專利名稱：一種有源矩陣板及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明屬于光電子技術中的平板顯示領域，它特別涉及有源矩陣技術。
背景技術：
有源矩陣由許多三端子有源器件或二端子有源器件在玻璃基片上以矩陣方式排列而構成，用于大信息容量的彩色液晶顯示器件和有機發(fā)光顯示器件。常用的三端子有源器件是薄膜場效應三極管(簡稱為TFT)。這種元件有輸入端(源極)、輸出端(漏極)和控制端(柵極)等三個端子，通過在玻璃基板上以一定順序淀積金屬薄膜、非晶硅或多晶硅薄膜、氧化物薄膜，通過5至6次金屬和金屬氧化物淀積以及光刻套刻等工藝制作而成。
有源矩陣也可以用薄膜二極管(簡稱為TFD)、多只薄膜二極管組成的背對背二極管串或正反向二極管環(huán)、金屬-氧化物-金屬(以下簡稱為MIM)元件、氧化鋅電阻等具有兩個電氣端子的非線性元件構成。這種器件也要經(jīng)過多次光刻、套刻和淀積過程才能制造出來。
二端子器件制造的有源矩陣具有工藝比較簡單的優(yōu)點而受到重視。作為二端子器件的所構成的有源矩陣例子有1.采用MIM元件所構成的有源矩陣。如中國專利CN96190271、美國專利US5,539,549、5,299,040、5,274,482、5,142,390所公開的制造MIM元件的有源矩陣的方法，在真空電子技術1999年第1期第15頁所報道的制造MIM元件的有源矩陣的方法等。
2.采用背對背二極管制造有源矩陣。如美國專利US4,630,893所公開的采用背對背二極管驅動液晶顯示器的結構與方法；美國專利US4,523,189所公開的采用背對背二極管驅動電致發(fā)光顯示器的結構與方法等；3.在每一像素采用兩只二端子非線性元件(如二極管)制造的有源矩陣。如美國專利US4,731,610所公開的在每一像素采用兩只二端子非線性元件(例如二極管)制造有源矩陣并驅動液晶顯示器的方法。
采用氧化鋅電阻器、正反向二極管環(huán)等二端子元件以及其他二端子元件驅動液晶顯示器的結構、原理與制造方法可見于1992年航空工業(yè)出版社出版的《液晶器件手冊》之中。與有源矩陣有關的材料還可見于北京郵電大學出版社出版的《液晶器件工藝基礎》、2000年由電子科技大學出版社出版的《液晶顯示技術》等公開出版的書籍中。
以上資料介紹了二端子元件所構成的有源矩陣的原理、電路結構、電氣連接方法、電極引出、與液晶顯示材料的匹配要求等。本領域的技術人員應當具備以上資料以及其他公開發(fā)表的與液晶和電致發(fā)光相關的、關于有源矩陣的、完備的背景知識。
為了驅動顯示器的像素，每像素至少有一只有源器件。為了提高顯示單元的開口率，應盡量降低有源器件部分占整個像素面積的比例。像素較小的顯示器開口率一般在80％以上，像素較大的顯示器開口率更高。這就意味著玻璃基板上所淀積的金屬、非晶硅或多晶硅薄膜、氧化物等絕大多數(shù)材料都在光刻工藝中被清洗掉了，既造成環(huán)境污染，又浪費了材料。而且，要在整個大基板(通常對角線達1米以上)上實施光刻工藝，使光刻、套刻的精度在1微米左右，對于設備的要求是非常高的，所以有源矩陣的生產線非常昂貴。例如，一條第5代生產線的設備投入達到50億人民幣，每天向外部排放污水6000噸(這還不包括生產線內可再生的廢水的循環(huán)處理利用)。
無論是三端子有源器件構成的矩陣還是二端子有源器件構成的矩陣，現(xiàn)有的用于驅動顯示器件像素的有源器件、絕緣膜及連線都在基片表面。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種有源矩陣板及其制作方法，該有源矩陣板具有制作工藝簡單、成本低廉、大大降低環(huán)境污染等特點。
本發(fā)明提供的有源矩陣板結構包括聚合物、二端子器件、像素電極、電氣連接，其特征是所述的二端子器件按像素位置或按有源矩陣的要求排列、并埋入聚合物之中，構成二端子器件板；二端子器件的一端在二端子器件板的一面與二端子器件板表面的像素電極連接；二端子器件的另一端在二端子器件板的聚合物之中或在二端子器件板的另一面按有源矩陣的要求作電氣連接，像素電極在二端子器件板的表面。
需要說明的是，本發(fā)明所述像素電極上至少連接一只二端子器件；本發(fā)明所述的二端子器件包括不帶封裝的二端子芯片和帶封裝的二端子元件，也可以是對外具有兩個端子的、具有非線性性質的組合元件、芯片或器件，如MIM元件、二極管，兩只或多只串聯(lián)的二極管等；同一封裝的能被分解、等效成二端子器件組合的多端子器件，也被視為多個二端子器件而落于本發(fā)明的保護范圍中。例如具有3個引出電極、封裝成一體的共陰極二極管對在電氣上可以分解、等效成為兩只分離的二極管而成為兩只二端子器件。
另外，所述的電氣連接可以在聚合物中，所述像素電極在有源矩陣板的表面；所述的電氣連接也可以在有源矩陣板的表面，所述像素電極在有源矩陣板的另一面。
為了提高整個結構的剛度和方便本發(fā)明結構的制造，也可以在有源矩陣板含有電氣連接的一面襯以非金屬板，如玻璃板。
本發(fā)明方法是這樣的先將二端子器件按有源矩陣的要求排列起來，然后在二端子器件之間的空間或空隙里充以聚合物或預聚物，再讓聚合物或預聚物固化，成為二端子器件板；將此二端子器件板兩面整平，例如用磨床或刨床整平，整平以后二端子器件兩端都露出二端子器件板表面，拋光二端子器件板其中一面，以公知的方法和材料(如帶掩模的電子束蒸發(fā)ITO)鍍上像素電極。二端子器件的另一端按有源矩陣的要求可在本工藝的任何階段進行電氣連接，例如排列二端子器件的時候通過焊接連線作電氣連結，或磨平以后采用化學鍍、印刷導電膠等方法作電氣連結。
本發(fā)明的優(yōu)點在于分立的二端子器件可以在小尺寸的基片上加工制造，并用劃片機分開以后經(jīng)封裝以元件方式，或者不封裝直接以芯片方式按像素位置排列起來而制成有源矩陣板，所以只需要在小的面積上制作二端子器件，減低了對設備的要求。同時，采用劃片分割安裝的方法也避免了腐蝕大面積的硅、金屬、以及金屬氧化物的工藝，避免了環(huán)境污染。本結構進一步的優(yōu)點是，二端子元件或芯片包裹于聚合物中，使元件或芯片受到保護，因而有源矩陣的性能更加穩(wěn)定。


為了使本發(fā)明結構比較容易看清楚，以下各圖的二端子器件和導線均以實線繪出。
附圖1、2為本發(fā)明有源矩陣板的結構示意圖，其中附圖1為本發(fā)明有源矩陣板的剖面圖，附圖2為附圖1的俯視示意圖。其中1為聚合物，2為二端子器件，3a和3b分別為二端子器件2的下部和上部引出電極，4為像素電極，5為埋在聚合物內的導線，6為有源矩陣板。
附圖3、4為導線在表面的本發(fā)明有源矩陣板的結構示意圖。附圖3為采用二端子器件所構成的有源矩陣板的結構剖面示意圖，附圖4為附圖3的俯視示意圖。其中1為聚合物，2為二端子器件，3a和3b分別為二端子器件的下部和上部引出電極，4為像素電極，5為導線，6為有源矩陣板。
附圖5、6表示每兩個二端子器件驅動一個像素的有源矩陣板結構示意圖。附圖5為該有源矩陣板結構的剖面示意圖，附圖6為附圖5的俯視示意圖。其中1為聚合物，2為二端子器件，22為封裝成一體的二端子器件，3a和3b分別為二端子器件的下部和上部引出電極，4為像素電極，5為導線，6為有源矩陣板。
附圖7、8、9表示二端子器件的幾種構成方式。其中附圖7為兩只背對背二極管所構成的二端子器件，附圖8為多只二極管所構成的二端子器件，附圖9為兩只晶體三極管構成的二端子器件。
附圖10、11是以二端子芯片構成的本發(fā)明有源矩陣板的實際結構示意圖。附圖10為有源矩陣板的結構剖面示意圖，附圖11為附圖10的俯視示意圖。其中1為聚合物，2為二端子芯片，3a和3b分別為二端子芯片2的下部和上部引出電極，4為像素電極，5為導線，6為有源矩陣板。
附圖12、13為MIM作為二端子元件所構成的有源矩陣板的結構示意圖。其中附圖12為該有源矩陣板的剖面結構示意圖，附圖13為附圖12的俯視圖。其中1為聚合物，2為MIM元件，3a和3b分別為MIM的下部和上部引出電極，4為像素電極，5為金屬制造的導線，6為有源矩陣板。
附圖14、15為每像素使用兩只二極管的有源矩陣板的結構示意圖。其中，附圖14為該結構有源矩陣板的剖面示意圖，附圖15為附圖14的俯視圖。其中1為聚合物，2為二極管，22表示兩只二極管包裝成一體的元件，3a和3b分別為二極管的下部和上部引出電極，4為像素電極，5為導線，6為有源矩陣板。
下面對照附圖詳細介紹本發(fā)明。
如附圖1、2所示，二端子器件2按顯示像素的位置排成矩陣。每一個二端子器件2的其中一個端子通過引出電極3a連接一個像素電極4，像素電極4為多邊形片狀電極，但最好為矩形。像素電極4最好為用金屬或金屬氧化物或它們的復合物制造的薄膜電極。各像素電極之間相互絕緣。二端子器件2的另一個引出電極3b則按有源矩陣的要求，通常按行通過聚合物內的導線5作電氣連接，導線5最好為金屬導線，通常用金屬導線按行與上述二端子器件2的另一個端子3b逐個焊接起來。聚合物1填充于空隙處，形成外形為長方體的、所有的二端子器件2、引出電極3a、3b、導線5均埋入聚合物1之中的有源矩陣板6。當二端子器件引出電極3a或3b很薄的時候，可以將引出電極3a、3b分別與像素電極4和導線5合為一體而分別取消引出電極3a或3b。像素電極4的下表面為平面，最好與有源矩陣板6的下表面盡可能地處于同一平面。導線5從有源矩陣板6的側面或側面附近的適當位置引出，以便與外電路連接。為了提高有源矩陣板對像素的驅動能力，最好不要把像素電極4的外表面埋在聚合物2內，若確實需要在像素電極外表面制造一層非金屬膜(包括聚合物薄膜)以避免金屬直接接觸顯示材料時，這層非金屬膜的厚度也要盡可能薄，不要大于10微米，最好不要大于1微米。
如附圖3、4所示，若干二端子器件2按顯示像素的位置排成矩陣，每一個二端子器件2通過下部的引出電極3a連接一個像素電極4。像素電極4為多邊形片狀電極，最好為金屬或金屬氧化物(如ITO材料)或其復合物制作的矩形薄膜電極。各像素電極之間相互絕緣。二端子器件2的上部端子3b則按有源矩陣的要求，通常按行通過聚合物上部表面的導線5作電氣連接。導線5最好為金屬導線，也可以通過金屬化、塑料化學鍍或絲網(wǎng)印刷而形成的導電線條，并使所述導電線條逐行與二端子器件2上部的端子逐個連接(例如，通過接觸或焊接)起來。當二端子器件引出電極3a或3b很薄的時候，可以將引出電極3a、3b分別與像素電極4和導線5合為一體而分別取消引出電極3a或3b。聚合物1填充于空隙處，形成外形為長方體的有源矩陣板6。導線5在有源矩陣板6的上表面。像素電極4的外表面為平面，與有源矩陣板6的下表面最好盡可能地處于同一平面。為了提高有源矩陣板對像素的驅動能力，最好不要把像素電極4的外表面埋在聚合物2內，若確實需要在像素電極外表面制造一層非金屬膜(包括聚合物薄膜)以避免金屬直接接觸顯示材料時，這層非金屬膜的厚度也要盡可能薄，不要大于10微米，最好不要大于1微米。
附圖5、6為每兩個二端子器件驅動一個像素的結構示意圖。每像素兩個二端子器件2依顯示像素的位置排成矩陣。每像素上的兩個二端子器件2的下部引出電極3a連接到一個共同的像素電極4上。像素電極4為多邊形片狀電極，最好采用金屬或金屬氧化物(如ITO材料)或其復合物制作的矩形薄膜電極。各像素電極之間相互絕緣。二端子器件2的上部引線3b則按有源矩陣的要求以導線5作電氣連接。導線5最好為金屬導線，也可以是通過金屬化、塑料化學鍍或絲網(wǎng)印刷而形成的導電線條，并使所述導電線條逐行與二端子器件2上部的引出電極3b逐個連接(例如，通過接觸或焊接)起來。聚合物1填充于空隙處，形成外形為長方體的有源矩陣板6。導線5可以象附圖1、2所示那樣埋在聚合物中，也可以象附圖5、6所示那樣置于有源矩陣板6的上表面。附圖5、6表示的是將導線5放置在有源矩陣板6上表面的情況。當二端子器件引出電極3a或3b很薄的時候，可以將引出電極3a、3b分別與像素電極4和導線5合為一體而分別取消引出電極3a或3b。像素電極4的外表面為平面，與有源矩陣板6的下表面最好盡可能地處于同一平面。為了提高有源矩陣板對像素的驅動能力，最好不要把像素電極4的外表面埋在聚合物2內，若確實需要在像素電極外表面制造一層非金屬膜(包括聚合物薄膜)以避免金屬直接接觸顯示材料時，這層非金屬膜的厚度也要盡可能薄，不要大于10微米，最好不要大于1微米。
按照附圖5、6所表示的結構，也可以制造多個二端子器件連接到一個像素電極上的結構的有源矩陣板。
按照附圖5虛線所表示的結構，可以將兩個二端子器件包裝為一體，成為雙二端子器件22，再依上述結構制造有源矩陣板。進一步地，這種雙二端子器件22結構中用于附圖5、6的結構時，雙二端子器件22的下面兩個電極可以合并為一個成為假的三端子器件。
同一封裝的多端子的器件只要能被分解、等效成二端子器件的組合，也被視為多個二端子器件而進入如圖1、3、5所示的本發(fā)明的結構之中。按上述結構的原理，還可以將多個二端子器件封裝成一體，再按上述結構制造有源矩陣板。
具體實施例方式
實施例1附圖7、8、9表示以常用的器件構成的二端子器件的實例，其中附圖7為兩只背對背二極管所構成的二端子器件，附圖8為多只二極管構成的二端子器件，附圖9為兩只晶體三極管構成的二端子器件。還可以用其他元器件、芯片按照更復雜的電路構成二端子器件或在單一芯片上按照已知的技術制造二端子芯片，但是只要對外只有兩個電極引線的電路，都作為二端子器件而按照本發(fā)明結構制造有源矩陣。
實施例2附圖10、11為采用芯片實現(xiàn)附圖3、4結構的實例示意圖。
如附圖10、11所示，在玻璃板7上按顯示矩陣的要求預先制作好的導線5。若干二端子芯片2按顯示像素的位置在玻璃板7上的導線5上排成矩陣，二端子芯片2的上部的電極3b與導線5作電氣連接。導線5最好使用金屬。因引出電極3b很薄，引出電極3b可以與導線5融為一體，因而也可以取消引出電極3b。每一個二端子芯片2的下部電極3a連接一個像素電極4。因引出電極3a很薄而且面積比像素電極4小許多，引出電極3a可以與像素電極4融為一體，因而可以取消引出電極3a。像素電極4為多邊形片狀電極，但最好為矩形。像素電極4最好為用金屬或金屬氧化物或它們的復合物制造的薄膜電極。各像素電極之間相互絕緣。聚合物1填充于空隙處，形成外形為長方體的有源矩陣板6。像素電極4的外表面為平面，與有源矩陣板6的下表面最好盡可能地處于同一平面。導線5從有源矩陣板6的側面或其附近的適當位置引出，以便與外電路連接。為了提高有源矩陣板對像素的驅動能力，最好不要把像素電極4的外表面埋在聚合物2內，若確實需要在像素電極外表面制造一層非金屬膜(包括聚合物薄膜)以避免金屬直接接觸顯示材料時，這層非金屬膜的厚度也要盡可能薄，不要大于10微米，最好不要大于1微米。本結構的優(yōu)點在于有源矩陣板襯在玻璃板上而使其剛性得到了加強。
若將上述玻璃板7換成聚合物板，則獲得附圖1、2所示的有源矩陣板的實際結構。
實施例3MIM作為二端子器件所構成的有源矩陣板的實例。
附圖12、13所示為MIM作為二端子器件按附圖1、2的結構所構成的有源矩陣板的實例。MIM元件2按像素的位置排成矩陣。每一個MIM元件2的下部電極3a連接到一個像素電極4上。像素電極4為ITO(氧化銦錫)制造的薄膜電極。各像素電極之間相互絕緣。MIM元件2的另一個電極3b則按有源矩陣的要求，按行通過聚合物內的導線5連接起來。聚合物1則填充于MIM元件2、引出電極3a、3b、導線5a之間的空隙處，形成外形為長方體的、全部的MIM元件2和引出電極3a、3b、導線5a均嵌入聚合物1的有源矩陣板6。像素電極4的外表面與有源矩陣板6的下表面處于同一平面。
若將本例中的導線5置于有源矩陣板6的上表面，而不是埋于聚合物1之中，則成為附圖3、4結構的實施例。
實施例4采用雙二極管的有源矩陣板。
附圖14、15為附圖5、6結構的實施例，其電路原理可參考美國專利US4,731,610。每像素上的一對二極管2為電流導通方向相反的一對二極管，若干對二極管按每像素兩只的依像素位置排成矩陣。每像素上的兩只二極管2的下部電極3a連接到一個共同的像素電極4上。每像素上的兩只二極管2的下部引線3a也可以先連接起來再接到像素電極4上，這在電氣上是等同的。像素電極4為用ITO(氧化銦錫)材料所制造的矩形薄膜電極。各像素電極之間相互絕緣。兩只二極管的上部端子3b則分別按行以導線5作電氣連接。聚合物1填充于空隙處，形成外形為長方體的有源矩陣板6。導線5可以按附圖1、2所示那樣埋在聚合物中，在有源矩陣板6的側面引出，也可以象附圖3、4所示那樣置于有源矩陣板6的上表面。附圖14、15表示的是將導線5放置在有源矩陣板6上表面的情形。像素電極4的外表面為平面，與有源矩陣板6的下表面處于同一平面。
若將本實施例中的每像素上的兩只二極管2包裝成一體，成為雙二極管22，如附圖14、15上的虛線所表示的那樣，則在電路上將雙二極管22可以等效為兩只二極管而仍然為本實施例的結構。
盡管以上附圖所表示的是用于驅動24×24或24×12像素的有源矩陣板的結構，液晶顯示器件領域的普通技術人員很容易將這些結構擴展成為用于驅動更大規(guī)?；蚋∫?guī)模的像素矩陣的有源矩陣板。
實施例5以下以附圖1、2所示的結構為例，說明實現(xiàn)本發(fā)明結構的方法1.按制造有源矩陣板所要求的尺寸制造長方體空腔的陰模模具；2.將二端子元件在模具中以任何公知的方法豎立起來，根據(jù)像素的位置排列成矩陣；3.將預聚物(例如按照配方混合均勻的環(huán)氧樹脂，或制造有機玻璃的預聚物。)傾入模具中，這樣，二端子元件之間的空間或空隙里就會填滿預聚物；4.以公知的方法讓預聚物固化，成為有源矩陣板；5.將此有源矩陣板兩面整平，使得二端子元件兩頭的引出線都露出基板表面；6.將有源矩陣板的下表面拋光，使表面的不平整度小于10微米，最好小于1微米。
7.將已拋光的下表面套上網(wǎng)狀的，網(wǎng)孔按像素位置排列的掩模，然后蒸鍍一層金屬材料的或ITO材料的像素電極。
8.將有源矩陣板的上表面的二端子元件裸露的電極按有源矩陣的要求采用焊接、化學鍍或印刷導電膠等方法制作按要求連線的電極。
9.在有源矩陣板的上表面澆注一層預聚物，并將預聚物固化。
按以上步驟就可以實現(xiàn)本發(fā)明附圖1、2所示的結構。
若取消上述第8步，就可以實現(xiàn)附圖3、4所示的結構。
若本實施例中的第7步的所用的網(wǎng)狀的掩模的網(wǎng)孔放大一倍，使每像素電極包含兩只二端子元件，這樣制造出來的有源矩陣板就具有附圖5、6的結構。
實施例6以下為實現(xiàn)附圖10、11的結構的方法1.按制造有源矩陣板所要求的尺寸制成長方體空腔的陰模模具；2.制造與陰模面積略小的非金屬平板，比如玻璃板；3.在上述非金屬平板上按有源矩陣的要求采用化學鍍或印刷導電膠等方法制作按要求連線的薄膜電極；4.將二端子芯片根據(jù)像素的位置在非金屬平板上的薄膜電極內排列成矩陣，以二端子芯片朝上將非金屬平板放于陰模模具中；5.將預聚物(例如按照配方混合均勻的環(huán)氧樹脂，或制造有機玻璃的預聚物。)傾入模具中，這樣，二端子芯片之間的空間或空隙里就會填滿預聚物；6.以公知的方法讓預聚物固化，成為有源矩陣板；7.將此有源矩陣板的上表面和側面用磨床或刨床整平、拋光，使得二端子芯片的電極露出基板表面，非金屬平板上的薄膜電極漏出有源矩陣板側面；8.將有源矩陣板拋光面套上網(wǎng)狀的，網(wǎng)孔按像素位置排列的掩模，然后蒸鍍一層金屬材料的或ITO材料的像素電極。
若將本實施中的第8步的所用的網(wǎng)狀的掩模的網(wǎng)孔放大一倍，使每像素電極包含兩只二端子器件，這樣制造出來的有源矩陣板就具有附圖5、6的結構。
根據(jù)這里敘述的采用二端子器件制造有源矩陣的方法，本領域的普通技術人員就能夠制造出其他附圖所表示的有源矩陣的結構。
權利要求
1.一種有源矩陣板，包括聚合物、二端子器件、像素電極、電氣連接，其特征是所述的二端子器件按像素位置或按有源矩陣的要求排列、并埋入聚合物之中，構成二端子器件板；二端子器件的一端在二端子器件板的一面與二端子器件板表面的像素電極連接；二端子器件的另一端在二端子器件板的聚合物之中或在二端子器件板的另一面按有源矩陣的要求作電氣連接，像素電極在二端子器件板的表面。
2.如權利要求書1所述的有源矩陣板，其特征在于所述像素電極上至少有一只二端子器件。在聚合物中按所述的每像素至少一只二端子器件或按有源矩陣的要求埋入二端子器件，成為二端子器件板。
3.如權利要求書1所述的有源矩陣板，其特征是所述的二端子器件可以是包括不帶封裝的二端子芯片和帶封裝的二端子元件，也可以是對外具有兩個端子的、具有非線性性質的組合元件、芯片或器件。
4.如權利要求書1所述的有源矩陣板，其特征是所述的二端子器件還包括同一封裝的能被分解、等效成二端子器件組合的多端子器件。
5.如權利要求書1所述的有源矩陣板，其特征是所述的電氣連接可以在聚合物中，所述像素電極在有源矩陣板的表面；所述的電氣連接也可以有源矩陣板的表面，所述像素電極在有源矩陣板的另一面。
6.如權利要求書1或2或3或4或5所述的有源矩陣板，其特征是在有源矩陣板含有電氣連接的一面襯以非金屬板，所述的非金屬板可以是玻璃板。
7.如權利要求書1所述的有源矩陣板，其特征是所述的有源矩陣板的制作方法是采用下面的步驟先將二端子器件按有源矩陣的要求排列起來，然后在二端子器件之間的空間或空隙里充以聚合物或預聚物，讓聚合物或預聚物固化，構成二端子器件板；將此二端子器件板兩面整平，拋光二端子器件板其中一面，并鍍上像素電極；二端子器件的另一端按有源矩陣的要求進行電氣連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有源矩陣板，它是由二端子器件按像素位置或按有源矩陣的要求排列、并埋入聚合物之中，二端子器件的一端與二端子器件板表面的像素電極連接；二端子器件的另一端按有源矩陣的要求作電氣連接，像素電極在二端子器件板的表面。該結構的優(yōu)點是，二端子元件或芯片包裹于聚合物中，使元件或芯片受到保護，因而有源矩陣的性能更加穩(wěn)定。該有源矩陣板具有制作工藝簡單、成本低廉、大大降低環(huán)境污染等特點。
文檔編號G02F1/133GK1510464SQ0212807
公開日2004年7月7日 申請日期2002年12月23日 優(yōu)先權日2002年12月23日
發(fā)明者黃子強, 王繼岷, 楊文君 申請人:電子科技大學