專利名稱：面內(nèi)切換模式液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示(LCD)器件，特別涉及面內(nèi)切換模式(in-planeswitching mode)LCD器件。
背景技術(shù)：
主要用做高圖像質(zhì)量和低功耗的平板顯示器件的扭轉(zhuǎn)向列模式LCD器件具有窄視角。這是由液晶分子的折射各向異性以及當(dāng)電壓施加到扭轉(zhuǎn)向列模式LCD器件時液晶分子相對于基板的平行取向而造成的。與之相比，面內(nèi)切換模式LCD具有寬視角，因為當(dāng)把電壓施加到面內(nèi)切換模式LCD器件時，液晶分子在平行于基板的方向取向。
圖1A示出了現(xiàn)有技術(shù)的面內(nèi)切換模式LCD的單元像素的平面圖，圖1B為沿圖1A中線I-I’的剖面圖。如圖1A所示，選通線(gate line)1和數(shù)據(jù)線3分別布置在透明的第一基板10上的縱向和橫向方向中以限定出單元像素區(qū)域。在具有單元像素板的LCD器件中，n個選通線1和m個數(shù)據(jù)線3交叉以形成具有n×m個單元像素的板。
在單元像素區(qū)中，薄膜晶體管9形成在選通線1和數(shù)據(jù)線3的交叉點(diǎn)附近。薄膜晶體管9包括分別連接到選通線1、數(shù)據(jù)線3和像素電極7的柵電極1a、源電極2a和漏電極2b。如圖1B所示，在基板柵電極1a上形成柵絕緣層8。在柵絕緣層8上形成半導(dǎo)體層5。源電極2a和漏電極2b被形成為與半導(dǎo)體層5的相應(yīng)側(cè)接觸。
公共線4與選通線1平行，并橫穿過單元像素區(qū)。如圖1A所示，公共電極6和像素電極7相互平行布置，使得可以改變液晶分子的取向。公共電極6與柵電極1a同時形成，并連接到公共線4。像素電極7與源電極2a和漏電極2b同時形成，使得像素電極7連接到薄膜晶體管9的漏電極2b。在包括源/漏電極2a和2b的基板第一基板10上形成鈍化層11，然后形成第一排列層12a。
如圖1B所示，公共電極6的分支形成在單元像素區(qū)的外圍，以便為像素電極7屏蔽在像素電極7和單元像素區(qū)外圍的數(shù)據(jù)線3之間產(chǎn)生的電場。此外，與公共線4重疊的像素電極線14形成存儲電容器，使用像素電極線14和公共線4之間的柵絕緣層8作為存儲電容器的絕緣體。公共線4在像素電極線14下橫穿單元像素區(qū)的寬度W應(yīng)該足夠大，以便確保用于LCD器件的時間需要的足夠存儲電容。
第二基板20包括黑底21、濾色器23和第二排列層12b。具體地說，在選通線1、數(shù)據(jù)線3和薄膜晶體管9上形成的黑底21防止光從單元像素區(qū)泄漏。濾色器23形成在第二基板20上鄰近黑底21。第二排列層12b形成在濾色器23上。液晶層13設(shè)置在第一和第二基板10和20之間。
當(dāng)電壓沒有施加到圖1A和1B中的面內(nèi)切換模式LCD器件中時，液晶層13中的液晶分子根據(jù)第一和第二排列層12a和12b的排列方向取向。然而，當(dāng)電壓施加在公共電極6和像素電極7之間時，液晶分子重新取向為與基板平行并垂直于公共電極6和數(shù)據(jù)線3的延伸方向。由于液晶層13中的液晶分子總是在相同的平面中重新取向，在上和下以及左和右的視角方向中不產(chǎn)生灰度級反轉(zhuǎn)(gray level inversion)。
在圖1A和1B的面內(nèi)切換模式LCD器件中，可以在單元像素區(qū)中由不透明金屬形成公共電極6和像素電極7。公共電極6應(yīng)該形成在單元像素區(qū)的外圍附近，因此，產(chǎn)生了偶數(shù)的透光區(qū)。例如，圖1中顯示了四個透光區(qū)。因此，孔徑比減小。并且，即使公共電極靠近單元像素區(qū)的外圍，在驅(qū)動期間為像素電極屏蔽的數(shù)據(jù)電壓的程度也有一定限制。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供一種制造LCD器件的方法，其實質(zhì)上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個或多個問題。
本發(fā)明的一個目的是改善LCD器件的孔徑比。
本發(fā)明的另一個目的是改善像素電極對數(shù)據(jù)電壓的屏蔽。
本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的和特點(diǎn)部分地闡述在下面的說明中，部分地對于研究了下文的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說是顯而易見的，或者可以從本發(fā)明的實施中獲得。通過在書面的說明書和它的權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。
要實現(xiàn)本發(fā)明的目的，如這里實施和廣泛描述的，提供一種面內(nèi)切換模式的液晶顯示器件，包括第一和第二基板；在第一基板上以矩陣形式布置的多個選通線和數(shù)據(jù)線，用以限定出像素區(qū)；在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部分上的薄膜晶體管；在像素區(qū)中的選通線和像素電極線，用于限定上像素區(qū)部分和下像素區(qū)部分；連接到公共線和像素電極線的多個第一公共電極和像素電極；設(shè)置為與鄰近數(shù)據(jù)線的第一公共電極之一和像素電極之一重疊的第二公共電極，該第二公共電極連接到該第一公共電極；以及第一和第二基板之間的液晶層。
在本發(fā)明的另一個方面，提供一種面內(nèi)切換模式液晶顯示器件，包括第一基板和第二基板；在第一基板上以矩陣形式布置的多個選通線和數(shù)據(jù)線，用于限定像素區(qū)；在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部分上的薄膜晶體管；在像素區(qū)中的公共線和像素電極線，用于限定上像素區(qū)部分和下像素區(qū)部分；連接到公共線和像素電極線的多個第一公共電極和像素電極；在包括第一公共電極和像素電極的第一基板上的鈍化層，具有露出第一公共電極的一部分的接觸孔；在鈍化層上以“H”形狀形成的第二公共電極，該第二公共電極通過接觸孔連接到第一公共電極并與鄰近數(shù)據(jù)線的第一公共電極重疊；以及在第一和第二基板之間的液晶層。
在本發(fā)明的另一個方面，一種面內(nèi)切換模式液晶顯示器件的制造方法包括在第一基板上形成第一公共電極、柵電極和選通線；在包括柵電極的第一基板上形成柵絕緣層；在柵電極上形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成源電極、漏電極和像素電極并形成數(shù)據(jù)線；在第一基板上形成鈍化層；在鈍化層和柵絕緣層中形成接觸孔，以露出第一公共電極的一部分；以及在鈍化層上形成第二公共電極以通過接觸孔連接到第一公共電極。
在本發(fā)明的另一個方面，一種面內(nèi)切換模式液晶顯示器件包括第一基板和第二基板；以矩陣形式布置在第一基板上的選通線和數(shù)據(jù)線，用于限定像素區(qū)；在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部分的薄膜晶體管；在像素區(qū)中的公共線和像素電極線，用于限定上像素區(qū)部分和下像素區(qū)部分；連接到公共線和像素電極線的多個公共電極和像素電極，其中某些像素電極和某些第一公共電極在上像素區(qū)部分和下像素區(qū)部分中的與數(shù)據(jù)線鄰近的像素區(qū)的對角部分相互重疊。
當(dāng)結(jié)合附圖時從下面本發(fā)明的詳細(xì)說明中本發(fā)明的以上和其它目的、特點(diǎn)、方案和優(yōu)點(diǎn)將變得很顯然。


被包括以進(jìn)一步理解本發(fā)明并被引入并構(gòu)成本說明書一部分的附圖示出了本發(fā)明的各實施例并和說明書一起介紹本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1A是顯示現(xiàn)有技術(shù)面內(nèi)切換模式LCD的單元像素的平面圖；圖1B是沿著圖1A中的線I-I’的剖面圖；；圖2A是顯示根據(jù)本發(fā)明的第一示例實施例的面內(nèi)切換模式LCD器件的單元像素的平面圖；圖2B是沿著圖2A中的線II-II’的剖面圖；圖3A是根據(jù)本發(fā)明的第二示例實施例的面內(nèi)切換模式LCD器件的像素區(qū)的平面圖；圖3B是沿著圖3A中的線III-III’的剖面圖；圖4A到4E是顯示根據(jù)本發(fā)明的第二示例實施例的面內(nèi)切換模式LCD器件的制造方法的工藝圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在參考附圖中的例子詳細(xì)介紹本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖2A是顯示根據(jù)本發(fā)明的第一示例實施例的面內(nèi)切換模式LCD器件的單元像素的平面圖，圖2B是沿圖2A中的線II-II’方向的剖面圖。如圖2A所示，在透明的第一基板110上分別以縱向和橫向布置選通線101和數(shù)據(jù)線103以限定像素區(qū)。
在像素區(qū)中，鄰近一個選通線101和一個數(shù)據(jù)線103相互交叉之處形成薄膜晶體管109。薄膜晶體管109包括分別連接到一個選通線101、一個數(shù)據(jù)線103和像素電極107的柵電極101a、源電極102a和漏電極102b。在柵電極101a上形成柵絕緣層108。在柵絕緣層108上形成半導(dǎo)體層105。源電極102a和漏電極102b被形成為與半導(dǎo)體層105的相應(yīng)側(cè)接觸。
公共線104被形成為橫穿像素區(qū)的中心部分并與選通線101平行。像素電極線114被形成為橫穿像素區(qū)的中心部分并與選通線101平行。橫穿像素區(qū)的公共線104和像素電極線114把像素區(qū)分成上像素區(qū)部分和下像素區(qū)部分。像素電極線114和公共電極線104形成穿過像素區(qū)的中心部分的第一重疊部分120。像素區(qū)還包括作為公共線104的分支的多個公共電極106和作為像素電極線114的分支的多個像素電極107。某些公共電極106和某些像素電極107在鄰近像素區(qū)外圍的并且在像素區(qū)的對角的第二重疊部分130中相互重疊。第一和第二重疊部分120和130與柵絕緣層108一起形成存儲電容器。其中一個像素電極107把薄膜晶體管109的漏電極102b連接到像素電極線114。像素區(qū)的上部分中的至少一些公共電極106不與像素區(qū)的下部分中的至少一些公共電極106對準(zhǔn)。此外，像素區(qū)的上部分中的至少一些像素電極107不與像素區(qū)的下部分中的至少一些像素電極107對準(zhǔn)。
如圖2B所示，公共電極106形成在由如玻璃的透明材料制成的第一基板110上。在公共電極106和第一基板110上設(shè)置柵絕緣層108。像素電極107和數(shù)據(jù)線103形成在柵絕緣層108上。此外，在包括像素電極107和數(shù)據(jù)線103的整個第一基板110上形成鈍化層111。在鈍化層111上設(shè)置第一排列層112a。
還如圖2B所示，第二基板120包括黑底121、濾色器123和第二排列層112b。特別是，在選通線1、數(shù)據(jù)線3和薄膜晶體管109上形成的黑底121可以防止光從像素區(qū)泄漏。濾色器123形成在第二基板109中的黑底121上。第二排列層112b設(shè)置在濾色器123上。液晶層113設(shè)置在第一和第二基板110和120之間。
如上所述，某些公共電極106和像素電極107被形成為鄰近數(shù)據(jù)線相互重疊。因為這種重疊，改善了孔徑比。與某些像素電極107重疊的公共電極106屏蔽了來自數(shù)據(jù)線103的信號對像素電極的影響。此外，如果與某些像素電極107重疊的公共電極106被設(shè)置在比與公共電極重疊的像素電極更靠近最接近的一個數(shù)據(jù)線103，則實質(zhì)上可以利用在像素電極107和公共電極106之間產(chǎn)生的電場完全屏蔽數(shù)據(jù)線103對與公共電極106重疊的像素電極107的影響。因此，可以防止在驅(qū)動期間從一個數(shù)據(jù)線103對一個像素電極107的電場所產(chǎn)生的垂直串?dāng)_。
圖3A是顯示根據(jù)第二示例實施例的面內(nèi)切換模式LCD器件的像素區(qū)的平面圖。圖3B是沿著圖3A中的線III-III’的剖面圖。如圖3A所示，根據(jù)本發(fā)明第二實施例的面內(nèi)切換模式LCD器件包括形成在一個選通線201和一個數(shù)據(jù)線203的相互交叉部分附近的薄膜晶體管209。薄膜晶體管209包括從一個選通線201引出的柵電極201a、形成在柵電極201a上的半導(dǎo)體層205、以及從一個數(shù)據(jù)線203引出并形成在半導(dǎo)體層205一端的源電極202a和形成在半導(dǎo)體層205另一端的漏電極202b。
公共線204被形成為橫穿像素區(qū)的中心部分并與選通線201平行。像素電極線214被形成為橫穿像素區(qū)的中心部分并與選通線201平行。橫穿像素區(qū)的公共線204和像素電極線214把像素區(qū)分成上像素區(qū)部分和下像素區(qū)部分。公共線204的寬度W’為約10～15μm。
像素區(qū)還包括作為公共線204的分支的多個公共電極206和作為像素電極線214的分支的多個像素電極207。某些像素電極207和某些第一公共電極206在鄰近數(shù)據(jù)線203的像素區(qū)外圍區(qū)域中重疊。一個像素電極207連接到薄膜晶體管209的漏電極202b。像素區(qū)的上部分中的至少一些第一公共電極206不與像素區(qū)的下部分中的至少一些第一公共電極206對準(zhǔn)。此外，像素區(qū)的上部分中的至少一些像素電極207不與像素區(qū)的下部分中的至少一些像素電極207對準(zhǔn)。
如圖3A所示，第二公共電極224設(shè)置為與某些像素電極207重疊，這些像素電極207與某些第一公共電極206重疊。第二公共電極224具有“H”形狀，并通過像素區(qū)中的接觸孔224a連接到第一公共電極206。在一個另選方式中，第二公共電極224可以通過像素區(qū)外部的接觸孔連接到第一公共電極206。例如，第二公共電極224可以通過焊盤區(qū)中的接觸孔連接到第一公共電極206。在另一個另選方式中，第二公共電極224和第一公共電極206可以連接到相同的外部電勢。鄰近數(shù)據(jù)線203的第二公共電極224和第一公共電極206一起屏蔽了一個鄰近數(shù)據(jù)線203上的數(shù)據(jù)電壓對像素電極207的影響。
像素電極線214和公共線204形成穿過像素區(qū)的中心部分的第一重疊部分220。在鄰近數(shù)據(jù)線203的像素區(qū)外圍區(qū)域中與某些第一公共電極206重疊的某些像素電極207形成第二重疊部分230。第一重疊部分220和第二重疊部分230與柵絕緣層208一起形成存儲電容器Cst1。
如圖3B所示，第一公共電極206形成在如玻璃的透明材料制成的第一基板210上。盡管圖3B中未示出，薄膜晶體管209的柵電極201a形成在第一基板210上。柵絕緣層208形成在包括第一公共電極206的整個第一基板210上。像素電極207沿著數(shù)據(jù)線203形成在柵絕緣層208上。此外，雖然圖3B中未示出，半導(dǎo)體層205形成在柵絕緣層208上，并且源電極202a和漏電極202b形成在半導(dǎo)體層205上。鈍化層211形成在包括數(shù)據(jù)線203和像素電極207的整個第一基板210上。第二公共電極224形成在鈍化層211上。重疊的第一和第二公共電極206和224與一個鄰近數(shù)據(jù)線203之間的間隔距離D約3～5μm。用于產(chǎn)生橫向電場以顯示圖像的一個第一公共電極206和一個像素電極207之間的間隙d約16～20μm。D和d的數(shù)值是用于一個具有3塊下部分和上部分的像素區(qū)的示例值。用于5塊和7塊上像素區(qū)和下像素區(qū)的數(shù)值可以不同。
用于防止光泄露的黑底221和用于實現(xiàn)顏色的濾色器223形成在面向第一基板210的第二基板220上。可以在濾色器223上形成第二排列層212b。液晶層213形成在第一基板210和第二基板220之間。
在上述本發(fā)明的第二示例實施例中，除了第一公共電極206，第二公共電極224附加地形成在靠近數(shù)據(jù)線203的像素外圍上。因此，可以完全屏蔽掉數(shù)據(jù)線203對鄰近數(shù)據(jù)線203的像素電極207的影響。也就是，與圖2B中所示的第一示例實施例相比，具有第一公共電極206和第二公共電極224的第二示例實施例更完全地包圍鄰近數(shù)據(jù)線203的像素電極207。因此，在根據(jù)本發(fā)明的第二示例實施例中，可以進(jìn)一步有效地阻斷在一個數(shù)據(jù)線203和鄰近數(shù)據(jù)線203的像素電極207之間產(chǎn)生的電場。
如圖3B所示的本發(fā)明的第二示例實施例比第一示例實施例的存儲電容器具有更多存儲容量，同時維持相同量的透明區(qū)。如圖3B的放大圖中所示，存儲電容器Cst為由形成在像素電極207下部上的柵絕緣層208和第一公共電極206形成的第一存儲電容器Cst1，和由形成在像素電極207的上部的鈍化層211和第二公共電極224形成的第二存儲電容器Cst2的總和。因為第一和第二公共電極206和224通過接觸孔224a連接，總存儲電容器Ctot成為Cst1+Cst2。在圖2B所示的第一示例實施例中形成的存儲電容器僅由與像素電極107重疊的第一公共電極106形成，因此，存儲電容器是Cst1。因此，本發(fā)明的第二示例實施例能夠改善存儲電容器，同時具有與第一示例實施例相同的孔徑比。
通過在施加選通信號期間以選通電壓充電，然后通過在下一個幀中選通電壓被提供到柵極之前保持充電的電壓，存儲電容器防止了像素電極的電壓變化。因此，隨著存儲電容器增加，可以更有效地防止由像素電極中的電壓變化造成的閃爍。此外，由于在現(xiàn)有技術(shù)中僅通過重疊公共線和像素電極線來產(chǎn)生存儲電容器，因此公共線和像素電極線的寬度應(yīng)該高于某個程度以便設(shè)置一個希望的存儲電容器。然而，在本發(fā)明中，因為存儲電容的增加，可以使公共線和像素電極線的寬度更小，使得孔徑比得到改善。例如，當(dāng)公共線的寬度從15μm減小到10μm時，亮度可以提高2％以上。
圖4A到4E是用于描述本發(fā)明的第二示例實施例的面內(nèi)切換模式LCD器件的制造方法的工藝圖。如圖4A所示，提供如玻璃的透明絕緣基板210。用濺射法淀積如Cu、Ti、Cr、Al、Mo、Ta或Al合金等的金屬并構(gòu)圖以形成選通線201、柵電極201a、公共線204以及第一公共電極206。
接下來，如圖4B所示，使用等離子體CVD法在整個基板上淀積SiNx或SiOx以形成柵絕緣層(未示出)，然后，把非晶硅和n+非晶硅淀積其上，并構(gòu)圖以形成半導(dǎo)體層205。半導(dǎo)體205也形成在將形成數(shù)據(jù)線的區(qū)域上，以便如果由于在形成數(shù)據(jù)線時的缺陷造成數(shù)據(jù)線上產(chǎn)生開口，則可以通過半導(dǎo)體層205提供數(shù)據(jù)信號。
之后，如圖4C所示，用濺射法淀積如Cu、Mo、Ta、Al、Cr、Ti或Al合金等的金屬并構(gòu)圖以形成數(shù)據(jù)線203、源電極202a和漏電極202b，連接到漏電極202b的像素電極207和像素電極線214形成在半導(dǎo)體層205上。源電極202a和漏電極202b被形成為，使得在源電極202a和漏電極202b之間露出非晶硅的半導(dǎo)體層。
然后，如圖4D所示，在包括像素電極207的整個上表面上形成鈍化層(未示出)。通過淀積如SiNx或SiOx的無機(jī)材料或如BCB(苯并環(huán)丁烯)或丙烯(acryl)的有機(jī)材料形成鈍化層。柵絕緣層和鈍化層的一部分被刻蝕以形成接觸孔224a，露出與數(shù)據(jù)線203鄰近的第一公共電極206的一部分。
如圖4E所示，用濺射法將如ITO或IZO等的透明材料淀積在鈍化層上，以通過接觸孔224a連接到第一公共電極206。然后，第二公共電極224被構(gòu)圖以形成在數(shù)據(jù)線203附近與第一公共電極206和像素電極207重疊的“H”形狀。雖然在圖4E中未示出，在形成第二公共電極224期間還進(jìn)行與選通/數(shù)據(jù)焊盤單元和選通/數(shù)據(jù)驅(qū)動器集成電路接觸的工藝。如上所述，第二公共電極224有效地屏蔽掉數(shù)據(jù)電壓對像素電極的影響，并改善了存儲電容器的存儲電容以改善圖像質(zhì)量的可靠性。此外，不需要形成第二公共電極的附加工藝，因為這可以在把選通/數(shù)據(jù)焊盤單元與選通/數(shù)據(jù)驅(qū)動器集成電路接觸的工藝中完成。
盡管利用上述附圖所示的實施例對本發(fā)明進(jìn)行了說明，但是本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員應(yīng)該明白，本發(fā)明并不局限于這些實施例，而且在本發(fā)明實質(zhì)范圍內(nèi)，可以對其進(jìn)行各種變更和修改。因此，僅由所附權(quán)利要求及其等同物確定本發(fā)明范圍。
權(quán)利要求
1.一種面內(nèi)切換模式液晶顯示器件，包括第一和第二基板；在第一基板上以矩陣形式布置的多個選通線和數(shù)據(jù)線，用以限定出像素區(qū)；在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部分上的薄膜晶體管；在像素區(qū)中的選通線和像素電極線，用于限定上像素區(qū)部分和下像素區(qū)部分；連接到公共線和像素電極線的多個第一公共電極和像素電極；設(shè)置為與鄰近數(shù)據(jù)線的第一公共電極之一和像素電極之一重疊的第二公共電極，該第二公共電極連接到該第一公共電極；以及第一和第二基板之間的液晶層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中上像素區(qū)部分和下像素區(qū)部分包括奇數(shù)個透光區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中上像素區(qū)部分和下像素區(qū)部分分別包括一個3塊透光區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括在第一公共電極和第二公共電極之間的鈍化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括在第一公共電極和像素電極之間的絕緣層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中公共線和第一公共電極由不透明金屬形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中不透明金屬包括Cu、Ti、Cr、Mo、Ta、Al和Al合金中的一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中像素電極線和像素電極由不透明金屬形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中不透明金屬包括Cu、Mo、Cr、Ti、Al和Al合金中的一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中第二公共電極由透明材料形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其中透明材料包括氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)中的一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中第二公共電極具有“H”形狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中第二公共電極通過像素區(qū)中的接觸孔連接到第一公共電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中第二公共電極通過焊盤區(qū)中的接觸孔連接到第一公共電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中薄膜晶體管包括第一基板上的柵電極；柵電極上的柵絕緣層；柵絕緣層上的半導(dǎo)體層；半導(dǎo)體層上的歐姆接觸層；以及歐姆接觸層上的源電極和漏電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中第二公共電極還與公共線和像素電極線重疊。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中某些像素電極和某些第一公共電極在上像素區(qū)部分和下像素區(qū)部分中相互重疊。
18.一種面內(nèi)切換模式液晶顯示器件，包括第一基板和第二基板；在第一基板上以矩陣形式布置的多個選通線和數(shù)據(jù)線，用于限定像素區(qū)；在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部分上的薄膜晶體管；在像素區(qū)中的公共線和像素電極線，用于限定上像素區(qū)部分和下像素區(qū)部分；連接到公共線和像素電極線的多個第一公共電極和像素電極；在包括第一公共電極和像素電極的第一基板上的鈍化層，具有露出第一公共電極的一部分的接觸孔；在鈍化層上以“H”形狀形成的第二公共電極，該第二公共電極通過接觸孔連接到第一公共電極并與鄰近數(shù)據(jù)線的第一公共電極重疊；以及在第一和第二基板之間的液晶層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的器件，其中第二公共電極通過像素區(qū)中的接觸孔連接到第一公共電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的器件，其中第二公共電極通過焊盤區(qū)中的接觸孔連接到第一公共電極。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的器件，其中某些像素電極和某些第一公共電極在上像素區(qū)部分和下像素區(qū)部分中相互重疊。
22.一種面內(nèi)切換模式液晶顯示器件的制造方法，包括在第一基板上形成第一公共電極、柵電極和選通線；在包括柵電極的第一基板上形成柵絕緣層；在柵電極上形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成源電極、漏電極和像素電極并形成數(shù)據(jù)線；在第一基板上形成鈍化層；在鈍化層和柵絕緣層中形成接觸孔，以露出第一公共電極的一部分；以及在鈍化層上形成第二公共電極以通過接觸孔連接到第一公共電極。
23.一種面內(nèi)切換模式液晶顯示器件，包括第一基板和第二基板；以矩陣形式布置在第一基板上的選通線和數(shù)據(jù)線，用于限定像素區(qū)；在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部分的薄膜晶體管；在像素區(qū)中的公共線和像素電極線，用于限定上像素區(qū)部分和下像素區(qū)部分；連接到公共線和像素電極線的多個公共電極和像素電極，其中某些像素電極和某些第一公共電極在上像素區(qū)部分和下像素區(qū)部分中的與數(shù)據(jù)線鄰近的像素區(qū)對角部分相互重疊。
全文摘要
面內(nèi)切換模式液晶顯示器件，包括第一和第二基板；在第一基板上以矩陣形式布置的多個選通線和數(shù)據(jù)線，用以限定出像素區(qū)；在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部分上的薄膜晶體管；在像素區(qū)中的選通線和像素電極線，用于限定上像素區(qū)部分和下像素區(qū)部分；連接到公共線和像素電極線的多個第一公共電極和像素電極；設(shè)置為與鄰近數(shù)據(jù)線的第一公共電極之一和像素電極之一重疊的第二公共電極，該第二公共電極連接到該第一公共電極；以及第一和第二基板之間的液晶層。
文檔編號G02F1/1362GK1487346SQ0314289
公開日2004年4月7日 申請日期2003年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月4日
發(fā)明者洪泂基, 鄭鎮(zhèn)烈, 洪 基 申請人:Lg.飛利浦Lcd有限公司