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      光干涉式顯示面板以及其制造方法

      文檔序號(hào):2691303閱讀:248來源:國知局

      專利名稱::光干涉式顯示面板以及其制造方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      :本發(fā)明涉及一種平面顯示器及其制造方法,且特別涉及一種光干涉式顯示面板及其制造方法。
      背景技術(shù)
      :平面顯示器由于具有體積小、重量輕的特性,在可攜式顯示設(shè)備以及小空間應(yīng)用的顯示器市場(chǎng)中極具優(yōu)勢(shì)?,F(xiàn)有的平面顯示器除液晶顯示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)、有機(jī)電激發(fā)光二極管顯示器(OrganicElectro-LuminescentDisplay,OLED)和電漿顯示器(PlasmaDisplayPanel,PDP)等等之外,一種利用光干涉式的平面顯示模式已被提出。此種由光干涉式可變色畫素單元數(shù)組所形成的顯示器的特色在本質(zhì)上具有低電力耗能、快速應(yīng)答(ResponseTime)及雙穩(wěn)態(tài)(Bi-Stable)特性,將可應(yīng)用在顯示器的面板,特別是可應(yīng)用在可攜式(Portable)產(chǎn)品,例如行動(dòng)電話(MobilePhone)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、可攜式計(jì)算機(jī)(PortableComputer)等等。請(qǐng)參閱美國專利第5,835,255號(hào),該專利揭露了一種可見光的調(diào)整組件(ArrayofModulation),即為一可變色畫素單元,用來作為平面顯示器之用。請(qǐng)參見圖1A,其為現(xiàn)有可變色畫素單元的剖面示意圖。每一個(gè)可變色畫素單元100形成于一基板110之上,包含兩道墻(Wall)102及104,兩道墻102、104間由支撐物106所支撐而形成一腔室(Cavity)108。兩道墻102、104間的距離,也就是腔室108的長度為D。墻102為一光入射電極,具有光吸收率,可吸收部分可見光。墻104則為一光反射電極,利用電壓驅(qū)動(dòng)可以使其產(chǎn)生形變。通常利用白光作為此可變色畫素單元100的入射光源,白光由可見光頻譜范圍中各種不同波長(WaveLength,以λ表示)的光線所混成。當(dāng)入射光穿過墻102而進(jìn)入腔室108中時(shí),僅有符合公式1.1中波長限制的入射光會(huì)在腔室108中產(chǎn)生建設(shè)性干涉而被反射輸出,其中N為自然數(shù)。換句話說,2D=Nλ1(1.1)當(dāng)腔室108的兩倍長度2D滿足入射光波長λ1的整數(shù)倍時(shí),即可使此入射光波長λ1在此腔室108中產(chǎn)生建設(shè)性干涉,而輸出該波長λ1的反射光。此時(shí),觀察者的眼睛順著入射光入射墻102的方向觀察,可以看到波長為λ1的反射光,因此,對(duì)可變色畫素單元100而言處于”開”的狀態(tài),即為一亮態(tài)狀態(tài)。圖1B繪示圖1A中的可變色畫素單元100在加上電壓后的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1B,在電壓的驅(qū)動(dòng)下,墻104會(huì)因?yàn)殪o電吸引力而產(chǎn)生形變,向墻102的方向塌下。此時(shí),兩道墻102、104間的距離,也就是腔室108的長度并不為零,而是為d,且此d可以等于零。也就是說,公式1.1中的D可用d置換,入射光中所有光線的波長中,僅有符合公式1.1的波長(λ2)可以在腔體108中產(chǎn)生建設(shè)性干涉,經(jīng)由墻104的反射穿透墻102而輸出。在此可變色畫素單元100中,墻102被設(shè)計(jì)成對(duì)波長為λ2的光具有較高的光吸收率,因此入射光中的所有光線均被濾除,對(duì)順著入射光入射墻102的方向觀察的觀察者而言,將不會(huì)看到任何的光線被反射出來。因此,此時(shí)對(duì)可變色畫素單元100而言處于”關(guān)”的狀態(tài),即為一暗態(tài)狀態(tài)。如上所述,在電壓的驅(qū)動(dòng)下,墻104會(huì)因?yàn)殪o電吸引力而產(chǎn)生形變,向墻102的方向塌下,使得此可變色畫素單元100由″開″的狀態(tài)切換為″關(guān)″的狀態(tài)。而當(dāng)可變色畫素單元100要由″關(guān)″的狀態(tài)切換為″開″的狀態(tài)時(shí),則必須先移除用以驅(qū)動(dòng)墻104形變的電壓,接著,依靠自己本身的形變恢復(fù)力,失去靜電吸引力作用的墻104會(huì)恢復(fù)成如第1圖之原始的狀態(tài),使此可變色畫素單元100呈現(xiàn)一″開″的狀態(tài)。然而,上述光反射電極(墻104)為一薄膜層(Membrane),其材料一般為金屬材料,且通常利用微機(jī)電結(jié)構(gòu)系統(tǒng)(MicroElectroMechanicalSystem,MEMS)中的犧牲層技術(shù)來制造。此光反射電極的厚度非常薄,因此非常容易因外力的些許碰觸就造成損傷,而影響其致動(dòng)的能力。再者,腔室108為一空氣間隙(AirGap),用以間隔上述兩電極(墻102與墻104)。然而,實(shí)際上卻經(jīng)常會(huì)因?yàn)橥庠诃h(huán)境的影響而損害此可變色畫素單元100的顯示品質(zhì)。尤其是在其制造過程中,外在環(huán)境對(duì)可變色畫素單元100所造成的破壞特別嚴(yán)重。舉例來說,在制造過程中,例如上述的犧牲層被蝕刻移除之后,空氣中的水分子非常容易就吸附在腔室108之中。腔室108之長度D一般會(huì)小于1μm,此時(shí)吸附的水分子會(huì)在兩電極之間產(chǎn)生不必要的靜電吸引力,當(dāng)此可變色畫素單元100要呈現(xiàn)一″開″的狀態(tài)時(shí),卻會(huì)因?yàn)樗肿拥撵o電吸引力,讓兩電極相互吸附而靠在一起,使得此可變色畫素單元100反而呈現(xiàn)一″關(guān)″的狀態(tài)?;蛘咴谥圃爝^程中,例如上述犧牲層被蝕刻移出除后,或是加工切割基板時(shí),空氣中的灰塵也可能吸附于腔室108之中,妨礙光反射電極之正常開關(guān)操作。此外,空氣中的氧氣接觸到此兩電極后,也會(huì)氧化此兩電極,因而改變此兩電極的光學(xué)或電性特性。
      發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一保護(hù)結(jié)構(gòu)與基板黏合,使得可變色畫素單元被密封包覆于其中,以試圖來解決上述問題。然而,若是在制程中先移除犧牲層,然后再黏合保護(hù)結(jié)構(gòu)與基板,則依照此步驟順序所生產(chǎn)的可變色畫素單元,雖可略為降低上述問題對(duì)可變色畫素單元的影響,仍然無法完全避免上述問題。因?yàn)樵谝瞥隣奚鼘又?,進(jìn)行保護(hù)層的制程之前,可變色畫素單元仍會(huì)暴露于大氣之中,此時(shí)大氣中的水分子與氧氣還是會(huì)影響可變色畫素單元,而造成可變色畫素單元功效的下降。因此本發(fā)明的目的就是提供一種光干涉式顯示面板以及其制造方法,用來防止空氣中的水分子、灰塵或氧氣在制造過程中破壞光干涉式反射結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的另一目的就是提供一種光干涉式顯示面板以及其制造方法,用來保護(hù)其中的光干涉式反射結(jié)構(gòu)。本發(fā)明又一目的就是提供一種光干涉式顯示面板以及其制造方法,用來提高光干涉式顯示面板的顯示品質(zhì),并增加其可靠度以及延長其使用壽命。本發(fā)明再一目的就是提供一種光干涉式顯示面板以及其制造方法,將結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程置于保護(hù)結(jié)構(gòu)與基板黏合步驟之后,以防止現(xiàn)有光干涉式反射結(jié)構(gòu)之犧牲層被蝕刻后,因暴露于大氣中而被水分子與氧氣破壞的問題。本發(fā)明更一目的就是提供一種光干涉式顯示面板以及其制造方法,利用保護(hù)結(jié)構(gòu)、基板以及黏合結(jié)構(gòu)形成一具有開口的腔體,經(jīng)由該開口進(jìn)行一結(jié)構(gòu)釋放制程以移除光干涉式反射結(jié)構(gòu)的犧牲層,以降低水分子與氧氣破壞光干涉式反射結(jié)構(gòu)的機(jī)會(huì)。根據(jù)本發(fā)明的上述目的,提出一種光干涉式顯示面板以及其制造方法。先在一基板上依序形成第一電極及犧牲層,再于第一電極及犧牲層中形成第一開口以適用于在其內(nèi)形成支撐物。在第一開口內(nèi)形成支撐物,然后在犧牲層及支撐物之上形成第二電極,以形成一微機(jī)電結(jié)構(gòu)。接著,利用黏合結(jié)構(gòu)黏合一保護(hù)結(jié)構(gòu)與基板,以形成一腔體將微機(jī)電結(jié)構(gòu)包覆于其中,且此腔體的側(cè)壁上至少預(yù)留一第二開口。進(jìn)行一結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程(ReleaseEtchProcess),經(jīng)由第二開口以一蝕刻劑移除犧牲層而形成腔室。最后將此第二開口封閉,使光干涉式反射結(jié)構(gòu)被密封在基板以及保護(hù)結(jié)構(gòu)之間。依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例,光干涉式反射結(jié)構(gòu)包含若干個(gè)可變色畫素單元。黏合結(jié)構(gòu)將保護(hù)結(jié)構(gòu)與基板的黏合面的四周密封。保護(hù)結(jié)構(gòu)的外型為一平板結(jié)構(gòu),例如一玻璃基板,黏合結(jié)構(gòu)為紫外線膠、熱固膠或其它黏著劑。再者,黏合結(jié)構(gòu)中添加間隙物(spacer)。在另一較佳實(shí)施例中,保護(hù)結(jié)構(gòu)外型也可為一ㄇ字型結(jié)構(gòu)或一側(cè)壁具有上述的第二開口的ㄇ字型結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明中,第二開口在腔體上的位置、形狀以及數(shù)量并不限定,當(dāng)?shù)诙_口越大或數(shù)目越多時(shí),則結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程的蝕刻效率越好。第二開口的位置若能均勻分散于腔體之上,則可提升整體蝕刻制程的均勻性。第二開口的形成方式可先利用黏合結(jié)構(gòu)將基板與保護(hù)結(jié)構(gòu)之間完全封閉,然后再利用切割或其它方法形成此第二開口。或是在一開始利用黏合結(jié)構(gòu)封閉時(shí),即先預(yù)留第二開口亦可。在此實(shí)施例中,結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程為一遠(yuǎn)程蝕刻電漿蝕刻制程。遠(yuǎn)程蝕刻電漿蝕刻制程以含有氟基或是氯基的蝕刻劑,例如二氟化氙、四氟化碳、三氯化硼、三氟化氮或六氟化硫等蝕刻劑等為前驅(qū)物以產(chǎn)生一遠(yuǎn)程電漿蝕刻犧牲層。本發(fā)明在進(jìn)行結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程以移除犧牲層之前,利用一接合結(jié)構(gòu)先黏合保護(hù)結(jié)構(gòu)與基板,以形成一腔體將微機(jī)電結(jié)構(gòu)包覆于其中,且此腔體的側(cè)壁上預(yù)留至少一開口,以供進(jìn)行后續(xù)的結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程。如此可避免在制造過程中,產(chǎn)品為了進(jìn)行不同制程而暴露于大氣之中,使得空氣中的水分子、灰塵或氧氣有機(jī)會(huì)影響光干涉式反射結(jié)構(gòu),并傷害到光干涉式反射結(jié)構(gòu)。再者,保護(hù)結(jié)構(gòu)與基板黏合,將微機(jī)電結(jié)構(gòu)包覆于其中,如此可以避免因外力直接碰觸而破壞光干涉式反射結(jié)構(gòu)。再者,最后并利用黏合結(jié)構(gòu)將光干涉式反射結(jié)構(gòu)密封于基板以及保護(hù)結(jié)構(gòu)之中,可有效地避免外在環(huán)境,例如空氣中的水分子、灰塵或氧氣,接觸到光干涉式反射結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生靜電吸引力或氧化其金屬薄膜,而破壞其光學(xué)或電性特性。因此,本發(fā)明可提升光干涉式顯示面板的顯示品質(zhì),減少缺陷的發(fā)生率,并延長其使用的壽命。圖1A為現(xiàn)有可變色畫素單元的剖面示意圖;圖1B為圖1A中的可變色畫素單元100在加上電壓后的剖面示意圖;圖2A為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的剖面示意圖;圖2B為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的剖面示意圖;圖3A為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例制造方法中可變畫素單元的示意圖;圖3B為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例制造方法中黏合結(jié)構(gòu)至少預(yù)留一開口的示意圖;圖3C本發(fā)明另一較佳實(shí)施例制造方法中黏合結(jié)構(gòu)將開口封閉起來的示意圖;圖4A為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的側(cè)面示意圖;圖4B為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的側(cè)面示意圖;圖4C為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的側(cè)面示意圖;圖5A為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的側(cè)面示意圖;圖5B為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的側(cè)面示意圖;以及圖5C為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的側(cè)面示意圖。具體實(shí)施例方式為了避免空氣中的水分子、灰塵或氧氣在制造過程中破壞光干涉式反射結(jié)構(gòu),本發(fā)明提出一種光干涉式顯示面板以及其制造方法。本發(fā)明的制造方法是先在一基板上依序形成第一電極及犧牲層,再于第一電極及犧牲層中形成第一開口以適用于在其內(nèi)形成支撐物。在第一開口內(nèi)形成支撐物,然后形成第二電極于犧牲層及支撐物之上,以形成一微機(jī)電結(jié)構(gòu)。接著,利用黏合結(jié)構(gòu)黏合一保護(hù)結(jié)構(gòu)與基板,以形成一腔體將微機(jī)電結(jié)構(gòu)包覆于其中,且此腔體之側(cè)壁上至少預(yù)留一第二開口。進(jìn)行一結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程(ReleaseEtchProcess),經(jīng)由第二開口以一蝕刻劑移除犧牲層而形成腔室,最后將此第二開口封閉,使光干涉式反射結(jié)構(gòu)被密封于基板以及保護(hù)結(jié)構(gòu)之間。圖2A為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的剖面示意圖。光干涉式反射結(jié)構(gòu)由若干個(gè)可變色畫素單元組成,為了表示方便,在解說以及圖中僅以一個(gè)可變畫素單元100,來代表本發(fā)明之光干涉式顯示面板中的光干涉式反射結(jié)構(gòu)。如圖2A所示,一平板保護(hù)結(jié)構(gòu)200a利用黏合結(jié)構(gòu)202與基板110黏合,其中此基板110例如為一玻璃基板或一對(duì)可見光透明的基板。如此平板保護(hù)結(jié)構(gòu)200a就可減少外力碰觸到可變色畫素單元100的機(jī)會(huì)。再者,在此實(shí)施例中,黏合結(jié)構(gòu)202將平板保護(hù)結(jié)構(gòu)200a與基板110的黏合面的四周密封,使得可變色畫素單元100與外界環(huán)境隔絕,以避免空氣中的水分子、灰塵或氧氣侵入而損壞可變色畫素單元100。如上所述,空氣中的水分子若進(jìn)入可變色畫素單元100的腔室108,由于腔室108的距離D相當(dāng)小,因此水分子的靜電吸引力會(huì)相對(duì)的變大,造成可變色畫素單元100的開關(guān)無法順利切換的問題。若氧氣接觸到可變色畫素單元中的金屬薄膜,例如光入射電極以及光反射電極,則因?yàn)榻饘俦∧な秩菀籽趸?,因此氧氣?huì)氧化金屬薄膜,而破壞可變色畫素單元100的光學(xué)以及電性特性。本發(fā)明中的黏合結(jié)構(gòu)在黏合保護(hù)結(jié)構(gòu)以及基板時(shí),可一并將可變色畫素單元與外界隔絕,隔絕的程度越高,則防止可變色畫素單元受到外界破壞的效果越好。依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例,當(dāng)黏合結(jié)構(gòu)以密封的方式黏合保護(hù)結(jié)構(gòu)以及基板,將可變色畫素單元完全密封于其中時(shí),此時(shí)可變色畫素單元的可靠度以及使用壽命均可被大幅地提升。在此實(shí)施例中,平板保護(hù)結(jié)構(gòu)200a為一玻璃基板。黏合結(jié)構(gòu)202的材料使用紫外線膠或熱固膠。然而,其它適用于黏合平板保護(hù)結(jié)構(gòu)200a與基板110的黏合結(jié)構(gòu)可運(yùn)用于本發(fā)明之中,并不受本實(shí)施例所限制。此外,值得注意的是,平板保護(hù)結(jié)構(gòu)200a在與基板110黏合時(shí),通常會(huì)經(jīng)過一壓合過程,施以一力壓合使平板保護(hù)結(jié)構(gòu)200a在與基板110更緊密地黏合在一起。為了避免在壓合時(shí),平板保護(hù)結(jié)構(gòu)200a壓壞可變色畫素單元100之墻104,或是避免之后保護(hù)結(jié)構(gòu)時(shí)受到外力產(chǎn)生偏移或往基板處傾斜的情形,本發(fā)明更可在黏合結(jié)構(gòu)202中加入間隙物(spacer)。具有間隙物的黏合結(jié)構(gòu)202除了可以防止平板保護(hù)結(jié)構(gòu)200a在壓合時(shí)壓壞可變色畫素單元100,并且可以使平板保護(hù)結(jié)構(gòu)200a與基板110之間保持固定的距離。以本較佳實(shí)施例來說,間隙物的尺寸約在100μm,而可變色畫素單元100之尺寸則通常小于1μm,因此平板保護(hù)結(jié)構(gòu)200a與墻104相距相當(dāng)大的距離,不會(huì)產(chǎn)生上述壓壞的問題。圖2B為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的示意圖。在此實(shí)施例中,本發(fā)明所提供的保護(hù)結(jié)構(gòu)為一ㄇ字型保護(hù)結(jié)構(gòu)200b,此ㄇ字型保護(hù)結(jié)構(gòu)200b為一具有延伸側(cè)壁的平板結(jié)構(gòu)。同樣地,ㄇ字型保護(hù)結(jié)構(gòu)200b利用黏合結(jié)構(gòu)202與基板110黏合,如此不但可減少外力碰觸到可變色畫素單元100的機(jī)會(huì),而且也可避免空氣中的水分子、灰塵或氧氣侵入而損壞可變色畫素單元100。圖3A至圖3C繪示本發(fā)明的制造方法的示意圖。如前所述,為了表示方便,在解說以及圖中僅以一個(gè)可變畫素單元來代表光干涉式反射結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參照?qǐng)D3A,在一基板309上先依序形成電極310及犧牲層311,此犧牲層的材料為介電材料、金屬材料或硅材料。再于電極310及犧牲層311中形成開口312以適用于在其內(nèi)形成支撐物306。接著,在開口312內(nèi)形成支撐物306,然后形成電極314于犧牲層311及支撐物306之上,以形成一微機(jī)電結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參照?qǐng)D3B,利用黏合結(jié)構(gòu)308將平板保護(hù)結(jié)構(gòu)304與基板309黏合起來,將微機(jī)電結(jié)構(gòu)包覆于其中,且在此黏合結(jié)構(gòu)308中至少預(yù)留一開口320。而且,在黏合時(shí),可施以一壓合過程使平板保護(hù)結(jié)構(gòu)304與基板309黏合更為緊密。此外,若利用熱固膠作為黏合結(jié)構(gòu)308,則可加上一加熱過程,使熱固膠能夠受熱而固定。接著,進(jìn)行一結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程(ReleaseEtchProcess),例如一遠(yuǎn)程電漿蝕刻制程,經(jīng)由開口320以一蝕刻劑移除犧牲層311而形成腔室316(犧牲層311的位置),腔室316的長度D即為犧牲層311的厚度。遠(yuǎn)程蝕刻電漿蝕刻制程以含有氟基或是氯基的蝕刻劑,例如二氟化氙、四氟化碳、三氯化硼、三氟化氮或六氟化硫等蝕刻劑等為前驅(qū)物以產(chǎn)生一遠(yuǎn)程電漿蝕刻犧牲層311。如圖3C所示,當(dāng)上述結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程完成之后,即包含利用抽氣或其它方法將上述蝕刻劑清除干凈之后,利用一黏合結(jié)構(gòu)328將開口320封閉起來,使得微機(jī)電結(jié)構(gòu)被密封于保護(hù)結(jié)構(gòu)304與基板309之間。黏合結(jié)構(gòu)328材料可為紫外線膠或熱固膠。依照本發(fā)明另一實(shí)施例,也可用其它物體來封閉開口320,例如塑料、金屬片或聚合物薄片等,并不限定于本實(shí)施例中黏合結(jié)構(gòu)328所使用的紫外線膠或熱固膠。值得注意的是,此處用來封閉開口320的黏合結(jié)構(gòu)328中并不需要加入間隙物。也就是說,黏合結(jié)構(gòu)308與黏合結(jié)構(gòu)328不一定為相同的材料。黏合結(jié)構(gòu)308有時(shí)為了要使基板309與平板保護(hù)結(jié)構(gòu)304之間保持一固定的距離,因此會(huì)在其中加入間隙物。而另一方面,黏合結(jié)構(gòu)328只是為了封閉開口320之用,因此其中不必加入間隙物。以上的說明為解釋具有平板保護(hù)結(jié)構(gòu)的光干涉式顯示面板之制造方法,而圖2B中具有ㄇ字型保護(hù)結(jié)構(gòu)的光干涉式顯示面板,其制造方法也與圖3A與圖3B中所示的制造方法相當(dāng)類似,因此以下僅對(duì)其做簡單地說明。首先,在一基板上形成一微機(jī)電結(jié)構(gòu),包含第一電極、第二電極以及位于兩電極之間的犧牲層。接著,利用黏著材料黏合ㄇ字型保護(hù)結(jié)構(gòu)與基板以形成一腔體,將微機(jī)電結(jié)構(gòu)包覆于其中。最后,經(jīng)由腔體的側(cè)壁上的開口,利用結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程蝕刻微機(jī)電結(jié)構(gòu)中的犧牲層,再將此開口封閉起來。同樣地,當(dāng)黏合時(shí),可施以壓合過程使ㄇ字型保護(hù)結(jié)構(gòu)與基板的黏合更為緊密。如此,即可制造完成圖2B中具有ㄇ字型保護(hù)結(jié)構(gòu)的光干涉式顯示面板。圖4A至圖4C為本發(fā)明若干個(gè)實(shí)施例的側(cè)面示意圖,用來說明圖3B中的開口320的配置與形狀。如圖4A所示,本發(fā)明中的開口412位于黏合結(jié)構(gòu)406之上,其位置并不限定,且可為任何形狀,當(dāng)開口412越大時(shí),則結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程的蝕刻效率越好。再者,本發(fā)明中開口的數(shù)目可不止為一個(gè),如圖4B的實(shí)施例所示,黏合結(jié)構(gòu)406具有兩個(gè)開口414,開口數(shù)越多,則結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程之蝕刻效率也越好。而且,開口的位置若能均勻分散于黏合結(jié)構(gòu)406之上,則可提升整體蝕刻制程的均勻性。此外,依照本發(fā)明的另一實(shí)施例,此開口甚至可為基板402與平板保護(hù)結(jié)構(gòu)404的一邊,如圖4C中所示的開口416。在利用黏合結(jié)構(gòu)406黏合基板402與平板保護(hù)結(jié)構(gòu)404時(shí),預(yù)留其中一邊作為開口416,以供后來的結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程通入蝕刻劑之用。此開口的形成方式可先利用黏合結(jié)構(gòu)將基板與保護(hù)結(jié)構(gòu)之間完全封閉,然后再利用切割或其它方法形成此開口。或是在一開始利用黏合結(jié)構(gòu)封閉時(shí),即先預(yù)留開口也可。本發(fā)明中用于進(jìn)行結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程的開口,除了如上述實(shí)施例中所示位于接合結(jié)構(gòu)之外,依照本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例,當(dāng)保護(hù)結(jié)構(gòu)為ㄇ字型保護(hù)結(jié)構(gòu)時(shí),此開口也可位于此ㄇ字型保護(hù)結(jié)構(gòu)的側(cè)壁之上。圖5A至圖5C為本發(fā)明若干個(gè)實(shí)施例的側(cè)面示意圖,用來說明當(dāng)開口位于ㄇ字型保護(hù)結(jié)構(gòu)時(shí)的情形。如圖5A所示,本發(fā)明中的開口512位于ㄇ字型保護(hù)結(jié)構(gòu)504a的側(cè)壁之上,ㄇ字型保護(hù)結(jié)構(gòu)504a利用黏合結(jié)構(gòu)506與基板502黏合,并形成一腔體以容納光干涉式反射結(jié)構(gòu)(圖中未表示)于其中。本發(fā)明的開口的位置并不限定,而且,當(dāng)開口越大時(shí),則結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程的蝕刻效率越好。此開口512可為任何形狀,例如在圖5A中,開口512的側(cè)邊未封閉,會(huì)與黏合結(jié)構(gòu)502接觸。而在圖5B中,開口514位于ㄇ字型保護(hù)結(jié)構(gòu)504b的側(cè)壁,且其側(cè)邊封閉,因此并不與黏合結(jié)構(gòu)502接觸。再者,本發(fā)明的開口的數(shù)目可不止為一個(gè)。如圖5C所示,ㄇ字型保護(hù)結(jié)構(gòu)504c的側(cè)邊具有兩個(gè)開口514。開口的數(shù)目越多,則結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程的蝕刻效率也越好。而且,開口的位置若能均勻分散于ㄇ字型保護(hù)結(jié)構(gòu)之上,則可提升整體蝕刻制程的均勻性。本發(fā)明在進(jìn)行結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程以移除犧牲層之前,利用一接合結(jié)構(gòu)先黏合保護(hù)結(jié)構(gòu)與基板,以形成一腔體將微機(jī)電結(jié)構(gòu)包覆于其中,且此腔體的側(cè)壁上預(yù)留至少一開口,以供進(jìn)行后續(xù)的結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程。如此可避免在制造過程中,產(chǎn)品為了進(jìn)行不同制程而暴露于大氣之中,使得空氣中的水分子、灰塵或氧氣有機(jī)會(huì)影響光干涉式反射結(jié)構(gòu),并傷害到光干涉式反射結(jié)構(gòu)。再者,保護(hù)結(jié)構(gòu)與基板黏合,將微機(jī)電結(jié)構(gòu)包覆于其中,如此可以避免因外力直接碰觸而破壞光干涉式反射結(jié)構(gòu)。再者,最后并利用黏合結(jié)構(gòu)將光干涉式反射結(jié)構(gòu)密封于基板以及保護(hù)結(jié)構(gòu)之中,可有效地避免外在環(huán)境,例如空氣中的水分子、灰塵或氧氣,接觸到光干涉式反射結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生靜電吸引力或氧化其金屬薄膜,而破壞其光學(xué)或電性特性。因此,本發(fā)明可提升光干涉式顯示面板的顯示品質(zhì),減少缺陷的發(fā)生率,并延長其使用的壽命。雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)施例揭露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何熟習(xí)此技藝者,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種光干涉式顯示面板的制造方法,其特征在于該制造方法至少包含以下步驟提供一基板,該基板上具有一微機(jī)電結(jié)構(gòu),該微機(jī)電結(jié)構(gòu)至少包含一位于該基板之上的第一電極;一位于該第一電極之上的犧牲層;一位于該犧牲層之上的第二電極;以及若干個(gè)支撐于該第一電極及該第二電極之間的支撐物;利用一第一黏合結(jié)構(gòu)黏合一保護(hù)結(jié)構(gòu)與該基板,以形成一腔體供容納該微機(jī)電結(jié)構(gòu),其中該腔體的側(cè)壁具有至少一開口;以及進(jìn)行一結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程,利用一蝕刻劑經(jīng)由該第二開口蝕刻移除該微機(jī)電結(jié)構(gòu)的該犧牲層,以形成一光干涉式反射結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于該第一黏合結(jié)構(gòu)的材料包含一間隙物,利用該間隙物使該保護(hù)結(jié)構(gòu)與該基板之間保持一預(yù)定距離,以避免該保護(hù)結(jié)構(gòu)接觸傷害到該光干涉反射結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于該第一黏合結(jié)構(gòu)的材料包含一紫外線膠或一熱固膠。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于該制造方法更包含在完成該結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程之后,封閉該開口。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法,其特征在于該封閉開口的步驟利用一第二黏合結(jié)構(gòu)填充封閉該開口。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法,其特征在于該第二黏合結(jié)構(gòu)的材料包含一紫外線膠或一熱固膠。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于該保護(hù)結(jié)構(gòu)為一平板結(jié)構(gòu)或一ㄇ字型結(jié)構(gòu)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于該保護(hù)結(jié)構(gòu)為一ㄇ字型結(jié)構(gòu),且該開口位于該ㄇ字型結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。9.一種光干涉式顯示面板,至少包含一基板;一保護(hù)結(jié)構(gòu),與該基板成平行排列;一微機(jī)電結(jié)構(gòu),包括一位于該微機(jī)電結(jié)構(gòu)的第一電極及第二電極之間的犧牲層;以及一用于黏合該保護(hù)結(jié)構(gòu)與該基板的黏合結(jié)構(gòu),以形成一腔體供容納該微機(jī)電結(jié)構(gòu),其中該腔體的側(cè)壁具有至少一開口,通過該開口流通一蝕刻劑以蝕刻移除該犧牲層,以形成一光干涉式反射結(jié)構(gòu)。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光干涉式顯示面板,其特征在于該微機(jī)電結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包含若干個(gè)位于該犧牲層中用來支撐該第一電極與該第二電極的支撐物。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光干涉式顯示面板,其特征在于該保護(hù)結(jié)構(gòu)為一平板結(jié)構(gòu)或一ㄇ字型結(jié)構(gòu)。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光干涉式顯示面板,其特征在于該保護(hù)結(jié)構(gòu)為一ㄇ字型結(jié)構(gòu),且該第二開口位于該ㄇ字型結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光干涉式顯示面板,其特征在于該黏合結(jié)構(gòu)的材料包含一間隙物,利用該間隙物使該保護(hù)結(jié)構(gòu)與該基板之間保持一預(yù)定距離,以避免該保護(hù)結(jié)構(gòu)接觸傷害到該光干涉反射結(jié)構(gòu)。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光干涉式顯示面板,其特征在于該黏合結(jié)構(gòu)的材料包含一紫外線膠或一熱固膠。全文摘要一種光干涉式顯示面板以及其制造方法,該方法包括先在一基板上依序形成第一電極及犧牲層,再于第一電極及犧牲層中形成第一開口以適用于在其內(nèi)形成支撐物。在第一開口內(nèi)形成支撐物,然后于犧牲層及支撐物之上形成第二電極,以形成一微機(jī)電結(jié)構(gòu)。接著,利用黏合結(jié)構(gòu)黏合一保護(hù)結(jié)構(gòu)與基板形成一腔體,將微機(jī)電結(jié)構(gòu)包覆于其中,且在此腔體的側(cè)壁至少預(yù)留一第二開口。再進(jìn)行一結(jié)構(gòu)釋放蝕刻制程,經(jīng)由第二開口以一蝕刻劑移除犧牲層而形成一腔室。最后將此第二開口封閉,使光干涉式反射結(jié)構(gòu)被密封于基板以及保護(hù)結(jié)構(gòu)之間。文檔編號(hào)G02F1/31GK1591095SQ03157908公開日2005年3月9日申請(qǐng)日期2003年8月27日優(yōu)先權(quán)日2003年8月27日發(fā)明者林文堅(jiān)申請(qǐng)人:元太科技工業(yè)股份有限公司
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