專利名稱：從表面上去除微粒的清洗方法、清洗裝置和光刻投影裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過從敏感表面上去除微粒來進(jìn)行清洗的方法。這種方法尤其可與光刻投影裝置結(jié)合使用，此光刻投影裝置包括-用于提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；-用于支撐圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)，圖案形成裝置用于按照所需圖案來使投影光束形成圖案；-用于固定襯底的襯底臺；和-用于將形成圖案的光束投影到襯底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
這里所用的用語“圖案形成裝置”應(yīng)被廣義地解釋為可用于使入射輻射光束的橫截面具有一定圖案的裝置，此圖案與將在襯底的目標(biāo)部分中產(chǎn)生的圖案相對應(yīng)；用語“光閥”也可用于此上下文中。一般來說，所述圖案對應(yīng)于將在目標(biāo)部分中形成的器件如集成電路或其它器件(見下文)中的某一特定功能層。這種圖案形成裝置的例子包括-掩模。掩模的概念在光刻技術(shù)中是眾所周知的，其包括多種掩模類型，例如二元型、交變相移型、衰減相移型，以及各種混合掩模類型。將這種掩模放入輻射光束中會導(dǎo)致根據(jù)掩模上的圖案而照射在掩模上的輻射產(chǎn)生選擇性的透射(在透射掩模的情況下)或反射(在反射掩模的情況下)。在采用掩模的情況下，支撐結(jié)構(gòu)通常為掩模臺，其保證可將掩模固定在入射輻射光束內(nèi)的所需位置上，并且如有需要可使掩模相對于光束運動。
-可編程的鏡陣列。這種裝置的一個示例是具有粘彈性控制層和反射面的矩陣尋址的表面。此裝置的基本原理是(例如)反射面的可尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇檠苌涔?，而非尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇榉茄苌涔?。采用合適的濾光器可從反射光束中濾掉所述非衍射光，只留下衍射光；這樣，光束根據(jù)矩陣尋址的表面的尋址圖案而形成圖案?？删幊痰溺R陣列的另一實施例采用微型鏡的矩陣設(shè)置，通過施加合適的局部電場或通過采用壓電致動裝置可使各微型鏡圍繞某一軸線各自傾斜。同樣，這些鏡子是矩陣尋址的，使得尋址鏡將以不同于非尋址鏡的方向反射所入射的輻射光束；這樣，反射光束根據(jù)矩陣尋址鏡的尋址圖案而形成圖案?？衫煤线m的電子裝置進(jìn)行所需的矩陣尋址。在上述兩種情況中，圖案形成裝置可包括一個或多個可編程的鏡陣列。關(guān)于這里所提到的鏡陣列的更多信息例如可從美國專利US5296891、US5523193和PCT專利申請WO98/38597和WO98/33096中收集到，這些專利通過引用結(jié)合于本文中。在采用可編程的鏡陣列的情況下，所述支撐結(jié)構(gòu)例如可為框架或臺，其可根據(jù)要求為固定的或可動的。
-可編程的LCD陣列。在美國專利US5229872中給出了這種結(jié)構(gòu)的一個示例，此專利通過引用結(jié)合于本文中。如上所述，在這種情況下支撐結(jié)構(gòu)例如可為框架或臺，其可根據(jù)要求為固定的或可動的。
為簡便起見，本文的余下部分在某些位置具體地集中到包括掩模和掩模臺的示例上；然而，在這些示例中討論的基本原理應(yīng)在上述圖案形成裝置的更廣泛的上下文中進(jìn)行理解。
光刻投影裝置例如可用于集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，圖案形成裝置可產(chǎn)生與IC的單個層相對應(yīng)的電路圖案，而且此圖案可成像于已涂覆有一層輻射敏感材料(抗蝕劑)的襯底(硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如包括一個或多個管心)上。通常來說，單個晶片包含相鄰目標(biāo)部分的整個網(wǎng)格，所述相鄰目標(biāo)部分通過投影系統(tǒng)一次一個地連續(xù)地被照射。在現(xiàn)有裝置中，在采用掩模臺上的掩模來形成圖案時，在兩種不同類型的機器之間存在著差異。在一種光刻投影裝置中，通過將整個掩模圖案一次性地曝光在目標(biāo)部分上來照射各目標(biāo)部分；這種裝置通常稱為晶片分檔器。在通常稱為步進(jìn)-掃描裝置的另一種裝置中，通過沿給定的基準(zhǔn)方向(“掃描”方向)在投影光束下漸進(jìn)地掃描掩模圖案并以平行于或反向平行于此方向的方向同步地掃描襯底臺來照射各目標(biāo)部分；通常來說，由于投影系統(tǒng)具有一個放大系數(shù)M(通常小于1)，因此襯底臺被掃描的速率V為掩模臺被掃描的速率的M倍。關(guān)于這里所述的光刻裝置的更多信息例如可從專利US6046792中收集到，此專利通過引用結(jié)合于本文中。
在采用光刻投影裝置的制造工藝中，圖案(例如掩模中的圖案)被成像在至少部分地覆蓋有一層輻射敏感材料(抗蝕劑)的襯底上。在此成像步驟之前，可對襯底進(jìn)行各種工序，例如涂底層、抗蝕劑涂覆和軟焙烘。在曝光后可對襯底進(jìn)行其它工序，例如曝光后焙烘(PEB)、顯影、硬焙烘和對所成像的特征進(jìn)行測量/檢查。此工序排列用作使器件例如IC的單個層形成圖案的基礎(chǔ)。隨后可對這種形成了圖案的層進(jìn)行各種工序，例如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學(xué)機械拋光等，所有這些工序均用于完成單個層的加工。如果需要多個層，那么必須對各個新層重復(fù)進(jìn)行整個工序或其變型。最后，在襯底(晶片)上設(shè)置器件陣列。隨后這些器件通過例如切片或切割技術(shù)而相互分開，從而將這些單個的器件安裝在與引腳相連的載體等上。關(guān)于此工藝的更多信息例如可從下述書籍中得到“微芯片的制造半導(dǎo)體加工實用指南”，第三版，Peter van Zant著，McGraw Hill出版公司，1997年，ISBN 0-07-067250-4，其通過引用結(jié)合于本文中。
為簡便起見，在下文中將投影系統(tǒng)稱為“透鏡”；然而，此用語應(yīng)被廣義地理解為包括各種類型的投影系統(tǒng)，例如包括折射光學(xué)系統(tǒng)、反射光學(xué)系統(tǒng)和反射折射光學(xué)系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)也可包括根據(jù)任一種這些設(shè)計類型來進(jìn)行操作以對輻射投影光束進(jìn)行引導(dǎo)、成形和控制的元件，這些元件在下文中統(tǒng)稱或單獨地稱為“透鏡”。另外，光刻裝置可以是具有兩個或多個襯底臺(和/或兩個或多個掩模臺)的那種類型。在這種“多級”裝置中，可使用并聯(lián)的附加臺，或者可在一個或多個臺上進(jìn)行預(yù)備工序而將一個或多個其它的臺用于曝光。例如在專利US5969441和WO98/40791中介紹了雙級光刻裝置，這些專利通過引用結(jié)合于本文中。
為了保證在襯底上投影清晰且干凈的圖像，在使用前應(yīng)徹底地清潔掩模。殘留在掩模表面上的任何微粒都會毀壞圖像并刮傷掩模。當(dāng)集成電路的關(guān)鍵尺寸減小時，成像誤差的范圍增大，因此消除雜散微粒的重要性日益增加。為了避免刮傷非常精密的掩模，希望使用非接觸式的清洗方法。目前的非接觸式清洗的方法包括激光清洗、猝發(fā)清洗或濕超聲清洗。然而，使用這些方法均存在著因發(fā)生于微粒內(nèi)的振動特性而損壞掩模的危險。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種通過從掩模或其它物體的表面上去除微粒來清洗掩?；蚱渌矬w的新型的改進(jìn)方法。
根據(jù)本發(fā)明，這一目的及其它目的可由一種通過從物體表面上去除微粒來清洗物體表面的方法而得以實現(xiàn)，所述方法包括步驟-提供以氣密方式密封的腔；-將物體放到所述腔中并使待清洗的表面暴露出來；-密封所述腔；和-將所述腔內(nèi)的氣壓降低到較低的壓力，其特征在于，所述氣壓快速地降低。
發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，將氣壓從大氣壓降低到10-2毫巴(mbar)可實現(xiàn)有利的結(jié)果。另外，氣壓降最好應(yīng)在5秒內(nèi)進(jìn)行。為了產(chǎn)生更大的氣壓差，可在快速降低壓力之前增大氣壓。
在氣壓快速降低之后，可將其快速地(即壓力變化發(fā)生于5秒內(nèi))增加，最好是回到氣壓降低之前的原始?xì)鈮骸榱藦氐椎剡M(jìn)行清洗，氣壓在低壓和高壓之間重復(fù)地循環(huán)。
這種清洗方法可與其它去除微粒的方法結(jié)合使用。例如，可采用電場來吸引微粒并將其從表面上去除。這可提供額外的去除微粒的力。為了進(jìn)一步增大這種力，可以對待清洗的物體表面充電。作為另選或附加，可以使物體振動，這有助于使因靜摩擦而吸附在物體表面上的任何微粒產(chǎn)生松動。類似地，用粒子轟擊待清洗的物體表面有助于去除因靜摩擦而吸附的固定污染微粒。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，由于具有惰性且價格較低，壓縮二氧化碳對于此目的來說是很理想的選擇。改變物體的溫度也有助于除去微粒，這是因為材料會相應(yīng)地膨脹或收縮。這些去除微粒的其它方法可在腔減壓期間或之前進(jìn)行。
為了降低微粒和待清洗的物體表面之間的粘附力，可以在待清洗的物體表面上涂覆液體層，最好是溶劑。
雖然可用于所有其它的敏感表面，然而本發(fā)明特別為清洗光刻掩模而開發(fā)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于從物體表面上去除微粒的裝置，包括帶有能夠以氣密方式進(jìn)行密封的門的腔；用于降低密封腔內(nèi)的氣壓的裝置；以及下述中的至少其中之一，包括用于提供電場以吸引微粒并將其從表面上去除的裝置；用于使待清洗物體振動的裝置；用于采用粒子來轟擊待清洗的物體表面的裝置；和用于在待清洗的物體表面上涂覆液體層的裝置。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種如開篇段落中所介紹的光刻裝置，其特征在于，所述裝置還包括用于從物體表面上去除微粒的裝置，其包括帶有能夠以氣密方式進(jìn)行密封的門的腔；用于在5秒內(nèi)將密封腔內(nèi)的氣壓從大氣壓降低到10-2毫巴的裝置。
因此，本發(fā)明尤其可用于涉及EUV輻射的光刻技術(shù)，這是因為它屬于對誤差特別敏感的光刻區(qū)域。
雖然在本文中將通過具體地參考IC制造來說明根據(jù)本發(fā)明的裝置的使用，然而應(yīng)當(dāng)清楚地理解，這種裝置還具有許多其它的可能應(yīng)用。例如，它可用于集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等的制造中。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，在這種替代性應(yīng)用的上下文中，在這里使用的任何用語“分劃線”、“晶片”或“管心”可分別由更通用的用語“掩?！?、“襯底”和“目標(biāo)區(qū)域”來代替。
在現(xiàn)有文獻(xiàn)中，用語“輻射”和“光束”用于包括任何類型的電磁輻射，包括紫外線輻射(例如波長為365，248，193，157或126毫微米)和EUV輻射(遠(yuǎn)紫外線輻射，其例如具有5-20毫微米范圍內(nèi)的波長)，以及粒子束輻射，例如離子束或電子束輻射。


下面將通過示例的方式并參考示意性附圖來介紹本發(fā)明的實施例，在附圖中圖1描述了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的清洗裝置；圖2顯示了使微粒移動的方法；圖3描述了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的具有靜電吸引裝置的清洗裝置；圖4描述了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的具有振動載物臺的清洗裝置；
圖5描述了根據(jù)本發(fā)明第四實施例的采用壓縮二氧化碳來轟擊掩模的清洗裝置；圖6顯示了具有溶劑層的掩模的截面圖；和圖7描述了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻投影裝置。
在附圖中相應(yīng)的標(biāo)號表示相應(yīng)的元件。
具體實施例方式
實施例1圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明的裝置，其具有能夠以氣密方式密封的門11的腔10，使得在腔10的內(nèi)部和外部之間存在較大的壓力差。管13從腔10的內(nèi)部通向泵裝置15，在腔內(nèi)設(shè)有載物臺14。待清洗的掩模MA固定在載物臺14上，其待清洗表面25暴露出來。掩模MA應(yīng)當(dāng)通過例如真空吸力裝置牢固地固定在載物臺14上。一旦門11被密封，泵裝置就在約1秒內(nèi)將腔10內(nèi)的氣壓從大氣壓降低到10-2毫巴。降低氣壓的時間可以變化，但不應(yīng)超過5秒。發(fā)明人所進(jìn)行的實驗表明，這一快速的減壓能夠成功地使微粒移動?，F(xiàn)在還無法準(zhǔn)確地知道這種減壓是如何使微粒移動的，然而一種可能的方法是，當(dāng)從腔10中快速地抽取氣體時，吸附在微粒26后面的氣泡27使微粒移動，如圖2所示。使微粒26移動的另一可能的力是氣體的湍流，它會撞擊微粒26，從而使它們移動。一旦微粒26移動，它們就會隨空氣一起被抽出腔10，然后從氣流中去除。在降低了氣壓之后，在1秒內(nèi)使氣壓增大到大氣壓?？焖僭龃笄粌?nèi)的氣壓也產(chǎn)生了湍流，并且氣泡可類似地使微粒移動。將壓力從大氣壓降低到較低壓力并回到大氣壓的循環(huán)可根據(jù)需要而重復(fù)多次。
壓力不一定必須降低到10-2毫巴，然而壓力降越大和越快，清洗方法就越有效。因此，將壓力降低到10-7毫巴將更有利。類似地，氣壓不必從1個大氣壓開始快速地下降。例如，腔內(nèi)的氣壓可增大到10個、甚至是100個大氣壓(或者是它們之間的任何壓力)，以產(chǎn)生到10-2或10-7毫巴(或者是它們之間的任何壓力)的更大的快速壓力降。
為了降低微粒26和待清洗的掩模25的表面之間的粘附力，可以改變腔10內(nèi)的氣體成分?？赏ㄟ^優(yōu)化氣體混合物來提高和增大微粒去除的機會，例如由于不同的粘性。
實施例2第二實施例與第一實施例大致相同，不同之處在于下述特征。
如圖3所示，在腔內(nèi)設(shè)置了充電板32，其與待清洗的掩模表面25相對。在此實施例中，載物臺14由金屬制成并且也可充電。在快速降低腔10內(nèi)的壓力的同時，電壓源V將充電板32和載物臺14充電到10到2000V之間。因此，載物臺14上的掩模MA也被充電。由于掩模MA被充電，其上的微粒被朝向充電板32吸引。因此就存在用于使微粒26移動的另一種力。
實施例3第三實施例與第一實施例大致相同，不同之處在于下述特征。在此實施例中，載物臺14在腔10內(nèi)減壓的過程中振動，如圖4所示。圖4所示的振動(由雙向箭頭所示)與掩模MA的平面線性地平行，并處于1毫米左右的振幅。振動的頻率可在50到500赫茲之間。使微粒26粘附在掩模MA上的一種力是靜摩擦力。當(dāng)載物臺14(以及掩模MA，這是因為它牢固地固定在載物臺14上)在振動期間改變方向時，微粒的惰性使得它們繼續(xù)地原始方向上運動，同時掩模MA在其下方改變方向。這就克服了靜摩擦，因而使微粒26移動。
可以不采用線性振動，而是采用平行于掩模MA平面的旋轉(zhuǎn)振動。這些振動應(yīng)當(dāng)在大致5°，頻率在1到5000赫茲之間。作為另選，也可以采用垂直于掩模MA平面的線性振動。
實施例4第四實施例與第一實施例大致相同，不同之處在于下述特征。在此實施例中，如圖5所示，在腔10之外的容器43中含有壓縮二氧化碳。在腔10進(jìn)行減壓時，壓縮二氧化碳通過單向閥45朝向掩模MA噴射。當(dāng)壓縮二氧化碳微粒轟擊掩模MA時，作用力就使微粒26從待清洗的掩模表面25上脫落下來。壓縮二氧化碳蒸發(fā)并在減壓期間從腔10中排出。這一方法并不限于使用壓縮二氧化碳，可以使用任何惰性液體或微粒形式的固體。
實施例5第五實施例與第一實施例相同，不同之處在于下述特征。如圖6所示，在腔10進(jìn)行減壓之前，在待清洗的掩模表面25上涂覆溶劑52的薄層。溶劑降低了微粒26和掩模MA之間的粘附力，并使微粒26溶解。因此，溶劑52的層應(yīng)當(dāng)在待清洗基底的整個表面上是均勻的，以保證溶劑與所有微粒26相鄰，并最好足夠厚，以完全地覆蓋微粒26，以便溶解微粒26或使其懸浮。當(dāng)腔內(nèi)氣壓降低且氣體被抽出時，溶劑將與溶解微?；驊腋∥⒘Ｒ黄鹋懦銮?0。然后可從氣體中除去微粒?？梢愿淖?nèi)軇┮允刮⒘?6能最佳地溶解于其中。
實施例6上述裝置作為單獨的清洗裝置來使用，然而它可以是較大的光刻裝置的一部分。圖7示意性地顯示了一種結(jié)合有如上述任一實施例所述的清洗裝置的光刻投影裝置。所述裝置包括·用于提供輻射(例如EUV輻射)的投影光束PB的輻射系統(tǒng)Ex，IL，在此特定情況下其還包括輻射源LA；·設(shè)有用于固定掩模MA(如分劃板)的掩模固定器的第一載物臺(掩模臺)MT，其與用于將掩模相對于物體PL精確定位的第一定位裝置相連；·設(shè)有用于固定襯底W(如涂覆有抗蝕劑的硅晶片)的襯底固定器的第二載物臺(襯底臺)WT，其與用于將襯底相對于物體PL精確定位的第二定位裝置相連；·用于在襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一個或多個管心)上對掩模MA的被照亮部分進(jìn)行成像的投影系統(tǒng)(“透鏡”)PL(例如折射型系統(tǒng))。
如這里所述，此裝置為反射型(例如具有反射掩模)。然而通常來說，它也可以是透射型(例如帶有透射掩模)?；蛘?，此裝置可以采用另一種圖案形成裝置，例如上述類型的可編程的鏡陣列。
源LA(例如激光致等離子源或放電等離子源)產(chǎn)生輻射光束。此光束直接地或在穿過調(diào)節(jié)裝置如光束擴(kuò)展器Ex后被饋送給照明系統(tǒng)(照明器)IL。照明器IL可包括用于設(shè)定光束強度分布的外部和/或內(nèi)部徑向范圍(通常分別稱為σ-外部和σ-內(nèi)部)的調(diào)節(jié)裝置AM。此外，它通常還包括各種其它的元件，例如積分器IN和聚光器CO。這樣，照射在掩模MA上的光束PB在其橫截面上具有所需的均勻性和強度分布。
在圖1中應(yīng)注意到，源LA可位于光刻投影裝置的外殼內(nèi)(例如當(dāng)源LA為水銀燈時通常是這樣)，但也可遠(yuǎn)離光刻投影裝置，源LA所產(chǎn)生的輻射光束被引入該裝置中(例如借助于合適的導(dǎo)向鏡)；當(dāng)源LA為準(zhǔn)分子激光器時通常為后一種情形。本發(fā)明和權(quán)利要求包括所有這些情形。
光束PB隨后與固定在掩模臺MT上的掩模MA相交。在被掩模MA選擇性地反射后，光束PB通過透鏡PL，透鏡PL將光束PB聚焦在襯底W的目標(biāo)部分C上。借助于第二定位裝置(以及干涉測量儀IF)，襯底臺WT可精確地移動，例如將不同的目標(biāo)部分C定位在光束PB的路徑中。類似地，可用第一定位裝置相對于光束PB的路徑對掩模MA進(jìn)行精確的定位，例如在將掩模MA從掩模庫中機械式地重新取出之后或者在掃描過程中。通常來說，借助于圖1中未明確描述的長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)，可實現(xiàn)載物臺MT，WT的移動。然而，在采用晶片分檔器的情況下(與步進(jìn)-掃描裝置相反)，掩模臺MT可只與短行程致動器相連，或被固定住。
所述裝置可用于兩種不同的模式中1.在步進(jìn)模式中，掩模臺MT基本上保持靜止，整個掩模圖案被一次性投影(即單次“閃光”)到目標(biāo)部分C上。然后沿x和/或y方向移動襯底臺WT，使得光束PB可照射不同的目標(biāo)部分C。
2.在掃描模式中，除了給定的目標(biāo)部分C沒有在單次“閃光”中曝光之外，基本上采用相同的方案。作為替代，掩模臺MT以速度v沿給定方向(所謂的“掃描方向”，例如y方向)移動，從而使投影光束PB可在掩模圖像上掃描；同時，襯底臺WT以速度V＝Mv沿相同或相反的方向同時移動，其中M為透鏡PL的放大系數(shù)(通常來說M＝1/4或1/5)。這樣，可以對較大的目標(biāo)部分C進(jìn)行曝光而不會降低分辨率。
雖然在上文中介紹了本發(fā)明的特定實施例，然而應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明可以不同于上述的方式來實施。此說明書并不意味限制了本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種通過從物體表面上去除微粒來清洗物體表面的方法，包括步驟-提供以氣密方式密封的腔；-將物體放到所述腔中并使待清洗的表面暴露出來；-密封所述腔；和-將所述腔內(nèi)的氣壓降低到較低的壓力，其特征在于，所述氣壓在5秒內(nèi)快速地降低到10-2毫巴。
2.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述物體為光刻掩模。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括快速地增大所述氣壓的后續(xù)步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述氣壓快速地增大到其降低之前的原始?xì)鈮骸?br> 5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述氣壓在低壓和高壓之間重復(fù)地循環(huán)。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在快速地降低所述氣壓之前將所述氣壓增大。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括提供電場來吸引微粒并將其從所述待清洗表面上去除的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，對所述待清洗的物體表面充電以幫助去除微粒。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，使所述物體振動。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，使所述物體的溫度發(fā)生變化。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，采用粒子來轟擊所述待清洗的物體表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述轟擊粒子為壓縮二氧化碳。
13.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述待清洗的物體表面上涂覆液體層的步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述層在所述待清洗物體的整個表面上是均勻的。
15.一種用于從物體表面上去除微粒的裝置，包括帶有能夠以氣密方式進(jìn)行密封的門的腔；用于降低所述密封腔內(nèi)的氣壓的裝置；以及下述中的至少其中之一，包括用于提供電場以吸引微粒并將其從所述表面上去除的裝置；用于使所述待清洗物體振動的裝置；用于采用粒子來轟擊所述待清洗的物體表面的裝置；和用于在所述待清洗的物體表面上涂覆液體層的裝置。
16.一種光刻投影裝置，包括-用于提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；-用于支撐圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)，所述圖案形成裝置用于按照所需圖案來使所述投影光束形成圖案；-用于固定襯底的襯底臺；和-用于將形成圖案的光束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)，其特征在于，所述裝置還包括用于從物體表面上去除微粒的裝置，其包括帶有能夠以氣密方式進(jìn)行密封的門的腔；用于在5秒內(nèi)將所述密封腔內(nèi)的氣壓從大氣壓降低到10-2毫巴的裝置。
全文摘要
將光刻掩模放入到以氣密方式密封的腔內(nèi)。腔內(nèi)氣壓從大氣壓快速地降低到10
文檔編號G03F1/00GK1494956SQ0315890
公開日2004年5月12日 申請日期2003年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月12日
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