專利名稱：反射鏡和使用反射鏡的光刻裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有一個反射表面的反射鏡。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種光刻投影裝置，包含-一種用于提供投影輻射光束的輻射系統(tǒng)；-一種用于支持構(gòu)圖裝置的支持結(jié)構(gòu)，該構(gòu)圖裝置用于根據(jù)希望的圖案對投影光束進(jìn)行構(gòu)圖；-一種用于支持襯底的襯底臺；-一種用于將構(gòu)圖光束投影到襯底上的目標(biāo)部分的投影系統(tǒng)；以及-一個或多個反射鏡，每個反射鏡具有一個反射表面。
本發(fā)明還涉及一種使用這樣的光刻裝置的設(shè)備制造方法和使用這樣的方法或裝置制造的設(shè)備。
背景技術(shù)：
在光刻裝置中，可以在襯底上成像的特征的尺寸大小受到投影輻射的波長的限制。為了得到具有較高設(shè)備密度的集成電路，并且因此得到較高的工作速度，希望的是可以使較小的特征成像。盡管目前多數(shù)的光刻投影裝置使用由水銀燈或激態(tài)原子激光器生成的紫外光，但是已經(jīng)提出使用更短的波長輻射，如在13nm附近。這樣的輻射被稱作極紫外線(EUV)或者軟x射線，并且可能的光源包含例如激光器生成的等離子光源、放電等離子光源或者來自電子存儲環(huán)的同步加速器輻射。
一些極紫外線光源，特別是等離子光源發(fā)出位于寬的頻譜范圍內(nèi)的輻射，甚至包含紅外線(IR)、可見光(VIS)、紫外線(UV)以及深紫外線。這些不希望的頻率將會傳播并且在照明和投影系統(tǒng)中導(dǎo)致加熱問題，并且如果不受阻擋的話會導(dǎo)致不希望的光刻膠的曝光；盡管為了反射希望的波長，如13nm，而對照明和投影系統(tǒng)的多層反射鏡進(jìn)行了最優(yōu)化，但是它們在光學(xué)上是平坦的并且在IR、可見光和UV波長處具有非常高的反射率。因此，有必要從光源中選出相對較窄的頻率波段從而用于投影光束。即使在光源具有相對較窄的發(fā)射線處，也有必要抑制在該線之外的輻射，特別是在較長波長處的輻射。已經(jīng)提出了將薄膜用作濾波器從而執(zhí)行這種功能。但是，這樣的薄膜非常脆弱并且在光刻投影裝置中所必需的高功率水平的情況下會變得非常熱，200-300℃C或者更高，這會導(dǎo)致高的熱應(yīng)力和裂化、升華以及氧化。薄膜濾波器通常還吸收至少50％的希望的輻射。
EP1197803描述了一種光刻投影裝置，其中在該光刻投影裝置的輻射系統(tǒng)中使用了一個光柵頻譜濾波器。該光柵頻譜濾波器被設(shè)計用于使所希望的波長輻射通過從而形成投影光束，以及使不希望的波長輻射偏轉(zhuǎn)。該光柵頻譜濾波器基本上由在所希望的波長處具有接近一致的復(fù)折射率的材料構(gòu)成并且包含硅突起。該突起具有層疊鋸齒輪廓或者層疊方波輪廓(EP1197803的圖3和4分別顯示了這兩種輪廓)，并且位于具有一個反射表面的反射鏡上。
US2003/0058529A1公開了一種刻蝕在反射鏡襯底上的光柵結(jié)構(gòu)，該光柵結(jié)構(gòu)具有光柵周期并且導(dǎo)致衍射，US2003/0058529A1還公開了一種沉積在該光柵結(jié)構(gòu)上的多層涂層。另外，US6469827B1公開了包含一系列斜面的閃耀光柵。在一種實施例中，在使一個反射多層，如交替的Si和Mo層沉積在光柵上之前，在襯底上構(gòu)建該閃耀光柵。
一種劣勢是，Si并不非常好地阻擋IR輻射。因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種可以被用作濾光器的改進(jìn)的反射鏡，可以將這種濾光器用于光刻投影裝置當(dāng)中，從而從寬波段光源中選擇EUV輻射以及/或者抑制不希望的頻率，并且使用這樣濾光器可以更有效地阻擋如IR輻射。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種根據(jù)開篇段中所述的反射鏡，其中該反射表面包含一個或多個包含第一材料的第一突起，以及包含一個或多個包含第二材料的第二突起，并且其中該第一材料和第二材料并不相同?？梢詫⑦@樣一種反射鏡用作，例如正交入射反射鏡或切向入射反射鏡，從而反射希望的波長而阻擋不希望的波長。這在例如存在層疊突起輪廓并且希望補償在傳播通過突起的輻射的光程長度上可能存在的差的情況下可以是有優(yōu)勢的。因此，本發(fā)明還包含一種實施例，該實施例包含一個具有包含第一和第二突起的反射表面的反射鏡，其中以這樣一種方式安排該第一突起和第二突起，從而對于希望的輻射來說，產(chǎn)生了一種在反射表面上不發(fā)生變化的光程長度差。這意味著反射表面上的光程長度差是零，或者僅變化波長的整數(shù)倍。層疊突起輪廓可以形成一個閃耀光柵并且/或者對于所希望的波長被最優(yōu)化的光柵，并且突起的材料可以是對于所希望的波長透明或者基本上透明的。
因此，在一種特定的實施例中，本發(fā)明還包含一種具有一個反射表面的反射鏡，其中該反射表面包含一個或多個包含第一材料的第一突起，并且包含一個或多個包含第二材料的第二突起，其中該第一和第二突起的材料并不相同，其中這些材料對于所希望的輻射是基本上透明的，并且其中安排這些突起從而形成一個光柵。通過選擇參數(shù)，例如材料(折射率)、高度和/或形狀、第一和第二突起的距離(周期)以及投影光束入射到反射鏡上的特定的入射角，可以獲得反射希望的輻射而同時通過不同的材料從而校正傳播通過的希望的波長輻射的光程長度差的反射鏡，從而光程長度差在反射表面上并不發(fā)生變化。在另一個實施例中，該光柵為閃耀光柵。
在一個特定的實施例中，提供了一種反射鏡，其中反射表面包含一個或多個包含第一材料的第一突起，其中從以下這些材料中的至少一個選擇第一材料Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，并且包含一個或多個包含第二料的第二突起，其中從以下這些材料中的至少一個選擇第二材料Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，并且其中該第一和第二突起的材料并不相同。這樣的反射鏡對于從輻射光束中選擇希望的EUV波長以及偏轉(zhuǎn)或吸收不希望的波長輻射，如UV、可見光或者IR，是有優(yōu)勢的。
在一種實施例中，這些(第一和第二)材料對于EUV輻射(如大約為13.5nm)是基本上透明的。可以按照不同的方式安排這些材料，如按照鋸齒輪廓，其中這些不同的材料位于彼此的頂部，或者按照塊輪廓，其中這些材料被安排為彼此相鄰。如上所述，可以按照這樣一種方式選擇材料的不同高度從而在一個特定角度，對于必須透射通過的輻射來說，由不同材料所導(dǎo)致的相移之和在每一位置處都是相同的(或者基本上相同的)。因此，本發(fā)明還包含一種實施例，包含具有一個反射表面的反射鏡，該反射表面包含第一和第二突起，其中按照這樣一種方式安排該第一和第二突起從而對于EUV輻射，所產(chǎn)生的光程長度差在反射表面上不發(fā)生變化。
在一種實施例中，從Si、Be和Zr中的至少一個選擇這些材料。在另一種實施例中，從Si、Be和Zr中的至少一個選擇第一突起的材料或者第二突起的材料。在另一種實施例中，第一和第二突起的材料的折射率具有相對較大的差別，如Mo和Si。
在一種實施例中，還可以將本發(fā)明的反射鏡描述為具有至少一個反射表面的反射鏡，其中該反射表面包含一個或多個包含第一材料的第一突起，其中從以下這些材料中的至少一個選擇第一材料Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，并且包含一個或多個包含第二材料的第二突起，其中從以下這些材料中的至少一個選擇第二材料Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，并且其中該第一和第二突起的材料并不相同，并且其中這些突起包含不同的材料，其中這些突起或者具有a)鋸齒輪廓，其中以這樣的方式安排一個第一和一個第二突起從而它們共同形成具有一個特定周期的突起，或者具有b)方波輪廓，其中第一和第二突起彼此相鄰，并且共同形成具有一個特定周期的兩個不同的突起。有優(yōu)勢的，在投影光束的一個特定角度，對于必須透射通過的輻射來說，由不同材料所導(dǎo)致的相移之和在每一位置處都是相同的(或者基本上相同的)。因此，按照這樣一種方式安排該第一突起和第二突起從而對于EUV輻射，所產(chǎn)生的光程長度差在反射表面上不發(fā)生變化。
在一種實施例中，進(jìn)一步可以將本發(fā)明的反射鏡描述為具有至少一個反射表面的反射鏡，其中該反射表面包含一個或多個包含第一材料的第一突起，其中從以下這些材料中的至少一個選擇第一材料Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，并且包含一個或多個包含第二材料的第二突起，其中從以下這些材料中的至少一個選擇第二材料Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，并且其中該第一和第二突起的材料并不相同，其中該第一和第二突起具有一個周期，并且其中在該周期之內(nèi)，在材料成分上存在差別，例如一種梯度，從而在投影光束的一個特定角度，對于必須透射通過的輻射來說，由不同材料所導(dǎo)致的相移之和在每一位置處都是相同的(或者基本上相同的)。因此，按照這樣一種方式安排該第一突起和第二突起從而對于EUV輻射，所產(chǎn)生的光程長度差在反射表面上不發(fā)生變化。
在一種實施例中，本發(fā)明涉及一種反射鏡，其中按照這樣一種方式安排突起，從而當(dāng)輻射光束照射到反射鏡上時，具有希望的波長的輻射光束可以通過，而具有不希望的波長的輻射光束被偏轉(zhuǎn)到其它方向并且/或者被吸收。在另一種實施例中，本發(fā)明涉及一種反射鏡，其中按照這樣一種方式安排突起，從而當(dāng)輻射光束入射到反射鏡上時，具有希望的波長的輻射光束按照預(yù)定的方向通過，而具有不希望的波長的輻射光束被偏轉(zhuǎn)到其它方向并且/或者被吸收。
在本發(fā)明的另一個方面中，提供了一種根據(jù)開篇段中所述的光刻投影裝置，特征在于至少一個反射表面包含一個或多個包含第一材料的第一突起，其中從以下這些材料中的至少一個選擇第一材料Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，并且包含一個或多個包含第二材料的第二突起，其中從以下這些材料中的至少一個選擇第二材料Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，并且其中該第一和第二材料并不相同。包含這樣的反射鏡的光刻裝置的優(yōu)勢在于，通過該反射鏡可以阻擋更多具有不希望的波長的輻射或者具有不希望的波長的更寬頻譜范圍的輻射。
在一種實施例中，本發(fā)明包含一種光刻裝置，其中將一個或多個反射鏡安排在接近輻射系統(tǒng)處，如在輻射采集器的表面上，或者在切向入射反射鏡上，或者在一個位于輻射光源之后的多層反射鏡上。
本發(fā)明還包含一種其中使用了一個或多個這種反射鏡的方法。在另一種實施例中，本發(fā)明包含一種方法，其中按照這樣一種方式在包含EUV輻射的輻射光束中提供一個或多個反射鏡，從而使具有0到90℃之間的入射角的一部分EUV輻射僅通過一個第一突起和一個第二突起。在另一種實施例中，按照這樣一種方式安排該第一突起和第二突起從而對于EUV輻射，所產(chǎn)生的光程長度差在反射表面上不發(fā)生變化。這意味著投影光束內(nèi)的希望的輻射的可能出現(xiàn)的光程長度差是零或者是波長的整數(shù)倍。在另一種實施例中，按照這樣一種方式安排突起，從而使在包含EUV輻射的投影光束中具有60°到90°之間的入射角的一部分EUV輻射僅通過一個第一突起和一個第二突起。對于切向入射(GI)反射鏡，特征角如大約在75°到85°之間。
根據(jù)本發(fā)明的下一個方面，提供了一種根據(jù)開篇段中所述的反射鏡，特征在于反射表面包含一個或多個包含一種材料的突起，其中從以下這些材料中的至少一個選擇該種材料Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U。
在本發(fā)明的另一個方面中，提供了一種根據(jù)開篇段中所述的光刻投影裝置，特征在于至少一個反射表面包含一個根據(jù)本發(fā)明的反射鏡，即具有反射表面的反射鏡，該反射表面包含一個或多個包含一種材料的突起，其中從以下這些材料中的至少一個選擇該種材料Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U。還可以選擇這些材料的組合，并且可以選擇對于EUV輻射可以傳輸通過的其它材料。
這樣一種反射鏡或這樣一種裝置的優(yōu)勢在于，當(dāng)EUV輻射受到反射鏡反射時，如在一定的角度，只有希望的EUV輻射才按照該角度被反射，而不希望的輻射，例如IR輻射，被上述材料吸收或基本上吸收，并且/或者被偏轉(zhuǎn)或折射到其它方向。
在本發(fā)明的一種實施例中，反射鏡具有一個反射表面，該反射表面具有突起，其中這些突起按照規(guī)則圖案進(jìn)行排列。這可以是例如一種反射表面，其中安排突起從而形成一個(閃耀)光柵，如一個一維光柵(如層疊排列的線或鋸齒輪廓)或者一個二維光柵(如規(guī)則排列的立方體)。因此，本發(fā)明還包含一種具有一個反射表面的反射鏡，其中安排突起從而形成一個(閃耀)光柵輪廓。
在另一種實施例中，本發(fā)明包含一個反射鏡(具有一個反射表面)，其中該反射鏡是切向入射反射鏡，或者其中該反射鏡是多層反射鏡，如類似于在EP 1197803中所描述的那些。
在本發(fā)明的一種實施例中，按照這樣一種方式安排突起，從而使在包含EUV輻射的投影光束中具有0°到90°之間的入射角的一部分EUV輻射僅通過一個突起。這導(dǎo)致希望的輻射的最小損耗，而具有不太希望的波長的輻射由于這些突起對這些輻射的吸收、折射或者偏轉(zhuǎn)從而基本上被阻擋。對于切向入射(GI)反射鏡，特征角如大約在75°到85°之間。相對于反射表面的法線測量入射角。在另一種實施例中，按照這樣一種方式安排突起，從而使在包含EUV輻射的投影光束中具有60°到90°之間的入射角的一部分EUV輻射僅通過一個突起。
在另一種實施例中，按照這樣一種方式安排突起，從而使在包含EUV輻射的投影光束中具有0°到90°之間的入射角的一部分EUV輻射僅通過一個突起，并且其中按照這樣一種方式安排具有長度和周期的突起，從而突起的長度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于突起的周期(突起的長度基本小于周期)。例如，突起的長度與周期之比等于或小于1∶5(突起的周期是突起的長度的5倍)，如或者等于或小于1∶10，或者等于或小于1∶20。通過這種方式，希望的輻射在突起的頂部表面處的可能發(fā)生的衍射損耗得到了最小化，并且投影光柵可以恰好僅通過一個突起。
在另一種實施例中，本發(fā)明包含一個光刻裝置，其中將一個或多個反射鏡安排在接近輻射系統(tǒng)處，如在輻射采集器的表面上，或者在切向入射反射鏡上，或者在一個多層反射鏡上，該反射鏡位于輻射光源之后。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種設(shè)備制造方法，該方法包含-提供一個至少被一個輻射敏感材料層部分地覆蓋的襯底；-使用一個輻射系統(tǒng)提供投影輻射光束；-使用構(gòu)圖裝置使投影光束的橫截面具有一種圖案；以及-提供一個或多個反射鏡，每個反射鏡具有一個反射表面，特征在于，在投影光束(PB)中至少提供包含根據(jù)本發(fā)明的反射鏡的反射鏡中的一個，即具有一個反射表面的反射鏡，該反射表面包含一個或多個包含一種材料的突起，其中從以下這些材料中的至少一個選擇該種材料Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U。
該方法的優(yōu)勢在于，當(dāng)輻射受到反射鏡反射時，如在一定的角度，只有希望的輻射才按照該角度被反射，而不希望的輻射，例如IR輻射，被上述材料吸收或基本上吸收，并且/或者被偏轉(zhuǎn)或折射到其它方向。這導(dǎo)致較好的結(jié)果，如就投影光束在輻射敏感材料的層上的空間分辨率而言。另一個優(yōu)勢在于，構(gòu)成突起的材料并不限于對于EUV輻射(如大約13nm)具有接近一致的折射率的真實部分的材料(對于EUV輻射為Si)，而對于EP 1197803來說情況是如此。因為EP 1197803要求突起是不可見的，即從真空到突起不會出現(xiàn)折射率的變化(反之亦然)，并且因此，突起應(yīng)該具有接近一致的折射率。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種根據(jù)本發(fā)明的方法制造的設(shè)備或使用根據(jù)本發(fā)明的裝置制造的設(shè)備。
在本發(fā)明中，將存在于反射表面上的“突起”定義為從反射表面延伸的結(jié)構(gòu)，這些突起包含一種材料，其中從以下這些材料中的至少一個選擇該種材料Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U。如果在下面這樣一種情況下，即反射表面包含一個或多個包含第一材料的第一突起，其中從以下這些材料中的至少一個選擇第一材料Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，并且包含一個或多個包含第二材料的第二突起，其中從以下這些材料中的至少一個選擇第二材料Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，那么將存在于反射表面上的“突起”定義為從反射表面延伸的結(jié)構(gòu)，突起包含一種材料，其中從以下這些材料中的至少一個選擇該種材料Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U?？梢酝ㄟ^，例如光刻技術(shù)來制造這些突起。在這樣一種技術(shù)中，將上表面拋光為具有非常好的表面粗糙度以及刻蝕出凹槽，并且由光刻膠圖案規(guī)定槽脊。通過這種方式，可以獲得一種特定的輪廓，如層疊塊或者層疊鋸齒。還可以通過使用鉆石工具對(第一)材料層進(jìn)行刻線(劃出一條線)從而提供該輪廓。
突起可以包含一種材料，但是突起也可以包含一些材料的組合，如SiC、B4C等等。因此，短語“其中該第一材料和第二材料并不相同”例如可以意味著兩個彼此相鄰的突起，如在層疊方波輪廓的情況下(兩個突起形成一個周期)，可以包含不同的材料，例如具有不同的高度的一個Mo和Si突起，但是該短語還可以意味著，如在層疊鋸齒輪廓的情況下，位于彼此的頂部的兩個突起共同形成一個周期，例如包含Mo的一個(第一)突起和包含Si的另一個(第二)突起，但是該短語還可以意味著包含不同成分(并且因此導(dǎo)致不同的相移和光程長度)的第一和第二突起，如包含Si的第一突起和包含SiC的第二突起。該短語還可以包含這樣的第一和第二突起它們都包含如Si和Mo層，但是具有不同的層高度，從而突起是不同的并且包含不同的成分，如本發(fā)明的技術(shù)人員可以理解的那樣。
突起可以具有層疊鋸齒輪廓，其中這些突起具有層疊地安排在一個(反射)表面上的鋸齒輪廓?？梢园才泡喞獜亩纬梢粋€(閃耀)一維光柵，具有一定數(shù)量的平行線(層疊鋸齒突起)。突起還可以具有層疊方波輪廓，其中這些突起具有層疊地安排在一個(反射)表面上的方形或矩形結(jié)構(gòu)?？梢园才泡喞獜亩纬梢粋€一維光柵，具有一定數(shù)量的平行線(層疊方波突起)。
還可以周期性地沿兩個方向安排突起。例如，突起可以具有周期性構(gòu)建的鋸齒輪廓，其中突起可以是，例如在一個方向上具有鋸齒輪廓并且被周期性安排的立方體或者矩形，類似于棋盤。可以安排輪廓從而形成一個(閃耀)二維光柵，具有一定數(shù)量的周期性安排的結(jié)構(gòu)(周期性鋸齒突起)。沿兩個方向周期性安排的輪廓的另一種實施例是一種具有周期性構(gòu)建的方波輪廓的結(jié)構(gòu)，其中突起可以是，例如被周期性安排的立方體或者矩形，類似于棋盤。可以安排輪廓從而形成一個(閃耀)二維光柵，具有一定數(shù)量的周期性安排的立方體或者矩形(周期性方波突起)。當(dāng)使用這種二維輪廓時，以一種鋸齒突起(自由直立周期性鋸齒突起)或塊突起(自由直立周期性方波突起；具有立方體或矩形)的塊結(jié)構(gòu)安排突起，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所知道的那樣(如US 6469827或者E.Hecht，“Optics”，第二版，第430頁(第10.2.7段))。
在一種實施例中，第一和第二突起可以具有一種層疊鋸齒輪廓，其中這些突起具有層疊安排在一個(反射)表面上的鋸齒輪廓并且其中這些突起的周期大約為100nm到10μm(第一和第二突起的周期，這兩種突起共同形成鋸齒輪廓)，并且其中這些突起的高度大約為5-500nm(第一突起)。在另一種實施例中，該高度可以大約為10-100nm?？梢园才泡喞獜亩纬梢粋€(閃耀)一維光柵，具有一定數(shù)量的平行線(層疊鋸齒突起)。可以選擇閃耀角(以及由此第二突起的高度)從而在一定的入射角，例如正交入射，光程長度在該表面上是恒定的(或者僅變化波長的整數(shù)倍)。
在另一種實施例中，突起還可以具有一種層疊方波輪廓，其中這些突起具有以層疊安排在一個(反射)表面上的方形或矩形結(jié)構(gòu)，并且其中這些突起的周期大約為100nm到10μm(第一和第二突起的周期，這兩種突起共同形成方波輪廓)，并且其中這些突起的高度大約為5-500nm(第一突起)。在另一種實施例中，該高度可以大約為10-100nm?？梢赃x擇第二突起的高度從而在一定的入射角，例如正交入射，光程長度在表面上是恒定的(或者僅變化波長的整數(shù)倍)?？梢园才泡喞獜亩纬梢粋€一維光柵，具有一定數(shù)量的平行線(層疊方波突起)。
在本文的上下文中，“透射”或者“基本上透射”意味著至少有70％透射通過突起，優(yōu)選地為至少80％，至少90％或者至少95％，更優(yōu)選地為至少98％。在本文的上下文中，“未被吸收”或者“基本上未被吸收”意味著小于30％的輻射吸收，優(yōu)選地為小于20％，小于10％或者小于5％，更優(yōu)選地為小于2％。
“不希望的輻射”或者“不希望的波長”指其波長大于(或小于)意欲使用的波長的輻射。例如，當(dāng)希望的是波長大約為13.5nm的EUV輻射時，波長小于大約10nm或大于大約20nm的輻射是不希望的。在另一種實施例中，當(dāng)希望的是波長大約為13.5nm的EUV輻射時，波長小于大約13nm或大于大約14nm的輻射是不希望的，并且因此13到14nm之間的波長為希望的波長。頻譜分離越好，使用包含根據(jù)本發(fā)明的一個反射鏡的光刻裝置就可以獲得越好的結(jié)果和產(chǎn)品。在本發(fā)明中，“反射不想要的波長”或者“反射不希望的波長”或者其等價說法意味著具有不想要的(不希望的)波長的輻射受到反射。
在本發(fā)明中，將突起稱為“第一”和“第二”僅是一種指示具有不同材料的不同突起的方法。這些名詞并不意味著特定的順序。
短語“通過一個突起”或者“恰好通過一個突起”指這樣一種情況基本上所有投影光束的輻射，特別是具有希望的波長的輻射都通過一個突起。但是，由于光束的發(fā)散，不能排除一些輻射并不(僅僅)通過一個突起。這同樣適用于其中輻射通過一個第一突起和一個第二突起的實施例。
短語“從至少其中之一選出”也可以被理解為“從包含……的組中選出”，并且還可以被理解為包含這樣的材料組的組合。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，短語“0°到90°之間的入射角”意味著大于0°并且小于90°的入射角。
盡管在本文中，特別參考了將根據(jù)本發(fā)明的裝置用于制造IC，但是可以清楚地理解，這樣一種裝置具有許多可能的應(yīng)用。例如，可以將其用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁域存儲器的導(dǎo)引和探測構(gòu)圖、液晶顯示面板、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，當(dāng)用于這些替換的應(yīng)用中時，任何在本文中對名詞“刻線”、“晶片”或者“管芯”的使用應(yīng)該分別被更通用的名詞“掩膜”、“襯底”以及“目標(biāo)部分”所替代。
在本文中，將名詞“輻射”和“光束”用于包含所有類型的電磁輻射，包含紫外(UV)輻射(如波長為365、248、193、157或者126nm，或者當(dāng)適用時，甚至可以為更短的波長)，但是特別包含其波長小于20nm的輻射(EUV輻射)，更優(yōu)選地為大約13.5nm。


現(xiàn)在將僅通過例子的方式，參考其中對應(yīng)的參考符號指示對應(yīng)的部件的附圖對本發(fā)明的實施例進(jìn)行描述，并且這些附圖中圖1示意性地描述了根據(jù)本發(fā)明的一種實施例的光刻投影裝置；圖2示意性地顯示了根據(jù)圖1的光刻投影裝置的EUV照明系統(tǒng)和投影光學(xué)裝置的側(cè)面視圖。
圖3示意性地顯示了在反射表面上有以層疊鋸齒輪廓出現(xiàn)的突起的反射鏡。
圖4示意性地顯示了在反射表面上有以層疊方波輪廓出現(xiàn)的突起的反射鏡。
圖5示意性地描述了與圖4中顯示的反射鏡類似的反射鏡，但是其中以這樣一種方式安排突起，從而包含EUV輻射的投影光束中的一部分EUV輻射僅通過一個突起。
圖6示意性地描述了與圖3中顯示的反射鏡相同的反射鏡，但是在這種情況下，安排突起從而形成一個用于EUV輻射的具有層疊鋸齒輪廓的衍射光柵(閃耀光柵)。
圖7示意性地描述了與圖4中顯示的反射鏡相同的反射鏡，但是在這種情況下，安排突起從而形成一個用于EUV輻射的具有層疊方波輪廓的衍射光柵。
圖8示意性地顯示了在反射表面上有以層疊鋸齒輪廓出現(xiàn)的突起的反射鏡，其中這些突起具有兩種材料并且位于彼此的頂部。
圖9示意性地顯示了在反射表面上有以層疊方波輪廓出現(xiàn)的突起的反射鏡，其中這些突起具有兩種材料并且彼此相鄰。
具體實施例方式
應(yīng)該將在這里所使用的名詞“構(gòu)圖裝置”寬泛地理解為指可以用于使入射輻射光束具有一種圖案的橫截面的裝置，這種圖案對應(yīng)于將要在襯底的目標(biāo)部分中生成的圖案；也可以將名詞“光閥”用于這一環(huán)境中。通常，所述圖案對應(yīng)于正在目標(biāo)部分中生成的該設(shè)備中的特定功能層，例如集成電路或者其它設(shè)備(見下面)。這種構(gòu)圖裝置的例子包含-掩膜。掩膜的概念在光刻中是為人們熟知的，并且它包含例如二進(jìn)制、交替相移和衰減相移類型的掩膜以及各種混合類型的掩膜。將這樣一種掩膜放置在輻射光束中會導(dǎo)致入射到掩膜上的輻射根據(jù)掩膜上的圖案，有選擇地透射(透射掩膜的情況下)或者反射(反射掩膜的情況下)。當(dāng)使用掩膜時，支持結(jié)構(gòu)通常是掩膜臺，這確保了可以將掩膜保持在入射輻射光束中的希望的位置，并且確保如果希望的話，可以使掩膜相對于光束進(jìn)行移動；-可編程反射鏡陣列。這樣一種設(shè)備的一個例子是具有一個黏彈性的控制層和一個反射表面的矩陣可尋址表面。這樣一種裝置的基本原理是(例如)反射表面的被尋址的區(qū)域?qū)⑷肷涔庾鳛檠苌涔鈱ζ溥M(jìn)行反射，而未被尋址的區(qū)域?qū)⑷肷涔庾鳛榉茄苌涔鈱ζ溥M(jìn)行反射。使用一種適當(dāng)?shù)臑V波器，可以將所述非衍射光從反射光束中濾出，而僅留下衍射光；通過這種方式，光束根據(jù)矩陣可尋址表面的尋址圖案變得具有一定的圖案?？删幊谭瓷溏R陣列的一種替換的實施例使用一種微反射鏡的矩陣結(jié)構(gòu)，通過施加適當(dāng)?shù)木植侩妶龌蛘咄ㄟ^使用壓電驅(qū)動裝置，可以使其中的每個反射鏡獨立地沿一個軸發(fā)生傾斜。再一次，反射鏡是矩陣可尋址的，從而被尋址的反射鏡將會按照不同于未尋址反射鏡反射入射輻射光束的方向反射入射輻射光束；通過這種方式，反射光束根據(jù)矩陣可尋址反射鏡的尋址圖案變得具有一定的圖案。可以使用適當(dāng)?shù)碾娮友b置執(zhí)行要求的矩陣尋址。在上述的兩種情況下，構(gòu)圖裝置都可以包含一個或多個可編程反射鏡陣列?？梢詮睦缑绹鴮＠鸘S 5296891和US 5523193以及PCT專利申請WO 98/38597和WO98/33096得到這里所參考的反射鏡陣列的更多信息，將它們包含在這樣作為參考。在可編程反射鏡陣列的情況下，可以將所述支持結(jié)構(gòu)實現(xiàn)為一個框架或臺，例如，根據(jù)需要它們可以是固定的或者是可移動的；以及-可編程LCD陣列。美國專利US 5229872中給出了這樣一種結(jié)構(gòu)的一個例子，將它包含在這里作為參考。與上面一樣，在這種情況下可以將支持結(jié)構(gòu)實現(xiàn)為一個框架或臺，例如，根據(jù)需要它們可以是固定的或者是可移動的。
為了簡化，本文的剩余部分可以在特定的地方特定地將自身針對于涉及掩膜和掩膜臺的例子；但是，應(yīng)該在前面所述的構(gòu)圖裝置的更為寬泛的上下文中理解這些例子中討論的基本原理。
光刻投影裝置可以用于，例如制造集成電路(IC)。在這樣一種情況下，構(gòu)圖裝置可以生成一個對應(yīng)于IC的單個層的電路圖案，并且可以將該圖案成像到涂有輻射敏感材料層(光刻膠)的襯底(硅晶片)上的目標(biāo)部分(如包含一個或多個管芯)上。通常，一個單個的晶片會包含相鄰目標(biāo)部分的整個網(wǎng)絡(luò)，這些目標(biāo)部分通過投影系統(tǒng)被依次照射，并且一次照射一個。在當(dāng)前的使用通過掩膜臺上的掩膜從而進(jìn)行構(gòu)圖的裝置中，在兩種不同類型的機(jī)器之間可能存在差異。在一種類型的光刻投影裝置中，通過在一次進(jìn)程中使整個掩膜圖案在目標(biāo)部分上曝光從而照射每個目標(biāo)部分；通常將這樣一種裝置稱作晶片分檔器或者分檔-重復(fù)裝置。在一種被稱作分檔-掃描裝置的替換的裝置中，通過按照給定的參考方向(“掃描方向”)使用投影光束漸進(jìn)地掃描掩膜圖案而同時平行于此方向或反平行于此方向同步地掃描襯底臺從而照射每個目標(biāo)部分；因為，通常，投影系統(tǒng)將會有一個放大因子M(通常大于1)，所以掃描襯底臺的速度V是掃描掩膜臺的速度的因子M倍。可以通過US 6046792獲得關(guān)于這里所描述的光刻設(shè)備的更多信息，在這里將它包含進(jìn)來作為參考。
在使用光刻投影裝置的制造過程中，將一個圖案(如在一個掩膜中)成像到至少部分地被輻射敏感材料層(光刻膠)覆蓋的襯底上。在這一成像步驟之前，該襯底可以經(jīng)歷各種處理，例如涂底料、涂光刻膠以及軟烘烤。在曝光之后，該襯底可以經(jīng)歷其它處理，例如曝光后烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤以及對成像特征的測量/檢驗。該處理序列被用作對設(shè)備的單個層(例如IC)進(jìn)行構(gòu)圖的基礎(chǔ)。然后，這樣一個具有圖案的層可以經(jīng)歷各種處理，例如刻蝕、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學(xué)-機(jī)械拋光等等，所有這些處理的目的都是要完成一個單獨的層。如果需要幾個層，那么將會為了每個新層而重復(fù)全部處理，或者其變體。最后，在襯底(晶片)上將會出現(xiàn)設(shè)備的陣列。然后，通過例如切割或者鋸的技術(shù)使這些設(shè)備彼此分離，由此可以將這些單個的設(shè)備安裝到一個載體上，連接到管腳等等。通過Peter vanZant所寫的書“微芯片制造半導(dǎo)體工藝實踐指導(dǎo)(MicrochipFabricationA Practical Guideto Semiconductor Processing)”，第三版，McGraw Hill出版公司，1997，ISBN 0-07-067250-4，可以獲得關(guān)于這些處理的進(jìn)一步的信息，在這里將它包含進(jìn)來作為參考。
為了簡化，此后可以將投影系統(tǒng)稱作“透鏡”；但是，應(yīng)該將該名詞寬泛地理解為包含各種類型的投影系統(tǒng)，例如包含折射光學(xué)系統(tǒng)、反射光學(xué)系統(tǒng)以及兼反射和折射的系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還可以包含根據(jù)用于對投影輻射光束進(jìn)行定向、成形或者控制的任意這些設(shè)計類型從而進(jìn)行工作的器件，并且在下面還可以將這樣的器件統(tǒng)一稱作“透鏡”。而且，光刻裝置可以是具有兩個或多個襯底臺(以及/或者兩個或多個掩膜臺)的一種類型。在這樣的“多級”設(shè)備中，可以平行使用額外的臺，或者可以在一個或多個臺上執(zhí)行準(zhǔn)備步驟而同時將一個或多個其它臺用于曝光。例如，在US 5969441和WO 98/40791中描述了兩級光刻設(shè)備，這里將它們包含進(jìn)來作為參考。
實施例1在該實施例中，大體上參考圖1和2描述了一種光刻裝置；大體上參考圖3和4描述了本發(fā)明的反射鏡。
圖1示意性地描述了根據(jù)本發(fā)明的一種特定的實施例的光刻投影裝置1。該裝置包含-一個輻射系統(tǒng)LA(包含一個輻射光源)、一個光束擴(kuò)展器Ex，以及一個照明系統(tǒng)IL，用于提供投影輻射光束PB(如157nm輻射)；-配有用于支持掩膜MA(如刻線)的掩膜支持器的一個第一物體臺(掩膜臺)MT，并且連接到用于準(zhǔn)確地使掩膜相對于項PL進(jìn)行定位的第一定位裝置PM；-配有用于支持襯底W(如光刻膠涂覆硅晶片)的襯底支持器的一個第二物體臺(襯底臺)WT，并且連接到用于準(zhǔn)確地使襯底相對于項PL進(jìn)行定位的第二定位裝置PW；以及-用于將掩膜MA的受照射部分成像到襯底W的目標(biāo)部分C(如包含一個或多個模具)的投影系統(tǒng)(“透鏡”)PL(如折射光學(xué)系統(tǒng)、兼反射和折射的系統(tǒng)或者反射光學(xué)系統(tǒng))。
如這里所描述的，該裝置是一種反射類型的裝置(即具有反射掩膜)。但是，通常，它可以例如是一種透射類型的裝置(具有透射掩膜)?？商鎿Q的，該裝置可以使用另一種構(gòu)圖裝置，例如上述類型的可編程反射鏡陣列。
光源LA(如EUV激態(tài)原子光源或者等離子放電光源)產(chǎn)生輻射光束。例如，該光束直接注入到照明系統(tǒng)(照明器)IL中，或者在橫穿例如光束擴(kuò)展器Ex的調(diào)節(jié)裝置后注入到照明系統(tǒng)(照明器)IL中。照明器IL可以包含用于設(shè)置光束中的強度分布的外和/或內(nèi)徑向范圍(通常分別被稱作σ-外和σ-內(nèi))的調(diào)整裝置AM。另外，它通常包含各種其它器件，例如集成器IN和壓縮器CO。通過這種方式，照射到掩膜MA上的光束PB在它的橫截面上具有希望的均勻性和強度分布。
對于圖1應(yīng)該注意到，光源LA可以在光刻投影裝置的外殼之內(nèi)，但是它也可以遠(yuǎn)離光刻投影裝置，并且它產(chǎn)生的輻射光束被導(dǎo)引到該裝置中(如通過適當(dāng)?shù)膶?dǎo)引反射鏡)；如果光源LA是激光器，那么通常使用后一種方案。本發(fā)明和權(quán)利要求包含這兩種方案。
光束PB隨后與保持在掩膜臺MT上的掩膜MA相交。在橫穿掩膜MA之后，光束PB通過透鏡PL，該透鏡PL將光束PB會聚到襯底W的目標(biāo)部分C上。借助于第二定位裝置PW(干涉測量裝置IF)，可以準(zhǔn)確地使襯底臺WT移動，如從而定位光束PB路徑上的不同目標(biāo)部分C。類似地，可以將第一定位裝置PM用于使掩膜MA相對于光束PB的路徑進(jìn)行準(zhǔn)確的定位，如在從掩膜庫中利用機(jī)械的方法獲得掩膜MA之后，或者在掃描期間。通常，通過沒有在圖1中明確描述的長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精細(xì)定位)可以實現(xiàn)物體臺MT、WT的移動。但是，在使用晶片分檔器的情況下(與使用分檔—掃描裝置的情況相反)，掩膜臺MT可以只與短行程驅(qū)動器相連，或者是固定的?？梢允褂醚谀?zhǔn)標(biāo)記M1、M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2使得掩膜MA和襯底W對準(zhǔn)。
可以按照兩種不同的模式使用所描述的裝置1.在分檔模式中，掩膜臺MT基本上保持靜止，并且整個掩膜圖像在一次進(jìn)程中(即“一瞬間”)都投影到目標(biāo)部分C上。然后沿x和/或y方向移動襯底臺WT，從而可以利用光束PB照射不同的目標(biāo)部分C；以及2.在掃描模式中，基本上實施相同的方案，但不是“一瞬間”使給定的目標(biāo)部分C曝光。相反地，掩膜臺MT可以沿給定方向(所謂的“掃描方向”，例如y方向)以速度v進(jìn)行移動，從而使得投影光束PB在掩膜圖像上進(jìn)行掃描；同時，使襯底臺WT沿相同或相反的方向以速度V＝Mv同時進(jìn)行移動，其中M是透鏡PL的放大率(典型地，M＝1/4或1/5)。通過這種方式，可以使相對較大的目標(biāo)部分曝光，而不需要以犧牲分辨率為代價。
可以將包含一個輻射光源的輻射光源LA、照明系統(tǒng)IL以及投影系統(tǒng)PL分別放置在不同的室(“盒”)中，這些室被抽成真空或者充滿對于投影光束輻射透明的氣體。投影光束通過這些不同的室上的開口從而穿過這些不同的室。圖2較詳細(xì)地顯示了用于使投影光束PB從輻射光源LA到達(dá)照明系統(tǒng)IL的安排的例子。
圖2顯示了圖1的光刻投影裝置1的一種實施例，包含輻射系統(tǒng)3(即“光源采集器模塊”)、照明系統(tǒng)IL以及投影系統(tǒng)PL。輻射系統(tǒng)3配有可以包含放電等離子光源的輻射光源LA。輻射光源LA可以使用氣體或蒸氣，例如Xe氣體或Li蒸氣，其中可以通過輻射光源的電極之間的放電產(chǎn)生非常熱的等離子，從而發(fā)射在電磁頻譜的EUV范圍內(nèi)的輻射。通過使電子放電的部分電離的等離子在光軸O上衰減從而產(chǎn)生非常熱的等離子。為了有效地產(chǎn)生輻射，要求Xe、Li蒸氣或者任意其它適合的氣體或蒸氣的為0.1mbar的局部壓力。
當(dāng)使用氙時，等離子可以在大約為13.5nm的EUV范圍內(nèi)發(fā)出輻射。可以將輻射光源LA發(fā)出的輻射從光源室7導(dǎo)引到污染物阻擋器9。污染物阻擋器9可以包含例如在歐洲專利申請EP-A-1 057079中詳細(xì)描述的通道結(jié)構(gòu)。
輻射系統(tǒng)3(即“光源采集器模塊”)包含可以由切向入射采集器形成的輻射采集器10。通過輻射采集器10的輻射受到光柵頻譜濾波器或反射鏡11的反射，并離開該光柵頻譜濾波器或反射鏡從而會聚到一個孔徑處的虛光源點12。在照明系統(tǒng)IL中，通過正交入射反射器13、14將投影光束PB反射到位于刻線或掩膜臺MT上的刻線或掩膜上。形成具有一定圖案的光束17，該光束在投影光學(xué)系統(tǒng)PL中通過反射元件18、19在晶片臺或襯底臺WT上成像。通常，在照明系統(tǒng)IL和投影系統(tǒng)PL中還有更多的未示出的元件。
圖2的一個或多個反射鏡，如圖2的位于位置11的頻譜濾波器或反射鏡、輻射采集器10，或者正交入射反射器13、14可以是根據(jù)本發(fā)明的反射鏡，并且具有層疊突起輪廓，如一種一維輪廓，其中反射表面上的突起包含一種材料，并且從以下這些材料中的至少一個選擇該種材料Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，如在后面將要解釋的那樣。
圖3中顯示了本發(fā)明的反射鏡的一種實施例，其中顯示了一種層疊鋸齒輪廓，并且其中突起具有周期p、長度380、高度h以及角度ba。圖4描述了另一種突起具有層疊方波輪廓的實施例，其中的突起具有周期p、長度380以及高度h。參考符號L指“槽脊”并且參考符號G指“凹槽”。將突起安排在反射鏡300的反射表面上。
這樣一種反射鏡或包含這樣的反射鏡的裝置的優(yōu)勢在于，當(dāng)EUV受到反射鏡300的反射時，如在一定的角度，只有希望的EUV輻射才按照該角度被反射，而不希望的輻射，例如IR輻射被上述材料吸收并且/或者被偏轉(zhuǎn)或折射到其它方向。通過例子的方式，在圖4中對此進(jìn)行了說明。具有入射角α的投影光束PB入射到突起LP1(層疊突起1)的表面。部分光受到反射(未示出)并且部分光或者全部光進(jìn)入突起。因為突起對于EUV輻射是透射的，所以該輻射未被吸收或基本上未被吸收地傳播通過，而具有不希望的波長的輻射，如UV或IR基本上被吸收。光束可以進(jìn)一步傳輸?shù)綄盈B突起LP2所指示的下一個突起(第二突起)。在到達(dá)該突起LP2的(左)表面時，部分輻射再次受到反射(未示出)，并且部分輻射將會傳播通過突起LP2。同樣地，該突起LP2也會區(qū)別對待EUV輻射和具有其它波長的輻射。當(dāng)投影光束PB在位置305處到達(dá)反射鏡300(如多層反射鏡)的表面時，投影光束PB按照角度β(當(dāng)在反射鏡300的表面上進(jìn)行鏡面反射時，β可以是α)受到反射。投影光束PB可以進(jìn)一步傳輸通過突起LP2和LP3。通過這種方式，投影光束PB在受到本發(fā)明的反射鏡反射后將會比入射到反射鏡之前包含更高的EUV/非EUV輻射比。圖4中顯示的關(guān)于投影光束PB的傳播也可以應(yīng)用于圖3，在圖3中并不像在圖4中那樣使用形成層疊方波輪廓的層疊突起，而是使用層疊鋸齒輪廓。
注意到圖3和4(以及后面的圖5和9)中并沒有描述投影光束PB的折射。通過使用閃耀或最優(yōu)化光柵可以進(jìn)一步改善上述的比值(見實施例3)。即使當(dāng)具有上述突起的反射鏡在如UV波長處受到最優(yōu)化或閃耀時，它也能阻擋不希望的波長(如IR)，而透射EUV輻射，這是因為Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U基本上對EUV是透射的，而對于具有EUV輻射之外的其它波長的輻射基本上是不透射的。而且，所有這些材料，包括Si，對于13.5nm輻射具有長于100nm的吸收長度。突起還可以包含材料的組合，如B4C或SiC。
本實施例的反射鏡300上的突起主要以對于EUV輻射透射的濾光器和基本上對于投影光束PB的EUV輻射是透射的光柵或衍射結(jié)構(gòu)的形式出現(xiàn)。但是，由于折射率的差別，當(dāng)EUV輻射進(jìn)入和離開突起的時候，可能會出現(xiàn)投影光束PB的EUV輻射的一些衍射損耗。這可以通過其它實施例得到解決，如實施例3、4以及7。
實施例2在第二實施例中，以這樣一種方式安排突起，從而使在包含EUV輻射的投影光束中具有0到90°之間的入射角的一部分EUV輻射僅通過一個突起，見圖5，或者基本上投影光束PB的每一部分都只通過一個突起。
以這樣一種方式構(gòu)建輪廓(它可以在大約13.5nm或其它EUV波長處是衍射的和最優(yōu)化的)，從而輻射光束PB中包含的希望的輻射僅通過輪廓的一個周期p并且在如位置305處受到反射鏡或反射鏡表面300的反射。用參考符號α指示投影光束PB相對于反射鏡300的入射角，而用α’1顯示投影光束PB相對于突起的側(cè)表面的入射角。入射角α’1可以保持很小從而使投影光束PB的反射最小化。另外，可以使輪廓的突起的上表面成一定的角度，如在閃耀光柵中那樣，從而使在突起表面上發(fā)生的不希望的輻射反射(如具有高于EUV的波長的輻射，如UV、VIS和IR的反射)按照不同于希望的輻射的方向被導(dǎo)引。可以選擇突起的長度380和高度h、突起被安排的周期p以及入射角α，從而投影光束PB僅通過一個突起。
可以通過使用鉆石工具進(jìn)行刻線(劃出一條線)從而產(chǎn)生反射鏡上的輪廓。還可以通過離子刻蝕一種正弦結(jié)構(gòu)從而產(chǎn)生該輪廓。使用光刻技術(shù)和隨后進(jìn)行的離子刻蝕從而在切向入射反射鏡上產(chǎn)生塊輪廓也是一種可行的選擇。圖5中顯示的輪廓是一個例子；只要EUV輻射基本上不被吸收(即基本上是透射的)，并且EUV輻射的衍射很小(如小于大約30％的輻射受到衍射)，那么也可以使用其它的輪廓。
圖5通過例子的方式顯示了層疊方波輪廓。但是，該實施例還包含這樣一種配置其中使用了層疊鋸齒輪廓，或者其中使用了周期性構(gòu)建的鋸齒輪廓或周期性構(gòu)建的方波輪廓。
當(dāng)使用層疊鋸齒輪廓時，可以選擇突起的長度380和高度h、突起被安排的周期p、角度ba以及入射角α，從而投影光束PB僅通過一個突起。
類似地，這適用于周期性構(gòu)建的輪廓，但是在這樣的實施例中，周期p包含兩個周期，這是因為形成了一個二維結(jié)構(gòu)。
該實施例還可以包含這樣一種輪廓，其中突起的長度380小于周期p的一半(在圖5中顯示了用于層疊安排的方波輪廓的情況，但是這還可以適用于鋸齒輪廓和二維輪廓)。
該實施例的反射鏡上的突起主要以對于EUV輻射透射的濾光器的形式出現(xiàn)。
實施例3在第三實施例中，突起的輪廓形成了一個光柵，該光柵可以在如13.5nm的希望的輻射或者另一個EUV波長處得到最優(yōu)化或閃耀，如將要參考圖6和7解釋的那樣?？商鎿Q地，該光柵可以在其它的波長處，如UV、VIS或IR中的波長處得到最優(yōu)化或閃耀。
在圖6中，閃耀光柵具有鋸齒輪廓或者反射鏡300所具有的光柵常數(shù)p等于鋸齒的周期的長度380。α和β分別是輻射光束PB到達(dá)表面上的突起表面的角度和受到該表面反射的角度。這些角都是相對于正交于反射鏡的表面的法線n從而被定義的?？梢砸赃@樣一種方式選擇閃耀角從而光柵的第零階對于不希望的輻射是最小的。而且，可以以這樣一種方式選擇閃耀角從而希望的輻射的衍射效率得到最大化。通過這樣一種安排，在理論上可以實現(xiàn)100％的衍射效率(見如EP1197803，將其包含在這里作為參考)。突起的高度h和長度380確定了13.5nm透射的效率。光柵常數(shù)p確定了在圖2中透射通過孔徑12的波長范圍(見實施例1)。
作為對閃耀光柵的替換，可以使用圖7中顯示的類型的層疊光柵。如圖7中所示，層疊光柵具有方波表面輪廓，并且光柵常數(shù)p等于方波的一個周期p以及等于突起的長度380的二倍?？梢允褂美绻饪碳夹g(shù)制造這樣的光柵。通過這種技術(shù)，將上表面拋光以具有非常好的表面粗糙度并刻蝕出凹槽，由光刻膠圖案定義槽脊L。
為了提取出不希望的較長波長輻射(長于希望的EUV輻射的波長)，將由例如圖7中所示的相位光柵組成的衍射光柵結(jié)構(gòu)應(yīng)用到例如反射鏡300。安排光柵從而受到光柵的“槽脊”L和“凹槽”G部分反射的射線之間的光程差(OPD)是希望的波長的波長整數(shù)倍，即OPD＝m.λeuv(1)其中n是一個整數(shù)，λeuv是希望的輻射的波長，如13.5nm。同時，對于用于其它輻射(不希望的輻射)的OPD，等式(1)通常并不成立。例如，對于某些波長，OPD在不希望的波長范圍內(nèi)是波長的整數(shù)倍加半個波長(如在現(xiàn)有技術(shù)中知道的那樣)，即OPD＝(m+1/2).λud(2)其中m是一個整數(shù)，λud是不希望的波長的波長。
通過滿足等式(1)，光柵并不干擾希望的輻射，這些輻射如所希望的那樣受到反射鏡300的反射，實際上所有希望的或基本上所有希望的輻射受到衍射從而成為零階光束，這是因為光柵對于希望的輻射是透射的(另外見4和5)。但是，如光柵等式所確定的那樣，不希望的輻射受到衍射并且對于恰好滿足等式(2)的波長，衍射效率最大并且所有能量受到衍射從而不再是零階光束(另外見如EP 1197803)。通過這種方式，不希望的輻射與形成投影光柵PB的希望的輻射在空間上分離，并且可以被適合的吸熱裝置或光束清除器(beam bump)吸收。
當(dāng)所選擇的輪廓具有光柵結(jié)構(gòu)時，在一種優(yōu)選的實施例中，突起的輪廓形成具有鋸齒輪廓的光柵，該輪廓為了實現(xiàn)偏轉(zhuǎn)不希望的輻射進(jìn)行過最優(yōu)化。在另一種實施例中，當(dāng)所選擇的輪廓具有光柵結(jié)構(gòu)時，突起的輪廓形成具有方波輪廓的光柵，該輪廓在RUV波長處，如13.5nm處進(jìn)行了最優(yōu)化。
實施例4在上述的實施例中，從總體上對光刻裝置進(jìn)行了描述，并且描述了包含一個或多個突起的反射鏡，其中突起包含一種材料，并且從以下這些材料中的至少一個選擇該種材料Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U。在實施例4中，描述了一種反射鏡，它至少包含兩種不同的突起，這兩種突起包含兩種或多種不同的材料，如參考圖8和9將在后面解釋的那樣。這里，反射鏡300包含具有不同突起(即第一突起和第二突起)的反射表面。
在該實施例中，描述了包含一個或多個第一突起LP1a和一個或多個第二突起LP1b的反射鏡300，其中第一突起包含第一材料m1，其中從以下這些材料中的至少一個選擇第一材料Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U(突起LP1a)，其中第二突起包含第二材料m2，其中從以下這些材料中的至少一個選擇第二材料Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U(LP1b)，并且其中該第一材料和第二材料并不相同，即第一突起LP1a和第二突起LP1b包含不同的材料或者不同的材料成分，如Si和Mo、Mo和Zr、C和Si、Be和Zr等等。在另一例子中，m1是Be或Zr，并且m2是Si3N4或者SiO2。如果需要，還可以將m1和m2之外的其它材料以及/或第一和第二突起之外的其它突起應(yīng)用于反射鏡300上。
在圖8中較詳細(xì)地顯示了這樣一種實施例的配置。它描述了反射鏡300上的層疊鋸齒輪廓。與圖3和6中顯示的鋸齒輪廓不同的是，這里的層疊鋸齒輪廓包含兩種材料的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)具有高度h1，并且包含第一材料m1的第一突起LP1a，并且第一突起的閃耀角為ba2，高度為h1，該結(jié)構(gòu)還包含第二材料m2的第二突起LP1b，并且第二突起的閃耀角為ba3，高度為h2。(兩種或多種材料的)這些突起共同形成一個突起或僅具有閃耀角ba的結(jié)構(gòu)。這些突起可以形成具有周期p的規(guī)則結(jié)構(gòu)。如圖8中顯示的反射鏡300上的突起可以形成在EUV波長處閃耀的光柵，但是在另一種實施例中，這些突起還可以在其它波長處閃耀，如UV、VIS或IR波長。
可以以這樣一種方式選擇閃耀角ba，從而不希望的輻射相對于希望的輻射的方向發(fā)生偏轉(zhuǎn)，如在上面的實施例3中那樣(圖6)。閃耀角ba依賴于材料m1的突起LP1a(第一突起)的角ba2、材料m2的突起LP1b(第二突起)的角ba3以及突起LP1a和LP1b的高度h1和h2，其中這兩個突起在這種情況下位于彼此的頂部。
可以將圖9中顯示的類型的層疊輪廓用作閃耀輪廓的替換。如圖9中所示，層疊輪廓具有方波表面輪廓，并且它的常數(shù)p等于圖8中顯示的層疊鋸齒輪廓的一個周期p。這些突起按照交替的順序彼此相鄰并且具有不同的高度，即材料m1的突起LP1a具有高度h1，并且材料m2的突起LP1b具有高度h2。該圖中，用參考符號380a顯示材料m1的突起LP1a(第一突起)的長度，用參考符號380b顯示材料m2的突起LP1b(第二突起)的長度。在圖9中，長度380a和380b是相同的并且兩個長度的和等于周期p。
通過基于材料的折射率從而選擇材料，選擇第一和第二突起的高度h1和h2、適用的長度380a和380b或者角度ba、ba2以及ba3、距離(周期p)，以及投影光束照射到反射鏡上的特定的入射角，可以獲得以特定的角度反射希望的輻射而同時通過不同材料來校正光程長度差的反射鏡，從而光程長度差在反射表面上不發(fā)生變化，而以其它的角度吸收和偏轉(zhuǎn)不希望的波長的光。
通過例子的方式在圖9中對此進(jìn)行了描述。這里，投影光束PB的射線r1進(jìn)入材料m1的第一P1a突起，基本上透射通過該突起并且在位置305處的反射鏡處或反射鏡表面300上受到反射。在受到反射后，射線r1離開該突起。同樣包含于投影光束PB中的射線r2進(jìn)入材料m2的第一突起LP1b并且在位置306處在反射鏡處或在反射鏡表面300上受到反射。如果不存在該第二突起LP1b，那么光程長度(通過第一和第二突起以及真空)對于不同的射線是不同的。為了補償光程長度中的這一差別，使用了材料m2的第二突起P1b。該材料m2具有另一種折射率。通過選擇適當(dāng)?shù)耐黄鸬某叽绾腿肷浣?，如上所述，材料m2的第二突起LP1b可以補償對于投影光束PB(投影光束PB中的不同射線)的光程差，由此提供在反射表面上并不發(fā)生變化的光程長度差。這意味著光程長度差是零或者波長的整數(shù)倍。為了確定光程長度(差)，也應(yīng)將突起上的真空考慮在內(nèi)。通過這種方式，光程長度，即路徑長度乘以用于射線r1和r2的折射率，從進(jìn)入突起LP1a和LP1b的波前WFb開始，到突起LP1a和LP1b之后的波前WFb，是相同的或者對于射線r1和r2的光程長度之間的差是波長(如13.5nm輻射)的整數(shù)倍。這里，在該實施例中對于EUV輻射生成出了不在反射表面上發(fā)生變化的光程長度差。
對于Si，其中Si對于EUV輻射具有接近一致的折射率，這樣一種補償性第二突起的存在可能就不那么必要，但是，當(dāng)使用其它材料當(dāng)中的一種時，該第二突起LP1b的存在可能就特別有好處了。但是，Si也生成了投影光束PB內(nèi)的不同射線(如對于圖9中顯示的r1和r2)之間的小的光程長度差，可以通過使用包含Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U的第二突起LP1b從而補償該光程長度差。
該實施例還包含具有反射表面的反射鏡(如在光刻裝置中)，其中以這樣一種方式安排這些突起，從而使在包含EUV輻射的投影光束中具有0到90°之間的入射角的一部分EUV輻射，僅在一個周期p內(nèi)通過一個第一突起LP1a(材料m1)和一個第二突起LP1b(材料m2)，類似于實施例2。這意味著突起380a和380b的長度小于周期p(類似于實施例2或?qū)嵤├?，其中突起的長度1小于周期p的一半(在實施例2中凹槽G和槽脊L形成一個周期))。
該實施例還包含一個反射鏡，其中突起的輪廓形成一個光柵，并且該光柵為在希望的波長處，如13.5nm或另一個波長處為閃耀(鋸齒)或最優(yōu)化(方波)。反射鏡上的這些類型的輪廓可以具有一維或二維特征。因為這些突起對EUV輻射是透明的，所以希望的波長受到反射鏡300的反射，并且不希望的波長輻射被吸收、折射和/或偏轉(zhuǎn)。
通常，該實施例描述了一個具有至少一個反射表面300的反射鏡，其中反射表面300包含一個或多個包含一種第一材料m1的突起P1a(第一突起)，反射表面300還包含一個或多個包含一種第二材料m2的突起LP1b(第二突起)，并且其中該第一和第二材料并不相同。當(dāng)使用的材料對于希望的波長是透明的或者被優(yōu)化從而對于希望的波長是透明的情況下，可以將這樣的一個反射鏡300用作濾光器。其它的波長，不希望的波長，可以被材料吸收，并且當(dāng)為一個特定的波長選擇了一個光柵(光柵或閃耀光柵)時，不希望的波長還可以(部分地)受到偏轉(zhuǎn)。
參考圖8，在一種實施例中還可以將本發(fā)明的反射鏡300描述為至少具有一個反射表面的反射鏡300，其中該反射表面包含一個或多個第一突起LP1a和一個或多個第二突起LP1b，其中第一突起包含第一材料m1，其中從以下這些材料中的至少一個選擇第一材料Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，其中第二突起包含第二材料m2，其中從以下這些材料中的至少一個選擇第二材料Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，并且其中突起LP1a和LP1b的第一和第二材料(分別是m1和m2)并不相同，并且其中突起LP1a和LP1b包含不同的材料(m1和m2)，其中突起LP1a和LP1b具有鋸齒輪廓，其中以這樣一種方式安排一個第一突起LP1a和一個第二突起LP1b，從而它們共同形成一個具有特定周期p的一個突起。因此，在周期p之內(nèi)(沿著反射鏡300的表面)，材料存在差別，例如梯度?？梢栽趫D8中看出這一點，其中在由突起LP1a和LP1b形成的突起的左側(cè)(在h2處)，該突起包含相對較多的材料m2，而在突起的右側(cè)(在h1處)，該突起包含相對較多的材料m1。
參考圖9，在一種實施例中還可以將本發(fā)明的反射鏡300描述為至少具有一個反射表面的反射鏡300，其中該反射表面包含一個或多個第一突起LP1a和一個或多個第二突起LP1b，其中第一突起包含第一材料m1，其中從以下這些材料中的至少一個選擇第一材料Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，其中第二突起包含第二材料m2，其中從以下這些材料中的至少一個選擇第二材料Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，并且其中突起LP1a和LP1b的第一和第二材料(分別是m1和m2)并不相同，并且其中突起LP1a和LP1b包含不同的材料(m1和m2)，其中突起LP1a和LP1b具有方波輪廓，其中以彼此相鄰的方式安排一個第一突起和一個第二突起(LP1a和LP1b)，從而它們共同形成具有特定周期p(380a和380b)的兩個不同的突起(LP1a和LP1b)。因此，在周期p之內(nèi)(沿著反射鏡300的表面)，材料存在差別，例如梯度。可以在圖9中看出這一點，其中突起LP1a(高度為h1，寬度為380a)包含材料m1，而突起LP1b(高度為h2，寬度為380b)包含材料m2，由此沿著周期p形成了一個梯度，在沿著反射鏡300的周期的一側(cè)具有相對較多的材料m1，在周期的另一側(cè)具有相對較多的材料m2。
因此，參考圖8(未在此圖中顯示)和9，對于必須透射的輻射，在投影光柵PB的一定角度，由不同材料導(dǎo)致的相移之和在每個位置處都是相同的(或基本上相同)。因此，以這樣一種方式安排第一突起和第二突起(LP1a和LP1b)，從而對于EUV輻射，所產(chǎn)生的光程長度差在反射表面上并不發(fā)生變化。
該實施例還包含一種包含如在該實施例中描述的反射鏡的光刻裝置(見如實施例1)。
為了提供上述結(jié)構(gòu)，可以通過使用鉆石工具在材料m1的層上刻線、使材料m2沉積以及使用鉆石工具第二次進(jìn)行刻線從而提供閃耀結(jié)構(gòu)。為了實現(xiàn)方形結(jié)構(gòu)，可以使用一種光刻處理。
下面的實施例，實施例5-11，描述了可以包含在上述的實施例中描述的反射鏡中的另外一些具體的特征。
實施例5在該實施例中，根據(jù)本發(fā)明的反射鏡300(如在上述的實施例中描述的)，配有與反射鏡進(jìn)行熱接觸的冷卻元件(見EP 1197803的圖2)。為了冷卻所使用的上述實施例之一中的反射鏡，可以在反射鏡的后表面上提供冷卻通道，或者將其包含在反射鏡體中。一種適合的冷卻液通過冷卻通道，從而使反射鏡保持在一個希望的溫度。
實施例6在該實施例中，根據(jù)本發(fā)明的反射鏡300是一個多層反射鏡，具有根據(jù)實施例4的不同材料的突起。
實施例7在該實施例中，根據(jù)本發(fā)明的反射鏡300包含如實施例2中描述的反射鏡(包括圖5)，但是其中突起(圖4中的參考符號LP1和LP2等等；圖5中的參考符號301)的長度380遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于突起的周期p。通過這種方式，希望的輻射在突起的頂部表面處可能出現(xiàn)的衍射損耗得到了最小化。例如，比值長度380∶p等于或小于1∶5，如突起的長度380是150nm，周期p是1250nm。在另一種實施例中，投影光束恰好僅通過一個突起。在圖5中，可以從以下這些材料中的至少一個選擇突起301的材料Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U。例如，可以選擇B、C、Mo、Nb或Si，但是也可以選擇Si3N4。還可以選擇材料的組合，如B4C或SiC。
實施例8在該實施例中，根據(jù)本發(fā)明的反射鏡300是切向入射反射器。相對于反射鏡面的入射角可以是大約75到85°(見如圖6中的α)。在該實施例中，這些突起，或者是作為單個突起，或者是作為第一和第二突起，都存在于輻射采集器10上(見圖2)。通常，對于根據(jù)本發(fā)明的濾光器，有益的是在光束受到會聚之前使用具有突起的反射鏡，如在虛光源點12中那樣(見實施例1，圖2)。
實施例9在該實施例中，在圖2的反射鏡11上存在突起，這些突起或者以單個突起的形式出現(xiàn)，或者以第一和第二突起的形式出現(xiàn)。
實施例10在該實施例中，在正交入射反射鏡13或14上存在突起，這些突起或者以單個突起的形式出現(xiàn)，或者以第一和第二突起的形式出現(xiàn)。
實施例11在該實施例中，用于如光刻裝置的投影光束PB中的輻射包含極紫外線輻射，如具有從8到20nm范圍內(nèi)的波長，特別是9到16nm，如13.5nm。
實施例12參考圖8，該實施例描述了一個反射鏡300，其中突起LP1a和LP1b的周期p大約為100nm到10μm(第一和第二突起的周期，共同形成鋸齒輪廓)，并且其中突起的高度h1大約為10-500nm(第一突起LP1a)，如大約10-100nm。可以這樣選擇閃耀角(并且由此第二突起的高度)從而在一定的入射角，對于瞬時正交入射，光程長度在表面上是恒定的(或者僅變化波長的倍數(shù))。換句話說，例如h2*n2+(h1-h2)*1＝h1*n1。假設(shè)如折射率n1或者材料m1是0.96(Zr)，折射率n2或材料m2是0.92(Mo)，并且高度h1是100nm，高度h2是50nm?？梢砸蕾囉谝皇┘拥娜肷浣沁x擇高度、周期以及材料。
實施例13參考圖9，突起LP1a和LP1b可以具有層疊方波輪廓，其中突起具有方形或矩形結(jié)構(gòu)，也就是層疊地安排在反射鏡300上，并且其中突起LP1a和LP1b的周期p大約為100nm到10μm(第一和第二突起LP1a和LP1b的周期，共同形成方波輪廓)，并且其中突起的高度(h1)大約為10-500nm(第一突起LP1a)。在另一種實施例中，高度h1可以是大約10-100nm?？梢赃@樣選擇第二突起LP1a的高度h2從而在一定的入射角，對于瞬時正交入射，光程長度在表面上是恒定的(或者僅變化波長的倍數(shù))。高度h2可以是如50nm。
實施例14在該實施例中，從以下這些材料中的至少一個選擇材料Si、Be以及Zr(但是對于第一和第二突起，材料是不同的)。
實施例15在該實施例中，第一突起LP1a的材料或第二突起LP1的材料包含從以下這些材料中的至少一個選擇的材料Si、Be以及Zr。
實施例16在該實施例中，第一和第二突起(LP1a和LP1b)的材料(m1和m2)的折射率差較大，這兩種材料例如Mo和Si。例如，包含材料m1的突起LP1a是Mo，并且包含材料m2的突起LP1b是Si，或者與之相反。
盡管在上面已經(jīng)對本發(fā)明的實施例進(jìn)行了描述，但是可以理解，可以按照不同于上述實施例的方法實施本發(fā)明。對實施例和圖的描述并不是要限制本發(fā)明。例如，本發(fā)明并不限于如在第一實施例中描述的光刻裝置。
權(quán)利要求
1.具有反射表面的反射鏡，其中該反射表面包含一個或多個包括第一材料的第一突起，還包含一個或多個包括第二材料的第二突起，并且其中該第一和第二材料并不相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射鏡，具有至少一個反射表面，其中該反射表面包含一個或多個包括第一材料的第一突起，其中從以下這些材料中的至少一個中選擇該第一材料Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，該反射表面還包含一個或多個包括第二材料的第二突起，其中從以下這些材料中的至少一個中選擇該第二材料Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，并且其中該第一和第二材料并不相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反射鏡，其中以這樣一種方式安排該第一和第二突起，從而對于EUV輻射，所生成的光程長度差在反射表面上不發(fā)生變化。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的反射鏡，其中該反射鏡是切向入射反射鏡或多層反射鏡。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4之一所述的反射鏡，其中以這樣一種方式安排這些突起，從而當(dāng)輻射光束入射到反射鏡上時，具有希望的波長的輻射光束按照一個預(yù)定的方向通過并且具有不希望的波長的輻射光束被偏轉(zhuǎn)到其它的方向和/或被吸收。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5之一所述的反射鏡，其中安排這些突起從而形成閃耀光柵。
7.一種光刻投影裝置，包含-一種用于提供投影輻射光束的輻射系統(tǒng)；-一種用于支持構(gòu)圖裝置的支持結(jié)構(gòu)，該構(gòu)圖裝置用于根據(jù)希望的圖案對投影光束進(jìn)行構(gòu)圖；-一種用于支持襯底的襯底臺；-一種用于將構(gòu)圖的光束投影到襯底上的目標(biāo)部分的投影系統(tǒng)；以及-一個或多個反射鏡，每個反射鏡具有一個反射表面，其特征在于，這些反射鏡中的至少一個包含根據(jù)權(quán)利要求1-6之一所述的反射鏡。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光刻裝置，包含具有反射表面的反射鏡，該反射表面包含第一和第二突起，其中以這樣一種方式安排該第一和第二突起，從而對于EUV輻射，所生成的光程長度差在反射表面上不發(fā)生變化。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的光刻裝置，其中接近于該輻射系統(tǒng)安排有一個或多個反射鏡。
10.一種設(shè)備制造方法，包含-提供被輻射敏感材料層至少部分地覆蓋的襯底；-使用輻射系統(tǒng)提供投影輻射光束；-使用構(gòu)圖裝置使投影光束的橫截面具有一種圖案；-將具有圖案的輻射光束投射到輻射敏感材料層的目標(biāo)部分上；以及-提供一個或多個具有反射表面的反射鏡，其特征在于，在投影光束(PB)中提供至少一個根據(jù)權(quán)利要求1-6之一所述的反射鏡。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中提供了具有反射表面的反射鏡，該反射表面包含第一和第二突起，其中以這樣一種方式安排該第一和第二突起，從而對于EUV輻射，所生成的光程長度差在反射表面上不發(fā)生變化。
12.一種具有反射表面的反射鏡，其特征在于，該反射表面包含一個或多個突起，這些突起包含從以下這些材料中的至少一個中選擇的一種材料Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa以及U，并且其中以這樣一種方式安排這些突起，從而使在包含EUV輻射的投影光束中具有0°到90°之間的入射角的一部分EUV輻射僅通過一個突起。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的反射鏡，其中以這樣一種方式安排這些突起，從而使在包含EUV輻射的投影光束中具有60°到90°之間的入射角的一部分EUV輻射僅通過一個突起。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的反射鏡，其中以這樣一種方式安排這些具有長度和周期的突起，從而突起的長度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于突起的周期。
15.包含根據(jù)權(quán)利要求12-15之一所述的反射鏡的光刻裝置。
16.一種設(shè)備制造方法，包含-提供被輻射敏感材料層至少部分地覆蓋的襯底；-使用輻射系統(tǒng)提供投影輻射光束；-使用構(gòu)圖裝置使投影光束的橫截面具有一種圖案；-將具有圖案的輻射光束投射到輻射敏感材料層的目標(biāo)部分上；以及-提供一個或多個具有反射表面的反射鏡，其特征在于，在投影光束(PB)中提供至少一個根據(jù)權(quán)利要求12-15之一所述的反射鏡。
17.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中以這樣一種方式安排這些突起，從而使在包含EUV輻射的投影光束中具有0°到90°之間的入射角的一部分EUV輻射僅通過一個突起。
18.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中該投影光束的入射角在60°到90°之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求10或11中的一個權(quán)利要求所述的方法制造的設(shè)備，或者使用根據(jù)權(quán)利要求7、8或9中的一個權(quán)利要求所述的裝置制造的設(shè)備。
20.根據(jù)權(quán)利要求16-18中的一個權(quán)利要求所述的方法制造的設(shè)備，或者使用根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置制造的設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有反射表面的反射鏡，反射表面包含一個或多個突起，突起材料選自Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa、U的至少之一，或者反射表面包含一個或多個第一材料的第一突起，第一材料選自Be、B、C、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa、U的至少之一，反射表面包含一個或多個第二材料的第二突起，第二材料選自Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa、U的至少之一，第一與第二材料不同。本發(fā)明還涉及包含這種反射鏡的光刻投影裝置。本發(fā)明還涉及使用這種光刻投影裝置的設(shè)備制造方法。
文檔編號G02B5/18GK1576903SQ20041006350
公開日2005年2月9日 申請日期2004年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月9日
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