專利名稱：具有階梯補償圖形的液晶顯示器件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件，更具體地，涉及一種具有階梯補償(step-compensating)圖形的液晶板及其制造方法。
背景技術：
一般來說，液晶顯示(LCD)器件是利用液晶分子的光各向異性和偏振特性制作而成的。液晶分子由于其細、長的形狀而具有明確的定向排列。通過對液晶分子施加電場可控制液晶分子的排列方向。因此，隨著外加電場強度的改變，液晶分子的排列方向也在變。由于排列的液晶分子的光各向異性使液晶分子具有定向性，由此使通過液晶材料的入射光被折射，所以可以控制入射光的強度并且能顯示出圖像來。
在常規(guī)應用的不同類型的LCD器件中，其中在矩陣上設置有薄膜晶體管(TFT)和連接到TFT上的像素電極的有源矩陣LCD(AM-LCD)器件由于其具有很高的分辨率和運動圖像的出眾顯示而被發(fā)展起來。
圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術用于液晶顯示器件的液晶板的平面圖。在圖1中，液晶板包括有源區(qū)“I”和設置在有源區(qū)“I”的外圍部分的非有源區(qū)“II”。第一和第二基板10和30彼此面對，并且用于黏附第一和第二基板10和30的密封圖形40形成在第一和第二基板10和30之間。液晶材料層50設置在密封圖形40的內部區(qū)域，并且是通過密封圖形40的注入孔42注入液晶材料形成的。注入液晶材料后，使用粘接密封件44封閉注入孔42以免注入的液晶材料的泄露。
多個選通線(gate line)12和多個數(shù)據(jù)線14形成在有源區(qū)“I”，并彼此相交叉，薄膜晶體管(TFT)“T”設置在選通線12和數(shù)據(jù)線14的交叉處，并且像素電極16連接到TFT“T”上。盡管圖1沒有顯示，包括紅色、綠色和藍色子濾色器的濾色器層、在鄰近的子濾色器和非像素區(qū)域之間的邊界線上形成的黑底以及公共電極都形成在第二基板30的內表面上。
非有源區(qū)“II”被劃分為第一非有源區(qū)“IIa”和第二非有源區(qū)“IIb”，其中第一非有源區(qū)“IIa”設置在第一基板10上以及第二非有源區(qū)“IIb”設置在第二基板30上并被第一非有源區(qū)“IIa”包圍。連接選通線12和外部電路的柵極焊盤18以及連接數(shù)據(jù)線14和外部電路的數(shù)據(jù)焊盤20都形成在第一非有源區(qū)“IIa”內。
陣列圖形，例如選通線12和數(shù)據(jù)線14，是通過光刻工藝制作而成的，這種工藝中，同陣列圖形一樣的光刻膠(PR)圖案是通過利用光掩模有選擇地對感光材料PR進行曝光得到的。在光刻工藝期間重復化學和物理工藝步驟。隨著工藝步驟的數(shù)量的增加，制作成本和損壞陣列圖形的可能性也在增加。因此，發(fā)展了應用減少數(shù)量掩模的制作工藝。從而，包含有形成選通線、半導體層、數(shù)據(jù)線、接觸孔和像素電極的五個掩模工藝可以被將形成半導體層和數(shù)據(jù)線的步驟合并成一個步驟的四個掩模工藝所替代。
圖2A至2C示出了利用現(xiàn)有技術的四個掩模工藝分別地形成液晶板的薄膜晶體管部分、選通線部分和數(shù)據(jù)線部分的剖面圖。在圖2A中，柵電極60形成在基板1上，柵絕緣層62形成在柵電極60上，以及半導體層64和源、漏電極66和68依次形成在柵絕緣層62上。柵電極60、半導體層64、以及源、漏電極66和68構成薄膜晶體管(TFT)“T”。含有漏接觸孔70的鈍化層72形成在晶體管(TFT)“T”上，以及在鈍化層72上形成像素電極74。漏接觸孔70暴露出漏電極68并且像素電極74通過漏接觸孔70連接到漏電極68上。半導體層64包括由純凈非晶硅(a-Si)形成的有源層64a和由雜質摻雜的非晶硅(n+a-Si)形成的歐姆接觸層64b。去除源和漏電極66和68之間的歐姆接觸層64b，并暴露出已去除的歐姆接觸層64b下面的有源層64a以形成TFT“T”的溝道區(qū)“ch”。在四個掩模工藝中，半導體層64和源、漏電極66和68同時被刻蝕，通過利用衍射掩模形成溝道區(qū)“ch”，其中光透射通過衍射來調節(jié)。
在圖2B中，在基板1上依次形成選通線76、柵絕緣層62以及鈍化層72，并且選通線76是在柵電極60(在圖2A中)形成的同時形成的。
在圖2C中，柵絕緣層62形成在基板1上，而在柵絕緣層62上依次形成半導體層64和數(shù)據(jù)線78。數(shù)據(jù)線78是在源、漏電極66和68(在圖2A中)形成的同時形成的，以及在數(shù)據(jù)線78上形成鈍化層72。
一般來說，由于在四掩模工藝中，采用單一的光掩模在一次執(zhí)行形成半導體層和數(shù)據(jù)線的步驟，所以半導體層64具有和數(shù)據(jù)線78及源、漏電極66和68同樣的圖形。因此，選通線部分的第一累積厚度D1(在圖2B中)不同于數(shù)據(jù)線部分的第二累積厚度D2(在圖2C中)。第一和第二累積厚度“D1”和“D2”之間的不同是由于選通線76(在圖2B中)的厚度和半導體層和數(shù)據(jù)線64和78(在圖2C中)的厚度之間的不同而導致的。例如，當選通線具有2700的厚度時，柵絕緣層的厚度是4000，半導體層的厚度是2000，數(shù)據(jù)線的厚度是1500，以及鈍化層的厚度是2000。于是，選通線部分的第一累積厚度D1是8700，數(shù)據(jù)線部分的第二累積厚度D2是9500。第一和第二累積厚度“D1”和“D2”之間的差是800。這個差值引起了密封圖形的外圍部分的單元間隙差異，而單元間隙的不一致在顯示圖像上產生斑點。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明是針對可以充分避免現(xiàn)有技術中的局限性和不利因素導致的一個或多個問題的液晶顯示器件。
本發(fā)明的一個發(fā)明目的是通過在密封圖形的外圍部分產生一致的單元間隙而提供具有高顯示質量的液晶顯示器件。
在以下的說明中將闡明發(fā)明的附加特征和優(yōu)點，且從說明中部分特征和優(yōu)點將非常明顯，或可以通過發(fā)明的實踐得知。通過在所述說明書和權利要求書以及附圖中特別指出的結構將實現(xiàn)和獲得發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。
為了取得上述這些和其它有益效果和根據(jù)本發(fā)明的目的，如所實施和廣泛描述的，一種液晶顯示器件包括具有有源區(qū)和沿著有源區(qū)外圍部分的非有源區(qū)的第一基板；面向第一基板并與其分隔開的第二基板，并且其具有有源區(qū)和沿著有源區(qū)外圍部分的非有源區(qū)；在第一和第二基板之間沿著有源和非有源區(qū)的邊界設置的密封圖形；在第一基板的內表面上并與密封圖形交叉的選通線；與選通線和密封圖形交叉的數(shù)據(jù)線；連接到選通線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；連接到薄膜晶體管的像素電極；在第二基板內表面上的公共電極；鄰近密封圖形和選通線的第一階梯補償圖形；鄰近密封圖形和數(shù)據(jù)線的第二階梯補償圖形；以及在像素電極和公共電極之間的液晶材料層。
在另一個方面，一種液晶顯示器件的制造方法，包括在具有有源區(qū)和沿著有源區(qū)外圍部分的非有源區(qū)的第一基板上形成選通線和第一階梯補償圖形，第一階梯補償圖形沿著有源和非有源區(qū)的邊界設置；形成與選通線交叉的數(shù)據(jù)線和沿著有源區(qū)和非有源區(qū)的邊界的第二階梯補償圖形；形成連接到選通線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；形成連接薄膜晶體管的像素電極；在第二基板的內表面上形成公共電極；沿著有源區(qū)和非有源區(qū)的邊界形成密封圖形，密封圖形與選通線和數(shù)據(jù)線交叉；以像素電極面向公共電極的形式粘接第一和第二基板；以及在像素電極和公共電極之間形成液晶材料層。
可以理解前述的一般性描述和接下來的詳細描述都是典型的和說明性的并且是用于提供對權利要求的進一步解釋。


所包含的附圖用來提供本發(fā)明的進一步理解，并合并組成說明書的一部分，用來舉例說明本發(fā)明的實施例并和描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術用于液晶顯示器件的液晶板的平面圖。
圖2A是利用根據(jù)現(xiàn)有技術用于液晶顯示器件的四個掩模工藝的液晶板的薄膜晶體管部分的剖面圖。
圖2B是利用根據(jù)現(xiàn)有技術用于液晶顯示器件的四個掩模工藝的液晶板的選通線部分的剖面圖。
圖2C是利用根據(jù)現(xiàn)有技術用于液晶顯示器件的四個掩模工藝的液晶板的數(shù)據(jù)線部分的剖面圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的示例性的液晶顯示器件的平面圖。
圖4A是根據(jù)本發(fā)明的圖3的示例性的第一階梯補償圖形的剖面圖。
圖4B是根據(jù)本發(fā)明的圖3的示例性的第二階梯補償圖形的剖面圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性的液晶顯示器件的平面圖。
圖6A是根據(jù)本發(fā)明的圖5的另一示例性的第一階梯補償圖形的剖面圖。
圖6B是根據(jù)本發(fā)明的圖5的另一示例性的第二階梯補償圖形的剖面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參考示例在附圖中的例子詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的示例性的液晶顯示器件的平面圖。在圖3中，第一和第二基板110和130可彼此面對地粘接在一起。粘接好的基板可包括有源區(qū)“V”和沿著有源區(qū)“V”的外圍部分設置的非有源區(qū)“VI”。沿有源區(qū)“V”和非有源區(qū)“VI”的邊界區(qū)域形成用于黏附第一和第二基板110和130的密封圖形140。液晶材料層150可以沿著密封圖形140的內部區(qū)域設置。密封圖形140可以包括注入孔142和用于防止液晶材料層150泄露的粘接密封件144。非有源區(qū)“VI”可劃分為第一和第二非有源區(qū)“VIa”和“VIb”，其中第一基板110的第一非有源區(qū)“VIa”可延伸至第二基板130的第二非有源區(qū)“VIb”的外部。
選通線112和數(shù)據(jù)線114可彼此相交叉形成在第一基板110上的有源區(qū)“V”上，并與密封圖形140交叉。薄膜晶體管(TFT)“T”可設置在選通線112和數(shù)據(jù)線114的交叉處，并且像素電極116可連接到TFT“T”上。連接選通線112和外部電路(未示出)的柵極焊盤118形成在第一基板110的第一非有源區(qū)“VIa”上。另外，連接數(shù)據(jù)線114和另一個外部電路(未示出)的數(shù)據(jù)焊盤120形成在第一基板110的第一非有源區(qū)“VIa”上。
第一階梯補償圖形區(qū)域“VIIa”可設置在密封圖形140和選通線112的第一交叉區(qū)域，以及第二階梯補償圖形區(qū)域“VIIb”可設置在密封圖形140和數(shù)據(jù)線114的第二交叉區(qū)域。此外，第一階梯補償圖形區(qū)域“VIIa”可以和第二階梯補償圖形區(qū)域“VIIb”具有同樣的累積厚度。盡管在圖3中沒有顯示，包括紅色、綠色和藍色子濾色器的濾色器層、沿著鄰近的子濾色器和非像素區(qū)域之間的邊界線區(qū)域形成的黑底以及公共電極都可以形成在第二基板130的內表面上。
圖4A是根據(jù)本發(fā)明的圖3的示例性的第一階梯補償圖形的剖面圖。在圖4A中，選通線162可形成在基板110的第一階梯補償圖形區(qū)域“VIIa”上，并且可以在選通線162上形成柵絕緣層164。第一階梯補償圖形166可形成在柵絕緣層164上，并且可以在第一階梯補償圖形166上形成鈍化層168。第一階梯補償圖形166可包括半導體圖形166a和形成在半導體圖形166a上的數(shù)據(jù)圖形166b。半導體圖形166a可在薄膜晶體管(TFT)“T”(在圖3中)的半導體層(未示出)形成的同時形成，并且可含有和半導體層(未示出)一樣的材料。另外，數(shù)據(jù)圖形166b可在數(shù)據(jù)線114(在圖3中)形成的同時形成，并且可含有和數(shù)據(jù)線114(在圖3中)一樣的材料。從而，第一階梯補償圖形區(qū)域“VIIa”具有第一累積厚度“DI”。
圖4B是根據(jù)本發(fā)明的圖3的示例性的第二階梯補償圖形的剖面圖。在圖4B中，第二階梯補償圖形170可形成在基板110的第二階梯補償圖形區(qū)域“VIIb”上，并且可以在第二階梯補償圖形170上形成柵絕緣層164。半導體層172和對應于半導體層172的數(shù)據(jù)線174可依次形成在柵絕緣層164上，其中半導體層172可包括有源層172a和形成在有源層172a上的歐姆接觸層172b。另外，鈍化層168可形成在數(shù)據(jù)線174上。第二階梯補償圖形170可在選通線162(在圖4A中)形成的同時形成，并且可含有同選通線162(在圖4A中)一樣的材料。由于第二階梯補償圖形區(qū)域“VIIb”可具有同第一階梯補償圖形區(qū)域“VIIa”相應的結構，那么第二階梯補償圖形區(qū)域“VIIb”的第二累積厚度“DII”可以是幾乎和第一階梯補償圖形區(qū)域“VIIa”的累積厚度“DI”一樣的值。因此，由第一和第二階梯補償圖形166和170可得到在密封圖形鄰近的部分的一致的單元間隙差。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性的液晶顯示器件的平面圖。由于圖5的示例性的液晶顯示器件可具有同圖3所示的液晶顯示器件類似的結構，所以一些特征可不必說明，但盡管如此，是包括這些特征的。在圖5中，選通線212和數(shù)據(jù)線214可彼此交叉設置，其中柵極焊盤216和數(shù)據(jù)焊盤218分別連接到選通線212和數(shù)據(jù)線214上。沿有源和非有源區(qū)“VIII”和“IX”的邊界區(qū)域形成密封圖形220，其中有源區(qū)“VIII”和非有源區(qū)“IX”的邊界區(qū)域是柵極焊盤216和選通線212的連接部分，以及數(shù)據(jù)焊盤218和數(shù)據(jù)線214的連接部分。選通線212和數(shù)據(jù)線214與密封圖形220交叉地形成。第一階梯補償圖形222可形成在鄰近的選通線212之間的第一間隔區(qū)域“Xa”的密封圖形220的下面，并且第二階梯補償圖形224可形成在鄰近的數(shù)據(jù)線214之間的第二間隔區(qū)域“Xb”的密封圖形220的下面。
在圖3、4A和4B中，階梯補償圖形可形成在選通線上或數(shù)據(jù)線下，以便在密封圖形下面的選通線和數(shù)據(jù)線的交叉處可獲得一致的累積厚度。另選地，如圖5所示，具有同數(shù)據(jù)線214一樣的結構的第一階梯補償圖形222可設置在相鄰的選通線212之間的第一間隔區(qū)域“Xa”，并且第二階梯補償圖形224可設置在相鄰的數(shù)據(jù)線214之間的第二間隔區(qū)域“Xb”。因此，在選通線和數(shù)據(jù)線212和214的交叉處的密封圖形220的附近處可獲得一致的累積厚度。
圖6A是根據(jù)本發(fā)明的圖5的另一示例性的第一階梯補償圖形的剖面圖。在圖6A中，選通線212可形成在基板210上，并且可以在選通線212上形成柵絕緣層230。第一階梯補償圖形222形成在選通線212鄰近部分的柵絕緣層230上，并且可以在第一階梯補償圖形230上形成鈍化層232。盡管在圖6A中沒有示出鄰近的選通線，第一階梯補償圖形222可設置在選通線212和鄰近的選通線(未示出)之間的第一間隔區(qū)域“Xa”(在圖5中)。第一階梯補償圖形222可包括半導體圖形222a和形成在半導體圖形222a上的數(shù)據(jù)圖形222b。半導體圖形222a可在薄膜晶體管(TFT)“T”的半導體層(未示出)形成的同時形成，并且可含有同半導體層一樣的材料。另外，數(shù)據(jù)圖形222b可在數(shù)據(jù)線214(在圖5中)形成的同時形成，并且可含有同數(shù)據(jù)線214(在圖5中)一樣的材料。從而，就形成了選通線部分的第一累積厚度“Da”和第一階梯補償圖形部分的第二累積厚度“Db”。
圖6B是根據(jù)本發(fā)明的圖5的另一示例性的第二階梯補償圖形的剖面圖。在圖6B中，第二階梯補償圖形224可形成在基板210上，并且可以在第二階梯補償圖形224上形成柵絕緣層230。半導體層234和對應于半導體層234的數(shù)據(jù)線214可依次形成在第二階梯補償圖形224相鄰區(qū)域的柵絕緣層230上。盡管在圖6B中沒有示出鄰近的數(shù)據(jù)線，但第二階梯補償圖形224可設置在數(shù)據(jù)線214和鄰近的數(shù)據(jù)線(未示出)之間的第二間隔區(qū)域“Xb”(在圖5中)。此外，半導體層234可包括有源層234a和形成在有源層234a上的歐姆接觸層234b，并且鈍化層232可形成在數(shù)據(jù)線214上。第二階梯補償圖形224可在選通線212(在圖6A中)形成的同時形成，并且可含有同選通線212(在圖6A中)一樣的材料。這樣，第三累積厚度“Dc”可對應于數(shù)據(jù)線214，以及第四累積厚度“Dd”可對應于第二階梯補償圖形224。由于第一和第二累積厚度“Da”和“Db”(在圖6A)的總和可對應于第三和第四累積厚度“Dc”和“Dd”的總和，所以可減少選通線部分和數(shù)據(jù)線部分之間的累積厚度的差值。
在圖6A和6B中，對應于數(shù)據(jù)線結構的第一階梯補償圖形可設置在相鄰的選通線之間的第一間隔區(qū)域，并且對應于選通線結構的第二階梯補償圖形可設置在相鄰的數(shù)據(jù)線之間的第二間隔區(qū)域。因此，在密封圖形的鄰近部分得到了一致的累積厚度和一致的單元間隙差。此外，由于鈍化層的頂部表面具有不平坦性，所以密封圖形和鈍化層(或鈍化層的頂層)的接觸區(qū)域增加了，并且提高了密封圖形的粘附力。
對于本領域的技術人員來說在不偏離本發(fā)明的精神實質和范圍的情況下，可清楚地對本發(fā)明的液晶顯示器件做各種修改和變化。因此，希望本發(fā)明覆蓋包含在附加的權利要求及其等同物范圍內的對本發(fā)明所提供的修改和各種變化。
權利要求
1.一種液晶顯示器件，包括具有有源區(qū)和沿著有源區(qū)外圍部分的非有源區(qū)的第一基板；面向第一基板并與其分隔開的第二基板，并且其具有有源區(qū)和沿著有源區(qū)外圍部分的非有源區(qū)；在第一和第二基板之間沿有源和非有源區(qū)的邊界設置的密封圖形；在第一基板的內表面上并與密封圖形交叉的選通線；與選通線和密封圖形交叉的數(shù)據(jù)線；連接到選通線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；連接到薄膜晶體管的像素電極；在第二基板內表面上的公共電極；鄰近密封圖形和選通線的第一階梯補償圖形；鄰近密封圖形和數(shù)據(jù)線的第二階梯補償圖形，以及在像素電極和公共電極之間的液晶材料層。
2.根據(jù)權利要求1的器件，進一步包括連接到選通線的柵極焊盤以及連接到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)焊盤，其中柵極焊盤和數(shù)據(jù)焊盤設置在非有源區(qū)。
3.根據(jù)權利要求2的器件，其中，薄膜晶體管包括有源層以及源和漏電極。
4.根據(jù)權利要求3的器件，其中，第一階梯補償圖形形成在選通線和密封圖形的第一交叉處的選通線上面，第二階梯補償圖形形成在數(shù)據(jù)線和密封圖形的第二交叉處的數(shù)據(jù)線下面。
5.根據(jù)權利要求4的器件，其中，第一階梯補償圖形是在數(shù)據(jù)線形成的同時形成的。
6.根據(jù)權利要求5的器件，進一步包括在第一階梯補償圖形和選通線之間的半導體圖形。
7.根據(jù)權利要求6的器件，其中，半導體圖形具有與第一階梯補償圖形同樣的平面形狀。
8.根據(jù)權利要求4的器件，其中，第二階梯補償圖形是在選通線形成的同時形成的。
9.根據(jù)權利要求3的器件，其中，第一階梯補償圖形形成在鄰近的選通線之間的密封圖形下面，第二階梯補償圖形形成在鄰近的數(shù)據(jù)線之間的密封圖形的下面。
10.根據(jù)權利要求9的器件，其中，第一階梯補償圖形是在數(shù)據(jù)線形成的同時形成的。
11.根據(jù)權利要求10的器件，進一步包括在第一階梯補償圖形下面的半導體圖形。
12.根據(jù)權利要求11的器件，其中，半導體圖形具有與第一階梯補償圖形同樣的平面形狀。
13.根據(jù)權利要求9的器件，其中，第二階梯補償圖形是在選通線形成的同時形成的。
14.一種液晶顯示器件的制造方法，包括在具有有源區(qū)和沿著有源區(qū)外圍區(qū)域的非有源區(qū)的第一基板上形成選通線和第一階梯補償圖形，第一階梯補償圖形沿著有源和非有源區(qū)的邊界設置；形成與選通線交叉的數(shù)據(jù)線和沿著有源區(qū)和非有源區(qū)的邊界的第二階梯補償圖形；形成連接到選通線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；形成連接到薄膜晶體管的像素電極；在第二基板的內表面上形成公共電極；沿有源區(qū)和非有源區(qū)的邊界形成密封圖形，密封圖形與選通線和數(shù)據(jù)線交叉；以像素電極面向公共電極的方式粘接第一和第二基板；以及在像素電極和公共電極之間形成液晶材料層。
15.根據(jù)權利要求14的方法，其中，第一階梯補償圖形形成在數(shù)據(jù)線和密封圖形的第一交叉處的數(shù)據(jù)線下面，第二階梯補償圖形形成在選通線和密封圖形的第二交叉處的選通線下面。
16.根據(jù)權利要求15的方法，進一步包括在第二階梯補償圖形和選通線之間形成半導體圖形。
17.根據(jù)權利要求14的方法，其中，在鄰近的數(shù)據(jù)線之間的密封圖形下面形成第一階梯補償圖形，在鄰近的選通線之間的密封圖形的下面形成第二階梯補償圖形。
18.根據(jù)權利要求17的方法，進一步包括在第二階梯補償圖形下面形成半導體圖形。
全文摘要
一種液晶顯示器件，包括具有有源區(qū)和沿著有源區(qū)外圍部分的非有源區(qū)的第一基板；面向第一基板并與其分隔開的第二基板，并且其具有有源區(qū)和沿著有源區(qū)外圍部分的非有源區(qū)；在第一和第二基板之間沿有源和非有源區(qū)的邊界設置的密封圖形；在第一基板的內表面上并與密封圖形交叉的選通線；與選通線和密封圖形交叉的數(shù)據(jù)線；連接到選通線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；連接到薄膜晶體管的像素電極；在第二基板內表面上的公共電極；鄰近密封圖形和選通線的第一階梯補償圖形；鄰近密封圖形和數(shù)據(jù)線的第二階梯補償圖形；以及在像素電極和公共電極之間的液晶材料層。
文檔編號G02F1/1333GK1450386SQ0310938
公開日2003年10月22日 申請日期2003年4月8日 優(yōu)先權日2002年4月8日
發(fā)明者金鎮(zhèn)泰, 樸宰奭 申請人:Lg.飛利浦Lcd有限公司