專利名稱：垂直排列模式的液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器，并尤其涉及一種垂直排列模式的液晶顯示器，具有分成多疇的象素區(qū)以獲得較寬的視角。
背景技術(shù)：
典型的液晶顯示器(“LCD”)包括一個設(shè)置有公共電極和濾光片陣列的上基板，一個設(shè)置有多個薄膜晶體管(“TFT”)和多個象素電極的下基板，并且在上下基板之間夾置液晶層。對象素電極和公共電極施加電壓，二者之間的壓差產(chǎn)生電場。電場的變化改變液晶層中液晶分子的取向，并且因而改變光透過液晶層的透過率。結(jié)果，LCD通過調(diào)節(jié)象素電極和公共電極之間的壓差而顯示所需的圖象。
LCD的一個主要缺點在于它有較小的視角，為增大視角已開發(fā)了多項技術(shù)。在這些技術(shù)當中，正在預(yù)期提出這樣的方案，即在沿著相對于上、下基板垂直排列的液晶分子彼此相對的象素電極和公共電極上設(shè)置孔徑圖案或多個凸起。
設(shè)置在象素電極和公共電極上的孔徑圖案通過產(chǎn)生彌散場以調(diào)節(jié)液晶分子的傾斜方向而給出較寬的視角。
提供到象素電極和公共電極上的凸起使電場發(fā)生變形，從而調(diào)節(jié)液晶分子的傾斜方向。
還通過在象素電極上提供孔徑圖案以及在公共電極上提供凸起而實現(xiàn)調(diào)節(jié)液晶分子傾斜方向以形成多疇的彌散場。
這種垂直排列(“VA”)模式的LCD需要高于扭曲向列相(“TN”)模式的LCD的驅(qū)動電壓，在扭曲向列相模式中液晶分子具有扭曲的排列。具體地說，TN模式的LCD所需的模擬驅(qū)動電壓Avdd的大小等于或小于9V，而VA模式的LCD的驅(qū)動電壓Avdd處于10V～13V的范圍。因此，TN模式的LCD可以采用10V的帶載封裝(“TAP”)集成電路(“IC”)作為驅(qū)動IC，而VA模式的LCD被迫使用13V的TAP IC或15V的TAP IP。13V的TAP IC或15V的TAP IC相對于10V的TAP IC的昂貴價格減弱了價格競爭力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于降低垂直排列模式的液晶顯示器的驅(qū)動電壓。
為了實現(xiàn)這一目的，本發(fā)明采用介電各向異性等于或小于-4.0的液晶材料。
具體地說，提供了一種液晶顯示器，該顯示器包括一個第一絕緣襯底；形成在第一絕緣襯底上的多條第一信號線；形成在第一絕緣襯底上并與第一信號線絕緣且交叉的多條第二信號線；形成在由第一信號線和第二信號線的交叉限定的象素區(qū)上的象素電極；連結(jié)到一條第一信號線、一條第二信號線和象素電極的薄膜晶體管；與第一絕緣襯底相對的第二絕緣襯底；形成在第二絕緣襯底上的公共電極；和夾在第一絕緣襯底和第二絕緣襯底之間的液晶材料，其中，在象素電極和公共電極之間不存在電場時，包含在液晶材料中的液晶分子基本上平行于第一和第二襯底排列，并且液晶材料的介電各向異性處于-4.0～-5.5的范圍內(nèi)。
優(yōu)選液晶材料的介電各向異性處于-4.5～-5.0的范圍。
液晶顯示器還可以包括形成在第一絕緣襯底和第二絕緣襯底上的多個疇隔離元件，用于將象素區(qū)分隔成多個疇。疇隔離元件包括設(shè)置在象素電極賞的孔徑圖案與設(shè)置在第二絕緣襯底上的介電凸起的組合，或包括一對設(shè)置在象素電極和公共電極上的孔徑圖案。
由疇隔離元件分隔將疇分類成縱向長疇和橫向長疇，橫向長疇可能占據(jù)比縱向長疇更大的面積。另外，優(yōu)選地，兩個相鄰的第二信號線之間的距離以預(yù)定長度單位周期性地改變，并且與第二信號線相鄰的象素電極的邊緣沿第二信號線彎曲，使得象素電極可以有一個較窄的部分和一個較寬的部分。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的LCD的TFT陣列輪廓圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的LCD設(shè)置在公共電極處的孔徑框圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的LCD的象素電極和公共電極的正視圖；圖4是沿圖3中所示線條IV-IV的截面圖；圖5是依據(jù)液晶材料介電各向異性的電壓-透射率(“V-T”)曲線；圖6是表示作為液晶材料介電各向異性的函數(shù)的電壓V10的曲線；圖7是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的LCD的TFT陣列輪廓圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的LCD設(shè)置在公共電極處的孔徑框圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的LCD的象素電極和公共電極的正視圖；圖10是沿圖9中所示線條X-X’的截面圖。
具體實施例方式
下面參考附圖對根據(jù)本發(fā)明實施例的垂直排列模式的LCD進行描述。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的LCD的TFT陣列輪廓圖，圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的LCD設(shè)置在公共電極處的孔徑框圖，圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的LCD的象素電極和公共電極的正視圖，圖4是沿圖3中所示線條IV-IV的截面圖。
首先參見圖1和4，下面描述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的LCD的TFT陣列板。
在優(yōu)選地由透明玻璃制成的絕緣襯底10上形成沿橫向延伸的多條柵極線20和基本上平行于柵極線20的多條存儲電容線30。從每條柵極線20伸出多個柵電極21，多組第一至第四存儲電極31-34和兩個存儲電極連線35和36從每條存儲電容線30分路并相連。第一存儲電極31直接連結(jié)到存儲電容線30并在縱向延伸，而第二和第三存儲電極32和33連結(jié)到第一存儲電極31并在橫向延伸。第一存儲電極34連結(jié)到第二和第三存儲電極32和33并在縱向延伸。存儲電極連線35和36將第四存儲電極34連結(jié)到相鄰象素的第一存儲電極31。柵極絕緣層40形成在柵極線20和21上以及存儲電容線30-36上，并且在柵極絕緣層40上形成優(yōu)選由非晶硅制成的半導(dǎo)體層50。在半導(dǎo)體層50上形成優(yōu)選由重摻雜有N型雜質(zhì)如P的非晶硅制成的接觸層61和62。在接觸層61和62的各個部分上形成多對源電極71和漏電極72，并且源電極71連結(jié)到在縱向延伸并位于柵極絕緣層40上的多條數(shù)據(jù)線70。在數(shù)據(jù)線70-72上形成一個鈍化層80，該鈍化層80具有多個暴露漏電極72的接觸孔81，并且在鈍化層80上形成多個經(jīng)接觸孔81連結(jié)到漏電極72的象素電極90。象素電極90優(yōu)選地由透明導(dǎo)體材料如氧化銦錫(“ITO”)或氧化銦鋅(“IZO”)制成。
每個象素電極90被分成第一至第三分區(qū)91-93，而這些分區(qū)91-93經(jīng)多條連線94-96彼此連接。第一分區(qū)91具有矩形形狀，帶四個倒角，位于由兩條柵極線20和兩條數(shù)據(jù)線70交叉限定的象素區(qū)的下半部。第一分區(qū)91經(jīng)接觸孔81直接連接到漏極線72。第二和第三每個分區(qū)92和93也具有矩形形狀，帶四個倒角，位于象素區(qū)的上半部。第二分區(qū)92經(jīng)第一和第二連線94和96連接到第一分區(qū)91，第三分區(qū)93經(jīng)第三連線95連接到第二分區(qū)92。此處，第二存儲電極32設(shè)置在第一分區(qū)91和第二分區(qū)92之間，第三存儲電極33設(shè)置在第二分區(qū)92和第三分區(qū)93之間，并且第一和第四存儲電極31和34設(shè)置在象素電極90和數(shù)據(jù)線70之間。第一分區(qū)91平行于數(shù)據(jù)線70的邊緣比平行于柵極線20的邊緣長，而第二及第三分區(qū)92和93平行于數(shù)據(jù)線70的邊緣比平行于柵極線20的邊緣短。第二和第三分區(qū)92和93覆蓋第一和第四存儲電極31和34，而第一分區(qū)91不與它們重疊。存儲電容線30設(shè)置在柵極線20和第三分區(qū)93之間。通常存儲電容線30、存儲電極31-34和存儲連線35和36被施以將施加給濾光片板上公共電極的電壓，后面有敘。
設(shè)置在數(shù)據(jù)線和象素電極之間以及柵極線和象素電極之間的被施加公共電壓的存儲電容線或存儲電極阻擋數(shù)據(jù)線和柵極線的電壓對象素區(qū)中電場的影響，由此使疇穩(wěn)定。
下面參見圖2和4對根據(jù)本發(fā)明第一實施例的LCD的濾光板進行描述。
在優(yōu)選地由玻璃制成的透明襯底100上形成優(yōu)選包含雙層Cr和CrOx的黑色矩陣200。黑色矩陣200限定多個象素區(qū)。在各個象素區(qū)中形成多個濾光片300，在濾光片300上形成優(yōu)選由透明導(dǎo)體制成的公共電極400。在公共電極400上形成多個凸起510-530的圖案，這些圖案優(yōu)選地由一種介電常數(shù)不同于液晶材料900的電介質(zhì)制成。每個凸起圖案510、520和530包括第一至第三凸起510-530。第一凸起510在橫向平分象素區(qū)的下半部，而第二和第三凸起520和530在縱向平分象素區(qū)的上半部。每個凸起510、520或530的兩端逐漸擴大，形成等腰三角形，并且凸起510-530彼此分開。
黑色矩陣200可以由一種有機材料制成，濾光片可以設(shè)置在TFT陣列板上。
下面參考圖3和圖4對根據(jù)本發(fā)明第一實施例的LCD進行描述。
首先，通過如下步驟來制備根據(jù)本發(fā)明第一實施例的LCD即，對齊并合并圖1所示的TFT陣列板與圖2所示的濾光片，將液晶材料900注入各板之間的間隙中，使得包含在其中的液晶分子在垂直方向排列，并且在襯底10和100的外表面上增加兩個偏振片11和101，使得兩個偏振片11和101的偏振軸彼此垂直。
對齊兩個襯底10和101之后，TFT陣列板中每個象素電極90的分區(qū)91-93以及濾光板中公共電極400上的第一至第三凸起510-530重疊，從而將象素區(qū)分成幾個子區(qū)。象素電極90的每個分區(qū)91-93包括兩個長邊和兩個短邊，每個分區(qū)91-93的長邊平行于數(shù)據(jù)線70或柵極線20，并且與偏振片10和101的偏振軸成45度(如圖3所示)。此處，當每個分區(qū)91-93的長邊接近數(shù)據(jù)線70和柵極線20時，存儲電容線30或存儲電極31-34設(shè)置在數(shù)據(jù)線70和長邊以及柵極線20和長邊之間。同時，存儲電容線30-34不接近分區(qū)91-93的短邊設(shè)置，或者如果設(shè)置得接近分區(qū)91-93的短邊，它們優(yōu)選地用象素電極80完全覆蓋或與象素電極90分開3微米或更多。上述設(shè)置存儲電容線30-34的原因在于接近分區(qū)91-93的長邊的數(shù)據(jù)線70和柵極線20阻礙疇的形成，而接近分區(qū)91-93的短邊的數(shù)據(jù)線和柵極線增進疇的形成。液晶材料的介電各向異性Δε具有-4.0～-5.5范圍內(nèi)的值，并且尤其優(yōu)選-4.5～-5.5范圍的值，這是因為電壓V10(表示使透射率為最大透射率的10％的電壓)可以降到2.2V或更低。
下面參考圖5和6描述優(yōu)選液晶材料900的介電各向異性處于-4.0～-5.5的原因。圖5是依據(jù)液晶材料900的介電各向異性的電壓-透射率(“V-T”)曲線的變化，圖6是表示作為液晶材料900介電各向異性的函數(shù)的電壓V10的曲線。
如圖5所示，介電各向異性變得越大，V-T曲線升高得越快。因此，給出最大透射率的電壓隨介電各向異性的增大而降低。附圖標記4代表的曲線是關(guān)于常規(guī)液晶的，對應(yīng)于約具有-3.8介電各向異性的LC4。如圖5所示，LC4適于5.5V的驅(qū)動電壓(考慮到Avdd，為11V)，但不適于4.5V的驅(qū)動電壓(考慮到Avdd，為9V)，這是因為透射率急劇降低。
如圖6所示，介電各向異性的絕對值變得越大(即，從曲線4到曲線1)，電壓V10變得越低。LC4的電壓V10處于2.4V～2.5V的范圍，而以9V或更低Avdd電壓驅(qū)動的電壓V10優(yōu)選地比LC4低0.5V。在透射率下降較小期間，V10電壓比LC4低約0.3V，即等于和低于2.2V的V10電壓能夠以9V Avdd的低壓驅(qū)動。圖6表示等于或小于-4.5的介電各向異性Δε使V10電壓等于或小于2.2V，并因而適于低壓驅(qū)動。但是，當介電各向異性Δε變得小于-5.5時，響應(yīng)速度變低，并且由于液晶粘滯性的極度增大，殘留圖象很顯著?？紤]到通過調(diào)節(jié)其它的盒變量、如盒間隙、液晶的彈性系數(shù)、液晶的折射各向異性將驅(qū)動電壓補償?shù)揭欢ǔ潭?，適于低壓驅(qū)動的介電各向異性Δε增大到-5.5～-4.0。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的LCD的TFT陣列輪廓圖，圖8是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的LCD設(shè)置在公共電極處的孔徑框圖，圖9是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的LCD的象素電極和公共電極的正視圖，圖10是沿圖9中所示線條X-X’的截面圖。
首先，參考圖8和圖9描述TFT陣列板。
在絕緣襯底10上形成多條在橫向延伸的柵極線20和多條基本上在相同方向延伸的存儲電容線30，而多個柵電極21從每條柵極線20伸出。在此實施例中，存儲電容線30不是精確的直線。具體地說，每個存儲電容線30包括多個具有較大寬度的橫條，橫條沿橫向延伸的虛構(gòu)直線對齊，使得橫條稍微縱向偏離虛構(gòu)線條，并且具有較小寬度的多個連線連結(jié)橫條。在縱向延伸的多對第一和第二分叉電極33和31連結(jié)到各個電容線20，在橫向延伸的多條第三分叉電極32連結(jié)到相應(yīng)的第二分叉電極31。
在柵極線20和存儲電容線30-32上形成一個柵極絕緣層40。
在柵極絕緣層40上形成一個優(yōu)選地由氫化的非晶硅制成的半導(dǎo)體層50。半導(dǎo)體層50疊蓋柵電極21。
在半導(dǎo)體層50上形成一個接觸層(未示出)，該接觸層優(yōu)選地由重摻雜有n型雜質(zhì)的n+型氫化非晶硅制成。接觸層包括多個成對部分，每對中的部分彼此分開并相對于柵電極21對置。
在接觸層上形成數(shù)據(jù)線70-72。多條數(shù)據(jù)線70在縱向延伸并放置在柵極絕緣層40上。數(shù)據(jù)線不是精確的直線。具體地說，每條數(shù)據(jù)線70包括多個沿縱向延伸的虛構(gòu)直線對齊的縱條，使得縱條稍微橫向偏離虛構(gòu)直線，并且多條連線連結(jié)縱條?？紤]到橫向長子區(qū)域和縱向長子區(qū)域的占空比，調(diào)節(jié)縱條之間的偏離距離。兩條相鄰數(shù)據(jù)線70的偏離方向彼此相反，并且由此設(shè)置在相鄰數(shù)據(jù)線70的相對縱條之間的區(qū)域布置成使得較窄的區(qū)域和較寬的區(qū)域在橫向和縱向交替出現(xiàn)。數(shù)據(jù)線70與存儲電容線30和柵極線20交叉，并且在此實施例中，數(shù)據(jù)線70和存儲電容線30通過它們的連線互連。
在數(shù)據(jù)線70上形成一個鈍化層80。
在鈍化層80上，在由兩條相鄰的數(shù)據(jù)線20和兩條相鄰的數(shù)據(jù)線70交叉限定的各個象素區(qū)中形成多個優(yōu)選由ITO或IZO制成的象素電極90。象素電極90經(jīng)各個接觸孔141連結(jié)到各自的漏電極72。每個象素電極90有一個較窄部分和一個類似象素區(qū)的較寬部分。在較窄部分設(shè)置一個在縱向延伸的第一孔徑98，而在較寬部分設(shè)置兩個在橫向延伸的第二孔徑99。第一孔徑98在橫向?qū)⑾笏仉姌O90的較窄部分一分為二，而第二孔徑99將較寬部分平分為在縱向分布的三個分區(qū)。較寬部分的三個分區(qū)中的中間分區(qū)的寬度至少是其它兩個分區(qū)寬度的兩倍。第一孔徑98與存儲電容線30的第一分叉電極33重疊，而第二孔徑99與第三分叉電極32重疊。
接下來，參考圖8和圖10描述與TFT陣列板相對的上基板。
在絕緣襯底100上形成一個黑色矩陣200，在黑色矩陣200上形成多個紅、綠和藍色濾光片300。在濾光片300上形成一個外涂層600，并且在外涂層600上形成一個由透明導(dǎo)電材料如ITO或IZO制成的公共電極400。在公共電極400上設(shè)置多組第三至第五孔徑，并且孔徑分布成圖8所示的圖案。具體地說，第三孔徑410在縱向延伸，而第四孔徑420和第五孔徑430在橫向延伸。第四和第五孔徑420和430設(shè)置在第三孔徑410的左右，第五孔徑430設(shè)置在兩個第四孔徑420之間。另外，與第四和第五孔徑420及430相鄰的邊界彎曲成與第四和第五孔徑420和430的端部分開。
下面參考圖9和圖10描述本發(fā)明第二實施例的LCD。
本發(fā)明第二實施例的LCD通過以預(yù)定的間隙對齊TFT陣列板10和上基板100并將液晶材料注入和密封到間隙中而制造。包含在液晶材料中的液晶分子排列成在象素電極90和公共電極400之間不存在電場時其指向垂直于TFT陣列板10和濾光板100。
液晶材料900的介電各向異性Δε具有-4.0～-5.5范圍內(nèi)的值，這是因為可以將V10電壓(表示使透射率為最大值的10％的電壓)降到2.2V或更低。
下面描述將TFT陣列板10和上基板100合并后導(dǎo)線、象素電極和孔徑的輪廓。
第三孔徑410與象素電極90較窄部分的左、右邊重疊，并且第四孔徑420與象素電極90較寬部分的上、下邊重疊。第五孔徑530設(shè)置成將象素電極90的較寬部分平分為上、下兩半。因此，象素電極90的較窄部分被第一孔徑98和第三孔徑410隔成兩個子區(qū)，而象素電極90的較寬部分被第二、第四和第五孔徑99、420和430隔成四個子區(qū)。此處，考慮到橫向長子區(qū)B和縱向長子區(qū)A的占空比，決定子區(qū)的寬度最好處于20±5微米。子區(qū)太窄寬度將降低占空比，而太寬的寬度將導(dǎo)致彌散場的強度較弱，并因而使得控制液晶分子的傾斜方向很困難。橫向長子區(qū)B的占空比可以大于縱向長子區(qū)A的占空比。優(yōu)選地是橫向長子區(qū)B的占空比是整個象素區(qū)的約60％～90％。
上述結(jié)構(gòu)的象素電極90和孔徑圖案98、99、410、420和430很大地提高了孔徑比。根據(jù)本發(fā)明的LCD顯示出48％的孔徑比，這是通過改進象素電極90本身的形狀、進而調(diào)節(jié)橫向長子區(qū)和橫向長子區(qū)的寬度而獲得的。另外，在最初由黑色矩陣200遮擋的象素區(qū)的周圍設(shè)置公共電極400上的大部分孔徑410-430，由此將孔徑比的降低減到最小。即，將第三孔徑410設(shè)置成與象素電極90較窄部分的左、右邊重疊，并且將第四孔徑420設(shè)置成與象素電極90較寬部分的上、下邊重疊，即被黑色矩陣遮擋的區(qū)域，從而防止象素區(qū)之間邊界處的光泄漏，或是設(shè)置用于存儲電容的存儲電容線30。于是，設(shè)置在這些區(qū)域上的第三和第四孔徑410和420不會降低孔徑比。
另外，還可以通過使橫向長子區(qū)B大于縱向長子區(qū)A來增大可視性。
另外，因為根據(jù)本發(fā)明第二實施例的LCD中所有襯底具有矩形形狀，所以從響應(yīng)速度和使子區(qū)角部附近的變形(texture)最小化兩方面都有利。
根據(jù)本發(fā)明，可以通過利用介電各向異性處于-4.0～-5.5范圍的液晶材料以低于常規(guī)LCD的驅(qū)動電壓驅(qū)動?？梢酝ㄟ^利用介電各向異性處于-4.0～-5.5范圍的液晶材料將V10電壓(使透射率為最大透射率的10％的電壓)降到2.2V或更低。因此，可以用便宜的低壓驅(qū)動IC代替昂貴的高壓驅(qū)動IC。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器，包括一個第一絕緣襯底；形成在第一絕緣襯底上的多條第一信號線；形成在第一絕緣襯底上并與第一信號線絕緣且交叉的多條第二信號線；形成在由第一信號線和第二信號線的交叉限定的象素區(qū)上的象素電極；連結(jié)到一條第一信號線、一條第二信號線和象素電極的薄膜晶體管；與第一絕緣襯底相對的第二絕緣襯底；形成在第二絕緣襯底上的公共電極；以及夾置在第一絕緣襯底和第二絕緣襯底之間的液晶材料，其特征在于，在象素電極和公共電極之間不存在電場時，包含在液晶材料中的液晶分子基本上平行于第一和第二襯底排列，并且液晶材料的介電各向異性處于-4.0～-5.5的范圍。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征在于，液晶材料的介電各向異性處于-4.5～-5.0的范圍。
3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括形成在第一絕緣襯底和第二絕緣襯底上的第一疇隔離元件，用于將象素區(qū)分隔成多個疇；和形成在第一絕緣襯底和第二絕緣襯底之一上的第二疇隔離元件，其中，第一和第二疇隔離元件將象素區(qū)分成多個疇。
4.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，其特征在于，第一疇隔離元件包括設(shè)置在象素電極上的孔徑圖案，而第二疇隔離元件包括設(shè)置在第二絕緣襯底上的介電凸起。
5.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，其特征在于，第一疇隔離元件和第二疇隔離元件包括分別設(shè)置在象素電極和公共電極上的孔徑圖案。
6.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，其特征在于，第一疇隔離元件和第二疇隔離元件分類為縱向長疇和橫向長疇，并且橫向長疇比縱向長疇占據(jù)更大的面積。
7.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，其特征在于，兩個相鄰的第二信號線之間的距離周期性地以預(yù)定長度單位改變，并且與第二信號線相鄰的象素電極的邊緣沿第二信號線彎曲，使得象素電極有一個較窄的部分和一個較寬的部分。
全文摘要
在上基板和下基板之間夾置一種液晶材料。下基板包括含有柵極線和數(shù)據(jù)線的信號傳輸線，連結(jié)到信號傳輸線的薄膜晶體管和連結(jié)到薄膜晶體管的象素電極，并且上基板包括濾光片、黑色矩陣和公共電極。象素電極和公共電極具有把象素電極隔成幾個疇的孔徑。另外，在象素電極和公共電極之間不存在電場的情況下，包含在液晶材料中的液晶分子的指向與上、下基板垂直排列。液晶材料的介電各向異性具有－4.0～－5.5范圍的值。
文檔編號G02F1/137GK1505772SQ02802501
公開日2004年6月16日 申請日期2002年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月5日
發(fā)明者宋長根, 金京賢, 柳在鎮(zhèn), 韓銀姬, 樸乘范 申請人:三星電子株式會社