樣，其具有一些優(yōu)點，即可以多次應用硬掩模生成系統(tǒng)10，使一個單個集成電路晶片在其集成電路制造過程中形成不同的掩模或圖案。
現(xiàn)在參考圖2，其為經(jīng)過光源14的激光照射形成硬掩模結(jié)構(gòu)28之后的集成電路晶片22的頂視圖，硬掩模結(jié)構(gòu)28可以包含材料Al、Ni、W、SiO2、Si3N4、或Al2O3等。硬掩模結(jié)構(gòu)28可以在形成金屬線、標柱、門結(jié)構(gòu)(gate)、或其它集成電路部件時使用，其中包括在集成電路制造工藝的中間步驟所應用的部件。
如上所述，目前仍需推動在各個領域的下一代光刻系統(tǒng)的發(fā)展。其中的一個領域是極端紫外(Extreme Ultra Violet，EUV)系統(tǒng)，該系統(tǒng)應用13.4nm的波長輻射。在一個實施例中，參照圖1和圖2所描述的光子輔助CVD被用來產(chǎn)生一個衰減相移掩模，其應用了Ni和Al的組合作為吸收相移器。
在本發(fā)明的一個實施例中，一種用于EUV光刻的空白掩模型式(其上沒有線路圖案的掩模)，可以是一種由硅晶片構(gòu)成的反射式掩模，在該硅晶片上有一個由硅Si和鉬Mo彼此交迭構(gòu)成的多層膜鏡片。在該多層膜的表面，有一層500厚的SiO2的緩沖層，這層緩沖層可以在制作部件圖案時起到缺陷修復和蝕刻防護的作用。在該緩沖層的上面，部件通常是通過沉積將其圖案制作出來。當掩模上的部件圖案被制作出來后，在沒有部件圖案的區(qū)域上的SiO2層就會被蝕刻去除，然后露出多層膜鏡片的表面。圖3展示一個集成電路的部份區(qū)域30，其包括一基片32、一多層膜鏡片34、一緩沖層36、一鋁層38、和一個硬掩模40。在一個實施例中，硬掩模40是一個利用光子輔助CVD選擇性生長的Ni的硬掩模。多層膜鏡片層34可以利用硅(Si)和鉬(Mo)二者交互錯迭的多層所構(gòu)成。在一個實施例中，多層膜鏡片中總共有40層，每一硅層的厚度為4nm，而每一鉬層的厚度為3nm。此40層使空白掩模對13.4nm波長的EUV輻射有65至70％的反射率。
部份區(qū)域30上的部件可以完全被吸收，而形成一個普通的雙掩模，或者他們可以部份反射而且是180°反相，這樣就會形成一個對該掩模具有一個相移的掩模(對反射而言)。相移掩模(PSM)可以在晶片表面上產(chǎn)生比一個雙掩模更小的關鍵尺寸，這是因為高反射EUV鏡片掩模表面和掩模部件的部份反射性表面二者之間的干涉效應所致。正常的光學PSM掩模都是部份穿透，其在部件上有180°的相位差，而其穿透率在5到15％之間。
在一個實施例中，位于硬掩模40中的Ni和Al層38被用作部份區(qū)域30的部份反射器。在一個實施例中，有SiO2的緩沖層36被移除的鏡片表面的反射率為65％，而相位為180°。在多層膜鏡片層34中硅和鉬所組成的40層的厚度可以是40(angstroms，)的Si和30的Mo。在一個實施例中，這些40層的頂層被一層厚度為100的Si當成一個蓋子覆蓋住。在反射器的區(qū)域，使用500的SiO2緩沖層36)。緩沖層36首先涂覆在整個反射掩模的表面上，但又會被蝕刻而只有被部份反射器所遮住的部件才會留下來。
在一個實施例中，兩個分開的周期用來說明Ni/Al部份反射器(硬掩模40和Al層38)1)Ni和其下有4倍厚度的Al，以及2)Ni和其下有5倍厚度的Al。相對于的掩模鏡片反射率(絕對值是65％)，所選擇厚度的Ni的反射率(其下對應有4倍或5倍厚度的Al)由180°相差的鏡片表面產(chǎn)生相位差(對Ni/Al反射器，其是0度)，和13％到2％的與掩模鏡片反射率相比的相對百分比反射率。
表1列出各實施例中的相對反射率值。利用記載于O.S.Heavens的著作“固態(tài)薄膜的光學特性(Optical Properties of Thin Solid Films)”中4.8節(jié)中的Fresnel系數(shù)和矩陣傳播方法的理論計算方法可計算出此處所示的EUV反射掩模表面上的反射率。
表1

在一個實施例中，為了形成EUV反射鏡片，Al層38是覆蓋在緩沖層36上的敷層，其是利用光子輔助CVD方法直到Al層達到一定厚度一。使用正確的光強度(例如來自于光源14)，完全可以控制Al的厚度，而制成PSM所需要的部件。在該敷層(鋁層38)上，利用光子輔助CVD選擇性生長Ni層(硬掩模40)，形成一個硬掩模，然后在Ni硬掩模之下的Al和SiO2會被蝕刻。Al層38也可以利用物理蒸鍍法(physicalvapor deposition，PVD)或其它方法生成。
圖4展示經(jīng)過蝕刻步驟之后的部份區(qū)域30，該區(qū)域部份的緩沖層36和鋁層38被去除。硬掩模40和鋁層38的厚度不是固定的，SiO2的厚度可為500。在多層膜鏡片層34中，這些硅層的厚度可以是40，而鉬的厚度可以是30。具有優(yōu)點的是，根據(jù)圖1至3所說明的方法產(chǎn)生少于一個最小光刻部件的集成電路部件。
圖5展示了現(xiàn)有另一種相移掩模50，其包括一個光柵基片52和相移部件54。在現(xiàn)有系統(tǒng)中，溝槽是在線路54一側(cè)的光柵基片52內(nèi)經(jīng)過蝕刻而來的。部件54通常是鉻(chrome，Cr)。光柵基片52內(nèi)的溝槽56的位置要使相對光柵基片52的相移為180度。
現(xiàn)有的另一種相移掩模50包括一個不透光層，該層是在相移部件54的內(nèi)部制版。在一個實施例中，相移部件54是鉻。許多如抗反射或其它替代用做不透光層材料的膜層也可以被使用。溝槽56被蝕刻在掩模上Cr部件的一側(cè)，以使該區(qū)間可以產(chǎn)生一個180°的相移。從溝槽56而來的光會和來自相移部件54的另一邊的相同強度的反相(0度)光彼此干涉。由于具有180°的相位差，因此該干涉是破壞性干涉，所以線路的尺寸降低。該信號之所以產(chǎn)生干涉，是因為掩模上的相移部件54足夠小，以至于光被折射，而從溝槽56和相移部件54而來的光被散射，使得每一側(cè)有一個余尾，由于具有180度相差，這些余尾(tail)的光就會和其另一側(cè)的余尾光干涉。
一側(cè)有溝槽而另一側(cè)沒有溝槽的描述是示范性的。目前已有生成掩模的算法，在掩模的其它位置形成有溝槽以產(chǎn)生最好的相移掩模效果。
圖6顯示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的相移掩模的部分60。利用圖l至4中所描述的光子輔助CVD，可以有附加的物質(zhì)沉積在光柵基片62和最新形成的不透光掩模部件64的上面。在一個實施例中，不透光掩模部件64由鉻等不透光物質(zhì)制成。其它沉積在最新的不透光掩模部件64上的附加物質(zhì)形成相移區(qū)域66，該區(qū)域被設置相對光柵基片62有180度的相移。不透光掩模部件64，比如鉻，表示形成掩模上圖案的不透光部件。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，不是蝕刻出溝槽，而是利用光子輔助CVD的方式選擇性在一側(cè)生長如SiO2之類的氧化物，直到生長到需要的厚度，該厚度使得在相移區(qū)域66，即該物質(zhì)生長區(qū)域，和空白掩模區(qū)域(光柵62)，即不被改變區(qū)域，之間的相位差是180度。所需要物質(zhì)的量等于圖5中所描述的傳統(tǒng)方法所需要的被蝕刻的量，這是因為所沉積的是SiO2，而掩模是由熔氧化硅(fused silicon)所制成，而熔氧化硅是SiO2的一種形式。然而，當沉積物質(zhì)時，由于即使在化學成份上沉積層和掩模相類似，但由于沉積物質(zhì)確切的密度不同而導致其光學性質(zhì)不同。
本文參照附圖闡明的實施例，還有前面說明的部份，應該被理解為只是作為范例解釋之用，其它實施例包括例如不同的配置，或不同的激光或輻射光源數(shù)目，以及不同的蒸鍍機構(gòu)等。本發(fā)明不僅限于本文的實施例范圍內(nèi)，而可以擴充至不同的修改、組合、和順序變動等，而這些改變都包含在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種衰減極端紫外(EUV)相移掩模(60)的制造方法，該方法包括提供一個在集成電路基片(32)或空白掩模上的多層膜鏡片(34)；提供一位于多層膜鏡片(34)上的緩沖層(36)；提供一個位于該緩沖層(36)之上的雙元素物質(zhì)層(38、40)；以及當沉積該雙元素物質(zhì)層(38、40)時，利用光子輔助化學蒸鍍工藝在集成電路基片(32)上選擇性生長部件(66)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該雙元素物質(zhì)層(38、40)的頂層(40)是由鎳所組成，而該雙元素物質(zhì)層(38、40)的底層物質(zhì)(38)由鋁所組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該多層膜鏡片(34)由硅和鉬二者交互錯迭的多層所構(gòu)成。
4.一種制造衰減相移掩模(60)過程中沉積物質(zhì)的光子輔助蒸鍍法，該方法包括在一化學蒸汽室(12)中提供一種化學蒸汽，該化學蒸汽室內(nèi)部包含有集成電路基片(32)；以及將激光選擇性照射到集成電路基片(32)的部份區(qū)域，以形成集成電路基片(32)上的部件(66)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4的方法，其特征在于，該雙元素物質(zhì)層(38、40)的部件(66)包含Al及其上的Ni，其厚度使相對反射率處于13％到2％的范圍內(nèi)，其特征在于，Al及其上的Ni所形成的雙元素物質(zhì)層(38、40)的部件(66)的厚度使得相對于未被該部件遮蓋的反射區(qū)域形成180°的相移。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的方法，其特征在于，部件(66)之間的間距小于一個最小光刻部件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的方法，其特征在于，線路(66)是部份反射，并可以提供180°的相移。
8.一種制造衰減極端紫外(EUV)相移掩模(60)的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包含一個蒸汽室(12)；在蒸汽室(12)內(nèi)散布化學蒸汽的裝置；以及向集成電路基片(32)上所選擇區(qū)域提供輻射而生成部件(66)的裝置，該裝置將雙元素物質(zhì)層(38、40)散布在一層緩沖層(36)之上，而該緩沖層又散布在集成電路基片(32)的多層膜鏡片(34)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，多層膜鏡片(34)包含硅(silicon，Si)和鉬(molybdenun，Mo)二者交互錯迭的多層，其中該硅層的厚度為40，而鉬層的厚度為30埃。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，該雙元素物質(zhì)層(38、40)包含Al及其上的Ni，其中Al是利用普通的物理蒸鍍法(physicalvapor deposition，PVD)或光子輔助PVD所沉積出來，而Ni層是利用光子輔助PVD沉積出來。
全文摘要
一種制造衰減極端紫外(EUV)相移掩模(60)的示例性制造方法，其包括在集成電路基片(32)或空白掩模上提供一多層鏡片(34)，在該多層鏡片(34)上提供一層緩沖層(36)，在該緩沖層(36)上提供一種雙元素物質(zhì)層(38，40)，以及當沉積雙元素物質(zhì)層時，利用光子輔助蒸鍍工藝(CVD)在集成電路基片(32)或空白掩模上選擇性生長出部件(66)。
文檔編號G03F1/00GK1483157SQ01821300
公開日2004年3月17日 申請日期2001年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2000年11月17日
發(fā)明者K·甘迪哈里, K 甘迪哈里, B·拉方丹, 降, B·辛格 申請人:先進微裝置公司