專利名稱：多域垂直取向方式液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，尤其涉及一種多域垂直取向(Multi-domain Vertical Alignment，MVA)方式液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置中的液晶本身不具發(fā)光特性，通過采用電場(chǎng)控制液晶分子扭轉(zhuǎn)而實(shí)現(xiàn)光的通過或不通過，從而達(dá)到顯示的目的。在傳統(tǒng)液晶顯示裝置中，在兩玻璃基底的表面形成電極，以形成控制液晶分子扭轉(zhuǎn)的電場(chǎng)，該電極使用透明材料，且兩基底的電極相對(duì)設(shè)置，從而形成與基底表面相垂直的電場(chǎng)。由于液晶分子具有電性，因此在該電場(chǎng)的控制下，液晶分子取向?qū)⒋怪庇诨妆砻?，但由于液晶分子間的相互作用力和重力等物理力的影響，使得液晶分子的取向不能完全垂直于基底表面，且各液晶分子的傾斜角度不盡相同，從而，當(dāng)觀察者從不同角度觀察時(shí)，將觀察到不同的顯示效果，此即為液晶顯示裝置的視角缺陷。
多域垂直取向方式的液晶顯示裝置通過將一個(gè)像素單元分割成多個(gè)區(qū)域，使不同區(qū)域的液晶分子的取向分散，來擴(kuò)大該像素的整體視角，從而達(dá)到改善該液晶顯示裝置的視角特性。
一種現(xiàn)有技術(shù)多域垂直取向方式液晶顯示裝置請(qǐng)參閱2002年1月23日公開的中國專利申請(qǐng)第01,121,750號(hào)，如圖1與圖2所示。該多域垂直取向方式液晶顯示裝置1包括相對(duì)設(shè)置的第一基底11與第二基底12、分別設(shè)置在該第一基底11與第二基底12上且相互交錯(cuò)平行排列的凸塊111和121、多個(gè)液晶分子16。此外，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置1還包括像素電極、共用電極、配向膜、薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)、相位補(bǔ)償膜和偏光裝置等，但是，該組件均未在圖1與圖2中示出。
在第二基底12上形成被連接至該薄膜晶體管的像素電極，在第一基底11上形成共用電極，該凸塊111設(shè)置在該共用電極上，該凸塊121設(shè)置在該像素電極上，在該第一基底11與第二基底12間封入多個(gè)液晶分子16，該液晶分子16是介電常數(shù)為負(fù)且各向異性的液晶材料，因配向膜的限制力而使得液晶分子16的最初取向大致垂直于該第一基底11與第二基底12。
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D1，是未加電壓時(shí)，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置1所處工作狀態(tài)的示意圖。此狀態(tài)下，薄膜晶體管為OFF狀態(tài)，凸塊111與121間的間隙區(qū)域的液晶分子16取向大致垂直于該第一基底11與第二基底12，該凸塊111與凸塊121附近的液晶分子16的取向大致垂直于該凸塊111與121的斜面，由于光沿著液晶分子16的分子軸(即液晶分子的光軸)方向傳輸時(shí)，不會(huì)產(chǎn)生雙折射，即其偏振態(tài)不會(huì)發(fā)生改變，又因?yàn)榉謩e設(shè)置在該第一基底11與第二基底12的兩偏光裝置的偏光軸相互垂直，所以，此時(shí)該多域垂直取向方式液晶顯示裝置1處于暗態(tài)。
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D2，是加電壓時(shí)，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置1所處工作狀態(tài)的示意圖。此狀態(tài)下，薄膜晶體管為ON狀態(tài)，液晶分子16上施加垂直于第一基底11與第二基底12的電場(chǎng)，由于液晶分子16是介電常數(shù)為負(fù)且各向異性的液晶材料，電場(chǎng)作用下，該液晶分子16將向與電場(chǎng)方向垂直的方向偏轉(zhuǎn)，再加上凸塊111與121的限制，使得該第一基底11與第二基底12間的所有液晶分子16的取向大致垂直于該凸塊111與121的斜面。此時(shí)，入射光與液晶分子16的分子軸方向存在一定夾角，從而，該入射光的偏振態(tài)將發(fā)生改變，因此，將有部分光從設(shè)置在該第一基底11的偏光裝置出射，即該多域垂直取向方式液晶顯示裝置1處于亮態(tài)。
請(qǐng)參閱圖3，是薄膜晶體管為ON狀態(tài)時(shí)，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置1的一像素區(qū)域內(nèi)的液晶分子16的傾斜方向示意圖。該凸塊111與121位于該像素區(qū)域內(nèi)的部分都是“ㄑ”形突起構(gòu)造物，像素電極14是設(shè)置在該第二基底12上的透明電極，每一像素區(qū)域被分割成紅、綠、藍(lán)的三縱長子像素區(qū)域(未標(biāo)示)。該多域垂直取向方式液晶顯示裝置1的各子像素區(qū)域中，該第一基底11與第二基底12間凸塊111與121所形成的間隙區(qū)域被分割成A、B、C、D四區(qū)域，各區(qū)域中的液晶分子的取向大致相互相差90度。從而，當(dāng)薄膜晶體管為ON狀態(tài)時(shí)，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置1的液晶分子16取向于多個(gè)方向上，所以視角得以擴(kuò)大。
但是，該A、B、C、D四區(qū)域形成一交界區(qū)域(未標(biāo)示)，該交界區(qū)域即為“ㄑ”形突起構(gòu)造物的轉(zhuǎn)角附近區(qū)域，由于該交界區(qū)域?yàn)樵揂、B、C、D四區(qū)域的臨界區(qū)域，所以，當(dāng)薄膜晶體管為ON狀態(tài)時(shí)，將出現(xiàn)位于該交界區(qū)域的液晶分子16的取向無法與該A、B、C、D四區(qū)域的某一區(qū)域的液晶分子16取向相同。又因?yàn)樵摱嘤虼怪比∠蚍绞揭壕э@示裝置1中，通過設(shè)置凸塊111與121來控制液晶分子16傾斜取向，從而，液晶分子16的傾斜動(dòng)作從凸塊111與121附近向間隙區(qū)域傳播，所以，當(dāng)薄膜晶體管為ON狀態(tài)時(shí)，位于該交界區(qū)域的液晶分子16可能不發(fā)生傾斜取向。由于當(dāng)薄膜晶體管為ON狀態(tài)時(shí)，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置1處于亮態(tài)，所以，此時(shí)處于亮態(tài)的顯示區(qū)域中會(huì)存在暗區(qū)域，從而影響畫像品質(zhì)。
另外，因?yàn)樵揂、B、C、D四區(qū)域中，任意區(qū)域內(nèi)的所有液晶分子16的取向大致相同，即當(dāng)薄膜晶體管為ON狀態(tài)時(shí)，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置1的液晶分子16僅大致取向于四個(gè)相互垂直的方向上，從而，無法使得觀察者從所有角度上觀察時(shí)獲得相同的畫像效果，因此，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置1仍存在一定的視角缺陷。

發(fā)明內(nèi)容為克服現(xiàn)有技術(shù)多域垂直取向方式液晶顯示裝置視角特性與畫像品質(zhì)較差的缺陷，本發(fā)明提供一種具有較佳視角特性與畫像品質(zhì)的多域垂直取向方式液晶顯示裝置。
本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種多域垂直取向方式液晶顯示裝置，包括相對(duì)設(shè)置的第一基底與第二基底、多個(gè)處于該第一基底與第二基底間的液晶分子、多個(gè)設(shè)置在第二基底的柵極線與信號(hào)線、分別設(shè)置在該第一基底與第二基底的共用電極與多個(gè)像素電極、多個(gè)設(shè)置在該共用電極上的第一缺口和多個(gè)設(shè)置在像素電極上的第二缺口，該多個(gè)柵極線與信號(hào)線形成多個(gè)像素區(qū)域，該第一缺口與第二缺口相互平行交錯(cuò)排列，且對(duì)應(yīng)于每一像素區(qū)域的第一缺口與第二缺口都是曲線形。
本發(fā)明還提供一種多域垂直取向方式液晶顯示裝置，包括相對(duì)設(shè)置的第一基底與第二基底、多個(gè)設(shè)置在第二基底的柵極線與信號(hào)線、多個(gè)像素區(qū)域，該像素區(qū)域由柵極線與信號(hào)線形成的區(qū)域沿垂直于第二基底的方向延伸至第一基底而形成，該像素區(qū)域包括多個(gè)設(shè)置在該第一基底上的第一缺口和多個(gè)設(shè)置在第二基底上的第二缺口，該第一缺口與第二缺口相互平行交錯(cuò)排列，且該第一缺口與第二缺口均具有連續(xù)變化的彎折角度。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的多域垂直取向方式液晶顯示裝置中，該第一缺口與第二缺口相互平行交錯(cuò)排列，且對(duì)應(yīng)于每一像素區(qū)域的第一缺口與第二缺口均是曲線形，即該第一缺口與第二缺口都有連續(xù)變化的彎折角度，而不像現(xiàn)有技術(shù)多域垂直取向方式液晶顯示裝置中的“ㄑ”形凸塊僅有90度彎折角，從而，當(dāng)共用電極與像素電極上加載電壓時(shí)，在垂直于該第一基底與第二基底的電場(chǎng)與該第一缺口與第二缺口的限制下，液晶分子將傾斜取向于多個(gè)連續(xù)的方向上，所以，無論觀察者從任意角度觀察時(shí)，均可觀察到基本相同的畫像效果，此說明本發(fā)明的多域垂直取向方式液晶顯示裝置具有較佳的視角特性。
又由于該第一缺口與第二缺口都有多個(gè)連續(xù)變化的彎折角度，從而，在垂直于該第一基底與第二基底的電場(chǎng)和該第一缺口與第二缺口的限制下，即使位于該第一缺口與第二缺口附近的液晶分子也會(huì)隨著彎折角度的變化而呈現(xiàn)不同的傾斜取向，即不存在現(xiàn)有技術(shù)多域垂直取向方式液晶顯示裝置中無法產(chǎn)生傾斜取向的分子，也即當(dāng)本發(fā)明的多域垂直取向方式液晶顯示裝置處于亮態(tài)時(shí)，不會(huì)存在暗區(qū)，因而相較于現(xiàn)有技術(shù)的多域垂直取向方式液晶顯示裝置，本發(fā)明的多域垂直取向方式液晶顯示裝置具有較佳的畫像品質(zhì)。
綜上所述，本發(fā)明提供的該技術(shù)方案的多域垂直取向方式液晶顯示裝置都具有較佳的視角特性與較佳的畫像品質(zhì)。

圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)多域垂直取向方式液晶顯示裝置未加電壓時(shí)所處工作狀態(tài)的示意圖。
圖2是圖1所示多域垂直取向方式液晶顯示裝置加電壓時(shí)所處工作狀態(tài)的示意圖。
圖3是圖1所示多域垂直取向方式液晶顯示裝置加電壓時(shí)一像素區(qū)域內(nèi)的液晶分子的取向示意圖。
圖4是本發(fā)明多域垂直取向方式液晶顯示裝置第一實(shí)施方式一像素區(qū)域的電極分布示意圖。
圖5是圖4所示多域垂直取向方式液晶顯示裝置未加電壓時(shí)所處工作狀態(tài)的示意圖。
圖6是圖4所示多域垂直取向方式液晶顯示裝置加電壓時(shí)所處工作狀態(tài)的示意圖。
圖7是本發(fā)明多域垂直取向方式液晶顯示裝置第二實(shí)施方式加電壓時(shí)所處工作狀態(tài)的示意圖。
圖8是本發(fā)明多域垂直取向方式液晶顯示裝置第三實(shí)施方式加電壓時(shí)所處工作狀態(tài)的示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明多域垂直取向方式液晶顯示裝置的第一實(shí)施方式如圖4、圖5與圖6所示，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置2包括相對(duì)設(shè)置的第一基底21與第二基底22、多個(gè)處于該兩基底21及22間的液晶分子26、多條設(shè)置在第二基底22的柵極線25與信號(hào)線27、分別設(shè)置在該第一基底21與第二基底22的共用電極23與多個(gè)像素電極24、分別設(shè)置在該共用電極23與像素電極24上的第一缺口211與第二缺口221，其中，該多個(gè)柵極線25與信號(hào)線27形成多個(gè)矩形像素區(qū)域，該像素區(qū)域可沿垂直于該第二基底22的方向延伸至第一基底21，該第一缺口211與第二缺口221相互平行交錯(cuò)排列，且每一像素區(qū)域內(nèi)的第一缺口211與第二缺口221均是曲線形，該曲線可滿足如下函數(shù)
X＝A sin(πY/L)其中，X、Y分別為水平方向與垂直方向的變量，A為第一缺口211與第二缺口221的水平間距，L為該像素區(qū)域的長度，且0≤Y≤L。
該液晶分子26是介電常數(shù)為負(fù)且各向異性的液晶材料，該共用電極23與像素電極24均采用透明導(dǎo)電材料制成，如氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化鋅錫(Indium Zinc Oxide，IZO)等。另外，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置2還包括配向膜、相位補(bǔ)償膜、偏光裝置等，但均未在圖4、圖5和圖6中示出。
該第二基底22上，多條平行排列的柵極線25與多條平行排列的信號(hào)線27相互垂直，該柵極線25與信號(hào)線27之間設(shè)置有絕緣膜(圖未示)，該柵極線25與信號(hào)線27間的每一交疊處設(shè)置一薄膜晶體管20。該薄膜晶體管20有一源極(圖未示)連接至信號(hào)線27，有一閘極(圖未示)連接至柵極線25，該信號(hào)線27與薄膜晶體管20上設(shè)置有絕緣保護(hù)膜(圖未示)，每兩相鄰的柵極線25與信號(hào)線27形成的像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有像素電極24。
每一像素電極24橫長約為100μm，縱長約為300μm，每一像素電極24上設(shè)置有一曲線形第二缺口221，對(duì)應(yīng)于像素電極24第二缺口的寬度約為7μm。該共用電極23設(shè)置在該第一基底21鄰近液晶分子26一側(cè)，該第一缺口211設(shè)置在該共用電極23鄰近液晶分子26一側(cè)，且該第一缺口211與第二缺口221相互交錯(cuò)平行排列，即對(duì)應(yīng)于一像素區(qū)域，該第一缺口211為一圓弧形。該第一缺口211寬約10μm，高約1.5μm。另外，該第一缺口與第二缺口221的橫截面是梯形。
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D5，是未加電壓時(shí)，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置2所處工作狀態(tài)的示意圖。此狀態(tài)下，薄膜晶體管為OFF狀態(tài)，由于配向膜、第一缺口211與第二缺口221的限制，從而，位于第一缺口211與第二缺口221間的間隙區(qū)域的液晶分子26的取向大致垂直于該第一基底21與第二基底22，位于該第一缺口211與第二缺口221附近的液晶分子26的取向大致垂直于該第一缺口211與第二缺口221的斜面，由于光沿著液晶分子26的分子軸(即液晶分子之光軸)方向傳輸時(shí)，不會(huì)產(chǎn)生雙折射，又因?yàn)榉謩e設(shè)置在該第一基底21與第二基底22的兩偏光裝置的偏光軸相互垂直，所以，此時(shí)該多域垂直取向方式液晶顯示裝置2處于暗態(tài)。
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D6，是加電壓時(shí)，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置2所處工作狀態(tài)的示意圖。此狀態(tài)下，薄膜晶體管為ON狀態(tài)，液晶分子26上施加垂直于第一基底21與第二基底22的電場(chǎng)，由于液晶分子26是介電常數(shù)為負(fù)且各向異性的液晶材料，電場(chǎng)作用下，該液晶分子26將向與電場(chǎng)方向垂直的方向偏轉(zhuǎn)，再加上第一缺口211與第二缺口221的限制，使得該第一基底21與第二基底22間的所有液晶分子26的取向大致垂直于該第二缺口221的斜面。此時(shí)，入射光與液晶分子26的分子軸方向存在一定夾角，從而，該入射光的偏振態(tài)將發(fā)生改變，所以，將有部分光從設(shè)置在該第一基底的偏光裝置出射，即該多域垂直取向方式液晶顯示裝置2處于亮態(tài)。
由于對(duì)應(yīng)于每一像素區(qū)域，該第一缺口211與第二缺口221都是圓弧形，即第一缺口211與第二缺口221都有連續(xù)的彎折角度，從而，當(dāng)共用電極23與像素電極24上加載電壓時(shí)，在垂直于該第一基底21與第二基底22的電場(chǎng)與該第一缺口211與第二缺口221的限制下，液晶分子26將傾斜取向于多個(gè)連續(xù)變化的方向上，所以，無論觀察者從任意角度觀察時(shí)，均可觀察到基本相同的畫像效果，即本發(fā)明的多域垂直取向方式液晶顯示裝置2具有較佳的視角特性。
又由于該第一缺口211與第二缺口221都有多個(gè)連續(xù)變化的彎折角度，從而，在垂直于該第一基底21與第二基底22的電場(chǎng)與該第一缺口211與第二缺口221的限制下，即使位于該第一缺口211與第二缺口221附近的液晶分子26也會(huì)隨著彎折角度的變化而呈現(xiàn)不同的傾斜取向，即不存在現(xiàn)有技術(shù)多域垂直取向方式液晶顯示裝置中無法產(chǎn)生傾斜取向的分子，也即當(dāng)該多域垂直取向方式液晶顯示裝置2處于亮態(tài)時(shí)，不會(huì)存在暗區(qū)，因而相較于現(xiàn)有技術(shù)的多域垂直取向方式液晶顯示裝置，本發(fā)明多域垂直取向方式液晶顯示裝置2具有較佳的畫像品質(zhì)。
本發(fā)明多域垂直取向方式液晶顯示裝置的第二實(shí)施方式如圖7所示，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置3與多域垂直取向方式液晶顯示裝置2的結(jié)構(gòu)基本相同，不同之處在于該多域垂直取向方式液晶顯示裝置3中，每一像素區(qū)域的第一缺口311與第二缺口321都是“S”形曲線。
另外，與第一實(shí)施方式的曲線類似，該“S”形曲線可滿足如下函數(shù)X＝A sin(πY/2L)其中，X、Y分別為水平方向與垂直方向的變量，A為第一缺口311與第二缺口321的水平間距，L為該像素區(qū)域的長度，且0≤Y≤L。
圖7是加電壓時(shí)，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置3所處工作狀態(tài)的示意圖。由于該多域垂直取向方式液晶顯示裝置3中，每一像素區(qū)域的第一缺口311與第二缺口321都是“ S”形，即第一缺口311與第二缺口321都有連續(xù)的彎折角度，且與多域垂直取向方式液晶顯示裝置2的第一缺口211與第二缺口221相比，具有更多的彎折角度，從而，液晶分子36可傾斜取向于更多方向，所以，與多域垂直取向方式液晶顯示裝置2相比，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置3具有更寬廣的視角特性。
本發(fā)明多域垂直取向方式液晶顯示裝置的第三實(shí)施方式如圖8所示，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置4與多域垂直取向方式液晶顯示裝置2的結(jié)構(gòu)基本相同，不同之處在于該多域垂直取向方式液晶顯示裝置4中，每一像素區(qū)域的第一缺口311與第二缺口321都是多個(gè)“S”形組成的波浪形。
另外，與第一實(shí)施方式的曲線類似，該“S”形曲線可滿足如下函數(shù)X＝A sin(πY/(nL))其中，X、Y分別為水平方向與垂直方向的變量，A為第一缺口411與第二缺口421的水平間距，L為該像素區(qū)域的長度，n為大于或者等于1的整數(shù)，且0≤Y≤L。
圖8是加電壓時(shí)，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置4所處工作狀態(tài)的示意圖。由于該多域垂直取向方式液晶顯示裝置4中，每一像素區(qū)域的第一缺口411與第二缺口421都是多個(gè)“S”形組成的波浪形，即第一缺口411與第二缺口421都有連續(xù)變化的彎折角度，且與多域垂直取向方式液晶顯示裝置2的第一缺口211與第二缺口221相比，具有更多的彎折角度，從而，液晶分子46可傾斜取向于更多方向，所以，與多域垂直取向方式液晶顯示裝置2相比，該多域垂直取向方式液晶顯示裝置4具有更寬廣的視角特性。
但是，本發(fā)明多域垂直取向方式液晶顯示裝置并不限于該實(shí)施方式所述，例如該第一缺口與第二缺口的截面可以是矩形或三角形，該基底可以采用玻璃或二氧化硅制成；該絕緣膜可采用氧化硅或氮化硅等絕緣材料制成；該柵極線與信號(hào)線系采用金屬導(dǎo)電材料制成；該多域垂直取向方式液晶顯示裝置的配向膜既可以同時(shí)設(shè)置在第一基底與第二基底上，也可以僅設(shè)置在第一基底或第二基底上；該曲線可以是圓弧形等。
權(quán)利要求
1.一種多域垂直取向方式液晶顯示裝置，包括相對(duì)設(shè)置的第一基底與第二基底、多個(gè)處于該第一基底與第二基底間的液晶分子、多條設(shè)置在第二基底的柵極線與信號(hào)線、分別設(shè)置在該第一基底與第二基底的共用電極與多個(gè)像素電極、多個(gè)設(shè)置在該共用電極的第一缺口和多個(gè)設(shè)置在像素電極上的第二缺口，該多條柵極線與信號(hào)線形成多個(gè)像素區(qū)域，該第一缺口與第二缺口相互平行交錯(cuò)排列，其特征在于對(duì)應(yīng)于每一像素區(qū)域的第一缺口與第二缺口都是曲線形。
2.如權(quán)利要求1所述的多域垂直取向方式液晶顯示裝置，其特征在于該對(duì)應(yīng)于每一像素區(qū)域的第一缺口與第二缺口都是圓弧形。
3.如權(quán)利要求1所述的多域垂直取向方式液晶顯示裝置，其特征在于該對(duì)應(yīng)于每一像素區(qū)域的第一缺口與第二缺口都是“S”形。
4.如權(quán)利要求1所述的多域垂直取向方式液晶顯示裝置，其特征在于該對(duì)應(yīng)于每一像素區(qū)域的第一缺口與第二缺口都是多個(gè)“S”形組成的波浪形。
5.如權(quán)利要求1所述的多域垂直取向方式液晶顯示裝置，其特征在于該對(duì)應(yīng)于每一像素區(qū)域的第一缺口與第二缺口的形狀都是滿足如下函數(shù)的曲線X＝Asin(πY/(nL))其中，X、Y分別為水平方向與垂直方向的變量，A為第一缺口與第二缺口的水平間距，L為該像素區(qū)域的長度，n為大于0的整數(shù)，且0≤Y≤L。
6.一種多域垂直取向方式液晶顯示裝置，包括相對(duì)設(shè)置的第一基底與第二基底、多個(gè)設(shè)置在第二基底的柵極線與信號(hào)線、多個(gè)像素區(qū)域，該像素區(qū)域由柵極線與信號(hào)線形成的區(qū)域沿垂直于第二基底的方向延伸至第一基底而形成，該像素區(qū)域包括設(shè)置在該第一基底上的第一缺口與設(shè)置在第二基底上的第二缺口，該第一缺口與第二缺口相互平行交錯(cuò)排列，其特征在于該第一缺口與第二缺口都具有連續(xù)變化的彎折角度。
7.如權(quán)利要求6所述的多域垂直取向方式液晶顯示裝置，其特征在于該對(duì)應(yīng)于每一像素區(qū)域的第一缺口與第二缺口都是圓弧形。
8.如權(quán)利要求6所述的多域垂直取向方式液晶顯示裝置，其特征在于該對(duì)應(yīng)于每一像素區(qū)域的第一缺口與第二缺口都是“S”形。
9.如權(quán)利要求6所述的多域垂直取向方式液晶顯示裝置，其特征在于該對(duì)應(yīng)于每一像素區(qū)域的第一缺口與第二缺口都是多個(gè)“S”形組成的波浪形。
10.如權(quán)利要求6所述的多域垂直取向方式液晶顯示裝置，其特征在于該對(duì)應(yīng)于每一像素區(qū)域的第一缺口與第二缺口都是滿足如下函數(shù)的曲線X＝Asin(πY/(nL))其中，X、Y分別為水平方向與垂直方向的變量，A為第一缺口與第二缺口的水平間距，L為該像素區(qū)域的長度，n為大于0的整數(shù)，且0≤Y≤L。
全文摘要
一種多域垂直取向方式液晶顯示裝置，包括相對(duì)設(shè)置的第一基底與第二基底、多個(gè)處于該第一基底與第二基底間的液晶分子、多條設(shè)置在第二基底上的柵極線與信號(hào)線、分別設(shè)置在該第一基底與第二基底的共用電極與多個(gè)像素電極、多個(gè)設(shè)置在該共用電極上的第一缺口和多個(gè)設(shè)置在該像素電極上的第二缺口，其中，該多條柵極線與信號(hào)線形成多個(gè)像素區(qū)域，該第一缺口與第二缺口相互平行交錯(cuò)排列，且對(duì)應(yīng)于每一像素區(qū)域的第一缺口與第二缺口都是曲線形。
文檔編號(hào)G02F1/13GK1619368SQ20031011227
公開日2005年5月25日 申請(qǐng)日期2003年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月17日
發(fā)明者陳鵲如, 彭家鵬, 楊秋蓮 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 群創(chuàng)光電股份有限公司