專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件，更具體地說，涉及一種具有在陣列基板上的濾色器層的液晶顯示器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示(LCD)器件是基于液晶材料的光學各向異性和偏振特性被驅(qū)動的。通常，LCD器件包括間隔開并且彼此面對的兩塊基板，以及插在兩塊基板之間的液晶材料層?；灏ū舜嗣鎸Φ碾姌O，其中施加到每個電極上的電壓誘發(fā)在電極之間垂直于基板的電場。通過改變施加的電場的強度或方向來改變液晶材料層的液晶分子的排列。因此，通過根據(jù)液晶分子的排列改變液晶材料層的光透射率，LCD器件可以顯示圖像。
圖1是表示現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件的展開透視圖。如圖1所示，LCD器件11包括稱作濾色器基板的上部基板5和稱作陣列基板的下部基板22，并且還具有插在兩塊基板之間的液晶材料層14。在上部基板5上，以陣列矩陣的形式形成黑底6和濾色器層8，濾色器層8包括多個由黑底6的相應(yīng)部分包圍的紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)濾色器。此外，在上部基板5上形成用來覆蓋濾色器層8和黑底6的公共電極18。
在下部基板22上，形成多個薄膜晶體管(TFT)T，作為對應(yīng)于濾色器層8的陣列矩陣。多個橫向的選通線13垂直地與多個數(shù)據(jù)線15交叉。這些TFT T被設(shè)置為，使得每個TFT T鄰近一個選通線13和一個數(shù)據(jù)線15的交叉點。此外，在由下部基板22的選通線13和數(shù)據(jù)線15之間限定的像素區(qū)P上形成多個像素電極17。像素電極17包括具有高透射率的透明導(dǎo)電材料，例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。
又如圖1所示，存儲電容器CST設(shè)置在每個像素區(qū)P中并且并聯(lián)到該像素的像素電極17上。由作為第一電容器電極的一部分選通線13和作為第二電容器電極的金屬層30構(gòu)成存儲電容器CST。由于金屬層30通過接觸孔連接到像素電極17，所以存儲電容器CST電連接到像素電極17?？梢杂膳c數(shù)據(jù)線15一樣的材料構(gòu)成金屬層30。當制造圖1的LCD器件11時，上部基板5對準下部基板22并與之連接。在該工藝中，由于在連接上部基板5和下部基板22時的誤差容限(error margin)，上部基板5可能與下部基板22不對準并且可能在完成的LCD器件11中會發(fā)生漏光。
圖2是沿圖1的線II-II’的截面圖，顯示了現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示(LCD)器件的一個像素。如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件包括上部基板5、下部基板22和液晶層14。上部基板5和下部基板22彼此間隔開，并且在它們之間插入液晶層14。因為在上部基板5上面形成濾色器層8以及在下部基板22上形成多個陣列元件，所以上部基板5和下部基板22常常被分別稱為陣列基板和濾色器基板。繼續(xù)如圖2所示，在下部基板22的內(nèi)表面上形成薄膜晶體管T，并且在薄膜晶體管T上形成鈍化層40。薄膜晶體管T包括柵電極32、有源層34、源電極36和漏電極38。
參考圖1，柵電極32從選通線13延伸并且源電極36從數(shù)據(jù)線15延伸。由金屬材料形成柵電極32、源電極36和漏電極38，而由硅形成有源層34。在像素區(qū)P中設(shè)置由透明導(dǎo)電材料形成的像素電極17。
如圖2所示，像素電極17接觸漏電極38和金屬層30。如上面所提到的，柵電極13作為存儲電容器CST的第一電極并且金屬層30作為存儲電容器CST的第二電極。因而，柵電極13和金屬層30是存儲電容器CST的一部分。
還參考圖2，在薄膜晶體管T上方，上部基板5與第一基板22間隔開。在上部基板5的背部表面上，在對應(yīng)于薄膜晶體管T和選通線13的位置中設(shè)置黑底6。如圖1所示，黑底6形成在上部基板5的整個表面上并且具有對應(yīng)于下部基板22的像素電極17的開孔。黑底6防止在除用于像素電極17的部分以外的LCD板中漏光。黑底6保護薄膜晶體管T免受光照，以便黑底6阻止薄膜晶體管T中光電流的產(chǎn)生。在上部基板5的背部表面上形成濾色器層8以覆蓋黑底6。每個濾色器層8具有紅色、綠色和藍色之一并且對應(yīng)于設(shè)置有像素電極17的一個像素區(qū)。在上部基板5上方的濾色器層8上設(shè)置由透明導(dǎo)電材料形成的公共電極18。
在上面提到的現(xiàn)有技術(shù)的LCD板中，每個像素電極17對應(yīng)于每個濾色器層。此外，為了防止像素電極17與選通線13和數(shù)據(jù)線15之間的串擾，如圖2所示，像素電極17與數(shù)據(jù)線15間隔距離A并且與選通線13間隔距離C。在LCD器件中，像素電極17與數(shù)據(jù)線15和選通線13之間的開放間隔引起故障，例如漏光。通常，漏光主要發(fā)生在開放間隔A和C中。然而，形成在上部基板5上的黑底6應(yīng)該覆蓋那些開放間隔A和C。但是當把上部基板5相對于下部基板22布置或相反布置時，在上部基板5和下部基板22之間可能發(fā)生未對準。因此，把黑底6延伸，使其覆蓋范圍超出那些開放間隔A和C以外。換句話說，黑底6被設(shè)計為提供一防止漏光的對準余量。然而，當黑底延伸了時，液晶板的孔徑比的減少量與黑底6的對準余量的增加量一樣多。此外，如果黑底6的對準余量有誤差，在開放間隔A和C中就會發(fā)生漏光，并且使LCD器件的圖像品質(zhì)惡化。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供一種具有在陣列基板上的濾色器層的液晶顯示(LCD)器件及其制造方法，充分避免了由現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺陷引起的一個或更多的問題。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種具有高孔徑比的液晶顯示器件。
本發(fā)明的又一個目的是提供一種簡化制造工藝和增加制造產(chǎn)量的液晶顯示器件制造方法。
在接下來的描述將給出本發(fā)明的附加特征和有益效果，這些特征和優(yōu)點部分地可以從該描述中了解，或者可以通過本發(fā)明的實施而掌握。通過說明書和權(quán)利要求及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)或獲得本發(fā)明的目的和其它有益效果。
為了實現(xiàn)這些和其它有益效果并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如所實施并且廣義描述的，一種液晶顯示器件的制造方法，包括如下步驟在基板上形成選通線、柵電極和選通焊盤；在選通線、柵電極和選通焊盤上形成柵極絕緣層；在柵電極上方的柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)焊盤，其中數(shù)據(jù)線與選通線交叉以限定像素區(qū)，源電極和漏電極在半導(dǎo)體層上方彼此間隔開設(shè)置，并且數(shù)據(jù)焊盤設(shè)置在數(shù)據(jù)線的一端，而且其中柵電極、半導(dǎo)體層以及源和漏電極構(gòu)成薄膜晶體管；形成覆蓋薄膜晶體管的鈍化層；在鈍化層上形成黑底，其中黑底具有對應(yīng)于像素區(qū)的開孔并且開孔暴露出一部分漏電極上的鈍化層；通過利用黑底作為蝕刻掩模對鈍化層和柵極絕緣層構(gòu)圖以暴露出該部分漏電極、選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤；在黑底上形成第一透明導(dǎo)電層，其中第一透明導(dǎo)電層接觸該部分漏電極、選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤；在開孔中的第一透明導(dǎo)電層上形成濾色器層；在濾色器層上形成第二透明導(dǎo)電層，第二透明導(dǎo)電層接觸第一透明導(dǎo)電層；以及通過對第一和第二透明導(dǎo)電層構(gòu)圖來形成像素電極、選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子，其中像素電極設(shè)置在像素區(qū)中，選通焊盤端子設(shè)置在選通焊盤上，數(shù)據(jù)焊盤端子設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤上。
在本發(fā)明的另一個方案中，一種液晶顯示器件的制造方法，包括如下步驟在基板上形成選通線、柵電極和選通焊盤；在選通線、柵電極和選通焊盤上形成柵極絕緣層；在柵電極上方的柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極、電容器電極和數(shù)據(jù)焊盤，其中數(shù)據(jù)線與選通線交叉以限定像素區(qū)，源電極和漏電極在半導(dǎo)體層上方彼此間隔開設(shè)置，電容器電極覆蓋部分選通線，并且數(shù)據(jù)焊盤設(shè)置在數(shù)據(jù)線的一端，而且其中柵電極、半導(dǎo)體層以及源和漏電極構(gòu)成薄膜晶體管；形成覆蓋薄膜晶體管的鈍化層；通過對在選通焊盤上方的鈍化層和柵極絕緣層進行構(gòu)圖來形成暴露出選通焊盤的選通焊盤接觸孔；在鈍化層上形成黑底，其中黑底具有對應(yīng)于像素區(qū)的開孔并且開孔暴露出在漏電極和電容器電極的多個部分上的鈍化層；通過利用黑底作為蝕刻掩模選擇性地對鈍化層構(gòu)圖以暴露出漏電極和電容器電極的這些部分和數(shù)據(jù)焊盤；在黑底上形成第一透明導(dǎo)電層，其中第一透明導(dǎo)電層接觸漏電極和電容器電極的這些部分、選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤；在開孔中的第一透明導(dǎo)電層上形成濾色器層；在濾色器層上形成第二透明導(dǎo)電層，第二透明導(dǎo)電層接觸第一透明導(dǎo)電層；以及通過對第一和第二透明導(dǎo)電層構(gòu)圖來形成像素電極、選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子，其中像素電極設(shè)置在像素區(qū)中，選通焊盤端子設(shè)置在選通焊盤上，數(shù)據(jù)焊盤端子設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤上。
在本發(fā)明的另一個方案中，一種液晶顯示器件的制造方法，包括如下步驟在基板上形成選通線、柵電極和選通焊盤；在選通線、柵電極和選通焊盤上形成柵極絕緣層；在柵電極上方的柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極、電容器電極和數(shù)據(jù)焊盤，其中數(shù)據(jù)線與選通線交叉以限定像素區(qū)，源電極和漏電極在半導(dǎo)體層上方彼此間隔開設(shè)置，電容器電極覆蓋一部分選通線，并且數(shù)據(jù)焊盤設(shè)置在數(shù)據(jù)線的一端，而且其中柵電極、半導(dǎo)體層以及源和漏電極構(gòu)成薄膜晶體管；形成覆蓋薄膜晶體管的第一鈍化層；在第一鈍化層上形成黑底，其中黑底具有對應(yīng)于像素區(qū)的第一開孔并且第一開孔暴露出在漏電極和電容器電極的多個部分上的第一鈍化層；在包括黑底的基板的整個表面上形成第二鈍化層；通過對第二鈍化層、第一鈍化層和柵極絕緣層構(gòu)圖來形成第二開孔、選通焊盤接觸孔和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔，其中第二開孔暴露出漏電極和電容器電極的這些部分，選通焊盤接觸孔暴露出選通焊盤，數(shù)據(jù)焊盤接觸孔暴露出數(shù)據(jù)焊盤；在第二鈍化層上形成第一透明導(dǎo)電層，其中第一透明導(dǎo)電層接觸漏電極和電容器電極的這些部分、選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤；在第二開孔中的第一透明導(dǎo)電層上形成濾色器層；在濾色器層上形成第二透明導(dǎo)電層，第二透明導(dǎo)電層接觸第一透明導(dǎo)電層；以及通過對第一和第二透明導(dǎo)電層構(gòu)圖來形成像素電極、選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子，其中像素電極設(shè)置在像素區(qū)中，選通焊盤端子設(shè)置在選通焊盤上，數(shù)據(jù)焊盤端子設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤上。
在本發(fā)明的另一個方案中，一種液晶顯示器件的制造方法，包括如下步驟在基板上形成選通線、柵電極和選通焊盤；在選通線、柵電極和選通焊盤上形成柵極絕緣層；在柵電極上方的柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極、電容器電極和數(shù)據(jù)焊盤，其中數(shù)據(jù)線與選通線交叉以限定像素區(qū)，源電極和漏電極在半導(dǎo)體層上方彼此間隔開設(shè)置，電容器電極覆蓋一部分選通線，并且數(shù)據(jù)焊盤設(shè)置在數(shù)據(jù)線的一端，而且其中柵電極、半導(dǎo)體層以及源和漏電極構(gòu)成薄膜晶體管；形成覆蓋薄膜晶體管的第一鈍化層；在第一鈍化層上形成黑底，其中黑底具有對應(yīng)于像素區(qū)的開孔并且開孔暴露出在漏電極和電容器電極的多個部分上的第一鈍化層；在包括黑底的基板的整個表面上形成第二鈍化層；通過對第二鈍化層、第一鈍化層和柵極絕緣層構(gòu)圖來形成漏接觸孔、電容器接觸孔、選通焊盤接觸孔和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔，其中漏接觸孔暴露出漏電極，電容器接觸孔暴露出電容器電極，選通焊盤接觸孔暴露出選通焊盤，數(shù)據(jù)焊盤接觸孔暴露出數(shù)據(jù)焊盤；在第二鈍化層上形成第一透明導(dǎo)電層，其中第一透明導(dǎo)電層通過漏接觸孔、電容器接觸孔、選通焊盤接觸孔和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔分別地接觸漏電極、電容器電極、選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤；在開孔中的第一透明導(dǎo)電層上形成濾色器層；在濾色器層上形成第二透明導(dǎo)電層，第二透明導(dǎo)電層接觸第一透明導(dǎo)電層；以及通過對第一和第二透明導(dǎo)電層構(gòu)圖來形成像素電極、選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子，其中像素電極設(shè)置在像素區(qū)中，選通焊盤端子設(shè)置在選通焊盤上，數(shù)據(jù)焊盤端子設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤上。
在本發(fā)明的又一個方案中，一種具有陣列基板的液晶顯示器件，包括在基板上的選通線和數(shù)據(jù)線，彼此相交叉以限定像素區(qū)；在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉處的薄膜晶體管，并且該晶體管具有柵電極、源電極和漏電極；在選通線一端處的選通焊盤和在數(shù)據(jù)線一端處的數(shù)據(jù)焊盤；覆蓋薄膜晶體管并且暴露出選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的第一鈍化層；在第一鈍化層上的黑底，其中黑底具有對應(yīng)于像素區(qū)的第一開孔并且第一開孔暴露出一部分漏電極；在像素區(qū)中的黑底上并且接觸該部分漏電極的第一像素電極；在像素區(qū)中的第一像素電極上的濾色器層；在濾色器層上并且接觸第一像素電極的第二像素電極；以及接觸選通焊盤的選通焊盤端子和接觸數(shù)據(jù)焊盤的數(shù)據(jù)焊盤端子。
可以理解前述的總體描述和接下來的詳細描述都是典型的和說明性的并且用于提供權(quán)利要求所述的本發(fā)明的進一步解釋。


該申請含有并結(jié)合了用于提供發(fā)明的更深一層的理解而且構(gòu)成該申請的一部分的附圖，附圖顯示了本發(fā)明的實施例并且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1是顯示現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器件的展開透視圖；圖2是沿圖1的線II-II’的截面圖，顯示了現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示(LCD)器件的一個像素；圖3是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件的陣列基板的示意平面圖；圖4A至4I是沿圖3的線IV-IV’的截面圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的制造陣列基板的工藝步驟；圖5A至5I是沿圖3的線V-V’的截面圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的制造陣列基板的工藝步驟；圖6A至6I是沿圖3的線VI-VI’的截面圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的制造陣列基板的工藝步驟；圖7A至7F、圖8A至8F和圖9A至9F是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的制造陣列基板的工藝步驟的截面圖；圖10A至10E、圖11A至11E和圖12A至12E是顯示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的制造陣列基板的工藝步驟的截面圖；以及圖13A至13E、圖14A至14E和圖15A至15E是顯示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的制造陣列基板的工藝步驟的截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參考附圖中顯示的例子詳細描述本發(fā)明的實施例。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的液晶顯示器的示意平面圖，更具體地，顯示了具有薄膜晶體管上的濾色器(COT)結(jié)構(gòu)的陣列基板。如圖3所示，在第一方向上形成選通線112并且在與第一方向交叉的第二方向上形成數(shù)據(jù)線126。選通線112和數(shù)據(jù)線126彼此交叉并且在它們之間限定像素區(qū)P。在選通線112的一端形成選通焊盤117，在數(shù)據(jù)線126的一端形成數(shù)據(jù)焊盤128。
薄膜晶體管T作為開關(guān)元件形成在鄰近選通線112和數(shù)據(jù)線126彼此交叉處。薄膜晶體管T包括連接到選通線112的用于接收掃描信號的柵電極114、連接到數(shù)據(jù)線126的用于接收數(shù)據(jù)信號的源電極122以及與源電極122間隔開的漏電極124。漏電極124可以連接到像素電極142。
還可以在像素區(qū)P中形成像素電極142。像素電極142與一部分選通線112交疊，使得與像素電極142交疊的部分選通線112成為第一電容器電極116。在第一電容器電極116上方形成由與數(shù)據(jù)線126同樣的材料構(gòu)成的第二電容器電極130，并且電連接到像素電極142。第一和第二電容器電極116和130形成存儲電容器CST形成與選通線112、數(shù)據(jù)線126、薄膜晶體管T和像素電極142的邊緣相對應(yīng)的黑底134，由圖3中的陰影區(qū)標記。黑底134具有對應(yīng)于像素區(qū)P的開孔133。開孔133暴露第二電容器電極130和漏電極124的部分。因此，無需接觸孔，像素電極142可以直接接觸漏電極124和第二電容器電極130。在選通焊盤117和數(shù)據(jù)焊盤128上分別形成選通焊盤端子144和數(shù)據(jù)焊盤端子146?？梢杂膳c像素電極142同樣的材料形成選通焊盤端子144和數(shù)據(jù)焊盤端子146。盡管圖3中沒有示出，還形成對應(yīng)于黑底134的開孔133的濾色器層。
該實施例中的LCD器件包括具有薄膜晶體管上的濾色器(COT)結(jié)構(gòu)的陣列基板。在這樣的COT結(jié)構(gòu)中，由于沒有對準的黑底134和濾色器層與像素電極142形成在同一基板上，可以使黑底134和像素電極142之間的對準余量(alignment margin)最小。在下文中，將參考圖4A至4I、圖5A至5I和圖6A至6I詳細說明用于COT結(jié)構(gòu)的LCD的陣列基板的制造工藝。
圖4A至4I、圖5A至5I和圖6A至6I是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的制造陣列基板的工藝步驟的截面圖。圖4A至4I對應(yīng)于沿圖3的線IV-IV’的截面圖、圖5A至5I對應(yīng)于沿圖3的線V-V’的截面圖、圖6A至6I對應(yīng)于沿圖3的線VI-VI’的截面圖。
參考圖4A、5A和6A，通過淀積第一金屬材料并且然后通過第一掩模工藝對其進行構(gòu)圖來形成柵電極114、選通線112和選通焊盤117，第一掩模工藝是包括使感光材料曝光和顯影的步驟的光刻工藝。一部分選通線112起第一電容器電極116的作用。柵電極114從選通線112延伸，選通焊盤117位于選通線112的一端。
參考圖4B、5B和6B，接下來通過在包括選通線112、柵電極114和選通焊盤117的基板110上方相繼地淀積第一絕緣材料、非晶硅、和摻雜的非晶硅，形成柵極絕緣層118、有源層120a和歐姆接觸層120b。通過第二掩模工藝對摻雜的非晶硅和非晶硅構(gòu)圖。有源層120a和歐姆接觸層120b設(shè)置在柵電極114上方并且構(gòu)成半導(dǎo)體層120。
參考圖4C、5C和6C，通過淀積第二金屬材料并且通過第三掩模工藝對其進行構(gòu)圖來形成源電極122、漏電極124、數(shù)據(jù)線126。在半導(dǎo)體層120上方設(shè)置源電極122和漏電極124并且彼此間隔開。數(shù)據(jù)線126連接到源電極122，并且與選通線112交叉。同時，在柵極絕緣層118上形成數(shù)據(jù)焊盤128和第二電容器電極130。數(shù)據(jù)焊盤128位于數(shù)據(jù)線126的一端。島形的第二電容器電極130設(shè)置在第一電容器電極116上方。柵電極114、半導(dǎo)體、源電極122和漏電極125形成薄膜晶體管T的部分。選通焊盤117和數(shù)據(jù)焊盤128設(shè)置在不顯示圖像的非圖像區(qū)。
接著，通過使用源電極122和漏電極124作為蝕刻掩模除去暴露在源電極122和漏電極124之間的一部分歐姆接觸層120b，以暴露一部分有源層120a。暴露在源電極122和漏電極124之間的該部分有源層120a成為薄膜晶體管T的溝道CH。
參考圖4D、5D和6D，通過使用第二絕緣材料在源電極122和漏電極124、數(shù)據(jù)線126和第二電容器電極130上形成鈍化層132。鈍化層132防止接觸不良，該接觸不良可能在薄膜晶體管T和后來形成的黑底之間發(fā)生。優(yōu)選地，鈍化層132可以由無機材料形成，更優(yōu)選地，鈍化層132由氮化硅(SiNX)形成。
參考圖4E、5E和6E，通過形成光阻材料并且通過第四掩模工藝對其進行構(gòu)圖，在鈍化層132上形成黑底134。黑底134覆蓋除選通焊盤117以外的選通線211。除數(shù)據(jù)焊盤128以外，黑底134覆蓋數(shù)據(jù)線126和薄膜晶體管T。黑底134具有對應(yīng)于像素區(qū)的開孔133。黑底134由不透明的有機材料構(gòu)成。黑底134不僅能阻擋光還能保護薄膜晶體管T。開孔133還暴露漏電極124和第二電容器電極130的部分上的鈍化層132。
參考圖4F、5F和6F，通過使用黑底134作為蝕刻掩模來蝕刻鈍化層132和柵極絕緣層118。同時，數(shù)據(jù)焊盤128和沒有被黑底134覆蓋的漏電極124和第二電容器電極130的部分也作為蝕刻掩模。因此，在數(shù)據(jù)焊盤128以及漏電極124和第二電容器電極130的部分下面的柵極絕緣層128沒有被蝕刻。因此，暴露出基板110、選通焊盤117、數(shù)據(jù)焊盤128以及漏電極124和第二電容器電極130的部分。
參考圖4G、5G和6G，在其上包括黑底134的基板110的整個表面上方形成第一透明導(dǎo)電層136。第一透明導(dǎo)電層136接觸漏電極124和第二電容器電極130的暴露部分。此外，第一透明導(dǎo)電層136接觸選通焊盤117、數(shù)據(jù)焊盤128和暴露的基板110。還沿著黑底134的側(cè)壁形成第一透明導(dǎo)電層136。第一透明導(dǎo)電層136防止用于蝕刻后面將要形成的濾色器的蝕刻劑滲透進入柵極絕緣層118，進而損壞選通線112和柵電極114。
參考圖4H、5H和6H，在黑底134的開孔133中的第一透明導(dǎo)電層136上形成濾色器層138。濾色器層138包括分別使用第五、第六和第七掩模工藝形成的紅色、綠色和藍色濾色器。
參考圖4I、5I和6I，在濾色器層138上形成第二透明導(dǎo)電層140，并且隨后通過第八掩模工藝與第一透明導(dǎo)電層136一起構(gòu)圖以形成像素電極142、選通焊盤端子144和數(shù)據(jù)焊盤端子146，它們每個均包括第一和第二透明導(dǎo)電層136和140。像素電極142設(shè)置在像素區(qū)中并且連接到漏電極124和第二電容器電極130。選通焊盤端子144接觸選通焊盤117，數(shù)據(jù)焊盤端子146接觸數(shù)據(jù)焊盤128。第一和第二電容器電極116和130形成存儲電容器CST。
圖7A至7F、圖8A至8F和圖9A至9F是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的制造陣列基板的工藝步驟的截面圖，并且使用參考圖4A至4D、圖5A至5D和圖6A至6D中論述過的一些同樣的步驟。從而，將省略在圖4A至4D、圖5A至5D和圖6A至6D中也使用的步驟的說明，并且也不再提及掩模工藝的數(shù)目。只要可能，將使用同樣的參考標記指示全部附圖中同樣或類似的部分。
參考圖7A、8A和9A，以關(guān)于圖4A至4D、圖5A至5D和圖6A至6D中的圖4D、5D和6D描述的步驟形成鈍化層232以后，通過除去選通焊盤217上方的鈍化層232和柵極絕緣層218，在鈍化層232和柵極絕緣層218中形成暴露選通焊盤217的選通焊盤接觸孔219。
參考圖7B、8B和9B，通過形成光阻材料并對其進行構(gòu)圖，在鈍化層232上形成黑底234。黑底234覆蓋除選通焊盤217以外的選通線212和除數(shù)據(jù)焊盤228以外的數(shù)據(jù)線226和薄膜晶體管T，并且黑底具有對應(yīng)于像素區(qū)P的開孔233。開孔233暴露出在漏電極224和第二電容器電極230的部分上的鈍化層232。
參考圖7C、8C和9C，通過使用黑底234作為蝕刻掩模來蝕刻鈍化層232。同時，為了僅僅選擇性地除去鈍化層232，控制鈍化層232和柵極絕緣層218的蝕刻選擇性是重要的。例如，即使柵極絕緣層218和鈍化層232可以由同樣的材料形成，但以低于柵極絕緣層218的溫度形成鈍化層232。然后，由于蝕刻鈍化層232比蝕刻柵極絕緣層218快，所以能選擇性地蝕刻鈍化層232。此時，如果由不同的材料形成絕緣層，例如，SiNX/SiOX、SiNX/AlOX、SiNX/TaOX或者SiNX/TiOX的分層結(jié)構(gòu)，絕緣層可以具有與第一實施例同樣的形狀，或者能保留一部分分層材料。因此，暴露出數(shù)據(jù)焊盤228、漏電極224和第二電容器電極230的部分以及柵極絕緣層218。
參考圖7D、8D和9D，在其上包括黑底234的基板210的整個表面上形成第一透明導(dǎo)電層236。第一透明導(dǎo)電層236接觸漏電極224和第二電容器電極230的暴露部分以及數(shù)據(jù)焊盤228。同樣，第一透明導(dǎo)電層236還通過選通焊盤接觸孔219接觸選通焊盤217。在像素區(qū)P中的柵極絕緣層218上設(shè)置第一透明導(dǎo)電層236。這里，沿著黑底234的側(cè)壁形成第一透明導(dǎo)電層236。
參考圖7E、8E和9E，在黑底234的開孔233中的第一透明導(dǎo)電層236上形成濾色器層238。濾色器層238包括紅色、綠色和藍色三種濾色器。黑底234成為這些濾色器之間的邊界。
參考圖7F、8F和9F，在濾色器層238上形成第二透明導(dǎo)電層240并且隨后與第一透明導(dǎo)電層236一起構(gòu)圖以形成像素電極242、選通焊盤端子244和數(shù)據(jù)焊盤端子246，它們中的每一個均包括第一和第二透明導(dǎo)電層236和240。像素電極242設(shè)置在像素區(qū)P中并且連接到漏電極224和第二電容器電極230。選通焊盤端子244設(shè)置并接觸在選通焊盤217上，數(shù)據(jù)焊盤端子246設(shè)置并接觸在數(shù)據(jù)焊盤228上。
在本發(fā)明的第一和第二實施例中，由于第一透明導(dǎo)電層形成并接觸在黑底上，在形成第一透明導(dǎo)電層的工藝期間黑底可能發(fā)生熱氧化。為了防止這種問題，在黑底和第一透明導(dǎo)電層之間可以形成另一個鈍化層。
圖10A至10E、圖11A至11E和圖12A至12E是顯示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的制造陣列基板的工藝步驟的截面圖，并且跟在圖4A至4D、圖5A至5D和圖6A至6D中論述過的步驟之后。因此，將省略圖4A至4D、圖5A至5D和圖6A至6D中的步驟的說明，并且將不再提及掩模工藝的數(shù)目。只要可能，將使用同樣的參考標記指示全部附圖中同樣或類似的部分。
參考圖10A、11A和12A，在圖4D、5D和6D的步驟中形成第一鈍化層332(在圖4D、5D和6D中被稱為鈍化層132)之后，通過形成光阻材料并對其進行構(gòu)圖，在第一鈍化層332上形成黑底334。接著，在包括黑底334的基板310的整個表面上形成第二鈍化層335。如上面所描述地，第二鈍化層335可以防止黑底334的熱氧化。
為了防止黑底的熱氧化，第二鈍化層335可以由通過能在低溫下形成薄膜的等離子增強化學汽相淀積(PECVD)法形成的氮化硅(SiNX)構(gòu)成?？蛇x擇地，第二鈍化層335可以由通過濺射法形成的氮化硅(SiNX)、氧化硅(SiOX)和氮氧化硅(SiOXNy)之一構(gòu)成。由于如果通過PECVD法形成氧化硅(SiOX)和氧氮化硅(SiOXNy)，溫度將升高，所以最好通過濺射法形成氧化硅(SiOX)和氧氮化硅(SiOXNy)。另一種可選擇方式是，第二鈍化層335可以由含有碳(C)的氮氧化物(OXNy)和氮化物(NX)之一構(gòu)成，其可以通過使用3MS(3-甲基硅烷)作為反應(yīng)氣體的PECVD法形成。另外，為了防止外部壓力造成的剝落或變形，優(yōu)選的是，第二鈍化層335具有小于3,000的厚度。更優(yōu)選地，第二鈍化層335可以具有在大約500至大約3,000范圍內(nèi)的厚度。
在各種鈍化材料中，可以通過控制反應(yīng)氣體和電功率而密實地形成氮化硅。在處理期間，密實地形成的氮化硅防止各種溶劑穿透下面的層。優(yōu)選地，通過把氫氣(H2)或氦氣(He)加進硅烷(SiH4)/氨氣(NH3)/氮氣(N2)(這些氣體一般地作為反應(yīng)氣體)，可以在比以前更低的溫度下形成氮化硅。黑底334還可以在更低溫度下形成，例如小于大約250攝氏度，以提高黑底材料的熱穩(wěn)定性。
參考圖10B、11B和12B，通過掩模工藝對第二鈍化層335、第一鈍化層332和柵極絕緣層318進行構(gòu)圖，形成開孔333、選通焊盤接觸孔319和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔329。這里，漏電極324和第二電容器電極330的部分以及數(shù)據(jù)焊盤328作為蝕刻掩模，因此沒有蝕刻在漏電極324和第二電容器電極330的部分以及數(shù)據(jù)焊盤328下面的柵極絕緣層318。開孔333暴露出在像素區(qū)P中的基板310以及漏電極324和第二電容器電極330的部分。選通焊盤接觸孔319暴露出選通焊盤317，數(shù)據(jù)焊盤接觸孔329暴露出數(shù)據(jù)焊盤328。
參考圖10C、11C和12C，在其上包括第二鈍化層335的基板310的整個表面上形成第一透明導(dǎo)電層336。第一透明導(dǎo)電層336不通過接觸孔就可以接觸漏電極324和第二電容器電極330的暴露的部分。而且，第一透明導(dǎo)電層336通過選通焊盤接觸孔319接觸選通焊盤317，通過數(shù)據(jù)焊盤接觸孔329接觸數(shù)據(jù)焊盤328。這里，沿著黑底334的側(cè)壁形成第一透明導(dǎo)電層336。
參考圖10D、11D和12D，在開孔333中的第一透明導(dǎo)電層336上形成濾色器層338。濾色器層338包括紅色、綠色和藍色三個濾色器。黑底334成為這些濾色器之間的邊界。
參考圖10E、11E和12E，在濾色器層338上形成第二透明導(dǎo)電層340并且隨后通過掩模工藝與第一透明導(dǎo)電層336一起構(gòu)圖，以形成像素電極342、選通焊盤端子344和數(shù)據(jù)焊盤端子346，它們中的每一個均包括第一和第二透明導(dǎo)電層336和340。像素電極342設(shè)置在像素區(qū)P中并且連接到漏電極324和第二電容器電極330。選通焊盤端子344設(shè)置在選通焊盤317上并與其接觸，數(shù)據(jù)焊盤端子346設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤328上并與其接觸。
在本發(fā)明的第三實施例中，由于除去了像素區(qū)P中的第二鈍化層335、第一鈍化層332和柵極絕緣層318，所以在形成濾色器層338的區(qū)域和形成黑底334的區(qū)域之間具有一大的臺階。本發(fā)明的第四實施例減小該臺階。
圖13A至13E、圖14A至14E和圖15A至15E是顯示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的制造陣列基板的工藝步驟的截面圖，并且跟在圖4A至4D、圖5A至5D和圖6A至6D中論述過的步驟之后。因此，將省略圖4A至4D、圖5A至5D和圖6A至6D中的步驟的說明，并且將不再提及掩模工藝的數(shù)目。只要可能，將使用同樣的參考標記指示全部附圖中同樣或類似的部分。
參考圖13A、14A和15A，在圖4D、5D和6D的步驟中形成第一鈍化層432(在圖4D、5D和6D中被稱為鈍化層132)之后，通過形成光阻材料并對其進行構(gòu)圖，在第一鈍化層432上形成黑底434。黑底434具有對應(yīng)于像素區(qū)的開孔433。接著，在包括黑底434的基板410的整個表面上形成第二鈍化層435。第二鈍化層435可以由與第三實施例中同樣的方法以同樣的材料構(gòu)成。另外，第二鈍化層435可以具有在大約500至大約3,000范圍內(nèi)的厚度。優(yōu)選地，可以在低于大約250攝氏度的溫度下形成黑底434以提高黑底材料的熱穩(wěn)定性。
參考圖13B、14B和15B，通過掩模工藝對第二鈍化層435、第一鈍化層432和柵極絕緣層418進行構(gòu)圖，形成漏接觸孔437、電容器接觸孔439、選通焊盤接觸孔419和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔429。漏接觸孔437暴露出漏電極424，電容器接觸孔439暴露出第二電容器電極430，選通焊盤接觸孔419暴露出選通焊盤417，數(shù)據(jù)焊盤接觸孔429暴露出數(shù)據(jù)焊盤428。
形成接觸孔的工藝使柵極絕緣層418、第一鈍化層432和第二鈍化層435保留在像素區(qū)P中，減少在后面要形成濾色器層的區(qū)域和形成黑底434的區(qū)域之間的臺階的深度。因此，可以提高其上包括多個層的基板的平整性。
參考圖13C、14C和15C，在其上包括第二鈍化層435的基板410的整個表面上形成第一透明導(dǎo)電層436。第一透明導(dǎo)電層436通過漏接觸孔437、電容器接觸孔439、選通焊盤接觸孔419和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔429分別地接觸漏電極424、第二電容器電極430、選通焊盤417和數(shù)據(jù)焊盤428。這里，沿著黑底434的側(cè)壁形成第一透明導(dǎo)電層436。
參考圖13D、14D和15D，在開孔433中的第一透明導(dǎo)電層436上形成濾色器層438。濾色器層438包括紅色、綠色和藍色三個濾色器。黑底434成為這些濾色器之間的邊界。
參考圖13E、14E和15E，在濾色器層438上形成第二透明導(dǎo)電層440并且然后通過掩模工藝與第一透明導(dǎo)電層436一起構(gòu)圖以形成像素電極442、選通焊盤端子444和數(shù)據(jù)焊盤端子446，它們中的每一個均包括第一和第二透明導(dǎo)電層436和440。像素電極442設(shè)置在像素區(qū)P中并且連接到漏電極424和第二電容器電極430。選通焊盤端子444設(shè)置在選通焊盤417上并與其接觸，數(shù)據(jù)焊盤端子446設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤428上并與其接觸。
因此，在本發(fā)明中，在同一個基板中形成黑底、濾色器層和陣列元件，以便通過使對準余量最小，使液晶顯示器件能具有高的孔徑比。此外，由于通過使用黑底作為蝕刻掩?？梢猿ザ鄠€層而無需掩模工藝，所以減少了制造工藝的數(shù)目并且增加了器件的生產(chǎn)力。另外，由于像素電極具有雙層結(jié)構(gòu)，在陣列基板的制造工藝期間提高了工藝的穩(wěn)定性。此外，在黑底上形成第二鈍化層，使得在陣列基板的制造工藝期間提高了工藝的穩(wěn)定性。由于鈍化層能保留在像素區(qū)中并且像素電極通過接觸孔連接到其它的電極，所以通過減小黑底和濾色器層之間的臺階，提高了基板的平整性。
對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說在不偏離本發(fā)明的精神實質(zhì)和范圍的情況下，顯然可以對本發(fā)明的具有薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的陣列基板的液晶顯示器件及其制造方法做各種修改和變化。因此，本發(fā)明覆蓋落入所附權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變化。
本申請要求2002年12月4日在韓國提交的韓國專利申請No.2002-76724和2002年12月9日在韓國提交的韓國專利申請No.2002-77950的優(yōu)先權(quán)，在這里引入其內(nèi)容供參考。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件的制造方法，包括在基板上形成選通線、柵電極和選通焊盤；在選通線、柵電極和選通焊盤上形成柵極絕緣層；在柵電極上方的柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)焊盤，其中數(shù)據(jù)線與選通線交叉以限定像素區(qū)，源電極和漏電極在半導(dǎo)體層上方彼此間隔開設(shè)置，并且數(shù)據(jù)焊盤設(shè)置在數(shù)據(jù)線的一端，而且其中柵電極、半導(dǎo)體層以及源和漏電極構(gòu)成薄膜晶體管；形成覆蓋薄膜晶體管的鈍化層；在鈍化層上形成黑底，其中黑底具有對應(yīng)于像素區(qū)的開孔并且開孔暴露出一部分漏電極上的鈍化層；通過利用黑底作為蝕刻掩模對鈍化層和柵極絕緣層構(gòu)圖以暴露該部分漏電極、選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤；在黑底上形成第一透明導(dǎo)電層，其中第一透明導(dǎo)電層接觸該部分漏電極、選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤；在開孔中的第一透明導(dǎo)電層上形成濾色器層；在濾色器層上形成第二透明導(dǎo)電層，第二透明導(dǎo)電層接觸第一透明導(dǎo)電層；以及通過對第一和第二透明導(dǎo)電層構(gòu)圖來形成像素電極、選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子，其中像素電極設(shè)置在像素區(qū)中，選通焊盤端子設(shè)置在選通焊盤上，數(shù)據(jù)焊盤端子設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中半導(dǎo)體層包括由非晶硅構(gòu)成的有源層和由摻雜非晶硅構(gòu)成的歐姆接觸層，并且形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和電容器電極的步驟包括通過利用源和漏電極作為蝕刻掩模對歐姆接觸層構(gòu)圖以暴露一部分有源層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一透明導(dǎo)電層接觸像素區(qū)中的基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中鈍化層由無機絕緣材料構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)焊盤的步驟包括形成與一部分選通線交疊的電容器電極的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中形成黑底的步驟包括通過開孔暴露出在一部分電容器電極上的鈍化層；對鈍化層和柵極絕緣層構(gòu)圖的步驟包括暴露出該部分電容器電極；并且在黑底上形成第一透明導(dǎo)電層的步驟包括使第一透明導(dǎo)電層與該部分電容器電極相接觸。
7.一種液晶顯示器件的制造方法，包括在基板上形成選通線、柵電極和選通焊盤；在選通線、柵電極和選通焊盤上形成柵極絕緣層；在柵電極上方的柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極、電容器電極和數(shù)據(jù)焊盤，其中數(shù)據(jù)線與選通線交叉以限定像素區(qū)，源電極和漏電極在半導(dǎo)體層上方彼此間隔開設(shè)置，電容器電極與一部分選通線交疊，并且數(shù)據(jù)焊盤設(shè)置在數(shù)據(jù)線的一端，而且其中柵電極、半導(dǎo)體層以及源和漏電極構(gòu)成薄膜晶體管；形成覆蓋薄膜晶體管的鈍化層；通過對在選通焊盤上方的鈍化層和柵極絕緣層構(gòu)圖來形成暴露出選通焊盤的選通焊盤接觸孔；在鈍化層上形成黑底，其中黑底具有對應(yīng)于像素區(qū)的開孔并且開孔暴露出在漏電極和電容器電極的多個部分上的鈍化層；通過利用黑底作為蝕刻掩模選擇性地對鈍化層構(gòu)圖以暴露出漏電極和電容器電極的這些部分和數(shù)據(jù)焊盤；在黑底上形成第一透明導(dǎo)電層，其中第一透明導(dǎo)電層接觸漏電極和電容器電極的這些部分、選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤；在開孔中的第一透明導(dǎo)電層上形成濾色器層；在濾色器層上形成第二透明導(dǎo)電層，第二透明導(dǎo)電層接觸第一透明導(dǎo)電層；以及通過對第一和第二透明導(dǎo)電層構(gòu)圖來形成像素電極、選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子，其中像素電極設(shè)置在像素區(qū)中，選通焊盤端子設(shè)置在選通焊盤上，數(shù)據(jù)焊盤端子設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中半導(dǎo)體層包括由非晶硅構(gòu)成的有源層和由摻雜非晶硅構(gòu)成的歐姆接觸層，并且形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和電容器電極的步驟包括通過利用源和漏電極作為蝕刻掩模對歐姆接觸層構(gòu)圖以暴露出一部分有源層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中第一透明導(dǎo)電層接觸在像素區(qū)中的柵極絕緣層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中在低于形成柵極絕緣層的溫度下形成鈍化層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中鈍化層由與柵極絕緣層一樣的材料構(gòu)成。
12.一種液晶顯示器件的制造方法，包括在基板上形成選通線、柵電極和選通焊盤；在選通線、柵電極和選通焊盤上形成柵極絕緣層；在柵電極上方的柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極、電容器電極和數(shù)據(jù)焊盤，其中數(shù)據(jù)線與選通線交叉以限定像素區(qū)，源電極和漏電極在半導(dǎo)體層上方彼此間隔開設(shè)置，電容器電極與一部分選通線交疊，并且數(shù)據(jù)焊盤設(shè)置在數(shù)據(jù)線的一端，而且其中柵電極、半導(dǎo)體層以及源和漏電極構(gòu)成薄膜晶體管；形成覆蓋薄膜晶體管的第一鈍化層；在第一鈍化層上形成黑底，其中黑底具有對應(yīng)于像素區(qū)的第一開孔并且第一開孔暴露出在漏電極和電容器電極的多個部分上的第一鈍化層；在包括黑底的基板的整個表面上形成第二鈍化層；通過對第二鈍化層、第一鈍化層和柵極絕緣層構(gòu)圖來形成第二開孔、選通焊盤接觸孔和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔，其中第二開孔暴露出漏電極和電容器電極的這些部分，選通焊盤接觸孔暴露出選通焊盤，數(shù)據(jù)焊盤接觸孔暴露出數(shù)據(jù)焊盤；在第二鈍化層上形成第一透明導(dǎo)電層，其中第一透明導(dǎo)電層接觸漏電極和電容器電極的這些部分、選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤；在第二開孔中的第一透明導(dǎo)電層上形成濾色器層；在濾色器層上形成第二透明導(dǎo)電層，第二透明導(dǎo)電層接觸第一透明導(dǎo)電層；以及通過對第一和第二透明導(dǎo)電層構(gòu)圖來形成像素電極、選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子，其中像素電極設(shè)置在像素區(qū)中，選通焊盤端子設(shè)置在選通焊盤上，數(shù)據(jù)焊盤端子設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中半導(dǎo)體層包括由非晶硅構(gòu)成的有源層和由摻雜非晶硅構(gòu)成的歐姆接觸層，并且形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和電容器電極的步驟包括通過利用源和漏電極作為蝕刻掩模對歐姆接觸層構(gòu)圖以暴露出一部分有源層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中第一透明導(dǎo)電層接觸像素區(qū)中的基板。
15.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中第一鈍化層由無機絕緣材料構(gòu)成。
16.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中第二鈍化層由氮化硅(SiNX)、氧化硅(SiOX)和氮氧化硅(SiOXNy)之一構(gòu)成。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中通過使用硅烷(SiH4)/氨氣(NH3)/氮氣(N2)以及氫氣(H2)和氦氣(He)二者之一形成氮化硅(SiNX)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中第二鈍化層是由利用等離子體增強化學汽相淀積法形成的氮化硅(SiNX)構(gòu)成的。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中第二鈍化層是由利用濺射法形成的氮化硅(SiNX)、氧化硅(SiOX)和氮氧化硅(SiOXNy)之一構(gòu)成的。
20.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中第二鈍化層是由利用3MS(3-甲基硅烷)的等離子體增強化學汽相淀積法形成的含有碳(C)的氮氧化物(OXNy)和氮化物(NX)之一構(gòu)成的。
21.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中第二鈍化層具有在大約500至大約3,000范圍內(nèi)的厚度。
22.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中在低于大約250攝氏度的溫度下形成第二鈍化層。
23.一種液晶顯示器件的制造方法，包括在基板上形成選通線、柵電極和選通焊盤；在選通線、柵電極和選通焊盤上形成柵極絕緣層；在柵電極上方的柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極、電容器電極和數(shù)據(jù)焊盤，其中數(shù)據(jù)線與選通線交叉以限定像素區(qū)，源電極和漏電極在半導(dǎo)體層上方彼此間隔開設(shè)置，電容器電極與一部分選通線交疊，并且數(shù)據(jù)焊盤設(shè)置在數(shù)據(jù)線的一端，而且其中柵電極、半導(dǎo)體層以及源和漏電極構(gòu)成薄膜晶體管；形成覆蓋薄膜晶體管的第一鈍化層；在第一鈍化層上形成黑底，其中黑底具有對應(yīng)于像素區(qū)的開孔并且開孔暴露出在漏電極和電容器電極的多個部分上的第一鈍化層；在包括黑底的基板的整個表面上形成第二鈍化層；通過對第二鈍化層、第一鈍化層和柵極絕緣層構(gòu)圖來形成漏接觸孔、電容器接觸孔、選通焊盤接觸孔和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔，其中漏接觸孔暴露出漏電極，電容器接觸孔暴露出電容器電極，選通焊盤接觸孔暴露出選通焊盤，數(shù)據(jù)焊盤接觸孔暴露出數(shù)據(jù)焊盤；在第二鈍化層上形成第一透明導(dǎo)電層，其中第一透明導(dǎo)電層通過漏接觸孔、電容器接觸孔、選通焊盤接觸孔和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔分別地接觸漏電極、電容器電極、選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤；在開孔中的第一透明導(dǎo)電層上形成濾色器層；在濾色器層上形成第二透明導(dǎo)電層，第二透明導(dǎo)電層接觸第一透明導(dǎo)電層；以及通過對第一和第二透明導(dǎo)電層構(gòu)圖來形成像素電極、選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子，其中像素電極設(shè)置在像素區(qū)中，選通焊盤端子設(shè)置在選通焊盤上，數(shù)據(jù)焊盤端子設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤上。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其中半導(dǎo)體層包括由非晶硅構(gòu)成的有源層和由摻雜非晶硅構(gòu)成的歐姆接觸層，并且形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和電容器電極的步驟包括通過利用源和漏電極作為蝕刻掩模對歐姆接觸層構(gòu)圖以暴露出一部分有源層。
25.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其中第二鈍化層由氮化硅(SiNX)、氧化硅(SiOX)和氮氧化硅(SiOXNy)之一構(gòu)成。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中通過使用硅烷(SiH4)/氨氣(NH3)/氮氣(N2)以及氫氣(H2)和氦氣(He)二者之一形成氮化硅(SiNX)。
27.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中第二鈍化層是由利用等離子體增強化學汽相淀積法形成的氮化硅(SiNX)構(gòu)成的。
28.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中第二鈍化層是由利用濺射法形成的氮化硅(SiNX)、氧化硅(SiOX)和氮氧化硅(SiOXNy)之一構(gòu)成的。
29.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其中第二鈍化層是由利用3MS(3-甲基硅烷)的等離子體增強化學汽相淀積法形成的包含碳(C)的氮氧化物(OXNy)和氮化物(NX)之一構(gòu)成的。
30.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其中第二鈍化層具有在大約500至大約3,000范圍內(nèi)的厚度。
31.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其中在低于大約250攝氏度的溫度下形成第二鈍化層。
32.一種具有陣列基板的液晶顯示器件，包括在基板上的選通線和數(shù)據(jù)線，彼此相交叉以限定像素區(qū)；在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉處的薄膜晶體管，并且該薄膜晶體管具有柵電極、源電極和漏電極；在選通線一端處的選通焊盤和在數(shù)據(jù)線一端處的數(shù)據(jù)焊盤；覆蓋薄膜晶體管并且暴露出選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的第一鈍化層；在第一鈍化層上的黑底，其中黑底具有對應(yīng)于像素區(qū)的第一開孔并且第一開孔暴露出一部分漏電極；在像素區(qū)中的黑底上并且接觸該部分漏電極的第一像素電極；在像素區(qū)中的第一像素電極上的濾色器層；在濾色器層上并且接觸第一像素電極的第二像素電極；以及接觸選通焊盤的選通焊盤端子和接觸數(shù)據(jù)焊盤的數(shù)據(jù)焊盤端子。
33.根據(jù)權(quán)利要求32的器件，其中第一像素電極接觸在像素區(qū)中的基板。
34.根據(jù)權(quán)利要求32的器件，其中鈍化層由無機絕緣材料構(gòu)成。
35.根據(jù)權(quán)利要求32的器件，還包括與一部分選通線交疊的電容器電極，該電容器電極由與數(shù)據(jù)線一樣的材料構(gòu)成。
36.根據(jù)權(quán)利要求35的器件，其中第一開孔通過鈍化層暴露出一部分電容器電極并且第一像素電極接觸該部分電容器電極。
37.根據(jù)權(quán)利要求32的器件，還包括在黑底和第一像素電極之間的第二鈍化層。
38.根據(jù)權(quán)利要求37的器件，其中第二鈍化層包括通過第一鈍化層暴露該部分漏電極的第二開孔。
39.根據(jù)權(quán)利要求37的器件，其中第二鈍化層包括通過第一鈍化層暴露一部分漏電極的漏接觸孔。
40.根據(jù)權(quán)利要求39的器件，其中第一像素電極接觸在像素區(qū)中的第二鈍化層。
41.根據(jù)權(quán)利要求37的器件，其中第二鈍化層包括暴露出選通焊盤的選通焊盤接觸孔和暴露出數(shù)據(jù)焊盤的數(shù)據(jù)焊盤接觸孔。
42.根據(jù)權(quán)利要求37的器件，其中第二鈍化層由氮化硅(SiNX)、氧化硅(SiOX)和氮氧化硅(SiOXNy)之一構(gòu)成。
43.根據(jù)權(quán)利要求37的器件，其中第二鈍化層具有在大約500至大約3,000范圍內(nèi)的厚度。
全文摘要
一種液晶顯示器件的制造方法，包括如下步驟來形成液晶顯示器通過利用黑底作為蝕刻掩模對鈍化層和柵極絕緣層構(gòu)圖以暴露部分漏電極、選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤；在黑底上形成第一透明導(dǎo)電層，其中第一透明導(dǎo)電層接觸該部分漏電極、選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤；在開孔中的第一透明導(dǎo)電層上形成濾色器層；在濾色器層上形成第二透明導(dǎo)電層，第二透明導(dǎo)電層接觸第一透明導(dǎo)電層；以及通過對第一和第二透明導(dǎo)電層構(gòu)圖來形成像素電極、選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子，其中像素電極設(shè)置在像素區(qū)中，選通焊盤端子設(shè)置在選通焊盤上，數(shù)據(jù)焊盤端子設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤上。
文檔編號G02F1/1333GK1504819SQ20031011940
公開日2004年6月16日 申請日期2003年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月4日
發(fā)明者金雄權(quán), 金世埈, 李種會 申請人:Lg.飛利浦Lcd有限公司