專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)裝置及制造該液晶顯示裝置的方法，更具體地說，涉及一種可提高顯示質(zhì)量的LCD裝置及制造該裝置的方法。
背景技術(shù)：
電子顯示裝置將從各種電子裝置中輸出的電子信號(hào)轉(zhuǎn)換成使用者可視的光學(xué)信號(hào)。
最近，增加了對(duì)平板顯示器的需求，這種顯示器具有薄而輕的結(jié)構(gòu)，并且使用較低的驅(qū)動(dòng)電壓和較低的電能。
由于LCD裝置非常薄并且使用很低的電能和驅(qū)動(dòng)電壓，所以它廣泛用作平板顯示裝置。
圖1是普通LCD面板的剖視圖，圖2是表示用于在圖1的TFT(薄膜晶體管)基底上形成對(duì)準(zhǔn)層的方法的示意圖。
參照?qǐng)D1，LCD面板90包括薄膜晶體管(TFT)基底60，面對(duì)TFT基底60的濾色基底70，以及位于TFT基底60和濾色基底70之間的液晶層80。
TFT基底60包括第一基底10、形成在第一基底10上的TFT 20、形成在具有TFT 20的第一基底10上的有機(jī)絕緣層30、形成在有機(jī)絕緣層30上的像素電極40及形成在像素電極40上的第一對(duì)準(zhǔn)膜50。
每個(gè)TFT 20都包括門電極21、源電極25和漏電極26。利用門絕緣層22使門電極21與源電極25和漏電極26絕緣。在門絕緣層22上形成有源圖案23和歐姆接觸圖案24，以根據(jù)施加給門電極21上的電源，通過有源圖案23和歐姆接觸圖案24使源電極25與漏電極26電連接。源電極25和漏電極26形成在有源圖案23和歐姆接觸圖案24上。
有機(jī)絕緣層30形成在TFT 20上。在有機(jī)絕緣層30上形成用于暴露漏電極26的接觸孔35。像素電極40均勻地形成在有機(jī)絕緣層30、透過接觸孔35暴露的漏電極26及接觸孔35的側(cè)壁上。第一對(duì)準(zhǔn)膜50形成在像素電極40上，并具有多個(gè)沿預(yù)定方向或磨擦方向延伸的對(duì)準(zhǔn)槽(圖中未示出)。
濾色基底70包括第二基底71、濾色板72、共用電極73和第二對(duì)準(zhǔn)膜74。共用電極73面向像素電極40，以與TFT基底60相對(duì)。濾色基底70與TFT基底60相互面對(duì)地配合，而液晶層80位于濾色基底70和TFT基底60之間。
液晶沿預(yù)定方向?qū)?zhǔn)，以使光通過液晶層80。利用第一和第二對(duì)準(zhǔn)膜(50，74)使液晶對(duì)準(zhǔn)。下面將描述形成第一對(duì)準(zhǔn)膜50的方法。
參照?qǐng)D2，聚酰亞胺薄膜51沉積在像素電極40上。利用磨擦工藝使薄膜51形成作為具有多個(gè)對(duì)準(zhǔn)槽50a的第一對(duì)準(zhǔn)膜50。具有許多摩擦絨毛56a的磨擦織物(或磨擦布)56接合在磨擦輥55的外表面上。當(dāng)磨擦輥55設(shè)置在薄膜51上并沿預(yù)定方向或磨擦方向移動(dòng)時(shí)，磨擦絨毛56a對(duì)薄膜51進(jìn)行磨擦。因此在薄膜51上沿磨擦輥55移動(dòng)的方向形成了對(duì)準(zhǔn)槽50a。當(dāng)在薄膜51上采用其它磨擦工藝時(shí)，可能不形成對(duì)準(zhǔn)槽。
然而，沉積在接觸孔35的薄膜51上可以不形成對(duì)準(zhǔn)槽50a，這是由于接觸孔35的臺(tái)階表面的存在使得接觸孔35的側(cè)壁上的對(duì)準(zhǔn)不完整。由于液晶在靠近接觸孔35附近對(duì)準(zhǔn)不完整，所以在LCD裝置的黑色模式下會(huì)產(chǎn)生漏光現(xiàn)象。這樣就損害了LCD的顯示質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提供一種能提高顯示質(zhì)量的液晶顯示裝置。
本發(fā)明提供一種制造能提高顯示質(zhì)量的液晶顯示裝置的制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置包括陣列基底，該陣列基底包括第一基底、具有接觸孔的絕緣層和形成在絕緣層上的第一對(duì)準(zhǔn)層，該接觸孔具有第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，第一側(cè)壁具有相對(duì)于第一基底成第一角的第一傾斜面，第二側(cè)壁面對(duì)著第一側(cè)壁，第一對(duì)準(zhǔn)層從第一側(cè)壁朝第二側(cè)壁方向?qū)?zhǔn)；濾色基底，包括第二基底和形成在第二基底上的第二對(duì)準(zhǔn)層；以及位于陣列基底和濾色基底之間的液晶層。
根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)方面，提供了一種制造液晶顯示裝置的方法，包括在陣列基底的第一基底上沉積絕緣層，形成接觸孔，該接觸孔具有第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，第一側(cè)壁具有相對(duì)于第一基底成第一角的傾斜面，第二側(cè)壁面對(duì)著第一側(cè)壁，在所述絕緣層上沉積薄膜，通過沿第一方向磨擦該薄膜在絕緣層上形成第一對(duì)準(zhǔn)層；在濾色基底的第二基底上沿第二方向形成第二對(duì)準(zhǔn)層；使陣列基底與濾色基底配合；將液晶層設(shè)置在陣列基底和濾色基底之間。
根據(jù)這種液晶顯示裝置和制造該液晶顯示裝置的方法，絕緣層形成在第一基底上，該第一基底上形成多個(gè)開關(guān)器件，并在絕緣層上形成接觸孔。接觸孔由具有至少一個(gè)第一側(cè)壁和一個(gè)第二側(cè)壁的側(cè)壁限定。第一側(cè)壁相對(duì)第一基底成第一傾斜角(θ1)，第二側(cè)壁面對(duì)著第一側(cè)壁。沿第一方向，或從第一側(cè)壁向第二側(cè)壁方向?qū)?zhǔn)所述對(duì)準(zhǔn)膜。
因此，在接觸孔附近磨擦力增強(qiáng)，從而可防止出現(xiàn)漏光現(xiàn)象。此外，還可提高LCD裝置的顯示質(zhì)量。


通過參照附圖詳細(xì)地描述了示例性的實(shí)施例，將使本發(fā)明的上述及其它優(yōu)點(diǎn)變得更加明顯，其中圖1是常規(guī)LCD面板的剖視圖；圖2是在圖1的TFT基底上形成對(duì)準(zhǔn)膜的工藝的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的LCD面板的剖視圖；圖4是關(guān)于磨擦方向的圖3的接觸孔的示意圖；圖5A至5F是用于制造圖3的TFT基底的工藝的剖視圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的LCD面板的剖視圖；圖7是關(guān)于磨擦方向的圖6的接觸孔的示意圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例的LCD面板的剖視圖；圖9是關(guān)于磨擦方向的圖8的接觸孔的示意圖；圖10A至10C用于制造圖8的TFT基底的工藝的剖視圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例的LCD面板的剖視圖；圖12是關(guān)于磨擦方向的圖11的接觸孔的示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的LCD面板的剖視圖，圖4是相對(duì)于磨擦方向的圖3的接觸孔的示意圖。
參照?qǐng)D3，液晶顯示裝置的液晶顯示板400包括TFT基底(或陣列基底)100、面對(duì)TFT基底100的濾色基底200和液晶層300。
TFT基底100包括第一基底110、形成在該第一基底110上的TFT 120、形成在其上構(gòu)成TFT 120的第一基底110上的有機(jī)絕緣130、形成在該有機(jī)絕緣層130上的像素電極140及形成在該像素電極140上的第一對(duì)準(zhǔn)膜150。
TFT 120包括門電極121、源電極125和漏電極126。利用門絕緣層122使門電極121與源電極125和漏電極126絕緣。有源圖案123和歐姆接觸圖案124形成在門絕緣層122上。根據(jù)施加給門電極121的電源信號(hào)，源電極125通過有源圖案123和歐姆接觸圖案124與漏電極126電連接。源電極125和漏電極126形成在有源圖案123和歐姆接觸圖案124上。
有機(jī)絕緣層130形成在TFT 120上。在有機(jī)絕緣層130上形成接觸孔135，以暴露漏電極126。接觸孔135具有側(cè)壁131。側(cè)壁131包括第一側(cè)壁和第二側(cè)壁。第一側(cè)壁具有相對(duì)第一基底110成第一角(θ1)的第一傾斜面131a。第二側(cè)壁面向第一側(cè)壁。第二側(cè)壁具有相對(duì)第一基底110成第二角(θ2)的第二傾斜面131b，并且第二角(θ2)大于第一角(θ1)。第一傾斜面131a和第二傾斜面131b基本上為曲面或平面，這取決于接觸孔135的形狀。
第一和第二傾角(θ1，θ2)為銳角，優(yōu)選地，第一傾角(θ1)為約30°或更小，第二傾角(θ2)在約30°至約60°的范圍內(nèi)。
如圖3和4所示，第一對(duì)準(zhǔn)膜150具有沿第一方向(D1)對(duì)準(zhǔn)的磨擦槽。當(dāng)在第一對(duì)準(zhǔn)膜150上采用其它磨擦工藝時(shí)，在第一對(duì)準(zhǔn)膜150上可能不形成對(duì)準(zhǔn)槽。圖3的第一傾斜面131a和第二傾斜面131b示出沿圖4的A-A’線將接觸孔135剖開的情況。第一方向(D1)從第一傾斜面131a到第二傾斜面131b。例如，第一對(duì)準(zhǔn)膜150具有沿第一方向(D1)，或從第一傾斜面131a到第二傾斜面131b對(duì)準(zhǔn)的磨擦槽。對(duì)第一傾斜面131a進(jìn)行磨擦，然后再磨擦第二傾斜面131b。這樣，在接觸孔135的側(cè)壁131處可增強(qiáng)對(duì)準(zhǔn)力。
像素電極140均勻地形成在漏電極126、側(cè)壁131和有機(jī)絕緣層130上。具有沿預(yù)定方向?qū)?zhǔn)的磨擦槽的第一對(duì)準(zhǔn)膜150形成在像素電極140上。
濾色板220、共用電極230和第二對(duì)準(zhǔn)膜240順次形成在第二基底210上，從而形成濾色基底200。第二對(duì)準(zhǔn)膜240具有沿大致與第一方向(D1)垂直的第二方向(D2)對(duì)準(zhǔn)的磨擦槽。濾色基底200與TFT基底100配合，以面對(duì)TFT基底100。共用電極230面對(duì)著像素電極140。液晶層300設(shè)置在濾色基底200和TFT基底100之間。
下面將描述制造TFT基底100的方法。
圖5A至5F是用于制造圖3的TFT基底的方法的剖視圖。
參照?qǐng)D5A，通過濺射工藝將第一金屬(圖中未示出)沉積在第一基底110上。第一金屬包括鋁(Al)、鉻(Cr)或鎢化鉬(MoW)，第一基底110包括絕緣材料，如玻璃或陶瓷及類似材料。然后第一金屬層用光刻工藝形成圖案，從而形成門線(圖中未示出)和從門線分支出的門電極121。門電極121的側(cè)壁具有漸縮的剖面。
利用等離子強(qiáng)化化學(xué)氣相沉積(PECVD)法將氮化硅沉積在形成門線和門電極121的第一基底110的整個(gè)表面上，以形成門絕緣層122。
利用PECVD法將有源層(圖中未示出)，例如非晶硅層沉積在門絕緣層122上，然后再利用PECVD法將歐姆接觸層(圖中未示出)，如n+摻雜非晶硅層沉積在所述有源層上。利用現(xiàn)場(chǎng)工藝，將非晶硅層和n+摻雜非晶硅層沉積在PECVD設(shè)備腔內(nèi)。然后利用光刻法順次使歐姆接觸層和有源層形成圖案，從而分別在門電極121上方的門絕緣層122上形成有源圖案123和歐姆接觸圖案124。有源圖案123包括非晶硅層，歐姆接觸圖案124包括n+摻雜非晶硅層。
利用濺射法在所得到的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上沉積包括金屬，如鉻(Cr)的第二金屬層(圖中未示出)。利用光刻工藝使第二金屬層形成圖案，從而形成垂直于門線的數(shù)據(jù)線(圖中未示出)、從數(shù)據(jù)線分支出來的源電極125和漏電極126，從而最終形成TFT 120。位于門線和數(shù)據(jù)線之間的門絕緣層122可防止門線與數(shù)據(jù)線電接觸。
利用反應(yīng)離子蝕刻(RIE)法將暴露于源電極125和漏電極126之間的歐姆接觸圖案124去除。因此，暴露在源電極125和漏電極126之間的有源圖案區(qū)用作TFT(薄膜晶體管)120的通道區(qū)。
參照?qǐng)D5B，利用旋轉(zhuǎn)涂敷法(spin coating)或狹縫涂敷法(slit coating)將絕緣層，如光敏有機(jī)絕緣層137形成在有TFT 120形成于其上的第一基底110的整個(gè)表面上。光敏有機(jī)絕緣層137包括丙烯酸樹脂等，該層使源/漏電極125和126與像素電極140電絕緣。
具有與接觸孔相對(duì)應(yīng)的圖案的掩膜137a沉積在有機(jī)絕緣層137上方，以便形成通過有機(jī)絕緣層137的接觸孔135。例如，掩膜137a包括用于形成具有狹縫曝光區(qū)(A1)和全曝光區(qū)(A2)的接觸孔135的區(qū)域(A)。狹縫曝光區(qū)(A1)的曝光部分的量小于全曝光區(qū)(A2)的曝光部分的量。狹縫曝光區(qū)(A1)對(duì)應(yīng)于第一傾斜面131a。
例如，利用狹縫曝光工藝使對(duì)應(yīng)于狹縫曝光區(qū)(A1)的有機(jī)絕緣層137曝光，并利用全曝光工藝使對(duì)應(yīng)于全曝光區(qū)(A2)的有機(jī)絕緣層137曝光。
參照?qǐng)D5C，有機(jī)絕緣層137由包括羥化四甲基銨(TMAH，tetramethyl-ammonium hydroxide)的溶液進(jìn)行顯影，從而形成接觸孔135。接觸孔135將漏電極126暴露出來。相對(duì)于第一基底110成第一傾角(θ1)的第一傾斜面131a形成在與狹縫曝光區(qū)(A1)對(duì)應(yīng)的側(cè)壁131的一部分上。此外，第二傾斜面131b形成在與全曝光區(qū)(A2)對(duì)應(yīng)的側(cè)壁131的一部分上。
第一傾角(θ1)小于第二傾角(θ2)。例如，第一傾角(θ1)小于約30°，而第二傾角(θ2)在約30°到約60°的范圍內(nèi)。
參照?qǐng)D5D，在有機(jī)絕緣層130和接觸孔135上沉積透明導(dǎo)電層。該透明導(dǎo)電層包括有導(dǎo)電材料，如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。利用光刻法使透明導(dǎo)電層形成圖案，以形成像素電極140。像素電極140通過接觸孔135與漏電極126相連。
參照?qǐng)D5E和圖5F，在像素電極140上形成聚酰亞胺薄膜155。在該薄膜155上進(jìn)行磨擦工藝，以形成具有多個(gè)對(duì)準(zhǔn)槽151的第一對(duì)準(zhǔn)膜150。
具有許多磨擦絨191a的磨擦織物(或磨擦布)191固定在磨擦輥190的外表面。當(dāng)磨擦輥190定位在薄膜155上并沿預(yù)定方向或磨擦方向運(yùn)動(dòng)時(shí)，薄膜155被磨擦絨191a磨擦。這樣就沿磨擦輥190運(yùn)動(dòng)的方向在薄膜155上形成對(duì)準(zhǔn)槽151。磨擦輥190沿第一方向(D1)，或沿從第一傾斜面131a到第二傾斜面131b的方向運(yùn)動(dòng)并磨擦薄膜155。
參照?qǐng)D5F，第一傾斜面131a的坡度較緩，所以可在第一傾斜面131a上形成對(duì)準(zhǔn)槽151。液晶180可在第一傾斜面131a附近對(duì)準(zhǔn)，從而可防止在LCD裝置的黑模式下發(fā)生漏光現(xiàn)象。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的LCD面板的剖視圖，圖7是關(guān)于磨擦方向的圖6的接觸孔的示意圖。
參照?qǐng)D6，有機(jī)絕緣層160形成在其上有TFT 120形成的第一基底110上。接觸孔165形成在有機(jī)絕緣層160上，用以暴露漏電極126。接觸孔165具有側(cè)壁161。側(cè)壁161包括第一側(cè)壁和第二側(cè)壁。第一側(cè)壁具有相對(duì)于第一基底110成第一傾角(θ1)的第一傾斜面161a。第二側(cè)壁面對(duì)著第一側(cè)壁。第二側(cè)壁具有相對(duì)于第一基底110成第一傾角(θ1)的第二傾斜面161b。
第一傾角(θ1)是一個(gè)銳角，優(yōu)選地，第一傾角(θ1)小于約30°。
如圖6和圖7所示，具有沿第一方向(D1)對(duì)準(zhǔn)的磨擦槽的第一對(duì)準(zhǔn)膜150形成在有機(jī)絕緣層160上。
圖6的第一和第二傾斜面(161a，161b)示出了接觸孔165沿圖7的A-A’線剖開的情況。特別是，第一方向(D1)從第一傾斜面161a到第二傾斜面161b。例如，第一對(duì)準(zhǔn)膜150具有沿第一方向(D1)或從第一傾斜面161a到第二傾斜面161b對(duì)準(zhǔn)的磨擦槽。先對(duì)第一傾斜面161a進(jìn)行磨擦，然后磨擦第二傾斜面161b。這樣可增大接觸孔165的側(cè)壁161處的對(duì)準(zhǔn)力。
下面將描述第三和第四示例性實(shí)施例，其中描述了在有機(jī)絕緣層的表面上形成的凸凹圖案。在有機(jī)絕緣層的表面上形成凸凹圖案的結(jié)構(gòu)可采用反射式LCD裝置或透射和反射式LCD裝置。因此，圖8至圖12表示根據(jù)本發(fā)明的第三和第四示例性實(shí)施例，具有在有機(jī)絕緣層上形成凸凹圖案的結(jié)構(gòu)的反射式LCD裝置。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例的LCD面板的剖視圖，圖9是關(guān)于磨擦方向的圖8的接觸孔的示意圖。
參照?qǐng)D8，液晶顯示裝置的反射式LCD面板500包括TFT基底100、面對(duì)著該TFT基底100的濾色基底200及液晶層300。
TFT基底100包括第一基底110、形成在第一基底110上的TFT 120、形成在有TFT 120形成的第一基底110上的有機(jī)絕緣層170、形成在有機(jī)絕緣層170上的反射電極140及形成在該反射電極140上的對(duì)準(zhǔn)膜150。多個(gè)像素在TFT基底110上以矩陣形式排布。
有機(jī)絕緣層170形成在有TFT 120形成的TFT基底110上。接觸孔175形成在有機(jī)絕緣層170上，以暴露漏電極126。在有機(jī)絕緣層170的表面上形成凸凹圖案177。凸凹圖案177具有反復(fù)重復(fù)的成對(duì)的凹部分177a和凸部分177b。凹部分177a和凸部分177b的高度互不相同。由于在有機(jī)絕緣層170上形成凸凹圖案177，所以增大了反射電極140的面積。這樣便提高了反射效率，并調(diào)節(jié)了反射角，從而增大了視角。
接觸孔175由側(cè)壁171限定。側(cè)壁171包括第一側(cè)壁和第二側(cè)壁。第一側(cè)壁具有多個(gè)第一傾斜面171a和平坦面171b，以形成臺(tái)階形狀。每個(gè)第一傾斜面171a相對(duì)第一基底110成第一傾角(θ1)。平坦面171b形成在第一傾斜面171a之間，用于連接第一傾斜面171a。第二側(cè)壁面向第一側(cè)壁。第二側(cè)壁具有相對(duì)第一基底110成第二傾斜角(θ2)的第二傾斜面171c，并且第二傾斜角(θ2)大于第一傾斜角(θ1)。第一傾斜角(θ1)是一個(gè)銳角，優(yōu)選在約30°至約60°的范圍內(nèi)。
如圖8和9所示，第一對(duì)準(zhǔn)膜150具有沿第一方向(D1)對(duì)準(zhǔn)的磨擦槽。圖8的第一和第二傾斜面(171a，171c)示出了接觸孔175沿圖9的A-A’線剖開的情況。第一方向(D1)從第一傾斜面171a到第二傾斜面171c。沿第一方向(D1)或從第一傾斜面171a到第二傾斜面171c磨擦薄膜(圖中未示出)而形成第一對(duì)準(zhǔn)膜150。先對(duì)第一傾斜面171a進(jìn)行磨擦，然后磨擦第二傾斜面171c。這樣，側(cè)壁171可具有平緩的坡度，可增大接觸孔175的側(cè)壁171處的對(duì)準(zhǔn)力。
下面將詳細(xì)描述TFT基底的制造方法。
圖10A至10C是示出制造圖8的TFT基底的工藝的剖視圖。在圖10A至10C中，進(jìn)行兩個(gè)曝光過程，以形成有機(jī)絕緣層。
參照?qǐng)D10A，利用旋轉(zhuǎn)涂敷法或狹縫涂敷法將絕緣層，如包括丙烯酸樹脂等的光敏有機(jī)絕緣層179形成在其上有TFT 120形成的第一基底110的整個(gè)表面上。光敏有機(jī)絕緣層179使數(shù)據(jù)線與反射電極140電絕緣。
使光敏有機(jī)絕緣層179曝光，以形成接觸孔175。具有與接觸孔175對(duì)應(yīng)的圖案的掩膜179a位于光敏有機(jī)絕緣層179的上方，然后使光敏有機(jī)絕緣層179曝光，以便形成接觸孔175。例如，掩膜179a具有用于形成有狹縫曝光區(qū)(A1)和全曝光區(qū)(A2)的接觸孔175的區(qū)域(A)。狹縫曝光區(qū)(A1)的曝光部分小于全曝光區(qū)(A2)的曝光部分。狹縫曝光區(qū)(A1)對(duì)應(yīng)于側(cè)壁171的第一傾斜面171a和第二傾斜面171c。
然后進(jìn)行使光敏有機(jī)絕緣層179曝光的第二曝光過程，以在光敏有機(jī)絕緣層179上形成凸凹圖案。
參照?qǐng)D10B，在光敏有機(jī)絕緣層179上形成第二掩膜179b，然后使所述層179曝光。第二掩膜179b具有與凸凹圖案177對(duì)應(yīng)的圖案。例如，第二掩膜179b包括第一半曝光區(qū)(B1)和第二半曝光區(qū)(B2)。第一半曝光區(qū)(B1)與凸凹圖案177的凹部分177a對(duì)應(yīng)，第二半曝光區(qū)(B2)與側(cè)壁171對(duì)應(yīng)，特別是與位于第一傾斜面171a之間的平坦面171b對(duì)應(yīng)。
參照?qǐng)D10C，光敏有機(jī)絕緣層179由包括羥化四甲基銨(TMAH)的溶液進(jìn)行顯影，并形成接觸孔175和凸凹圖案177，從而完成有機(jī)絕緣層170。接觸孔175將漏電極126暴露出來。
如上所述，限定接觸孔175的側(cè)壁171對(duì)應(yīng)于狹縫曝光區(qū)(A1)。側(cè)壁171包括第一側(cè)壁和第二側(cè)壁。第一側(cè)壁具有第一傾斜面171a和平坦面171b，以形成臺(tái)階形狀。每個(gè)第一傾斜面171a都相對(duì)第一基底110成第一傾斜角(θ1)。平坦面171b與第二半曝光區(qū)(B2)對(duì)應(yīng)并形成在第一傾斜面171a之間，以連接第一傾斜面171a。第二側(cè)壁面對(duì)著第一側(cè)壁。第二側(cè)壁對(duì)應(yīng)于全曝光區(qū)(A2)的邊緣。第二側(cè)壁具有相對(duì)于第一基底110成第二傾斜角(θ2)的第二傾斜面171c，并且第二傾斜角(θ2)大于第一角(θ1)。第一傾斜角(θ1)小于約30°。第二傾斜角(θ2)優(yōu)選地在約30°至約60°的范圍內(nèi)。
圖11是根據(jù)本發(fā)明的第四典型實(shí)施例的LCD面板600的剖視圖，圖12是關(guān)于磨擦方向的圖11的接觸孔的示意圖。
參照?qǐng)D11，有機(jī)絕緣層180形成在其上有TFT 120形成的TFT基底110上。接觸孔185形成在有機(jī)絕緣層180上，以暴露漏電極126。凸凹圖案187形成在有機(jī)絕緣層180的表面上。凸凹圖案187具有反復(fù)重復(fù)的成對(duì)的凹部分187a和凸部分187b。凹部分187a和凸部分187b的高度互不相同。接觸孔185由側(cè)壁181限定。
例如，側(cè)壁181包括第一側(cè)壁和第二側(cè)壁。第一側(cè)壁具有多個(gè)第一傾斜面181a和第一平坦面181b，以形成臺(tái)階形狀。每個(gè)第一傾斜面181a相對(duì)第一基底110成第一傾角(θ1)。第一平坦面181b形成在第一傾斜面181a之間，用于連接第一傾斜面181a。第二側(cè)壁面朝第一側(cè)壁。第二側(cè)壁具有多個(gè)第二傾斜面181c和第二平坦面181d，以形成臺(tái)階形狀。每個(gè)傾斜面181c相對(duì)第一基底110成第一傾斜角(θ1)。第二平坦面181d形成在第二傾斜面181c之間，以連接第二傾斜面181c。第一傾斜角(θ1)優(yōu)選小于約30°。
如圖11和圖12所示，第一對(duì)準(zhǔn)膜150具有沿第一方向(D1)對(duì)準(zhǔn)的磨擦槽。圖8的第一傾斜面181a和第二傾斜面181c及第一平坦面181b和第二平坦面181d示出了接觸孔185沿圖12的A-A’線被剖開的情況。第一方向(D1)從第一傾斜面181a到第二傾斜面181c。第一對(duì)準(zhǔn)膜150通過沿第一方向(D1)或從第一傾斜面181a到第二傾斜面181c磨擦薄膜(圖中未示出)而形成。對(duì)第一傾斜面181a進(jìn)行磨擦，然后磨擦第二傾斜面181c，并且側(cè)壁181具有較緩的坡度。這樣可在接觸孔185的側(cè)壁181處增強(qiáng)對(duì)準(zhǔn)力。此外，第一平坦面181b和第二平坦面181d增大了接觸孔185的側(cè)壁181處的對(duì)準(zhǔn)力。
上面已參照示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明。然而很明顯，根據(jù)上面的描述，許多其它的變型和改進(jìn)對(duì)于領(lǐng)域的技術(shù)人員來說都是顯而易見的。因此，本發(fā)明包括所有這些落入權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的變型和改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括陣列基底，包括第一基底，具有接觸孔的絕緣層，該接觸孔具有第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，第一側(cè)壁具有相對(duì)于第一基底成第一角的第一傾斜面，第二側(cè)壁面對(duì)著第一側(cè)壁，形成在絕緣層上的第一對(duì)準(zhǔn)層，該第一對(duì)準(zhǔn)層從第一側(cè)壁朝第二側(cè)壁方向?qū)?zhǔn)；濾色基底，包括第二基底，和形成在第二基底上的第二對(duì)準(zhǔn)層；以及位于陣列基底和濾色基底之間的液晶層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中第一角為銳角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中第一角約為30°或更小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中第二側(cè)壁具有相對(duì)于第一基底成第二角的第二傾斜面，所述第二角大于所述第一角。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其中第二角在約30°至約60°的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中第一側(cè)壁在摩擦第二側(cè)壁之前被磨擦。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中第二側(cè)壁具有相對(duì)于第一基底成第一角的第二傾斜面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中第一側(cè)壁具有多個(gè)第一傾斜面和平坦面，以形成臺(tái)階形狀，每個(gè)第一傾斜面相對(duì)于第一基底成第一角，所述平坦面形成在第一傾斜面之間；及其中第二側(cè)壁具有相對(duì)于第一基底成第二角的第二傾斜面，并且第二角大于第一角。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其中第一側(cè)壁在摩擦第二側(cè)壁之前被磨擦。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中第一側(cè)壁具有多個(gè)第一傾斜面和第一平坦面，以形成第一臺(tái)階形狀，每個(gè)第一傾斜面相對(duì)于第一基底成第一角，所述平坦面形成在第一傾斜面之間；及其中第二側(cè)壁具有多個(gè)第二傾斜面和第二平坦面，以形成第二臺(tái)階形狀，每個(gè)第二傾斜面相對(duì)于第一基底成第一角，第二平坦面形成在第二傾斜面之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中絕緣層包括光敏有機(jī)絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中絕緣層包括光敏有機(jī)絕緣層和非光敏有機(jī)絕緣層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中陣列基底還包括形成在絕緣層上的凸凹圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，其中凸凹圖案具有反復(fù)重復(fù)的成對(duì)的凹部分和凸部分，凹部分和凸部分的高度相互不同。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中沿大致垂直于第一方向的第二方向磨擦所述第二對(duì)準(zhǔn)層。
16.一種制造液晶顯示裝置的方法，包括在陣列基底的第一基底上沉積絕緣層；在絕緣層中形成接觸孔，該接觸孔具有第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，第一側(cè)壁具有相對(duì)于第一基底成第一角的第一傾斜面，第二側(cè)壁面對(duì)著第一側(cè)壁；在具有接觸孔的絕緣層上沉積薄膜；通過沿第一方向磨擦該薄膜在絕緣層上形成第一對(duì)準(zhǔn)層；沿第二方向在濾色基底的第二基底上形成第二對(duì)準(zhǔn)層；使陣列基底與濾色基底配合；及將液晶層設(shè)置在陣列基底和濾色基底之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造液晶顯示裝置的方法，其中第一方向從第一側(cè)壁到第二側(cè)壁。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造液晶顯示裝置的方法，還包括在陣列基底的第一基底上形成開關(guān)器件，其中在具有開關(guān)器件的第一基底上形成絕緣層，并利用接觸孔暴露出開關(guān)器件的一部分；及在開關(guān)器件和絕緣層上均勻地形成電極層，其中沿第一方向在該電極層上沉積并磨擦薄膜，以在電極層上形成第一對(duì)準(zhǔn)層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造液晶顯示裝置的方法，其中在絕緣層中形成接觸孔，以暴露出開關(guān)器件的一部分，所述方法包括在絕緣層上沉積具有全曝光區(qū)和狹縫曝光區(qū)的第一掩膜，全曝光區(qū)對(duì)應(yīng)于接觸孔，狹縫曝光區(qū)對(duì)應(yīng)于第一和第二側(cè)壁；使其上沉積有第一掩膜的絕緣層曝光；及使絕緣層顯影，以在第一和第二側(cè)壁上形成至少一個(gè)傾斜面。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造液晶顯示裝置的方法，其中薄膜包括聚酰亞胺薄膜。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造液晶顯示裝置的方法，還包括在形成電極層之前在絕緣層上形成凸凹圖案，該凸凹圖案具有反復(fù)重復(fù)的成對(duì)的凹部分和凸部分。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的制造液晶顯示裝置的方法，其中形成所述凸凹圖案包括在絕緣層上沉積第二掩膜，第二掩膜具有對(duì)應(yīng)于第一側(cè)壁、第二側(cè)壁和凸凹圖案的凹部分的第一半曝光區(qū)，及對(duì)應(yīng)于第一和第二側(cè)壁之間的平坦表面的第二半曝光區(qū)；使其上沉積有第二掩膜的絕緣層曝光；及使該絕緣層顯影，以形成凸凹圖案和至少一個(gè)平坦表面。
23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造液晶顯示裝置的方法，其中第一角約為30°或更小。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可提高顯示質(zhì)量的液晶顯示裝置及制造該裝置的方法。該液晶顯示裝置包括具有形成在第一基底上的接觸孔的絕緣層，在該第一基底上形成開關(guān)器件和第一電極，在第一電極上形成第一對(duì)準(zhǔn)膜。接觸孔由具有第一和第二側(cè)壁的側(cè)壁限定。第一側(cè)壁相對(duì)第一基底成第一傾斜角，第二側(cè)壁面對(duì)著第一側(cè)壁。對(duì)準(zhǔn)膜具有沿第一方向或從第一側(cè)壁到第二側(cè)壁對(duì)準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)槽。這樣在接觸孔附近增強(qiáng)了磨擦力，從而提高了LCD裝置的顯示質(zhì)量。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK1455291SQ03125008
公開日2003年11月12日 申請(qǐng)日期2003年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月30日
發(fā)明者尹榮男 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社