專利名稱：圖案形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體制備工藝中的圖案形成方法。
目前，通過(guò)以汞燈、KrF激元(excimer)激光或者ArF激元激光等作為曝光光源的光石印進(jìn)行圖案形成，其中為了形成0.1μm以下，特別是50nm以下的微小的圖案，作為曝光光源，已經(jīng)研究了在真空中曝光的極遠(yuǎn)紫外線(波長(zhǎng)為1nm波段～30nm波段的光)或者電子射線等的應(yīng)用。此外，作為適于這些曝光光源的抗蝕劑材料，可列舉析象度和感光度良好的化學(xué)放大型抗蝕劑材料。
下面，參照?qǐng)D4(a)～(d)，對(duì)于通過(guò)在真空中向由化學(xué)放大型抗蝕劑材料組成的抗蝕劑膜照射極遠(yuǎn)紫外線而進(jìn)行圖案曝光的以往的圖案形成方法例進(jìn)行說(shuō)明。
首先，預(yù)備具有以下組成的化學(xué)放大型抗蝕劑材料。
聚((2-甲基-2-金剛烷丙烯酸酯)-(甲基丙烯酸甲酯)-(甲基丙烯酸))(其中，2-甲基-2-金剛烷丙烯酸酯∶甲基丙烯酸甲酯∶甲基丙烯酸＝70mol％∶20mol％∶10mol％)(基本聚合物)…………………………………………………………………2g三苯基锍triflate(酸產(chǎn)生劑)……………………………0.4g丙二醇單甲醚乙酸酯(溶劑)………………………………20g接著，如圖4(a)中所示，通過(guò)在半導(dǎo)體基板1上旋轉(zhuǎn)涂敷上述的化學(xué)放大型抗蝕劑材料，形成具有0.2μm厚度的抗蝕劑膜2后，對(duì)該抗蝕劑膜2，使用電熱板在90℃的溫度下進(jìn)行60秒鐘的加熱3，進(jìn)行預(yù)烘焙(bake)。
接著，如圖4(b)中所示，對(duì)經(jīng)預(yù)烘焙的抗蝕劑膜2，通過(guò)圖中未示出的反射型掩膜在真空中照射具有13.5nm波長(zhǎng)的極遠(yuǎn)紫外線4，進(jìn)行圖案曝光。
然后，如圖4(c)中所示，對(duì)抗蝕劑膜2，使用電熱板在110℃的溫度下進(jìn)行60秒鐘的加熱5。此時(shí)，抗蝕劑膜2中的曝光部分2a會(huì)受由酸產(chǎn)生劑產(chǎn)生的酸的作用相對(duì)于堿性顯影液呈可溶性，而另一方面，抗蝕劑膜2中的未曝光部分2b由于沒(méi)有來(lái)自酸產(chǎn)生劑的酸，因此相對(duì)于堿性顯影液仍呈難溶性。
接著，如圖4(d)中所示，對(duì)抗蝕劑膜2，使用2.38重量％的氫氧化四甲銨顯影液(堿性顯影液)進(jìn)行顯影，進(jìn)而形成具有0.7μm的線寬的抗蝕劑圖案6。
可是，如圖4(d)中所示，所獲得的抗蝕劑圖案6的截面形狀已經(jīng)發(fā)生惡化。
抗蝕劑圖案6的形狀惡化的理由被認(rèn)為如下。
對(duì)經(jīng)預(yù)烘焙的抗蝕劑膜2，在真空中通過(guò)照射極遠(yuǎn)紫外線4而進(jìn)行圖案曝光時(shí)，從抗蝕劑膜2產(chǎn)生逸出氣體，并且所產(chǎn)生的逸出氣體粘付在曝光光學(xué)系統(tǒng)的反射鏡或者掩膜上。因此，向抗蝕劑膜2照射的曝光光的照度下降，從而導(dǎo)致在抗蝕劑膜2的曝光部分2a中酸產(chǎn)生劑無(wú)法產(chǎn)生足夠量的酸。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明中的圖案形成方法包括對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行預(yù)烘焙的工藝、揮發(fā)經(jīng)預(yù)烘焙的抗蝕劑膜中所含有的溶劑的工藝、在真空中對(duì)已揮發(fā)溶劑的抗蝕劑膜選擇性地照射曝光光源而進(jìn)行圖案曝光的工藝、以及通過(guò)顯影經(jīng)圖案曝光的抗蝕劑膜而形成抗蝕劑圖案的工藝。
根據(jù)本發(fā)明中的圖案形成方法，由于使經(jīng)預(yù)烘焙的抗蝕劑膜中含有的溶劑揮發(fā)掉，而且在真空中對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行圖案曝光，所以在圖案曝光工藝中可以大大減少由抗蝕劑膜產(chǎn)生的逸出氣體的量，同時(shí)可以降低在真空中與溶劑一起由抗蝕劑膜向外滲出的酸產(chǎn)生劑等的量。因此，粘付在曝光光學(xué)系統(tǒng)的反射鏡或者掩膜上的逸出氣體的量顯著降低，所以向抗蝕劑膜的照射量增加，由此可以獲得具有良好的截面形狀的抗蝕劑圖案。
在關(guān)于本發(fā)明的圖案形成方法中，使溶劑揮發(fā)的工藝最好包括使揮發(fā)溶劑后的抗蝕劑膜中含有的溶劑量變?yōu)檫M(jìn)行預(yù)烘焙前抗蝕劑膜中含有的溶劑量的10％以下的工藝。
由此，可以確實(shí)降低圖案曝光工藝中由抗蝕劑膜產(chǎn)生的逸出氣體量。
在關(guān)于本發(fā)明的圖案形成方法中，使溶劑揮發(fā)的工藝最好包括加熱經(jīng)預(yù)烘焙的抗蝕劑膜的工藝。
由此可以簡(jiǎn)便且有效地?fù)]發(fā)抗蝕劑膜中含有的溶劑。
在關(guān)于本發(fā)明的圖案形成方法中，使溶劑揮發(fā)的工藝最好包括向經(jīng)預(yù)烘焙的抗蝕劑膜照射能量射線的工藝。
由此可以簡(jiǎn)便且有效地?fù)]發(fā)抗蝕劑膜中含有的溶劑。
這時(shí)，作為能量射線，優(yōu)選紫外線或者遠(yuǎn)紫外線。
由此，可以在抗蝕劑膜對(duì)能量射線不產(chǎn)生感應(yīng)的條件下，使抗蝕劑膜中含有的溶劑揮發(fā)。
在關(guān)于本發(fā)明的圖案形成方法中，抗蝕劑膜最好由化學(xué)放大型抗蝕劑材料組成。
這時(shí)，作為化學(xué)放大型抗蝕劑材料的基本聚合物，可以使用酚類聚合物、丙烯酸類聚合物、甲基丙烯酸類聚合物或者環(huán)烯類聚合物。
在關(guān)于本發(fā)明的圖案形成方法中，作為曝光光源，可以使用具有1nm波段～30nm波段波長(zhǎng)的極遠(yuǎn)紫外線，或者電子射線。
此外，在關(guān)于本發(fā)明的圖案形成方法中，作為曝光光源，可以使用具有13.5nm波段波長(zhǎng)的極遠(yuǎn)紫外線。
圖2(a)～(e)是表示實(shí)施例2的圖案形成方法各工藝的截面圖。
圖3是表示殘留于抗蝕劑膜中的溶劑比例和由抗蝕劑膜產(chǎn)生的逸出氣體比率關(guān)系的特征圖。
圖4(a)～(d)是表示以往的圖案形成方法各工藝的截面圖。
首先，預(yù)備具有以下組成的化學(xué)放大型抗蝕劑材料。
聚((2-甲基-2-金剛烷丙烯酸酯)-(甲基丙烯酸甲酯)-(甲基丙烯酸))(其中，2-甲基-2-金剛烷丙烯酸酯∶甲基丙烯酸甲酯∶甲基丙烯酸＝70mol％∶20mol％∶10mol％)(基本聚合物)……………………………………………………………2g三苯基锍triflate(酸產(chǎn)生劑)………………………0.4g丙二醇單甲醚乙酸酯(溶劑)……………………………………20g接著，如

圖1(a)中所示，通過(guò)在半導(dǎo)體基板10上旋轉(zhuǎn)涂敷上述的化學(xué)放大型抗蝕劑材料，形成具有0.2μm厚度的抗蝕劑膜11后，對(duì)該抗蝕劑膜11，使用電熱板在90℃的溫度下進(jìn)行60秒鐘的第一次加熱12，進(jìn)行預(yù)烘焙。
接著，如圖1(b)中所示，對(duì)進(jìn)行預(yù)烘焙的抗蝕劑膜11，使用電熱板在110℃的溫度下進(jìn)行60秒鐘的第二次加熱13，使抗蝕劑膜11中含有的溶劑揮發(fā)。經(jīng)過(guò)該工藝，溶劑揮發(fā)工藝后抗蝕劑膜11中含有的溶劑量變?yōu)檫M(jìn)行預(yù)烘焙前抗蝕劑膜11中含有的溶劑量的10％以下。
其中，分別進(jìn)行預(yù)烘焙工藝和使溶劑揮發(fā)的工藝的理由如下。
如果只想通過(guò)預(yù)烘焙使抗蝕劑膜11中含有的溶劑充分揮發(fā)，則必須延長(zhǎng)加熱時(shí)間和提高加熱溫度，因此有時(shí)會(huì)使抗蝕劑膜11中所含的感光成分(例如，酸產(chǎn)生劑)遭到破壞，或者有時(shí)由于抗蝕劑膜11中含有的基本聚合物發(fā)生收縮而導(dǎo)致抗蝕劑膜的收縮，進(jìn)而惡化抗蝕劑膜11的析象特性。
與此相反，如果對(duì)預(yù)烘焙的抗蝕劑膜11具備使抗蝕劑膜11中含有的溶劑揮發(fā)的工藝，則就不會(huì)惡化抗蝕劑膜11的析象特性。其理由是，因?yàn)闀呵抑袛鄬?duì)抗蝕劑膜11的加熱過(guò)程，可以抑制加熱時(shí)間的增加和加熱溫度上升的程度，同時(shí)可以揮發(fā)抗蝕劑膜11中含有的溶劑。
接著，如圖1(c)中所示，對(duì)通過(guò)加熱揮發(fā)掉溶劑的抗蝕劑膜11，在真空中使用圖中未示出的反射型掩膜選擇性地照射具有13.5nm波長(zhǎng)的極遠(yuǎn)紫外線14，進(jìn)行圖案曝光。由此大大降低了由抗蝕劑膜11揮發(fā)的溶劑量，進(jìn)而顯著降低了粘付在曝光光學(xué)系統(tǒng)的反射鏡或者掩膜上的逸出氣體的量。
接著，如圖1(d)中所示，對(duì)抗蝕劑膜11，使用電熱板在110℃的溫度下進(jìn)行60秒鐘的第三次加熱15。這樣，抗蝕劑膜11中的曝光部分11a受由酸產(chǎn)生劑產(chǎn)生的酸的作用會(huì)相對(duì)于堿性顯影液變?yōu)榭扇苄?，另一方面，抗蝕劑膜11中的未曝光部分11b由于沒(méi)有來(lái)自酸產(chǎn)生劑的酸則相對(duì)于堿性顯影液仍呈難溶性。
接著，如圖1(e)中所示，對(duì)圖案曝光的抗蝕劑膜11，使用2.38重量％的氫氧化四甲銨顯影液(堿性顯影液)進(jìn)行顯影，進(jìn)而形成具有0.7μm的線寬的抗蝕劑圖案16。
根據(jù)實(shí)施例1，由于使抗蝕劑膜11中含有的溶劑揮發(fā)之后在真空中對(duì)抗蝕劑膜11進(jìn)行圖案曝光，因此可以大大降低圖案曝光工藝中由抗蝕劑膜11產(chǎn)生的逸出氣體的量。因此，明顯降低了粘付在反射鏡或者掩膜上的逸出氣體的量，可以獲得具有良好的截面形狀的抗蝕劑圖案16。
而且，在實(shí)施例1中，對(duì)已進(jìn)行預(yù)烘焙的抗蝕劑膜11使用電熱板在110℃的溫度下進(jìn)行60秒鐘的加熱13，但也可以以用電熱板在70-150℃的溫度下進(jìn)行30-300秒鐘的加熱代替該步驟。
圖3表示的是抗蝕劑膜中殘留的溶劑比例(溶劑揮發(fā)工藝后抗蝕劑膜11中含有的溶劑量相對(duì)于預(yù)烘焙前抗蝕劑膜11中含有的溶劑量的比例)和由抗蝕劑膜產(chǎn)生的逸出氣體的比率(使溶劑揮發(fā)時(shí)由抗蝕劑膜11產(chǎn)生的逸出氣體量相對(duì)于不使溶劑揮發(fā)時(shí)由抗蝕劑膜11產(chǎn)生的逸出氣體量的比率)的關(guān)系。
由圖3可知，如果抗蝕劑膜中殘留的溶劑的比例變?yōu)?0％以下，則可明顯降低由抗蝕劑膜產(chǎn)生的逸出氣體的比率。
(實(shí)施例2)下面，參照?qǐng)D2(a)～(e)，對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施例2中的圖案形成方法進(jìn)行說(shuō)明。
首先，預(yù)備具有以下組成的化學(xué)放大型抗蝕劑材料。
聚((2-甲基-2-金剛烷丙烯酸酯)-(甲基丙烯酸甲酯)-(甲基丙烯酸))(其中，2-甲基-2-金剛烷丙烯酸酯∶甲基丙烯酸甲酯∶甲基丙烯酸＝70mol％∶20mol％∶10mol％)(基本聚合物)……………………………………………………………2g三苯基锍triflate(酸產(chǎn)生劑)………………………0.4g丙二醇單甲醚乙酸酯(溶劑)…………………………20g接著，如圖2(a)中所示，通過(guò)在半導(dǎo)體基板20上旋轉(zhuǎn)涂敷上述的化學(xué)放大型抗蝕劑材料，形成具有0.2μm厚度的抗蝕劑膜21后，對(duì)該抗蝕劑膜21，使用電熱板在90℃的溫度下進(jìn)行60秒鐘的第一次加熱22，進(jìn)行預(yù)烘焙。
接著，如圖2(b)中所示，對(duì)已進(jìn)行預(yù)烘焙的抗蝕劑膜21，作為能量射線以20mJ/cm2的能量照射由汞燈發(fā)射出的紫外線23，使抗蝕劑膜21中含有的溶劑揮發(fā)。由此，溶劑揮發(fā)工藝后抗蝕劑膜21中含有的溶劑量變?yōu)檫M(jìn)行預(yù)烘焙前抗蝕劑膜21中含有的溶劑量的10％以下。
接著，如圖2(c)中所示，對(duì)通過(guò)加熱揮發(fā)掉溶劑的抗蝕劑膜21，在真空中使用圖中未示出的反射型掩膜選擇性地照射具有13.5nm波長(zhǎng)的極遠(yuǎn)紫外線24，進(jìn)行圖案曝光。這樣就大大降低了由抗蝕劑膜21揮發(fā)的溶劑量，進(jìn)而顯著降低了粘付在曝光光學(xué)系統(tǒng)的反射鏡或者掩膜上的逸出氣體的量。
然后，如圖2(d)中所示，對(duì)抗蝕劑膜21，使用電熱板在110℃的溫度下進(jìn)行60秒鐘的第二次加熱25。由此，抗蝕劑膜21中的曝光部分21a受由酸產(chǎn)生劑產(chǎn)生的酸的作用會(huì)相對(duì)于堿性顯影液變?yōu)榭扇苄?，另一方面，抗蝕劑膜21中的未曝光部分21b由于沒(méi)有來(lái)自酸產(chǎn)生劑的酸則相對(duì)于堿性顯影液仍呈難溶性。
接著，如圖2(e)中所示，對(duì)已進(jìn)行圖案曝光的抗蝕劑膜21，使用2.38重量％的氫氧化四甲銨顯影液(堿性顯影液)進(jìn)行顯影，進(jìn)而形成具有0.7μm的線寬的抗蝕劑圖案26。
根據(jù)實(shí)施例2，由于使抗蝕劑膜21中含有的溶劑揮發(fā)之后再在真空中對(duì)抗蝕劑膜21進(jìn)行圖案曝光，因此可以大大降低圖案曝光工藝中由抗蝕劑膜21產(chǎn)生的逸出氣體的量。因此，顯著降低了粘付在反射鏡或者掩膜上的逸出氣體的量，可以獲得具有良好的截面形狀的抗蝕劑圖案26。
而且，在實(shí)施例2中，作為能量射線照射的是紫外線，但也可以用遠(yuǎn)紫外線代替照射。此外，可以適當(dāng)使用具有在不使抗蝕劑膜21感應(yīng)的條件下可揮發(fā)抗蝕劑膜21中所含溶劑的波長(zhǎng)的能量射線。
另外，作為能量射線的能量量，并不限于20mJ/cm2，也可以是例如10mJ/cm2～2mJ/cm2。
此外，在實(shí)施例1和實(shí)施例2中，作為曝光光源，照射的是具有13.5nm波長(zhǎng)波段的極遠(yuǎn)紫外線，但也可以用具有1nm波段～30nm波段波長(zhǎng)的極遠(yuǎn)紫外線、或者電子射線代替照射。
還有，在實(shí)施例1和實(shí)施例2中，使用的是化學(xué)放大型抗蝕劑材料，但也可以代替使用非化學(xué)放大型抗蝕劑材料。
此外，作為化學(xué)放大型抗蝕劑材料的基本聚合物，可以使用酚類聚合物、丙烯酸類聚合物、甲基丙烯酸類聚合物或者環(huán)烯類聚合物，但也并不限于這些。
下面，列舉化學(xué)放大型抗蝕劑材料的基本聚合物。
(1)酚類聚合物○聚((乙氧基乙基氧苯乙烯)-(羥基苯乙烯))(其中，乙氧基乙基氧苯乙烯∶羥基苯乙烯＝35mol％∶65mol％)○聚((甲氧基甲基氧苯乙烯)-(羥基苯乙烯))(其中，甲氧基甲基氧苯乙烯∶羥基苯乙烯＝40mol％∶60mol％)○聚((四氫吡喃基氧苯乙烯)-(羥基苯乙烯))(其中，四氫吡喃基氧苯乙烯∶羥基苯乙烯＝35mol％∶65mol％)○聚((苯氧基乙基氧苯乙烯)-(羥基苯乙烯))(其中，苯氧基乙基氧苯乙烯∶羥基苯乙烯＝32mol％∶68mol％)○聚((叔丁基氧苯乙烯)-(羥基苯乙烯))(其中，叔丁基氧苯乙烯∶羥基苯乙烯＝30mol％∶70mol％)○聚((叔丁基氧羰基氧苯乙烯)-(羥基苯乙烯))(其中，叔丁基氧羰基氧苯乙烯∶羥基苯乙烯＝30mol％∶70mol％)○聚((叔丁基氧羰基甲基氧苯乙烯)-(羥基苯乙烯))(其中，叔丁基氧羰基甲基氧苯乙烯∶羥基苯乙烯＝28mol％∶72mol％)(2)丙烯酸類聚合物○聚((2-甲基-2-金剛烷丙烯酸酯)-(甲羥戊酸內(nèi)酯丙烯酸酯))(其中，2-甲基-2-金剛烷丙烯酸酯∶甲羥戊酸內(nèi)酯丙烯酸酯＝50mol％∶50mol％)○聚((2-乙基-2-金剛烷丙烯酸酯)-(γ-丁內(nèi)酯丙烯酸酯))(其中，2-乙基-2-金剛烷丙烯酸酯∶γ-丁內(nèi)酯丙烯酸酯＝50mol％∶50mol％)(3)甲基丙烯酸類聚合物○聚((2-甲基-2-金剛烷甲基丙烯酸酯)-(甲羥戊酸內(nèi)酯甲基丙烯酸酯))(其中，2-甲基-2-金剛烷甲基丙烯酸酯∶甲羥戊酸內(nèi)酯甲基丙烯酸酯＝50mol％∶50mol％)○聚((2-乙基-2-金剛烷甲基丙烯酸酯)-(γ-丁內(nèi)酯甲基丙烯酸酯))(其中，2-乙基-2-金剛烷甲基丙烯酸酯∶γ-丁內(nèi)酯甲基丙烯酸酯＝50mol％∶50mol％)○聚((2-甲基-2-金剛烷丙烯酸酯)-(甲羥戊酸內(nèi)酯甲基丙烯酸酯))(其中，2-甲基-2-金剛烷丙烯酸酯∶甲羥戊酸內(nèi)酯甲基丙烯酸酯＝50mol％∶50mol％)○聚((2-乙基-2-金剛烷丙烯酸酯)-(γ-丁內(nèi)酯甲基丙烯酸酯))(其中，2-乙基-2-金剛烷丙烯酸酯∶γ-丁內(nèi)酯甲基丙烯酸酯＝50mol％∶50mol％)(4)環(huán)烯類聚合物○聚((5-叔丁基降冰片烯-5-羧酸酯)-(降冰片烯-5-羧酸酯))(其中，5-叔丁基降冰片烯-5-羧酸酯∶降冰片烯-5-羧酸酯＝40mol％∶60mol％)○聚((5-叔丁基降冰片烯-5-亞甲六氟異丙基醇)-(降冰片烯-5-亞甲六氟異丙基醇))(其中，5-叔丁基降冰片烯-5-亞甲六氟異丙基醇∶降冰片烯-5-亞甲六氟異丙基醇＝35mol％∶65mol％)○聚((5-叔丁基降冰片烯-5-羧酸酯)-(馬來(lái)酸酐))(其中，5-叔丁基降冰片烯-5-羧酸酯∶馬來(lái)酸酐＝50mol％∶50mol％)○聚((5-叔丁基降冰片烯-5-羧酸酯)-(降冰片烯-5-羧酸酯)-(馬來(lái)酸酐))(其中，5-叔丁基降冰片烯-5-羧酸酯∶降冰片烯-5-羧酸酯∶馬來(lái)酸酐＝40mol％∶10mol％∶50mol％)○聚((5-叔丁基降冰片烯-5-亞甲六氟異丙基醇)-(馬來(lái)酸酐))(其中，5-叔丁基降冰片烯-5-亞甲六氟異丙基醇∶馬來(lái)酸酐＝50mol％∶50mol％)○聚((5-叔丁基降冰片烯-5-亞甲六氟異丙基醇)-(降冰片烯-5-亞甲六氟異丙基醇)-(馬來(lái)酸酐))(其中，5-叔丁基降冰片烯-5-亞甲六氟異丙基醇∶降冰片烯-5-亞甲六氟異丙基醇∶馬來(lái)酸酐＝35mol％∶15mol％∶50mol％)○聚((5-叔丁基降冰片烯-5-羧酸酯)-(馬來(lái)酸酐)-(2-甲基-2-金剛烷甲基丙烯酸酯)-(γ-丁內(nèi)酯甲基丙烯酸酯))(其中，5-叔丁基降冰片烯-5-羧酸酯∶馬來(lái)酸酐∶2-甲基-2-金剛烷甲基丙烯酸酯∶γ-丁內(nèi)酯甲基丙烯酸酯＝25mol％∶25mol％∶30mol％∶20mol％)○聚((5-叔丁基降冰片烯-5-羧酸酯)-(馬來(lái)酸酐)-(γ-丁內(nèi)酯甲基丙烯酸酯))(其中，5-叔丁基降冰片烯-5-羧酸酯∶馬來(lái)酸酐∶γ-丁內(nèi)酯甲基丙烯酸酯＝40mol％∶40mol％∶20mol％)○聚((5-叔丁基降冰片烯-5-羧酸酯)-(馬來(lái)酸酐)-(2-乙基-2-金剛烷丙烯酸酯)-(甲羥戊酸內(nèi)酯丙烯酸酯))(其中，5-叔丁基降冰片烯-5-羧酸酯∶馬來(lái)酸酐∶2-乙基-2-金剛烷丙烯酸酯∶甲羥戊酸內(nèi)酯丙烯酸酯＝25mol％∶25mol％∶35mol％∶15mol％)○聚((5-叔丁基降冰片烯-5-羧酸酯)-(馬來(lái)酸酐)-(甲羥戊酸內(nèi)酯丙烯酸酯))(其中，5-叔丁基降冰片烯-5-羧酸酯∶馬來(lái)酸酐∶甲羥戊酸內(nèi)酯丙烯酸酯＝40mol％∶40mol％∶20mol％)
權(quán)利要求
1.一種圖案形成方法，其中，具備對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行預(yù)烘焙的工藝、使經(jīng)預(yù)烘焙的所述抗蝕劑膜中含有的溶劑揮發(fā)的工藝、在真空中對(duì)已揮發(fā)溶劑的所述抗蝕劑膜選擇性地照射曝光光而進(jìn)行圖案曝光的工藝、以及通過(guò)使經(jīng)圖案曝光的所述抗蝕劑膜顯影而形成抗蝕劑圖案的工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其中，所述使溶劑揮發(fā)的工藝包括使溶劑揮發(fā)后所述抗蝕劑膜中含有的溶劑量變?yōu)檫M(jìn)行預(yù)烘焙前所述抗蝕劑膜中含有的溶劑量的10％以下的工藝。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其中，所述使溶劑揮發(fā)的工藝包括加熱經(jīng)預(yù)烘焙的所述抗蝕劑膜的工藝。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的圖案形成方法，其中，所述使溶劑揮發(fā)的工藝包括向經(jīng)預(yù)烘焙的所述抗蝕劑膜照射能量射線的工藝。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖案形成方法，其中，所述能量射線是紫外線或者遠(yuǎn)紫外線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其中，所述抗蝕劑膜由化學(xué)放大型抗蝕劑材料組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖案形成方法，其中，所述化學(xué)放大型抗蝕劑材料的基本聚合物是酚類聚合物、丙烯酸類聚合物、甲基丙烯酸類聚合物或者環(huán)烯類聚合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其中，所述曝光光是具有1nm波段～30nm波段波長(zhǎng)的極遠(yuǎn)紫外線、或電子射線。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其中，所述曝光光是具有13.5nm波段波長(zhǎng)的極遠(yuǎn)紫外線。
全文摘要
一種圖案形成方法，是對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行預(yù)烘焙后，使該抗蝕劑膜中含有的溶劑揮發(fā)。在真空中對(duì)已揮發(fā)溶劑的抗蝕劑膜選擇性地照射曝光光而進(jìn)行圖案曝光。使經(jīng)圖案曝光的抗蝕劑膜顯影而形成抗蝕劑圖案。
文檔編號(hào)G03F7/039GK1433052SQ03101698
公開日2003年7月30日 申請(qǐng)日期2003年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月16日
發(fā)明者遠(yuǎn)藤政孝, 笹子勝 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社