專利名稱：多重對準(zhǔn)的標(biāo)記及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體的技術(shù)，特別是有關(guān)于在進(jìn)行多重曝光時的多層疊層對準(zhǔn)的一種多重對準(zhǔn)的標(biāo)記及方法。
背景技術(shù)：
在集成電路(ICs)的應(yīng)用上，目前集成電路制程主要是在晶圓上對導(dǎo)體、半導(dǎo)體、及絕緣材料施以薄膜沉積、微影步驟、及蝕刻、摻雜等技術(shù)，以形成高集積度的電子元件，如晶體管或電容等。然而隨著進(jìn)入極大型集成電路制程(LSI)后，由于尺寸大小(feature size)的縮減(shrink)及制程的繁復(fù)，微影步驟(Photolithography)的解析度(resolution)及重疊準(zhǔn)確率(overlay accuracy)的要求均大為提高，傳統(tǒng)的曝光顯影方式顯已不符所需。
其中薄膜沉積，即是將上述各材料分層沉積于待制晶圓(wafer)表面，而微影制程則是復(fù)制所欲形成的元件或電路圖案，并通過蝕刻步驟，將該些圖案轉(zhuǎn)移至待制晶圓表面各層以形成半導(dǎo)體元件如晶體管或電容等。
而由于一般微影制程必須先在待制晶圓表面涂布一層光阻，然后再交與曝光機(jī)臺進(jìn)行曝光動作，接著將當(dāng)層曝光后的圖案以顯影液顯影出來，因此對采用多層內(nèi)連線(multi-level interconnects)的立體架構(gòu)下的半導(dǎo)體裝置而言，便必須以疊層對準(zhǔn)(overlay)的方式來重復(fù)進(jìn)行微影制程。
其中在疊層對準(zhǔn)的過程中必須確保當(dāng)層(current layer)和前層(previous layer)的對準(zhǔn)值在一容許范圍內(nèi)。舉例而言，半導(dǎo)體裝置的每一層次皆有其專屬光罩，因此每一光罩在設(shè)計時必須有當(dāng)層可供對準(zhǔn)測量的圖案與可供后層對準(zhǔn)測量的目標(biāo)(target)，通常作為對準(zhǔn)檢查用圖案被設(shè)置于晶圓的切割道上，外框(outer frame)被稱為前層，代表前層所留下的被對準(zhǔn)用的圖案，內(nèi)框則為當(dāng)層所定義下來的圖案，二者互相疊對以進(jìn)行對準(zhǔn)檢查。一般而言，重疊錯誤(overlay error)較容易發(fā)生在對準(zhǔn)和曝光的步驟，例如在曝光制程中，光罩和晶圓之間的相對位置錯誤，或透鏡的失真或放大倍率錯誤，以及因溫度偏移導(dǎo)致的曝光系統(tǒng)的不穩(wěn)定均是發(fā)生重疊錯誤的主因。
此外，當(dāng)光學(xué)步進(jìn)機(jī)(optic stepper)采用光罩-晶圓直接對準(zhǔn)的方式時(in-axis；TTLthrough the lens)，傳統(tǒng)對準(zhǔn)制程是先在光罩上制作一全區(qū)對準(zhǔn)記號，并利用曝光系統(tǒng)的氦-氖雷射(He-Ne laser)來對準(zhǔn)晶圓的記號，以測量晶圓的相對位置，其次再由光學(xué)步進(jìn)機(jī)(optic stepper)以步進(jìn)且重復(fù)(step-and-repeat)的方式曝光，因此在晶圓上通常分成復(fù)數(shù)個待制區(qū)(field)，并以切割道予以分割，在光罩上，則對應(yīng)該待制區(qū)形成所欲的圖案(pattern)，再以區(qū)對區(qū)的方式經(jīng)由透鏡以步進(jìn)且重復(fù)的方式曝光，以將圖案移轉(zhuǎn)至各待制區(qū)。
以下特配合圖示圖1a至1i說明習(xí)知多層疊層對準(zhǔn)的方法。
請參考圖1a，圖1a是習(xí)知的微影制程示意圖。首先，在半導(dǎo)體基底，也就是晶圓10的晶片上形成金屬層，并在金屬層上形成光阻；接著，利用光源曝光，以使第一光罩11上的圖案形成于光阻上；然后，利用顯影液顯影，使光阻形成光罩上的圖案；最后，蝕刻金屬層并移除光阻，即可在晶片上形成與第一光罩11相同的圖案的第一金屬線路層11a；其中，金屬線路層11a上會同時形成有與光罩11上的第一標(biāo)記101及102相互對應(yīng)的第一標(biāo)記111及112。
請參考圖1b，圖1b是習(xí)知的利用第一光罩11形成疊層的俯視圖，疊層即為金屬線路層11a。第一光罩11上具有第一對準(zhǔn)標(biāo)記101及102，分別位于x軸及Y軸上，第一對準(zhǔn)標(biāo)記101及102會與晶圓上的對準(zhǔn)標(biāo)記對應(yīng)，以期能準(zhǔn)確地在晶圓10的晶片上形成與第一光罩11的第一標(biāo)記101及102的圖案對應(yīng)的具有第一標(biāo)記111及122的第一金屬線路層11a。
另外，請參考圖1c，圖1c是以第一光罩11進(jìn)行微影步驟以于晶圓上形成疊層的切面圖。
請參考圖1d，圖1d是習(xí)知的以第二光罩進(jìn)行微影步驟形成疊層的俯視圖。在進(jìn)行第一光罩11的曝光后，接著進(jìn)行第二光罩(未繪示)的曝光，同樣地，第二光罩在X軸及Y軸上各具有一第二對準(zhǔn)標(biāo)記121及122，第二對準(zhǔn)標(biāo)記121及122可在第一金屬線路層11a上準(zhǔn)確形成與第一光罩的圖案對應(yīng)的第二金屬線路層12a。
圖1e是第二光罩所形成的圖案疊放于第一光罩11所形成的圖案的俯視圖。
圖1f是以第二光罩進(jìn)行微影步驟以形成疊層于圖1c所示晶圓的切面圖。
由此類推，以后的各個光罩利用相同的方法來進(jìn)行微影步驟。但是，有時在進(jìn)行完微影制程之后，需先進(jìn)行其他的制程，例如是氧化或熱制程等。進(jìn)行氧化或熱制程時，晶圓會隨著溫度產(chǎn)生變化發(fā)生熱漲冷縮的反應(yīng)，最后導(dǎo)致晶圓的變形；如果晶圓變形，晶圓及隨著圖案形成在金屬線路層上的對準(zhǔn)標(biāo)記亦會跟著變形。如圖1g是圖1f的晶圓變形后的切面圖。由于第一金屬線路層11a及第一金屬線路層12a的變形方向不同，所以第一金屬線路層11a與第一金屬線路層12a的位置會有誤差。
微影制程通常具有多次微影次數(shù)，所以會有多個光罩。但是因為對準(zhǔn)標(biāo)記的位置因為變形而改變了，所以在進(jìn)行第三次的微影制程時，不能與先前所有完成的第一金屬線路層11a及第一金屬線路層12a同時對準(zhǔn)，只好在第一金屬線路層11a與第二金屬線路層12a的中擇一對準(zhǔn)。其中，如果第三次的微影制程所完成的第三金屬線路層13a相對于第一金屬線路層11a較為重要的話，則選擇與第一金屬線路層11a對準(zhǔn)，并形成于第二金屬線路層12a上；如圖1h所示，圖1h是第三疊層對準(zhǔn)第一疊層以形成于第二疊層上的切面圖。
如果第三次的微影制程所完成的第三金屬線路層13a相對于第二金屬線路層12a較為重要的話，則選擇與第二金屬線路層12a對準(zhǔn)，并形成于第二金屬線路層12a上；如圖1i所示，圖1i是第三疊層對準(zhǔn)第二疊層以形成于第二疊層上的切面圖。
然而，其后的微影制程所完成的金屬線路層對每一層都可能相當(dāng)重要，如果不能在每一次執(zhí)行光阻的曝光之前做好各層間的對準(zhǔn)，圖案轉(zhuǎn)移不佳，將導(dǎo)致整個晶片的報廢。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種利用對準(zhǔn)標(biāo)記來進(jìn)行對準(zhǔn)的方法，能在進(jìn)行圖案化步驟時將疊層有效對準(zhǔn)，減少圖案堆疊的誤差。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種多層對準(zhǔn)的方法適用于一具有對準(zhǔn)標(biāo)記的半導(dǎo)體基底，包括下列步驟于該半導(dǎo)體基底上形成一疊層對組，其中該疊層對組具有至少一第一疊層及一第二疊層；于議第一疊層上形成復(fù)數(shù)第一對準(zhǔn)標(biāo)記，該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記等間距平行排列；于該第二疊層上形成復(fù)數(shù)第二對準(zhǔn)標(biāo)記，該尊第二對準(zhǔn)標(biāo)記等間距平行排列；測量該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記及該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記的間距變形量，以計算出該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記及該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記變形后的中心點；及計算該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記及該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記變形后的中心點的平均位置，并以該平均位置作為后續(xù)制程的對準(zhǔn)基點。其中所述第一對準(zhǔn)標(biāo)記與該第二對準(zhǔn)標(biāo)記不重疊。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明再提供一種多層對準(zhǔn)的方法，適用于一具有對準(zhǔn)標(biāo)記的半導(dǎo)體基底，包括下列步驟于該半導(dǎo)體基底上形成一疊層對組，其中該疊層對組具有至少一第一疊層及一第二疊層；于該第一疊層上形成復(fù)數(shù)第一對準(zhǔn)標(biāo)記，該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記等距平行排列；于該第二疊層上形成復(fù)數(shù)第二對準(zhǔn)標(biāo)記，該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記等距平行排列，且該第二疊層形成于該第一疊層之上時，該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記與該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記彼此交錯排列且不重疊；測量該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記及該萼第二對準(zhǔn)標(biāo)記的間距變形量，以計算出該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記及該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記變形后的中心點；及計算該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記及該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記變形后的中心點的平均位置，并以該平均位置作為后續(xù)制程的對準(zhǔn)基點。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明還提供一種多層對準(zhǔn)標(biāo)記，適用于一具有對準(zhǔn)標(biāo)記的半導(dǎo)體基底，包括一疊層對組，該疊層對組具有至少一第一疊層及至少一第二疊層；復(fù)數(shù)第一對準(zhǔn)標(biāo)記，形成于該第一疊層上，其中該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記等距平行排列；及復(fù)數(shù)第二標(biāo)記，形成于該第二疊層上，其該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記等距平行排列，且該第二疊層形成于該第一疊層之上時，該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記與該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記彼此交錯排列且不重疊。


圖1a是習(xí)知的微影步驟示意圖；圖1b是習(xí)知的利用第一光罩形成疊層的俯視圖；圖1c圖是習(xí)知的以第一光罩進(jìn)行微影步驟以于晶圓上形成疊層的切面圖；圖1d是以第二光罩進(jìn)行微影步驟形成疊層于晶圓的俯視圖；圖1e是第二光罩所形成的圖案疊放于第一光罩所形成的圖案的俯視圖；圖1f是以第二光罩進(jìn)行微影步驟以形成疊層于圖1c所示晶圓的切面圖；圖1g是圖1f的晶圓變形后的切面圖；圖1h是第三疊層對準(zhǔn)第一疊層以形成于第二疊層上的切面圖；圖1i是第三疊層對準(zhǔn)第二疊層以形成于第二疊層上的切面圖；圖2a是本發(fā)明的微影示意圖；圖2b是本發(fā)明的利用第一光罩形成疊層的俯視圖；
圖2c是對應(yīng)于圖2b的c-c切線以第一光罩進(jìn)行上述的微影蝕刻步驟形成疊層于晶圓的第一對準(zhǔn)標(biāo)記的切面圖；圖2d是本發(fā)明的利用第二光罩形成疊層的俯視圖；圖2e是本發(fā)明的第二光罩所形成的圖案疊放于第一光罩所形成疊層于晶圓的俯視圖；圖2f是本發(fā)明的對應(yīng)于圖2e的f-f切線的以第二光罩所形成的疊層的第二標(biāo)記疊放于第一光罩所形成的疊層的第一標(biāo)記的切面圖；圖2g是圖2f所示的晶圓變形后的切面圖；圖2h是第三對準(zhǔn)標(biāo)記231對準(zhǔn)變形后第一對準(zhǔn)標(biāo)記211與第二對準(zhǔn)標(biāo)記221的切面圖；圖3是本發(fā)明的一實施例的多層疊層對準(zhǔn)的方法的流程圖；圖4是本發(fā)明的一實施例的多層疊層對準(zhǔn)的方法的流程圖。
具體實施例方式
本發(fā)明提供一種具有對準(zhǔn)標(biāo)記的光罩，如圖2a所示并配合圖2a至圖2i以說明利用本發(fā)明所提供的光罩進(jìn)行多層疊層對準(zhǔn)的方法。
請參考圖2a，是本發(fā)明的微影制程示意圖。首先，在半導(dǎo)體基底，也就是晶圓20的晶片上形成金屬層，并在金屬層上形成光阻；接著，利用光源曝光，以使第一光罩21上的圖案形成于光阻上；然后，利用顯影液顯影使光阻形成光罩上的圖案；最后，蝕刻金屬層并移除光阻，即可在晶片上形成與第一光罩21相同的圖案的第一金屬線路層21a；其中，金屬線路層21a上會同時形成有與光罩21上的第一標(biāo)記201及202相互對應(yīng)的第一標(biāo)記211及212。
請參考圖2b，是本發(fā)明的利用第一光罩形成疊層的俯視圖；其中，疊層即為金屬線路層21a。第一光罩21上具有第一對準(zhǔn)標(biāo)記201及202，分別位于x軸及Y軸上。在上述的微影制程中，第一對準(zhǔn)標(biāo)記201及202會與晶圓上的對準(zhǔn)標(biāo)記對應(yīng)，以期能準(zhǔn)確在晶圓20的晶片上形成與第一光罩21的第一標(biāo)記201及202的圖案對應(yīng)的具有第一標(biāo)記211及212的第一金屬線路層21a。
另外，請參考圖2c，是對應(yīng)于圖2b的c-c切線以第一光罩21進(jìn)行上述的微影蝕刻步驟形成疊層于晶圓20的第一對準(zhǔn)標(biāo)記211的切面圖。為簡化圖示，圖2c中僅繪示出第一對準(zhǔn)標(biāo)記211，并未繪示出第一金屬線路層21a的圖案。
請參考圖2d，是本發(fā)明的利用第二光罩形成疊層的俯視圖；其中，疊層即為金屬線路層22a。在利用第一光罩21進(jìn)行微影及蝕刻制程以形成第一金屬線路層21a之后，接著利用第二光罩(未繪示)進(jìn)行微影蝕刻制程；同樣地，第二光罩在X軸及Y軸上各具有一第二對準(zhǔn)標(biāo)記(未繪示)，第二對準(zhǔn)標(biāo)記可在第一金屬線路層21a上準(zhǔn)確形成與具有第二對準(zhǔn)標(biāo)記的第二光罩的圖案對應(yīng)的具有第二標(biāo)記221及222的第二金屬線路層22a；且當(dāng)?shù)诙饘倬€路層22a形成在第一金屬線路層21a上時，俯視形成有第一金屬線路層21a及第二金屬線路層22a的晶圓20，會發(fā)現(xiàn)第二金屬線路層22a的對準(zhǔn)標(biāo)記221及222分別與第一金屬線路層21a的對準(zhǔn)標(biāo)記211及212彼此交錯排列且不重疊。
圖2e是本發(fā)明的第二光罩22所形成的圖案疊放于第一光罩21所形成的圖案的俯視圖。
圖2f是本發(fā)明的對應(yīng)于圖2e的f-f切線的以第二光罩所形成的疊層的第二標(biāo)記221疊放于第一光罩21所形成的疊層的第一標(biāo)記211的切面圖。為簡化圖示，圖2f中僅繪示出第一對準(zhǔn)標(biāo)記211及第二對準(zhǔn)標(biāo)記221，并未繪示出第一金屬線路層21a及第二金屬線路層22a的圖案。
由此類推，之后的各個光罩利用相同的方法來進(jìn)行微影步驟。但是，有時在進(jìn)行完微影及蝕刻制程之后，需先進(jìn)行其他的制程，例如氧化或熱制程等。進(jìn)行氧化或熱制程時，晶圓會隨著溫度產(chǎn)生變化，發(fā)生熱漲冷縮的反應(yīng)，最后導(dǎo)致晶圓的變形；如果晶圓變形，晶圓及隨著圖案形成在金屬線路層上的對準(zhǔn)標(biāo)記亦會跟著變形。如圖2g是圖2f的晶圓變形后的切面圖。由于第一金屬線路層21a及第二金屬線路層22a的變形方向不同，所以第一金屬線路層21a與第二金屬線路層22a的位置會有誤差。
微影制程通常具有多次微影次數(shù)，所以會有多個光罩，但是因為對準(zhǔn)標(biāo)記的位置因為變形而改變了，所以在進(jìn)行第三次的微影制程時，不能與先前所有完成的第一金屬線路層21a及第二金屬線路層22a同時對準(zhǔn)，因此本發(fā)明分別計算第一對準(zhǔn)標(biāo)記211及第二對準(zhǔn)標(biāo)記221變形后的中心點位置，其中第一對準(zhǔn)標(biāo)記211的中心點位置211a及第二對準(zhǔn)標(biāo)記221的中心點位置221a如圖2g所示；同時，計算中心點位置211a及221a的平均位置231a，231a即為第三金屬線路層(未顯示)上的第三對準(zhǔn)標(biāo)記231的中心點位置231a。
如此一來，第三光罩(未顯示)即可在與第一金屬線路層21a及第二金屬線路層22a對準(zhǔn)的位置進(jìn)行微影步驟，并于第二金屬線路層22a的上方形成第三金屬線路層(未顯示)，如圖2h所示，圖2h是第三對準(zhǔn)標(biāo)記231對準(zhǔn)變形后第一對準(zhǔn)標(biāo)記211與第二對準(zhǔn)標(biāo)記221的切面圖。
為使本發(fā)明更明顯易懂，以下以圖2a-2i為例并配合圖4詳細(xì)說明如下。
請參考圖4，圖4是本發(fā)明的一實施例的多層疊層對準(zhǔn)的方法的流程圖。
步驟401，首先于半導(dǎo)體基底上利用一第一光罩進(jìn)行微影步驟，以形成一具有第一對準(zhǔn)標(biāo)記的第一疊層；其中，半導(dǎo)體基底例如是晶圓，疊層例如是金屬線路層。
步驟402，接著，在第一疊層上利用第二光罩進(jìn)行微影步驟，以在第一疊層上形成一第二疊層，第二疊層具有第二對準(zhǔn)標(biāo)記。其中，俯視形成有第二疊層的第一疊層時，會看到第二對準(zhǔn)標(biāo)記與第一對準(zhǔn)標(biāo)記間隔排列。
步驟403，在進(jìn)行其他的制程之后，半導(dǎo)體基底可能發(fā)生變形，所以分別計算出第一對準(zhǔn)標(biāo)記及第二對準(zhǔn)標(biāo)記在變形后的中心點位置。
步驟404，在分別計算出第一對準(zhǔn)標(biāo)記及第二對準(zhǔn)標(biāo)記在變形后的中心點位置之后，計算兩者變形后中心點位置的平均位置，并進(jìn)行步驟405。
步驟405，以第一對準(zhǔn)標(biāo)記及第二對準(zhǔn)標(biāo)記在變形后中心點位置的平均位置定位下次進(jìn)行微影制程時對準(zhǔn)標(biāo)記的中心點位置；并且如步驟406所示，在第二疊層上形成另一疊層。如此一來，即可讓第二疊層上所形成的新疊層能同時與第一疊層及第二疊層對準(zhǔn)。
本發(fā)明所提供的分別計算出第一對準(zhǔn)標(biāo)記及第二對準(zhǔn)標(biāo)記在變形后的中心點位置，然后計算兩者變形后中心點位置的平均位置的方法，亦可適用于習(xí)知的具有對準(zhǔn)標(biāo)記的光罩所形成的金屬線路層，相關(guān)圖式如圖1a-1e所示；以下更配合圖3做詳細(xì)說明如下。
請參考圖3，圖3是本發(fā)明的另一實施例的多層疊層對準(zhǔn)的方法的流程圖。
步驟301，首先于半導(dǎo)體基底上利用一第一光罩進(jìn)行微影步驟，以形成一具有第一對準(zhǔn)標(biāo)記的第一疊層；其中，半導(dǎo)體基底例如是晶圓，疊層例如是金屬線路層；第一光罩具有至少2個第一對準(zhǔn)標(biāo)記，分別位于光罩的橫軸及縱軸。
步驟302，接著，在第一疊層上利用第二光罩進(jìn)行微影步驟，以在第一疊層上形成一第二疊層，第二疊層具有第二對準(zhǔn)標(biāo)記；其中，第二光罩具有至少2個第二對準(zhǔn)標(biāo)記，分別位于光罩的橫軸及縱軸。
步驟303，在進(jìn)行其他的制程之后，半導(dǎo)體基底可能發(fā)生變形，所以分別計算出位于橫軸及縱軸上的第一對準(zhǔn)標(biāo)記在變形后的中心點位置。
步驟304，接著，分別計算出位于橫軸及縱軸上的第二對準(zhǔn)標(biāo)記在變形后的中心點位置。因為第一對準(zhǔn)標(biāo)記與第二對準(zhǔn)標(biāo)記共具有至少4個對準(zhǔn)標(biāo)記，所以需要進(jìn)行至少4次的計算。
步驟305，在分別計算出位于橫軸及縱軸的第一對準(zhǔn)標(biāo)記及第二對準(zhǔn)標(biāo)記在變形后的中心點位置之后，計算兩者至少4個的變形后中心點位置的平均位置，并進(jìn)行步驟306。
步驟306，以第一對準(zhǔn)標(biāo)記及第二對準(zhǔn)標(biāo)記在變形后中心點位置的平均位置定位下次進(jìn)行微影制程時對準(zhǔn)標(biāo)記的中心點位置，并進(jìn)行步驟307。
步驟307，在第二疊層上形成另一疊層。如此一來即可讓第二疊層上所形成的新疊層能同時與第一疊層及第二疊層對準(zhǔn)。
其方法是不在如圖1h及圖1i所示的自第一金屬線路層11a或第二金屬線路層12a中擇一來對準(zhǔn)，而是如圖3的步驟303及304所示，先各別將第一對準(zhǔn)標(biāo)記111、121及第二對準(zhǔn)標(biāo)記112、122變形后的中心點位置計算出來；接著，進(jìn)行步驟305，將變形后中心點位置的平均位置計算出來；然后，步驟306，在進(jìn)行下一次，例如是第3次的微影制程時，以變形后中心點平均位置作為新的對準(zhǔn)標(biāo)記；最后進(jìn)行步驟307，在對準(zhǔn)新的對準(zhǔn)標(biāo)記位置后進(jìn)行第3次的微影制程，第3次微影制程所形成的第三金屬線路層能同時對準(zhǔn)金屬線路層11a及12a。
因為圖3所示的實施例的金屬線路層11a及12a的對準(zhǔn)標(biāo)記與圖4所示的實施例不同之處，在于金屬線路層1a及12a的對準(zhǔn)標(biāo)記111、112、121及122各自位于橫軸及縱軸的不同位置上，因此需分別進(jìn)行測量及計算，因此，會較本發(fā)明所提供的互相間隔的第一對準(zhǔn)標(biāo)記與第二對準(zhǔn)標(biāo)記的實施例多花費(fèi)一倍時間來進(jìn)行測量及計算。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此項技藝者，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許更動與潤飾，因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種多層對準(zhǔn)的方法，適用于一具有對準(zhǔn)標(biāo)記的半導(dǎo)體基底，其特征是包括下列步驟于該半導(dǎo)體基底上形成一疊層對組，其中該疊層對組具有至少一第一疊層及一第二疊層；于議第一疊層上形成復(fù)數(shù)第一對準(zhǔn)標(biāo)記，該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記等間距平行排列；于該第二疊層上形成復(fù)數(shù)第二對準(zhǔn)標(biāo)記，該尊第二對準(zhǔn)標(biāo)記等間距平行排列；測量該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記及該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記的間距變形量，以計算出該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記及該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記變形后的中心點；及計算該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記及該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記變形后的中心點的平均位置，并以該平均位置作為后續(xù)制程的對準(zhǔn)基點。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征是該第一對準(zhǔn)標(biāo)記與該第二對準(zhǔn)標(biāo)記不重疊。
3.一種多層對準(zhǔn)的方法，適用于一具有對準(zhǔn)標(biāo)記的半導(dǎo)體基底，其特征是包括下列步驟于該半導(dǎo)體基底上形成一疊層對組，其中該疊層對組具有至少一第一疊層及一第二疊層；于該第一疊層上形成復(fù)數(shù)第一對準(zhǔn)標(biāo)記，該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記等距平行排列；于該第二疊層上形成復(fù)數(shù)第二對準(zhǔn)標(biāo)記，該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記等距平行排列，且該第二疊層形成于該第一疊層之上時，該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記與該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記彼此交錯排列且不重疊；測量該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記及該萼第二對準(zhǔn)標(biāo)記的間距變形量，以計算出該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記及該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記變形后的中心點；及計算該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記及該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記變形后的中心點的平均位置，并以該平均位置作為后續(xù)制程的對準(zhǔn)基點。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征是該第一對準(zhǔn)標(biāo)記與該第二對準(zhǔn)標(biāo)記不重疊。
5.一種多層對準(zhǔn)標(biāo)記，適用于一具有對準(zhǔn)標(biāo)記的半導(dǎo)體基底，其特征是包括一疊層對組，該疊層對組具有至少一第一疊層及至少一第二疊層；復(fù)數(shù)第一對準(zhǔn)標(biāo)記，形成于該第一疊層上，其中該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記等距平行排列；及復(fù)數(shù)第二標(biāo)記，形成于該第二疊層上，其該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記等距平行排列，且該第二疊層形成于該第一疊層之上時，該等第二對準(zhǔn)標(biāo)記與該等第一對準(zhǔn)標(biāo)記彼此交錯排列且不重疊。
全文摘要
一種多重對準(zhǔn)的標(biāo)記及方法，適用于一具有對準(zhǔn)標(biāo)記的半導(dǎo)體基底，該方法步驟包括首先，于半導(dǎo)體基底上形成一疊層對組，其中疊層對組具有至少一第一疊層及一第二疊層；接著，于第一疊層上形成復(fù)數(shù)第一對準(zhǔn)標(biāo)記，第一對準(zhǔn)標(biāo)記等距平行排列；于第二疊層上形成復(fù)數(shù)第二對準(zhǔn)標(biāo)記，第二對準(zhǔn)標(biāo)記等距平行排列，且與第一對準(zhǔn)標(biāo)記呈間隔排列；然后，測量第一對準(zhǔn)標(biāo)記及第二對準(zhǔn)標(biāo)記之間距變形量，以計算出第一對準(zhǔn)標(biāo)記及第二對準(zhǔn)標(biāo)記變形后的中心點；且計算第一對準(zhǔn)標(biāo)記及第二對準(zhǔn)標(biāo)記變形后的中心點的平均位置，并以平均位置作為第三對準(zhǔn)標(biāo)記的中心點。
文檔編號G03F7/00GK1503325SQ02149170
公開日2004年6月9日 申請日期2002年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月25日
發(fā)明者陳峰義 申請人:南亞科技股份有限公司