專(zhuān)利名稱(chēng)：光刻裝置,器件制造方法以及所制的器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及一種光刻投影裝置，并且更具體地說(shuō)，涉及一種具有流體清潔系統(tǒng)的光刻投影裝置。
2.相關(guān)技術(shù)描述在此所采用的用語(yǔ)“圖案形成器件”或“圖案形成結(jié)構(gòu)”應(yīng)當(dāng)被廣義地解釋為涉及到能夠用來(lái)為入射的輻射光束賦予一個(gè)有圖案的橫截面(相應(yīng)于在結(jié)構(gòu)的目標(biāo)部分中將要形成的圖案)的裝置或結(jié)構(gòu)。用語(yǔ)“光閥”也可以就此應(yīng)用。一般來(lái)說(shuō)，該圖案將對(duì)應(yīng)于待形成在目標(biāo)部分內(nèi)的器件如集成電路或其它器件(見(jiàn)下方)的特定功能層。
這種圖案形成器件的例子包括-掩模。掩模的概念在光刻領(lǐng)域中是眾所周知的，其包括例如二元型，交變相移型和衰減相移型等掩模類(lèi)型，還包括各種混合式掩模類(lèi)型。對(duì)這種掩模的設(shè)置在輻射光束中根據(jù)掩模上的圖案引發(fā)輻射在掩模上反彈的選擇性透射(就透射掩模來(lái)說(shuō))或反射(就反射掩模來(lái)說(shuō))。就掩模來(lái)說(shuō)，支撐結(jié)構(gòu)將通常是掩模臺(tái)，其保證掩模能夠在入射的輻射光束中受控于所需的位置，并且一旦需要其能夠相對(duì)于光束移動(dòng)；-可編程的鏡陣列。這種器件的一個(gè)例子是具有粘彈控制層和反射表面的矩陣可尋址表面。這種裝置背后的基本原理是(例如)反射表面的有址區(qū)域?qū)⑷肷涔庾鳛檠苌涔夥瓷?，反之無(wú)址區(qū)域?qū)⑷肷涔庾鳛榉茄苌涔夥瓷?。?yīng)用適當(dāng)?shù)倪^(guò)濾器，該非衍射光能夠從反射光束中被濾掉，只剩下衍射光。以此方式，根據(jù)矩陣可尋址表面的尋址圖案圖案化該光束?？删幊嚏R陣列的備選實(shí)施例采用微型鏡的矩陣配置，各鏡子能單獨(dú)地通過(guò)利用適合的局部電子區(qū)域，或通過(guò)采用壓電促動(dòng)器圍繞軸傾斜。再次，鏡子是矩陣可尋址的，這樣有址鏡子將從不同的方向?qū)o(wú)址鏡子反射入射輻射光束；以此方式，根據(jù)矩陣可尋址鏡子的尋址圖案圖案化反射光束。所需的矩陣尋址能夠用適合的電子部件執(zhí)行。在此前所描述的兩種情況中，圖案形成器件都可以包含一個(gè)或多個(gè)可編程鏡陣列。從例如美國(guó)專(zhuān)利US 5,296,891和US 5,523,193，和PCT的專(zhuān)利申請(qǐng)WO 98/38597和WO 98/33096中可以找到在此引用的關(guān)于鏡陣列的更多信息，其在此通過(guò)引用結(jié)合在本文中。就可編程鏡陣列來(lái)說(shuō)，該支撐結(jié)構(gòu)可以體現(xiàn)為框架或臺(tái)，例如其可根據(jù)要求為固定的或可動(dòng)的；和-可編程LCD陣列。此結(jié)構(gòu)的例子出現(xiàn)在美國(guó)專(zhuān)利US5,229,872中，其在此通過(guò)引用結(jié)合在本文中。如上，在這種情況中支撐結(jié)構(gòu)可以體現(xiàn)為框架或臺(tái)，例如其可根據(jù)要求為固定的或可動(dòng)的。
為達(dá)到簡(jiǎn)化的目的，此文章的余下部分在特定區(qū)域可以具體地自引用到包括掩模和掩模臺(tái)的例子。然而，應(yīng)當(dāng)在比此前提出的圖案形成器件更廣泛的內(nèi)容中發(fā)現(xiàn)在這種情況下討論的一般原理。
光刻投影裝置例如可以用于集成電路(IC)的制造中。在這種情況中，圖案形成器件可以對(duì)應(yīng)于IC的單個(gè)層產(chǎn)生電路圖案，并且這個(gè)圖案可被映像到已被涂上一層輻射敏感材料(抗蝕劑)的襯底(硅晶圓)上的目標(biāo)部分(例如包括一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常來(lái)說(shuō)，單個(gè)晶圓包含一次性被連續(xù)地由投影系統(tǒng)照射的相鄰目標(biāo)部分的全部網(wǎng)絡(luò)。在當(dāng)前的裝置中，采用由掩模臺(tái)上的掩模形成圖案，可以對(duì)兩種不同類(lèi)型的機(jī)構(gòu)加以區(qū)別。在一種類(lèi)型的光刻投影裝置中，通過(guò)將整個(gè)掩模圖案一次性地曝光在目標(biāo)部分上來(lái)照射每個(gè)目標(biāo)部分；這種裝置一般被引用為晶圓步進(jìn)器或步進(jìn)重復(fù)裝置。在備選裝置(一般被引用為步進(jìn)掃描裝置)中，通過(guò)沿給定參考方向(“掃描”方向)由投影光束漸進(jìn)地掃描掩模圖案并以平行于或反向平行于此方向同步地掃描襯底臺(tái)來(lái)照射每個(gè)目標(biāo)部分；因?yàn)?，通常?lái)說(shuō)，投影系統(tǒng)具有放大倍率因數(shù)M(通常＜1)，在襯底臺(tái)處被掃描的速度V是在掩模臺(tái)處被掃描的M倍。從例如US 6,046,792中能找到在此描述的關(guān)于光刻裝置的更多信息，在此通過(guò)引用結(jié)合在本文中。
在使用光刻投影裝置的制造工藝中，圖案(例如在掩模中)被映像到至少部分地由輻射敏感材料(抗蝕劑)層覆蓋的襯底上。在這個(gè)映像步驟之前，襯底可能經(jīng)歷了不同的工藝，如整潔，涂覆抗蝕劑和弱烘烤。曝光后，襯底可能經(jīng)歷其它工藝，例如后曝光烘烤(PEB)，顯影，強(qiáng)烘烤和映像特征的度量/檢查。這個(gè)工藝序列被用作將器件的單獨(dú)層圖案化的基礎(chǔ)，例如IC。這樣圖案化的層可能隨后經(jīng)歷不同的工藝如蝕刻，離子灌輸(填料)，鍍金屬，氧化，化學(xué)機(jī)械磨光等，全部用來(lái)完成一個(gè)單獨(dú)的層。如果需要有若干個(gè)層，那么對(duì)每個(gè)新層將不得不重復(fù)整個(gè)過(guò)程或其派生過(guò)程。最終，一列器件將呈現(xiàn)在襯底(晶圓)上。然后這些器件通過(guò)例如切塊或鋸切技術(shù)彼此分離，據(jù)此單獨(dú)的器件可以安裝在連接到銷(xiāo)釘?shù)鹊妮d體上。關(guān)于這個(gè)工藝的更多信息可以從由Peter van Zant，McGraw Hill出版公司，1997年出版的索引號(hào)為ISBN 0 07 067250 4的書(shū)“微芯片制造半導(dǎo)體工藝實(shí)用指南”的第三版中獲取，在此通過(guò)引用結(jié)合在本文中。
為了簡(jiǎn)化，在下文中投影系統(tǒng)可引用為“透鏡”。然而，此用語(yǔ)應(yīng)當(dāng)被廣義地解釋為包括各種類(lèi)型的投影系統(tǒng)，例如包括折射式光學(xué)系統(tǒng)，反射式光學(xué)系統(tǒng)，和反射折射式系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還可包括根據(jù)任意這些用于對(duì)輻射的投影光束進(jìn)行引導(dǎo)，成形或控制的設(shè)計(jì)類(lèi)型來(lái)操作的部件，并且這樣的部件在下面還可能共同地或單獨(dú)地引用為“透鏡”。更進(jìn)一步，光刻裝置可以是具有兩個(gè)或多個(gè)襯底臺(tái)(和、或兩個(gè)或多個(gè)掩模臺(tái))的那種類(lèi)型。在這種“多級(jí)”裝置中，附加的臺(tái)可以并聯(lián)地使用，或者可以在一個(gè)或多個(gè)臺(tái)上進(jìn)行預(yù)備步驟而將一個(gè)或多個(gè)其它的臺(tái)用于曝光。雙級(jí)光刻裝置在US5,969,441和WO 98/40791中有所描述，并都在此通過(guò)引用結(jié)合在本文中。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)舊的G-和I-線和強(qiáng)UV微光刻技術(shù)透鏡在總體的透射損耗和晶圓照明均勻性損耗方面遭受了降解。
在凈化過(guò)的系統(tǒng)(也就是用凈化氣凈化過(guò)的系統(tǒng))中，這種降解主要是由污染物在投影系統(tǒng)中出現(xiàn)在第一個(gè)和最后一個(gè)光學(xué)元件的表面上(即在投影系統(tǒng)中第一個(gè)光學(xué)元件遭遇到投影光束和最后一個(gè)光學(xué)元件遭遇到投影光束)來(lái)引發(fā)的。然而可以理解，在那些沒(méi)有凈化過(guò)的系統(tǒng)中，晶體成長(zhǎng)很可能是在除了第一個(gè)和最后一個(gè)光學(xué)元件的表面之外的其它的投影系統(tǒng)的表面上。這樣的污染物包括在透鏡表面生長(zhǎng)的星狀結(jié)晶鹽結(jié)構(gòu)。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在一段時(shí)間內(nèi)，通常是若干年，遭受強(qiáng)烈輻射的透鏡被鹽結(jié)構(gòu)所污染了。這個(gè)問(wèn)題不僅限于所用輻射的特定類(lèi)型，此外在365納米，248納米，193納米，157納米連同遠(yuǎn)紫外線(EUV)光刻技術(shù)的輻射中都已經(jīng)有所發(fā)現(xiàn)。提起到EUV光刻技術(shù)裝置是通常沒(méi)有凈化過(guò)的系統(tǒng)。透鏡表面污染物的來(lái)源表現(xiàn)為例如硅烷的難熔化合物，以非常低的濃度呈現(xiàn)，即在凈化空氣中從百萬(wàn)分之幾(ppm)到十億分之幾(ppb)，其作為在光刻裝置中的媒介被用來(lái)穩(wěn)定在裝置內(nèi)部的環(huán)境，并且甚至已經(jīng)在用于特殊凈化用途的純凈的氮中發(fā)現(xiàn)。照明引起的硅烷，硫酸鹽或磷酸鹽結(jié)合例如氧，水，和氨的其它氣體參與的化學(xué)表面反應(yīng)被認(rèn)為是基礎(chǔ)降解進(jìn)程?？梢岳斫?，核化(nucleation)和污染結(jié)晶的生長(zhǎng)一樣是以G-，I-，深UV和EUV波長(zhǎng)的輻射發(fā)生在曝光過(guò)程中。這些波長(zhǎng)相信至少引發(fā)了特定的光化反應(yīng)得以發(fā)生。
根據(jù)常規(guī)慣例，這個(gè)問(wèn)題已經(jīng)由用特定的化學(xué)制品浸濕的非刮擦織物通過(guò)機(jī)械的或化學(xué)的清潔來(lái)解決。然而已發(fā)現(xiàn)，這個(gè)常規(guī)的方法結(jié)果導(dǎo)致鹽生長(zhǎng)核在整個(gè)透鏡表面上的蔓延或散布。隨后的在投影系統(tǒng)中透鏡的使用結(jié)果導(dǎo)致污染物的加速生長(zhǎng)遍布整個(gè)“凈化的”透鏡表面。這種影響顯著地降低了光學(xué)生產(chǎn)能力，光學(xué)映像質(zhì)量和隨后的清潔時(shí)間。在許多輪的清潔之后，發(fā)現(xiàn)表面污染物的清除變得更加困難。污染物的出現(xiàn)可能最終需要將弄臟的投影系統(tǒng)完全更換成新的系統(tǒng)，那是花費(fèi)非常昂貴的。
解決從冷卻空氣中清除污染物的問(wèn)題出現(xiàn)在US-A-5,696,623中，其公開(kāi)了一種包括用于在半導(dǎo)體制造裝置中清潔冷卻氣體的方法的空氣凈化系統(tǒng)。此方法包括使冷卻氣體曝光在紫外線中。關(guān)于這個(gè)特定的先進(jìn)工藝現(xiàn)有技術(shù)的一個(gè)問(wèn)題是必須使得空氣冷卻。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)將空氣曝光在其前方的穿過(guò)透鏡系統(tǒng)的紫外線中沒(méi)有抑制鹽晶體成長(zhǎng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面是解決在常規(guī)流體清潔系統(tǒng)中遇到的問(wèn)題。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例在光刻裝置中實(shí)現(xiàn)此方面和其它方面包括用于提供輻射的投影光束的輻射系統(tǒng)；用于支撐圖案形成器件的支撐結(jié)構(gòu)，圖案形成器件用來(lái)為根據(jù)所需的圖案圖像化投影光束；用于支撐襯底的襯底臺(tái)；和用于在襯底的目標(biāo)部分上投影圖案化的光束的投影系統(tǒng)，投影系統(tǒng)包括具有光束入口區(qū)域的光學(xué)元件和具有光束出口區(qū)域的光學(xué)元件，圖案化的光束穿過(guò)其每個(gè)區(qū)域，特征表現(xiàn)為其與設(shè)有多個(gè)核化地點(diǎn)并具有污染物呈現(xiàn)在其內(nèi)部或周?chē)脑撏队跋到y(tǒng)相結(jié)合的核形表面，該表面設(shè)置在遠(yuǎn)離該光束入口區(qū)域或該光束出口區(qū)域中至少一個(gè)。
在實(shí)施例中提供了光刻投影裝置。裝置包括提供輻射光束的輻射系統(tǒng)，和支撐圖案形成結(jié)構(gòu)的支撐結(jié)構(gòu)。為了根據(jù)所需的圖案圖形化輻射光束構(gòu)造圖案形成結(jié)構(gòu)。裝置還包括支撐襯底的襯底支撐，和在襯底的目標(biāo)部分投影圖案化的光束的投影系統(tǒng)。投影系統(tǒng)包括具有光束入口區(qū)域的光學(xué)元件和具有光束出口區(qū)域的光學(xué)元件，圖案化的光束穿過(guò)其每個(gè)區(qū)域。裝置另外包括與上面設(shè)有多個(gè)核化地點(diǎn)的投影系統(tǒng)結(jié)合的核形表面。此表面設(shè)置在遠(yuǎn)離光束入口區(qū)域或光束出口區(qū)域中的至少一個(gè)。
這種配置提供了關(guān)于污染鹽的生長(zhǎng)被從投影系統(tǒng)中的光學(xué)元件去除的優(yōu)勢(shì)，此時(shí)引發(fā)了對(duì)裝置性能的最小程度的影響。另外的優(yōu)勢(shì)是流體的冷卻無(wú)須實(shí)現(xiàn)對(duì)其的清潔。
根據(jù)本發(fā)明的另外的方面，核形表面由與至少一個(gè)光學(xué)元件相同的材料制造而成。
這種配置提供了將核形表面當(dāng)作“虛構(gòu)的”表面這個(gè)優(yōu)勢(shì)，就是說(shuō)否則有可能會(huì)污染光學(xué)元件的污染物由于特定的光學(xué)元件的材料而代之以污染了“虛構(gòu)的”表面。通過(guò)與核形表面的結(jié)合，污染物保留在虛構(gòu)的表面上，從而防止任何由相同污染物造成的另外污染。
在實(shí)施例中提供了光刻投影裝置。裝置包括提供輻射光束的第一輻射系統(tǒng)和支撐圖案形成結(jié)構(gòu)的支撐結(jié)構(gòu)。根據(jù)所需的圖案，為了圖案化投影光束構(gòu)造圖案形成結(jié)構(gòu)。裝置還包括支撐襯底的襯底支撐，和在襯底的目標(biāo)部分投影圖案化的光束的投影系統(tǒng)。投影系統(tǒng)包括具有光束入口區(qū)域的光學(xué)元件和具有光束出口區(qū)域的光學(xué)元件，圖案化的光束穿過(guò)其每個(gè)區(qū)域。裝置另外包括清潔將引入設(shè)置了光學(xué)元件的區(qū)域的流體的流體清潔系統(tǒng)。流體清潔系統(tǒng)包括接收待清潔流體的流體入口和為裝置區(qū)域供給已清潔流體的流體出口，清潔所接收流體的清潔區(qū)域，設(shè)置在該入口和該出口之間的清潔區(qū)域，和為清潔區(qū)域提供輻射以引發(fā)在清潔區(qū)域中處于流體中的污染物分解的第二輻射系統(tǒng)。該裝置還包括設(shè)有多個(gè)核化地點(diǎn)的核形表面。將該核形表面設(shè)置在清潔區(qū)域里。
根據(jù)另外的方面提供了用于裝置的流體清潔系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括用于接收待清潔氣體的流體入口和用于為裝置供給已清潔流體的流體出口和供給系統(tǒng)；設(shè)置在該入口和該出口的清潔區(qū)域；和在應(yīng)用中預(yù)備入射在該清潔區(qū)域上的輻射源；其特征為該輻射源引發(fā)了處于該流體該清潔區(qū)域的污染物的分解；并且在那個(gè)流體清潔系統(tǒng)中另外還包括設(shè)置在該清潔區(qū)域的核形表面，在其上多個(gè)核化地點(diǎn)設(shè)有與其中一個(gè)離解的污染物結(jié)合。
在實(shí)施例中，提供了用于在裝置中使用的流體清潔系統(tǒng)。系統(tǒng)包括接收待清潔流體的流體入口和為裝置供給已清潔流體的流體出口，設(shè)置在入口和出口之間的清潔區(qū)域，預(yù)備入射在清潔區(qū)域上以引發(fā)在清潔區(qū)域處于流體中的污染物分解的輻射源，和設(shè)置在設(shè)有多個(gè)核化地點(diǎn)的清潔區(qū)域的核形表面。
在實(shí)施例中，提供了清潔用來(lái)在裝置中使用的流體的方法。方法包括在入口處接收待清潔流體并為出口處的裝置供給已清潔流體，在設(shè)置在入口和出口之間的清潔區(qū)域清潔流體，在清潔區(qū)域中利用輻射源來(lái)引發(fā)處于流體中的污染物的分解，并在設(shè)有多個(gè)核化地點(diǎn)的清潔區(qū)域中提供核形表面。
這種配置提供的優(yōu)勢(shì)是因?yàn)槲廴疚锉Ａ粼谇鍧崊^(qū)域中所以流體清潔達(dá)到非常高的標(biāo)準(zhǔn)。尤其是，消除了經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后將損害昂貴裝置部件的鹽晶體成長(zhǎng)。因此，裝置的使用壽命增長(zhǎng)了。流體清潔系統(tǒng)的成本是有限的因?yàn)闊o(wú)需有精密的光學(xué)裝置而且無(wú)需有流體清潔系統(tǒng)或裝置的精確調(diào)整。
根據(jù)本發(fā)明另外的方面，提供的裝置制造方法包括的步驟有提供至少部分地由輻射敏感材料層覆蓋的襯底；利用輻射系統(tǒng)提供輻射的投影光束；利用圖案形成器件以在投影光束的橫截面上賦予圖案；并且利用具有光束入口區(qū)域的光學(xué)元件和具有光束出口區(qū)域的光學(xué)元件，圖案化的光束穿過(guò)其每個(gè)區(qū)域，在輻射敏感材料層的目標(biāo)部分上投影圖案化的輻射光束，特征表現(xiàn)為提供了與設(shè)有多個(gè)核化地點(diǎn)并與具有一個(gè)污染物呈現(xiàn)在其內(nèi)部或周?chē)耐队跋到y(tǒng)結(jié)合的核形表面，并且將該表面設(shè)置在遠(yuǎn)離該光束入口區(qū)域或該光束出口區(qū)域中的至少一個(gè)。
在實(shí)施例中提供了器件制造方法。方法包括投影輻射光束，圖案化輻射光束，利用具有光束入口區(qū)域的光學(xué)元件和具有光束出口區(qū)域的光學(xué)元件，圖案化的光束穿過(guò)其每個(gè)區(qū)域，在輻射敏感材料層的目標(biāo)部分上投影圖案化的輻射光束，并且用與光束入口區(qū)域和光束出口區(qū)域中的至少一個(gè)隔離的多個(gè)核化地點(diǎn)俘獲污染物。處于投影系統(tǒng)內(nèi)或周?chē)碾x解的污染物與至少一個(gè)該多個(gè)核化地點(diǎn)結(jié)合。
在實(shí)施例中，提供了用于在流體中檢測(cè)污染物的污染物檢測(cè)器。檢測(cè)器包括流體沿其流動(dòng)的流體通道，設(shè)置在該流體通道中的檢測(cè)區(qū)域，和預(yù)備入射在檢測(cè)區(qū)域的輻射源。在檢測(cè)區(qū)域中輻射源引發(fā)位于流體中的污染物的分解。檢測(cè)器還包括設(shè)置在設(shè)有多個(gè)核化地點(diǎn)的檢測(cè)區(qū)域中的核形表面；和用來(lái)測(cè)定核形表面的光學(xué)特性的光學(xué)測(cè)量器件，其可測(cè)定該流體中污染物的濃度。
根據(jù)關(guān)于本發(fā)明IC制造的實(shí)施例，雖然在本文中可能具體地參考了裝置的使用，應(yīng)當(dāng)清楚地理解這樣的裝置還可具有很多其它應(yīng)用。例如，其可以被采用于集成光學(xué)系統(tǒng)，用于磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案，液晶顯示板，薄膜磁頭等的制造。熟練的技術(shù)人員將意識(shí)到，就這種替代應(yīng)用的上下文中，用語(yǔ)“分劃板”，“晶圓”或“管芯”在本文的任何使用分別應(yīng)當(dāng)被視為被更通用的用語(yǔ)“掩?！?，“襯底”或“目標(biāo)區(qū)域”所取代。
在本文案中，用語(yǔ)“輻射”和“光束”旨在包括所有類(lèi)型的電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如波長(zhǎng)為365，248，193，157或126納米)和遠(yuǎn)紫外線(EUV)輻射(例如波長(zhǎng)范圍為5-20納米)，以及粒子束如離子束或電子束。
附圖簡(jiǎn)述現(xiàn)在將僅通過(guò)示例的方式并參考示意性的附圖來(lái)介紹本發(fā)明的實(shí)施例，在附圖中對(duì)應(yīng)的標(biāo)號(hào)表示對(duì)應(yīng)的部分，其中


圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻投影裝置；圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的包括投影系統(tǒng)保護(hù)器的光刻裝置的細(xì)節(jié)；圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明的另外一個(gè)實(shí)施例的包括投影系統(tǒng)保護(hù)器的光刻裝置的細(xì)節(jié)；圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明的另外一個(gè)實(shí)施例的包括投影系統(tǒng)保護(hù)器和連接件的光刻裝置的細(xì)節(jié)；圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的包括流體清潔系統(tǒng)的光刻裝置的細(xì)節(jié)；圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的流體清潔系統(tǒng)；圖7顯示了根據(jù)本發(fā)明的另外一個(gè)實(shí)施例的流體清潔系統(tǒng)；和圖8顯示了根據(jù)本發(fā)明的另外一個(gè)實(shí)施例的包括流體清潔系統(tǒng)的光刻裝置的細(xì)節(jié)；發(fā)明實(shí)施例詳述圖1示意性地顯示了根據(jù)特定的本發(fā)明的實(shí)施例的光刻投影裝置1。裝置包括用于供給輻射(例如365，248，193，157納米輻射)的投影光束PB的輻射系統(tǒng)Ex，IL。在這個(gè)特定情況中，輻射系統(tǒng)還包括輻射源LA；設(shè)有用來(lái)夾持掩模MA(例如分劃板)的掩模夾的第一目標(biāo)臺(tái)(掩模臺(tái))MT，并且連接到用來(lái)精確地將掩模相對(duì)于項(xiàng)目PL定位的第一定位裝置；第二目標(biāo)臺(tái)(襯底臺(tái))WT設(shè)有用來(lái)夾持襯底W(例如涂覆抗蝕劑的硅晶圓)的襯底夾，并且連接到用來(lái)精確地將襯底相對(duì)于項(xiàng)目PL定位的第二定位裝置；和用于將掩模MA的照射部分映像到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一個(gè)或多個(gè)管芯)之上的投影系統(tǒng)(“透鏡”)PL(例如光學(xué)透鏡系統(tǒng))。在此處使用的用語(yǔ)“目標(biāo)臺(tái)”可以也被視為或稱(chēng)為目標(biāo)支撐。應(yīng)當(dāng)理解，用語(yǔ)目標(biāo)支撐或目標(biāo)臺(tái)廣義地指支撐，夾持，或承載目標(biāo)或襯底的結(jié)構(gòu)。
如此處所示，裝置是透射型一類(lèi)(也就是具有透射掩模)。然而通常來(lái)說(shuō)，它還可能是反射型，例如具有反射掩模?；蛘撸b置可以采用其它類(lèi)型的圖案形成器件，如之前所引用的可編程鏡陣列類(lèi)型。
源LA(例如汞燈，氪氟受激準(zhǔn)分子激光器或等離子源)產(chǎn)生輻射光束。光束直接地或在穿過(guò)具有例如光束放大器Ex的調(diào)節(jié)部件之后填充到照明系統(tǒng)(照明器)IL中。照明器IL可以包括用于配置光束中強(qiáng)度分布的外部和/或內(nèi)部范圍(通常分別引用為σ-外部和σ-內(nèi)部)的調(diào)節(jié)裝置AM。另外，其通常包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO。以這種方式，掩模MA上反彈的光束PB在其橫截面上具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。
關(guān)于圖1應(yīng)該注意源LA可能在光刻投影裝置(例如當(dāng)源LA是汞燈時(shí)的經(jīng)常情況)機(jī)殼內(nèi)，但是其也可能遠(yuǎn)離于光刻投影裝置，伴隨著其產(chǎn)生的輻射光束(例如借助于適當(dāng)?shù)闹甘剧R)被導(dǎo)入該裝置。此后者模式經(jīng)常是當(dāng)源LA是受激準(zhǔn)分子激光器的情況。目前的發(fā)明和權(quán)項(xiàng)包括所有這些模式。
光束PB隨后攔截了夾持在掩模臺(tái)MT上的掩模MA。在穿過(guò)掩模MA后，光束PB穿過(guò)透鏡PL，其將光束PB聚焦在襯底W的目標(biāo)部分C上。借助于第二定位裝置(和干涉測(cè)量裝置IF)，襯底臺(tái)WT可以精確地移動(dòng)，以便例如將不同的目標(biāo)部分C定位在輻射光束B(niǎo)的通道中。類(lèi)似地，第一定位裝置可以用來(lái)相對(duì)于輻射光束PB的通道對(duì)掩模MA進(jìn)行精確地定位，例如在將掩模MA從掩模庫(kù)中機(jī)械式地重新取出之后或者在掃描過(guò)程中。通常來(lái)說(shuō)，借助于未在圖1中明確地顯示的長(zhǎng)行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)，可以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)臺(tái)MT、WT的移動(dòng)。然而，在晶圓步進(jìn)器(與步進(jìn)和掃描裝置相反)的情形中，掩模臺(tái)MT可以只與短行程促進(jìn)器相連，或被固定住。掩模MA和襯底W可以采用掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記來(lái)對(duì)準(zhǔn)。
所顯示的裝置可以用在兩種不同模式中1.在步進(jìn)模式中，掩模臺(tái)MT基本上保持靜止，并且完整的掩模映像被一次性(即單次靜態(tài)曝光)投影到目標(biāo)部分C上。然后沿x和/或y方向移動(dòng)襯底臺(tái)WT，使得光束PB能夠照射到不同的目標(biāo)部分C；以及2.在掃描模式中，除了給出的目標(biāo)部分C沒(méi)有在單次“閃光”中曝光之外，大致應(yīng)用了相同的模式。而代之以，掩模臺(tái)MT在給出的方向(例如y方向的所謂的“掃描方向”)上能以速度v移動(dòng)，所以引發(fā)投影光束PB在掩模映像上掃描。同時(shí)，襯底臺(tái)WT在相同或相反的方向上以速度V＝Mv同時(shí)地移動(dòng)，其中M(通常M＝1/4或1/5)是透鏡PL的放大率。以這種方式，相對(duì)大的目標(biāo)部分C可以受曝光而不會(huì)損害到分辨率。
正如所提到的，投影系統(tǒng)(“透鏡”)PL是例如用于將掩模MA的受照射部分映像到目標(biāo)部分C上的光學(xué)透鏡系統(tǒng)。光學(xué)透鏡系統(tǒng)通常包括大概三十個(gè)透鏡元件得以配置使得投影光束穿過(guò)每一透鏡元件。每一透鏡元件具有兩個(gè)使得投影光束通過(guò)的表面。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)鹽生長(zhǎng)多數(shù)地標(biāo)記在外部透鏡表面上，也就是在投影系統(tǒng)的入口投影光束穿過(guò)的第一表面和投影穿出投影系統(tǒng)離開(kāi)的最后一個(gè)表面。尤其是，投影系統(tǒng)包括具有光束入口區(qū)域的光學(xué)元件和具有光束出口區(qū)域的光學(xué)元件，穿過(guò)其該投影光束分別地進(jìn)入投影系統(tǒng)和離開(kāi)投影系統(tǒng)。
本發(fā)明具有對(duì)流體清潔的應(yīng)用，流體同時(shí)包括氣體和液體。尤其但不唯一，本發(fā)明具有在光學(xué)光刻技術(shù)中對(duì)氣體清潔和在沉浸光刻技術(shù)中對(duì)液體清潔的應(yīng)用。
在描述更多本發(fā)明的實(shí)施例的細(xì)節(jié)之前，介紹了光化反應(yīng)。例如從自組單層中知道，功能團(tuán)很好地粘附在給出表面上，例如硫磺在黃金上接收分子，酒精和氨基化合物在鉑上聚合，脂肪酸在銀和二氧化硅上聚合，1-烯烴在硅上，并且烷基(二)磷酸在云母上。典型的污染物包括由硅，鈣，硫磺，磷，鋁和其它金屬組成的化合物，另外還包括硫磺二氧化物，硫酸銨，磷酸，硅烷或具有碳?xì)浠衔锘蛱挤衔锇ㄋ杏袡C(jī)金屬絡(luò)合物的蹤跡的化合物。在大多數(shù)情況中，只有小部分化合物，如原子或功能團(tuán)，作為晶體的核化地點(diǎn)殘留下來(lái)。殘余的(非核化地點(diǎn)形成)部分通常是有機(jī)的部分或碳?xì)浠衔镌诠饪萄b置中被氧化掉。鹽晶體是作為如“針狀結(jié)晶體”，納米管或納米線，樹(shù)枝晶或難熔化合物為人所知的。源于污染物的核化與晶體的生長(zhǎng)一樣出現(xiàn)在伴隨強(qiáng)烈輻射的曝光過(guò)程中，正如在光刻裝置和用于電子輻射的裝置中發(fā)現(xiàn)的一樣。
導(dǎo)致如硅烷，硫酸鹽或磷酸鹽的化學(xué)品與存在的其它如氧，水，氨的氣體相結(jié)合起來(lái)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的照射是基本的污染物鹽生長(zhǎng)進(jìn)程。首先，在輻射中的曝光引發(fā)了硅烷，硫酸鹽或磷酸鹽開(kāi)始離解。其次，分解之后，化學(xué)品作為其它的化合物重新組成，具體而言鹽化合物。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)光刻技術(shù)裝置中的波長(zhǎng)引起環(huán)境里特定的化學(xué)反應(yīng)，因?yàn)辂}化合物通常不會(huì)出現(xiàn)在光刻裝置中發(fā)現(xiàn)的環(huán)境里，就是說(shuō)不存在強(qiáng)烈輻射的純凈的，清潔的，干燥的空氣環(huán)境。已經(jīng)從例如365納米到193納米，EUV和電子照射中發(fā)現(xiàn)，投影光束的波長(zhǎng)的減少提供了額外的能量，其接下來(lái)提供了更多的分解并且因此得到更多的有害鹽化合物。形成的常規(guī)的鹽晶體化合物包括，例如鎂硫酸鹽，鎂磷酸鹽和硫酸銨。這些鹽，在常規(guī)的裝置沉積在光線穿過(guò)的透鏡元件上。當(dāng)光線隨著那個(gè)透鏡的鹽污染物通過(guò)透鏡時(shí)，其引發(fā)了穿過(guò)透鏡的光線的衍射。此光線的衍射，也指擴(kuò)散光線或閃光，引發(fā)光刻技術(shù)工藝中的問(wèn)題。鹽晶體化合物通過(guò)從流體或溶液狀態(tài)到規(guī)則的固體狀態(tài)重新配置原子或分子而形成。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在常規(guī)系統(tǒng)中，核化結(jié)構(gòu)作為透鏡的不理想性和不純凈性的結(jié)果而出現(xiàn)。還已經(jīng)發(fā)現(xiàn)核化是晶體成長(zhǎng)所需要的。然而，核化比晶體成長(zhǎng)消耗更長(zhǎng)時(shí)間。因此一旦表面已經(jīng)核化，晶體成長(zhǎng)就快速地進(jìn)行。
兩個(gè)主要的污染物是在周?chē)目諝庵邪l(fā)現(xiàn)的硫磺二氧化物和來(lái)自揮發(fā)性的有機(jī)金屬磷酸鹽中的磷酸鹽，其例如作為可塑劑或阻燃劑在光刻裝置中出現(xiàn)在塑膠技術(shù)中。其它的例如水，氨和氧的污染物與其產(chǎn)生反應(yīng)的反應(yīng)物處于周?chē)目諝庵?。注意到，氧加入到處于裝置的氣體中目的是使得碳?xì)浠衔镅趸??；瘜W(xué)品的分解取決于包括反應(yīng)物的體積和局部壓力還有輻射的波長(zhǎng)在內(nèi)的因素。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)另一個(gè)因素是表面的存在。尤其是已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在表面上的分解和從此并發(fā)的鹽晶體成長(zhǎng)的概率比遠(yuǎn)離表面更高。參考圖5到8所顯示和描述的實(shí)施例，尤其使用了這個(gè)最后因素。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)降解進(jìn)程可以取得至少兩個(gè)可能的通道中的一個(gè)。更加詳細(xì)地討論了兩個(gè)主要的進(jìn)程。根據(jù)第一進(jìn)程，分子污染物處于氣體(或液體)中。當(dāng)受到適當(dāng)?shù)妮椛鋾r(shí)，污染物離解以形成原子團(tuán)。原子團(tuán)隨后聚集在表面以形成核化地點(diǎn)。晶體成長(zhǎng)作為原子團(tuán)重新配置的結(jié)果出現(xiàn)。
根據(jù)第二進(jìn)程，在反應(yīng)區(qū)域的表面的出現(xiàn)是必要的。分子被吸附在此表面。每個(gè)吸附的分子在某一段時(shí)間內(nèi)被粘附在表面。在此一段時(shí)間之后，解吸附作用發(fā)生并且分子被從表面釋放。根據(jù)分子的大小和化學(xué)性質(zhì)，特定分子保留在表面上的時(shí)間長(zhǎng)短對(duì)不同分子來(lái)說(shuō)是不同的。
應(yīng)當(dāng)理解如果包含分子的氣體(或液體)流處于光刻裝置中，那么根據(jù)第一進(jìn)程，核化和并發(fā)的晶體成長(zhǎng)的發(fā)生機(jī)會(huì)將會(huì)相對(duì)于非流動(dòng)情況有所減少，因?yàn)樵诹鲃?dòng)的環(huán)境中，當(dāng)其在越過(guò)透鏡的流中通過(guò)時(shí)分子在投影透鏡的附近只有有限的一段時(shí)間。因此如果分子被吸附在表面上，核化的概率更高，因?yàn)槠浔槐Ａ粼诜磻?yīng)區(qū)域更長(zhǎng)一段時(shí)間。
分子是否被吸附在表面將主要取決于在氣態(tài)狀態(tài)的分子的局部壓力(和在液體狀態(tài)的分子的濃度)。被吸附的分子粘附到表面并且受到以下的表面效果在反應(yīng)區(qū)域，被吸附的分子可直接地或間接地受輻射撞擊。間接的輻射包括，例如由光刻裝置源產(chǎn)生的輻射光束產(chǎn)生的二級(jí)電子。然而在光刻裝置中，輻射光束可能具有通常在大約3-100電子伏特(eV)區(qū)域的能量，二級(jí)電子可能具有通常在大約5-10電子伏特(eV)區(qū)域的能量。為了引發(fā)受吸附分子的分解，在近似于5電子伏特的區(qū)域內(nèi)的能量是必須的。因此，分子通過(guò)輻射光束或二級(jí)電子被離解了。為分解產(chǎn)物的原子團(tuán)形成了核化地點(diǎn)，另外的原子團(tuán)重新配置以在核化地點(diǎn)周?chē)砻嫘纬删w。因此，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)提供核化地點(diǎn)所處于的表面，晶體成長(zhǎng)概率增加了。
當(dāng)上面所述的第二進(jìn)程出現(xiàn)時(shí)，可能出現(xiàn)兩種模式。根據(jù)第一種模式，光線的強(qiáng)度相對(duì)于分子的局部壓力(或濃度)是高的。因此，晶體成長(zhǎng)將由局部壓力(或在液體中的濃度)確定。此模式被稱(chēng)為“分子流量限制模式”，并通常出現(xiàn)在低局部壓力(或濃度)。根據(jù)第二模式，光線強(qiáng)度相對(duì)于反應(yīng)區(qū)域中分子的數(shù)量要低(也就是存在一個(gè)相對(duì)高的局部壓力(或濃度))。因此，生長(zhǎng)由輻射的強(qiáng)度確定。此模式被稱(chēng)為“輻射流量限制模式”，并不受局部壓力(或濃度)的限制。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)通常在光刻裝置中遇到的模式是分子流量限制模式，因?yàn)榫哂械途植繅毫?或濃度)。晶體成長(zhǎng)通常發(fā)生很長(zhǎng)一段時(shí)間。然而尤其是，本發(fā)明所應(yīng)用的模式并不是非常依賴(lài)于輻射的強(qiáng)度。因此，為了使得本發(fā)明起作用，盡管輻射需要具有一定的能量，其不需要具有特別高的強(qiáng)度。尤其是，所需的強(qiáng)度低于通常的由光刻裝置源產(chǎn)生的輻射光束強(qiáng)度。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，圖2顯示了包括投影系統(tǒng)保護(hù)器的光刻裝置的細(xì)節(jié)。尤其是，圖2顯示了包括至少一個(gè)具有入口表面60和出口表面80的透鏡元件的投影系統(tǒng)PL。使用中，(圖案化的)光束通過(guò)提前確定的入口表面60的區(qū)域進(jìn)入投影系統(tǒng)，入射光束區(qū)域是入口區(qū)域70。光束通過(guò)提前確定的出口表面80的區(qū)域離開(kāi)投影系統(tǒng)，離開(kāi)光束的區(qū)域是出口區(qū)域90。在圖2所示的例子中，入口和出口區(qū)域具有十字交叉的形狀。然而，本發(fā)明不局限于此方面。通常，入口和出口區(qū)域分別地對(duì)應(yīng)于在入口和出口的投影系統(tǒng)平面中圖案化光束的橫截面。并且將依賴(lài)于特殊的應(yīng)用而變化。在圖2所示的例子中，入口和出口區(qū)域具有相同的形狀，然而本發(fā)明并不局限于此方面。
還提供的是設(shè)有多個(gè)污染物核化地點(diǎn)的核形表面40，此表面設(shè)置到遠(yuǎn)離光束入口區(qū)域或該光束出口區(qū)域中的至少一個(gè)。例如，核形表面可能提供在投影系統(tǒng)的入口或出口，或兩者皆有。遠(yuǎn)離光束通道配置的核形表面初始化了在關(guān)鍵輻射通道之外并且脫離部分透鏡的晶體成長(zhǎng)，其中，圖案化光束通過(guò)該透鏡。而代之以，晶體成長(zhǎng)在預(yù)備的圍繞光束通道周長(zhǎng)的表面上得以初始化。通過(guò)在表面提供核化地點(diǎn)來(lái)準(zhǔn)備核形表面。優(yōu)選核化地點(diǎn)是理想的，也就是核化地點(diǎn)包括待生長(zhǎng)的化合物的晶體種子，并且在安裝表面之前準(zhǔn)備好并提供到表面上。優(yōu)選表面是粗糙的。表面的粗糙程度可以具有大約3-5納米左右或更高的均方根值。例如，核形表面40可以是被蝕刻的(優(yōu)選是輕度蝕刻的)石英，上面設(shè)置有硫酸銨鹽種子。核化地點(diǎn)優(yōu)選是由與直接地在核形表面40上游或下游設(shè)置的透鏡元件相同的材料制成，然而這不是必需的。通常的用于核化表面的材料包括任何透鏡材料，包括但不限于二氧化硅，氟化鎂，和氟化鈣。
在圖2中可以看出，核形表面40形成在使用中設(shè)置在投影系統(tǒng)的端部(由箭頭101所示)的保護(hù)蓋200的一部分。在圖2中，保護(hù)蓋200用于配置顯示在投影系統(tǒng)的出口端。然而，如所提到的，可想象保護(hù)蓋可以設(shè)置在投影系統(tǒng)的入口，出口或兩端皆可。核形表面優(yōu)選形成至少適合投影系統(tǒng)出口或入口的保護(hù)蓋的一部分。核形表面40優(yōu)選設(shè)置在鄰近這些區(qū)域的平面中的光束入口區(qū)域或光束出口區(qū)域，或兩者皆是。核形表面的尺寸是不重要的。另外的是根據(jù)這個(gè)特定的實(shí)施例，在裝置中對(duì)核形表面來(lái)說(shuō)沒(méi)有必要在輻射中曝光。分解將出現(xiàn)在裝置的體積中。然而，離解的分子將具有非常高概率地在提供在核形表面40上的核化地點(diǎn)形成鹽，因?yàn)楹嘶攸c(diǎn)是另外的晶體成長(zhǎng)能夠出現(xiàn)在其上面的種子。
根據(jù)本發(fā)明另外的實(shí)施例，圖3顯示了包括投影系統(tǒng)保護(hù)器的光刻裝置的細(xì)節(jié)。在圖3中，核形表面40用至少一個(gè)優(yōu)選是石英管的管來(lái)形成。核形表面優(yōu)選包括設(shè)置在可能是或可能不是進(jìn)口或出口透鏡元件外表面的表面120上的至少一個(gè)管110，其中至少一個(gè)管110配置在表面120上，因此在使用中，在光束傳播方向上管110從光束入口或出口區(qū)域70，90(未在圖3示出)的偏移，并且鄰近光束入口區(qū)域或光束出口區(qū)域。一個(gè)或多個(gè)管110可以用膠水或某些其它常規(guī)的連接部件連接到透鏡元件上，例如用夾子或通過(guò)在透鏡周?chē)?在圓形片小于透鏡的最大直徑處)設(shè)置圓形片連接到透鏡主體，因此其懸掛在透鏡上。如圖3中所能見(jiàn)到的，在其穿過(guò)裝置的傳播方向上一個(gè)或多個(gè)管110沒(méi)必要包圍整個(gè)光束橫截面的周長(zhǎng)。然而，在圖2和3中都有顯示的實(shí)施例中核形表面40優(yōu)選以額定的距離繞光束進(jìn)入和離開(kāi)投影系統(tǒng)所穿過(guò)的透鏡元件區(qū)域延伸。使用中，在核形表面設(shè)置處離光束的距離將取決于由特定的光刻裝置所實(shí)現(xiàn)的曝光。尤其是如果光束橫截面的變化是可想象的，為核形表面40設(shè)置足夠的距離以允許所有可想象的光束輪廓能被執(zhí)行而無(wú)需改變保護(hù)蓋或在透鏡元件上管的配置可能是有益的。然而，通常對(duì)于特定的光束輪廓，優(yōu)選核形表面40在使用中靠近光束的入射區(qū)域而不搭接到在光束進(jìn)入和離開(kāi)平面中的曝光區(qū)域。盡管在圖3中，核形表面顯示為管的配置，本發(fā)明并不局限于此方面。確實(shí)，可想象表面可能包括立方的，或任何其它的置有核化地點(diǎn)的幾何結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明另外的實(shí)施例，圖4顯示了包括投影系統(tǒng)保護(hù)器和連接件的光刻裝置的細(xì)節(jié)。核形表面40設(shè)有連接件140用于在該投影系統(tǒng)PL上連接核形表面40。在圖4所示的實(shí)施例中，核形表面40沒(méi)有直接地設(shè)置在透鏡元件的入口或出口處，而是更適合地設(shè)置在凈化罩130上，其被設(shè)置在投影系統(tǒng)PL和核形表面40之間。提供連接件140用來(lái)將核形表面連接到凈化罩上。對(duì)于圖2或3，核形表面可包括上面設(shè)置核化地點(diǎn)的蝕刻石英，或管的配置。然而，本發(fā)明不局限于這個(gè)方面，并且如以上所述，核形表面可直接地連接到透鏡元件。凈化罩130是光刻裝置可選部件并且包括用于向裝置中引入凈化空氣的部件。
根據(jù)另外的本發(fā)明的實(shí)施例，圖5顯示了包括結(jié)合有核形表面的流體清潔系統(tǒng)的光刻裝置的細(xì)節(jié)。對(duì)于那些在圖5中顯示的具有相同數(shù)字的或字母參考的對(duì)應(yīng)于圖1中顯示的部件來(lái)說(shuō)，做出了對(duì)以上圖1的描述的參考，因?yàn)檫@些部件沒(méi)有另外在下文中有所描述。圖5顯示了輻射1的投影光束，圖案形成器件MA，用來(lái)根據(jù)所需的圖案化投影光束，圖案化的光束3。具有特定的橫截面區(qū)域的圖案化的光束在投影系統(tǒng)入口區(qū)域(未在圖5中示出)入射到投影系統(tǒng)PL。圖案化的光束通過(guò)光束入口區(qū)域(未在圖5中示出)離開(kāi)投影系統(tǒng)。離開(kāi)的圖案化的光束5隨后入射到襯底W上，其被安裝在襯底臺(tái)WT上。根據(jù)用來(lái)在例如圖1和5中所示的光刻裝置的裝置中使用的本發(fā)明的實(shí)施例，圖5另外顯示了氣體清潔系統(tǒng)10，14，15，16，20。盡管在所示的例子中，流體清潔系統(tǒng)顯示為在光刻裝置中使用，本發(fā)明并不局限于這個(gè)方面，并且根據(jù)本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例可想象流體清潔系統(tǒng)在其它的需要清潔流體的裝置中有所應(yīng)用，例如晶圓檢查工具，用于瓶裝諸如氮或氬氣體的氣體凈化系統(tǒng)。
在圖5到8顯示的實(shí)施例中，光刻裝置在氣態(tài)環(huán)境中運(yùn)行。流體清潔系統(tǒng)清潔了圍繞在投影系統(tǒng)PL周?chē)臍怏w。如以下所討論的，本發(fā)明還具有在光刻和在液態(tài)環(huán)境中運(yùn)行的其它裝置中的應(yīng)用。在圖5中示出的還有常規(guī)的氣體清潔系統(tǒng)8，在本領(lǐng)域中還被稱(chēng)為氣體凈化系統(tǒng)。這種常規(guī)的氣體清潔系統(tǒng)8是可選的?？上胂笤趫D5中所示的氣體清潔系統(tǒng)10，14，15，16，20即可以與常規(guī)的系統(tǒng)一起使用，或者又可以不用常規(guī)的氣體清潔系統(tǒng)8。另外，在圖5中所示的實(shí)施例中，氣體清潔系統(tǒng)結(jié)合本發(fā)明被向上地設(shè)置在常規(guī)的氣體清潔系統(tǒng)8的氣體流方向上。然而，本發(fā)明并不局限于這個(gè)方面，并可想象氣體清潔系統(tǒng)10，14，15，16，20可以被向下地設(shè)置在常規(guī)的氣體清潔系統(tǒng)8的氣體流方向上。氣體清潔系統(tǒng)具有特定的對(duì)清潔空氣的應(yīng)用。然而，可想象用來(lái)清潔其它氣體，諸如氮，氬，氦，氖和氫，在其中存在以上描述的類(lèi)型的污染物。
根據(jù)在圖5-8中的實(shí)施例，氣體清潔系統(tǒng)10，14，15，16，20利用基于引發(fā)鹽晶體污染物在透鏡元件表面形成原理的方法清潔(或凈化)氣體，通常是氮。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)透鏡元件的污染物，其是關(guān)于常規(guī)系統(tǒng)的問(wèn)題，能以接下來(lái)的方式受控。首先，確定了那些需要極清潔空氣的裝置區(qū)域，通常是光刻投影裝置。如所述那樣，這種區(qū)域是那些在投影系統(tǒng)的第一個(gè)元件之上和投影系統(tǒng)中最后一個(gè)透鏡元件之下的區(qū)域?？蛇x地，如圖8所示，光學(xué)透明薄膜22，23可以被提供以從污染物源分離那些需要極清潔空氣的裝置的部分。在光刻投影裝置中，這樣的區(qū)域還包括，例如掩模MA區(qū)域和晶圓W區(qū)域。其次，氣體清潔系統(tǒng)10，14，15，16，20另外地或從常規(guī)的空氣凈化系統(tǒng)8分離地結(jié)合起來(lái)為那些確定的區(qū)域提供極清潔空氣。通過(guò)確定和孤立那些需要極清潔空氣的裝置區(qū)域，氣體清潔系統(tǒng)沒(méi)必要設(shè)計(jì)成高通量系統(tǒng)。這另外減少了所需的氣體清潔系統(tǒng)的復(fù)雜性和成本。
氣體清潔系統(tǒng)10，14，15，16，20參照?qǐng)D6和7有更加詳細(xì)的描述。然而，通常氣體清潔系統(tǒng)包括用于接收待清潔氣體的入口10和用于為需要清潔氣體的裝置的確定區(qū)域供給清潔氣體的氣體出口和供給系統(tǒng)14，用于清潔所接收氣體的清潔區(qū)域20，清潔區(qū)域設(shè)置在入口10和出口14之間。氣體清潔系統(tǒng)另外包括用于提供輻射16到達(dá)清潔區(qū)域20的輻射系統(tǒng)15。輻射是這樣的以使得其引發(fā)處于清潔區(qū)域20的污染物的分解。氣體清潔系統(tǒng)另外包括設(shè)有多個(gè)核化地點(diǎn)的核形表面，離解的污染物可與其結(jié)合，其中核形表面被設(shè)置在清潔區(qū)域20中。
通常，輻射系統(tǒng)具有足夠的強(qiáng)度，其可能比在光刻裝置中所發(fā)現(xiàn)的要小。
待清潔氣體的照明發(fā)生在清潔區(qū)域內(nèi)，其優(yōu)選是輸入待清潔氣體所穿過(guò)的特別設(shè)計(jì)的室20。室是如此設(shè)計(jì)的以使得氣體在高輻射強(qiáng)度區(qū)域流動(dòng)足夠長(zhǎng)的時(shí)間，或沿著足夠長(zhǎng)的通道長(zhǎng)度來(lái)實(shí)現(xiàn)在清潔區(qū)域的污染物分解和核形表面與離解的污染物的結(jié)合。優(yōu)選，室包括很大的活躍表面區(qū)域，優(yōu)選用與光刻技術(shù)裝置或其它裝置的透鏡相同的材料，其使用的預(yù)期的氣體清潔劑是例如用于G-線和I-線和KrF2激光產(chǎn)生的石英二氧化硅，用于ArF2激光產(chǎn)生的氟化鎂和用于F2-激光產(chǎn)生的CaF2。優(yōu)選，核形表面的活躍表面區(qū)域，或者，整個(gè)室20配置為可清除的單元，其可以為了維持和交換的目的簡(jiǎn)易地從氣體清潔系統(tǒng)中清除。優(yōu)選，活躍表面區(qū)域是粗糙的。優(yōu)選，活躍區(qū)域的表面區(qū)域相比較于透鏡元件的表面區(qū)域更大。
當(dāng)氣體穿過(guò)室的時(shí)候，在室于輻射中一段初始曝光時(shí)期之后，可以通過(guò)用一片清潔織物擦拭表面而將核形表面準(zhǔn)備好。此準(zhǔn)備導(dǎo)致鹽晶體在表面上緩慢污染地生長(zhǎng)?；蛘?，虛構(gòu)的表面在相似的情況下而不在執(zhí)行期間得以預(yù)先處理，以實(shí)現(xiàn)核的核化。一旦安裝在用于裝置的氣體清潔系統(tǒng)中，準(zhǔn)備好的表面以如此的形式展示出在核形表面上增強(qiáng)的污染生長(zhǎng)，這歸因于極高增加的處于表面上生長(zhǎng)核的數(shù)量。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)通過(guò)提供氣體清潔系統(tǒng)中污染鹽的高核化地點(diǎn)密度，實(shí)現(xiàn)了改良的氣體清潔，因?yàn)楦嗟奈廴疚镌谄鋫魅氲酱_定的區(qū)域之前從氣體中清除，例如透鏡元件周?chē)膮^(qū)域。
在特定的實(shí)施例中，如圖6中顯示了更多細(xì)節(jié)，引導(dǎo)在照射室20中的氣體流通過(guò)對(duì)輻射透明的壁組成的通道系統(tǒng)。在實(shí)施例中，如圖7中顯示了更多細(xì)節(jié)，室設(shè)有用例如以上所述透鏡材料的適當(dāng)材料制造的泡沫或玻璃絲。通道或泡沫或玻璃絲的配置提供了很大的接觸表面。配置由圖5中通道設(shè)計(jì)和滿足圖6的泡沫或玻璃絲產(chǎn)生的空氣在照射室20的停留時(shí)間，與氣體的湍流動(dòng)力學(xué)結(jié)合，以提供與核形表面充分接觸。優(yōu)選，表面反應(yīng)的概率，也就是作為照射室中鹽晶體的污染物在核形表面分離與結(jié)合的概率，在照射室中盡可能高地被呈現(xiàn)。這些通過(guò)優(yōu)化表面的表面區(qū)域，表面上核化地點(diǎn)的出現(xiàn)，和入射到室中的輻射強(qiáng)度，如以上所描述的那樣得以實(shí)現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，由氣體清潔系統(tǒng)清潔的氣體優(yōu)選僅應(yīng)用于靠近處于確定區(qū)域中重要的透鏡表面，以此種方式使得沒(méi)有其它氣體能夠達(dá)到這些透鏡表面。這些區(qū)域能夠從剩余的裝置體積中被隔離出來(lái)，這是通過(guò)圖8中所示的光學(xué)透明薄膜22，23，其可提供重復(fù)利用極清潔空氣的可能性，并且因此甚至另外在確定的區(qū)域中減少污染物比率和概率。在本發(fā)明的特定實(shí)施例中，核化地點(diǎn)作為與處于投影系統(tǒng)PL內(nèi)或周?chē)奈廴疚锝Y(jié)合的表面，其在圖8中所示的氣體清潔系統(tǒng)20，21中被省去并供給到薄膜22，23。薄膜22，23被設(shè)置到遠(yuǎn)離圖案化的光束入口區(qū)域或圖案化的光束出口區(qū)域中的至少一個(gè)。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，圖6顯示了包括流體清潔系統(tǒng)的光刻裝置的細(xì)節(jié)。通過(guò)凈化氣體入口11提供包括預(yù)先清潔的氣體或重復(fù)利用的極清潔空氣10的凈化氣體。清潔區(qū)域包括室12，并且優(yōu)選設(shè)有阻隔壁24。來(lái)自源15的輻射16將室照亮。優(yōu)選，阻隔壁24對(duì)輻射16是透明的。阻隔壁24設(shè)有核化地點(diǎn)，并且因此形成了核形表面。輻射優(yōu)選入射到核形表面。尤其是，將壁設(shè)置以使得形成氣體通道，通過(guò)其該氣體從該氣體入口11穿過(guò)到氣體出口13。尤其是，配置壁24以使得氣體通道具有比沿輻射傳播方向上室的尺寸更長(zhǎng)的長(zhǎng)度。從圖5能夠看出，輻射沿由箭頭16指示的方向傳播。因?yàn)檩椛浯┻^(guò)室20傳播，輻射繼續(xù)充分地沿相同的方向傳播。然而，應(yīng)該理解輻射可能沿傳播方向經(jīng)歷一些改變，歸因于在室中的反射和一些吸收。尤其是，為了使用輻射16的能量，提供了可選的用來(lái)反射離開(kāi)室20的輻射的鏡子17。在圖中所示的實(shí)施例中，鏡子顯示為平面鏡。然而，鏡子可能具有包括球面幾何狀的任意形狀。鏡子17將離開(kāi)室20的輻射反射回室中，為了使得其可以產(chǎn)生處于室內(nèi)氣體中污染物另外的分解。
另外，圖6所示的實(shí)施例中可見(jiàn)壁是交替紋層狀的。
穿過(guò)清潔區(qū)域的氣體中的污染物如上所述被清除。在室內(nèi)被清潔的氣體14是經(jīng)由體朝向裝置出口的極清潔凈化氣到裝置的出口，例如光刻投影裝置。
根據(jù)本發(fā)明另外的實(shí)施例，圖7顯示了流體清潔系統(tǒng)。包括預(yù)先清潔的氣體或重復(fù)利用的極清潔氣體的凈化氣體10被引入凈化氣體入口18，其被構(gòu)造成得以提供有效率的氣體流分配控制。優(yōu)選，清潔區(qū)域包括包含核形表面的室20。優(yōu)選，核形表面包括設(shè)置在室內(nèi)的泡沫或玻璃絲表面。已清潔氣體14通過(guò)凈化氣體出口19傳入，其被構(gòu)造成得以提供有效率的氣體流分配控制到所需的位置。如圖6所示的實(shí)施例，提供鏡子17得以反射離開(kāi)室的輻射回到室中，為了使用輻射的能量來(lái)實(shí)現(xiàn)在清潔區(qū)域的污染物最適宜的分解。
根據(jù)本發(fā)明另外的實(shí)施例，圖8顯示了包括流體清潔系統(tǒng)的光刻裝置的細(xì)節(jié)。除那些已經(jīng)參考圖1和5描述的部件之外，圖8顯示了，如也已經(jīng)提到那樣，光學(xué)透明薄膜22，23，其行使功能以將由本發(fā)明的氣體清潔系統(tǒng)清潔的極清潔氣體的循環(huán)限制在裝置內(nèi)到所需的區(qū)域。另外，氣體清潔系統(tǒng)20，21不在的情況中，薄膜22，23設(shè)有核地點(diǎn)，因此薄膜22，23也作為污染物結(jié)合的表面行使功能。如先前參考圖5-7中描述的，優(yōu)選設(shè)有極清潔氣體系統(tǒng)20，其向由薄膜22，23限制在沿箭頭25方向的區(qū)域輸出氣體。優(yōu)選氣體被充足的力吹到穿過(guò)受限制的區(qū)域，例如投影系統(tǒng)坐落在其中。極清潔氣體采集單元21被提供在受限制區(qū)域的相反側(cè)。采集單元21的結(jié)構(gòu)優(yōu)選是與傳輸單元20相同。然而，其可能具有任何本發(fā)明的氣體清潔系統(tǒng)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。采集單元21采集由傳輸單元發(fā)出的氣體并將其重復(fù)利用。重復(fù)利用的氣體可以直接地輸出到受限制的區(qū)域中，或者其可以回饋到傳輸單元20，在那里其在被再引入到受限制的區(qū)域之前被再次清潔。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)重復(fù)利用氣體另外地減少了處于氣體中的污染物并且因此另外地減少了表面反應(yīng)在受限制的區(qū)域內(nèi)發(fā)生的概率。
在圖5-8所示的實(shí)施例中，可以看到清潔區(qū)域被設(shè)置到遠(yuǎn)離圖案化的光束。另外，應(yīng)理解室被構(gòu)造起來(lái)以使得對(duì)氣體來(lái)說(shuō)用來(lái)從入口到出口通過(guò)的時(shí)間是充足的以實(shí)現(xiàn)在清潔區(qū)域的污染物的分解。優(yōu)選，核形表面被構(gòu)造起來(lái)以使得對(duì)氣體來(lái)說(shuō)用來(lái)從入口到出口通過(guò)的時(shí)間是充足的以實(shí)現(xiàn)在核形表面上離解的污染物的結(jié)合。尤其是，參考在光刻裝置中的應(yīng)用，核形表面的表面區(qū)域比圖案化的光束的橫截面區(qū)域更大。
如先前描述的那樣，核化地點(diǎn)是鹽晶體成長(zhǎng)種子并且結(jié)合包括了在核化地點(diǎn)或其附近鹽晶體的形成。尤其是，污染物被作為鹽晶體保留在核形表面。
另外，在圖5和8所示的實(shí)施例中，提供圖案化的光束的第一輻射系統(tǒng)和提供分離輻射的第二輻射系統(tǒng)可以是相同的。然而，在備選實(shí)施例中，這些輻射系統(tǒng)是彼此互相獨(dú)立的。由第二輻射系統(tǒng)體供的輻射波長(zhǎng)是不重要的，只要其可引發(fā)特定污染物的分解。在一個(gè)實(shí)施例中，第一和第二輻射系統(tǒng)提供具有實(shí)質(zhì)上相同波長(zhǎng)的輻射。
在圖8中，清潔單元20顯示為向一個(gè)步進(jìn)器單元傳輸清潔空氣。然而，本發(fā)明不局限于這個(gè)方面，并且可想象單獨(dú)的清潔單元20可以用來(lái)供給清潔空氣到多個(gè)步進(jìn)器，例如相互平行設(shè)置的步進(jìn)器。
在以上描述的實(shí)施例中，對(duì)在氣態(tài)環(huán)境中運(yùn)行的光刻裝置進(jìn)行了引用。然而，本發(fā)明不局限于這種裝置。本發(fā)明能用來(lái)從流體中清除污染物。因此，處于氣體或液體中的污染物將與核形表面結(jié)合。尤其是，本發(fā)明還具有對(duì)沉浸光刻裝置的應(yīng)用，也就是在部分液態(tài)的環(huán)境中運(yùn)行光刻裝置。在沉浸光刻技術(shù)中，在投影系統(tǒng)中最后的透鏡與晶圓之間的空間被液體填滿。此液體通常是水或油。例如，通常的油是Fomblin，其還作為泵油使用。本發(fā)明可應(yīng)用來(lái)清潔用過(guò)的水或油，在使用或清潔位于最后的透鏡與晶圓之間的流體之前。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)透鏡的污染物在沉浸光刻技術(shù)中甚至比在標(biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)中更多。
另外，“虛構(gòu)的”核化地點(diǎn)的使用，也就是在其上設(shè)有多個(gè)核化地點(diǎn)，可以作為檢測(cè)器使用。為了這樣的應(yīng)用，核形表面被設(shè)置在流體通道中，例如在流體進(jìn)入裝置的流體入口處。核形表面被設(shè)置在充足能量的輻射光束的通道中，以引發(fā)處于污染物中的晶體成長(zhǎng)。有待處理的流體于是被越過(guò)表面。如果流體包括一個(gè)污染物或多個(gè)污染物，隨著時(shí)間的過(guò)去晶體成長(zhǎng)將發(fā)生。晶體成長(zhǎng)的數(shù)量與污染物的濃度有關(guān)。因?yàn)榫w成長(zhǎng)影響核形表面的光學(xué)性質(zhì)，生長(zhǎng)的數(shù)量，并且因此污染物的濃度可以光學(xué)確定。因此，設(shè)置在輻射光束中的核形表面可以用來(lái)檢測(cè)沿流體通道流動(dòng)的流體中污染物的濃度，其中設(shè)置了檢測(cè)表面。如果發(fā)現(xiàn)如測(cè)量的那樣，污染物的濃度高，為了替換經(jīng)污染流體并且為了避免裝置中另外的元件污染物如光刻裝置中的透鏡元件，可以中斷裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)。以這種方式，核形表面可以作為用于流體的品質(zhì)量度在裝置中使用。光學(xué)檢測(cè)可以在反射或透射中完成。同樣，在直接光束被封鎖而只檢測(cè)到擴(kuò)散光線的地方，可以應(yīng)用暗場(chǎng)方法，導(dǎo)致更高靈敏度的結(jié)果。尤其是，可想象提供用于檢測(cè)流體中污染物的污染物檢測(cè)器，檢測(cè)器包括用于測(cè)試的流體沿著流過(guò)的流體通道；設(shè)置在流體通道的檢測(cè)區(qū)域；在使用中配置以入射到檢測(cè)區(qū)域上的輻射源；其中輻射源引發(fā)了檢測(cè)區(qū)域中處于流體中的污染物的分解；并且其中檢測(cè)器另外包括設(shè)置在該檢測(cè)區(qū)域的核形表面，在其上面多個(gè)核化地點(diǎn)設(shè)有其中一個(gè)該離解的污染物結(jié)合并用于確定該核形表面光學(xué)特性的光學(xué)測(cè)量器件，從中該流體中污染物的濃度是可確定的。優(yōu)選，被測(cè)量的特性是核形表面的透射率或反射率。
盡管本發(fā)明的特定實(shí)施例已經(jīng)在上面有所描述，應(yīng)該意識(shí)到本發(fā)明的實(shí)施可能與所描述的不同。此描述并不用于局限本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種光刻投影裝置包括提供輻射光束的輻射系統(tǒng)；支撐圖案形成結(jié)構(gòu)的支撐結(jié)構(gòu)，圖案形成結(jié)構(gòu)構(gòu)造成可根據(jù)所需的圖案圖案化輻射光束；支撐襯底的襯底支撐；將圖案化的光束投影到襯底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)包括具有光束入口區(qū)域的光學(xué)元件和具有光束出口區(qū)域的光學(xué)元件，所述圖案化的光束穿過(guò)其每個(gè)區(qū)域；以及與上面設(shè)有多個(gè)核化地點(diǎn)的所述投影系統(tǒng)結(jié)合的核形表面，所述表面被設(shè)置到遠(yuǎn)離所述光束入口區(qū)域和所述光束出口區(qū)域中的至少一個(gè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述核形表面由與至少一個(gè)所述光學(xué)元件相同的材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述核形表面包括石英。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述核形表面包括粗糙的質(zhì)地。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述核形表面包括至少一個(gè)設(shè)置在表面上的管，其中所述的至少一個(gè)管配置在所述表面上使得所述管從所述光束入口或出口區(qū)域沿所述圖案化的光束的傳播方向偏移，并且鄰近所述光束入口區(qū)域或所述光束出口區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述核形表面形成了適合于所述投影系統(tǒng)的至少所述出口或入口區(qū)域的保護(hù)蓋的一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述蓋設(shè)有用于將所述保護(hù)蓋連接到所述投影系統(tǒng)上的連接件。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光刻投影裝置，其特征在于，凈化罩設(shè)置到所述保護(hù)蓋和所述投影系統(tǒng)的所述入口或出口區(qū)域的所述至少一個(gè)之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述核形表面設(shè)置在氣體清潔系統(tǒng)中。
10.一種光刻投影裝置包括提供輻射光束的第一輻射系統(tǒng)；支撐圖案形成結(jié)構(gòu)的支撐結(jié)構(gòu)，圖案形成結(jié)構(gòu)構(gòu)造成可根據(jù)所需的圖案圖像化投影光束；支撐襯底的襯底支撐；將圖案化的光束投影到襯底的目標(biāo)部分的投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)包括具有光束入口區(qū)域的光學(xué)元件和具有光束出口區(qū)域的光學(xué)元件，所述圖案化的光束穿過(guò)其每個(gè)區(qū)域；清潔待引入設(shè)置有所述光學(xué)元件的區(qū)域的流體的流體清潔系統(tǒng)，所述流體清潔系統(tǒng)包括接收待清潔流體的流體入口和供給已清潔流體到所述裝置的所述區(qū)域的流體出口，清潔所述接收的流體的清潔區(qū)域，所述清潔區(qū)域設(shè)置到所述入口和所述出口之間，以及提供輻射到所述清潔區(qū)域以引發(fā)處于所述清潔區(qū)域中的所述流體中的污染物的分解的第二輻射系統(tǒng)；以及設(shè)有多個(gè)核化地點(diǎn)的核形表面，其中所述核形表面設(shè)置到所述清潔區(qū)域中。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述清潔區(qū)域設(shè)置到遠(yuǎn)離所述光束出口區(qū)域的所述光束入口區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述輻射入射到所述核形表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述清潔區(qū)域包括室。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述室包括對(duì)所述輻射透明的多個(gè)壁，所述壁設(shè)置成使得可形成流體通道，穿過(guò)其所述流體從所述流體入口通到所述流體出口。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述壁配置成使得所述流體通道具有比所述室沿所述輻射的傳播方向的尺寸更長(zhǎng)的長(zhǎng)度。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述壁是交替紋層狀的。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述核形表面包括泡沫或玻璃絲表面。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述泡沫或玻璃絲設(shè)置在所述室中。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述室構(gòu)建成使得對(duì)所述流體來(lái)說(shuō)從所述入口到所述出口通過(guò)所用的時(shí)間是充足的以實(shí)現(xiàn)在所述清潔區(qū)域的污染物的分解。
20.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述核形表面構(gòu)建成使得對(duì)所述流體來(lái)說(shuō)從所述入口到所述出口通過(guò)所用的時(shí)間是充足的以實(shí)現(xiàn)離解的污染物與所述核形表面的結(jié)合。
21.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述核形表面的所述表面區(qū)域比包含在所述投影系統(tǒng)中的透鏡的表面區(qū)域更大。
22.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述核化地點(diǎn)是鹽晶體成長(zhǎng)種子，所述結(jié)合包括鹽晶體在或靠近所述核化地點(diǎn)的成形。
23.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述污染物作為鹽晶體保留在所述核形表面上。
24.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述第一和第二輻射系統(tǒng)是相同的。
25.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述第一和第二輻射系統(tǒng)是彼此獨(dú)立的。
26.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述第一和第二輻射系統(tǒng)提供具有大致相同波長(zhǎng)的輻射。
27.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述表面是可以代替的。
28.一種用來(lái)在裝置中使用的流體清潔系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括接收待清潔流體的流體入口和供給已清潔流體到裝置的流體出口；設(shè)置在所述入口和所述出口之間的清潔區(qū)域；配置以入射到所述清潔區(qū)域以引發(fā)在清潔區(qū)域中處于所述流體中的污染物的分解的輻射源；以及設(shè)置到設(shè)有多個(gè)核化地點(diǎn)的所述清潔區(qū)域中的核形表面。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的清潔系統(tǒng)，其特征在于，待清潔流體至少為空氣，氮，氬，氦，水和油之一。
30.一種用于在裝置中清潔流體的方法，所述方法包括在入口接收待清潔流體并供給已清潔流體到在出口的裝置；在設(shè)置于所述入口和所述出口之間的清潔區(qū)域中清潔所述流體；利用輻射源以引發(fā)在所述清潔區(qū)域中處于所述流體中的污染物的分解；以及在設(shè)有多個(gè)核化地點(diǎn)的所述清潔區(qū)域提供核形表面。
31.一種包括在根據(jù)權(quán)利要求30的方法清潔的光刻裝置中利用流體的方法。
32.一種器件制造方法包括投影輻射光束；圖案化輻射光束；投影輻射的圖案化的光束到輻射敏感材料層的目標(biāo)部分，利用具有光束入口區(qū)域的光學(xué)元件和具有光束出口區(qū)域的光學(xué)元件，所述圖案化的光束穿過(guò)其每個(gè)區(qū)域；以及利用在所述光束入口區(qū)域和所述光束出口區(qū)域中的至少一個(gè)處間隔開(kāi)的多個(gè)核化地點(diǎn)俘獲污染物。
33.一種用于在流體中檢測(cè)污染物的污染物檢測(cè)器，所述檢測(cè)器包括流體流過(guò)的流體通道；設(shè)置在所述流體通道中的檢測(cè)區(qū)域；配置以入射到所述檢測(cè)區(qū)域上的輻射源，其中所述輻射源引發(fā)在所述檢測(cè)區(qū)域中處于所述流體中的污染物的分解；設(shè)置在所述檢測(cè)區(qū)域中的核形表面，在其上設(shè)有多個(gè)核化地點(diǎn)；用于確定所述核形表面的光學(xué)特性的光學(xué)測(cè)量器件，從其中確定所述流體中的污染物的濃度；
34.一種根據(jù)權(quán)利要求33所述的檢測(cè)器，其特征在于，所述特性是透射性或反射性。
全文摘要
公開(kāi)了一種光刻裝置。該裝置包括提供輻射光束的輻射系統(tǒng)，和支撐圖案形成結(jié)構(gòu)的支撐結(jié)構(gòu)。圖案形成結(jié)構(gòu)構(gòu)造成可根據(jù)所需的圖案圖案化輻射光束。該裝置還包括支撐襯底的襯底支撐，和將圖案化的光束投影到襯底的目標(biāo)部分的投影系統(tǒng)。該投影系統(tǒng)包括具有光束入口區(qū)域的光學(xué)元件和具有光束出口區(qū)域的光學(xué)元件，圖案化的光束穿過(guò)其每個(gè)區(qū)域。該裝置另外包括與上面設(shè)有多個(gè)核化地點(diǎn)的投影系統(tǒng)結(jié)合的核形表面。該表面設(shè)置在遠(yuǎn)離光束入口區(qū)域和光束出口區(qū)域中的至少一個(gè)。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1902551SQ200480039174
公開(kāi)日2007年1月24日 申請(qǐng)日期2004年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月31日
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