專利名稱：用于顯微機械加工晶體材料的蝕刻工藝和由此制造的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及具有被蝕刻到襯底中的交叉結(jié)構(gòu)的裝置和用于制造所述裝置的方法，更具體地說，本發(fā)明涉及具有沿單晶襯底的選定晶面所形成的平坦表面的結(jié)構(gòu)，其中所述方法提供，所述表面在所述平面與襯底中的其他結(jié)構(gòu)的平面之間的交叉點處保持選定的平面取向，以使得，例如，保持理想的凸面角。
背景技術(shù)：
由于光學(xué)元件之間的對準誤差在亞微細粒尺寸方面通常是特定的，因此將光學(xué)元件相對于彼此精確地布置的能力在微-光學(xué)器件的制造中是非常重要的。一般地，所述元件可包括光信號源，諸如激光、監(jiān)測器、以及整體或離散的波導(dǎo)，諸如光纖或GRIN棒形透鏡。另外，所述元件可包括光纖放大器、光學(xué)濾光器、調(diào)制器、光柵、球形透鏡、或用于輸送或修正光束的其他部件。在諸如光通信和用戶光電子學(xué)的目前應(yīng)用中以及在諸如光計算技術(shù)的當前正研發(fā)的應(yīng)用中，包含所述部件的微-光學(xué)器件是至關(guān)緊要的。
傳統(tǒng)上可由微光具座(諸如硅光具座)提供在光學(xué)元件中保持精確對齊。微光具座包括三維結(jié)構(gòu)，所述三維結(jié)構(gòu)具有光學(xué)元件可被精確地布置于其上的精確限定的表面。適于用作微光具座的一種適當材料是單晶硅，這是由于單晶硅可被各向異性地蝕刻得產(chǎn)生三維結(jié)構(gòu)，所述三維結(jié)構(gòu)具有由硅的精確限定的晶面所形成的平坦側(cè)壁。例如，已知{111}硅平面蝕刻得比具有適當選擇蝕刻劑的{100}或{110}平面更慢。因此，可將所述結(jié)構(gòu)形成得包括通過各向異性蝕刻所形成的{111}平面的壁。
由于光學(xué)元件被布置于三維結(jié)構(gòu)之中的硅襯底的頂表面下面的位置處，因此一部分光線路徑通常位于襯底的頂表面下面，在襯底的體積范圍內(nèi)。因此，在三維結(jié)構(gòu)之間的微光具座中必須設(shè)有通路以使得光線可在布置于相關(guān)三維結(jié)構(gòu)中的元件之間行進。因此，微光具座應(yīng)該包含通過諸如通路的結(jié)構(gòu)彼此相通的三維結(jié)構(gòu)。
雖然傳統(tǒng)上可通過各向同性蝕刻形成離散的、不相通的三維結(jié)構(gòu)，但是所蝕刻的在具體幾何形狀(諸如凸面角)處彼此相通的結(jié)構(gòu)在其中期望保持由晶面所限定的精確幾何形狀的應(yīng)用中引起重大問題。例如，在兩個{111}平面在凸面角處相交的情況下，凸面角在兩個平面之間不會呈現(xiàn)直線相交線的形式，而是在這兩個{111}平面之間環(huán)繞以形成磨圓相交線。當繼續(xù)進行蝕刻以達到包含{111}平面的結(jié)構(gòu)的期望深度時，角的磨圓可變成這樣一種程度，即，使得這兩個{111}平面之間的相交線的實質(zhì)部分被除去了。由于{111}平面被設(shè)在三維結(jié)構(gòu)中以構(gòu)成光學(xué)元件可精確地靠著其布置的平面，因此在沒有相交線處{111}平面的主要部分時會引起元件在相交線處布置的許多可變性。因此晶面所提供的益處就會令人難以接受地減少了。
傳統(tǒng)上，為了避免蝕刻相交零件，可使用切割鋸切割。然而，切割鋸切割也是不合需要的，這是由于所述切割通常必須穿過整個襯底并且通常不會位于襯底的離散位置處。而且，切割鋸切割產(chǎn)生碎屑，所述碎屑可能沉積在襯底表面上并進入到三維結(jié)構(gòu)中，這將妨礙光學(xué)元件在所述結(jié)構(gòu)中的精確布置。
因此，本領(lǐng)域存在對于微光具座技術(shù)的這樣一種需求，所述技術(shù)允許三維結(jié)構(gòu)具有用于在不降低相交平坦表面的晶體學(xué)定位的情況下與其他平面相交的晶體學(xué)平坦表面。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種微光具座，所述微光具座包括具有蝕刻-停止凹點和被蝕刻零件(諸如被各向異性地蝕刻的零件)的襯底，所述被蝕刻零件鄰近于所述蝕刻-停止凹點布置。被各向異性地蝕刻的零件可包括V形-槽。蝕刻-停止凹點可具有適合于將蝕刻-停止層支撐在蝕刻-停止凹點表面上的形狀?？稍谛纬杀晃g刻零件之前形成蝕刻-停止凹點。蝕刻-停止層包括對用于形成被蝕刻零件的蝕刻劑有抗力的材料。在提供了蝕刻-停止層之后，在襯底中蝕刻出被蝕刻零件。所述蝕刻-停止層防止蝕刻的零件延伸到所述蝕刻-停止凹點所在的區(qū)域。所述蝕刻-停止層的所述蝕刻防止作用可使得各向異性蝕刻的零件的晶體學(xué)設(shè)計壁保持其鄰近于所述蝕刻-停止凹點的晶體學(xué)定位。
本發(fā)明還提供了一種用于顯微機械加工襯底以構(gòu)成微光具座的方法。所述方法包括形成蝕刻-停止凹點和鄰近于所述蝕刻-停止凹點形成各向異性蝕刻的零件的步驟。所述方法還可包括用蝕刻-停止層涂覆所述蝕刻-停止凹點的表面。


結(jié)合附圖閱讀將更好地理解本發(fā)明的前述概述和以下優(yōu)選實施例的詳細描述，在附圖中圖1示意性地示出了設(shè)在襯底的上表面中的V-槽的頂視圖，其中V-槽包括兩個端部，所述端部包括楔形端部；圖2A-2D示意性地示出了襯底的頂視圖，其中示出了本發(fā)明第一實施例所涉及的當將零件增加到襯底上以產(chǎn)生具有V-槽和相鄰的蝕刻-停止凹點的結(jié)構(gòu)時襯底的變化；圖3A-3F和圖4A-4D示意性地示出了本發(fā)明所涉及的具有相鄰的V-槽的另一蝕刻-停止凹點結(jié)構(gòu)的頂視圖；圖5示意性地示出了本發(fā)明所涉及的用以防止在V-槽中形成楔形端壁的替換蝕刻-停止凹點結(jié)構(gòu)的頂視圖；圖6示意性地示出了本發(fā)明所涉及的用以在V-槽中提供局部、楔形端壁的另一蝕刻-停止凹點結(jié)構(gòu)的頂視圖；圖7示意性地示出了本發(fā)明所涉及的用以防止在相鄰所述蝕刻-停止凹點的三個V-槽中形成楔形端壁的另一蝕刻-停止凹點結(jié)構(gòu)的頂視圖；圖8-10示意性地示出了本發(fā)明所涉及的蝕刻-停止凹點和V-槽連同安裝得用于提供光學(xué)組件的裝置的其他結(jié)構(gòu)的頂視圖；圖11-16示意性地示出了具有相鄰蝕刻-停止凹點的兩個或多個V-槽的蝕刻-停止凹點的另一結(jié)構(gòu)的頂視圖；
圖17-20示意性地示出了本發(fā)明所涉及的具有蝕刻-停止凹點、V-槽、以及用于提供光學(xué)組件的光學(xué)V-凹點的襯底的頂視圖；圖21-26示意性地示出了襯底的頂視圖，所述襯底具有兩個相互以90度定位的V-槽以及具有布置于兩個V-槽相交線位置處的蝕刻-停止凹點；圖27和28示意性地示出了具有布置于兩個相交V-槽的內(nèi)部、凸面角所在的位置處的蝕刻-停止凹點的襯底的頂視圖；圖29A-29D、30、31、32A-32B以及33示意性地示出了具有這樣蝕刻-停止凹點的襯底的頂視圖，所述蝕刻-停止凹點限定襯底的其中形成有各向異性蝕刻的零件的選定區(qū)域；圖34、35A、36和37示意性地示出了具有鄰近于V-凹點的U-形蝕刻-停止凹點的襯底的頂視圖，所述U-形蝕刻-停止凹點用于在襯底上提供激光器支柱的位置和用于提供保持球形光學(xué)元件的位置；圖35B示意性地示出了圖35A中所示的襯底的橫截面圖；圖38A和39A示意性地示出了具有V-槽的襯底的頂視圖，所述V-槽具有蝕刻-停止凹點和設(shè)置于槽內(nèi)部的纖維停止器；圖38B和39B分別示意性地示出了圖38A和39A中所示的襯底的橫截面圖；圖40示出了流程圖，所述流程圖表示本發(fā)明所涉及的用于形成蝕刻-停止凹點和相鄰的各向異性蝕刻的零件的程序；圖41示出了流程圖，所述流程圖表示本發(fā)明的用于形成蝕刻-停止凹點和相鄰的各向異性蝕刻的零件的另一個程序；圖42示出了流程圖，所述流程圖表示本發(fā)明的用于形成蝕刻-停止凹點和相鄰的各向異性零件的另一個工藝；圖43和44分別示意性地示出了包括V-槽和相鄰蝕刻-停止凹點的襯底的頂視圖和橫截面圖；圖45-51示意性地示出了圖41的流程圖中所示的方法所涉及在加工的選定步驟的襯底的橫截面圖；圖52-58示意性地示出了圖42的流程圖中所示的方法所涉及的加工的選定步驟的襯底的橫截面圖；以及圖59-64示意性地示出了圖43的流程圖中所示的方法所涉及的加工的選定步驟的襯底的橫截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在參照附圖，其中在所有的附圖中相同的元件用相同的附圖標記表示，所述附圖示出了本發(fā)明所涉及的裝置的若干不同實施例。不同的實施例包括襯底，所述襯底具有至少兩個共同的零件、蝕刻-停止凹點和鄰近于蝕刻-停止凹點的各向異性零件。蝕刻-停止凹點具有適合于將蝕刻-停止層支撐在蝕刻-停止凹點表面上的形狀。在形成被各向異性地蝕刻的零件之前形成蝕刻-停止凹點。蝕刻-停止層包括對用于形成被各向異性地蝕刻零件的蝕刻劑有抗力的材料。在提供了蝕刻-停止層之后，在襯底中蝕刻出被各向異性地蝕刻的零件。所述蝕刻-停止層防止各向異性蝕刻延伸到所述蝕刻-停止凹點所在的區(qū)域。所述蝕刻-停止層的所述各向異性蝕刻防止作用可使得各向異性蝕刻的零件的晶體學(xué)設(shè)計壁保持其鄰近于所述蝕刻-停止凹點的晶體學(xué)定位。在示出本發(fā)明若干優(yōu)選實施例的附圖中示出了防止所述蝕刻的優(yōu)點。
在所有附圖中，將襯底材料選定為<100>-定向硅。然而，根據(jù)本發(fā)明也可使用其他的硅定向，諸如<110>-定向硅。例如，根據(jù)本發(fā)明也可使用其他各向異性的晶質(zhì)材料，諸如III-V半導(dǎo)體材料，例如，InP、GaAs、InAs、或GaP。所述襯底材料是根據(jù)所要制造的具體光學(xué)裝置和零件的性質(zhì)而選擇的?？筛鶕?jù)所制造的零件的側(cè)壁的期望定向而選擇襯底的晶體取向。例如，可將<100>-定向硅選擇得用于形成具有相對于襯底的上表面傾斜的側(cè)壁的零件?；蛘撸蓪?amp;lt;110>-定向硅選擇得用于形成具有垂直于襯底的上表面的側(cè)壁的零件。
如圖1中所示的，可通過各向異性蝕刻在<100>-定向硅襯底6中形成的典型零件的示例為V-槽2。在本發(fā)明的第一方面中提供了修正的V-槽2，即，具有特別適合于保持圓柱形元件(諸如光纖或GRIN棒形透鏡)的形狀的V-槽12，如圖2A-2D中所示的。
首先參照圖1中所示的V-槽2，V-槽2的每個表面都是硅襯底6的{111}平面。V-槽2可通過已知方法制成，所述方法諸如使用KOH水溶液通過矩形孔眼掩模蝕刻。未延伸到襯底6邊緣的V-槽2包括兩個楔形端壁4。端壁4從頂點5處朝向襯底6的上表面1向上傾斜。在光學(xué)組件中楔形端壁4通常是不合需要的，這是由于楔形端壁4可部分或完全地阻塞光線路徑，從而阻斷光線傳輸?shù)皆O(shè)置于V-槽2中的光學(xué)元件或從設(shè)置于V-槽2中的光學(xué)元件中被傳輸。另外，由于楔形端壁4相對于通常垂直于纖維縱向軸的纖維的端面傾斜，因此楔形端壁4不良地用作光纖停止器。期望產(chǎn)生不具有一個或多個楔形端壁4的V-槽。
具體地，參照圖2D，其中示出了本發(fā)明所涉及的V-槽結(jié)構(gòu)，其中從V-槽12中消除了以虛線示出的一個楔形端壁14a。所述裝置包括具有上表面11的襯底10，在所述上表面11中設(shè)有V-槽12和相鄰蝕刻-停止凹點16。V-槽12和蝕刻-停止凹點16相交的邊緣13是位于V-槽側(cè)壁15的{111}平面中的直線段。在將側(cè)壁15的{111}定向保持在所去除的端壁14a的附近中的同時去除右端壁14a的能力是由蝕刻-停止凹點16和蝕刻-停止層18提供的。
在圖2A-2D中示出了在襯底10的表面中形成蝕刻-停止凹點16和V-槽12的次序。參照圖2A，其中示出了襯底10的頂視圖，其中形成有蝕刻-停止凹點16。如圖中所示的，蝕刻-停止凹點16在襯底10的上表面11的平面中具有三角形橫截面。也可使用除三角形橫截面以外的其他形狀，只要所述形狀適合于防止形成V-槽12的楔形端壁14a。在下面將參照圖3和圖4描述可使用的形狀類型。
蝕刻-停止凹點16的壁最好以90度角延伸到襯底10中，即，相對于襯底10的上表面11垂直，并且蝕刻-停止凹點16可包含平行于上表面11的平面的平坦底部。蝕刻-停止凹點16的所述結(jié)構(gòu)可通過高縱橫比的干法蝕刻(諸如活性離子蝕刻)制造?；蛘?，蝕刻-停止凹點16可包括相對于上表面11的平面傾斜的側(cè)壁。與所利用的側(cè)壁傾斜度無關(guān)，位于鄰近將要形成V-槽12的區(qū)域處(即，相交部分13處)的側(cè)壁16a的部分將延伸到襯底10中比V-槽12的相鄰部分的深度更深的深度。提供所述更深的側(cè)壁部分可確保此后涂覆的蝕刻-停止層18在V-槽12的蝕刻劑與蝕刻-停止凹點16之間提供屏障。
在形成蝕刻-停止凹點16之后，將蝕刻-停止層18共形地提供在側(cè)壁16a和蝕刻-停止凹點16的底部上。蝕刻-停止層18包括對用于形成V-槽12的蝕刻劑有抗力的材料。例如，蝕刻-停止層18可包括二氧化硅或氮化硅，所述二氧化硅可通過CVD提供或可通過用熱的方法氧化蝕刻-停止凹點16的表面16a而提供，所述氮化硅可通過CVD提供。任選地，襯底10的上表面11可設(shè)有與用作蝕刻-停止層18相同材料的層。
通過適合的工藝(諸如使用KOH或EDP通過矩形孔眼掩模的各向異性濕法蝕刻)將V-槽12形成于襯底10的表面11中。矩形孔眼掩模被如此定向，即，使得矩形孔眼的周界被記錄為位于襯底10的上表面11中的V-槽12的周界。矩形孔眼掩模被如此定向，即，使得矩形孔眼端部的一部分覆蓋在蝕刻-停止凹點16上面。在下文中結(jié)合本發(fā)明的方法描述了關(guān)于如何提供掩模的其他細節(jié)。
作為任選的輔助步驟，可將蝕刻-停止層18從蝕刻-停止凹點16上去除。蝕刻-停止層的去除允許V-槽12與蝕刻-停止凹點16的相通。所述相通使得設(shè)置于V-槽12中的元件(諸如纖維)延伸到蝕刻-停止凹點16之上的區(qū)域中并抵靠垂直于V-槽12的縱向軸設(shè)置的蝕刻-停止凹點16的側(cè)壁16a，以便于提供纖維停止器17。
以上根據(jù)圖2D所描述的工藝適合于構(gòu)成文中所示的所有結(jié)構(gòu)。例如，以下所述的每個結(jié)構(gòu)都包括至少一個蝕刻-停止凹點，所述蝕刻-停止凹點在相鄰被各向異性蝕刻的零件(諸如鄰近于凹點所形成的V-槽)之前形成。另外，在形成被各向異性蝕刻的零件之前在蝕刻-停止凹點中提供蝕刻-停止層。雖然在圖中可能未示出蝕刻-停止層，這是由于在形成被各向異性蝕刻的零件后已將其去除，但是應(yīng)該理解的是，在形成被各向異性蝕刻的零件時蝕刻-停止層是存在于蝕刻-停止凹點中的。
除了圖2A-2D中所示的蝕刻-停止凹點16的三角形橫截面形狀之外，依照本發(fā)明的方法也可使用其他的橫截面形狀以完全或部分地防止V-槽的楔形端壁的形成，如圖3C-3F和圖4A-4D中所示的。例如，在圖4A-4D中示出了用于完全防止楔形端壁44的形成的第一類型的蝕刻-停止凹點結(jié)構(gòu)。圖4A-4D示出了鄰近于不同橫截面區(qū)域的蝕刻-停止凹點46、47、48、49的V-槽42的頂視圖。在每種結(jié)構(gòu)中，蝕刻-停止凹點46、47、48、49都完全覆蓋在襯底的這樣區(qū)域上，所述區(qū)域即，將在其中形成V-槽42的楔形端壁44的區(qū)域。蝕刻-停止凹點46、47、48、49和V-槽42可通過上述關(guān)于圖2D中所示的裝置的步驟被形成在襯底中。
蝕刻-停止凹點49的一個期望結(jié)構(gòu)包括在頂點處連接的兩個側(cè)壁，所述頂點沿V-槽42的縱向軸布置以使得頂角α被縱向軸平分。當頂角小于或等于90度時，蝕刻-停止凹點49的所述結(jié)構(gòu)可防止楔形端壁44的形成。
如果頂角大于90度的話，如圖3C和3D中所示的，在V-槽32中將形成部分楔形端壁34。在其中傾角”等于180度(即，直線)的結(jié)構(gòu)中，在V-槽22中將形成典型的楔形端壁24，如圖3A和3B中所示的。也就是說，這樣的蝕刻-停止凹點26可形成楔形端壁24，所述蝕刻-停止凹點26具有鄰近于其中將形成V-槽22的區(qū)域的直側(cè)壁23，并被定向得垂直于V-槽22的縱向軸。根據(jù)本發(fā)明也考慮了蝕刻-停止凹點的其他橫截面形狀，諸如圖3E和3F中所繪的“W”橫截面形狀。
如圖38A-38B和圖39A-39B中所示的，根據(jù)本發(fā)明還可提供使得纖維停止器387形成于V-槽384中的另一種結(jié)構(gòu)的蝕刻-停止凹點386。圖38A和圖39A示出了其中形成有V-槽384的襯底380的頂視圖。圖38B和圖39B分別示出了沿圖38A和圖39A中的線B-B所截的橫截面圖。蝕刻-停止凹點386具有促進楔形纖維停止器387沿鄰近于蝕刻-停止凹點386的第一側(cè)壁383的{111}晶面形成的形狀。具體地，垂直于V-槽384的縱向軸定向的直側(cè)壁383促進楔形纖維停止器387以類似于圖3B中楔形端壁24形成的方式形成。蝕刻-停止凹點386還包括一對從第一端壁383處穿過386的有角度的側(cè)壁385。有角度的側(cè)壁385在選定的頂角處相交，所述頂角具有適合于防止鄰近于有角度的側(cè)壁385的V-槽384中形成楔形表面，即{111}表面的大小和定向。有角度的側(cè)壁385可具有與圖2D中所繪的相應(yīng)側(cè)壁相似的結(jié)構(gòu)。如圖38B和圖39B的橫截面圖中所示的，楔形纖維停止器387在V-槽384的最深部分上方延伸，以使得布置于V-槽384中的纖維381可抵靠楔形纖維停止器387。
如圖5中所示的，防止楔形端壁形成的第二種類型的蝕刻-停止凹點結(jié)構(gòu)具有相對于V-槽52的縱向軸定向在45度(或以下)的角度β處的平行四邊形的橫截面形狀。如果角度β大于45度的話，如在圖6的結(jié)構(gòu)中所示的，那么在V-槽62中形成部分楔形端壁64。在β等于90度的情況中，蝕刻-停止凹點的結(jié)構(gòu)在功能方面變得與圖3A中所示的蝕刻-停止凹點的功能等效。另外，如圖7中所示的，V-槽52、53、55可被設(shè)在蝕刻-停止凹點56的相對側(cè)上。只要每個V-槽52、53、55的縱向軸相對于蝕刻-停止凹點56的相鄰表面被定向在小于45度的角度處，本發(fā)明所涉及的蝕刻工藝在V-槽52、53、55的鄰近于蝕刻-停止凹點56的區(qū)域中將不會產(chǎn)生楔形端壁?？扇绱嗽O(shè)置任意數(shù)量的V-槽，并且所述槽可不必具有相同的尺寸。
現(xiàn)在參照圖2D中所示的結(jié)構(gòu)，其中組合的V-槽14和蝕刻-停止凹點16提供了具有用于保持光纖的纖維停止器17的空腔，通過在襯底10中或襯底10上提供其他的零件可制造其他的光學(xué)組件。所述組件可提供與纖維之間的光學(xué)通信。具體地，由于纖維停止器17提供了用于精確識另纖維的端部所在位置的基準參考點，因此圖2D中的結(jié)構(gòu)適合于與其他光學(xué)元件結(jié)合使用。
例如，圖8-10示出了本發(fā)明所涉及的其他結(jié)構(gòu)的頂視圖，其中提供了包括纖維81、91、101、V-槽84、94、104以及激光器支柱85、95、105的光學(xué)組件?；蛘?，可提供監(jiān)測器支柱來取代激光器支柱85、95、105。具體地，參照圖8，以與以上所述圖2D中所繪的相同的結(jié)構(gòu)提供了V-槽84和具有纖維停止器83的相鄰蝕刻-停止凹點86。然而，蝕刻-停止凹點86的橫截面不是精確的三角形，而是包括蝕刻區(qū)域87，所述蝕刻區(qū)域87在橫截面方面從蝕刻-停止凹點86的纖維停止器邊緣處突出，因此蝕刻-停止凹點86的橫截面形狀類似于箭頭狀的形狀。蝕刻區(qū)域87允許光束擴展。另外，鄰近于蝕刻區(qū)域87提供了激光器支柱85，并且激光器支柱85沿V-槽84的縱向軸被設(shè)置。最好在光纖81的端部與激光器支柱85之間提供一個光學(xué)裝置。因此，圖9和圖10中所示的結(jié)構(gòu)提供了用于接收光學(xué)元件的狹縫99、109。狹縫99、109與各個蝕刻-停止凹點96、106相通并可與蝕刻-停止凹點96、106同時形成。狹縫99、109包括豎直側(cè)壁，然而，也可提供傾斜的側(cè)壁。圖10的狹縫109通常具有平凸透鏡的橫截面形狀，而狹縫99適合于接收平坦光學(xué)元件。
如圖11-16中所示的，在本發(fā)明所涉及的另一個蝕刻-停止凹點結(jié)構(gòu)中，蝕刻-停止凹點可具有菱形的橫截面形狀，所述形狀適合于包括設(shè)置于蝕刻-停止凹點的相對側(cè)上的兩個或多個V-槽的裝置結(jié)構(gòu)。參照圖11，其中示出了襯底110，所述襯底110包括菱形橫截面形狀的蝕刻-停止凹點116，所述蝕刻-停止凹點116具有設(shè)置于蝕刻-停止凹點116的相對側(cè)上的兩個V-槽114、115。V-槽114、115具有共線的并且在蝕刻-停止凹點116的各個頂點處交叉的縱向軸。每個V-槽114、115與蝕刻-停止凹點116的相應(yīng)部分之間相交的區(qū)域具有與圖2D中所繪的V-槽14與蝕刻-停止凹點16之間的相交部分相似的幾何形狀。因此，出于與以上所給出的相同原因，在V-槽114、115中在鄰近于蝕刻-停止凹點116的位置處不會形成楔形端壁。為了使得設(shè)置在兩個V-槽164、165中的各個纖維的端面被更緊密地布置在一起，蝕刻-停止凹點166可包括被壓縮的菱形形狀，如圖16中所示的。
以相同的方式，蝕刻-停止凹點136可具有適合于在蝕刻-停止凹點136的一側(cè)上具有一個單獨的V-槽134并且具有設(shè)置在蝕刻-停止凹點136相對側(cè)處的兩個或多個V-槽135、137、139的橫截面形狀。另外，蝕刻-停止凹點136可具有適合于防止在每個V-槽134、135、137、139中在V-槽134、135、137、139鄰接蝕刻-停止凹點136的各個位置處形成楔形端壁的橫截面形狀。在圖13中示出了所述蝕刻-停止凹點136的合適形狀。蝕刻-停止凹點136提供了兩個用于設(shè)置在V-槽134中的纖維的纖維停止器137。如圖12中所示的，也可提供用于防止在多個V-槽124、125、126、127中形成楔形端壁的其他形狀的蝕刻-停止凹點126。例如，出于與以上關(guān)于圖4D和圖7所給出的原因，不會形成楔形端壁。
另外，如圖14中所示的，圖2D中所示的“具有相鄰V-槽的蝕刻-停止凹點”-結(jié)構(gòu)中的兩個可以相對于通道149背對背同軸的關(guān)系被設(shè)在一個襯底140中，所述通道149在蝕刻-停止凹點146的兩個三角形區(qū)域之間延伸。所述結(jié)構(gòu)提供了用于每個V-槽144、145的纖維停止器147，因此位于V-槽144、145中的兩個纖維端部之間的距離D可被精確地確定。另外，通道159可足夠長，以便于可使得光學(xué)元件插入在兩個纖維停止器157之間。也可提供狹縫153，或其他適合的形狀以接收所述光學(xué)元件。
在本發(fā)明的另一個方面中，如圖17、18和20中所示的，兩個或多個上述“具有相鄰V-槽的蝕刻-停止凹點”結(jié)構(gòu)可被設(shè)在其中設(shè)置有V-凹點的襯底中。通過使用與用于構(gòu)成V-槽相同的方法但是使用正方形孔眼掩模(而不是矩形孔眼掩模)各向異性蝕刻而形成V-凹點179、189、209?？膳c槽174、184、204同時各向異性蝕刻V-凹點179、189、209。根據(jù)結(jié)合圖2D的上述工藝，V-凹點179、189、209應(yīng)在提供了蝕刻-停止凹點176、186、206和蝕刻-停止層之后被蝕刻。V-凹點179、189、209包括位于{111}晶面中的四個三角形形狀的側(cè)壁，從而形成具有四個側(cè)部的正棱錐體，所述正棱錐體延伸到襯底170、180、200中。如圖17和18中所示的，與V-槽174、184一樣，V-凹點179、189應(yīng)延伸到襯底中V-凹點179、189與蝕刻-停止凹點176、186的交點處的小于蝕刻-停止凹點176、186深度的深度處。在V-凹點209不與蝕刻-停止凹點206相交的結(jié)構(gòu)中，無需相對于蝕刻-停止凹點206的深度選定V-凹點209的深度。V-凹點179、189、209提供了用于將球形光學(xué)元件(諸如球形透鏡)保持于V-凹點179、189、209的常規(guī)形狀。V-槽174、184、204被布置得使得設(shè)置于V-槽174、184、204中的光學(xué)元件可與設(shè)置于各個V-凹點176、186、206中的光學(xué)元件光學(xué)相通。在另一結(jié)構(gòu)中，如圖19中所示的，蝕刻-停止凹點196可包含被構(gòu)成得用于保持球形光學(xué)元件的中央部分195。例如，該中央部分可具有菱形形狀。蝕刻-停止凹點196的中央部分195可起到與V-凹點189相同的保持球形光學(xué)元件的作用。
在本發(fā)明的另一個方面中，蝕刻-停止凹點可被提供在其中兩個各向異性蝕刻的零件相交以形成內(nèi)部的凸面角的位置中。由兩個{111}晶面的相交線所形成的凸面角在兩個平面之間沒有形成直線相交線，而是在這兩個{111}晶面之間形成了圓的相交線。該磨圓可擴展以去除相交線附近的材料，從而使得相交線附近的界限分明的{111}平面可被蝕刻掉，從而產(chǎn)生非{111}平面的結(jié)構(gòu)。因此，最好可防止所述磨圓角的形成。
圖21-28示出了本發(fā)明所涉及的蝕刻-停止凹點的若干結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)適合于防止內(nèi)側(cè)的、凸面角處的不合需要的蝕刻。圖21-28中的每種結(jié)構(gòu)都可通過參照圖2D的上述工藝理想地形成，其中蝕刻-停止凹點和蝕刻-停止層在各向異性蝕刻V-槽之前設(shè)在襯底中。例如，參照圖21，圖21中示出了設(shè)置有兩個V-槽214的襯底210的頂視圖。兩個V-槽214以其各自的縱向軸相對于彼此以90度角的方式定位。蝕刻-停止凹點216被設(shè)置在襯底210的選定位置處，所述選定位置對應(yīng)于這兩個V-槽214按另一種方式將相交的位置處。在選定位置處提供蝕刻-停止凹點216防止V-槽214的相交。蝕刻-停止凹點216可被設(shè)置在45度角β處，以使得在鄰近蝕刻-停止凹點216處的V-槽214中不會形成楔形端壁。為了使得蝕刻-停止凹點216與V-槽214的縱向軸之間的對準更加容易(更低的對準誤差)，低于45度的角度是優(yōu)選的。
在圖22-28中示出了防止內(nèi)側(cè)、凸面角的蝕刻和楔形V-槽端壁的蝕刻-停止凹點的另一結(jié)構(gòu)。圖22-28中所示的每個結(jié)構(gòu)都包括定位在90度的V-槽224、234、244、254、264，所述V-槽224、234、244、254、264具有與圖21中相同結(jié)構(gòu)的中間蝕刻-停止凹點226、236、246、256、266。蝕刻-停止凹點226、236、246、256、266被布置得用于防止V-槽224、234、244、254、264的相交。每個蝕刻-停止凹點226、236、246、256、266都具有相對于鄰近V-槽224、234、244、254、264的縱向軸45度或更低的角度設(shè)置的直壁部分。參照圖22和23，蝕刻-停止凹點226、236可包括用于保持諸如過濾器、透鏡、顯微機械加工開關(guān)的光學(xué)元件的內(nèi)部部分225、235。另外，如圖25和圖26中所示的，蝕刻-停止凹點256、266可具有被構(gòu)成得用于提供纖維停止器257、267的形狀，所述纖維停止器257、267用于設(shè)置于V-槽254、264中的纖維251、261。
如圖27和圖28中所示的，根據(jù)本發(fā)明，還提供了蝕刻-停止凹點276、286的其他結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)允許兩個V-槽274、284的相交同時防止形成內(nèi)側(cè)的、凸面角275、285，因此排除了角補償?shù)男枰?。例如，其中示出了襯底270、280的頂視圖，其中V-槽274、284對被設(shè)在襯底270、280的上表面中。V-槽274、284對在V-槽274、284的端部處以90度角相交。蝕刻-停止凹點276、286被設(shè)置在襯底270、280的選定位置處，所述選定位置對應(yīng)于另外將形成相交的V-槽274、284的內(nèi)側(cè)角275、285的位置處。在選定位置處提供涂覆有蝕刻-停止層的蝕刻-停止凹點276、286防止內(nèi)側(cè)凸面角275、285的形成。
在本發(fā)明的另一個方面中，可提供蝕刻-停止凹點296作為限制將被各向異性蝕刻的襯底294區(qū)域的連續(xù)邊界。提供所述蝕刻-停止凹點邊界使得各向異性蝕刻的零件比其他可行方案被蝕刻得更深。例如，參照圖30，其中示出了襯底300的橫截面圖，在所述襯底300中提供了凹入的V-槽304。在上表面301的平面之下形成V-槽304的能力是由限制了V-槽304形成于其中的區(qū)域的蝕刻-停止凹點306(涂覆有蝕刻-停止層)的存在提供的。如虛線307所表示的，如果不提供蝕刻-停止凹點306的話，V-槽304的表面將向上延伸到上表面301，因此V-槽304也不會相對于上表面301凹入。
現(xiàn)在參照圖29A-D，其中提供了L形蝕刻-停止凹點296，所述L形蝕刻-停止凹點296限制了各向異性蝕刻零件可形成于其中的L形區(qū)域。提供L形蝕刻-停止凹點296可形成如圖29A和29B中所示的{111}側(cè)壁。如圖29C和29D中所示的，長時間的蝕刻可形成更深的零件?；蛘?，除L形以外的其他形狀也可用作蝕刻-停止凹點。例如，蝕刻-停止凹點316可具有如圖31的頂視圖中所示的T-形橫截面。在由T-形蝕刻-停止凹點316所限定的各向異性蝕刻區(qū)域311的情況下，可如圖32A和32B中所示的形成{111}側(cè)壁。在橫切平面B-B的附近，各向異性蝕刻零件324可具有V-形橫截面，如圖32B中所示的。根據(jù)本發(fā)明也可使用其他的形狀作為限制將被各向異性蝕刻的區(qū)域的邊界，諸如圖33中所示的結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的另一個方面中，如圖34-36中所示的，鄰近于V-凹點345提供U-形蝕刻-停止凹點346，以便于在襯底340上提供用于安裝光學(xué)元件(諸如激光器支柱355)的位置，以及提供用于保持光學(xué)元件(諸如球形光學(xué)元件350)的位置。圖34和35A示出了襯底340的頂視圖，在襯底340中鄰近于V-凹點345提供了U-形蝕刻-停止凹點346。所述U-形蝕刻-停止凹點346包括延伸到襯底340中選定深度的側(cè)壁。任選地，U-形蝕刻-停止凹點346的側(cè)壁可為豎直的，如圖34中所示的?；蛘撸琔-形蝕刻-停止凹點346的側(cè)壁可相對于襯底340的上表面301傾斜。U-形蝕刻-停止凹點346的側(cè)壁可共形地涂覆有蝕刻-停止層，或者，任選地，蝕刻-停止凹點346中充滿蝕刻-停止層材料。另外，蝕刻-停止凹點346內(nèi)側(cè)的襯底表面301的部分343可設(shè)有蝕刻-停止層。如以上參照圖2A-2D的工藝所描述的，蝕刻-停止層包括對用于形成各向異性被蝕刻零件(諸如V-凹點345)的蝕刻有抗力的材料。
在提供了期望的蝕刻-停止層之后，V-凹點345可通過用于與形成V-槽相同的方法各向異性蝕刻形成，但是使用正方形孔眼掩模。除了使用理想的正方形孔眼掩模之外，還可使用通常包括用于保護蝕刻-停止凹點346內(nèi)側(cè)的襯底表面部分343的突出部分的正方形孔眼?？膳c選擇的V-槽354同時各向異性蝕刻V-凹點345。如圖35B中所示的，V-凹點345應(yīng)延伸到襯底中比V-凹點345與蝕刻-停止凹點346之間的交點353處的蝕刻-停止凹點346的深度更淺的深度。在V-凹點345與蝕刻-停止凹點346不交叉的結(jié)構(gòu)中，無需相對于蝕刻-停止凹點346的深度選定V-凹點345深度。
V-凹點345提供了用于保持球形光學(xué)元件(諸如球形透鏡350)的常規(guī)形狀。襯底表面301的內(nèi)側(cè)部分343提供了用于與球形透鏡350光通信的激光器355或其他光學(xué)裝置可被布置于其處的常規(guī)位置。提供U-形蝕刻-停止凹點346使得鄰近于蝕刻-停止凹點346的V-凹點345的部分在襯底340的表面341下面被凹進。如圖35B中所示的，所述凹進可使得球形透鏡350更緊密地布置于激光器355。另外，如圖36和37中所示的，還可提供V-槽354、374以用于設(shè)置于V-槽354、374中的纖維與V-凹點之間的光通信。參照圖36，可例如以與圖17的V-槽174相同的方式制造V-槽354。或者，如圖37中所示的，蝕刻-停止凹點376可限制V-凹點375形成于其中的區(qū)域。蝕刻-停止凹點376包括U-形部分366以提供與圖35A的結(jié)構(gòu)中的U-形蝕刻凹點346相似的作用。蝕刻-停止凹點376還包括三角形形狀的部分378，以防止在V-槽374中形成楔形端壁并提供纖維停止器377。
制造方法根據(jù)本發(fā)明，提供了用于制造具有蝕刻-停止凹點和用于接收光學(xué)元件的相鄰凹入?yún)^(qū)域(諸如各向異性蝕刻區(qū)域)的光學(xué)組件的方法。在圖40-42的流程圖和圖45-64的側(cè)橫截面圖中示出了三個示范性方法。在圖43和44中示出了圖45-64的側(cè)橫截面圖的方向。
參照圖43，其中示出了襯底440的頂視圖，在襯底440中設(shè)有V-槽444和鄰近的蝕刻-停止凹點446。圖43中所示的結(jié)構(gòu)與圖2D中所示的相同，其中一個楔形端壁已從V-槽444中被除去。在圖44中示出了沿線B-B所截的橫截面圖，以示出V-槽444與蝕刻-停止凹點446相交的位置處的V-槽444的橫截面。圖45-64示出了襯底的橫截面圖，所述橫截面圖是沿與圖44的橫截面圖相同的方向B-B所截的橫截面圖。通過圖40-42的流程圖中所示出的每個方法所制造的示范性部分具有與圖43和44中所示的裝置相似的最終結(jié)構(gòu)。
現(xiàn)在參照圖40，其中示出了流程圖，其中示出了本發(fā)明所涉及的用于產(chǎn)生圖43和44中所示的裝置的方法。如圖45中所示的，提供了用<100>-定向硅制成的襯底450。通過在襯底450的第一表面上提供保護層452以覆蓋其中未設(shè)有蝕刻-停止凹點516的襯底450的那個部分，襯底450的加工工藝開始于圖40的步驟4000。也就是說，保護層452包括蝕刻-停止凹點孔451，通過所述蝕刻-停止凹點孔451可接近襯底450表面的一部分以形成蝕刻-停止凹點516。
保護層452可被沉積在襯底450的整個表面上。之后，可去除部分保護層452以在蝕刻-停止凹點516的選定區(qū)域處露出襯底450的表面。保護層452的材料被選擇為對用于形成V-槽512的蝕刻劑有抗力的材料。例如，二氧化硅是一種合適的材料。二氧化硅可通過CVD被沉積或可通過襯底表面的熱氧化被提供。二氧化硅層應(yīng)足夠厚以用作蝕刻-停止凹點形成期間的掩模。
在涂覆了保護層452之后，如圖45中所示的，在步驟4010，孔限定層454被沉積在保護層452的選定部分上。如下面所述的，提供孔限定層454以使得可提供孔457，通過所述孔457可蝕刻V-槽512。將孔限定層454的位置選定為覆蓋襯底表面的這樣的部分，其中V-槽512將被布置于所述部分處。
如圖46中所示的，在步驟4020，繼續(xù)進行位于蝕刻-停止凹點孔451中的一部分襯底450的選擇性去除的程序，以在襯底450中形成蝕刻-停止凹點516。傳統(tǒng)上來說，可通過活性離子蝕刻、等離子蝕刻、離子銑削或通過任何其他定向工藝形成蝕刻-停止凹點516。另外，可通過諸如各向同性或各向異性蝕刻形成蝕刻-停止凹點516，只要蝕刻-停止凹點516達到期望的形狀和深度。
如圖47中所示的，在已形成了蝕刻-停止凹點516之后，在步驟4030，將蝕刻-停止凹點516的表面涂覆(最好共形地)蝕刻-停止層458。傳統(tǒng)上來說，可通過熱氧化襯底以提供包括二氧化硅的蝕刻-停止層458來提供蝕刻-停止層458。蝕刻-停止層458的適當選擇包括對用于形成V-槽512的蝕刻劑有抗力的任何材料。在熱氧化步驟4030期間，如圖47中所示的，先前沉積的二氧化硅保護層452的厚度增加了，并且圍繞孔限定層454的周界。
在蝕刻-停止層458處于適當位置中的情況下，如圖48中所示的，在步驟4040，通過去除孔限定層454以在保護層452中提供V-槽孔455而繼續(xù)進行程序。在步驟4050，去除了足夠厚度的保護層452以露出設(shè)置于孔限定層454下面的襯底450的表面，以使得V-槽孔455與襯底450的表面相通。如圖49中所示的，保護層452和蝕刻-停止層458的一部分保留在將不形成V-槽512的表面上。用于去除一定厚度的保護層452的適合的工藝是短時期的、濕法或干法氧化蝕刻。
接下來，如圖50中所示的，在步驟4060，通過V-槽孔455可接近的部分襯底450被選擇性地去除以形成V-槽512，如圖50中所示的。用于形成V-槽512的適當?shù)墓に嚢ㄊ褂肊DP或TMAH的各向異性蝕刻。也可使用KOH；然而，由于KOH可腐蝕保護層452和蝕刻-停止層458，因此僅在保護層452和蝕刻-停止層458具有足夠厚度以致于不能完全被KOH去除的情況下可使用KOH。作為最后的任選步驟，可在步驟4070去除保護層452和蝕刻-停止層458的剩余部分，以產(chǎn)生圖51中所示的裝置。
現(xiàn)在參照圖41和52-58，其中示出了本發(fā)明所涉及的用于產(chǎn)生圖43和44中所示的裝置的另一種方法。如圖52中所示的，提供了用<100>-定向硅制成的襯底520。通過在襯底520的第一表面上提供第一保護層522以覆蓋其中既未設(shè)有蝕刻-停止凹點586也未設(shè)有V-槽582的襯底520的那個部分，襯底520的程序開始于圖41的步驟4100。
第一保護層522可被沉積在襯底520的整個表面上。之后，可去除部分第一保護層522以在蝕刻-停止凹點586與V-槽582的選定區(qū)域處露出襯底520的表面。第一保護層522的材料被選擇為對用于形成V-槽582的蝕刻劑有抗力的材料。例如，氮化硅是一種合適的材料。氮化硅可通過CVD被沉積。
在涂覆了第一保護層522之后，如圖52中所示的，在步驟4110，第二保護層524被沉積在將形成V-槽582的第一保護層522和襯底表面的選定部分上。第二保護層524包括孔521，通過所述孔521可形成蝕刻-停止凹點586。
如圖53中所示的，在步驟4120，繼續(xù)進行位于蝕刻-停止凹點孔521中的一部分襯底520的選擇性去除的程序。傳統(tǒng)上來說，可通過活性離子蝕刻、等離子蝕刻、離子銑削或通過任何其他定向工藝形成蝕刻-停止凹點586。另外，可通過諸如各向同性或各向異性蝕刻形成蝕刻-停止凹點586，只要蝕刻-停止凹點586達到期望的形狀和深度。
如圖54中所示的，在已形成了蝕刻-停止凹點586之后，在步驟4130，將蝕刻-停止凹點586和第二保護層524的表面涂覆(最好共形地)蝕刻-停止層528。傳統(tǒng)上來說，可通過CVD來提供蝕刻-停止層528。蝕刻-停止層528的適當選擇包括對用于形成V-槽582的蝕刻劑有抗力的任何材料，諸如氮化硅。
在蝕刻-停止層528處于適當位置中的情況下，在步驟4140，通過去除設(shè)置于第二保護層524的上表面541上的蝕刻-停止層528部分而繼續(xù)進行程序。如圖55中所示的，設(shè)置于蝕刻-停止凹點586之中的蝕刻-停止層528部分被保留。可通過諸如平面化或磨光等任何適合的方法執(zhí)行去除步驟4140。隨后，在步驟4150，如圖56中所示的，第二保護層524被去除以提供V-槽孔525。用于去除第二保護層524的適合方法包括使用稀釋HF進行蝕刻。
接下來，如圖57中所示的，在步驟4160，通過V-槽孔525可接近的部分襯底520被選擇性地去除以形成V-槽582，如圖50中所示的。用于形成V-槽582的適當?shù)墓に嚢ㄊ褂肒OH的各向異性蝕刻。作為最后的任選步驟，可在步驟4170去除第一保護層522和蝕刻-停止層528的剩余部分，以產(chǎn)生圖58中所示的裝置。
現(xiàn)在參照圖42和59-64，其中示出了本發(fā)明所涉及的用于產(chǎn)生圖43和44中所示的裝置的另一種方法。如圖59中所示的，提供了用<100>-定向硅制成的襯底590。如圖59中所示的，通過為沉積在襯底590選定部分上的孔限定層594提供保護，襯底590的程序開始于圖42的步驟4200?？紫薅▽?94的位置被選定為覆蓋襯底表面的這樣一個部分，其中V-槽632將位于所述部分處。用作孔限定層524的適合材料是氮化硅。
在步驟4210，通過在孔限定層594上和未被孔限定層524覆蓋的襯底590部分上提供光致抗蝕劑層592，繼續(xù)進行襯底590的程序。如圖59中所示的，使用本領(lǐng)域已知的方法為光致抗蝕劑層592形成圖案，以提供蝕刻-停止凹點孔591。如圖60中所示的，在步驟4220，通過選擇性地去除位于蝕刻-停止凹點孔591中的襯底590部分而繼續(xù)進行程序，以在襯底590中形成蝕刻-停止凹點636。傳統(tǒng)上來說可通過不去除孔限定層594的工藝來形成蝕刻-停止凹點636。另外，可通過諸如各向同性或各向異性蝕刻形成蝕刻-停止凹點636，只要蝕刻-停止凹點636達到期望的形狀和深度。
在已形成了蝕刻-停止凹點636之后，在步驟4230，將光致抗蝕劑層592去除。如圖61中所示的，在步驟4230，蝕刻-停止凹點636的表面和襯底590的暴露表面被氧化以形成蝕刻-停止層598。在蝕刻-停止層598處于適當位置中的情況下，如圖62中所示的，在步驟4240，通過去除孔限定層594以提供襯底590的未氧化區(qū)域597而繼續(xù)進行程序。
接下來，如圖63中所示的，在步驟4250，選擇性地去除襯底590的未氧化區(qū)域597以形成V-槽632，如圖63中所示的。用于形成V-槽632的適合工藝包括使用EDP或TMAH的各向異性蝕刻。也可使用KOH；然而，由于KOH可腐蝕氧化蝕刻-停止層598，因此僅在蝕刻-停止層598具有足夠厚度以致于不能完全被KOH去除的情況下可使用KOH。作為最后的任選步驟，可在步驟4260去除蝕刻-停止層598的剩余部分，以產(chǎn)生圖64中所示的裝置。
本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將從前面的說明書中明白本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點。因此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該明白的是，在不脫離本發(fā)明的廣義發(fā)明思想的情況下可對上述實施例作出改變或修正。例如，可鄰近于蝕刻-停止凹點形成非各向異性蝕刻的零件。因此應(yīng)該理解的是，本發(fā)明不局限于文中所述的具體實施例，而是應(yīng)該包括如權(quán)利要求中所闡述的本發(fā)明保護范圍和精神內(nèi)的所有改變和修正。
權(quán)利要求
1.一種微光具座，所述微光具座包括具有蝕刻-停止凹點和被各向異性地蝕刻的零件的襯底，所述被蝕刻零件鄰近于所述蝕刻-停止凹點布置。
2.如權(quán)利要求1中所述的微光具座，其特征在于，被各向異性地蝕刻的零件包括V-槽。
3.一種用于顯微機械加工襯底的方法，所述方法包括形成蝕刻-停止凹點的步驟和鄰近于所述蝕刻-停止凹點形成各向異性蝕刻的零件的步驟。
4.如權(quán)利要求3中所述的方法，包括用蝕刻-停止層涂覆所述蝕刻-停止凹點的表面。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種微光具座，所述微光具座具有蝕刻到襯底中的相交結(jié)構(gòu)。具體地，本發(fā)明所涉及的微光具座包括具有沿單晶襯底的選定晶面所形成的平坦表面的結(jié)構(gòu)。所提供的結(jié)構(gòu)中的兩種是蝕刻－停止凹點和鄰近于所述蝕刻－停止凹點設(shè)置的各向異性蝕刻的零件。在蝕刻－停止凹點與各向異性蝕刻的零件之間的交點處保持晶面的定向。本發(fā)明還提供了一種用于顯微機械加工襯底以形成微光具座的方法。所述方法包括形成蝕刻－停止凹點的步驟和鄰近于所述蝕刻－停止凹點形成各向異性蝕刻的零件的步驟。所述方法還包括用蝕刻－停止層涂覆所述蝕刻－停止凹點的表面。
文檔編號G02B6/12GK1545732SQ02816376
公開日2004年11月10日 申請日期2002年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月19日
發(fā)明者丹·A·斯坦伯格, 拉里·J·拉斯納克, J 拉斯納克, 丹 A 斯坦伯格 申請人:希普雷公司