專利名稱：畫素結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種畫素結構(pixel structure)，且特別是有關于一種能夠改善掃描配線(scan line)與信號配線(data line)之間發(fā)生短路現(xiàn)象的畫素結構。
背景技術：
針對多媒體社會的急速進步，多半受惠于半導體元件或人機顯示裝置的飛躍性進步。就顯示器而言，陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)因具有優(yōu)異的顯示品質與其經濟性，一直獨占近年來的顯示器市場。然而，對于個人在桌上操作多數(shù)終端機/顯示器裝置的環(huán)境，或是以環(huán)保的觀點切入，若以節(jié)省能源的潮流加以預測，陰極射線管因空間利用以及能源消耗上仍存在很多問題，而對于輕、薄、短、小以及低消耗功率的需求無法有效提供解決的道。因此，具有高畫質、空間利用效率加、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display，TFT LCD)已逐漸成為市場的主流。
圖1顯示為公知畫素結構以激光化學氣相沉積方式(Laser CVD)進行修補的示意圖。請參照圖1，公知畫素結構100主要由一掃描配線102、一信號配線104、一薄膜晶體管106以及一畫素電極108所構成。其中，薄膜晶體管106具有一閘極106a、一通道層106b以及一源極/汲極106c，且閘極106與掃描配線102電性連接，源極/汲極106c與信號配線104、畫素電極108電性連接。
掃描配線102屬于第一金屬層(metal 1)的一部份，而信號配線104屬于第二金屬層(metal 2)的一部份，因此掃描配線102與信號配線104之間會以一第一介電層(閘極絕緣層)彼此電性隔絕，而信號配線104上方亦會覆蓋一第二介電層(保護層)。然而，掃描配線102與信號配線104交錯的區(qū)域上常會因介電層的品質不良(如雜質、微粒等污染)而發(fā)生短路的現(xiàn)象，此時便必須進行修補的動作。一般常見的修補是先將短路區(qū)域兩端的信號配線104切斷(如虛線所示)，接著再于第二介電層中形成二修補開口110，并以激光化學氣相沉積(laser CVD)的方式形成一薄金屬層112，此薄金屬層112可由修補開口110將切斷的信號配線104再度連接起來，進而達到修補的目的。
公知在進行激光修補時，由于薄金屬線112必須跨過掃描配線102將切斷的信號配線104再度連接起來，故薄金屬線112的長度并不短，如此長距離的激光修補動作將耗費相當多的時間與成本。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提出一種畫素結構，當掃描配線與信號配線之間發(fā)生短路的問題時，僅需做短距離的激光修補。
本發(fā)明的另一目的在于提出一種畫素結構，當掃描配線與信號配線之間發(fā)生短路的問題時，不需進行激光修補的動作。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種畫素結構，適于配置在一透明基板上，該畫素結構包括一第一導體層，配置于該透明基板上，該第一導體層包括一掃描配線以及一閘極，其中該閘極與該掃描配線連接；一第一介電層，配置于該透明基板上并覆蓋住該第一導體層；一通道層，配置于該閘極上方的該第一介電層上；一第二導體層，配置于該第一介電層上，該第二導體層包括一信號配線以及一源極/汲極，該閘極、該通道層以及該源極/汲極構成一薄膜晶體管，其中該信號配線對應于該掃描配線上方的區(qū)域分岔為復數(shù)個分支配線；一第二介電層，配置于該第一介電層上并覆蓋住該第二導體層；以及一畫素電極，配置于該第二介電層上，其中該畫素電極、該信號配線系與該源極/汲極電性連接。
其中該掃描配線對應于該信號配線下方區(qū)域的寬度小于該掃描配線在其他區(qū)域的寬度。
其中該第二介電層中具有一接觸開口，且該畫素電極由該接觸開口與該源極/汲極電性連接。
其中該畫素電極材質包括銦錫氧化物與銦鋅氧化物其中之一。
本發(fā)明還提出一種畫素結構，適于配置在一透明基板上，該畫素結構包括一第一導體層，配置于該透明基板上，該第一導體層包括一掃描配線以及一閘極，其中該閘極與該掃描配線連接；一第一介電層，配置于該透明基板上并覆蓋住該第一導體層；一通道層，配置于該閘極上方的該第一介電層上；一第二導體層，配置于該第一介電層上，該第二導體層包括一信號配線、一修補配線與一源極/汲極，該閘極、該通道層與該源極/汲極構成一薄膜晶體管，其中該修補配線位于該信號配線旁，并跨過該掃描配線上方；一第二介電層，配置于該第一介電層上并覆蓋住該第二導體層；以及一畫素電極，配置于該第二介電層上，其中該畫素電極、該信號配線與該源極/汲極電性連接。
其中該修補配線具有一第一端與一對應的第二端，該修補配線的該第一端與該信號配線連接，而該修補配線的該第二端則未與該信號配線連接。
其中該修補配線具有一第一端與一對應的第二端，該修補配線的該第一端與該第二端皆未與該信號配線連接。
其中該第二介電層中具有一接觸開口，且該畫素電極由該接觸開口與該源極/汲極電性連接。
其中該畫素電極材質包括銦錫氧化物與銦鋅氧化物其中之一。
本發(fā)明又提出一種畫素結構，包括一掃描配線、一信號配線、一畫素電極以及一薄膜晶體管，其中該薄膜晶體管具有一閘極、一通道層以及一源極/汲極，且該閘極與該掃描配線電性連接，該源極/汲極與該信號配線、該畫素電極電性連接，其特征在于該信號配線對應于該掃描配線上方的區(qū)域分岔為復數(shù)個分支配線。
其中該掃描配線對應于該信號配線下方區(qū)域的寬度小于該掃描配線在其他區(qū)域的寬度。
本發(fā)明的一種畫素結構，包括一掃描配線、一信號配線、一畫素電極以及一薄膜晶體管，其中該薄膜晶體管具有一閘極、一通道層以及一源極/汲極，且該閘極與該掃描配線電性連接，該源極/汲極與該信號配線、該畫素電極電性連接，該信號配線旁配置有一修補配線，且該修補配線位于該信號配線旁，并跨過該掃描配線上方。
其中該修補配線具有一第一端與一對應的第二端，該修補配線的該第一端與該信號配線連接，而該修補配線的該第二端則未與該信號配線連接。
其中該修補配線具有一第一端與一對應的第二端，該修補配線的該第一端與該第二端皆未與該信號配線連接。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下圖1顯示為公知畫素結構以激光化學氣相沈積方式進行修補的示意圖；圖2A至圖2D顯示為依照本發(fā)明第一實施例畫素結構的制作流程示意圖；圖3A至圖3D顯示為圖2A至圖2D中沿著I-I剖面線的剖面示意圖；圖4與圖5顯示為依照本發(fā)明第一實施例畫素結構進行激光修補的示意圖；圖6顯示為依照本發(fā)明第二實施例畫素結構的示意圖；以及圖7與圖8顯示為依照本發(fā)明第二實施例畫素結構進行激光修補的示意圖。
具體實施例方式
第一實施例圖2A至圖2D顯示為依照本發(fā)明第一實施例畫素結構的制作流程示意圖，而圖3A至圖3D顯示為圖2A至圖2D中沿著I-I剖面線的剖面示意圖。請同時參照圖2A與圖3A，首先提供一透明基板200，此透明基板200例如為玻璃基板或是塑膠基板。接著于透明基板200上形成一第一導體層M1，此第一導體層M1包含掃描配線202以及閘極204兩部份，且閘極204與掃描配線202相連。而在第一導體層M1形成后，再形成一第一介電層206于透明基板200上，以覆蓋住掃描配線202以及閘極204。
接著請同時參照圖2B與圖3B，在第一介電層206形成后，接著形成一通道層208于第一介電層206上，此通道層208位于閘極204的上方。
接著請同時參照圖2C與圖3C，在通道層208形成后，接著形成一第二導體層M2，此第二導體層M2包含了信號配線210以及源極/汲極212兩部份，其中源極/汲極212位于通道層208的兩側，且源極/汲極212的其中一端與信號配線210連接。此外，信號配線210對應于掃描配線202上方的區(qū)域例如是分岔為多條分支配線210a、210b。上述的閘極204、通道層208以及源極/汲極212的堆疊結構構成一薄膜晶體管T。在第二導體層M2形成后，接著形成一第二介電層214以覆蓋住上述的掃描配線202、信號配線210以及整個薄膜晶體管T。
接著請同時參照圖2D與圖3D，接著于第二介電層214中形成一接觸開口214a，并于第二介電層214上形成一畫素電極216，使得畫素電極216得由第二介電層214中的接觸開口214a與源極/汲極212的另一端電性連接。
同樣請參照圖2D與圖3D，綜上所述，本實施例的畫素結構主要由一第一導體層M1、一第一介電層206、一通道層208、一第二導體層M2、一第二介電層214以及一畫素電極216所構成。其中，第一導體層M1包含一掃描配線202以及一閘極204，且閘極204與掃描配線202連接；第一介電層206配置于透明基板200上并覆蓋住第一導體層M1；通道層208配置于閘極204上方的第一介電層206上；第二導體層M2配置于第一介電層206上，此第二導體層M2包含一信號配線210以及一源極/汲極212，信號配線210對應于掃描配線202上方的區(qū)域例如是分岔為多條分支配線210a、210b，且閘極204、通道層208以及源極/汲極212構成一薄膜晶體管T；第二介電層214配置于第一介電層206上并覆蓋住第二導體層M2；而畫素電極216則配置于第二介電層214上，且畫素電極216、信號配線210與源極/汲極212電性連接。此外，畫素電極216的材質例如為銦錫氧化物(ITO)與銦鋅氧化物(IZO)。
圖4與圖5顯示為依照本發(fā)明第一實施例畫素結構進行激光修補的示意圖。請參照圖4，本實施例中，信號配線210對應于掃描配線202上方的區(qū)域例如分岔為多條分支配線210a、210b，本圖中僅顯示出兩條舉例說明，但并非限定分支配線的數(shù)目。當分支配線210b與掃描配線202之間若因為雜質、微粒等因素而發(fā)現(xiàn)短路的現(xiàn)象時，可將短路的分支配線210b沿著虛線切斷，接著再于第二介電層(未繪示)中形成二修補開口218，并以激光化學氣相沉積(laser CVD)的方式形成一薄金屬層220，此薄金屬層220可由修補開口218將切斷的分支配線210b再度連接起來，進而達到修補的目的。
然而，熟習該項技術者應知，在分支配線210b沿著虛線切斷后，甚至可以不需要由薄金屬層220將分支配線210b再度連接起來，信號配線210由分支配線210a同樣可以維持不斷線的狀態(tài)。
接著請參照圖5，當分支配線的數(shù)量越多時，其與掃描配線202之間重疊(overlap)的面積將不可避免的會有所增加，為了防范重疊面積過大所導致寄生電容過大的問題，本實施例針對掃描配線202的圖案做一些變化，使得掃描配線202對應于分支配線210a、210b下方區(qū)域的寬度小于掃描配線202在其他區(qū)域的寬度，如此即可避免寄生電容過大的問題。
第二實施例圖6顯示為依照本發(fā)明第二實施例畫素結構的示意圖。請參照圖6，本實施例的畫素結構與第一實施例相類似，其差異之處在于本實施例于信號配線210旁制作一修補配線300，此修補配線300的功能與第二實施例中的分支配線功能相近，故于此僅針對差異的處進行描述。
圖7與圖8顯示為依照本發(fā)明第二實施例畫素結構進行激光修補的示意圖。請同時參照圖7與圖8，修補配線300的第一端300a例如與信號配線210連接，而修補配線300的第二端300b則未與信號配線210連接(如圖7所顯示)，當掃描配線202與信號配線210之間發(fā)生短路的現(xiàn)象時，可先將短路區(qū)域兩端的信號配線210沿著虛線切斷，接著再于修補配線300的第二端300b上形成一修補開口302，并以例如激光化學氣相沉積(laser CVD)的方式形成一薄金屬層304，此薄金屬層304可由修補開口302將修補配線300的第二端300b與信號配線210連接起來，進而達到修補的目的。
此外，修補配線300亦可以是第一端300a與第二端300b皆未與信號配線210連接的狀態(tài)(如圖8所顯示)，當掃描配線202與信號配線210的間發(fā)生短路的現(xiàn)象時，可先將短路區(qū)域兩端的信號配線210沿著虛線切斷，接著再于修補配線300的第一端300a與第二端300b上形成二修補開口302，并以例如激光化學氣相沉積(laser CVD)的方式形成二對應的薄金屬層304，這些薄金屬層304可由上述的修補開口302將修補配線300的兩端300a、300b與信號配線210連接起來，進而達到修補的目的。
綜上所述，本發(fā)明的畫素結構至少具有下列優(yōu)點1、本發(fā)明的畫素結構中，由于位于掃描配線上方的信號配線具有多條分支配線，因此，當掃描配線與其中一條分支配線短路時，可直接將此分支配線切斷以解決上述問題。
2、本發(fā)明的畫素結構中，由于激光修補僅需將修補配線的兩端或其中一端與切斷后的信號配線連接，激光修補的距離較短，故修補配線可以使得激光修補進行的更為快速。
雖然本發(fā)明已以一較佳實施例描述如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習此技術人士，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視申請專利范圍所界定的為準。
權利要求
1.一種畫素結構，適于配置在一透明基板上，該畫素結構包括一第一導體層，配置于該透明基板上，該第一導體層包括一掃描配線以及一閘極，其中該閘極與該掃描配線連接；一第一介電層，配置于該透明基板上并覆蓋住該第一導體層；一通道層，配置于該閘極上方的該第一介電層上；一第二導體層，配置于該第一介電層上，該第二導體層包括一信號配線以及一源極/汲極，該閘極、該通道層以及該源極/汲極構成一薄膜晶體管，其中該信號配線對應于該掃描配線上方的區(qū)域分岔為復數(shù)個分支配線；一第二介電層，配置于該第一介電層上并覆蓋住該第二導體層；以及一畫素電極，配置于該第二介電層上，其中該畫素電極、該信號配線系與該源極/汲極電性連接。
2.如權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，其中該掃描配線對應于該信號配線下方區(qū)域的寬度小于該掃描配線在其他區(qū)域的寬度。
3.如權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，其中該第二介電層中具有一接觸開口，且該畫素電極由該接觸開口與該源極/汲極電性連接。
4.如權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，其中該畫素電極材質包括銦錫氧化物與銦鋅氧化物其中之一。
5.一種畫素結構，適于配置在一透明基板上，該畫素結構包括一第一導體層，配置于該透明基板上，該第一導體層包括一掃描配線以及一閘極，其中該閘極與該掃描配線連接；一第一介電層，配置于該透明基板上并覆蓋住該第一導體層；一通道層，配置于該閘極上方的該第一介電層上；一第二導體層，配置于該第一介電層上，該第二導體層包括一信號配線、一修補配線與一源極/汲極，該閘極、該通道層與該源極/汲極構成一薄膜晶體管，其中該修補配線位于該信號配線旁，并跨過該掃描配線上方；一第二介電層，配置于該第一介電層上并覆蓋住該第二導體層；以及一畫素電極，配置于該第二介電層上，其中該畫素電極、該信號配線與該源極/汲極電性連接。
6.如權利要求5所述的畫素結構，其特征在于，其中該修補配線具有一第一端與一對應的第二端，該修補配線的該第一端與該信號配線連接，而該修補配線的該第二端則未與該信號配線連接。
7.如權利要求5所述的畫素結構，其特征在于，其中該修補配線具有一第一端與一對應的第二端，該修補配線的該第一端與該第二端皆未與該信號配線連接。
8.如權利要求5所述的畫素結構，其特征在于，其中該第二介電層中具有一接觸開口，且該畫素電極由該接觸開口與該源極/汲極電性連接。
9.如權利要求5所述的畫素結構，其特征在于，其中該畫素電極材質包括銦錫氧化物與銦鋅氧化物其中之一。
10.一種畫素結構，包括一掃描配線、一信號配線、一畫素電極以及一薄膜晶體管，其中該薄膜晶體管具有一閘極、一通道層以及一源極/汲極，且該閘極與該掃描配線電性連接，該源極/汲極與該信號配線、該畫素電極電性連接，其特征在于該信號配線對應于該掃描配線上方的區(qū)域分岔為復數(shù)個分支配線。
11.如權利要求10所述的畫素結構，其特征在于，其中該掃描配線對應于該信號配線下方區(qū)域的寬度小于該掃描配線在其他區(qū)域的寬度。
12.一種畫素結構，包括一掃描配線、一信號配線、一畫素電極以及一薄膜晶體管，其中該薄膜晶體管具有一閘極、一通道層以及一源極/汲極，且該閘極與該掃描配線電性連接，該源極/汲極與該信號配線、該畫素電極電性連接，其特征在于該信號配線旁配置有一修補配線，且該修補配線位于該信號配線旁，并跨過該掃描配線上方。
13.如權利要求12所述的畫素結構，其特征在于，其中該修補配線具有一第一端與一對應的第二端，該修補配線的該第一端與該信號配線連接，而該修補配線的該第二端則未與該信號配線連接。
14.如權利要求12所述的畫素結構，其特征在于，其中該修補配線具有一第一端與一對應的第二端，該修補配線的該第一端與該第二端皆未與該信號配線連接。
全文摘要
一種畫素結構，包括一掃描配線、一信號配線、一畫素電極以及一薄膜晶體管。其中，信號配線對應于掃描配線上方的區(qū)域具有多個分岔的分支配線，當掃描配線與信號配線之間發(fā)生短路的情況時，可由將部分分支配線切除的方式進行修補。在其他實施例中，信號配線旁配置有一修補配線，此修補配線跨過掃描配線上方，當掃描配線與信號配線之間發(fā)生短路情況時，可由修補配線進行激光修補。
文檔編號G02F1/13GK1536396SQ03110228
公開日2004年10月13日 申請日期2003年4月7日 優(yōu)先權日2003年4月7日
發(fā)明者來漢中 申請人:友達光電股份有限公司