專利名稱：有源矩陣顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有源矩陣顯示裝置，包括第一和第二基板；設(shè)置在第一與第二基板之間的電光材料；顯示像素陣列，該顯示像素陣列包括與地址導(dǎo)線組一起設(shè)置在第一基板上的像素電極和相關(guān)的開(kāi)關(guān)，和設(shè)置在第二基板上的公共電極，每個(gè)像素電極與公共電極的重疊部分以及設(shè)置在它們之間的電光材料一起限定一個(gè)像素；以及與地址導(dǎo)線組相連、用于向像素陣列施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)裝置。
背景技術(shù)：
一種普通的這類顯示裝置為AMLCD(有源矩陣液晶顯示器)。在US-A-5130829中描述了這類顯示器的一個(gè)典型的例子，該專利的內(nèi)容在此引作參考材料。在這種顯示器中，顯示像素陣列設(shè)置成行和列，每個(gè)像素包括由夾在像素電極與所有像素共有的反電極部分之間的LC材料形成的構(gòu)成像素的電光單元，和相關(guān)的薄膜晶體管(TFT)。
這類顯示裝置常用在例如監(jiān)視器、TV、膝上型計(jì)算機(jī)、PDA和移動(dòng)電話中。
像素的TFT通常包括，使用公知的薄膜處理技術(shù)，與像素電極和地址導(dǎo)線組一起，在該裝置的通常是玻璃的一個(gè)基板上形成的非晶硅(a-Si)型TFT或多晶硅或微晶硅型TFT，其中薄膜處理技術(shù)一般包括使用例如CVD(化學(xué)汽相沉積)和光刻技術(shù)沉積和構(gòu)圖各種導(dǎo)體、絕緣和半導(dǎo)體層。在裝置采用a-Si TFT時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路，例如為一組行地址導(dǎo)線提供選擇(掃描)信號(hào)的行驅(qū)動(dòng)器電路，通常設(shè)置成一個(gè)或多個(gè)硅IC的形式?？赏ㄟ^(guò)例如用于連接IC的輸出端與相應(yīng)地址導(dǎo)線的薄膜連接器，將這些IC設(shè)置在與顯示裝置基板分離的PCB上。已知還可以將驅(qū)動(dòng)器IC安裝在與地址導(dǎo)線相連的柔性薄膜上。這樣就可以降低成本，不過(guò)通常依然采用PCB以便提供低電阻電源線和IC之間的互連。取而代之，例如可使用COG(玻璃上芯片)技術(shù)，沿著像素陣列的一個(gè)或多個(gè)邊緣，將驅(qū)動(dòng)器IC直接安裝到裝置的一個(gè)基板上。當(dāng)像素使用多晶或微晶硅TFT時(shí)，通過(guò)由薄膜電路元件形成電路，并且由來(lái)自共同的沉積層的TFT和像素陣列的其他部件同時(shí)構(gòu)成這些元件，可方便地將驅(qū)動(dòng)電路集成到裝置中裝載有源矩陣電路的基板上的一個(gè)或多個(gè)邊緣處。不過(guò)，在后兩種將驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置在裝置基板上的方法中，由于與PCB上所形成的連線的電阻相比，玻璃基板上的連線具有更高電阻，會(huì)發(fā)生問(wèn)題。在例如具有20英寸對(duì)角線或更大尺寸的比較大面積的AMLCD中，這些問(wèn)題尤為顯著。輸送給像素陣列中某些部件的電壓必須很好地定義并且是穩(wěn)定的，否則所產(chǎn)生的圖像的質(zhì)量會(huì)降低。尤其是在輸送更大電流的導(dǎo)線中，連線電阻，會(huì)影響這些電壓，在顯示圖像中引起可見(jiàn)的贗象。例如，可能引起縱向串?dāng)_效應(yīng)，或者可能引起更長(zhǎng)范圍的非均勻性問(wèn)題如像素的地址TFT的柵電壓改變?cè)陲@示圖像中導(dǎo)致閃爍。此外，陣列上參考電壓大小的改變，有可能產(chǎn)生從顯示圖像的頂部到底部的明暗帶狀效應(yīng)。
通過(guò)這種方式受到嚴(yán)重影響的、引起不希望的顯示贗象的一個(gè)具體特征，是與像素存儲(chǔ)電容線的連接。存儲(chǔ)電容通常用在AMLCD的像素中，有助于在其尋址后直至下一次被尋址的周期內(nèi)(通常相當(dāng)于一幀周期)，在像素上保持所需的電壓，從而保持其顯示輸出。像素的存儲(chǔ)電容的一側(cè)與TFT漏極和像素電極之間的節(jié)點(diǎn)相連，其另一側(cè)與參考電勢(shì)相連，其中參考電勢(shì)可以為與相鄰(前或后)像素行有關(guān)的行地址導(dǎo)線(柵線)，或者可替代連接到沿行方向延伸且由同一行中所有像素共享的輔助導(dǎo)線。這些輔助導(dǎo)線彼此相互連接，構(gòu)成電容線。在這種電容線連接中引入例如5至10歐姆這樣低的電阻，會(huì)在顯示圖像中產(chǎn)生可見(jiàn)的贗象。形成在玻璃基板上的電連線，通常導(dǎo)致高達(dá)100歐姆的電阻，從而可能不能被接受。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供一種有源矩陣顯示裝置，包括第一和第二基板，設(shè)置在第一與第二基板之間的電光材料，顯示像素陣列，該顯示像素陣列包括與地址導(dǎo)線組一起設(shè)置在第一基板上的像素電極和相關(guān)的開(kāi)關(guān)，和設(shè)置在第二基板上的公共電極，每個(gè)像素電極與公共電極的重疊部分以及設(shè)置在它們之間的電光材料一起限定一個(gè)像素；以及與地址導(dǎo)線組相連、用于向像素陣列施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)裝置，該驅(qū)動(dòng)裝置包括設(shè)置在第一基板上且包括導(dǎo)線的驅(qū)動(dòng)電路，處于第二基板上、與第一基板上的至少一條導(dǎo)線電連接的公共電極，所述導(dǎo)線為公共電極提供驅(qū)動(dòng)電壓，并且利用第二基板上的公共電極，在一條導(dǎo)線與設(shè)置在第一基板上的至少另一電路元件之間提供電連接。
驅(qū)動(dòng)電路可以為在像素陣列區(qū)域外面的外圍邊緣區(qū)域處安裝在第一基板上的一個(gè)或多個(gè)IC的形式，或者可包括也是在外圍邊緣區(qū)域處集成在第一基板上的薄膜電路，其通過(guò)已知方式由與同像素有關(guān)的且位于同一沉積薄膜層的有源矩陣電路同時(shí)地構(gòu)成。作為另一個(gè)可選擇的方案，驅(qū)動(dòng)電路可包括安裝在固定于第一基板上且由第一基板支撐的薄膜導(dǎo)線上的一個(gè)或多個(gè)IC，使其導(dǎo)電線路或?qū)Ь€與直接設(shè)置在基板上的電路相連。這樣有利于更換有故障的IC。
通過(guò)這種方式使用公共電極進(jìn)行電連接，有利于避免上面所述的連線電阻問(wèn)題。通常包括諸如ITO之類的透明導(dǎo)電材料的公共電極，具有相對(duì)較低的薄膜電阻。一般，如果ITO層由金屬黑色掩模柵格支撐并與其電接觸，則薄膜電阻可以為幾歐姆這樣低。在大部分AMLCD中在公共電極基板上都存在這種柵格，其主要作用是在各像素周?chē)纬刹煌腹獾倪吔纾乐构獯當(dāng)_，并且在有些情況下F還使像素TFT不受光的影響。
在AMLCD中，一個(gè)基板上的公共電極一般利用一個(gè)或多個(gè)連線，例如通過(guò)在例如一個(gè)基板的邊緣處橋接顯示區(qū)域外部?jī)苫逯g的間隙的銀糊形成的所謂轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)，與另一基板上的偏壓源相連。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，按照相同的方式，即使用橋接兩基板之間間隙的諸如銀糊的導(dǎo)電材料，在第二基板上的公共電極與第一基板上的導(dǎo)線之間，以及公共電極與第一基板上有關(guān)其他電路元件的電接觸區(qū)域之間，形成電連線。最好，在兩個(gè)基板之間例如沿著第二基板的相對(duì)邊緣設(shè)置多個(gè)間隔開(kāi)的橋接連線。
在一個(gè)特定的實(shí)施例中，上述其他電路元件包括存儲(chǔ)電容線，在此情形中，將設(shè)置在第一基板上的像素行的各存儲(chǔ)電容行線部分連接在一起的電容連線，設(shè)置在第一基板上該陣列的一側(cè)處，例如靠近第二基板的一個(gè)邊緣，或者在陣列的兩個(gè)相對(duì)側(cè)的每一側(cè)處，并且該連線形成用于橋接連線的接觸區(qū)域。還可以利用通過(guò)公共電極實(shí)現(xiàn)相互連接的這種便捷性，為有源板上需要相應(yīng)電壓電平的其他電路元件供電。
盡管對(duì)于AMLCD特別感興趣，不過(guò)該裝置可使用除液晶材料之外的電光材料，例如電泳或電致變色材料。


現(xiàn)在將參照所附的示意圖，通過(guò)例子描述根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣顯示裝置的實(shí)施例，具體來(lái)說(shuō)是AMLCD，在附圖中圖1表示通過(guò)本發(fā)明AMLCD實(shí)施例一部分的高度簡(jiǎn)化的橫截面視圖；圖2表示圖1中AMLCD的等效電路；圖3是示例性AMLCD的平面圖，說(shuō)明某些部件的一種已知的排列；和圖4為圖1中AMLCD的實(shí)施例的平面圖，表示該裝置的某些特征和部件。
可知，附圖都僅僅是示意性的，并非依照比例繪出。在附圖中使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似部件。
具體實(shí)施例方式
參照?qǐng)D1，AMLCD通常具有以下常規(guī)結(jié)構(gòu)具有顯示像素8的矩陣陣列，并包括間隔開(kāi)的通常為玻璃的第一和第二基板10和12，在基板之間設(shè)置液晶材料層14。圖中僅示出了該結(jié)構(gòu)的相當(dāng)小的一部分?；?0通常稱作有源板，設(shè)有位于相交的行和列地址導(dǎo)線組18和20的各交點(diǎn)附近的各像素電極的行和列陣列，在圖中僅能看見(jiàn)列地址導(dǎo)線20。每個(gè)像素電極16與相應(yīng)的TFT形式的開(kāi)關(guān)裝置(薄膜晶體管)22相連(圖1中未示出)，其中開(kāi)關(guān)裝置22包括非晶硅或多晶硅型FET。基板10上包括電極16，地址導(dǎo)線18、20和TFT 22的有源矩陣電路，被LC(液晶)取向?qū)?4覆蓋。
另一基板12通常稱作無(wú)源板，設(shè)有由諸如ITO之類的透明導(dǎo)電材料制成的連續(xù)的公共或反電極26，其與像素電極16的陣列共同延伸，并通過(guò)LC取向?qū)?8與液晶層14分隔開(kāi)。公共電極26與包括與電極16的陣列的各電極16對(duì)準(zhǔn)的紅、綠和藍(lán)濾色器元件30陣列，柵格狀不透光黑色掩模層31的結(jié)構(gòu)重疊，掩模層部分按照已知方式在各濾色器元件30之間延伸并且分隔各濾色器元件30。
每個(gè)像素電極16與公共電極26的相應(yīng)重疊部分，相應(yīng)的濾色器元件30以及介于其間的LC材料一起，限定一個(gè)像素，像素同其相關(guān)的TFT 22一起構(gòu)成顯示像素8。
兩個(gè)基板10與12通過(guò)間隔元件(未示出)保持所需的間隔，并通過(guò)密封劑32在像素陣列的周?chē)芊庠谝黄穑园琇C材料，并且密封劑32還限定了像素陣列的邊界。
現(xiàn)在參照?qǐng)D2，圖2表示顯示裝置的等效電路，每個(gè)像素電極16與其相關(guān)TFT 22的漏極相連。同一行中所有像素8的TFT 22的控制極都與相應(yīng)行地址導(dǎo)線18相連。同一列中所有像素8的TFT 22的源極都與相應(yīng)列地址導(dǎo)線20相連。每個(gè)顯示像素8還包括存儲(chǔ)電容35，按照已知的方式，其一側(cè)與其像素電極16與TFT 22之間的節(jié)點(diǎn)相連，其另一側(cè)與同一行中所有像素共享且設(shè)置成在行方向延伸的輔助行導(dǎo)線形式的電容線36相連。與所有像素行有關(guān)的電容行線36，在像素陣列區(qū)域的外部，通過(guò)沿陣列相對(duì)兩側(cè)延伸的電容連線37，在兩端處連接在一起。在裝置操作期間，適當(dāng)?shù)膮⒖茧娫磁c這些連線相連，以便向存儲(chǔ)電容提供所需的操作偏壓。
該裝置通常按照常規(guī)方式操作。簡(jiǎn)言之，行和列地址導(dǎo)線組18和20在其端部處分別與行和列驅(qū)動(dòng)電路40和42相連。利用包括例如數(shù)字移位寄存器電路的行驅(qū)動(dòng)器電路40，在一次一行的基礎(chǔ)上驅(qū)動(dòng)像素陣列，用選擇(選通)脈沖信號(hào)相繼地掃描行地址導(dǎo)線18，以便在各個(gè)行尋址周期內(nèi)依次使每行像素8的TFT 22導(dǎo)通。列驅(qū)動(dòng)器電路42依次適當(dāng)?shù)那遗c行選擇信號(hào)同步地，將用于每一行像素的數(shù)據(jù)(視頻)信號(hào)輸送給列地址導(dǎo)線20，從而根據(jù)所輸送數(shù)據(jù)信號(hào)的大小驅(qū)動(dòng)每行中的像素。使用一次一行尋址方法，被尋址行的所有TFT 22都通過(guò)相關(guān)行導(dǎo)線18上的選擇信號(hào)而導(dǎo)通，并且導(dǎo)通的時(shí)間周期與該信號(hào)的持續(xù)時(shí)間相應(yīng)，在該期間內(nèi)從列導(dǎo)線20傳送數(shù)據(jù)信號(hào)，以將像素電極16和其相關(guān)的存儲(chǔ)電容35充電。在選擇信號(hào)結(jié)束時(shí)，像素行的TFT被截止，將像素與列導(dǎo)線20隔離，并確保所施加的電荷保存在像素和存儲(chǔ)電容中，直至下一次尋址像素時(shí)為止。在一幀周期內(nèi)通過(guò)這種方式依次尋址所有像素行，產(chǎn)生完整的顯示圖像，并在連續(xù)的幀周期中按照相同的方式重復(fù)尋址。每個(gè)像素根據(jù)所施加的數(shù)據(jù)信號(hào)調(diào)制通過(guò)該像素的光，其中所施加的數(shù)據(jù)信號(hào)決定其透射性質(zhì)。該裝置可工作在透射模式，在該模式中像素電極16和公共電極26均由透明導(dǎo)電材料形成，或者可工作于反射模式，在反射模式中公共電極或像素電極可由反光材料形成。
行驅(qū)動(dòng)器電路40的定時(shí)操作受定時(shí)和控制電路44的控制，定時(shí)和控制電路44還負(fù)責(zé)控制列驅(qū)動(dòng)器電路42的操作時(shí)序。列驅(qū)動(dòng)器電路42可為任何常規(guī)類型，并且可以為模擬或數(shù)字型。在前一種情形中，列驅(qū)動(dòng)器電路42可例如包括一個(gè)或多個(gè)移位寄存器/采樣和保持電路，通過(guò)定時(shí)和控制電路44與行掃描同步地向其輸送視頻信號(hào)和定時(shí)脈沖，提供適當(dāng)?shù)拇⑿修D(zhuǎn)換。
在裝置操作過(guò)程中，公共電極26和電容連線37保持在恒定的參考電勢(shì)，例如地電勢(shì)?；蛘?，根據(jù)已知驅(qū)動(dòng)機(jī)制，可調(diào)制電極26上的電壓，減小來(lái)自列驅(qū)動(dòng)電路42的所需的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓范圍，并使電容連線37的電壓按照相應(yīng)的方式改變。在此情形中，調(diào)制施加給行地址導(dǎo)線18的波形，使非選擇柵截止電平同樣被調(diào)制相應(yīng)大小，以保證在選擇間隔中像素的地址TFT 22保持完全截止，避免所不希望的電容耦合效應(yīng)。
根據(jù)以上所述，可知該裝置的一般結(jié)構(gòu)和操作方面遵從熟知的慣例，從而并未進(jìn)行詳細(xì)描述。例如，從US-A-5130829可獲得這些方面的進(jìn)一步細(xì)節(jié)。
圖3表示行和列驅(qū)動(dòng)器電路40和42的一種已知設(shè)置方式。其中，上述電路均包括安裝在各個(gè)薄膜連接器82上的一組單獨(dú)的硅IC或芯片80、90，薄膜連接器82包括裝有導(dǎo)電線路的柔性膜，其與芯片輸出端中的相應(yīng)一個(gè)相接觸。基板12在物理上小于基板10，并安裝到基板10上，從而露出基板10的周?chē)吘墔^(qū)域。薄膜連接器82的一側(cè)被粘接到基板10的這些邊緣區(qū)域，在該處線路與地址導(dǎo)線18、20的相應(yīng)延伸部分電連接，并且其另一側(cè)與分別用于行驅(qū)動(dòng)器芯片組80和列驅(qū)動(dòng)器芯片組90的PCB(印刷電路板)84、86連接。PCB 84和86分別裝設(shè)有與所述芯片組相關(guān)的低電阻導(dǎo)線，如用于電壓分布的導(dǎo)軌(power rail)，其必須為低電阻，以避免電流流過(guò)它們時(shí)電壓降落，PCB 84和86還設(shè)有定時(shí)信號(hào)線。通過(guò)位于密封線外部且靠近基板12的邊緣處在兩基板之間延伸的一個(gè)或多個(gè)轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)，如圖1中92所示，實(shí)現(xiàn)基板10與第二基板12上所設(shè)置的公共電極26的電連接。在圖3的裝置中，在基板12的相鄰角部處設(shè)置兩個(gè)轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)92。轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)通常包括銀糊材料，其在基板12上與公共電極的延伸部分相接觸，在基板10上與導(dǎo)電線路相接觸，具有用于公共電極的參考電勢(shì)。這類裝置的缺點(diǎn)在于，實(shí)現(xiàn)起來(lái)比較昂貴。此外，鑒于使用了外圍薄膜連接器和PCB，其尤其不適于制造小型顯示裝置。
在一種可選擇的已知裝置中，構(gòu)成行驅(qū)動(dòng)電路的芯片80改為采用例如COG技術(shù)和使用基板10上形成的導(dǎo)體線路，直接安裝在基板10的邊緣區(qū)域上，以提供PCB 84的相互連接功能，從而無(wú)需PCB。構(gòu)成列驅(qū)動(dòng)器電路的芯片90可按照相同的方式安裝到基板10的邊緣上。
圖4表示根據(jù)本發(fā)明的AMLCD實(shí)施例的平面示意圖。在該特定示例中，在顯示像素中使用非晶硅型TFT，并且行和列驅(qū)動(dòng)器電路40和42分別包括相互間隔開(kāi)設(shè)置成一行的多個(gè)芯片(IC)80，90。芯片80和90安裝在像素陣列區(qū)域和密封線外部基板10的相應(yīng)邊緣區(qū)域上，并且沿像素陣列的相鄰邊設(shè)置。使用任何適當(dāng)?shù)囊阎夹g(shù)，例如COG，將芯片安裝到基板上，使芯片的各輸出端按照公知的方式與行和列地址導(dǎo)線組18和20的相應(yīng)延伸部分(未示出)電接觸。在基板10的表面上形成沿邊緣區(qū)域延伸的互連芯片的電導(dǎo)線，該電導(dǎo)線在輸送電能和定時(shí)信號(hào)以及為列驅(qū)動(dòng)器芯片90輸送視頻數(shù)據(jù)信號(hào)方面，實(shí)現(xiàn)與上述已知裝置中PCB的線路相同的一般功能。為了簡(jiǎn)化，圖4中僅用95表示出一條這類線路95，線路95沿著行驅(qū)動(dòng)器芯片行80延伸。在基板12的每個(gè)角部附近設(shè)置一個(gè)轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)92，轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)將公共電極26在其四個(gè)角部處與也是設(shè)置在基板10上的驅(qū)動(dòng)電壓輸送線路96相連，每個(gè)轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)92與這樣一條供電線路的相應(yīng)接觸區(qū)域重疊和電接觸。
按照與轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)92相同的方式，沿著基板12的兩相對(duì)邊緣還間隔設(shè)置了在兩基板10與12之間延伸且處于基板12的邊緣處的附加的橋接點(diǎn)100，在所示示例中在基板12的相對(duì)邊緣的每一側(cè)上設(shè)置一連串三個(gè)附加的接觸點(diǎn)100，不過(guò)這種接觸點(diǎn)的數(shù)量可改變。這些與轉(zhuǎn)接觸點(diǎn)92同樣形成的，例如由銀糊形成的橋接點(diǎn)100，限定了基板10與12之間的連接點(diǎn)。在基板12處其與公共電極26接觸，或者與公共電極26的向外伸出延伸部分接觸，而在基板10處設(shè)置成與電容連線37的一部分重疊和電接觸，為此電容連線37設(shè)置成平行于并且近似在基板12的所述相對(duì)邊緣下面，沿基板10的對(duì)應(yīng)邊緣區(qū)域延伸。在所示實(shí)施例中，使用相同的導(dǎo)電線路構(gòu)成電容連線37和線路96，線路96向陣列每一側(cè)上的轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)92輸送驅(qū)動(dòng)電壓。線路96/37通過(guò)薄膜連接器82與列驅(qū)動(dòng)器PCB 86’相連，其中列驅(qū)動(dòng)器PCB 86’設(shè)有公共電極驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生電路。如102所示，由PCB 86’與外部電路進(jìn)行連接，用于提供例如電源、視頻信號(hào)等。
按照這種方式，除了公共電極26的用作陣列像素的第二電極的常用功能以外，利用公共電極26提供為基板10上的有源矩陣電路元件供電的功能，在此情形中，向電源線36提供所需的電勢(shì)并為基板10上所設(shè)置的連線37補(bǔ)充電能。這樣就避免了在使用中，由于連線37的性質(zhì)和其固有電阻而遇到的問(wèn)題。在玻璃上由薄膜導(dǎo)電材料形成的這些線路，與例如PCB的厚得多的導(dǎo)電線路相比，具有低電導(dǎo)率。如上所述，為了產(chǎn)生高質(zhì)量顯示圖像，特別重要的是存儲(chǔ)電容35的參考電勢(shì)被良好定義且是穩(wěn)定的。電容線中引入例如5歐姆這樣低的電阻，會(huì)導(dǎo)致非常顯著的不希望的顯示贗像，并且玻璃基板10上的連線易于達(dá)到100歐姆的連接電阻。公共電極26通常具有有效的低薄膜電阻，例如在使用金屬黑色掩模層31的情形中僅為幾歐姆左右，其中黑色掩模層31直接與公共電極26的ITO材料電接觸。利用公共電極26通過(guò)轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)92與偏壓源相連這一實(shí)際情況，多個(gè)附加的橋接點(diǎn)100的存在實(shí)現(xiàn)一條低電阻路徑能向基板10上的存儲(chǔ)電容線36提供所需的偏壓。
為了有助于使公共電極26的薄膜電阻和與存儲(chǔ)電容線26的連接電阻最小，黑色掩模層31最好由諸如鋁、銅或銀合金的低電阻合金制成。
與上述用于為電容線提供低電阻互連的相同的原理，可用于基板10上的其他電路部件，其中需要與公共電極的偏壓電勢(shì)相等的偏壓電勢(shì)。例如，這種附加的相互連接可用作列驅(qū)動(dòng)電路電壓電平的參考，或者用于提供適當(dāng)?shù)南鄳?yīng)大小的波形，通過(guò)行驅(qū)動(dòng)器電路40施加給行地址導(dǎo)線18’。
通過(guò)這種方式使用公共電極26，無(wú)需提供與行驅(qū)動(dòng)器電路相關(guān)的單獨(dú)的PCB，如圖3中84所示。該技術(shù)還使與列驅(qū)動(dòng)器電路有關(guān)的PCB簡(jiǎn)化且物理上更小，如圖4中86’所示，其中公共電極26還用于實(shí)現(xiàn)前面使用PCB導(dǎo)線所實(shí)現(xiàn)的某些連接功能?？墒褂门c觸點(diǎn)100類似的、在基板10與12之間沿著基板12的上側(cè)邊緣的另一組附加的橋接點(diǎn)100’實(shí)現(xiàn)這一目的。
便于使用任何適當(dāng)?shù)挠糜谛纬蛇@種轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)的公知技術(shù)，例如如US-A-5625476中所述，按照與轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)92相同的方式與其同時(shí)形成附加橋接點(diǎn)100和100’，該專利的內(nèi)容在此引作參考材料。
可以想到，驅(qū)動(dòng)電路IC不必直接安裝在基板10的表面上。作為一種選擇方案，驅(qū)動(dòng)器IC例如芯片80，可以均安裝在基板10上所設(shè)置的且由基板10支撐的位于邊緣區(qū)域的薄膜上，薄膜的導(dǎo)電線路與基板上的電路連接。這樣萬(wàn)一IC發(fā)生缺陷，則易于更換它。
盡管在上述實(shí)施例中使用硅IC作為驅(qū)動(dòng)器電路，不過(guò)當(dāng)多晶硅或微晶硅TFT用于像素8時(shí)，可使用包括TFT、電容和相互連接線的薄膜部件電路將這些電路完全集成在基板10上。正如眾所周知的，使用與用于制造有源矩陣電路類似的薄膜技術(shù)，易于制造行和/或列驅(qū)動(dòng)器電路。由共同沉積的薄膜層，與有源矩陣電路同時(shí)制造驅(qū)動(dòng)器電路，導(dǎo)致成本大大節(jié)省。
通過(guò)閱讀本發(fā)明公開(kāi)的內(nèi)容，本領(lǐng)域技術(shù)人員易于想到其他變型。這些變型可包括有源矩陣顯示裝置領(lǐng)域中已知的其他特征和部件，其可以取代此處所述的特征或者除此處所述特征之外使用。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣顯示裝置，包括第一和第二基板(10，12)；設(shè)置在第一與第二基板之間的電光材料(14)；顯示像素(8)的陣列，包括與地址線組(18，20)一起設(shè)置在第一基板(10)上的像素電極(16)和相關(guān)的開(kāi)關(guān)(22)，和設(shè)置在第二基板(12)上的公共電極(26)，每個(gè)像素電極與公共電極的重疊部分以及處于它們之間的電光材料一起定義一個(gè)像素；與地址導(dǎo)線組相連的驅(qū)動(dòng)裝置(40，42，80，90)，用于向像素陣列施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)，該驅(qū)動(dòng)裝置包括設(shè)置在第一基板(10)上且包括導(dǎo)線(95，96)的驅(qū)動(dòng)電路(40，80)，第二基板(12)上的公共電極(26)與第一基板上的至少一條導(dǎo)線電連接(92)，該導(dǎo)線為公共電極提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并且利用第二基板上的公共電極(26)在一條導(dǎo)線(96)與設(shè)置在第一基板上的至少另一個(gè)電路元件(37)之間提供電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述驅(qū)動(dòng)電路包括至少一個(gè)安裝在第一基板上的集成電路(80，90)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述驅(qū)動(dòng)電路包括集成在第一基板上的薄膜電路元件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3其中任何一個(gè)所述的裝置，其中公共電極(26)通過(guò)至少一個(gè)在第一與第二基板之間靠近第二基板的邊緣延伸的連接元件(100)，與至少另一電路元件(37)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4其中任何一個(gè)所述的裝置，其中顯示像素包括存儲(chǔ)電容(35)，存儲(chǔ)電容(35)的一側(cè)與設(shè)置于第一基板(10)上的電容連線(36，37)相連，其中利用公共電極在一條導(dǎo)線(96)與所述電容連線之間形成電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中電容連線(37)靠近第二基板的一個(gè)邊緣在第一基板(10)上延伸，并在陣列的一側(cè)處將多個(gè)電容連接線行部分(36)連接在一起，每個(gè)行部分與相應(yīng)像素行(8)的存儲(chǔ)電容(35)相連，其中公共電極在間隔的位置沿著第二基板的所述邊緣與所述電容連線電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中電容連線(37)還在第二基板的相對(duì)邊緣附近在第一基板(10)上延伸，并在陣列的相對(duì)側(cè)將多個(gè)電容連線行部分(36)連接在一起，其中公共電極在間隔的位置沿第二基板的所述相對(duì)邊緣與電容連線連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的裝置，其中公共電極通過(guò)在第一與第二基板之間且沿第二基板的邊緣長(zhǎng)度的大部分延伸的橋接點(diǎn)(100)，與電容連線(37)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中橋接點(diǎn)包括設(shè)置在兩基板之間第二基板的邊緣附近的導(dǎo)電材料。
10.根據(jù)前面任一權(quán)利要求所述的裝置，其中公共電極通過(guò)至少一個(gè)橋接點(diǎn)與第一基板上的至少一個(gè)導(dǎo)線(96)相連，該橋接點(diǎn)包括設(shè)置在兩基板之間第二基板的邊緣附近的導(dǎo)電材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中公共電極通過(guò)設(shè)置在第二基板的相鄰角部的多個(gè)橋接點(diǎn)與至少一條導(dǎo)線相連。
12.根據(jù)前面任一權(quán)利要求所述的裝置，其中在第二基板中靠近公共電極(26)且與公共電極(26)電接觸地設(shè)置金屬黑色掩模層(31)。
13.根據(jù)前面任一權(quán)利要求所述的裝置，其中電光材料包括液晶材料。
全文摘要
在有源矩陣顯示裝置，尤其是AMLCD中，具有顯示像素(8)的陣列，并包括設(shè)置在第一基板(10)上的像素電極(16)，相關(guān)的開(kāi)關(guān)(22)和地址線(18，20)，設(shè)置在第二基板(12)上的公共電極(26)，設(shè)置在第一基板(10)上的至少包括一條導(dǎo)線(96)的驅(qū)動(dòng)電路，其用于向公共電極(26)提供驅(qū)動(dòng)電壓，并且公共電極(26)與其相連(92)，還利用第二基板上的公共電極(26)，在所述的一條導(dǎo)線(96)與設(shè)置在第一基板(10)上的至少另一電路元件(37)之間提供電連接。通過(guò)這種方式使用公共電極，有助于避免由于第一基板上所形成的連線的電阻所導(dǎo)致的問(wèn)題。與存儲(chǔ)電容線(37，36)連接尤為有益。公共電極(26)可以通過(guò)在兩基板之間的間隙上延伸的接觸材料(92，100)，與第一基板上的電路元件連接。
文檔編號(hào)G02F1/13GK1720479SQ200380104990
公開(kāi)日2006年1月11日 申請(qǐng)日期2003年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月4日
發(fā)明者J·R·赫克托, S·C·迪恩 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司