專利名稱：定盤、載物臺裝置及曝光裝置以及曝光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種定盤、載物臺裝置及曝光裝置以及曝光方法，特別是涉及一種對載物臺上的基板，通過投影光學(xué)系統(tǒng)和液體進行曝光時所適合使用的定盤、載物臺裝置及曝光裝置以及曝光方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體元件和液晶顯示元件，利用將掩膜(mask)上所形成的圖案轉(zhuǎn)印到感光性的基板上的所謂的光蝕刻方法(photolithography)進行制造。在該光蝕刻工程中所使用的曝光裝置，具有用于支持掩膜的掩膜載物臺和用于支持基板的基板載物臺，并依次移動掩膜載物臺及基板載物臺，且將掩膜的圖案通過投影光學(xué)系統(tǒng)轉(zhuǎn)印到基板上。近年來，為了對應(yīng)元件圖案的進一步的高集成化，要求投影光學(xué)系統(tǒng)具有更高的圖像分辨率。使用的曝光波長越短，或投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑越大，則投影光學(xué)系統(tǒng)的圖像分辨率越高。因此，曝光裝置所使用的曝光波長逐年縮短，投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑也正在增大。而且，雖然現(xiàn)在主流的曝光波長為KrF激態(tài)復(fù)合物激光器的248nm，但更短波長的ArF激態(tài)復(fù)合物激光器的193nm也正在被實用化。而且，在進行曝光時，聚焦深度(DOF)與圖像分辨率同樣重要。圖像分辨率R及聚焦深度δ分別利用以下的式子進行表示。
R＝k1·λ/NA····(1)δ＝±k2·λ/NA2····(2)這里，λ為曝光波長，NA為投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，k1、k2為過程系數(shù)。由(1)式、(2)式可知，如為了提高圖像分辨率，而使曝光波長λ縮短，數(shù)值孔徑NA增大，則聚焦深度δ變窄。
如聚焦深度變得過窄，則難以使基板表面與投影光學(xué)系統(tǒng)的像面吻合，且曝光動作時的聚焦邊限(focus margin)有可能不足。因此，作為一種實質(zhì)上使曝光波長縮短且使聚焦深度增寬的方法，提出有一種例如下述專利文獻1所揭示的浸漬法。該浸漬法以水和有機溶媒等液體充滿投影光學(xué)系統(tǒng)的下面和基板表面之間而形成浸漬區(qū)域，并利用液體中的曝光光的波長變成空氣中的1/n(n為液體的折射率，通常為1.2～1.6左右)這一情況，提高圖像分辨率且將聚焦深度擴大約n倍。
國際公開第99/49504號冊但是，在上述這樣的技術(shù)中，存在以下這樣的問題。
在上述的曝光裝置中，因為是在投影光學(xué)系統(tǒng)和晶圓間充滿液體的狀態(tài)下進行曝光，所以當載物臺移動時如產(chǎn)生某些錯誤而形成控制外(意想之外)的動作，則有可能使液體向周圍飛散。
例如，在專利文獻1所述的曝光裝置中，雖然利用液體供給機構(gòu)向投影光學(xué)系統(tǒng)和晶圓之間供給液體，并將所供給的液體由利用真空吸引等的液體回收機構(gòu)進行回收，但如在液體供給機構(gòu)進行動作的狀態(tài)下停止液體回收機構(gòu)的動作，則會使晶圓上的液體增加并向周圍飛散。
因此，在浸漬曝光裝置中，有可能因飛散的液體而造成裝置及構(gòu)件的故障、漏電或生銹等問題。而且，在這種情況下，還產(chǎn)生不能良好地進行曝光處理的問題。
由此可見，上述現(xiàn)有的定盤、載物臺裝置及曝光裝置以及曝光方法在結(jié)構(gòu)、方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決定盤、載物臺裝置及曝光裝置以及曝光方法存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的定盤、載物臺裝置及曝光裝置以及曝光方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的定盤、載物臺裝置及曝光裝置以及曝光方法，能夠改進一般現(xiàn)有的定盤、載物臺裝置及曝光裝置以及曝光方法，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的定盤、載物臺裝置及曝光裝置以及曝光方法存在的缺陷，而提供一種新的定盤、載物臺裝置及曝光裝置以及曝光方法，所要解決的技術(shù)問題是使其抑制因曝光用的液體的泄漏和浸入所帶來的影響，并可進行良好的曝光處理，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種定盤，為具有用于支持物體的支持表面的定盤，使前述定盤具有撥液性，且設(shè)有從前述定盤回收液體的回收裝置。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的定盤，其中所述的回收裝置具有使前述液體向前述支持表面的下方流出的傾斜部。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種載物臺裝置，為具有用于保持在表面被供給液體的基板的可動體、移動自如地支持該可動體的定盤的載物臺裝置，其中設(shè)有當前述液體流出到前述定盤上時，能夠?qū)⒃摿鞒龅那笆鲆后w進行回收的回收裝置。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的載物臺裝置，其中所述的回收裝置具有沿前述定盤的外周設(shè)置的回收部。
前述的載物臺裝置，其中所述的回收部具有使前述液體向前述基板表面的下方流出的傾斜部。
前述的載物臺裝置，其中所述的回收部具有撥液性。
前述的載物臺裝置，其中所述的定盤具有撥液性。
前述的載物臺裝置，其中所述的定盤的上方所設(shè)置的載物臺構(gòu)成體，具有使前述液體向前述基板表面的下方流出的第2傾斜部。
前述的載物臺裝置，其中所述的第2傾斜部的下末端形成有貫通前述載物臺構(gòu)成體的貫通孔。
前述的載物臺裝置，其中所述的載物臺構(gòu)成體具有撥液性。
前述的載物臺裝置，具有使前述定盤傾斜，排除在前述定盤的表面所殘留的前述液體的排除裝置。
前述的載物臺裝置，具有向前述定盤的表面噴射流體，排除所殘留的前述液體的第2排除裝置。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種曝光裝置，為將掩膜的圖案通過投影光學(xué)系統(tǒng)進行曝光在基板載物臺所保持的感光基板上的曝光裝置，作為前述基板載物臺，使用權(quán)利要求3至12中的任一項所述的載物臺裝置，前述圖案的像通過前述投影光學(xué)系統(tǒng)的頂端部和前述感光基板之間所充滿的前述液體，被投影到前述感光基板上。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種曝光方法，為在定盤上可移動地被支持的基板載物臺上的基板上，將掩膜的圖案利用投影光學(xué)系統(tǒng)進行曝光的曝光方法，其包括以下步驟在前述投影光學(xué)系統(tǒng)的頂端部和前述基板之間充滿液體的步驟；以及當前述液體流出到前述定盤時將該流出的液體進行回收的步驟。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的曝光方法，其包括用于將前述基板上的液體進行回收的步驟。
前述的曝光方法，其包括對關(guān)于前述液體的異常進行檢測的步驟。
前述的曝光方法，其包括在對關(guān)于前述液體的異常進行檢測時，對關(guān)于前述異常進行表示的步驟。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種定盤，為具有用于支持物體的支持表面的定盤，使前述定盤具有撥液性，并在前述定盤上設(shè)置溝部。
前述的載物臺裝置，其中所述的回收裝置具有在前述定盤上所形成的溝部。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種曝光裝置，為使圖案在基板上進行曝光的曝光裝置，其包括具有表面的定盤；保持前述基板并可在前述定盤上進行移動的基板載物臺；具有供給噴嘴并向前述基板供給液體的液體供給裝置；具有回收噴嘴并將前述基板上的前述液體進行回收的第1回收裝置；以及具有當前述液體流出到前述定盤上時，將該液體進行回收的第2回收裝置。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的曝光裝置，其中所述的第2回收裝置具有在前述定盤上所形成的溝部。
前述的曝光裝置，其中所述的第2回收裝置具有沿前述定盤的外周所設(shè)置的回收部。
前述的曝光裝置，其中設(shè)置有與前述第1回收裝置和前述第2回收裝置的至少一方協(xié)動，并對關(guān)于前述液體的異常進行檢測的檢測裝置。
前述的曝光裝置，其中具有用于顯示前述檢測裝置的檢測結(jié)果的顯示裝置。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種定盤、載物臺裝置及曝光裝置以及曝光方法，本發(fā)明的定盤為具有用于支持物體PST的支持表面41A的定盤41，使定盤41具有撥液性(liquid-repellency)，且設(shè)有從定盤41回收液體1的回收裝置71。
因此，在本發(fā)明的定盤中，即使液體1飛散及流出到定盤41上，也可利用回收裝置71回收該液體，所以可防止引發(fā)裝置及構(gòu)件的故障、漏電或生銹等問題，或降低這些問題的影響。而且，在本發(fā)明中，由于定盤41具有撥液性，所以飛散及流出的液體在支持表面41A上不會浸濕擴展，能夠輕松地進行移動，并可使回收作業(yè)容易進行。
而且，本發(fā)明的載物臺裝置為具有用于保持在表面被供給液體的基板P的可動體PST、移動自如地支持可動體PST的定盤41的載物臺ST，其特征在于設(shè)有當液體流出到定盤41上時，能夠?qū)⒘鞒龅囊后w進行回收的回收裝置71。
因此，在本發(fā)明的載物臺裝置中，即使在可動體PST的移動等時，從基板P的表面有液體飛散及流出到定盤41上，也可利用回收裝置71對該液體進行回收，所以能夠防止引發(fā)裝置及構(gòu)件的故障、漏電或生銹等問題，或降低這些問題的影響。
而且，本發(fā)明的曝光裝置為將掩膜M的圖案通過投影光學(xué)系統(tǒng)PL進行曝光在基板載物臺PST所保持的感光基板P上的曝光裝置EX，作為基板載物臺，使用本發(fā)明的載物臺裝置ST，而圖案的像通過投影光學(xué)系統(tǒng)PL的頂端部2和感光基板P之間所充滿的液體，被投影到感光基板P上。
而且，本發(fā)明的曝光方法為在定盤41上可移動地被支持的基板載物臺PST上的基板P上，將掩膜M的圖案利用投影光學(xué)系統(tǒng)PL進行曝光的曝光方法，其特征在于包括在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的頂端部2和基板P之間充滿液體1的步驟、當液體流出到定盤41時將流出的液體進行回收的步驟。
因此，在本發(fā)明的曝光裝置及曝光方法中，即使投影光學(xué)系統(tǒng)PL的頂端部2和感光基板P之間所充滿的液體1飛散及流出到定盤41上，也可利用回收裝置71回收該液體，所以能夠防止引發(fā)裝置及構(gòu)件的故障、漏電或生銹等問題，或降低這些問題的影響。
如上所述，本發(fā)明能夠?qū)⒁蝻w散及流出的液體而引起裝置及構(gòu)件的故障、漏電或生銹等問題防止于未然，并可實施穩(wěn)定的曝光處理。
經(jīng)由上述可知，本發(fā)明是關(guān)于一種定盤、載物臺裝置及曝光裝置以及曝光方法，能夠抑制因曝光用的液體的泄漏和浸入所帶來的影響，并可進行良好的曝光處理。定盤41具有用于支持物體的支持表面41A。使定盤41具有撥液性，且設(shè)有用于從定盤41回收液體的回收裝置71。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明定盤、載物臺裝置及曝光裝置以及曝光方法，能夠抑制因曝光用的液體的泄漏和浸入所帶來的影響，并可進行良好的曝光處理。其具有上述諸多的優(yōu)點及實用價值，并在同類產(chǎn)品及方法中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計及方法公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、方法或功能上皆有較大的改進，在技術(shù)上有較大的進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的定盤、載物臺裝置及曝光裝置以及曝光方法具有增進的多項功效，從而更加適于實用，誠為一新穎、進步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，以下特舉多個較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。


圖1所示為本發(fā)明的定盤及載物臺裝置的概略構(gòu)成圖。
圖2所示為載物臺裝置的斜視圖。
圖3所示為載物臺裝置中的，X導(dǎo)向載物臺及基板定盤的外觀斜視圖。
圖4所示為關(guān)于第2實施形態(tài)的定盤及載物臺裝置的概略構(gòu)成斜視圖。
圖5所示為關(guān)于第3實施形態(tài)的定盤及載物臺裝置的概略構(gòu)成斜視圖。
圖6所示為本發(fā)明的曝光裝置的概略構(gòu)成圖。
圖7所示為投影光學(xué)系統(tǒng)的頂端部附近的，液體供給機構(gòu)及液體回收機構(gòu)的概略構(gòu)成圖。
圖8所示為投影光學(xué)系統(tǒng)的投影區(qū)域和液體供給機構(gòu)及液體回收機構(gòu)的位置關(guān)系的平面圖。
圖9所示為基板定盤上所設(shè)置的回收部的另一形態(tài)。
圖10所示為基板定盤上所設(shè)置的回收部的另一形態(tài)。
圖11所示為X導(dǎo)向載物臺的另一形態(tài)。
圖12所示為半導(dǎo)體元件制造工程的一個例子的流程圖。
AX光軸 AR1投影區(qū)域AR2浸漬區(qū)域 C1、C2角部CONT控制裝置EL曝光光EX曝光裝置 FLG凸緣部K警報裝置 IL照明光學(xué)系統(tǒng)M掩膜(光柵) MST掩膜載物臺P基板(感光基板) PH臺部PK鏡筒 PL投影光學(xué)系統(tǒng)PS載物臺部 PST基板載物臺(物體、可動體)ST載物臺裝置Xa掃瞄方向(+X)Xb掃瞄方向(+X) 1液體2光學(xué)元件(頂端部) 2a液體接觸面2P平板構(gòu)件 3主立柱3A上側(cè)階梯部3B下側(cè)階梯部4底板 5支持立柱6、7防振單元8鏡筒定盤9防振單元(排除裝置) 10液體供給機構(gòu)11液體供給部12、12’流量計13、13’閥門14供給噴嘴14A、14A’供給噴嘴 14B、14B’供給噴嘴
14C、14C’供給噴嘴15、15’供給管20液體回收機構(gòu)21回收噴嘴21A、21A’回收噴嘴21B、21B’供給噴嘴22、22’氣液分離器23、23’干燥器24、24’回收管25真空系統(tǒng)26第2回收管 27、27’流量計28液體回收部 31掩膜定盤31A上面 32氣體軸承34A、34B開口部35移動鏡36激光干涉儀 41基板定盤(定盤)41A上面(支持表面) 41B階梯部42氣體軸承42A吸氣口42B噴出口 44X導(dǎo)向載物臺(載物臺構(gòu)成體)44A傾斜面(第2傾斜部) 44B排水口(貫通孔)44C凹部 44D底部45移動鏡 46激光干涉儀47X線性電動機 47A固定元件47B活動元件 48Y線性電動機48A固定元件 48B活動元件49導(dǎo)向部 49A導(dǎo)向面49B平坦部 50被導(dǎo)向構(gòu)件51、52氣體軸承56聚焦檢測系統(tǒng)56A投光部 56B受光部62臺部PH的表面71回收裝置72溝形構(gòu)件(回收部)72A底面(傾斜部)72B側(cè)面 73廢液管74吸引裝置75噴射口(第2排除裝置)76溝部77缺口部78廢液管 79吸引裝置80壁構(gòu)件 81溝部(回收部)具體實施方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的定盤、載物臺裝置及曝光裝置以及曝光方法其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、方法、步驟、特征及其功效，詳細說明如后。
下面，請參閱圖1至圖12所示，對本發(fā)明的定盤、載物臺裝置及曝光裝置以及曝光方法的實施形態(tài)進行說明。
(第1實施形態(tài))在第1實施形態(tài)中，對關(guān)于本發(fā)明的定盤及配備有該定盤的載物臺裝置進行說明。
請參閱圖1所示，為本發(fā)明的載物臺裝置的一實施形態(tài)的概略構(gòu)成圖。
圖1所示的載物臺裝置ST的主體構(gòu)成，包括在底板4上通過防振單元(排除裝置)9以3點或4點被支持的基板定盤(定盤)41、作為支持基板P并在基板定盤41的上面(支持表面)41A進行移動的物體(可動體)的基板載物臺PST、將基板載物臺PST沿X軸方向(圖1中的左右方向)進行驅(qū)動的X線性電動機47、將基板載物臺PST沿Y軸方向(圖1中的與紙面直交的方向)進行驅(qū)動的Y線性電動機48。防振單元9包括內(nèi)壓可控制的氣壓支架及音圈電動機等傳動裝置，并形成利用傳動裝置的驅(qū)動使基板定盤41沿與上面41A直交的方向進行驅(qū)動的構(gòu)成。
基板載物臺PST由吸附保持基板P的臺部PH、以及被設(shè)置為可伴隨臺部PH進行移動的載物臺部PS所構(gòu)成，且在載物臺部PS的下面設(shè)置有復(fù)數(shù)個非接觸軸承即氣體軸承(air bearing)42。氣體軸承42包括對基板定盤41的上面(引導(dǎo)面)41A噴出氣體(air)的噴出口42B、吸引基板載物臺PST下面(軸承面)和引導(dǎo)面41A間的氣體的吸氣口42A，并利用來自噴出口42B的氣體噴出所造成的反彈力和吸氣口42A所產(chǎn)生的吸引力的平衡，而使基板載物臺PST(載物臺部PS)下面和引導(dǎo)面41A之間保持一定的間隙。即，基板載物臺PST利用氣體軸承42對基板定盤41的上面(引導(dǎo)面)41A而被非接觸支持，并利用線性電動機等基板載物臺驅(qū)動機構(gòu)，可在與上面41A平行的平面內(nèi)，即XY平面內(nèi)可進行2維移動，及沿與直交于上面41A的Z軸平行的軸周方向的θZ方向可進行微小旋轉(zhuǎn)。另外，臺部PH也可沿Z軸方向、θX方向(與X軸平行的軸周方向)及θY方向(與X軸平行的軸周方向)可移動地進行設(shè)置?；遢d物臺驅(qū)動機構(gòu)利用控制裝置CONT進行控制。即，臺部PH控制基板P的Z位置及傾斜角，使基板P的表面合入一定的面位置，且進行基板P的X軸方向及Y軸方向的定位。
而且，在載物臺部PS的底部附近，設(shè)置有用于噴射氣體的噴射口(第2排除裝置)75。噴射口75是將用于排除在基板定盤41的上面41A上所殘留的液體的氣體，朝該上面41A沿斜下方進行噴射的，且在載物臺部PS周圍的四面分別形成復(fù)數(shù)個噴射口75(參照圖2；但在圖2中，未圖示在載物臺部PS的+X側(cè)及+Y側(cè)所形成的噴射口)，噴射口75并被連接在未圖示的氣體供給源上。
在基板載物臺PST(臺部PH的表面62)上設(shè)置有移動鏡45。而且，在與移動鏡45對向的位置上設(shè)置有激光干涉儀46?；遢d物臺PST上的基板P的2維方向的位置及旋轉(zhuǎn)角，利用激光干涉儀46被實時計測，且計測結(jié)果被輸出到控制裝置CONT?？刂蒲b置CONT藉由根據(jù)激光干涉儀46的計測結(jié)果驅(qū)動含有線性電動機的基板載物臺驅(qū)動機構(gòu)，可對基板載物臺PST所支持的基板P進行定位。另外，移動鏡45也可設(shè)置于基板載物臺PS的側(cè)面，使臺部PH整個為平面(full flat)。
而且，在基板載物臺PST(臺部PH)上，設(shè)置有用于向基板P上供給液體1的供給噴嘴14，也設(shè)置了用于將基板P上的液體1進行回收的，且與基板P的表面鄰接配置的回收噴嘴21。
請參閱圖2所示，為基板載物臺PST及用于驅(qū)動該基板載物臺PST的基板載物臺驅(qū)動機構(gòu)的概略斜視圖。在圖2中，基板載物臺PST(載物臺部PS)利用X導(dǎo)向載物臺44而在沿X軸方向可被移動自如地支持?；遢d物臺PST被X導(dǎo)向載物臺44進行引導(dǎo)，且可利用X線性電動機47而沿X軸方向以一定的沖程(stroke)進行移動。X線性電動機47包括在X導(dǎo)向載物臺44上沿X軸方向伸展設(shè)置的固定元件47A、在與該固定元件47A對應(yīng)設(shè)置的基板載物臺PST上被固定的活動元件47B。而且，藉由使可動元件47B對固定元件47A進行驅(qū)動，可使基板載物臺PST沿X軸方向進行移動。這里，基板載物臺PST對X導(dǎo)向載物臺44，利用沿Z軸方向維持一定量的間隙(gap)的磁石及傳動裝置所構(gòu)成的磁導(dǎo)向裝置，以非接觸狀態(tài)被支持?；遢d物臺PST在X導(dǎo)向載物臺44上，以非接觸支持的狀態(tài)利用X線性電動機47沿X軸方向進行移動。而且，雖然未圖示，但在X導(dǎo)向載物臺44上設(shè)有編碼度盤(encoder scale)，且在基板載物臺PST上設(shè)有藉由計測編碼度盤而對X導(dǎo)向載物臺44和基板載物臺PST的相對位置關(guān)系進行計測的編碼器(編碼頭)。
請參閱圖3所示，為只表示圖2所示的載物臺裝置ST中的，X導(dǎo)向載物臺44及基板定盤41的圖示。
如該圖所示，在基板定盤41的上方所設(shè)置的載物臺構(gòu)成體即X導(dǎo)向載物臺44，形成為朝上方開口的斷面略呈凹字的形狀，且在其上面形成有隨著接近寬度方向的大致中央部而逐漸向下方傾斜的傾斜面(第2傾斜部)44A。而且，在傾斜面44A的下末端(最低的位置)，沿X導(dǎo)向載物臺44的長度方向空開間隔而形成復(fù)數(shù)個排水口(貫通孔)44B。這些排水口44B形成位于基板定盤41的上面41A的上方的形態(tài)，即形成于即使液體從排水口44B流出，液體也可淌到上面41A上這樣的位置。
另外，X線性電動機47的固定元件47A利用未圖示的襯墊(spacer)隔開間隙而被設(shè)置于X導(dǎo)向載物臺44的凹部內(nèi)，所以不會阻礙液體沿傾斜面44A流下。
而且，在本載物臺裝置ST中，設(shè)置有用于在液體流出到基板定盤41上時，將該液體進行回收的回收裝置71?；厥昭b置71由沿基板定盤41的外周所設(shè)置的溝狀構(gòu)件(回收部)72、與溝狀構(gòu)件72連接的廢液管73、將流入到溝狀構(gòu)件72的液體通過廢液管7 3進行吸引的吸引裝置74所構(gòu)成。
溝狀構(gòu)件72形成向上方開口的斷面略呈凹字的形狀(參照圖1)，且在凹部內(nèi)的底面72A及側(cè)面72B上施加利用氟和氟化合物的撥液涂層(撥液處理)。而且，溝狀構(gòu)件72的底面72A設(shè)于較定盤41的上面41A低的位置，并使連接有廢液管73的角部C1(+X、-Y側(cè)的角部)為最低位置，該角部C1和對角的角部C2為最高位置，形成沿X軸方向及Y軸方向兩個方向進行傾斜的傾斜部。
而且，即使在基板定盤41的上面41A上，也可形成與溝狀構(gòu)件72同樣地，施加利用氟和氟化合物的撥液涂層，而具有撥液性的構(gòu)成。
另外，向基板定盤41施加的撥液涂層，不只可在上面41A上，也可施加在整個基板定盤41上。
另一方面，在X導(dǎo)向載物臺44的長邊方向的兩端，設(shè)置有可將該X導(dǎo)向載物臺44與基板載物臺PST一起，沿Y軸方向進行移動的一對Y線性電動機48、48。Y線性電動機48分別包括設(shè)置于X導(dǎo)向載物臺44的長邊方向兩端的活動元件48B、與該活動元件48B對應(yīng)設(shè)置的固定元件48A。而且，藉由對固定元件48A驅(qū)動活動元件48B，可使X導(dǎo)向載物臺44與基板載物臺PST一起沿Y軸方向進行移動。而且，藉由分別調(diào)整Y線性電動機48、48的驅(qū)動，使X導(dǎo)向載物臺44也可沿θZ方向進行旋轉(zhuǎn)移動。因此，可利用該Y線性電動機48、48，而使基板載物臺PST與X導(dǎo)向載物臺44大致一體地沿Y軸方向及θZ方向進行移動。
在基板定盤41的X軸方向兩側(cè)分別設(shè)置有形成正面視L字狀，用于引導(dǎo)X導(dǎo)向載物臺44向Y軸方向的移動的導(dǎo)向部49。導(dǎo)向部49在底板4上被支持。在本實施形態(tài)中，在導(dǎo)向部49的平坦部49B上，設(shè)置有Y線性電動機48的固定元件48A。另一方面，在X導(dǎo)向載物臺44下面的長邊方向兩末端分別設(shè)置有凹形的被導(dǎo)向構(gòu)件50。導(dǎo)向部49以與被導(dǎo)向部50進行扣合，并使導(dǎo)向部49的上面(導(dǎo)向面)49A和被導(dǎo)向部構(gòu)件50的內(nèi)面對向的形態(tài)被設(shè)置。在導(dǎo)向部49的導(dǎo)向面49A上，設(shè)置有作為非接觸軸承的氣體軸承(氣體軸承)51，且X導(dǎo)向載物臺44對導(dǎo)向面49A被非接觸支持。
而且，在Y線性電動機48的固定元件48A和導(dǎo)向部49的平坦部49B之間，裝入有非接觸軸承即氣體軸承(氣體軸承)52，且固定元件48A利用氣體軸承52對導(dǎo)向部49的平坦部49B被非接觸地支持。因此，依據(jù)運動量保存的法則，依據(jù)X導(dǎo)向載物臺44及基板載物臺PST的+Y方向(或-Y方向)的移動，固定元件48A沿-Y方向(或+Y方向)進行移動。利用該固定元件48A的移動，可使伴隨X導(dǎo)向載物臺44及基板載物臺PST的移動的反力被抵消，且防止重心位置的變化。即，固定元件48A具有作為所謂的抵抗質(zhì)量(counter mass)的機能。
在上述構(gòu)成的載物臺裝置ST中，藉由對來自供給噴嘴14的液體1的供給量和利用回收噴嘴21的液體1的回收量進行控制，可在基板P的表面上保持有一定量的液體1的狀態(tài)下，利用基板載物臺驅(qū)動機構(gòu)使基板載物臺PST沿定盤41進行移動。
這里，當因利用回收噴嘴21的液體回收中產(chǎn)生故障等理由，液體從基板上飛散或流出時，其一部分向X導(dǎo)向載物臺44流淌，而且另一部分向基板定盤41的上面41A流淌。
向X導(dǎo)向載物臺44流淌的液體，不積留于凹部內(nèi)而沿傾斜面44A流淌，在傾斜面44A的下末端從排水口44B向基板定盤41的上面41A流淌(參閱圖3所示)。
這里，在基板載物臺PST進行動作的情況下，從設(shè)于基板載物臺PST(載物臺部PS)的底部的噴射口75向上面41A噴射氣體，而且定盤41的上面41A具有撥液性，所以流出到上面41A的液體成液滴狀飛散并集中于溝形構(gòu)件72中。在溝狀構(gòu)件72中也施以撥液處理，而且使底面72A傾斜，所以液體以液滴狀態(tài)沿底面72A流向(滾落)較上面41A的下方位置(即較基板P表面的下方位置)，并利用吸引裝置74的吸引，從廢液管73被排出及回收。
另一方面，當因為產(chǎn)生錯誤而使基板載物臺PST的動作停止時，處于噴射口75噴出的氣體達不到的位置的液體有可能積留在基板定盤41上，但在這種情況下，可驅(qū)動防振單元9的傳動裝置(例如線性電動機和音圈電動機等)，使基板定盤41的上面41A對水平面傾斜。藉此，液滴狀的液體在上面41A上滾動并流入溝狀構(gòu)件72。此時，向任一方向傾斜都可使溝狀構(gòu)件72的底面72A傾斜，所以可通過廢液管73回收液體，在一較佳實施型態(tài)中，藉由傾斜定盤41而使連接有廢液管73的角部C1為最低，可使液滴狀的液體在角部C1附近流入溝狀構(gòu)件72，因此可縮短到將定盤41的液體通過廢液管73排出為止的時間。
如上所述，在本實施形態(tài)中，即使供給到基板P上的液體因某些理由而飛散流出到基板定盤41上，也可利用回收裝置71回收該液體，所以能夠?qū)⒁蝻w散及流出的液體而引起的裝置及構(gòu)件的故障、漏電或生銹等問題防止于未然。而且，在本實施形態(tài)中，由于回收裝置71的溝狀構(gòu)件72的底部72A具有撥液性，而且形成使液體流出到較定盤上面41A處于下方的位置的傾斜面，所以可使液體不在溝狀構(gòu)件72中積留而被順利地排出和回收。而且，在本實施形態(tài)中，由于使基板定盤41的上面41A具有撥液性，所以使液體難以附著，能夠輕松地滑落到溝形構(gòu)件72中。而且，在本實施形態(tài)中，從噴射口75對定盤上面41A噴射氣體，所以能夠輕松地排除在表面所殘留的液體，且即使在基板載物臺PST的驅(qū)動中有液體飛散到定盤上面41A上，也可降低在氣體軸承42和上面41A之間卷入液體的可能性而維持間隙，可有助于基板載物臺PST的穩(wěn)定驅(qū)動。而且，在本實施形態(tài)中，即使利用氣體的噴射也無法排除液體時，也可藉由利用防振單元9使基板定盤41傾斜，而輕松地實施液體的排除。
這樣，在本實施形態(tài)中可將流出的液體以基板定盤41進行回收，所以也可采用一種未必在基板載物臺PST上對供給到基板P表面的液體進行回收的構(gòu)成，并可抑制在這種情況下伴隨液體回收的振動，且藉由以液體覆蓋大部分的基板表面，也可抑制因汽化熱所造成的基板的溫度下降。
而且，在本實施形態(tài)中，即使在X導(dǎo)向載物臺44上，也可利用傾斜面44A而將飛散及流出的液體導(dǎo)向下方，并從排水口44B排出，所以能夠防止液體積留在X導(dǎo)向載物臺44上而產(chǎn)生熱的影響，或在液體為水這樣的情況下產(chǎn)生污點和細菌。另外，即使在X導(dǎo)向載物臺44上，也與定盤上面41A和溝狀構(gòu)件72的底面72A同樣地付以撥液性，而輕松地進行液體的移動為佳。而且，在基板載物臺PST上所設(shè)置的編碼頭等，最好不與液體接觸，所以利用蓋子等進行覆蓋為佳。
(第2實施形態(tài))接著，對本發(fā)明的定盤及載物臺裝置的第2實施形態(tài)進行說明。
請參閱圖4所示，為載物臺裝置中的基板載物臺PST、基板定盤41及X導(dǎo)向載物臺44的概略圖。
另外，在圖4中，為了方便而省略基板載物臺PST上的移動鏡及基板、基板定盤41的溝狀構(gòu)件的圖示。
在本實施形態(tài)中，如圖4所示，在基板載物臺PST的臺部PH的上面，沿邊緣(外周)形成有溝部76。而且，在臺部PH的一側(cè)面上，形成有位于X導(dǎo)向載物臺44的凹部44C的上方，并沿Z軸方向延展且與溝部76連通的缺口部77。
而且，在X導(dǎo)向載物臺44的凹部44C中，形成有較基板定盤41位于X方向外側(cè)的排水口44B。在該排水口44B上連接有廢液管78。而且，在廢液管78上連接有通過廢液管78吸引液體的吸引裝置79。而且，在X導(dǎo)向載物臺44上，凹部44C內(nèi)的底部44D以排水口44B成為最低位置的形態(tài)而傾斜形成。
在上述構(gòu)成中，被供給到臺部PH上的液體流入溝部76，并通過缺口部77流出到X導(dǎo)向載物臺44的凹部44C。然后，流出到凹部44C的液體沿底部44D的傾斜流入排水口44B，并利用吸引裝置79的吸引而從廢液管78被排出和回收。
這樣，在本實施形態(tài)中，由于飛散·流出到X導(dǎo)向載物臺44的凹部44C的液體不會到達基板定盤41的上面41A，所以能夠減少在上面41A所殘留的液體的量，并可進一步減少在氣體軸承和上面41A之間卷入液體的可能性，且可更加提高基板載物臺PST的驅(qū)動穩(wěn)定性。
(第3實施形態(tài))接著，對本發(fā)明的定盤及載物臺裝置的第3實施形態(tài)進行說明。
第3實施形態(tài)與第2實施形態(tài)相比，只在從排水口44B流出液體的構(gòu)成上有所不同。
即，在本實施形態(tài)中(如圖5所示)，X導(dǎo)向載物臺44的排水口44B形成于溝狀構(gòu)件72的上方位置。而且，在排水口44B不連接廢液管等。
在上述的構(gòu)成中，流出到X導(dǎo)向載物臺44的凹部44C的液體，沿底部44D的傾斜流淌，并從排水口44B自然落下，并且利用溝狀構(gòu)件72進行回收。這樣，在本實施形態(tài)中，由于不對飛散及流出到X導(dǎo)向載物臺44的液體進行強制吸引，所以能夠防止伴隨吸引所產(chǎn)生的振動。
(第4實施形態(tài))下面，對配備有上述第1實施形態(tài)所示的載物臺裝置ST的曝光裝置，參閱圖6至圖8進行說明。本實施形態(tài)是利用在將掩膜的圖案像投影曝光到感光基板上的曝光裝置中，于保持感光基板并移動的基板載物臺上適用上述實施形態(tài)的載物臺裝置的場合的例子進行說明。另外，在本實施形態(tài)中，對與上述第1實施形態(tài)同樣的構(gòu)成要素付以相同的符號，并將其說明省略或簡略化。
請參閱圖6所示，為本發(fā)明的曝光裝置的概略構(gòu)成圖。
在圖6中，曝光裝置EX包括支持掩膜M的掩膜載物臺MST、具有用于支持基板(感光基板)P的基板載物臺PST的上述圖1至圖3所示的載物臺裝置ST、將由掩膜載物臺MST所支持的掩膜M利用曝光光EL進行照明的照明光學(xué)系統(tǒng)IL、將曝光光EL所照明的掩膜M的圖案像在基板載物臺PST所支持的基板P上進行投影曝光的投影光學(xué)系統(tǒng)PL，以及統(tǒng)一控制曝光裝置EX整體的動作的控制裝置CONT。在控制裝置CONT上，連接有在關(guān)于曝光處理產(chǎn)生異常時，用于產(chǎn)生警報的警報裝置K。另外，曝光裝置EX具有用于支持掩膜載物臺MST及投影光學(xué)系統(tǒng)PL的主立柱3。主立柱3被設(shè)置于在地面上水平載置的底板4上。在主立柱3上形成有向內(nèi)側(cè)突出的上側(cè)階梯部3A及下側(cè)階梯部3B。
本實施形態(tài)的曝光裝置EX是為了實質(zhì)上縮短曝光波長而提高圖像分辨率且實質(zhì)上擴大聚焦深度，而適用浸漬法的浸漬曝光裝置，其包括向基板P上供給液體1的液體供給機構(gòu)10，以及將基板P上的液體1進行回收的液體回收機構(gòu)20。曝光裝置EX至少在將掩膜M的圖案像向基板P上進行轉(zhuǎn)印期間，利用液體供給機構(gòu)10所供給的液體1，在包括投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1的基板P的一部分上形成浸漬區(qū)域AR2。具體地說，曝光裝置EX藉由在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的頂端部(終端部)的光學(xué)元件2和基板P的表面之間充滿液體1，并通過該投影光學(xué)系統(tǒng)PL和基板P之間的液體1及投影光學(xué)系統(tǒng)PL，將掩膜M的圖案像在基板P上進行投影，從而將該基板P進行曝光。
在本實施形態(tài)中，是以作為曝光裝置EX，使用將掩膜M和基板P沿掃描方向的彼此不同的方向(反方向)進行同步移動，且將掩膜M上所形成的圖案在基板P上進行曝光的掃描型曝光裝置(所謂scanning stepper)的場合為例子進行說明。在以下的說明中，以與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX一致的方向作為Z軸方向，在與Z軸垂直的平面內(nèi)的掩膜M和基板P的同步移動方向(掃描方向)作為X軸方向，與Z軸方向及X軸方向垂直的方向(非掃描方向)作為Y軸方向。
另外，這里所說的[基板]包括在半導(dǎo)體晶圓上涂敷作為感光性材料的光刻膠(photoresist)的，[掩膜]包括在基板上形成被縮小投影的元件圖案的光柵(reticle)。
照明光學(xué)系統(tǒng)IL利用在主立柱3的上部所固定的支持立柱5被支持。照明光學(xué)系統(tǒng)IL將掩膜載物臺MST上所支持的掩膜M利用曝光光EL進行照明，并具有曝光用光源、使曝光用光源所射出的光束照度均勻的光學(xué)積分儀、將來自光學(xué)積分儀的曝光光EL進行集光的聚光鏡、中繼透鏡系統(tǒng)、及將基于曝光光EL的掩膜M上的照明區(qū)域設(shè)定為縫隙狀的可變視場光圈。掩膜M上的一定的照明區(qū)域利用照明光學(xué)系統(tǒng)IL，以均勻照度分布的曝光光EL進行照明。作為從照明光學(xué)系統(tǒng)IL所射出的曝光光EL，使用例如水銀燈所射出的紫外線區(qū)域的輝線(g線、h線、i線)及KrF激態(tài)復(fù)合物激光光(波長248nm)等深紫外線光(DUV光)、ArF激態(tài)復(fù)合物激光光(波長193nm)及F2激光光(波長157nm)等真空紫外線光(VUV光)等。本實施型態(tài)使用ArF激態(tài)復(fù)合物激光光(波長193nm)。
在本實施形態(tài)中，液體1可使用純水。ArF激態(tài)復(fù)合物激光光不只可透過純水，例如水銀燈所射出的紫外線區(qū)域的輝線(g線、h線、i線)及KrF激態(tài)復(fù)合物激光光(波長248nm)等深紫外線光(DUV光)也可透過純水。
掩膜載物臺MST為支持掩膜M的，在其中央部配備有用于通過掩膜M的圖案像的開口部34A。在主立柱3的上側(cè)階梯部3A上，通過防振單元6使掩膜定盤31被支持。在掩膜定盤31的中央部，也形成有用于通過掩膜M的圖案像的開口部34B。在掩膜載物臺MST的下面，設(shè)置有復(fù)數(shù)個非接觸軸承即氣體軸承(air bearing)32。掩膜載物臺MST利用氣體軸承32對掩膜定盤31的上面(導(dǎo)向面)31A被非接觸支持，并可利用線性電動機等掩膜載物臺驅(qū)動機構(gòu)，在與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX垂直的平面內(nèi)，即XY平面內(nèi)進行2維移動及沿θZ方向進行微小旋轉(zhuǎn)。在掩膜載物臺MST上設(shè)置有移動鏡35。而且，在與移動鏡35對向的位置設(shè)置有激光干涉儀36。掩膜載物臺MST上的掩膜M的2維方向位置及θZ方向的旋轉(zhuǎn)角(根據(jù)情況也包括θX、θY方向的旋轉(zhuǎn)角)，由激光干涉儀36被實時計測，且計測結(jié)果被輸出到控制裝置CONT。控制裝置CONT藉由根據(jù)激光干涉儀36的計測結(jié)果驅(qū)動掩膜載物臺驅(qū)動機構(gòu)，可對掩膜載物臺MST所支持的掩膜M的位置進行控制。
投影光學(xué)系統(tǒng)PL是將掩膜M的圖案以一定的投影倍率β在基板P上進行投影曝光的，由包括在基板P側(cè)的頂端部所設(shè)置的光學(xué)元件(透鏡)2的復(fù)數(shù)個光學(xué)元件構(gòu)成，并且這些光學(xué)元件由鏡筒PK被支持。在本實施形態(tài)中，投影光學(xué)系統(tǒng)PL是投影倍率β例如為1/4或1/5的縮小系統(tǒng)。另外，投影光學(xué)系統(tǒng)PL也可為等倍系統(tǒng)及擴大系統(tǒng)的某一種。在鏡筒PK的外周部設(shè)置有凸緣部FLG。而且，在主立柱3的下側(cè)階梯部3B上，通過防振單元7使鏡筒定盤8被支持。而且，藉由使投影光學(xué)系統(tǒng)PL的凸緣部FLG與鏡筒定盤8進行扣合，可利用鏡筒定盤8支持投影光學(xué)系統(tǒng)PL。
本實施形態(tài)的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的頂端部的光學(xué)元件2對鏡筒PK可裝卸(交換)地被設(shè)置。光學(xué)元件2與浸漬區(qū)域AR2的液體1接觸。光學(xué)元件2由螢石形成。由于螢石與水的親和性高，所以可使液體1與光學(xué)元件2的液體接觸面2a的幾乎整個面緊密接觸。即，在本實施形態(tài)中，由于供給與光學(xué)元件2的液體接觸面2a的親和性高的液體(水)1，所以光學(xué)元件2的液體接觸面2a和液體1的附著性高，可利用液體1確實地充滿光學(xué)元件2和基板P之間的光路。另外，光學(xué)元件2也可為與水的親和性高的石英。而且，也可在光學(xué)元件2的液體接觸面2a上施以親水化(親液化)處理，更加提高與液體1的親和性。
以包圍光學(xué)元件2的形態(tài)設(shè)置有平板構(gòu)件2P。與平板構(gòu)件2P的基板P對向的面(即下面)為平坦面。光學(xué)元件2的下面(液體接觸面)2a也為平坦面，使平板構(gòu)件2P的下面與光學(xué)元件2的下面大致形成齊平面。藉此，可在大范圍良好地形成浸漬區(qū)域AR2。而且，可在平板構(gòu)件2P的下面，與光學(xué)元件2同樣地，施以表面處理(親液化處理)。
請參閱圖7所示，為液體供給機構(gòu)10、液體回收機構(gòu)20及投影光學(xué)系統(tǒng)PL頂端部附近的擴大圖。液體供給機構(gòu)10是用于向投影光學(xué)系統(tǒng)PL和基板P之間供給液體1的，其包括可送出液體1的液體供給部11，以及通過供給管15與液體供給部11連接，并將從該液體供給部11所送出的液體1供給到基板P上的供給噴嘴14。供給噴嘴14與基板P的表面鄰接配置。液體供給部11包括用于收納液體1的容器(tank)及加壓泵(pump)等，并通過供給管15及供給噴嘴14將液體1供給到基板P上。液體供給部11的液體供給動作由控制裝置CONT控制，控制裝置CONT可控制利用液體供給部11的對基板P上的每單位時間的液體供給量。
在供給管15的流路途中，設(shè)置有流量計12，用于計測利用液體供給部11被供給到基板P上的液體1的量(每單位時間的液體供給量)進行計測的。流量計12持續(xù)監(jiān)視被供給到基板P上的液體1的量，并將其計測結(jié)果輸出到控制裝置CONT。而且，在供給管15中的流量計12和供給噴嘴14之間，設(shè)置有用于將供給管15的流路進行開關(guān)的閥門13。閥門13的開關(guān)動作可利用控制裝置CONT進行控制。另外，本實施形態(tài)的閥門13采用所謂的常閉方式，在因例如停電等而使曝光裝置EX(控制裝置CONT)的驅(qū)動源(電源)停止的情況下，對供給管15的流路進行機械性閉塞。
液體回收機構(gòu)20是用于對利用液體供給機構(gòu)10被供給到基板P上的液體1進行回收的，其包括與基板P的表面鄰接配置的回收噴嘴(吸引口)21，以及與回收噴嘴21通過回收管24被連接的真空系統(tǒng)25。真空系統(tǒng)25配備有真空泵而構(gòu)成，其動作由控制裝置CONT控制。藉由驅(qū)動真空系統(tǒng)25，可使基板P上的液體1與其周圍的氣體(空氣)一起通過回收噴嘴21被回收。另外，作為真空系統(tǒng)25，也可不在曝光裝置中設(shè)置真空泵，而使用配置用曝光裝置EX的工廠的真空系統(tǒng)。
在回收管24的流路途中，設(shè)置有氣液分離器22，用于將從回收噴嘴21所吸入的液體1和氣體進行分離。這里，如上所述，從回收噴嘴21將基板P上的液體1和其周圍的氣體一起回收。氣液分離器22將利用回收噴嘴21所回收的液體1和氣體進行分離。作為氣液分離器22，可采用藉由使回收的液體和氣體流過具有例如復(fù)數(shù)個孔部的管構(gòu)件，并使液體利用重力作用通過前述孔部落下，而將液體和氣體進行分離的重力分離方式，和使用離心力使回收的液體和氣體分離的離心分離方式等。而且，真空系統(tǒng)25可吸引由氣液分離器22所分離的氣體。
在回收管24中的真空系統(tǒng)25和氣液分離器22之間，設(shè)置有干燥器23，用于將利用氣液分離器22被分離的氣體進行干燥。即使在氣液分離器22所分離的氣體中混合有液體成分，藉由利用干燥器23對氣體進行干燥，并使該干燥的氣體流入真空系統(tǒng)25中，也可防止因液體成分的流入而造成的真空系統(tǒng)25的故障等問題的產(chǎn)生。作為干燥器23，可采用藉由將例如氣液分離器22所供給的氣體(混入有液體成分的氣體)冷卻至該液體的露點以下而除去液體成分的方式，和藉由加熱到該液體的沸點以上而除去液體成分的方式等。
另一方面，由氣液分離器22所分離的液體1通過第2回收管26被液體回收部28回收。液體回收部28具有用于收納所回收的液體1的容器等。液體回收部28所回收的液體1，可例如被廢棄，或進行凈化而返回到液體供給部11等得以再利用。而且，在第2回收管26途中的氣液分離器22和液體回收部28之間，設(shè)置有用于對所回收的液體1的量(每單位時間的液體回收量)進行計測的流量計27。流量計27對從基板P上所回收的液體1的量進行持續(xù)監(jiān)視，并將其計測結(jié)果向控制裝置CONT輸出。如上所述，雖然從回收噴嘴21將基板P上的液體1與其周圍的氣體一起回收，但藉由以氣液分離器22分離液體1和氣體，并只將液體成分送出到流量計27，可使流量計27正確地計測由基板P上所回收的液體1的量。
而且，曝光裝置EX具有對基板載物臺PST所支持的基板P的表面位置進行檢測的聚焦檢測系統(tǒng)56。聚焦檢測系統(tǒng)56包括在基板P上通過液體1由傾斜方向投射檢測用光束的投光部56A，以及用于接受由基板P所反射的前述檢測用光束的反射光的受光部56B。聚焦檢測系統(tǒng)56(受光部56B)的受光結(jié)果被輸出到控制裝置CONT?？刂蒲b置CONT根據(jù)聚焦檢測系統(tǒng)56的檢測結(jié)果，可對基板P表面的Z軸方向的位置信息進行檢測。而且，藉由利用投光部56A投射復(fù)數(shù)個檢測用光束，可對基板P的θX及θY方向的傾斜信息進行檢測。
另外，如圖1的部分斷面圖所示，液體供給機構(gòu)10及液體回收機構(gòu)20與鏡筒定盤8被分離支持。藉此，液體供給機構(gòu)10及液體回收機構(gòu)20所產(chǎn)生的振動，不會通過鏡筒定盤8傳達到投影光學(xué)系統(tǒng)PL。
請參閱圖8所示，為液體供給機構(gòu)10及液體回收機構(gòu)20和投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1的位置關(guān)系的平面圖。投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1形成沿Y軸方向的細長矩形狀(縫隙狀)，并以沿X軸方向夾持該投影區(qū)域AR1的形態(tài)，沿+X側(cè)配置3個供給噴嘴14A～14C，沿-X側(cè)配置2個回收噴嘴21A、21B。而且，供給噴嘴14A～14C通過供給管15與液體供給部11連接，回收噴嘴21A、21B通過回收管24與真空系統(tǒng)25連接。而且，在使供給噴嘴14A～14C和回收噴嘴21A、21B大致旋轉(zhuǎn)180度的配置中，配置有供給噴嘴14A’～14C’和回收噴嘴21A’、21B’。供給噴嘴14A～14C和回收噴嘴21A’、21B’沿Y軸方向交互排列，噴嘴14A’～14C’和回收噴嘴21A、21B沿Y軸方向交互排列，且供給噴嘴14A’～14C’通過供給管15’與液體供給部11連接，回收噴嘴21A’、21B’通過回收管24’與真空系統(tǒng)25連接。另外，在供給管15’的途中，與供給管15同樣，設(shè)置有流量計12’及閥13’。而且，在回收管24’的途中，與回收管24同樣，設(shè)置有氣液分離器22’及干燥器23’。
下面，對利用上述的曝光裝置，將掩膜M的圖案在基板P上進行曝光的程序進行說明。
在掩膜M被引導(dǎo)到掩膜載物臺MST上，且基板P被引導(dǎo)到基板載物臺PST上后，控制裝置CONT驅(qū)動液體供給機構(gòu)10的液體供給部11，并通過供給管15及供給噴嘴14在每單位時間向基板P上供給一定量的液體1。而且，控制裝置CONT伴隨利用液體供給機構(gòu)10的液體1的供給，驅(qū)動液體回收機構(gòu)20的真空系統(tǒng)25，并驅(qū)動回收噴嘴21及回收管24在每單位時間回收一定量的液體1。藉此，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL頂端部的光學(xué)元件2和基板P之間形成液體1的浸漬區(qū)域AR2(充滿液體的步驟)。這里，為了形成浸漬區(qū)域AR2，控制裝置CONT分別對液體供給機構(gòu)10及液體回收機構(gòu)20進行控制，以使對基板P上的液體供給量和從基板P上的液體回收量為大致相同的量。然后，控制裝置CONT利用照明光學(xué)系統(tǒng)IL以曝光光EL對掩膜M進行照明，并將掩膜M的圖案像通過投影光學(xué)系統(tǒng)PL及液體1投影到基板P上。
在掃描曝光時，掩膜M的部分圖案像被投影到投影區(qū)域AR1上，且對于投影光學(xué)系統(tǒng)PL，掩膜M同步地沿-X方向(或+X方向)以速度V進行移動，與此同步，基板P通過基板載物臺PST沿+X方向(或-X方向)以速度β·V(β為投影倍率)進行移動。然后，在向1個拍攝區(qū)域的曝光結(jié)束之后，利用基板P的步進，使下一拍攝區(qū)域移動到掃描開始位置，此后利用步進掃描方式依次進行對各拍攝區(qū)域的曝光處理。在本實施形態(tài)中，液體1被設(shè)定為沿與基板P的移動方向平行的方向，且沿與基板P的移動方向相同的方向進行流動。即，當沿箭形符號Xa(參照圖8)所示的掃描方向(-X)使基板P移動并進行掃描曝光時，利用供給管15、供給噴嘴14A～14C、回收管24及回收噴嘴21A、21B，進行利用液體供給機構(gòu)10及液體回收機構(gòu)20的液體1的供給及回收。即，當基板P沿-X方向進行移動時，利用供給噴嘴14(14A～14C)使液體1被供給到投影光學(xué)系統(tǒng)PL和基板P之間，且利用回收噴嘴21(21A、21B)使基板P上的液體1與其周圍的氣體一起被回收，并使液體1沿-X方向進行流動以充滿投影光學(xué)系統(tǒng)PL頂端部的光學(xué)元件2和基板P之間。
另一方面，當沿箭形符號Xb(參照圖8)所示的掃描方向(+X)使基板P移動并進行掃描曝光時，利用供給管15’、供給噴嘴14A’～14C’、回收管24’及回收噴嘴21A’、21B’，進行利用液體供給機構(gòu)10及液體回收機構(gòu)20的液體1的供給及回收。即，當基板P沿+X方向進行移動時，利用供給噴嘴14’(14A’～14C’)使液體1被供給到投影光學(xué)系統(tǒng)PL和基板P之間，且利用回收噴嘴21’(21A’、21B’)使基板P上的液體1與其周圍的氣體一起被回收，并使液體1沿+X方向進行流動以充滿投影光學(xué)系統(tǒng)PL頂端部的光學(xué)元件2和基板P之間。在這種情況下，通過例如供給噴嘴14被供給的液體1，以隨著基板P向-X方向的移動而被引入光學(xué)元件2和基板P之間的形態(tài)進行流動，所以即使液體供給機構(gòu)10(液體供給部11)的供給能量小，也可將液體1輕松地供給到光學(xué)元件2和基板P之間。而且，藉由依據(jù)掃描方向?qū)⒘鬟^液體1的方向進行轉(zhuǎn)換，在沿+X方向或-X方向的任一方向掃描基板P的情況下，可以液體1充滿光學(xué)元件2和基板P之間，并能夠得到高圖像分辨率及廣聚焦深度。
在曝光處理中，液體供給機構(gòu)10中所設(shè)置的流量計12的計測結(jié)果及液體回收機構(gòu)20中所設(shè)置的流量計27的計測結(jié)果，被不斷地輸出到控制裝置CONT?？刂蒲b置CONT對流量計12的計測結(jié)果，即利用液體供給機構(gòu)10被供給到基板P上的液體的量，和流量計27的計測結(jié)果，即利用液體回收機構(gòu)20從基板P上被回收的液體的量進行比較，并根據(jù)其比較的結(jié)果而控制液體供給機構(gòu)10的閥門13。具體地說，控制裝置CONT求得向基板P上的液體供給量(流量計12的計測結(jié)果)和從基板P上的液體回收量(流量計27的計測結(jié)果)之差，并根據(jù)該求得的差是否超過預(yù)先所設(shè)置的容許值(閾值)，進而控制閥門13。這里，如上所述，控制裝置CONT分別對液體供給機構(gòu)10及液體回收機構(gòu)20進行控制，以使對基板P上的液體供給量和從基板P上的液體回收量大致相同，所以如利用液體供給機構(gòu)10的液體供給動作及利用液體回收機構(gòu)20的液體回收動作分別正常進行，則上述所求得的差大致為零。
控制裝置CONT在所求得的差在容許值以上的情況下，即在液體回收量與液體供給量相比極其少的情況下，判斷為液體回收機構(gòu)20的回收動作產(chǎn)生異常，不能充分地回收液體1。此時，控制裝置CONT判斷例如液體回收機構(gòu)20的真空系統(tǒng)25產(chǎn)生故障等異常，且為了防止因無法利用液體回收機構(gòu)20正常地回收液體1而引起液體1的泄漏，要使液體供給機構(gòu)10的閥門13動作，而隔斷供給管15的流路，并停止利用液體供給機構(gòu)10的對基板P上的液體1的供給。這樣，控制裝置CONT對從液體供給機構(gòu)10被供給到基板P上的液體量，和由液體回收機構(gòu)20所回收的液體量進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果檢測液體回收機構(gòu)20的回收動作異常，當液體1形成供給過量而檢測出異常時，停止對基板P上的液體1的供給。另外，控制裝置CONT也可在檢測出該異常時，使前述警報裝置K發(fā)出警報。也可還在前述警報裝置K上設(shè)置顯示裝置，控制裝置CONT經(jīng)由顯示裝置可顯示異常的情況。而且，也可在回收裝置71的至少一部分(例如溝狀構(gòu)件72和溝部)上設(shè)置漏水傳感器，并依據(jù)該漏水傳感器的檢測結(jié)果而輸出異常顯示。
此時，已經(jīng)供給到基板P上且無法利用液體回收機構(gòu)20回收的液體1，如上述第1實施形態(tài)所說明的，從基板載物臺PST直接，或通過X導(dǎo)向載物臺44間接地流出到基板定盤41的上面41A上，并使一部分流入溝狀構(gòu)件72被回收。而且，對定盤上面41A上所殘留的液體，藉由使控制裝置CONT驅(qū)動防振單元9(的傳動裝置)而使基板定盤41傾斜，可使液體流入溝狀構(gòu)件72進行回收(液體回收步驟)。
這樣，在本實施形態(tài)中，藉由以液體1充滿光學(xué)元件2和基板P之間，可得到高圖像分辨率及廣聚焦深度，且即使在因某些原因而使液體從基板P上飛散及流出的情況下，也可回收液體并防止裝置及構(gòu)件的故障、漏電或生銹等問題于未然，能夠順利地實施曝光處理。
以上，一面參照附加圖示一面對關(guān)于本發(fā)明的適當?shù)膶嵤┬螒B(tài)進行了說明，但本發(fā)明當然并不限定于該例子。如為該行業(yè)人士，在權(quán)利要求范圍所述的技術(shù)思想的范疇內(nèi)，可想到各種變更例或修正例，這一點是顯而易見的，它們當然也屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。
例如，在上述實施形態(tài)中，采用在基板定盤41的周圍設(shè)置溝狀構(gòu)件72作為回收裝置71的回收部的構(gòu)成，但并不限定于此，也可采用如例如圖9所示，利用在沿基板定盤41邊緣的全周上形成的較基板上面41A低的階梯部41B、設(shè)置于基板定盤41的側(cè)面的壁構(gòu)件80而形成溝部81，并利用該溝部81將飛散及流出到基板定盤41上的液體進行回收的構(gòu)成。在這種情況下，為了順利地回收液體也對溝部81內(nèi)施以撥液處理，并使階梯部41B傾斜為佳。
而且，也可不使用壁構(gòu)件，而如圖10所示，在沿基板定盤41外周的全周上設(shè)置溝部，并將該溝部81作為回收部。
另外，溝部81也未必設(shè)置于基板定盤41的全周上。例如，也可沿基板定盤41的X方向(掃描方向)的外周設(shè)置2個溝部81，且沿基板定盤41的Y方向(非掃描方向)的外周設(shè)置2個溝狀構(gòu)件72。這樣，可將本實施形態(tài)所揭示的回收裝置71適當組合使用。
而且，在上述實施形態(tài)中，是使X導(dǎo)向載物臺44的斷面大致為凹字形而進行說明的，但也可如圖11所示，使斷面大致為H狀。X導(dǎo)向載物臺44的側(cè)壁44C，利用設(shè)置于基板載物臺PST上的氣體軸承(air bearing)所發(fā)出的氣體，在寬度方向上(圖11中的左右方向)被加以大的負載，所以藉由形成H形狀且上下對稱，能夠防止在X導(dǎo)向載物臺44上施加偏負載。而且，傾斜面44A本來也可只在上部側(cè)，但為了防止偏負載最好也在下面?zhèn)葘ΨQ設(shè)置。
另外，在上述的實施形態(tài)中，采用藉由利用防振單元9使基板定盤41傾斜，而排除基板上面41A上所殘留的液體的構(gòu)成，但也可采用使基板上面41A形成對水平面傾斜的傾斜面的構(gòu)成。在這種情況下，利用基板載物臺PST的移動而使基板表面的Z軸方向的位置變動，所以可依據(jù)基板載物臺PST的位置，沿Z軸方向驅(qū)動臺部PH的位置而修正基板P的表面位置。
同樣，為了順利地排除在臺部PH上所殘留的液體，也可采用使臺部PH的表面為傾斜面或施以撥液處理的構(gòu)成。
而且，在使基板定盤41傾斜及使臺部PH的表面為傾斜面的情況下，以未設(shè)置有移動鏡和定位標記(fiducial mark)等最好不與液體接觸的構(gòu)件的方向變低的形態(tài)進行傾斜為佳。
如上所述，本實施形態(tài)中的液體1由純水構(gòu)成。純水具有可在半導(dǎo)體制造工場等輕松地大量獲取，且對基板P上的光刻膠和光學(xué)元件(透鏡)等沒有不良影響的優(yōu)點。而且，因為純水對環(huán)境沒有不良影響，且雜質(zhì)的含有量極低，所以也可期待純水對于基板P的表面、及投影光學(xué)系統(tǒng)PL的頂端面所設(shè)置的光學(xué)元件的表面起到清洗的作用。
而且，因為純水(水)對波長為193nm左右的曝光光EL的折射率n大致為1.44，所以當使用ArF激態(tài)復(fù)合物激光光(波長193nm)作為曝光光EL的光源時，在基板P上可使波長縮短為1/n即約134nm，而得到高圖像分辨率。另外，聚焦深度與空氣中相比擴大約n倍即約1.44倍，所以在空氣中使用的情況下和能夠確保相同程度的聚焦深度的情況下，可進一步增加投影光學(xué)系統(tǒng)PL的孔徑數(shù)值，利用這一點也可使圖像分辨率提高。
另外，本實施形態(tài)的液體1為水，但也可為水以外的液體，例如在曝光光EL的光源為F2激光的情況下，由于該F2激光不能透過水，所以此時可使用能夠透過F2激光光的例如氟系油和過氟化聚醚(PFPE)等氟系液體作為液體1。而且，除此以外，也可使用對曝光光EL具有透過性，且折射率盡可能高，并使投影光學(xué)系統(tǒng)PL和基板P表面上所涂敷的光刻膠保持穩(wěn)定的液體(例如雪松油)作為液體1。
而且，本實施形態(tài)在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的頂端安裝有光學(xué)元件2，但作為在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的頂端所安裝的光學(xué)元件，也可為投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)特性，例如象差(球面象差、彗形象差)的調(diào)整所使用的光學(xué)板?；驗榭赏高^曝光光EL的平行平面板。
在上述各實施形態(tài)中，并未特別限定上述噴嘴的形狀，例如對投影區(qū)域AR1的長邊，也可利用2對噴嘴進行液體1的供給或回收。另外，在這種情況下，因為可從+X方向或-X方向的任一方向進行液體1的供給及回收，所以也可使供給噴嘴和回收噴嘴上下并列配置。
另外，作為上述各實施形態(tài)的基板P，不只是半導(dǎo)體元件制造用的半導(dǎo)體晶圓，也可適用于顯示元件用的玻璃基板和薄膜磁頭用的陶瓷晶圓，或曝光裝置所使用的掩膜或光柵的原版(合成石英、硅晶圓)等。
而且，在上述實施形態(tài)中，采用一種將投影光學(xué)系統(tǒng)PL和基板P之間以液體局部充滿的曝光裝置，但在日本專利早期公開的特開平6-124873號公報所揭示的那種，使保持曝光對象的基板的載物臺在液槽中進行移動的浸漬曝光裝置，和日本專利早期公開的特開平10-303114號公報中所揭示的那種，在載物臺上形成一定深度的液體槽并在其中保持基板的浸漬曝光裝置中，也可適用本發(fā)明。
作為曝光裝置EX，除了使掩膜M和基板P同步移動并對掩膜M的圖案進行掃描曝光的步進掃描方式的掃描型曝光裝置(scanning stepper)以外，也可適用于在使掩膜M和基板P靜止的狀態(tài)下，將掩膜M的圖案統(tǒng)一曝光，并使基板P依次步進移動的步進重復(fù)(step and repeat)方式的投影曝光裝置(stepper)。而且，本發(fā)明也可適用于在基板P上至少將2個圖案進行部分地重復(fù)轉(zhuǎn)印的步進縫合方式的曝光裝置。
而且，本發(fā)明也可適用于如日本專利早期公開的特開2001-160530號公報所揭示的，具有2個晶圓載物臺(基板載物臺)，并在對準位置和曝光位置將這2個晶圓載物臺進行替換的雙載物臺型的曝光裝置。在這種情況下，也可在2個晶圓載物臺的替換時保持驅(qū)動液體供給部11及液體回收部28的狀態(tài)。這是因為可如前述那樣，將來自液體供給部11的液體1通過基板定盤4 1進行回收。藉此，可使雙載物臺型曝光裝置的生產(chǎn)率更加提高。
作為曝光裝置EX的種類，并不限于在基板P上將半導(dǎo)體元件圖案進行曝光的半導(dǎo)體元件制造用的曝光裝置，也可廣泛適用于液晶顯示元件制造用或顯示器制造用的曝光裝置，和用于制造薄膜磁頭、攝像元件(CCD)或光柵或掩膜等的曝光裝置等。
當在基板載物臺PST和掩膜載物臺MST上應(yīng)用線性電動機(參照USP5,623,853或USP5,528,118)時，作為使它們的載物臺對定盤浮起的方式，采用利用氣體軸承的氣體上浮型及利用洛倫茲力或電抗力的磁上浮型的任一種為佳。而且，各載物臺PST、MST既可為沿導(dǎo)向臺進行移動的類型，也可為不設(shè)置導(dǎo)向裝置的無導(dǎo)向類型。
作為各載物臺PST、MST的驅(qū)動機構(gòu)，也可使用一種平面電動機，使二維配置磁石的磁石單元和二維配置線圈的電樞單元對向，并利用電磁力而驅(qū)動各載物臺PST、MST。在這種情況下，使磁石單元和電樞單元的任一個與載物臺PST、MST連接，磁石單元和電樞單元的另一個設(shè)置于載物臺PST、MST的移動面?zhèn)燃纯伞?br> 為了不使因基板載物臺PST的移動所產(chǎn)生的反作用力傳到投影光學(xué)系統(tǒng)PL上，也可如日本專利早期公開的特開平8-166475號公報(USP5,528,118)所述的那樣，利用框架構(gòu)件將反作用力機械性地向地面(大地)釋放。為了不使因掩膜載物臺MST的移動所產(chǎn)生的反作用力傳到投影光學(xué)系統(tǒng)PL上，也可如日本專利早期公開的特開平8-330224號公報(USS/N 08/416,558)所述的那樣，利用框架構(gòu)件將反作用力機械性地向地面(大地)釋放。
本實施形態(tài)的曝光裝置EX可藉由將包括本申請的權(quán)利要求范圍所述的各構(gòu)成要素的各種子系統(tǒng)，在保持一定的機械精度、電氣精度、光學(xué)精度的條件下進行組裝而制造。為了確保這些各種精度，可在該組裝的前后，關(guān)于各種光學(xué)系統(tǒng)進行為了達成光學(xué)精度的調(diào)整，關(guān)于各種機械系統(tǒng)進行為了達成機械精度的調(diào)整，關(guān)于各種電氣系統(tǒng)進行為了達成電氣精度的調(diào)整。從各種子系統(tǒng)向曝光裝置的組裝工程，包括各種子系統(tǒng)相互的、機械連接、電氣電路的配線連接、氣壓回路的配管連接等。當然在從該各種子系統(tǒng)向曝光裝置的組裝工程之前，還有各子系統(tǒng)各自的組裝工程。當各種子系統(tǒng)向曝光裝置的組裝工程結(jié)束后，進行綜合調(diào)整，確保作為曝光裝置整體的各種精度。另外，曝光裝置的制造最好在溫度及潔凈度受到控制的凈室中進行。
半導(dǎo)體元件等微型元件如圖12所示，經(jīng)過進行微型元件的機能及性能設(shè)計的步驟201、制作基于該設(shè)計步驟的光柵(掩膜)的步驟202、制造元件的基材即基板的步驟203、利用前述實施形態(tài)的曝光裝置EX將光柵的圖案在基板上進行曝光的基板處理步驟204、元件組裝步驟(包括切割工程、焊接工程、封裝工程)205、檢查步驟206等而制造。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種定盤，為具有用于支持物體的支持表面的定盤，其特征在于使前述定盤具有撥液性，且設(shè)有從前述定盤回收液體的回收裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定盤，其特征在于其中所述的回收裝置具有使前述液體向前述支持表面的下方流出的傾斜部。
3.一種載物臺裝置，為具有用于保持在表面被供給液體的基板的可動體、移動自如地支持該可動體的定盤的載物臺裝置，其特征在于其中設(shè)有當前述液體流出到前述定盤上時，能夠?qū)⒃摿鞒龅那笆鲆后w進行回收的回收裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的載物臺裝置，其特征在于其中所述的回收裝置具有沿前述定盤的外周設(shè)置的回收部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的載物臺裝置，其特征在于其中所述的回收部具有使前述液體向前述基板表面的下方流出的傾斜部。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的載物臺裝置，其特征在于其中所述的回收部具有撥液性。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的載物臺裝置，其特征在于其中所述的定盤具有撥液性。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的載物臺裝置，其特征在于其中所述的定盤的上方所設(shè)置的載物臺構(gòu)成體，具有使前述液體向前述基板表面的下方流出的第2傾斜部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的載物臺裝置，其特征在于在其中所述的第2傾斜部的下末端形成有貫通前述載物臺構(gòu)成體的貫通孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的載物臺裝置，其特征在于其中所述的載物臺構(gòu)成體具有撥液性。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的載物臺裝置，其特征在于具有使前述定盤傾斜，排除在前述定盤的表面所殘留的前述液體的排除裝置。
12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的載物臺裝置，其特征在于具有向前述定盤的表面噴射流體，排除所殘留的前述液體的第2排除裝置。
13.一種曝光裝置，為將掩膜的圖案通過投影光學(xué)系統(tǒng)進行曝光在基板載物臺所保持的感光基板上的曝光裝置，其特征在于作為前述基板載物臺，使用權(quán)利要求3至12中的任一項所述的載物臺裝置，前述圖案的像通過前述投影光學(xué)系統(tǒng)的頂端部和前述感光基板之間所充滿的前述液體，被投影到前述感光基板上。
14.一種曝光方法，為在定盤上可移動地被支持的基板載物臺上的基板上，將掩膜的圖案利用投影光學(xué)系統(tǒng)進行曝光的曝光方法，其特征在于其步驟包括在前述投影光學(xué)系統(tǒng)的頂端部和前述基板之間充滿液體的步驟；以及當前述液體流出到前述定盤時將該流出的液體進行回收的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的曝光方法，其特征在于其包括用于將前述基板上的液體進行回收的步驟。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的曝光方法，其特征在于其包括對關(guān)于前述液體的異常進行檢測的步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的曝光方法，其特征在于其包括在對關(guān)于前述液體的異常進行檢測時，對關(guān)于前述異常進行表示的步驟。
18.一種定盤，為具有用于支持物體的支持表面的定盤，其特征在于使前述定盤具有撥液性，并在前述定盤上設(shè)置溝部。
19.根據(jù)權(quán)利要求3所述的載物臺裝置，其特征在于其中所述的回收裝置具有在前述定盤上所形成的溝部。
20.一種曝光裝置，為使圖案在基板上進行曝光的曝光裝置，其特征在于其包括具有表面的定盤；保持前述基板并可在前述定盤上進行移動的基板載物臺；具有供給噴嘴并向前述基板供給液體的液體供給裝置；具有回收噴嘴并將前述基板上的前述液體進行回收的第1回收裝置；以及具有當前述液體流出到前述定盤上時，將該液體進行回收的第2回收裝置。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的曝光裝置，其特征在于其中所述的第2回收裝置具有在前述定盤上所形成的溝部。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的曝光裝置，其特征在于其中所述的第2回收裝置具有沿前述定盤的外周所設(shè)置的回收部。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的曝光裝置，其特征在于其中設(shè)置有與前述第1回收裝置和前述第2回收裝置的至少一方協(xié)動，并對關(guān)于前述液體的異常進行檢測的檢測裝置。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述曝光裝置，其特征在于其中具有用于顯示前述檢測裝置的檢測結(jié)果的顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種定盤、載物臺裝置及曝光裝置以及曝光方法，能夠抑制因曝光用的液體的泄漏和浸入所帶來的影響，并可進行良好的曝光處理。定盤41具有用于支持物體的支持表面41A。使定盤41具有撥液性，且設(shè)有用于從定盤41回收液體的回收裝置71。
文檔編號G03F7/20GK1612292SQ20041008845
公開日2005年5月4日 申請日期2004年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月31日
發(fā)明者荒井大 申請人:株式會社尼康