專利名稱：可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種光罩制作方法，特別有關(guān)于一種可避免于使用電子束直寫技術(shù)制作光罩過程中的電子束偏移的光罩制作方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體制程進(jìn)步，隨著晶片尺寸增大與半導(dǎo)體組件的集成化的趨勢，半導(dǎo)體制造關(guān)鍵技術(shù)之一的光罩，則扮演重要地位。
目前，精密光罩的制作，大多應(yīng)用光罩布局軟件控制電子束直寫(E-beamwriter)方式制作。而電子束直寫系統(tǒng)(E-beam system)可于光罩(如六時光罩)制作過程中提供長時間(約為4小時)的高準(zhǔn)確定位(以4GB DRAM光罩制作為例，誤差小于10nm)及良好的聚焦情形。
然而，利用電子束直寫技術(shù)(E-beam writer)制作光罩仍無可避免地于光罩制造過程中形成具有誤差的圖案，造成上述圖案誤差的主要原因是因電子束偏移(beam drift)所導(dǎo)致的受電子束曝光的區(qū)域誤差，進(jìn)而造成光罩上轉(zhuǎn)移后的圖案失真變形或圖案位置的位移(pattern displacement)等問題。而若應(yīng)用上述具有圖案誤差的光罩于后續(xù)半導(dǎo)體制程中，將對于產(chǎn)品良率與制造成本影響甚巨，且由于光罩制作復(fù)雜度日益增加，單片光罩成本動輒高達(dá)百萬元以上，若因電子束偏移(beam drift)所造成光罩上的圖案誤差而重新制作光罩，亦造成了生產(chǎn)成本的大幅增加。
目前一般的光罩制作，于一空白光罩，例如圖1a所示的光罩10，通常為一石英玻璃材質(zhì)的透光基板12，其上涂布一厚度介于100～120nm的鉻金屬層14。然而，上述的光罩10，位于透光基板12上的鉻金屬層14并非完全地覆蓋此透光基板12，而如同圖1內(nèi)的光罩10所示，可明顯地于光罩10上區(qū)分出鄰近光罩10邊緣的一方形環(huán)狀第一區(qū)域10a，其上露出未為鉻金屬層14所覆蓋的透明基底12部分，此第一區(qū)域10a通常具有一固定寬度w1，大約為1mm，而此方形環(huán)狀的第一區(qū)域10a內(nèi)則為鉻金屬層14所完全覆蓋的第二區(qū)域10b。
接著于光罩10上覆蓋一阻劑層15，此時，其上視結(jié)構(gòu)則如圖1b中所示，為阻劑層15所完全覆蓋。接著進(jìn)行一直寫程序，以光罩布局軟件(例如為cats)提供至少一預(yù)定圖案并控制電子束直寫(例如E-beam writer)直寫于在光罩10上適當(dāng)區(qū)域內(nèi)的阻劑層15上。接著并藉由后續(xù)的顯影程序以形成如圖1c中位于光罩10上的多個阻劑圖案19及19’。
接著，于后續(xù)制程中更利用此等阻劑圖案為幕罩以蝕刻其下的鉻金屬層14，以制備出應(yīng)用于半導(dǎo)體制程中具有適合圖案的量產(chǎn)光罩。
請參照圖1d，當(dāng)利用光罩布局軟件于控制一電子束20直寫于圖1b中光罩10上的區(qū)域16內(nèi)，所使用的電子束20中大部分劑量的電子可為區(qū)域16內(nèi)鉻金屬層14上的阻劑層15所吸收，而未為阻劑層15所吸收的多余劑量電子則可藉由其下的鉻金屬層14的材料特性(鉻金屬，為電的良導(dǎo)體)而于整體的鉻金屬層14內(nèi)傳導(dǎo)移動，無局部電荷累積的情形發(fā)生，而于后續(xù)顯影程序后可得到如圖1c中區(qū)域16內(nèi)圖案正確的阻劑圖形19。
然而，參見圖1e，當(dāng)利用光罩布局軟件控制一電子束20直寫于如圖1b中光罩10上區(qū)域18內(nèi)，當(dāng)直寫于區(qū)域18內(nèi)第二區(qū)域10b部分時所使用的電子束20中大部分劑量的電子為其內(nèi)的鉻金屬層14上阻劑層15所吸收，而電子束20中未為阻劑層15所吸收的多余劑量的電子則可藉由鉻金屬層14的材料特性(鉻金屬，為電的良導(dǎo)體)而于整體的鉻金屬層14內(nèi)傳導(dǎo)移動，無局部電荷累積的情形發(fā)生；而當(dāng)直寫于區(qū)域18內(nèi)第一區(qū)域10a部分時，大部分劑量的電子雖為透光基底12上的阻劑層15所吸收，然而此時電子束20中多余劑量電子卻無法藉由透光基底12的材料特性(因其材質(zhì)為石英玻璃，不具導(dǎo)電性)將的傳導(dǎo)或移動，而產(chǎn)生于區(qū)域18內(nèi)的透光基底12上(即第一區(qū)域10a)局部區(qū)域的累積電荷22。
請參照圖1f，當(dāng)后續(xù)直寫程序再次直寫于區(qū)域18內(nèi)的第一區(qū)域10a部分時，其電子束20將受先前的累積電荷22影響產(chǎn)生了電性上的排斥效應(yīng)，亦即為所謂的電荷效應(yīng)(charging effects)，進(jìn)而造成了此電子束20于直寫程序中的電子束偏移現(xiàn)象(E-beam shift)，其所造成的偏移電子束20’將會使電子束20照射區(qū)域產(chǎn)生偏差，而導(dǎo)致鄰近區(qū)域上的阻劑層15接受到此偏移電子束20’的曝光，而于后續(xù)顯影過程后于光罩10上形成如圖1c中位于光罩10上邊緣區(qū)域18內(nèi)的阻劑圖案19’，其圖案外型變形且失真，與其它位于如區(qū)域16內(nèi)阻劑圖案19明顯不同，而將于后續(xù)光罩制程中于光罩上產(chǎn)生失真變形的圖案或位置偏差的圖案等瑕疵圖案。若接著應(yīng)用此具有瑕疵圖案的光罩于后續(xù)的半導(dǎo)體制程中，將更于晶片上形成失真變形的組件圖案或位置偏差的組件圖案，而影響產(chǎn)品良率與制造成本甚距。
于美國專利第6130432號中，揭露了一種配置有動態(tài)聚焦線圈(dynamicfocus coil)的電子束系統(tǒng)，以避免于電子束直寫程序中電子束偏移現(xiàn)象(beamshift)發(fā)生，但是此發(fā)明并無教導(dǎo)避免電子束偏移的光罩制作方法。
而于美國專利第5770336號中，則揭露了一種可減少產(chǎn)生于半導(dǎo)體材質(zhì)光罩上的電荷效應(yīng)(charging effects)的電子束光罩的制作方法，但是此發(fā)明亦無教導(dǎo)于光罩制作過程中用以避免直寫的電子束偏移的事實。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的系提供一種可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，可減少電子束于直寫程序中的電子束偏移現(xiàn)象(E-beamshift)，藉以制造無變形失真或位移等瑕疵圖案的光罩。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供了一種可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，可避免光罩上的電荷效應(yīng)(charging effects)發(fā)生，以避免直寫過程中電子束偏移的情形出現(xiàn)，以提升光罩上圖案的準(zhǔn)確度。
簡言之，本發(fā)明的一種可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其步驟包括提供一光罩，其中此光罩中具有一中央?yún)^(qū)域及一圍繞該中央?yún)^(qū)域的外圍區(qū)域；覆蓋一阻劑層于中央?yún)^(qū)域與外圍區(qū)域上；提供至少一預(yù)定圖案；以及施行一電子束直寫程序，將上述預(yù)定圖案直寫于阻劑層上，并直寫于外圍區(qū)域中一既定面積的阻劑層內(nèi)，以形成至少一轉(zhuǎn)移后的阻劑圖案，且此轉(zhuǎn)移后的阻劑圖案覆蓋部分上述外圍區(qū)域，而上述外圍區(qū)域系緊鄰該光罩邊緣且距光罩邊緣一介于2～4mm的既定距離，且上述直寫于外圍區(qū)域上的既定面積僅占外圍區(qū)域的整體面積的0～90％，以避免因電荷效應(yīng)所導(dǎo)致的電子束偏移情形發(fā)生。
除此之外，本發(fā)明另外提供了一種可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其步驟包括提供一光罩，其中此光罩中是一完全涂布有一遮蔽層的透明基底；提供至少一預(yù)定圖案；覆蓋一阻劑層于中央?yún)^(qū)域與外圍區(qū)域上；以及施行一電子束直寫程序，將上述預(yù)定圖案轉(zhuǎn)移至光罩上，以形成至少一轉(zhuǎn)移后的阻劑圖案。
利用本發(fā)明的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，可避免于電子束直寫程序中，電子束出現(xiàn)偏移的情形，可于電子數(shù)直寫程序后得到圖案良好的光阻圖案，有助于后續(xù)光罩圖案的制作，以避免形成有瑕疵圖案的量產(chǎn)光罩，對于減低半導(dǎo)體制程成本及提升產(chǎn)品良率皆有極大的效用。


圖1a至圖1f所示為習(xí)知光罩制作方法中因電荷效應(yīng)造成的電子束偏移的示意圖。
圖2a至圖2e所示為根據(jù)本發(fā)明的一實施例中的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法。
圖3a至圖3d所示為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例中的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法。
符號說明10、100、200～光罩；12、102、204～透明基底；14～鉻金屬層；15、105、207～阻劑層；104、206～遮蔽層；
10a、100a～第一區(qū)域；10b、100b～第二區(qū)域；100c～中央?yún)^(qū)域；w1～第一區(qū)域的寬度；w2～外圍區(qū)域的寬度；20、108、208～電子束；19、19’、109、109’、209～阻劑圖案；20’～偏移電子束；22～累積電荷；16、18、106、202～區(qū)域。
具體實施例方式
第一實施例以下參見圖2a至圖2e，詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的第一實施例中的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法。
請參照圖2a所示，首先提供一光罩母片，例如為光罩100，在此例如為石英玻璃材質(zhì)的透光基板102，其上涂布有厚度介于100～120nm的遮蔽層104，其材質(zhì)為具電導(dǎo)性的材料，例如為鉻金屬(Cr)，而此位于透光基板102上的遮蔽層104并非完全地覆蓋此透光基板102。而于此光罩100上可明顯區(qū)分出鄰近光罩100邊緣的一方形環(huán)狀的第一區(qū)域100a，其上露出未為遮蔽層104所覆蓋的透明基底102部分，此第一區(qū)域100a具有一寬度w1，大約為1mm，而此方形環(huán)狀的第一區(qū)域100a內(nèi)則為遮蔽層104所完全覆蓋的第二區(qū)域100b。
接著，更可于第二區(qū)域100b內(nèi)定義出一假想的中央?yún)^(qū)域100c(以虛線表示)，而上述的第一區(qū)域100a與其與中央?yún)^(qū)域100c間的部分第二區(qū)域100b則可視為一圍繞此中央?yún)^(qū)域100c的外圍區(qū)域，此外圍區(qū)域距光罩100邊緣一既定距離w2，大約介于2～4mm。其中于中央?yún)^(qū)域100c內(nèi)的光罩結(jié)構(gòu)是一完全為遮蔽層104所覆蓋的透明基底102，而外圍區(qū)域(即第一區(qū)域100a與第二區(qū)域100b)內(nèi)的光罩結(jié)構(gòu)則為一部分為遮蔽層104所覆蓋的透明基底102。
請參照圖2b，接著于光罩100上覆蓋一阻劑層105，其材質(zhì)例如為常用的電子束微影用阻劑，此阻劑層105材質(zhì)可為一正型(positive working)阻劑或一負(fù)型(negative working)阻劑，于此以一負(fù)型阻劑藉以說明，接著進(jìn)行電子束直寫程序，利用光罩布局軟件(例如為cats)提供至少一預(yù)定圖案，并控制電子束直寫于光罩100上，并藉由上述光罩布局軟件限制電子束直寫區(qū)域，僅直寫于如圖2b中假想的中央?yún)^(qū)域100c部分內(nèi)阻劑層105，以將至少一預(yù)定圖案轉(zhuǎn)移至中央?yún)^(qū)域100c內(nèi)的阻劑層105上。
請參照圖2c，接著施行一顯影程序，以于光罩100上形成多個轉(zhuǎn)移后的阻劑圖案109，轉(zhuǎn)移后的阻劑圖案完整，無變形失真或位移的情形發(fā)生。
接著，于后續(xù)制程中更利用此等阻劑圖案為幕罩以蝕刻遮蔽層104，以制備出應(yīng)用于半導(dǎo)體制程中具有適合圖案的量產(chǎn)光罩，然在此為突顯本發(fā)明的重點(diǎn)，故不在此加以描述。
請參照圖2d，于上述直寫過程中限制電子束108僅直寫于如圖2b內(nèi)區(qū)域106內(nèi)的中央?yún)^(qū)域100c阻劑層105部分，故所使用的電子束108中大部分劑量的電子除了為遮蔽層104上的阻劑(未顯示)所吸收，而電子束108中未為阻劑所吸收的多余劑量電子則可藉由遮蔽層104的材料特性(例如為鉻金屬，為電的良導(dǎo)體)而于遮蔽層104內(nèi)傳導(dǎo)移動，無局部的電荷累積情形發(fā)生，故可減低電荷效應(yīng)(charging effects)的產(chǎn)生，故對于后續(xù)電子束直寫程序亦不會造成因電子束與累積電荷因電性相斥所造成的電子束偏移現(xiàn)象，故可避免于光罩上所形成的轉(zhuǎn)移后圖案其圖案將無圖形失真變形或位移的現(xiàn)象。
此外，請參照圖2d，因考量實際需要(光罩構(gòu)成成本高，需善加利用)，亦可些許放寬電子束108直寫至于此外圍區(qū)域內(nèi)的一既定面積的鉻層104存在區(qū)域(如第二區(qū)域100b的部分)的阻劑層105上，而形成如圖2e所示的于光罩100上區(qū)域106內(nèi)的阻劑圖案109’，其圖案部分覆蓋于此外圍區(qū)域(即第一區(qū)域100a與第二區(qū)域100b)內(nèi)。
然而當(dāng)電子束108直寫于外圍區(qū)域內(nèi)的一既定面積的鉻層存在區(qū)域(如第二區(qū)域100b)的阻劑層105上，并形成如圖2e所示多個部分覆蓋于外圍區(qū)域內(nèi)阻劑圖案109’以及位于中央?yún)^(qū)域100c內(nèi)的阻劑圖案109，阻劑圖案109’與阻劑圖案109間無圖案的差異。而上述所使用的阻劑層105中，再此以一負(fù)型阻劑層表示，故阻劑圖案109及109’所占面積即為電子束所寫入的面積，然而無論所使用的阻劑為一正型阻劑或一負(fù)型阻劑，僅可容忍直寫于外圍區(qū)域內(nèi)的既定面積部分為此外圍區(qū)域整體面積的0～90％，由于寫入面積極少，電荷仍可藉由遮蔽層104的材料特性(例如為鉻金屬，為電的良導(dǎo)體)而于遮蔽層104內(nèi)傳導(dǎo)移動，無局部電荷累積情形發(fā)生，故無電荷效應(yīng)(chargingeffects)的產(chǎn)生，具有避免電荷效應(yīng)產(chǎn)生的效用，并可避免直寫程序過程中的電子束偏移情形發(fā)生。
第二實施例以下請參見圖3a至圖3d，詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的另一實施例中的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法。
請參照圖3a所示，本發(fā)明的利用可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，首先提供一光罩母片200，為一石英玻璃材質(zhì)的透光基板204(未顯示)，其上涂布一厚度介于100～120nm的遮蔽層206，其材質(zhì)例如為鉻金屬(Cr)，值得注意的，此時位于透光基板204上的遮蔽層206已完全地覆蓋此透光基板206，而無如圖1a及圖2a所示的光罩中位于光罩邊緣露出未為遮蔽層覆蓋的透明基底部分。
請參照圖3b，接著再于光罩200上覆蓋一阻劑層207，例如為常用的電子束微影用阻劑。接著請參照圖3c，利用光罩布局軟件控制一電子束208于如圖3b內(nèi)阻劑層207內(nèi)執(zhí)行直寫程序。于上述直寫程序中，因光罩200上的透明基底204部分已為遮蔽層206所完全覆蓋，故于直寫程序中大部分劑量的電子除了為遮蔽層206上的阻劑(未顯示)吸收外，電子束208中的多余劑量電子皆可藉由遮蔽層206的材料特性(例如為鉻金屬，為電的良導(dǎo)體)而于遮蔽層206內(nèi)傳導(dǎo)移動，無局部的電荷累積情形發(fā)生，故無電荷效應(yīng)(nocharging effects)的產(chǎn)生，對于后續(xù)電子束直寫程序亦不會造成因電子束與累積電荷因電性相斥所造成的電子束偏移現(xiàn)象。
因此，于直寫程序中，電子束208可寫入于光罩200上任何區(qū)域內(nèi)，以充分運(yùn)用此光罩200，并于后續(xù)顯影程序后可得到如圖3d中所示，位于光罩200上所形成的負(fù)述個阻劑圖形210，于使等阻劑圖案間，無圖形失真變形或位移的現(xiàn)象發(fā)生。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，包含下列步驟提供一光罩，其中該光罩中具有一中央?yún)^(qū)域及一圍繞該中央?yún)^(qū)域的外圍區(qū)域；覆蓋一阻劑層于該中央?yún)^(qū)域與該外圍區(qū)域上；提供至少一預(yù)定圖案；以及施行一電子束直寫程序，將該預(yù)定圖案直寫于該阻劑層上，并直寫于該外圍區(qū)域中一既定面積的該阻劑層內(nèi)，以形成至少一轉(zhuǎn)移后的阻劑圖案，且該轉(zhuǎn)移后的阻劑圖案覆蓋部分該外圍區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其中該外圍區(qū)域系緊鄰該光罩邊緣且距該光罩邊緣一介于2～4mm的既定距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其中該既定面積是占該外圍區(qū)域整體面積的0～90％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其中于該中央?yún)^(qū)域內(nèi)的該光罩是一完全為一遮蔽層所覆蓋的透明基底。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其中于該外圍區(qū)域內(nèi)的該光罩是一部分為一遮蔽層所覆蓋的透明基底。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其中該遮蔽層材質(zhì)為導(dǎo)電性材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其中該遮蔽層材質(zhì)為導(dǎo)電性材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其中該電子束直寫程序系配合一光罩布局軟件以完成該預(yù)定圖案的轉(zhuǎn)移。
9.一種可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，包括下列步驟提供一光罩，其中該光罩中具有一中央?yún)^(qū)域及一圍繞該中央?yún)^(qū)域的外圍區(qū)域；覆蓋一阻劑層于該中央?yún)^(qū)域與該外圍區(qū)域上；提供至少一預(yù)定圖案；以及施行一電子束直寫程序，直寫于該中央?yún)^(qū)域中的該阻劑層內(nèi)，以形成至少一轉(zhuǎn)移后的阻劑圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其中該外圍區(qū)域系緊鄰該光罩邊緣且距該光罩邊緣一介于2～4mm的既定距離。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其中于該中央?yún)^(qū)域內(nèi)的該光罩是一完全為一遮蔽層所覆蓋的透明基底。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其中于該外圍區(qū)域內(nèi)的該光罩是一部分為一遮蔽層所覆蓋的透明基底。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其中該遮蔽層材質(zhì)為導(dǎo)電性材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其中該遮蔽層材質(zhì)為導(dǎo)電性材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其中該電子束直寫程序系配合一光罩布局軟件以完成該預(yù)定圖案的轉(zhuǎn)移。
16.一種可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，包括下列步驟提供一光罩，其中該光罩中是一完全涂布有一遮蔽層的透明基底；提供至少一預(yù)定圖案；覆蓋一阻劑層于該中央?yún)^(qū)域與該外圍區(qū)域上；以及施行一電子束直寫程序，將該預(yù)定圖案轉(zhuǎn)移至該光罩上，以形成至少一轉(zhuǎn)移后的阻劑圖案。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其中該遮蔽層材質(zhì)為導(dǎo)電性材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其中該電子束直寫程序是配合一光罩布局軟件以完成該預(yù)定圖案的轉(zhuǎn)移。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種可避免電荷效應(yīng)所導(dǎo)致電子束偏移的光罩制作方法，其步驟包括提供一光罩，其中此光罩中具有一中央?yún)^(qū)域及一圍繞該中央?yún)^(qū)域的外圍區(qū)域；覆蓋一阻劑層于中央?yún)^(qū)域與外圍區(qū)域上；提供至少一預(yù)定圖案；以及施行一電子束直寫程序，將上述預(yù)定圖案直寫于阻劑層上，并直寫于外圍區(qū)域中一既定面積的阻劑層內(nèi)，以形成至少一轉(zhuǎn)移后的阻劑圖案，且此轉(zhuǎn)移后的阻劑圖案覆蓋部分上述外圍區(qū)域，而上述外圍區(qū)域是緊鄰該光罩邊緣且距光罩邊緣一介于2～4mm的既定距離，且上述直寫于外圍區(qū)域上的既定面積僅占外圍區(qū)域的整體面積的0～90％，以避免因電荷效應(yīng)所導(dǎo)致的電子束偏移情形發(fā)生。
文檔編號G03F1/14GK1573558SQ20041004242
公開日2005年2月2日 申請日期2004年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月20日
發(fā)明者林政旻 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司