專利名稱：一種非標尺寸有源矩陣液晶顯示器及其研磨制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種有源矩陣液晶顯示器及其制造方法，尤其是一種長寬比為非4∶3或16∶9標準的有源矩陣液晶顯示器的制造方法，具體地說是一種非標尺寸有源矩陣液晶顯示器及其研磨制造方法。
背景技術：
目前，商用有源矩陣液晶顯示器(以下簡稱TFT-LCD)面板尺寸的長寬比只有4∶3和16∶9兩種標準規(guī)格，它也是我們目前市場上所銷售的液晶顯示器或電視的主要規(guī)格。它廣泛地被絕大多數(shù)場合普遍采用，其屏幕尺寸的寬高比例，是根據(jù)人眼對觀察圖像的寬高比的視圖習慣及電視圖像掃描制式的規(guī)則而決定的，是一種歷史形成的傳統(tǒng)習慣，而一旦形成了習慣，其局面很難改變，故目前全球幾乎所有的TFT-LCD顯示器生產(chǎn)企業(yè)都只生產(chǎn)這兩種長寬比規(guī)格的液晶屏。
對一些特殊用途的顯示領域來說，常常需要用一些特殊長寬比的電子顯示器，甚至圓形顯示器。如醫(yī)療儀器、航空航天導航、雷達指示、極坐標顯示、高分辨率的電子地圖及航空顯示器等，就常需要用長寬比是1∶1的正方形或其它比例的TFT液晶顯示器，然而由于上述的幾種原因，這種正方形或其它比例的TFT液晶顯示器在TFT-LCD面板工廠是無法制造的，耗巨資建造的TFT-LCD面板流水線是為4∶3顯示器量身訂做的，對1∶1或其它比例的生產(chǎn)工藝過程來說，是不兼容的，如果要進行制造，則必須再次投入巨資對工廠進行一定規(guī)模的技術改造，但是投資的規(guī)模與正方形TFT液晶顯示器的市場容量在現(xiàn)階段是不相匹配的，難有收回投資的可能，存在很大的投資風險。所以，迄今為止，除了特定的軍事用途不考慮投資風險的政府行為外(國防投資)，還鮮有TFT-LCD面板工廠愿意通過技術改造來生產(chǎn)這種長寬比為1∶1的正方形或其它比例的TFT液晶顯示器，致使市場需求與生產(chǎn)的嚴重脫節(jié)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的針對上述問題，提供一種長寬比為1∶1的正方形或其它任意比例的非標尺寸有源矩陣液晶顯示器及其制造方法。它無需投巨資即可直接生產(chǎn)正方形或其它非標比例的TFT液晶顯示器，充分利用了目前市場上大量生產(chǎn)的、已商品化的矩形屏幕(4∶3或16∶9)的TFT-LCD，在原來的基礎上，通過特有的切割方法來制造出正方形或是其它矩形的TFT-LCD。
本發(fā)明的技術方案是一種非標尺寸有源矩陣液晶顯示器，其特征是所述的顯示器的長寬比或為N∶3、或為M∶9，其中N的取值范圍為0.5～4，M的取值范圍為1～16。
當N等于3，M等于9，所得的顯示器為正方形顯示器。
顯示器的一邊為切割邊，切割邊上封裝有封口膠，封口膠中均布有7～9微米粒徑的有機支撐隔珠。對上玻璃基板與下玻璃基板切口平齊的切割邊(即上切割定位線與下切割定位線重合)，其封口膠分別與組成顯示器上偏振片、上玻璃基板、液晶材料、下玻璃基板、下偏振片相接觸；對上玻璃基板與下玻璃基板切口錯層的切割邊(即上切割定位線與下切割定位線不重合)，其封口膠或與上玻璃基板及液晶材料相接觸、或與下玻璃基板及液晶材料相接觸。
上述的非標尺寸有源矩陣液晶顯示器可采以以下方法制造一種非標尺寸有源矩陣液晶顯示器的研磨制造方法，以長寬比為4∶3或16∶9的、行掃描電極單邊引出結構的成品有源矩陣液晶顯示器模塊為基材采用金剛刀輪機械切割法沿寬度方向切割而成，其特征是包括以下步驟a、分解取成品有源矩陣液晶顯示器模塊首先分解取出其中的面板屏；b、定位將所述的面板屏固定在集成電路用精密硅片切割機工作臺面上，并將研磨頭對準根據(jù)最終成形產(chǎn)品所需的長寬比計算所得的沿寬度方向的切割線位置；
c、研磨啟動精密硅片切割機，使研磨頭在上玻璃基板上研磨出上溝槽，將其翻轉后重新定位，在下玻璃基板上也研磨出的下溝槽(研磨深度取決于液晶屏玻璃基片的厚度)；d、清洗利用清洗液對上述帶有上、下溝槽的面板屏進行清洗干凈，并以不高于80℃的溫度烘干；e、裂斷將上述兩面分別形成有上、下切割線的面板屏置于有源液晶顯示器專用裂片機上進行一次性折斷；f、封堵對上述折斷后的面板屏的斷裂處用紫外光固化膠進行封口堵膠，并使堵膠后液晶盒的厚度維持在7～9微米之間，同時使膠液滲入液晶層之間的距離L控制在0.3～0.7mm之間，確保封口有效；g、連接成形將完成上述工藝過程的屏重新裝入與其相配的模塊中，即得本發(fā)明的非標尺寸有源矩陣液晶顯示器。
上述的研磨、封堵過程必須在1000級以上及有靜電防護的潔凈工作間內(nèi)進行，其中切割裂斷到封堵的間隔時間應小于10分鐘。
當上切割線與下切割線重合時，折斷后的上玻璃基板和下玻璃基板的斷口呈平齊狀；上切割線與下切割線不重合時，折斷后的上玻璃基板和下玻璃基板的斷口呈臺階狀。
為保證液晶盒的厚度，可在固化膠中均布有7～9微米粒徑的有機支撐隔珠。
上述分解過程必要時還應包括以下步驟a、分離將上述面板屏上的行、列驅動器與面板屏分離；b、揭片在50～100℃溫度條件下揭去與面板屏相連接的上、下偏振片，即得所需的可供研磨的面板屏。
必要時在上述裂斷工藝后還應對斷口處進行清理，去除斷裂過程中產(chǎn)生的玻璃粉塵及外溢的液晶，必要時還應在清理結束后采用加壓灌晶工藝重新補充液晶。
在連接成形過程中，必要時還應包括上、下偏振片及行、列驅動器的連接。
上、下偏振片的連接又可稱為貼片，具體為待固化膠固化后，重新將上、下偏振片與相應的上、下玻璃基板相貼合；必要時還需進行補線操作，在面板屏的外部通過柔性連接電極將面板屏兩端被切斷的電極重新壓接；在上述研磨過程中，必要時還必須對研磨后的雙面或單面電路板采用直接焊接補線的方式來恢復電路板的功能，此時元器件容易修復及更換，若電路密度很高而且排列均勻規(guī)則，則可用各向異性導電膜熱壓工藝(ACF)作柔性連接，恢復原來功能。如果TAB封裝上連接的是多層電路板，必須通過多種方式才能恢復板的功能，在大多數(shù)情況下，比較好的方式是重新制板。
在所述步驟中的補線操作可采用各向異性導電膜熱壓工藝進行；所述的行、列驅動器重新與面板屏相連時也可采用各向異性導電膜熱壓工藝(ACF)進行。
目前，在有源矩陣液晶顯示器(TFT-LCD)制造工藝中，其開關陣列器件主要采用非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT.)和多晶硅薄膜晶體管(poLy-Si TFT)的制造工藝。在多晶硅薄膜晶體管的制造工藝中，又分為低溫poLy-Si TFT和高溫poLy-Si TFT兩種，高溫工藝是指整個加工過程中溫度高于620℃，a-SiTFT采用的是高溫工藝，低溫工藝是指整個加工過程中溫度低于620℃，對于不同的工藝，采用了不同材料特性的TFT玻璃基板。低溫工藝可用普通的平板玻璃做襯底，高溫工藝則必須采用石英玻璃為TFT的襯底，而濾色器屏面一般采用由堿石灰或硼硅酸鹽成份組成的平板玻璃，這幾種玻璃的熱膨脹系數(shù)、硬度、工作溫度和材料組成等理化特性都不一樣，對同樣的切割方法會造成不同的結果，所以在切割工藝操作中，應根據(jù)不同的TFT面板情況區(qū)別對待。本發(fā)明的制造方式尤其適合于采用切割非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)和高溫poly-Si TFT制造的有源矩陣液晶顯示器的非標規(guī)格的再造。
此外，本發(fā)明必須首先根據(jù)實際應用要求來選擇被切割的TFT屏，如屏的有效顯示面積、視角范圍、對比度、最高分辨率、響應速度等。一般均采用普通商業(yè)等級的TFT屏，但是并非所有的屏都能用來切割，必須注意兩點一是盡可能采用光電和環(huán)境性能指標高的TFT屏，否則即使切割成產(chǎn)品，其實用意義也會大打折扣；二是TFT屏的行掃描電極必須為單邊引出結構。
目前TFT-LCD屏內(nèi)部薄膜晶體管陣列的驅動采用兩種方式，一是將驅動集成芯片做在專用的軟帶上，通過外部柔性連接將屏內(nèi)的有源矩陣陣列與驅動芯片的輸出端相連接，驅動芯片的輸入端再通過柔性電路與驅動電路板相連接，電路板上焊裝有各類供驅動控制用的元器件，最終在這塊板上形成了該TFT屏的接口電路。這稱為TAB封裝的驅動方式。另外一種是直接將驅動芯片做在TFT玻璃面板內(nèi)，此時有源矩陣陣列的被驅動端與驅動芯片的輸出端已在屏內(nèi)相連接，然后就可將數(shù)量大大減少的驅動輸入端通過柔性帶的方式從屏上引出，這種直接將驅動芯片做在TFT玻璃屏內(nèi)的驅動方式稱為COG封裝的驅動方式。從上可見，無論哪種驅動方式，都必須通過軟帶進行柔性電路連接。針對屏的切割工藝過程，一般情況下，為了確保屏及電路板的切割、封口、光固化、揭貼偏振片、補線、修復驅動電路板等眾多復雜工藝過程的順利進行，在切割前的準備工序中，應當將TAB或COG封裝的柔性帶從屏及電路板兩邊分別剝離去除，剝離時可通過熱壓機在高溫下進行。
當LCD屏、電路板的切割、補線等工藝完成后，即可再用被揭下的TAB或COG封裝的柔性帶將屏與驅動電路板重新連接起來。連接方法采用常規(guī)TFT-LCD制造中的ACF膜熱壓工藝，在整個熱壓工藝過程中，TFT屏、TAB或COG封裝的柔性帶及電路板三者之間必須精確定位，這可通過常規(guī)定位設備來進行。
本發(fā)明所采用的集成電路硅片工藝中的精密硅片切割機，屬于研磨切割的一種方法。
TFT-LCD上、下玻璃基板的單層厚度一般為0.7mm，采用研磨切割時，可利用機器內(nèi)部的精密深度傳感器、位移控制器和計算機控制系統(tǒng)的控制直接在玻屏表面研磨切割出一條深度可控的溝槽，一般研磨精度可精確的控制在幾十個微米左右，研磨時，將研磨深度設定在0.5～0.58mm之間，單面研磨線做成功后，將其翻轉后再做另一面的研磨線(可做成臺階狀結構)，完成后，取下液晶屏，采用常規(guī)的清洗工藝將雙面都帶有切割溝槽的TFT屏清洗干凈并以不高于80℃的溫度烘烤，之后就可采用上述的裂片機進行折斷。
在研磨切割工藝過程中，要重點掌握以下幾點a)研磨深度要控制準確太淺了無法裂斷并易產(chǎn)生橫向炸裂，過深了則瞬間就造成液晶顯示器的報廢(這是由于研磨液滲入液晶盒內(nèi)造成了致命的污染)。
b)清洗工藝要編制適當?shù)那逑垂に?，因為清洗是在裂斷之前，所以這是一個十分小心和細致的過程，操作中不能有大的沖擊和振動。如果采用超聲波清洗時，要控制好超聲波的強度，可以采取提高溫度，延長時間和降低超聲強度的方法進行清洗，以防意外裂斷對液晶造成污染。
c)折斷可采用機械折斷法，利用液晶顯示器專用裂片機進行折斷，裂片機必須校平整，壓力與速度等各種裂片儀表參數(shù)都要調整至適當值，裂片機頭與屏面劃線部分的接觸必須是軟接觸，裂斷要一次進行，不可反復施壓裂斷。若裂片工藝過程正常而仍無法斷開或是橫向炸裂，則是研磨切割劃線的過程中出了問題。
d)一旦研磨溝槽成型后，應迅速清洗烘干然后折斷，這段時間不能長，否則會產(chǎn)生裂片質量問題。
本發(fā)明的有益效果1、投資低、見效快、無商業(yè)風險。
2、與整套TFT-LCD生產(chǎn)工藝相比，切割制造法的工藝技術要簡單的多，并且可以根據(jù)應用需求切割生產(chǎn)出任意長寬比規(guī)格的矩形液晶屏，具有一定條件的LCD模塊工廠都可實施。
3、產(chǎn)品可達到很高的性能技術指標(這點非常重要)，比如，高分辨率、高對比度、高亮度、高響應速度、寬視角----等，簡言之，可以達到將來任何時候最新、最高的光電性能指標。這是因為切割法充分利用了TFT-LCD行業(yè)內(nèi)正在不斷進步的技術所制做出的產(chǎn)品，可以充分享受全世界每半年就革命一次的TFT-LCD新技術的成果，也就是可以選擇高性能光電指標的TFT-LCD屏來進行切割加工，所以本技術與全球TFT-LCD產(chǎn)業(yè)的發(fā)展是同步的，這也是方屏切割技術最具有價值的特點之一。而這種特點對采用現(xiàn)有技術制造正方形TFT-LCD的工廠來說，則是無法想像的，可望而不可及。因為產(chǎn)品一經(jīng)定型投入TFT-LCD生產(chǎn)線進行生產(chǎn)，再想改進光電性能指標就是一件很困難的事。
4、以較小的投入，擴展了有源矩陣液晶顯示器的應用范圍，為其它行業(yè)提供了低價格、高性能的顯示器，是一次對有源矩陣液晶顯示器的革命性再創(chuàng)造。
5、顯示器的長寬比可根據(jù)需要任意調整，以滿足各類需求，填補了液晶顯示器產(chǎn)品規(guī)格中的空白。
6、本發(fā)明尤其適合于切割非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)和高溫poly-SiTFT制造的有源矩陣液晶顯示器，且具有切口平整，一致好的優(yōu)點，研磨頭磨損小，研磨精度高。
圖1是本發(fā)明的結構示意圖之一。
圖2圖1的B-B向剖視結構示意圖。
圖3是本發(fā)明的結構示意圖之二。
圖4是圖3的C-C向剖視結構示意圖。
圖5本發(fā)明所采用的成品有源矩陣液晶顯示器的結構示意圖之一。
圖6是圖5的A-A向剖視結構示意圖。
圖7本發(fā)明所采用的成品有源矩陣液晶顯示器的結構示意圖之二。
圖8是圖7的D-D向剖視結構示意圖。
圖9是本發(fā)明的集成電路用精密硅片切割機結構及工作原理示意圖。
圖10是圖9的A向視圖。
具體實施例方式
下面結合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的說明。
實施例一。
如圖1、2、5、6、7、8、9、10所示。
一種正方形有源矩陣液晶顯示器(如圖1、2所示)，采用如圖5、6所示的行、列均為單邊電極引出的成品有源矩陣液晶顯示器或如圖7、8所示的成品有源矩陣液晶顯示器切割而成，顯示器22的長寬比為1∶1(也可為任意比例)，顯示器22的一邊為平齊形切割邊，切割邊上封裝有封口膠14，封口膠14分別與組成顯示器22的上偏振片5、上玻璃基板3、液晶材料7、下玻璃基板4、下偏振片6相接觸(如圖1、2所示)。
上述正方形(或長寬比為非4∶3及16∶9比例的矩形)有源矩陣液晶顯示器的制造方法為一種非標尺寸有源矩陣液晶顯示器的研磨制造方法為a、分解取長寬比為4∶3或16∶9的、行掃描電極單邊引出結構(或行為單邊，列為雙邊電極引出)的成品有源矩陣液晶顯示器模塊并首先將帶有行、列驅動器及上、下偏振片的面板屏與成品安裝模塊分開；b、分離將上述面板屏上的行、列驅動器與面板屏分離；c、揭片在50～100℃溫度條件下揭去與面板屏相連接的上、下偏振片，即得所需的可供研磨的面板屏。
具體實施時，上述b、c二步也可與第一步分解合并進行。
d、定位將上述經(jīng)過分離、揭片后的面板屏固定在集成電路用精密硅片切割機(型號可為K&S model7100，Kulicae & Soffa Industries，Co.USA)的工作臺面上，并將根據(jù)最終成形產(chǎn)品所需的長寬比計算所得的沿寬度方向的切割定位線位置對準其研磨頭；e、研磨啟動精密硅片切割機，使其研磨頭在上玻璃基板上研磨出深度為0.5～0.58mm的溝槽，將其翻轉后重新定位，在下玻璃基板上也研磨出深度為0.5～0.58mm的溝槽(具體實施時的研磨深度取決于液晶屏玻璃基片的厚度，本發(fā)明僅以玻璃基片的厚度為0.7mm為例)；f、清洗利用清洗液對上述帶有雙面溝槽的面板屏進行清洗干凈，并以不高于80℃的溫度烘干；
g、折斷將上述兩面清洗、烘干后的帶有雙面溝槽的面板屏置于液晶顯示器專用裂片機(型號可為TLY-4型高精度玻璃壓斷機)上進行一次性折斷；h、清理對上述斷裂口及時進行清理，去除斷裂過程中產(chǎn)生的玻璃粉塵及外溢的液晶，必要時應采用加壓灌晶工藝重新補充液晶；I、封堵對上述斷裂處用紫外光固化膠進行封口堵膠，并使堵膠后液晶盒的厚度維持在7～9微米之間，同時使膠液滲入液晶層之間的距離控制在0.3～0.7mm之間，確保封口有效；j、貼片待固化膠固化后，重新將上、下偏振片與相應的上、下玻璃基板相貼合；必要時還需進行補線操作，在面板屏的外部通過柔性連接電極將面板屏兩端被切斷的電極重新壓接；k、連接成型將上述分離下來的行、列驅動器重新與面板屏相連，然后將其裝入所需的與切割后面板屏尺寸相配的模塊中，即得非標準尺寸的有源矩陣液晶顯示器。
對于其它長寬比的顯示器，制造時只需調整上、下玻璃基板3、4上所加工的溝槽的位置即可。
下面對照附圖作進一步的描述如下如圖9、10所示，這是集成電路用精密硅片切割機結構及工作原理示意圖。集成電路硅片工藝中的精密硅片切割機上的研磨頭35在被切割的TFT-LCD屏22表面沿切割線L-L標定的方向定速均勻移動，移動的過程中在上、下玻璃基板3、4上各形成一上、下對稱的溝槽，圖中37為研磨切割機的研磨平臺，液晶顯示器22是通過專用模夾具的方式固定在平臺上的，圖中的36為研磨專用冷卻液，是研磨制造中的污染源。待上、下玻璃基板的表面均沿切割線加工出劃線后(圖中h示意了研磨劃線的深度，h與研磨輪的壓力、轉速及研磨時間有關，在本發(fā)明中h＝0.5～0.58mm)，立即進行清洗、烘干。再利用現(xiàn)有液晶顯示器生產(chǎn)工藝中使用的高精度玻璃壓斷機進行一次性裂斷，裂斷機型號可為TLY-4型高精度玻璃壓斷機(北京TSING產(chǎn))。然后進行清理、封堵、貼片、連接成型。
如圖5所示，成品TFT-LCD屏22的行驅動器8和列驅動器9采用的是單邊引出方式，這是一種可供研磨的前提條件，如果寬邊的列驅動器9采用的是雙邊引出方式，如圖7中的那樣，也是一種可供研磨的屏。但若短邊(寬度方向)的行驅動器8也采用雙邊引出，則為不可研磨。圖中L-L為研磨標記線(切割定位線)，其位置可根據(jù)需要進行調整，若圖中屏的長寬比為4∶3，平移L-L位置就可研磨切割成長寬比為N∶3的任意長寬比的矩形屏，其中0.5＜N＜4。理論上講，這種分割是連續(xù)的、任意的，但在實際應用中，還必須考慮到屏與列驅動器的分割及匹配等問題，所以這種連續(xù)性也是有條件的?，F(xiàn)以長寬比為1∶1(在多數(shù)情況下使用的比例)為例加以說明。圖5、7中2為研磨切割前矩形屏的有效顯示區(qū)，2a為研磨切割后的有效顯示區(qū)，必須注意，研磨切割線L-L與2a的邊緣不重合，其間應保留3mm的工藝尺寸。
在研磨前必須做好充分準備。要去除上玻璃基片3上的上偏振片5和下玻璃基片4上的下偏振片6，使切割媒體18(研磨頭)能正常的與上、下玻璃基板3、4接觸，同時使LCD屏22被牢固的吸附于研磨工作臺面上。在大多數(shù)情況下，準備工作還包含要分別取下與LCD屏軟性相連的行驅動器8和列驅動器9，在這兩個驅動器上，都包含了柔性電路帶10、多層電路板11、供屏接口用的接插件12及各類微型片狀電子元器件，對TAB來說，還集成了許多供驅動用的集成電路芯片13，所以在加工過程中，要加強對8和9的靜電防護措施。圖6是圖2沿A-A剖面線方向的剖面圖，圖6中在LCD屏22上，上偏振片5和下偏振片6分別貼合在上玻璃基板3和下玻璃基板4的面上，7是夾在上、下玻璃基板3、4之間的液晶材料。在與LCD屏22相連的行驅動器8上有柔性電路帶10、多層電路板11、供屏接口用的接插件12和供驅動用的集成電路芯片13。
如圖7所示，TFT-LCD屏的行驅動器8是單邊引出，而列驅動器9則是雙邊引出，前面分析過，這種引出方式滿足屏被研磨切割的前提條件，也是一種可供研磨切割的屏。在實際工藝過程中，這種形式要比圖5的情況復雜些，對列驅動器9的分離和再次連接也提出了更高要求。圖8是圖7沿D-D剖面線方向的剖面圖。
如圖1所示，這是圖5或7的矩形屏22經(jīng)切割后形成的正方形屏23。行、列驅動器8、9是在用封口膠14堵完口后再次用ACF膜熱壓的方法連接到屏體上去的。在連接過程中，精確對位是必不可少的，如果對位精度不高產(chǎn)生了連接錯位，則會引起數(shù)據(jù)輸送的錯誤、時序的紊亂，造成顯示混亂。
在折斷后的封盒中，控制盒厚是一個很重要的工藝過程，封口和控制盒厚必須同步進行。LCD屏經(jīng)裂斷后，原先的一側封邊已失去，由于傷口很長，兩層屏面間(下玻璃基板4的TFT層面與上玻璃基板3的濾色器層面)，基本已喪失了可靠的力學支撐，在此周圍盒厚極易造到破壞。解決方法是利用封口膠14來做附加的封邊支撐。在配制膠液時，可在膠中均布7-9微米粒徑的有機支撐隔珠，并使隔珠通過膠液滲入屏切口內(nèi)0.3-0.6mm左右，再通過加壓控制盒厚的封口方法，待膠液固化后，就能起到即能保證盒厚又能維持支撐的雙重作用。
實施例二。
如圖3、4、5、6、7、8、9、10所示。
一種正方形有源矩陣液晶顯示器(如圖3、4所示)，采用如圖5、6所示的行、列均為單邊電極引出的成品有源矩陣液晶顯示器或如圖7、8所示的成品有源矩陣液晶顯示器切割而成，顯示器22的長寬比為1∶1(也可為任意比例)，顯示器22的一邊為錯層形切割邊，在錯層形切割邊上封裝有封口膠14，封口膠14或與上玻璃基板3及液晶材料7相接觸、或與下玻璃基板4及液晶材料7相接觸，如圖3、4。
本實施例的制造過程與實施例一基本相同，其不同之處在于研磨時，上玻璃基板3和下玻璃基板4上所研磨出的溝槽不重合，裂斷后的斷口片形成一個如圖4所示的臺階。
下面對照附圖對此作進一步的描述如下如圖9、10所示，這是集成電路用精密硅片切割機結構及工作原理示意圖。研磨頭35在被切割的TFT-LCD屏22表面移動過程中形成一溝槽，并分別沿切割線L-L及La-La標定的方向定速均勻移動，研磨過程中應分兩次分別在上玻璃基板3和下玻璃基板4沿研磨線L-L及La-La加工出相應的溝槽(如圖5所示)，同時進行清洗、烘干，然后進行一次性折斷、清理、封堵、貼片、連接成型。
如圖5所示，成品TFT-LCD屏22的行驅動器8和列驅動器9采用的是單邊引出方式，這是一種可供研磨切割的前提條件，如果寬邊的列驅動器9采用的是雙邊引出方式，如圖7中的那樣，也是一種可供研磨切割的屏。但若短邊(寬度方向)的行驅動器8也采用雙邊引出，則為不可研磨切割。圖中L-L為研磨切割標記線(切割定位線)，其位置可根據(jù)需要進行調整，若圖中屏的長寬比為4∶3，平移L-L位置就可切割成長寬比為N∶3的任意長寬比的矩形屏，其中0.5＜N＜4。理論上講，這種分割是連續(xù)的、任意的，但在實際應用中，還必須考慮到屏與列驅動器的分割及匹配等問題，所以這種連續(xù)性也是有條件的?，F(xiàn)以長寬比為1∶1(在多數(shù)情況下使用的比例，其它比例的過程相同)為例加以說明。圖5、7中2為研磨切割前矩形屏的有效顯示區(qū)，2a為研磨切割后的有效顯示區(qū)，研磨切割線L-L與2a的邊緣不重合，其間應保留3mm的工藝尺寸。圖中La-La為臺階切割法中在下玻璃基板4上所做的切割標記線，它與L-L標記線在研磨切割后就形成了切割臺階，臺階寬度為1.5mm。
在研磨切割前必須做好充分準備。要去除上玻璃基片3上的上偏振片5和下玻璃基片4上的下偏振片6，使切割媒體18(研磨頭)能正常的與上、下玻璃基板3、4接觸，同時使LCD屏22被牢固的吸附于研磨工作臺面上。在大多數(shù)情況下，準備工作還包含要分別取下與LCD屏軟性相連的行驅動器8和列驅動器9，在這兩個驅動器上，都包含了柔性電路帶10、多層電路板11、供屏接口用的接插件12及各類微型片狀電子元器件，對TAB來說，還集成了許多供驅動用的集成電路芯片13，所以在加工過程中，要加強對8和9的靜電防護措施。圖6是圖2沿A-A剖面線方向的剖面圖。
如圖7所示，TFT-LCD屏的行驅動器8是單邊引出，而列驅動器9則是雙邊引出，前面分析過，這種引出方式滿足屏被研磨切割的前提條件，也是一種可供研磨切割的屏。在實際工藝過程中，這種形式要比圖5的情況復雜些，增加了工藝難度和工作量，對列驅動器9的分離和再次連接也提出了更高要求。圖8是圖7沿D-D剖面線方向的剖面圖。
圖3是本實施例最終成型產(chǎn)品的結構示意圖，它是圖5或7中的矩形屏通過臺階式的錯位劃線法研磨切割后形成的正方形屏23，圖中示意了在臺階缺口處采用的柔性補線帶15。為了有利于后工序的補線，在絕大多數(shù)情況下，切口都應形成臺階的形式，如圖5或7中的L-L和La-La兩條標記線所示。通常，在形成臺階時，TFT矩陣板(即下玻璃基板4)的尺寸應大于上玻璃基板3，因為被切斷的電極引線大部分位于4上(也有不同情形)，這樣在形成臺階后，被切斷的電極引線就可暴露于下玻璃基板4的表面了，可以方便補線。臺階范圍控制為1.5mm。工藝順序上，當封口、偏振片等工序完成后，才可用柔性補線帶15將屏內(nèi)部被斷開的電極線條在屏的外部重新連接起來，恢復屏內(nèi)部電路的原有功能。在此之后，就可以采用ACF熱壓工藝恢復TAB或COG封裝的行、列驅動器8、9的功能，完成全部切割工藝。圖4所示是圖3沿C-C剖面線方向的剖面圖，圖中示意了臺階的形成及補線方法。
在研磨切割后的封盒中，控制盒厚是一個很重要的工藝過程，封口和控制盒厚必須同步進行。LCD屏經(jīng)裂斷后，原先的一側封邊已失去，由于傷口很長，兩層屏面間(下基板4的TFT層面與上基板3的濾色器層面)，基本已喪失了可靠的力學支撐，在此周圍盒厚極易造到破壞。解決方法是利用封口膠14來做附加的封邊支撐。在配制膠液時，可在膠中均布7-9微米粒徑的有機支撐隔珠，并使隔珠通過膠液滲入屏切口內(nèi)0.3-0.6mm左右，再通過加壓控制盒厚的封口方法，待膠液固化后，就能起到即能保證盒厚又能維持支撐的雙重作用。
權利要求
1.一種非標尺寸有源矩陣液晶顯示器，其特征是所述的顯示器的長寬比或為N∶3、或為M∶9，其中N的取值范圍為0.5～4，M的取值范圍為1～16。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種非標尺寸有源矩陣液晶顯示器，其特征為N等于3，M等于9，所得的顯示器為正方形顯示器。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的一種非標尺寸有源矩陣液晶顯示器，其特征是所述的顯示器的一邊為切割邊，切割邊上封裝有封口膠，封口膠中均布有7～9微米粒徑的有機支撐隔珠。
4.一種非標尺寸有源矩陣液晶顯示器的研磨制造方法，以長寬比為4∶3或16∶9的、行掃描電極單邊引出結構的成品有源矩陣液晶顯示器模塊為基材采用金剛刀輪機械切割法沿寬度方向切割而成，其特征是包括以下步驟a、分解取成品有源矩陣液晶顯示器模塊首先分解取出其中的面板屏；b、定位將所述的面板屏固定在集成電路用精密硅片切割機工作臺面上，并將研磨頭對準根據(jù)最終成形產(chǎn)品所需的長寬比計算所得的沿寬度方向的切割線位置；c、研磨啟動精密硅片切割機，使研磨頭在上玻璃基板上研磨出上溝槽，將其翻轉后重新定位，在下玻璃基板上也研磨出的下溝槽；d、清洗利用清洗液對上述帶有上、下溝槽的面板屏進行清洗干凈，并以不高于80℃的溫度烘干；e、裂斷將上述兩面分別形成有上、下切割線的面板屏置于有源液晶顯示器專用裂片機上進行一次性折斷；f、封堵對上述折斷后的面板屏的斷裂處用紫外光固化膠進行封口堵膠，并使堵膠后液晶盒的厚度維持在7～9微米之間，同時使膠液滲入液晶層之間的距離L控制在0.3～0.7mm之間，確保封口有效；g、連接成形將完成上述工藝過程的屏重新裝入與其相配的模塊中，即得本發(fā)明的非標尺寸有源矩陣液晶顯示器。
5.根據(jù)權利要求4所述的一種非標尺寸有源矩陣液晶顯示器的研磨制造方法，其特征是所述的研磨、封堵過程必須在1000級以上及有靜電防護的潔凈工作間內(nèi)進行，其中切割裂斷到封堵的間隔時間應小于10分鐘。
6.根據(jù)權利要求4所述的一種非標尺寸有源矩陣液晶顯示器的研磨制造方法，其特征是所述的上切割線與下切割線重合時，折斷后的上玻璃基板和下玻璃基板的斷口呈平齊狀；上切割線與下切割線不重合時，折斷后的上玻璃基板和下玻璃基板的斷口呈臺階狀。
7.根據(jù)權利要求4所述的一種非標尺寸有源矩陣液晶顯示器的研磨制造方法，其特征是所述的固化膠中均布有7～9微米粒徑的有機支撐隔珠。
8.根據(jù)權利要求4所述的一種非標尺寸有源矩陣液晶顯示器的研磨制造方法，其特征是所述的分解過程還包括a、分離將上述面板屏上的行、列驅動器與面板屏分離；b、揭片在50～100℃溫度條件下揭去與面板屏相連接的上、下偏振片，即得所需的可供研磨的面板屏。
9.根據(jù)權利要求4所述的一種非標尺寸有源矩陣液晶顯示器的研磨制造方法，其特征是裂斷后應對斷口處進行清理，去除斷裂過程中產(chǎn)生的玻璃粉塵及外溢的液晶，必要時還應在清理結束后采用加壓灌晶工藝重新補充液晶。
10.根據(jù)權利要求4所述的一種非標尺寸有源矩陣液晶顯示器的研磨制造方法，其特征是所述的連接成形還包括包括上、下偏振片及行、列驅動器的必要連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種長寬比為1∶1的正方形或其它任意比例的非標尺寸有源矩陣液晶顯示器及其研磨制造方法，它無需投巨資即可直接生產(chǎn)正方形或其它非標比例的TFT液晶顯示器，充分利用了目前市場上大量生產(chǎn)的、已商品化的矩形屏幕(4∶3或16∶9)的TFT－LCD，在原來的基礎上，通過分解、定位、研磨、清洗、裂斷、封堵、連接成形等步驟即可加工出正方形或其它矩形的TFT－LCD。
文檔編號G02F1/13GK1632687SQ20041006595
公開日2005年6月29日 申請日期2004年12月28日 優(yōu)先權日2004年12月28日
發(fā)明者余雷, 吳金華, 方俊, 金強寧, 范寧, 顧適宜, 周琦, 李慧芝 申請人:中國電子科技集團公司第五十五研究所