專利名稱：光掩模、電子器件的制造方法及光掩模的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光掩模、電子器件的制造方法及光掩模的制造方法，具體涉及在電子器件的制造工藝中用以形成精細(xì)圖案的光掩模、電子器件的制造方法及光掩模的制造方法。
背景技術(shù)：
作為包括透過區(qū)和半色調(diào)(half-tone)區(qū)與遮光區(qū)的三色調(diào)(tri-tone)掩模的制造方法，有所謂的一次描畫方法。這種一次描畫方法，例如已在特開平8-328235號(hào)公報(bào)、特開平8-297357號(hào)公報(bào)等中公開。
在這種一次描畫方法中，首先在透明襯底上依次層疊半色調(diào)膜和遮光膜后，涂上光刻膠。在涂有光刻膠的空白區(qū)(blank)上描畫透過區(qū)，通過蝕刻遮光膜和半色調(diào)膜來形成透明襯底的表面露出的透過區(qū)。然后，在沒有剝離光刻膠的情況下將光刻膠收縮。作為收縮方法有灰化等。在這種狀態(tài)下，以光刻膠作為掩模，蝕刻遮光膜，從而形成半色調(diào)膜的表面露出的半色調(diào)區(qū)。就是說，光刻膠收縮的區(qū)域成為半色調(diào)區(qū)。另外，殘留遮光膜的區(qū)成為遮光區(qū)。如此，通過一次描畫形成三色調(diào)掩模。
由于光刻膠收縮的區(qū)域成為半色調(diào)區(qū)，半色調(diào)區(qū)的寬度大致成為一致(一定)，雖然這取決于光刻膠收縮的分布。
在三色調(diào)掩模中的中間間距以上(圖案的間距大于密集圖案的間距)的區(qū)域，掩模的圖案之間需要遮光膜。這是因?yàn)樵谘谀５膱D案之間沒有遮光膜時(shí)，本來不形成圖案的光刻膠的區(qū)域會(huì)發(fā)生凹痕。另一方面，在密集圖案(圖案的間距小于中間間距)上尤其是在掩模的圖案之間，不設(shè)遮光膜，也能在晶片上分辨掩模的圖案。因此，如特開2001-356467號(hào)公報(bào)所公開的內(nèi)容所述，在精細(xì)圖案之間不形成遮光膜。
但是，在密集圖案的圖案之間不設(shè)遮光膜時(shí)，由于用掩模一次描畫方法形成的半色調(diào)區(qū)的寬度一定，在設(shè)有比密集圖案的圖案間距稍大的間距的圖案上，在該圖案之間會(huì)產(chǎn)生超過掩模制造精度的超細(xì)的遮光膜。
另外，本說明書中，所謂超過掩模制造精度的超細(xì)遮光膜是指這樣的遮光膜受限于其設(shè)計(jì)，這種遮光膜在掩模的制造過程中，會(huì)因制造上的誤差、偏差而在掩模上時(shí)而存在時(shí)而不存在。
這種超過掩模制造精度的超細(xì)的遮光膜，在復(fù)制圖案時(shí)影響圖案的分辨率。因此，超過掩模制造精度的超細(xì)的遮光膜所產(chǎn)生的圖案間距，將作為禁止區(qū)域而不能使用，這樣，在器件設(shè)計(jì)、制造上會(huì)造成較大的限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供在三色調(diào)掩模中，對(duì)于所有間距無禁止區(qū)域的光掩模、電子器件的制造方法及光掩模的制造方法。
本發(fā)明的光掩模是這樣的光掩模，它設(shè)有分別由透明襯底的露出部分構(gòu)成的多個(gè)透過區(qū)，由設(shè)于透明襯底上的半色調(diào)移相膜的露出部分構(gòu)成的半色調(diào)區(qū)，以及由半色調(diào)移相膜上的遮光膜所形成的區(qū)域構(gòu)成的遮光區(qū)，且由一次描畫方法形成；其多個(gè)透過區(qū)的各外周由半色調(diào)區(qū)包圍。在設(shè)有以0.32μm以下的間距配置的多個(gè)透過區(qū)的、且透過區(qū)的間距為光掩模內(nèi)最小的最密集圖案區(qū)中，構(gòu)成包圍一對(duì)透過區(qū)各自的外周的半色調(diào)區(qū)，使遮光膜位于相鄰的一對(duì)透過區(qū)之間。
另外，由一次描畫方法形成的光掩模中，在所有間距的圖案中半色調(diào)區(qū)的寬度實(shí)際上相同(一定)。
依據(jù)本發(fā)明的光掩模，在密集圖案(透過區(qū)的間距在0.32μm以下)中，即在透過區(qū)的間距在光掩模內(nèi)最小的最密集圖案區(qū)中，遮光膜配置在相鄰的一對(duì)透過區(qū)之間。由此，通過掩模一次描畫的方法形成的所有間距中，遮光膜被配置在相鄰的一對(duì)透過區(qū)之間。并且，由于通過掩模一次描畫的方法形成的半色調(diào)區(qū)的寬度一定，通過使最密集圖案區(qū)的遮光膜的線寬大于超過掩模制造精度的超細(xì)尺寸，在所有間距的圖案上，配置在透過區(qū)之間的遮光膜的線寬大于超過掩模制造精度的超細(xì)尺寸。由于不會(huì)產(chǎn)生超過掩模制造精度的超細(xì)的遮光膜，也不會(huì)有這種遮光膜所產(chǎn)生的禁止區(qū)域，因此，在器件設(shè)計(jì)、制造上的限制會(huì)減少且自由度會(huì)增大。
本發(fā)明的光掩模的制造方法中包括以下工序。
首先，在透明襯底的表面上，依次形成半色調(diào)移相膜和遮光膜。在遮光膜上形成感光體。感光體通過照相制版技術(shù)被制成圖案，且在感光體上形成露出遮光膜的一部分表面的開口。依次除去位于開口的正下方的遮光膜和半色調(diào)移相膜，使透明襯底的表面露出，從而形成多個(gè)由透明襯底的露出部分構(gòu)成的透過區(qū)。隨著感光體的收縮，擴(kuò)大開口的開口尺寸，使遮光膜的一部分表面露出。通過從擴(kuò)大的開口除去露出的遮光膜，使半色調(diào)移相膜的一部分表面露出，形成由半色調(diào)移相膜的露出部分構(gòu)成的半色調(diào)區(qū)，同時(shí)形成殘留遮光膜的遮光區(qū)。除去感光體。多個(gè)透過區(qū)的各外周被半色調(diào)區(qū)包圍。在設(shè)有以0.32μm以下的間距配置的多個(gè)透過區(qū)的、且透過區(qū)的間距為光掩模內(nèi)最小的最密集圖案區(qū)上，形成包圍相鄰的一對(duì)透過區(qū)的各外周的半色調(diào)區(qū)，使遮光膜殘留在相鄰的一對(duì)透過區(qū)之間。
依據(jù)本發(fā)明的光掩模的制造方法，與上述一樣，由于不會(huì)產(chǎn)生超過掩模制造精度的超細(xì)的遮光膜，也不會(huì)有這種遮光膜所產(chǎn)生的禁止區(qū)域，使器件設(shè)計(jì)、制造上限制減少且自由度增大。
對(duì)于本發(fā)明的上述以及其它的目的、特征、形態(tài)及優(yōu)點(diǎn)，可參照附圖從與本發(fā)明相關(guān)的以下的詳細(xì)說明中更加清楚地了解。


圖1是表示本發(fā)明一實(shí)施例中的半導(dǎo)體制造用掩模的結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖2是沿圖1的II-II線的剖視圖。
圖3～圖8是依次表示本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體制造用掩模的工序的剖視圖。
圖9是在開孔圖案中的最密集圖案中表示各部分尺寸的平面圖。
圖10是表示開孔圖案中的以不小于最密集間距來配置的圖案中各部分尺寸的平面圖。
圖11是表示L/S圖案中的最密集圖案中表示各部分尺寸的平面圖。
圖12是表示L/S圖案中的以不小于最密集間距來配置的圖案中各部分尺寸的平面圖。
圖13是表示采用本發(fā)明一實(shí)施例中的半導(dǎo)體制造用掩模的半導(dǎo)體裝置的制造方法的情形的示意圖。
圖14～圖16是依次表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的半導(dǎo)體襯底的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面，根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明。
參照?qǐng)D1和圖2，本實(shí)施例的半導(dǎo)體制造用掩模10設(shè)有透明襯底1、半色調(diào)移相膜2及遮光膜3。
這種半導(dǎo)體制造用掩模10為三色調(diào)掩模，分別設(shè)有由透明襯底1的露出部分構(gòu)成的多個(gè)透過區(qū)R1，由設(shè)于該透明襯底1上的半色調(diào)移相膜2的露出部分構(gòu)成的半色調(diào)區(qū)R2，以及由該半色調(diào)移相膜2上的遮光膜3形成區(qū)域構(gòu)成的遮光區(qū)R3。另外，設(shè)定半色調(diào)移相膜2，使得與透過區(qū)R1之間的相位差成為180°反相，并將光透射率設(shè)定得例如高8％以上。
在這種半導(dǎo)體制造用掩模10上，根據(jù)透過區(qū)R1的不同間距，形成如密集圖案區(qū)、疏松圖案區(qū)和孤立圖案。這里，密集圖案區(qū)是指透過區(qū)R1的間距P1設(shè)定得使晶片上投影的透過區(qū)R1的間距成為0.32μm以下的區(qū)域。另外，疏松圖案區(qū)是指透過區(qū)R1的間距P2設(shè)定得使晶片上投影的透過區(qū)R1的間距超過0.32μm的區(qū)域。另外，孤立圖案是指離開其它透過區(qū)R1的孤立的圖案。
這些密集圖案區(qū)、疏松圖案區(qū)和孤立圖案的各透過區(qū)R1的外周被半色調(diào)區(qū)R2包圍。而且，密集圖案區(qū)、疏松圖案區(qū)及孤立圖案的各外周被遮光區(qū)R3包圍。
本實(shí)施例中，在密集圖案區(qū)中即透過區(qū)R1的間距在半導(dǎo)體制造用掩模10內(nèi)最小的最密集圖案區(qū)中，設(shè)定(設(shè)計(jì))包圍相鄰的一對(duì)透過區(qū)R1的各外周的半色調(diào)區(qū)R2的寬度，使遮光膜3位于相鄰的一對(duì)透過區(qū)R1之間。從而，在所有的間距密集圖案區(qū)與疏松圖案區(qū)中，遮光膜3位于相鄰的一對(duì)透過區(qū)R1之間，且遮光膜3的線寬S1、S2分別大于超過掩模制造精度的超細(xì)尺寸。就是說，密集圖案區(qū)、疏松圖案區(qū)和孤立圖案的各透過區(qū)R1的外周被半色調(diào)區(qū)R2包圍，而且該半色調(diào)區(qū)R2的外周又被遮光區(qū)R3包圍。
并且，這種半導(dǎo)體制造用掩模10，可用后述的一次描畫方法來形成。故密集圖案區(qū)、疏松圖案區(qū)和孤立圖案的各半色調(diào)區(qū)R2的寬度O、P、Q相同(一定)。
再有，本實(shí)施例中的透過區(qū)R1，例如可以為用于形成開孔圖案的開口。
接著對(duì)本實(shí)施例的半導(dǎo)體制造用掩模的制造方法進(jìn)行說明。
參照?qǐng)D3，在透明襯底1的表面上，依次層疊半色調(diào)移相膜2和遮光膜3。在該遮光膜3上涂光刻膠(感光體)4。
參照?qǐng)D4，在涂有光刻膠4的空白區(qū)上描畫透過區(qū)，從而光刻膠4被制成圖案。
參照?qǐng)D5，以制成圖案的光刻膠4作為掩模，依次蝕刻遮光膜3和半色調(diào)移相膜2。從而，透明襯底1的表面露出，形成透過區(qū)R1。
參照?qǐng)D6，然后光刻膠4在未剝離光刻膠4的狀態(tài)下收縮。收縮方法例如有灰化等。從而，遮光膜3的一部分表面露出。
參照?qǐng)D7，在這種狀態(tài)下將光刻膠4作為掩模，通過蝕刻除去露出的遮光膜3，使半色調(diào)移相膜2的表面露出，形成半色調(diào)區(qū)R2。就是說，光刻膠4收縮的區(qū)域成為半色調(diào)區(qū)R2。然后，剝離光刻膠4。
參照?qǐng)D8，通過上述光刻膠的剝離，使遮光膜3的表面露出，且遮光膜3的殘留區(qū)域成為遮光區(qū)R3。這樣由一次描畫形成三色調(diào)掩模，即本實(shí)施例的半導(dǎo)體制造用掩模。
另外，圖3～圖8中為了說明上的方便，僅示出最密集圖案區(qū)。
接著，對(duì)本實(shí)施例的透過區(qū)之間的遮光區(qū)的線寬進(jìn)行說明。
本實(shí)施例中，通過如上述的一次描畫來形成半導(dǎo)體制造用掩模。在這種一次描畫中，密集圖案區(qū)、疏松圖案區(qū)及孤立圖案區(qū)的各半色調(diào)區(qū)R2的寬度O、P、Q不依賴圖案的間距P1、P2，大致為一定的值。本實(shí)施例中，即使在最密集圖案中，也在各透過區(qū)R1之間，配置可設(shè)計(jì)且能掩模制造的尺寸(線寬)S1的遮光膜3。如上所述，由于半色調(diào)區(qū)R2的寬度O、P、Q不依賴圖案的間距P1、P2，大致為一定的值，在間距最小的最密集圖案中遮光膜3配置在各透過區(qū)R1之間時(shí)，所有間距的圖案中的各透過區(qū)R1之間均有遮光膜3存在。并且，這種在各透過區(qū)R1之間的遮光膜3的尺寸(線寬)，不小于最密集圖案的遮光膜的尺寸(線寬)S1。
參照?qǐng)D9，在開孔圖案中的最密集圖案中，將半色調(diào)區(qū)尺寸(半色調(diào)區(qū)R2的寬度)、孔徑(透過區(qū)R1的開口尺寸)、圖案的間距、圖案之間的遮光膜寬度(遮光區(qū)R3的線寬)分別用A0、H0、P0、X表示。遮光膜寬度X是在掩模制造中可高精度加工的寬度。
再參照?qǐng)D10，在開孔圖案中以不小于最密集間距配置的圖案中，分別將半色調(diào)區(qū)尺寸、孔徑、間距、遮光膜寬度設(shè)為A、H、P、Y。
這里，X＝P0-(2A0+H0)，Y＝P-(2A+H)。另外，半色調(diào)區(qū)的尺寸大致相同，因此，A0A。
一般，將密集圖案和疏松圖案(或孤立圖案)加工成相同大小的曝光復(fù)制圖案時(shí)，掩模上的設(shè)計(jì)必須這樣將疏松圖案(或孤立圖案)的尺寸設(shè)計(jì)得大于密集圖案。因此，當(dāng)P＞＞P0時(shí)，H＞H0，但由于P-P0＞H-H0，X＜Y成立。并且，當(dāng)P＞P0時(shí)，HH0，此時(shí)X＜Y也成立。因而，各透過區(qū)R1之間的遮光膜3的尺寸(線寬)，必然成為不小于最密集圖案的遮光膜3的尺寸(線寬)。因此，可通過使最密集圖案的遮光膜寬度大于超過掩模制造精度的超細(xì)尺寸來使所有間距的圖案的遮光膜寬度大于超過掩膜制造精度的超細(xì)尺寸，并在所有間距的圖案上能配置對(duì)掩模精度沒問題的遮光區(qū)。
如上所述，依據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體制造用掩模及其制造方法，在密集圖案(為使晶片上投影的透過區(qū)R1的間距在0.32μm以下而設(shè)定了透過區(qū)R1的間距P1的圖案)中，即透過區(qū)的間距P1在半導(dǎo)體制造用掩模內(nèi)最小的最密集圖案區(qū)中，遮光膜3配置在相鄰的一對(duì)透過區(qū)R1之間。從而，在按照掩模一次描畫的方法形成的所有間距上，遮光膜3配置在相鄰的一對(duì)透過區(qū)R1之間。并且，由于按照掩模一次描畫的方法形成的半色調(diào)區(qū)R2的寬度O、P、Q一定，在所有間距的圖案中，通過使最密集圖案區(qū)的遮光膜3的線寬S1大于超過掩模制造精度的超細(xì)尺寸，使配置在透過區(qū)R1之間的遮光膜3的線寬S1、S2大于超過掩模制造精度的超細(xì)尺寸。因而，由于不產(chǎn)生超過掩模制造精度的超細(xì)的遮光膜，因此不會(huì)有這種遮光膜所造成的禁止區(qū)域，從而使器件設(shè)計(jì)、制造上限制減少且自由度增大。
在上述實(shí)施例中，對(duì)開孔圖案進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限于此，對(duì)線條/間隔(L/S)的圖案也可同樣適用。下面，對(duì)L/S圖案中的透過區(qū)之間的遮光區(qū)的線寬進(jìn)行說明。
參照?qǐng)D11，在L/S圖案中的最密集圖案中，將半色調(diào)區(qū)尺寸、間隔寬度(透過區(qū)R1的開口寬度)、圖案的間距、圖案之間的遮光膜寬度分別設(shè)為B0、S0、P0、V。遮光膜寬度V是在掩模制造中可高精度加工的寬度。
再參照?qǐng)D12，在L/S圖案中以不小于最密集間距配置的圖案中，將半色調(diào)區(qū)尺寸、間隔寬度、間距、遮光膜寬度分別設(shè)為B、S、P、W。
這里，V＝P0-(2B0+S0)，W＝P-(2B+S)。另外，由于該L/S圖案也同樣由上述的一次描畫形成，其半色調(diào)區(qū)尺寸大致一定，B0B。
一般，將密集圖案和疏松圖案(或孤立圖案)以相同大小的曝光復(fù)制圖案完成時(shí)，與上述一樣，掩模上的設(shè)計(jì)必須這樣將疏松圖案(或孤立圖案)的尺寸設(shè)計(jì)得大于密集圖案。因此，當(dāng)P＞＞P0時(shí)S＞S0，V＜W成立。并且，當(dāng)P＞P0時(shí)SS0，此時(shí)V＜W也成立。因而，在各透過區(qū)R1之間的遮光膜3的尺寸(線寬)，必然成為不小于最密集圖案的遮光膜3的尺寸(線寬)。因此，通過使最密集圖案中的遮光膜寬度大于超過掩模制造精度的超細(xì)尺寸，可使所有間距的圖案中遮光膜寬度大于超過掩模制造精度的超細(xì)尺寸，并在所有間距的圖案上能配置對(duì)掩模精度沒問題的遮光區(qū)。
接著，對(duì)采用本實(shí)施例的半導(dǎo)體制造用掩模的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。
參照?qǐng)D13，本實(shí)施例的半導(dǎo)體制造用掩模10的圖案，采用縮小投影曝光裝置110，對(duì)涂在半導(dǎo)體襯底(例如半導(dǎo)體晶片)100的表面上的光刻膠進(jìn)行曝光。
這種縮小投影曝光裝置110主要包括，光源(未圖示)、復(fù)眼透鏡101、光闌102、投影透鏡103。從光源發(fā)射的光通過復(fù)眼透鏡101和光闌102，照射半導(dǎo)體制造用掩模10上。照射該半導(dǎo)體制造用掩模10的光，被投影透鏡103以所定的倍率縮小，對(duì)半導(dǎo)體襯底100表面的光刻膠進(jìn)行曝光。
該縮小投影曝光裝置110中，縮小倍數(shù)例如為1/4，曝光時(shí)例如使用KrF(波長(zhǎng)248nm)和ArF(波長(zhǎng)193nm)的準(zhǔn)分子激光器。
參照?qǐng)D14，進(jìn)行了上述曝光之后，通過顯影光刻膠100c被制成圖案。將該制成圖案的光刻膠100c作為掩模，對(duì)下層的被蝕刻膜100b進(jìn)行蝕刻。
參照?qǐng)D15，按照該蝕刻，在被蝕刻膜100b上例如形成開孔圖案，襯底100a的一部分表面露出。然后，例如根據(jù)灰化等除去光刻膠100c。
參照?qǐng)D16，除去上述光刻膠100c，使被蝕刻膜100b的表面露出。這樣制造半導(dǎo)體裝置。從而，能制造設(shè)有分辨率較高的圖案的半導(dǎo)體裝置。
以上就作為電子器件的半導(dǎo)體裝置作了說明，但此外對(duì)于該種半導(dǎo)體裝置外的作為薄膜磁頭的半導(dǎo)體裝置也同樣適用。
以上對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這僅為例示，并不限制本發(fā)明，應(yīng)清楚本發(fā)明的精神和范圍由附加的權(quán)利要求書規(guī)定。
權(quán)利要求
1.一種光掩模，它包括分別由透明襯底(1)的露出部分構(gòu)成的多個(gè)透過區(qū)(R1)、由設(shè)于所述透明襯底(1)上的半色調(diào)移相膜(2)的露出部分構(gòu)成的半色調(diào)區(qū)(R2)以及由半色調(diào)移相膜(2)上的遮光膜(3)形成的區(qū)域構(gòu)成的遮光區(qū)(R3)，通過一次描畫方法形成；其特征在于所述多個(gè)透過區(qū)(R1)的各外周為所述半色調(diào)區(qū)(R2)包圍；在設(shè)有以0.32μm以下的間距配置的多個(gè)所述透過區(qū)(R1)的、且所述透過區(qū)(R1)的間距為光掩模內(nèi)最小的最密集圖案區(qū)中，形成包圍相鄰的一對(duì)所述透過區(qū)(R1)的各外周的所述半色調(diào)區(qū)(R2)，使所述遮光膜(3)位于相鄰的一對(duì)所述透過區(qū)(R1)之間。
2.如權(quán)利要求1所述的光掩模，其特征在于所述最密集圖案區(qū)的所述透過區(qū)(R1)是用于形成開孔圖案的開口。
3.如權(quán)利要求1所述的光掩模，其特征在于所述最密集圖案區(qū)的所述透過區(qū)(R1)是用于形成線條/間隔圖案的開口。
4.一種電子器件的制造方法，其特征在于采用權(quán)利要求1所述的光掩模。
5.一種光掩模的制造方法，其中包括在透明襯底(1)的表面上，依次形成半色調(diào)移相膜(2)和遮光膜(3)的工序；在所述遮光膜(3)上形成感光體(4)的工序；采用照相制版技術(shù)將所述感光體(4)制成圖案，并在所述感光體(4)上形成露出所述遮光膜(3)的一部分表面的開口的工序；依次除去位于所述開口的正下方的所述遮光膜(3)和所述半色調(diào)移相膜(2)，使所述透明襯底(1)的表面露出，從而形成多個(gè)由所述透明襯底(1)的露出部分構(gòu)成的透過區(qū)(R1)的工序；通過收縮所述感光體(4)，擴(kuò)大所述開口的開口尺寸，使所述遮光膜(3)的一部分表面露出的工序；通過從擴(kuò)大的所述開口除去露出的所述遮光膜(3)來使所述半色調(diào)移相膜(2)的一部分表面露出，形成由所述半色調(diào)移相膜(2)的露出部分構(gòu)成的半色調(diào)區(qū)(R2)，同時(shí)形成所述遮光膜(3)殘留的遮光區(qū)(R3)的工序；以及除去所述感光體(4)的工序；多個(gè)所述透過區(qū)(R1)的各外周為所述半色調(diào)區(qū)(R2)包圍；在設(shè)有以0.32μm以下的間距配置的多個(gè)所述透過區(qū)(R1)的、且所述透過區(qū)(R1)的間距為光掩模內(nèi)最小的最密集圖案區(qū)中，形成包圍相鄰的一對(duì)所述透過區(qū)(R1)的各外周的所述半色調(diào)區(qū)(R2)，使所述遮光膜(3)殘留在相鄰的一對(duì)所述透過區(qū)(R1)之間。
全文摘要
本發(fā)明的光掩模設(shè)有透過區(qū)(R1)、半色調(diào)區(qū)(R2)及遮光區(qū)(R3)，采用一次描畫方法形成。多個(gè)透過區(qū)(R1)的各外周為半色調(diào)區(qū)(R2)包圍。在設(shè)有0.32μm以下的間隔布置的多個(gè)透過區(qū)(R1)的、且透過區(qū)的間隔為光掩模(10)內(nèi)最小的最密集圖案區(qū)中，形成包圍相鄰的一對(duì)透過區(qū)(R1)的各外周的半色調(diào)區(qū)(R2)，使遮光膜(3)位于相鄰的一對(duì)透過區(qū)(R1)之間。由此，通過這種三色調(diào)掩模，提供所有間距無禁止區(qū)域的光掩模、電子器件的制造方法及光掩模的制造方法。
文檔編號(hào)G03F1/70GK1519647SQ03159698
公開日2004年8月11日 申請(qǐng)日期2003年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月31日
發(fā)明者前島潔志 申請(qǐng)人:株式會(huì)社瑞薩科技