專利名稱：光學(xué)透射毫米波反射鏡的制作方法
發(fā)明
背景技術(shù)：
領(lǐng)域本發(fā)明涉及光學(xué)的以及毫米波的系統(tǒng)。更特別地，本發(fā)明涉及用于反射毫米波頻率并傳播光學(xué)頻率的裝置。
背景技術(shù)：
高能量毫米波系統(tǒng)有時(shí)候需要在毫米波光柱軌跡上設(shè)置激光器和/或照相機(jī)。為了防止對這些設(shè)備的損壞，需要將一個(gè)防護(hù)罩放置在光柱軌跡上。該防護(hù)罩需要在毫米波頻率上幾乎完全反射并且在光學(xué)頻率上是透射的。
舉個(gè)例子，在材料加工應(yīng)用中，毫米波可以在一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)使用，以制造合成物質(zhì)。有必要并且期望在所述反應(yīng)室內(nèi)放置一個(gè)窗口，用以觀察發(fā)生在其中的反應(yīng)。這個(gè)窗口需要在沒有破壞光學(xué)頻率的情況下透射它們，同時(shí)阻塞毫米波的透射。
以前解決這個(gè)問題的嘗試或者使用金屬篩網(wǎng)或者使用吸收性的充水窗。金屬篩網(wǎng)能有效地反射幾乎所有的入射輻射，但是它們對于光學(xué)頻率僅僅是邊緣透射。
而吸收性的充水窗的性能比金屬篩網(wǎng)高級，它們受限于幾個(gè)問題。首先，它們在長期使用以后容易泄漏。此外，在用戶之間存在著感覺，即，充足密度的入射毫米波束能夠造成水沸騰，這能夠?qū)е滤龃翱诘臑?zāi)難性的失效。最后，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)當(dāng)吸收性的充水窗被高能毫米波束輻射的時(shí)候，吸收的能量在水中發(fā)起了對流，這個(gè)對流分散了入射光，降低了由所述窗口后面的一個(gè)照相機(jī)所拍攝的圖象質(zhì)量。
因此，現(xiàn)有技術(shù)中存在對一種系統(tǒng)或方法的需要，這種系統(tǒng)或方法用于反射毫米波頻率，并且在沒有破壞光學(xué)頻率的情況下透射光學(xué)頻率。
發(fā)明簡介本發(fā)明致力于現(xiàn)有技術(shù)的需要，一種光學(xué)透射電介質(zhì)反射鏡反射了在設(shè)計(jì)頻率上的一個(gè)入射毫米波束。這個(gè)性能是通過以下方式實(shí)現(xiàn)的，即從不同的光學(xué)透射電介質(zhì)材料層來構(gòu)建反射鏡，并且選擇單個(gè)層的厚度以使透射的波在前進(jìn)方向上幾乎徹底消除，產(chǎn)生高度的傳輸損耗以及較高的反射(例如幾乎100％)。
在優(yōu)選實(shí)施例中，本發(fā)明包括光學(xué)蘭寶石和空氣的交替層。在最優(yōu)模式中，有七個(gè)蘭寶石層，其外層具有70.8密耳的名義厚度，內(nèi)部蘭寶石層具有30.4密耳的名義厚度，并且空氣層具有32.0密耳的名義厚度。透氣金屬墊圈用于保持空氣層的最優(yōu)厚度。
與以前技術(shù)中吸收性的注水窗不同，本發(fā)明是反射，而不是吸收入射毫米波束，并且同時(shí)傳輸光輻射。因?yàn)椴话后w，所以泄漏的可能性被消除了。因?yàn)槿肷浜撩撞芰勘环瓷涠皇潜晃?，所以由熱?dǎo)致?lián)p壞或故障的可能性極大地減少了。最后，由于沒有對流出現(xiàn)以分散入射光，所以可以期待由位于一個(gè)光學(xué)透射毫米波反射鏡后面的照相機(jī)所拍攝的光學(xué)圖象的質(zhì)量達(dá)到較高水準(zhǔn)。


圖1a是展示了橫電波入射到一個(gè)電介質(zhì)界面上的視圖。
圖1b是展示了橫磁波入射到一個(gè)電介質(zhì)界面上的視圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明技術(shù)而設(shè)計(jì)的光學(xué)透射毫米波反射鏡的視圖。
圖3是展示了透射系數(shù)對板和縫隙尺寸變化的敏感性的一個(gè)圖表。
圖4是展示了透射系數(shù)相對于偏振角的變化的圖表。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)設(shè)計(jì)的原型反射鏡的分解圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)設(shè)計(jì)的環(huán)形透氣金屬墊片的詳細(xì)視圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)設(shè)計(jì)的反射鏡框架的內(nèi)部詳細(xì)視圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)設(shè)計(jì)的組裝后的反射鏡的前視圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)設(shè)計(jì)的組裝后的反射鏡的后視圖。
具體實(shí)施例方式
說明性的實(shí)施例和示范性的應(yīng)用現(xiàn)在將參考附圖來描述，以揭示本發(fā)明的優(yōu)勢教導(dǎo)。
盡管本發(fā)明在此是參考用于特殊應(yīng)用的說明性附圖來描述的，但是應(yīng)該理解本發(fā)明并不局限于此。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員以及熟知在此所提供的技術(shù)的人員將能夠認(rèn)識到在此范圍之內(nèi)的附加的修改、應(yīng)用和實(shí)施例以及本發(fā)明將在其中具有顯著效用附加的領(lǐng)域。
本發(fā)明是一種光學(xué)透射電介質(zhì)反射鏡，在設(shè)計(jì)頻率下，本發(fā)明的一個(gè)解釋性實(shí)施例幾乎可以反射100％的入射毫米波束。這個(gè)性能是通過以下方式實(shí)現(xiàn)的，即從不同的光學(xué)透射電介質(zhì)材料的交替層來構(gòu)建反射鏡，選擇單個(gè)層的厚度以使透射的波在前進(jìn)方向上幾乎徹底消除，產(chǎn)生高度的傳輸損耗以及幾乎100％的反射。
與以前技術(shù)中吸收性的注水窗不同，本發(fā)明是反射，而不是吸收入射毫米波束，并且同時(shí)傳輸光輻射。因?yàn)椴话后w，所以泄漏的可能性被消除了。因?yàn)槿肷浜撩撞芰勘环瓷涠皇潜晃?，所以由熱?dǎo)致?lián)p壞或故障的可能性極大地減少了。最后，由于沒有對流出現(xiàn)以分散入射光，所以可以期待由位于一個(gè)光學(xué)透射毫米波反射鏡后面的照相機(jī)所捕捉的光學(xué)圖象的質(zhì)量達(dá)到較高水準(zhǔn)。
為了理解像這樣的一個(gè)反射鏡怎樣被構(gòu)建，首先考慮一個(gè)平面波以一個(gè)斜角入射到位于兩個(gè)電介質(zhì)材料之間的一個(gè)界面上。如果考慮到平面波的偏振，就有兩個(gè)不同的物理現(xiàn)象必須被考慮。如果平面波的電場平行于所述界面，如圖1a所示，那么就說入射波是一個(gè)橫向電波或者橫電(TE)波。另一方面，如果所述入射波的磁場平行于所述界面，如圖1b所示，那么就說入射波是一個(gè)橫向磁場波或者橫磁(TM)波。注意到任意一個(gè)偏振的平面波都可以被描繪成一個(gè)橫電波和一個(gè)橫磁波的重疊。
對于一個(gè)入射平面波(橫電波或橫磁波)來講，入射波、反射波和透射波之間的關(guān)系能夠以一個(gè)透射矩陣的形式被計(jì)算，這個(gè)矩陣是在邊界左邊的入射波和反射波和在邊界右邊的波之間的關(guān)系。這個(gè)矩陣關(guān)系的形式是
EL1EL2=T11TE,TMT12TE,TMT21TE,TMT22TE,TMER1ER2,---[1]]]>其中，EL1和EL2分別是邊界左側(cè)的入射波和反射波，并且ER1和ER2是邊界右側(cè)的透射波和入射波，如圖1所示。
對于橫電波的情況，透射矩陣的元素由下面給出T11TE=T22TE=12(1+ηLcosθRηRcosθL),---[2]]]>T12TE=T21TE=12(1-ηLcosθRηRcosθL),---[3]]]>并且對于橫磁波的情況，透射矩陣的元素由下面給出T11TE=T22TE=12(ηLηR+cosθRcosθL)---[4]]]>T12TE=T21TE=-12(ηLηR-cosθRcosθL)---[5]]]>其中，θR和θL分別是入射波和反射波與所述電介質(zhì)邊界的法線在所述電介質(zhì)邊界的左側(cè)和右側(cè)的夾角，并且ηR和ηL是相應(yīng)材料的特性阻抗。
除了用于電介質(zhì)界面的所述透射矩陣，還需要描述了一個(gè)平面波穿過均質(zhì)介電板的透射矩陣。既用于橫電波又用于橫磁波的合適的透射矩陣與z軸呈θR角傳播，穿過具有折射指數(shù)n的一個(gè)材料，這個(gè)矩陣如下給出EL1EL2=exp(jk0ndcosθR)00exp(-jk0ndcosθR)ER1ER2---[6]]]>這里，k0＝2π/λ0，其中，λ0是入射平面波的自由空間波長，d是所述材料板的厚度。
所述角度θR能夠通過斯涅耳(Snell)折射定理與θL發(fā)生聯(lián)系，例如
nLsinθL＝nRsinθR7所述透射矩陣公式的優(yōu)點(diǎn)在于由多個(gè)電介質(zhì)層組成的組合結(jié)構(gòu)的反射系數(shù)和透射系數(shù)能夠僅僅通過將每個(gè)單獨(dú)的電介質(zhì)層的透射矩陣依次相乘就容易地計(jì)算出來。通常，由每一個(gè)都具有不同厚度的不同材料的介電板構(gòu)成的一個(gè)m層結(jié)構(gòu)的反射和透射系數(shù)能夠以下面的方式計(jì)算出來。
從最左側(cè)邊界開始，在這里入射平面波遇到第一介電質(zhì)界面。在這個(gè)界面θL＝θinc，其中θinc是入射平面波與z軸之間的夾角。給定θL的值，θR的值就能夠計(jì)算出來，平面波正是以θR角度傳播到材料的左側(cè)和右側(cè)，到達(dá)所述邊界的右側(cè)。第一邊界的透射矩陣以及穿過所述第一電介質(zhì)層的傳播的透射矩陣然后就能夠計(jì)算出來。
通過重復(fù)應(yīng)用斯涅耳(Snell)定理，在每個(gè)連續(xù)層中的θR值就可以在給定其前面層的θL值的情況下被計(jì)算出來。通過這種方式，一個(gè)組合結(jié)構(gòu)的每一個(gè)元件的透射矩陣都可以計(jì)算出來。所述組合結(jié)構(gòu)的所述透射矩陣然后就可以作為單獨(dú)的透射矩陣的矩陣積而獲得。如果所述第一電介質(zhì)界面的透射矩陣被標(biāo)注為T1a，所述第一板被標(biāo)注為P1，第二電介質(zhì)界面被標(biāo)注為T1b，那么所述組合單層結(jié)構(gòu)的透射矩陣就由下面給出T1＝T1a×P1×T1b8考慮由m層特殊電介質(zhì)材料構(gòu)成的一個(gè)結(jié)構(gòu)，每一層都通過一個(gè)縫隙與下一層分離，這個(gè)縫隙可以填充空氣或者其它電介質(zhì)材料。如果有m層，那么將有m-1個(gè)縫隙。如果單獨(dú)層的透射矩陣標(biāo)注為T1、T1…….、Tm，并且縫隙的透射矩陣標(biāo)注…為G1、G2、……、Gm-1，那么所述組合結(jié)構(gòu)的透射矩陣是T＝T1×G1×T2×G2……Tm-1×Gm-1×Tm9其中，第K層電介質(zhì)的透射矩陣由下面給出
Tk＝Tka×Pk×Tkb10假設(shè)一個(gè)平面波只是從左側(cè)入射，所述入射波和由所述組合結(jié)構(gòu)所反射和透射的波之間的關(guān)系由下面給出EincEref=T11T12T21T22Etrans0---[11]]]>可以很容易地指出所述組合結(jié)構(gòu)的功率反射和功率透射系數(shù)R和T是根據(jù)所述透射矩陣的元素給出的R=|ErefEinc|2=|T21T11|2---[12]]]>T=|EtransEinc|2=|1T11|2---[13]]]>這里的意圖是開發(fā)一種多層結(jié)構(gòu)，它將反射幾乎所有的在特殊的毫米波頻率下的入射輻射，同時(shí)允許光線通過。也就是說，將所述組合結(jié)構(gòu)的透射系數(shù)T最小化。
為了將最終結(jié)構(gòu)的成本最小化且將結(jié)構(gòu)最簡化，期望將電介質(zhì)層的總數(shù)最小化。電介質(zhì)層的數(shù)量是一個(gè)度的功能，在這個(gè)度的狀態(tài)下透射的波被削弱，并且電介質(zhì)層的數(shù)量實(shí)現(xiàn)所用材料的介電常數(shù)的功能。為了將層數(shù)最小化，相鄰層之間的介電常數(shù)的差異應(yīng)該盡可能大，以便于將在每個(gè)電介質(zhì)界面處的反射系數(shù)最大化。通過利用氣隙來將連續(xù)的電介質(zhì)層分離，獲得了在介電常數(shù)中最大可能的差異。
電介質(zhì)材料的選擇受某些需要的限制，即，它是光學(xué)透射的，并且在毫米波頻率下具有低損耗因數(shù)。光學(xué)蘭寶石(Al2O3)是一個(gè)可能的選擇，因?yàn)樗鼘τ诹闱懈畈牧?此時(shí)光學(xué)軸線垂直于所述材料的表面)具有相對高的介電常數(shù)9.41，并且具有在95GHz下8×10-4的低損耗因數(shù)。此外，它及其堅(jiān)硬并且能抵抗一般的酸和堿，這使得它適合于在惡劣的條件下使用。
上面描述的透射矩陣被用來設(shè)計(jì)一個(gè)反射鏡，用于在13.5°入射的平面波。需要所述最終設(shè)計(jì)來削弱接進(jìn)60dB的透射的橫電波和橫磁波。已經(jīng)確定被氣隙分離開的七層蘭寶石能夠符合這個(gè)要求。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)而設(shè)計(jì)的一個(gè)光學(xué)透射毫米波反射鏡100的外形圖。在所述說明性實(shí)施例中，所述反射鏡100由七個(gè)被氣隙(30、32、34、36、38、40)分離開的蘭寶石板(10、12、14、16、18、20、22)組成。所述蘭寶石層以及將它們分離開的氣隙的尺寸如下L1＝L7＝70.8±0.4密耳(mils)L2＝L3＝L4＝L5＝L6＝30.4±0.3密耳(mils)d1＝d2＝d3＝d4＝d5＝d6＝32.0±0.5密耳(mils)其中，Li是第i個(gè)蘭寶石板的寬度，dj是第j個(gè)氣隙的寬度。
因?yàn)樽钔膺叺陌鍖⑹俏ㄒ恢苯颖┞对谕饨绛h(huán)境中的板，所以它們比內(nèi)板(板2到6)造得要厚，以便于提供更大的機(jī)械強(qiáng)度。在L1和L7上的±0.4密耳的公差以及在L2到L6上的±0.3密耳的公差并不是因?yàn)樾阅芩?。也就是說，如果公差以某種方式放松的時(shí)候所述反射鏡在性能稍微降低的情況下仍然能工作，因?yàn)樗龇瓷溏R的性能對所述蘭寶石板的尺寸或者對所述縫隙的尺寸并不過度敏感，如圖2所示。
圖3是展示了透射系數(shù)對板和縫隙尺寸變化的敏感性的一個(gè)圖表。這個(gè)圖繪制了對于五種情況下對入射橫電波和橫磁波的透射系數(shù)，每個(gè)板和每個(gè)縫隙的尺寸在每種情況下都允許相互隨機(jī)改變。來自名義設(shè)計(jì)值的最大允許偏差對于每個(gè)板來講是0.5密耳，對于每個(gè)縫隙來講是1密耳。對于每種情況和每個(gè)尺寸來講，所述偏差是不統(tǒng)一分配的隨機(jī)數(shù)字，這個(gè)數(shù)字的絕對值低于或等于所述最大允許偏差。很明顯，在實(shí)際中很容易獲得的這個(gè)公差對于所述反射鏡的性能來講具有很小的影響。
如前面所述，一個(gè)隨意的偏振入射波能夠表現(xiàn)為一個(gè)橫電波和一個(gè)橫磁波的重疊以同樣的角度入射。如果入射角度是θinc并且在xy平面的電場的投射產(chǎn)生了相對于x軸的角度，那么所述透射系數(shù)就能夠以橫電波和橫磁波分量的透射系數(shù)的形式來表達(dá)T＝TTMcosφpol+TTMsinφpol14注意到如果入射波是橫磁波那么φpol＝0°，如果入射波是橫電波那么φpol＝90°。
圖4是展示了透射系數(shù)相對于偏振角的變化的圖表。可以看出，隨著偏振角的改變，橫電波和橫磁波作用建設(shè)性地干涉并且隨后破壞性地干涉。透射系數(shù)當(dāng)φpol＝35°和215°時(shí)達(dá)到最大值-58.78分貝，并且當(dāng)φpol＝125.0°和305.0°時(shí)達(dá)到最小值-108.25分貝。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)設(shè)計(jì)的原型反射鏡200的分解圖。同樣設(shè)計(jì)的兩個(gè)反射鏡組件位于具有一個(gè)前蓋61的密封的框架60內(nèi)部。在最外面蘭寶石板50和鋁制框架60之間以及鋁制框架60和所述前蓋61之間的O形密封56防止了來自外界的污染。透氣的金屬墊片54保持相鄰板(50、52)之間的最佳間隔。一個(gè)T形填充閥72和一個(gè)壓力計(jì)70連接到在所述反射鏡框架60中的一個(gè)充氣通路84(見圖7)上，并且一個(gè)切斷排氣閥74連接到在所述反射鏡框架60中的一個(gè)排氣通路86(見圖7)上。
圖6是環(huán)形透氣金屬墊片54的詳細(xì)視圖。透氣孔62允許氣態(tài)污染物被干燥的氮所取代，所述反射鏡組件在密封過程期間被干燥氮填充。特殊的問題是水蒸氣，如果允許它保留在反射鏡表面，就能夠在所述蘭寶石板的表面凝結(jié)，通過所述反射鏡模糊了景象。
圖7是所述反射鏡框架60的內(nèi)部視圖，展示了所述充氣通路84和所述排氣通路86。擋流板90引導(dǎo)了氣流，防止氣流以最小阻力的路徑(從所述充氣通路84到所述排氣通路86)通過，并且強(qiáng)迫它穿過窗口表面流動(dòng)，在充氣過程中將任何污染物從內(nèi)部排出。
圖8是組裝后的反射鏡200的前視圖，展示了在密封的框架60內(nèi)部的第一和第二反射鏡(80、82)，該框架具有一個(gè)前蓋61。圖9展示了組裝后的反射鏡200的后視圖。兩個(gè)圖都展示了連接到所述充氣通路84(見圖7)上的所述T形填充閥72和壓力計(jì)70，以及連接到所述排氣通路(見圖7)上的所述切斷排氣閥74。
在所述反射鏡200用干燥氮回填到1個(gè)絕對壓強(qiáng)(psia)壓力的時(shí)候，連接到每個(gè)部分的閥被關(guān)閉。連接到所述充氣通路84上的所述壓力計(jì)70在使用中允許氣壓被監(jiān)控。如果壓力降到低于0.25個(gè)絕對壓強(qiáng)，氣體供應(yīng)就應(yīng)該恢復(fù)并且壓力恢復(fù)到其名義值。
因此，本發(fā)明已經(jīng)在此通過參考用于特殊應(yīng)用的特殊實(shí)施例來描述。本領(lǐng)域具有一般技術(shù)的人員以及了解本技術(shù)的人員將認(rèn)識到在此范圍內(nèi)的附加的修改、應(yīng)用和實(shí)施例。
通過所附的權(quán)利要求旨在包含任意的和所有的在本發(fā)明范圍內(nèi)的應(yīng)用、修改和實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種用于反射入射毫米波束的裝置，包括一第一層，由適合于接收并部分地透射所述入射毫米波束的電介質(zhì)材料制成，以及一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)材料附加層，附加層設(shè)置得與所述第一層對齊，每一個(gè)附加層部分地透射穿過前面層接收的光波，并且每一層的厚度設(shè)置得使透射的光波在前進(jìn)方向上基本被消除。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)明，其中所述電介質(zhì)材料是光學(xué)透射的。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)明，其中所述層是由第一和第二電介質(zhì)材料交替構(gòu)建的。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)明，其中所述第一電介質(zhì)材料是光學(xué)蘭寶石。
5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)明，其中所述第二電介質(zhì)材料是空氣。
6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)明，其中蘭寶石層的數(shù)量是七個(gè)，蘭寶石層之間具有六個(gè)空氣層。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)明，其中外蘭寶石層具有70.8密耳的名義厚度，內(nèi)蘭寶石層具有30.4密耳的名義厚度，空氣層具有32.0密耳的名義厚度。
8.如權(quán)利要求5所述的發(fā)明，其中所述裝置進(jìn)一步包括用于加強(qiáng)空氣層的正確厚度的墊圈。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)明，其中所述墊圈包括用于移除氣態(tài)污染物的通氣孔。
10.如權(quán)利要求5所述的發(fā)明，其中所述裝置進(jìn)一步包括一密封的框架。
11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)明，其中所述密封的框架被干燥的氮填充。
12.如權(quán)利要求10所述的發(fā)明，其中所述密封的框架包括一用于輸入空氣的充氣通路。
13.如權(quán)利要求10所述的發(fā)明，其中所述密封的框架包括一用于排出空氣的排氣通路。
14.如權(quán)利要求10所述的發(fā)明，其中所述密封的框架包括用于引導(dǎo)氣流的擋流板。
15.一種用于反射入射毫米波束的裝置，包括一第一層，由適合于接收并部分地透射所述入射毫米波束的電介質(zhì)材料制成；一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)材料附加層，附加層設(shè)置得與所述第一層對齊，每一個(gè)附加層部分地透射穿過前面層接收的光波，并且每一層的厚度設(shè)置得使透射的光波在前進(jìn)方向上基本被消除；一用于所述層的密封的框架，具有一充氣通路，一排氣通路以及用于引導(dǎo)氣流的擋流板；一T形填充閥，連接到所述充氣通路上；一壓力計(jì)，連接到所述T形填充閥的第一管嘴上；施加于所述T形填充閥的第二管嘴的干燥氮；以及一切斷排氣閥，連接到所述排氣通路上。
16.一種用于反射入射毫米波束的方法，包括如下步驟用第一電介質(zhì)材料層接收所述入射毫米波束，該第一層部分地透射所述光波，以及通過與所述第一層對齊地設(shè)置的一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)材料附加層來傳播所述透射的光波，進(jìn)一步包括步驟通過每一個(gè)附加層部分地透射穿過前面層接收的光波，藉此使透射的光波在前進(jìn)方向上基本被消除。
全文摘要
一種光學(xué)透射電介質(zhì)反射鏡(200)反射了在設(shè)計(jì)頻率上的一個(gè)入射毫米波束。該反射鏡(200)包括不同光學(xué)透射電介質(zhì)材料層。選擇單個(gè)層的厚度以使透射的波在前進(jìn)方向上幾乎徹底消除，產(chǎn)生高度的傳輸損耗和實(shí)質(zhì)的反射。在優(yōu)選實(shí)施例中，本發(fā)明包括光學(xué)藍(lán)寶石和空氣的交替層。在最優(yōu)模式中，有七個(gè)藍(lán)寶石層，其外層(50)具有70.8密耳的名義厚度，內(nèi)部藍(lán)寶石層(52)具有30.4密耳的名義厚度，并且空氣層具有32.0密耳的名義厚度。透氣金屬墊圈(54)用于保持空氣層的最優(yōu)厚度。
文檔編號G02B1/00GK1615446SQ03802075
公開日2005年5月11日 申請日期2003年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月10日
發(fā)明者戴維·D·克勞奇, 威廉·E·多拉什 申請人:雷斯昂公司