專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示裝置以及防反射基體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在顯示面上設(shè)有防反射膜片或防反射基片等所謂的防反射基體的顯示裝置以及這種防反射基體。
背景技術(shù)：
例如在設(shè)有陰極射線管等的顯示裝置中，為了實(shí)現(xiàn)減少周?chē)饩€的映入，或提高對(duì)比度等高圖像品質(zhì)，在顯示面上粘附防反射膜片。防反射膜片在透明襯材上形成防反射膜而構(gòu)成。
已知傳統(tǒng)的防反射膜由氧化硅和氧化鈦的疊層體構(gòu)成。圖1表示傳統(tǒng)的一般的防反射膜片。這種防反射膜片1，例如由在聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)等樹(shù)脂基片(膜狀體)形成的透明襯材2的一面上依次疊層如下的四層膜而形成的四層膜結(jié)構(gòu)的防反射膜7構(gòu)成作為第一層膜的高折射率氧化鈦(TiO2)膜3、作為第二層膜的低折射率氧化硅(SiO2)膜4、作為第三層膜的高折射率氧化鈦(TiO2)膜5以及作為第四層膜的低折射率氧化硅(SiO2)膜6。第一層膜的氧化鈦膜3的膜厚為13nm，第二層膜的氧化硅膜4的膜厚為20nm，第三層膜的氧化鈦膜5的膜厚為98nm，第四層膜的氧化硅膜6的膜厚為92nm。這種防反射膜7的光學(xué)特性是平均反射率Rave為0.28％，最大反射率Rmax為1.19％(均在450nm～650nm的波長(zhǎng)區(qū)范圍)。
防反射膜7可采用由金屬氧化物、金屬氮化物靶材的濺射，或由金屬靶材的反應(yīng)性濺射等成膜裝置來(lái)成膜。
采用反應(yīng)性濺射的成膜裝置的場(chǎng)合，在氧化硅的成膜速度為60nm×m/min，氧化鈦的成膜速度為12nm×m/min時(shí)，為得到作為透明襯材的薄膜的0.5m/min的移動(dòng)速度，所需的陰極(所謂的靶材)數(shù)為八對(duì)。由于氧化鈦的成膜速度較慢，很難以較高的成膜速度得到透明膜，為使膜厚變厚，必須增加靶材，成為以下的結(jié)構(gòu)。
陰極數(shù)具體為SiO2(1陰極)/TiO2(5陰極)/SiO2(1陰極)/TiO2(1陰極)。
如上所述，氧化鈦膜、氧化硅膜能夠由金屬氧化物、金屬氮化物靶材的濺射，或由金屬靶材的反應(yīng)性濺射來(lái)形成膜，但其中由于高折射率的透明氧化鈦膜的成膜速度較慢，其防反射膜的生產(chǎn)率較低。另外，金屬氧化物、金屬氮化物的成膜過(guò)程中，反應(yīng)性濺射的成膜速度比濺射更快。因此，工業(yè)上希望采用盡量使成膜速度較低的高折射率層變薄的光學(xué)設(shè)計(jì)和膜結(jié)構(gòu)。
順便提及，在鈦材料的反應(yīng)性濺射中，典型的氧化鈦的成膜速度約為氧化硅膜的15％左右。例如，以1m/min的移動(dòng)速度移動(dòng)作為襯材的樹(shù)脂薄膜形成氧化鈦膜時(shí)，可得7～12nm的膜厚。此時(shí)，氧化鈦的成膜速度為7～10nm×m/min。另一方面，作為低折射率層而使用的氧化硅膜，用反應(yīng)性濺射可得到45～60nm左右的成膜速度。因此，防反射膜片的生產(chǎn)率依賴(lài)于成膜速度較小的高折射率氧化鈦膜的膜厚。
并且，構(gòu)成防反射膜的光學(xué)膜在工業(yè)上由上述利用金屬靶材的反應(yīng)性濺射來(lái)形成。但是，采用這種反應(yīng)性濺射法，在襯材中有放出氣體的場(chǎng)合，其成膜將不穩(wěn)定。例如，形成氧化鈦時(shí)含氧量在10sccm左右，但因襯材的放出氣體(所謂outgas除氣)導(dǎo)致活性氣體的供給過(guò)剩時(shí)，由于會(huì)引起成膜速度的變化和光學(xué)常數(shù)的變化，將難以得到所需的膜厚和光學(xué)特性。使用樹(shù)脂基片作為防反射膜的透明襯材時(shí)，濺射時(shí)會(huì)伴有大量水分放出?；谠撍值臍怏w放出會(huì)增加成膜室內(nèi)的殘留氣體，成膜速度會(huì)降低，并對(duì)成膜產(chǎn)生不良影響。
另一方面，傳統(tǒng)的防反射膜片，例如在由PET薄膜形成的襯材上由氧化硅膜和氧化鈦膜構(gòu)成的四層膜形成的防反射膜的結(jié)構(gòu)中，防反射膜片本身的抗?jié)裢高^(guò)性差。因此，粘附在CRT屏面上，在高溫、高濕環(huán)境下，會(huì)產(chǎn)生防反射膜或防反射膜片本身的惡化、剝離以及脫落。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種設(shè)有具有高溫高濕環(huán)境下的高可靠性的防反射基體的顯示裝置以及防反射基體。
本發(fā)明提供一種設(shè)有生產(chǎn)性好的防反射基體的顯示裝置以及防反射基體。
本發(fā)明提供一種設(shè)有可進(jìn)行精密光學(xué)設(shè)計(jì)的防反射基體的顯示裝置以及防反射基體。
本發(fā)明的防反射基體在透明襯材上形成防反射膜而構(gòu)成，該防反射膜由依次疊層作為粘合改善層的第一層膜、作為水分阻擋層的第二層膜、第三層膜、第四層膜以及第五層膜的疊層膜構(gòu)成，使第二層膜與第四層膜的折射率設(shè)定為分別比第三層膜與第五層膜的折射率高。
本發(fā)明的顯示裝置在顯示面上設(shè)有防反射基體，該防反射基體由在透明襯材上形成防反射膜而構(gòu)成，該防反射膜由依次疊層作為粘合改善層的第一層膜、作為水分阻擋層的第二層膜、第三層膜、第四層膜以及第五層膜的疊層膜形成，其中，第二層膜與第四層膜的折射率設(shè)定得分別比第三層膜與第五層膜的折射率高。
在防反射基體中，第二層膜最好由在可見(jiàn)光區(qū)的折射率為1.7～2.4、物理膜厚為10nm～50nm的膜形成。第二層膜最好由450nm～650nm的波長(zhǎng)區(qū)的衰減系數(shù)為0.1以下的膜形成。
第二層膜可采用反應(yīng)性物理氣相沉積法由硅氮化物或硅氧氮化物形成。第二層膜的水分透過(guò)率最好在0.6g/m2/day以下。
含透明襯材和防反射膜的基體最好按照如下要求形成使波長(zhǎng)450nm～650nm的波長(zhǎng)區(qū)的反射率在4.0％以下，對(duì)中心波長(zhǎng)550nm的光透過(guò)率在90.0％以上，且對(duì)波長(zhǎng)450nm和波長(zhǎng)650nm的光透過(guò)率在90.0％以上。防反射膜的表面電阻最好在109Ω/□以上。
第四層膜最好由在可見(jiàn)光區(qū)的折射率為1.9～2.4，物理膜厚為18nm～50nm的金屬氧化物或金屬氮化物形成。第四層膜可以為與第二層膜不同的光學(xué)膜，可采用選自氧化鈦、氧化鈮、氧化鉭、氮化鈮、氧化鋯中的一種材料膜。
含有透明襯材和防反射膜的基體的水分透過(guò)率最好小于1g/m2/day。
作為粘合改善層的第一層膜最好由物理膜厚為3nm～10nm的、在可見(jiàn)光區(qū)的光透過(guò)率為86％～92％的金屬氧化物、金屬氮化物或金屬氧氮化物形成。
在本發(fā)明的防反射基體中，由于設(shè)有作為水分阻擋層的第二層膜，自第二層膜后的成膜過(guò)程中抑制了透明襯材的水分放出，且抑制基于水分放出的氣體放出，得到穩(wěn)定的膜厚和光學(xué)特性，同時(shí)也提高成膜速度。第二層膜和第四層膜的高折射率膜由互不相同的材料膜形成，因此，能使第四層膜變薄，實(shí)現(xiàn)防反射膜的薄膜化。本發(fā)明的防反射基體，由于透濕特性較低，在顯示裝置上應(yīng)用時(shí)，難以產(chǎn)生防反射膜或防反射基體本身的惡化和剝離脫落。
依據(jù)本發(fā)明的防反射基體，由于在透明襯材上設(shè)有高折射率且透濕性較低的成為阻擋層的第二層膜，在高溫、高濕環(huán)境下也能提高可靠性。以反應(yīng)性濺射形成光學(xué)膜時(shí)，通過(guò)作為阻擋層的第二層膜，能抑制從透明襯材的水分放出，可得所需膜厚和光學(xué)特性，同時(shí)能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定且高速成膜。通過(guò)形成第二層膜的高折射率阻擋層來(lái)形成穩(wěn)定的多層光學(xué)薄膜，可提供能進(jìn)行精密光學(xué)設(shè)計(jì)的防反射基體。由于第二層膜和第四層膜的高折射率膜由互不相同的材料膜形成，能使第四層膜變薄，且可實(shí)現(xiàn)防反射膜的薄膜化。本發(fā)明的防反射基體能提高成膜速度，因此，比傳統(tǒng)的防反射膜片更可提高生產(chǎn)率。由于防反射膜的表面電阻為高電阻，即使充電也不會(huì)蓄積電荷，不設(shè)地線接地功能也不會(huì)有觸電現(xiàn)象。
依據(jù)本發(fā)明的顯示裝置，由于在顯示面上設(shè)有防反射基體，該防反射基體是含高折射率且透濕性較低的阻擋層的防反射膜的防反射基體，在高溫、高濕環(huán)境下也能防止防反射膜或防反射基體本身的惡化、剝離脫落，可提高作為顯示裝置的可靠性。由于防反射膜由高電阻膜形成，能抑制電荷的蓄積，降低人體觸電的發(fā)生，能提高顯示裝置的可靠性，且能省去地線接地功能并實(shí)現(xiàn)降低制造成本。并且，由于本發(fā)明的防反射基體具有低透濕特性，即使在使用因吸濕導(dǎo)致的性能惡化顯著的材料的顯示裝置中，也能防止使用材料的性能惡化，能提供可靠性較高的顯示裝置。


圖1是表示傳統(tǒng)的防反射膜片的一例結(jié)構(gòu)圖。
圖2是表示本發(fā)明的防反射基體的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖3是表示與實(shí)施例相關(guān)的防反射基體的分光透過(guò)率的曲線圖。
圖4是表示本發(fā)明的顯示裝置的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖5是表示本發(fā)明的顯示裝置的其它實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖6是表示本發(fā)明的顯示裝置的其它實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖7是表示本發(fā)明的顯示裝置的其它實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
符號(hào)說(shuō)明1…防反射膜片2…透明襯材3…第一層膜的氧化鈦4…第二層膜的低折射率氧化硅5…第三層膜的高折射率氧化鈦6…第四層膜的低折射率氧化硅7…防反射膜11…防反射基體(防反射膜片、防反射基片)12…透明襯材
13…構(gòu)成粘合改善層第一層膜14…構(gòu)成水分阻擋層的高折射率的第二層膜15…低折射率的第三層膜16…高折射率的第四層膜17…低折射率的第五層膜18…防反射膜21…陰極射線管24…等離子顯示器25…玻璃基板26、33…框狀的黑色印刷層27…紅外線遮擋膜28…電磁屏蔽網(wǎng)32…屏幕本體22、29、34…粘接層35…背面投影機(jī)用的高對(duì)比度屏幕41…反應(yīng)性濺射裝置42(42A、42B、42C)…圓筒43…靶材44…分隔構(gòu)件45…透明膜片46…濺射室47…導(dǎo)輪本發(fā)明的最佳實(shí)施例下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
圖2表示本發(fā)明的防反射基體的實(shí)施例。
本實(shí)施例的防反射基體11由在透明襯材12上形成的防反射膜18構(gòu)成，該防反射膜18由依次疊層作為粘合改善層的第一層膜13、作為水分阻擋層的具有第一折射率(高折射率)的第二層膜14、具有第二折射率(低折射率)的第三層膜15、具有第三折射率(高折射率)的第四層膜16、具有第四折射率(低折射率)的第五層膜17的疊層膜構(gòu)成。第二層膜14的折射率與第四層膜16的折射率設(shè)定為比第三層膜15的折射率與第五層膜17的折射率高。作為阻擋層的第二層膜14與第四層膜16由高折射率且具有高電阻的膜形成。并且，第二層膜14和第四層膜16由互不相同的光學(xué)膜形成。
作為透明襯材12，例如可以采用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、丙烯酸類(lèi)、聚甲基戊烯(PMP)、聚碳酸酯(PC)、玻璃等。采用玻璃的場(chǎng)合可以使用薄板、玻璃鍍膜等。作為粘合改善層的第一層膜13，例如可以采用氧化硅(SiOXX＝0.2～2.0)膜。作為阻擋層的高折射率、高電阻的第二層膜14，例如可以采用氮化硅(SiN)膜、氧氮化硅(SiON)膜等。作為低折射率的第三層膜15，例如可以采用氧化硅(SiO2)膜等。作為高折射率、高電阻的第四層膜16，例如可以采用選自氧化鈦、氧化鈮、氮化鈮、氧化鉭、氧化鋯中的一種材料膜。例如，可以由TiO2、TiOX(X＝0.4～2.0)、Nb2O5、NbN、Ta2O5或ZrO2等膜形成。作為低折射率的第五層膜17，例如可以采用氧化硅(SiO2)膜。
防反射基體11的透明襯材12采用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、丙烯酸類(lèi)、聚甲基戊烯、聚碳酸酯等樹(shù)脂薄膜時(shí)，構(gòu)成防反射膜片，作為透明襯材12使用玻璃等不屬于薄膜范疇的材料、形態(tài)時(shí)，作為防反射基板來(lái)構(gòu)成。
以下，采用防反射膜片11進(jìn)行說(shuō)明。
最好作為粘合改善層的第一層膜13的光吸收極小，且物理膜厚在10nm以下。例如，第一層膜13最好由物理膜厚為3～10nm的金屬氧化物、金屬氮化物或金屬氧氮化物的膜形成，且在可見(jiàn)光區(qū)的光透過(guò)率最好在86％～92％的范圍。適合第一層膜13的材料可以采用例如，Zr、Nb、Ti、Al、Cr等的氧化物、氮化物、氧氮化物。
作為阻擋層的第二層膜14最好由在可見(jiàn)光區(qū)的折射率為1.7～2.4，且物理膜厚為10nm～50nm左右的膜形成。若在可見(jiàn)光區(qū)的折射率在1.7～2.4以外時(shí)，將不能得到所需的光學(xué)特性。第二層膜14的折射率在純凈材料時(shí)可達(dá)至2.4，但考慮到材料組成的偏差，則被歸入上述范圍。物理膜厚小于10nm時(shí)光反射率變高，超過(guò)50nm時(shí)因成膜速度的影響難以得到較高的生產(chǎn)率。為使作為阻擋層的第二層膜14透明，最好在波長(zhǎng)450～650nm的波長(zhǎng)區(qū)上使衰減系數(shù)在0.1以下。超過(guò)0.1時(shí)，光吸收增大，難以得到90％以上的光透過(guò)率。使第二層膜14的水分透過(guò)率在每日0.6g/m2(就是說(shuō)0.6g/m2/day)以下。在該值上，將防反射膜片11粘附在顯示裝置的顯示面上，進(jìn)行高溫、高濕環(huán)境試驗(yàn)時(shí)，光學(xué)膜或防反射膜片本身也不會(huì)剝離，具足夠的耐用性，并且，在形成光學(xué)膜時(shí)也能抑制從襯材12的水分放出，也不會(huì)對(duì)成膜速度、光學(xué)特性產(chǎn)生不良影響，可得較高的可靠性。
可以使第三層膜15的物理膜厚為4nm～80nm，折射率為1.4～1.5。第四層膜16最好由在可見(jiàn)光區(qū)的折射率為1.9～2.4且物理膜厚為18nm～50nm左右的膜形成?？梢?jiàn)光區(qū)的折射率在1.9～2.4以外時(shí)，將不能得到與第二層膜14同樣的所需光學(xué)特性。物理膜厚小于18nm時(shí)光反射率變高，超過(guò)50nm時(shí)光吸收增大光透過(guò)率減小。可以使第五層膜17的物理膜厚為80nm～131nm，折射率為1.4～1.5。
為了使含有透明襯材12和防反射膜18的防反射膜片11的透過(guò)色成為透明，要使在波長(zhǎng)450nm～650nm的波長(zhǎng)區(qū)的光反射率在4％以下，對(duì)中心波長(zhǎng)550nm的光透過(guò)率為90％以上，且在450nm～650nm的波長(zhǎng)區(qū)的光透過(guò)率為90％以上。含有透明襯材12和防反射膜18的防反射膜片11的水分透過(guò)率最好設(shè)定為小于1g/m2/day。如為該值，將防反射膜片11粘附在顯示裝置的顯示面上進(jìn)行高溫、高濕環(huán)境試驗(yàn)時(shí)，光學(xué)膜或防反射膜片本身不會(huì)剝離，具有足夠的耐用性。
防反射膜18的表面電阻，即防反射膜18的整體(五層)電阻值最好設(shè)定為109Ω/□以上。第二層膜14的表面電阻可以為1011Ω/□以上，第四層膜16的表面電阻可以為109Ω/□以上。第三層膜15、第五層膜17為電介質(zhì)膜(例如SiO2)，必然成為高電阻膜。第一層膜13為粘接層，并不是完全的氧化物，但膜厚非常薄，為高電阻膜。表面電阻(所謂的薄膜電阻)在109Ω/□以上時(shí)，抑制向防反射膜片蓄積電荷，不設(shè)地線接地功能也不易發(fā)生人體觸電。
透明襯材12上形成的防反射膜18的各光學(xué)薄膜，可以由反應(yīng)性濺射法、濺射法、真空蒸鍍法、CVD(化學(xué)氣相沉積)法等形成。其中，從生產(chǎn)率上看，最好采用根據(jù)磁控管反應(yīng)性濺射法等的反應(yīng)性物理氣相沉積法成膜。
例舉一個(gè)防反射膜片11的制備方法的例子。將透明襯材12的表面在O2、Ar、N2氣氛中，或選自O(shè)2、Ar、N2中的一種或兩種氣氛中進(jìn)行輝光放電處理，激活襯材12表面。接著，為得到襯材12和防反射膜12之間的較強(qiáng)的粘合力，第一層膜13例如形成SiOX膜。由于SiOX膜13僅有很少光吸收，作為透明光學(xué)膜最好膜厚在10nm以下。最好使第一層膜13的光吸收盡量小。第一層膜13由單層膜形成時(shí)的最適條件范圍，最好是能作為高透過(guò)率實(shí)現(xiàn)的86％～92％的光透過(guò)率區(qū)域。
作為阻擋層的高折射率、高電阻的第二層膜14采用反應(yīng)性濺射法形成。構(gòu)成材料最好是將摻雜硼(B)的硅靶材在氬氣(Ar)和氮?dú)?N2)的氣氛中進(jìn)行反應(yīng)性濺射而形成的氮化硅膜。由于相對(duì)于導(dǎo)入氮?dú)饬髁康淖兓?，氮化硅膜的光學(xué)常數(shù)變動(dòng)較小，它能在較寬的成膜條件下作為穩(wěn)定顯示高透明、高折射率、高電阻的光學(xué)膜起作用。由于氮化硅膜具有阻擋功能，能抑制來(lái)自襯材12表面的放出氣體的影響，因此，能穩(wěn)定下來(lái)形成后續(xù)的光學(xué)膜。
低折射率的第三層膜15由將摻雜硼(B)的硅靶材作為低折射率材料在氬氣(Ar)和氧氣(O2)的氣氛中進(jìn)行反應(yīng)性濺射而形成的氧化硅(SiO2)膜形成。第四層膜16由高折射率、高電阻的膜形成。作為第四層膜16最好采用鈦(Ti)靶材、氧化鈦(TiOXX＝0.4～2.0)靶材，在氬氣(Ar)和氧氣(O2)的氣氛中通過(guò)反應(yīng)性濺射形成的氧化鈦膜。采用低級(jí)氧化物(TiOX)的靶材，由反應(yīng)性濺射制成的完全氧化物的膜也有光學(xué)特性良好的情況。不采用金屬靶材，而采用氧化物靶材時(shí)，由于成膜速度較低，不可能期待有高的生產(chǎn)率。第五層膜17由低折射率膜形成。第五層膜17與第三層膜15同樣，最好由摻雜硼(B)的硅靶材進(jìn)行的反應(yīng)性濺射形成的氧化硅(SiO2)膜形成。工業(yè)上，通過(guò)采用反應(yīng)性濺射法，可期待提高生產(chǎn)率。
表1給出了本實(shí)施例的防反射膜片11的成膜條件的一例。其中，光學(xué)膜的成膜條件各為使用一個(gè)陰極(靶材)的情形。表1中的等離子處理是指將襯材樹(shù)脂基片的表面以等離子處理來(lái)洗凈、激活，并使光學(xué)膜的附著完好的處理。移動(dòng)速度是樹(shù)脂基片(膜狀體)的移動(dòng)速度。


作為本實(shí)施例的一個(gè)具體例，在透明襯材12上，作為第一層膜13形成膜厚5nm的SiOX膜，作為第二層膜14形成膜厚20nm的SiN膜，作為第三層膜15形成膜厚41nm的SiO2膜，作為第四層膜16形成膜厚25nm的TiO2膜，以及作為第五層膜17形成膜厚110nm的SiO2膜，從而構(gòu)成防反射膜片11。在這種結(jié)構(gòu)的防反射膜片11中，在波長(zhǎng)450nm～650nm的波長(zhǎng)區(qū)中，得到平均反射率Rave為0.28％，最大反射率Rmax為0.98％的光學(xué)特性。在上述的陰極(靶材)條件下制作該光學(xué)膜時(shí)，在氮化硅的成膜條件為13nm×m/min時(shí)，由八對(duì)陰極得到1.0m/min的移動(dòng)速度。
陰極具體為SiO2(2陰極)/TiO2(2個(gè)陰極)/SiO2(2個(gè)陰極)/SiN(1個(gè)陰極)/SiOX(1個(gè)陰極)/襯材。由上述說(shuō)明可知，能夠通過(guò)使用本實(shí)施例的防反射膜片11解決傳統(tǒng)的生產(chǎn)率較低的問(wèn)題。
表2匯總表示此具體例的防反射膜片11的光學(xué)特性、各光學(xué)膜的折射率。


圖3表示上述具體例的防反射膜片11的光透過(guò)率。
在波長(zhǎng)450nm～650nm的波長(zhǎng)區(qū)上得到90％以上的光透過(guò)率，在中心波長(zhǎng)550nm上得到95％的光透過(guò)率。
反應(yīng)性濺射時(shí)，成膜時(shí)的殘留氣體成分具有重要的物理意義。對(duì)于根據(jù)氧化鈦等氧濃度而使成膜速度和光學(xué)常數(shù)變化者，必須減少殘留氣體。大量的殘留氣體會(huì)顯著降低成膜速度。相反較少時(shí)，會(huì)發(fā)生光學(xué)性光吸收，難以形成透明膜。特別是，透明襯材12采用塑料基片時(shí)，會(huì)在濺射時(shí)伴有大量水分放出的情形。這時(shí)的對(duì)策是預(yù)先干燥樹(shù)脂基片來(lái)某種程度上抑制氣體放出。但是，濺射過(guò)程中因等離子輻射導(dǎo)致的溫度上升以及受其影響的氣體放出，則難以抑制。尤其是，采用薄膜基片時(shí)，由于基片連續(xù)投入制造過(guò)程，因而連續(xù)地發(fā)生濺射中的殘留氣體的變動(dòng)。
表3給出本實(shí)施例的防反射膜片11中使用的各光學(xué)膜的水分透過(guò)性。


表3中，給出了用于透明襯材的所謂硬膜PET(HC-PET)基片、光學(xué)膜的SiN膜、TiO2膜、TiOX膜、SiOX膜的各透濕度(g/m2/day)的測(cè)定結(jié)果。這里的透濕度為各光學(xué)膜在硬膜PET基片上形成的狀態(tài)下的透濕度。硬膜PET基片是在厚度為188μm的PET基片的表面上形成厚度6μm的硬質(zhì)被覆膜而構(gòu)成。SiN膜、TiO2膜以及TiOX膜的各膜厚為40nm。SiOX膜的膜厚為5nm。表3中σ表示分散程度(所謂的方差)，n為測(cè)量點(diǎn)數(shù)。
如表3所示，一般使用的氧化鈦膜的水分透過(guò)率具有接近PET基片的特性，水分透過(guò)率較高。相反，本實(shí)施例中采用的氮化硅膜的水分透過(guò)率低至氧化鈦膜的十分之一以下，能抑制從基片(透明襯材)的氣體放出。因此，本實(shí)施例中，在形成作為阻擋層的第二層膜14后的多層膜的形成中能穩(wěn)定且高速地進(jìn)行反應(yīng)性濺射。并且，通過(guò)在第二層膜14上形成阻擋層來(lái)得到在高溫、高濕環(huán)境下具有良好可靠性的防反射膜。
如上所述，依據(jù)本實(shí)施例的防反射膜片11，使防反射膜具有高透明、高電阻特性，且附加阻擋水分特性，從而能提供高品質(zhì)的防反射膜片。
本實(shí)施例的防反射膜片11中，是在透明襯材12上形成各光學(xué)膜而構(gòu)成，特別是通過(guò)在第二層膜上形成高折射率且透濕度較低的阻擋層14，得到在高溫、高濕環(huán)境下具有良好可靠性的防反射膜。并且，根據(jù)反應(yīng)性濺射形成光學(xué)膜時(shí)，由作為阻擋層的第二層膜14抑制從透明襯材12的水分放出，抑制放出氣體，可得到所需的膜厚和光學(xué)特性，同時(shí)能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定且高速的成膜。可通過(guò)形成第二層膜14的高折射率阻擋層，可形成穩(wěn)定的多層光學(xué)薄膜，能夠提供可進(jìn)行精密光學(xué)設(shè)計(jì)的防反射膜片。
分別為高折射率的第二層膜14和第四層膜16由互不相同的材料形成，因此，能將第四層膜16例如TiO2膜形成為比傳統(tǒng)例的第三層膜5的TiO2膜(參照?qǐng)D7)更薄，能實(shí)現(xiàn)防反射膜18的薄膜化。
并且，由于本實(shí)施例的防反射膜片11的成膜速度較快，能提高傳統(tǒng)的防反射膜片相比能提高生產(chǎn)率。例如與傳統(tǒng)的六層以上的多層膜結(jié)構(gòu)的防反射膜片相比，可實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)率的改善。
上述本實(shí)施例的防反射膜片11適合用于顯示裝置?？蛇m用的顯示裝置有設(shè)有陰極射線管的電視接收機(jī)、投射型顯示裝置(所謂的投影機(jī))、等離子顯示器(PDP)、計(jì)算機(jī)顯示器、筆記本式計(jì)算機(jī)和用于便攜終端的TFT液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器、場(chǎng)致發(fā)射顯示器(FED)、例如使用有機(jī)EL或無(wú)機(jī)EL等的薄膜顯示器以及其它顯示裝置。
如上所述，為了實(shí)現(xiàn)減少周?chē)墓饩€映入或改善對(duì)比度等的高圖像品質(zhì)，顯示裝置的表面需要防反射膜。對(duì)于上述任意的顯示裝置，也能通過(guò)進(jìn)行稱(chēng)為防反射被覆的表面處理來(lái)改善圖像品質(zhì)。近年，適合移動(dòng)的顯示器被商品化，可以想象小型、輕型化的顯示裝置將在屋內(nèi)、屋外使用。為提高畫(huà)面的視認(rèn)性，減少不必要的散射反射光，且不使圖像信號(hào)惡化地將圖像信號(hào)傳送給收視者，這是很重要的。
同時(shí)實(shí)現(xiàn)低反射和抑制信號(hào)惡化，等價(jià)于在可見(jiàn)光區(qū)具有低反射特性，實(shí)現(xiàn)平坦的高透過(guò)特性。并且，工業(yè)上實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)率、高可靠性是對(duì)防反射膜要求的性能。可靠性低的防反射膜由于與指示裝置(pointing device)、清洗夾具等的物理接觸使襯材上形成的光學(xué)膜的疊層體破壞和剝離脫落，成為不必要散射光的增加和視頻信號(hào)惡化的原因，引起顯示裝置的品質(zhì)惡化。
構(gòu)成防反射膜的光學(xué)薄膜，由上述的濺射法、真空蒸鍍法、CVD法等形成。光學(xué)薄膜的形成受到膜形成過(guò)程、構(gòu)成材料的形成方法、成膜裝置的結(jié)構(gòu)/性能等的制約。構(gòu)成材料及其組合影響到與生產(chǎn)率、可靠性相關(guān)的特性。用于防反射膜片的透明襯材有上述的PET、PEN、丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、PMP、PC、玻璃等，但其中使用PET、PC、PEN等樹(shù)脂基片時(shí)，防反射膜片的性能由其上形成的各光學(xué)膜所具有的作用決定。
如上所述，使用樹(shù)脂基片作為光學(xué)膜的襯材的場(chǎng)合，以水分為代表的環(huán)境氣氛成分的吸收、放出現(xiàn)象、溫度變化等，使樹(shù)脂基片變質(zhì)，同時(shí)使防反射膜片惡化。樹(shù)脂基片的吸附水分等的現(xiàn)象可通過(guò)形成表面阻擋層來(lái)抑制。顯示裝置使用因吸濕導(dǎo)致性能惡化顯著的材料時(shí)，最好使防反射膜片具有低透濕性。
各光學(xué)膜由高電阻膜構(gòu)成是很重要的。光學(xué)膜為低電阻膜時(shí)，必須要有將導(dǎo)電膜中感應(yīng)的電荷導(dǎo)向地線的功能。在地線接地不充分時(shí)，有可能因?qū)w上蓄積的電荷發(fā)生觸電。高電阻體的場(chǎng)合，由于電荷的蓄積、移動(dòng)受限制，在顯示裝置表面和人體間瞬時(shí)產(chǎn)生大量電荷移動(dòng)導(dǎo)致觸電的可能性較低。當(dāng)光學(xué)膜為高電阻膜時(shí)，能省去地線接地，對(duì)顯示裝置有減少成本的效果。
如上所述，上述本實(shí)施例的防反射膜片11滿(mǎn)足了這些需求。粘附本防反射膜片11的顯示裝置，在可見(jiàn)光區(qū)有低反射特性，且得到平坦的光透射性，能顯示高品質(zhì)的圖像。
圖4表示本發(fā)明的顯示裝置的一實(shí)施例。本實(shí)施例的顯示裝置是設(shè)有陰極射線管21的顯示裝置。本實(shí)施例中，在彩色或單色等的陰極射線管21的顯示面的屏表面上，例如通過(guò)紫外線固化樹(shù)脂(以下稱(chēng)為UV樹(shù)脂)、粘接材料等的粘接層22，粘附本發(fā)明的防反射膜片11，該防反射膜片11由在上述的透明襯材12上形成含有阻擋層的五層膜結(jié)構(gòu)的防反射膜18而構(gòu)成。這種陰極射線管21用于裝機(jī)構(gòu)成顯示裝置。
圖5表示將本發(fā)明的顯示裝置用于等離子顯示器時(shí)的其它實(shí)施例。等離子顯示器有各種結(jié)構(gòu)，圖5為其一例。本實(shí)施例的等離子顯示器24由構(gòu)成等離子顯示器屏(PDP)的顯示屏玻璃，即玻璃基板25的內(nèi)面形成框形的黑色印刷層26，同時(shí)形成紅外線遮擋膜27與電磁波屏蔽網(wǎng)28，在玻璃基板25的外面例如通過(guò)UV樹(shù)脂、粘接材料等的粘接層29，粘附防反射膜片11，該防反射膜片11由在上述透明襯材12上形成的含有阻擋層的五層膜結(jié)構(gòu)的防反射膜18構(gòu)成。另外，電磁波屏蔽網(wǎng)28例如由銅、鐵、鎳合金、鐵氧體等形成。這種等離子顯示器屏裝機(jī)構(gòu)成顯示裝置，即所謂的等離子顯示器。
圖6表示將本發(fā)明的顯示裝置用于背面投影機(jī)時(shí)的其它實(shí)施例。同圖表示構(gòu)成背面投影機(jī)的、作為顯示面的高對(duì)比度屏幕(contrastscreen)。
本實(shí)施例中，在作為背面投影機(jī)用屏幕主體的塑料基板32的一面(觀看面)上形成框形的黑色印刷層33，同時(shí)通過(guò)UV樹(shù)脂、粘接材料等的粘接層34，粘附本發(fā)明的防反射膜片11A，該防反射膜片11A由在上述的透明襯材12上形成含有阻擋層的五層膜結(jié)構(gòu)的防反射膜18形成，在塑料基板32的另一面(視頻投射面)上同樣通過(guò)粘接層34粘附本發(fā)明的防反射膜片11B，構(gòu)成背面投影機(jī)用的對(duì)照物屏面35。這種高對(duì)比度屏幕35安裝在投影機(jī)主體上，構(gòu)成顯示裝置、即所謂的背面投影機(jī)。
另外，未圖示但同樣地，計(jì)算機(jī)顯示器、筆記本式計(jì)算機(jī)或用于便攜終端的TFT液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器、場(chǎng)致發(fā)射顯示器(FED)、薄膜顯示器等顯示裝置的顯示面上粘附本發(fā)明的防反射膜片11，可以構(gòu)成得到高圖像品質(zhì)的顯示裝置。
依據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置，由于具有高透明、高電阻、低透濕特性的防反射膜片11粘附在顯示面上，能提供具有高品質(zhì)、高可靠性的顯示裝置。特別地，即使在高溫、高濕環(huán)境下，也能防止防反射膜18或防反射膜片11本身的惡化、剝離、脫落，并且，防反射膜由高電阻膜形成，因此，能抑制電荷的蓄積，減少人體觸電的發(fā)生，可提高顯示裝置的可靠性。而且能省去地線接地，因此降低制造成本。再有，例如在使用有機(jī)EL層等因吸濕導(dǎo)致性能惡化顯著的材料的顯示裝置中，由于本發(fā)明的防反射膜片11具有低透濕特性，也能防止使用材料的性能惡化，可提供可靠性高的顯示裝置。
圖7表示能夠連續(xù)形成防反射膜片的光學(xué)膜的反應(yīng)性濺射裝置的主要部分。本實(shí)施例的反應(yīng)性濺射裝置41，在濺射室46內(nèi)布置多個(gè)，本例為三個(gè)金屬圓筒42(42A、42B、42C)，分別相對(duì)各金屬圓筒42A、42B、42C布置形成光學(xué)膜所需的多個(gè)靶材43。靶材43在金屬圓筒42(42A、42B、42C)中，根據(jù)需要可選擇性地布置多個(gè)例如4～5個(gè)相同材料的靶材和不同材料的靶材等。在各金屬圓筒42間設(shè)置密封的隔板44，可以向由隔板44圍成的區(qū)域選擇性地供給惰性氣體、反應(yīng)氣體。然后，使成為透明襯材的透明膜片45以卷材狀態(tài)經(jīng)導(dǎo)輪46沿著各金屬圓筒42A、42B、42C連續(xù)移動(dòng)，在相對(duì)各靶材43的位置上形成所需的光學(xué)膜，依次疊層不同光學(xué)膜形成防反射膜。另外，其它結(jié)構(gòu)與通常的反應(yīng)性濺射裝置相同，因此省略其說(shuō)明。本例為三個(gè)金屬圓筒/系統(tǒng)，也可以為兩個(gè)金屬圓筒/系統(tǒng)。依據(jù)這種裝置41，能連續(xù)制作防反射膜片11。
上例中對(duì)將防反射基體用于防反射膜片的情形進(jìn)行了說(shuō)明，但作為透明襯材12，也可以適用例如采用玻璃的防反射基板。在玻璃等的透明基板上形成防反射膜18而構(gòu)成的防反射基板可作兼用，例如構(gòu)成顯示裝置的玻璃等的透明屏。
權(quán)利要求書(shū)(按照條約第19條的修改)1.(刪除)2.(補(bǔ)正后)一種防反射基體，其特征在于它由透明襯材上依次疊層作為粘合改善層的第一層膜、作為水分阻擋層的第二層膜、第三層膜、第四層膜以及第五層膜等疊層膜構(gòu)成，其上形成所述第二層膜與第四層膜的折射率分別設(shè)定為大于所述第三層膜與第五層膜的折射率的防反射膜；所述第二層膜由可見(jiàn)光區(qū)的折射率為1.7～2.4、物理膜厚為10nm～50nm的膜形成。
3.(補(bǔ)正后)如權(quán)利要求2所述的防反射基體，其特征在于所述第二層膜由在波長(zhǎng)450nm～650nm波長(zhǎng)區(qū)的衰減系數(shù)不大于0.1的膜形成。
4.(補(bǔ)正后)如權(quán)利要求2所述的防反射基體，其特征在于所述第二層膜由用反應(yīng)性物理氣相沉積法生成的硅氮化物或硅氧氮化物形成。
5.(補(bǔ)正后)如權(quán)利要求2所述的防反射基體，其特征在于所述第二層膜的水分透過(guò)率不大于0.6g/m2/day。
6.(補(bǔ)正后)如權(quán)利要求2所述的防反射基體，其特征在于含有所述透明襯材和所述防反射膜的基體在波長(zhǎng)450nm～650nm的波長(zhǎng)區(qū)的反射率不大于4.0％，在中心波長(zhǎng)550nm上的光透過(guò)率不低于90.0％，且在波長(zhǎng)450nm和波長(zhǎng)650nm上的光透過(guò)率不低于90.0％。
7.(補(bǔ)正后)如權(quán)利要求2所述的防反射基體，其特征在于
所述防反射膜的表面電阻不小于109Ω/□。
8.(補(bǔ)正后)如權(quán)利要求2所述的防反射基體，其特征在于所述第四層膜由在可見(jiàn)光區(qū)的折射率為1.9～2.4、物理膜厚為18nm～50nm的金屬氧化物或金屬氮化物形成。
9.(補(bǔ)正后)如權(quán)利要求2所述的防反射基體，其特征在于所述第四層膜由選自氧化鈦、氧化鈮、氧化鉭、氮化鈮、氧化鋯中的一種材料形成，它是與所述第二層膜不同的光學(xué)膜。
10.(補(bǔ)正后)如權(quán)利要求2所述的防反射基體，其特征在于含有所述透明襯材和所述防反射膜的基體的水分透過(guò)率低于1g/m2/day。
11.(補(bǔ)正后)如權(quán)利要求2所述的防反射基體，其特征在于所述作為粘合改善層的第一層膜由物理膜厚為3nm～10nm，在可見(jiàn)光區(qū)的光透過(guò)率為86％～92％的金屬氧化物、金屬氮化物或金屬氧氮化物形成。
12.一種在顯示面上設(shè)防反射基體而構(gòu)成的顯示裝置，其特征在于該防反射基體由透明襯材上依次疊層作為粘合改善層的第一層膜、作為水分阻擋層的第二層膜、第三層膜、第四層膜以及第五層膜等疊層膜構(gòu)成，其上形成所述第二層膜與第四層膜的折射率分別設(shè)定為大于所述第三層膜與第五層膜的折射率的防反射膜。
13.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其所述第二層膜由在可見(jiàn)光區(qū)的折射率為1.7～2.4、物理膜厚為10nm～50nm的膜形成的所述防反射基體。
14.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其所述第二層膜由在波長(zhǎng)450nm～650nm的波長(zhǎng)區(qū)的衰減系數(shù)不大于0.1的膜形成的所述防反射基體。
15.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其所述第二層膜由用反應(yīng)性物理氣相沉積法生成的硅氮化物或硅氧氮化物形成的所述防反射基體。
16.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其所述第二層膜的水分透過(guò)率不大于0.6g/m2/day的所述防反射基體。
17.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有含所述透明襯材和所述反射膜的基體在波長(zhǎng)450nm～650nm的波長(zhǎng)區(qū)的反射率不大于4.0％、在中心波長(zhǎng)550nm的光透過(guò)率不低于90.0％、且對(duì)波長(zhǎng)450nm和波長(zhǎng)650nm的光透過(guò)率不低于90.0％的所述防反射基體。
18.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其所述防反射膜的表面電阻不小于109Ω/□的所述防反射基體。
19.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其所述第四層膜由在可見(jiàn)光區(qū)的折射率為1.9～2.4、物理膜厚為18nm～50nm的金屬氧化物或金屬氮化物形成的所述防反射基體。
20.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其所述第四層膜由選自氧化鈦、氧化鈮、氧化鉭、氮化鈮、氧化鋯中的一種材料形成的所述防反射基體，所述第四層膜是與所述第二層膜不同的光學(xué)膜。
21.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其含所述透明襯材和所述防反射膜的基體的水分透過(guò)率低于1g/m2/day的所述防反射基體。
22.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其所述作為粘合改善層的第一層膜由物理膜厚為3nm～10nm、可見(jiàn)光區(qū)的光透過(guò)率為86％～92％的金屬氧化物、金屬氮化物或金屬氧氮化物形成的所述防反射基體。
權(quán)利要求
1.一種防反射基體，其特征在于它由透明襯材上依次疊層作為粘合改善層的第一層膜、作為水分阻擋層的第二層膜、第三層膜、第四層膜以及第五層膜等疊層膜構(gòu)成，其上形成所述第二層膜與第四層膜的折射率分別設(shè)定為大于所述第三層膜與第五層膜的折射率的防反射膜。
2.如權(quán)利要求1所述的防反射基體，其特征在于所述第二層膜由可見(jiàn)光區(qū)的折射率為1.7～2.4、物理膜厚為10nm～50nm的膜形成。
3.如權(quán)利要求1所述的防反射基體，其特征在于所述第二層膜由在波長(zhǎng)450nm～650nm波長(zhǎng)區(qū)的衰減系數(shù)不大于0.1的膜形成。
4.如權(quán)利要求1所述的防反射基體，其特征在于所述第二層膜由用反應(yīng)性物理氣相沉積法生成的硅氮化物或硅氧氮化物形成。
5.如權(quán)利要求1所述的防反射基體，其特征在于所述第二層膜的水分透過(guò)率不大于0.6g/m2/day。
6.如權(quán)利要求1所述的防反射基體，其特征在于含有所述透明襯材和所述防反射膜的基體在波長(zhǎng)450nm～650nm的波長(zhǎng)區(qū)的反射率不大于4.0％，在中心波長(zhǎng)550nm上的光透過(guò)率不低于90.0％，且在波長(zhǎng)450nm和波長(zhǎng)650nm上的光透過(guò)率不低于90.0％。
7.如權(quán)利要求1所述的防反射基體，其特征在于所述防反射膜的表面電阻不小于109Ω/□。
8.如權(quán)利要求1所述的防反射基體，其特征在于所述第四層膜由在可見(jiàn)光區(qū)的折射率為1.9～2.4、物理膜厚為18nm～50nm的金屬氧化物或金屬氮化物形成。
9.如權(quán)利要求1所述的防反射基體，其特征在于所述第四層膜由選自氧化鈦、氧化鈮、氧化鉭、氮化鈮、氧化鋯中的一種材料形成，它是與所述第二層膜不同的光學(xué)膜。
10.如權(quán)利要求1所述的防反射基體，其特征在于含有所述透明襯材和所述防反射膜的基體的水分透過(guò)率低于1g/m2/day。
11.如權(quán)利要求1所述的防反射基體，其特征在于所述作為粘合改善層的第一層膜由物理膜厚為3nm～10nm，在可見(jiàn)光區(qū)的光透過(guò)率為86％～92％的金屬氧化物、金屬氮化物或金屬氧氮化物形成。
12.一種在顯示面上設(shè)防反射基體而構(gòu)成的顯示裝置，其特征在于該防反射基體由透明襯材上依次疊層作為粘合改善層的第一層膜、作為水分阻擋層的第二層膜、第三層膜、第四層膜以及第五層膜等疊層膜構(gòu)成，其上形成所述第二層膜與第四層膜的折射率分別設(shè)定為大于所述第三層膜與第五層膜的折射率的防反射膜。
13.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其所述第二層膜由在可見(jiàn)光區(qū)的折射率為1.7～2.4、物理膜厚為10nm～50nm的膜形成的所述防反射基體。
14.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其所述第二層膜由在波長(zhǎng)450nm～650nm的波長(zhǎng)區(qū)的衰減系數(shù)不大于0.1的膜形成的所述防反射基體。
15.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其所述第二層膜由用反應(yīng)性物理氣相沉積法生成的硅氮化物或硅氧氮化物形成的所述防反射基體。
16.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其所述第二層膜的水分透過(guò)率不大于0.6g/m2/day的所述防反射基體。
17.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有含所述透明襯材和所述反射膜的基體在波長(zhǎng)450nm～650nm的波長(zhǎng)區(qū)的反射率不大于4.0％、在中心波長(zhǎng)550nm的光透過(guò)率不低于90.0％、且對(duì)波長(zhǎng)450nm和波長(zhǎng)650nm的光透過(guò)率不低于90.0％的所述防反射基體。
18.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其所述防反射膜的表面電阻不小于109Ω/□的所述防反射基體。
19.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其所述第四層膜由在可見(jiàn)光區(qū)的折射率為1.9～2.4、物理膜厚為18nm～50nm的金屬氧化物或金屬氮化物形成的所述防反射基體。
20.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其所述第四層膜由選自氧化鈦、氧化鈮、氧化鉭、氮化鈮、氧化鋯中的一種材料形成的所述防反射基體，所述第四層膜是與所述第二層膜不同的光學(xué)膜。
21.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其含所述透明襯材和所述防反射膜的基體的水分透過(guò)率低于1g/m2/day的所述防反射基體。
22.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在顯示面上設(shè)有其所述作為粘合改善層的第一層膜由物理膜厚為3nm～10nm、可見(jiàn)光區(qū)的光透過(guò)率為86％～92％的金屬氧化物、金屬氮化物或金屬氧氮化物形成的所述防反射基體。
全文摘要
本發(fā)明提供具有低透濕特性且高品質(zhì)、高可靠性的防反射膜片等防反射基體以及設(shè)有該防反射基體的顯示裝置。本發(fā)明的防反射基體由透明襯材上形成的、依次疊層作為粘合改善層的第一層膜、作為水分阻擋層的第二層膜、第三層膜、第四層膜以及第五層膜的疊層膜構(gòu)成，其上形成第二層膜與第四層膜的折射率分別設(shè)定為大于第三層膜與第五層膜的折射率的防反射膜。本發(fā)明的顯示裝置由在顯示面上設(shè)置該防反射基體而構(gòu)成。
文檔編號(hào)G02B1/10GK1491363SQ02804594
公開(kāi)日2004年4月21日 申請(qǐng)日期2002年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月6日
發(fā)明者渡邊一夫 申請(qǐng)人:索尼公司