專利名稱：光學元件和光接收裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學元件和光接收(pick-up)裝置，特別涉及使來自短波長的光源的光束通過的光學元件和使用其的光接收裝置。
背景技術(shù)：
近年來，能使用波長400nm左右的藍紫色半導體激光進行信息的記錄/再生的高密度光盤系統(tǒng)的研究、開發(fā)在急速進行。作為一例，在以NA0.65、光源波長407nm的方法進行信息記錄/再生的光盤中，相對于與DVD(NA0.6、光源波長650nm、存儲容量4.7GB)相同大小的直徑12cm的光盤，每1面可以記錄20～30GB的信息(參照專利文獻1)。
專利文獻1特開2003-303436號公報發(fā)明內(nèi)容在光接收裝置中，多使用比較便宜并且容易進行大量生產(chǎn)的塑料制的光學元件，但已知從藍紫色半導體激光等射出的短波長的激光使一般的樹脂材料的耐久性降低。對此，已知在規(guī)定的樹脂材料中具有對短波長的激光的耐性。然而，根據(jù)本發(fā)明者們進行的試驗，已判明當使由藍紫色半導體激光射出的短波長的激光照射塑料制的物鏡一定期間時，被照射的光學元件的光學特性顯著劣化。
本發(fā)明鑒于該問題點而形成，目的在于提供即使照射短波長的激光也能抑制光學特性的劣化，在合成樹脂上形成了防反射膜的光學元件和使用其的光接收裝置。
項1所述的光學元件，為用于具有射出滿足350nm≤λ1≤450nm的波長λ1的光的光源的光學裝置，以樹脂為基材的光學元件，上述樹脂為含有具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物的樹脂，在上述光學元件的至少1個光學面上形成防反射膜，上述防反射膜具有在使上述波長λ1的光束通過時具有第1折射率的低折射率層、和在使上述波長λ1的光束通過時具有比上述第1折射率高的第2折射率的高折射率層，上述低折射率層由氧化硅、氟化鋁、氟化釔、氟化鎂、氧化硅和氧化鋁的混合物、或這些的混合物形成，同時上述高折射率層由氧化鈧、氧化鈮、氧化鑭、鈦酸鐠、鈦酸鑭、鋁酸鑭、氧化釔、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉭、氧化鉭和鈦的混合物、氮化硅、或這些的混合物形成。
本發(fā)明者們對光學特性劣化的光學元件調(diào)查的結(jié)果發(fā)現(xiàn)在形成了防反射膜的光學元件的表面產(chǎn)生微少的洼陷和褶皺，因此光學特性劣化。此外，本發(fā)明者們銳意研究的結(jié)果推論出含有一般使用的例如氧化鈦作為高折射率層的防反射膜和規(guī)定的樹脂基材在照射波長400nm附近的激光時引起化學反應，塑料樹脂氧化劣化，引起形狀變化。
根據(jù)該推論，本發(fā)明者們通過判定與規(guī)定的樹脂基材的相容性，選定防反射膜的材料，由此即使照射短波長的光束，也可以抑制在光學元件的表面產(chǎn)生微少的洼陷和褶皺，因此可以提供能夠長時間維持光學特性的光學特性。該防反射膜，上述低折射率層由氧化硅、氟化鋁、氟化釔、氟化鎂、氧化硅和氧化鋁的混合物、或這些的混合物形成，同時上述高折射率層由氧化鈧、氧化鈮、氧化鑭、鈦酸鐠、鈦酸鑭、鋁酸鑭、氧化釔、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉭、氧化鉭和鈦的混合物、氮化硅、或這些的混合物形成。此外，所謂“低折射率層”是指照射波長λ1＝405nm的光束時，(第1)折射率為1.30～1.55的層，所謂“高折射率層”是指照射波長λ1＝405nm的光束時，(第2)折射率為1.70以上的層。此外，形成層的上述物質(zhì)是對于各層的主成分而言的，也包括含有數(shù)％的異物的情況。
項2所述的光學元件，在項1所述的形態(tài)中，上述高折射率層由氧化鈧、氧化鑭、鋁酸鑭、鈦酸鐠、鈦酸鑭、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉭、氧化鉭和鈦的混合物、氮化硅、或這些的混合物形成，因此可以期待抑制光學特性的劣化的更高的效果。
項3所述的光學元件，在項1所述的形態(tài)中，上述高折射率層由氧化鈧、氧化鑭、鋁酸鑭、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉭、氮化硅、或這些的混合物形成，因此可以期待抑制光學特性的劣化的更高的效果。
項4所述的光學元件，在項1～3的任一項所述的形態(tài)中，上述防反射膜為在樹脂的基材上以上述高折射率層、上述低折射率層的順序?qū)盈B的2層結(jié)構(gòu)。
項5所述的光學元件，在項1～3的任一項所述的形態(tài)中，上述防反射膜為在樹脂的基材上以上述低折射率層、上述高折射率層、上述低折射率層的順序?qū)盈B的3層結(jié)構(gòu)。
項6所述的光學元件，在項1～3的任一項所述的形態(tài)中，上述防反射膜為還具有在使上述波長λ1的光束通過時具有比上述第1折射率高但比上述第2折射率低的第3折射率的中折射率層，上述中折射率層由氟化鑭、氟化釹、氟化鈰、氟化鋁、鋁酸鑭、氟化鉛、氧化鋁、或這些的混合物形成，因此可以提供即使對于不同波長的光束也能將反射率抑制在低水平的防反射膜。此外，所謂“中折射率層”是指照射波長λ1＝405nm的光束時，(第3)折射率為1.55～1.70的層。
項7所述的光學元件，在項1～3、6的任一項所述的形態(tài)中，上述防反射膜為在樹脂的基材表面上層疊4層以上的層結(jié)構(gòu)，由于能使低反射率的波長范圍比2或3層結(jié)構(gòu)時寬，因此可以提供即使對于不同波長的光束也能將反射率抑制在低水平的防反射膜。
可以提供除了對于滿足例如350nm≤λ1≤450nm的波長λ1的光外，對于滿足620nm≤λ2≤670nm的波長λ2的光(DVD記錄再生用的光)和滿足760nm≤λ3≤800nm的波長λ3的光(CD記錄再生用的光)中至少一種的光也能將反射率控制在低水平的防反射膜。
項8所述的光學元件，其特征在于在項7所述的形態(tài)中，上述防反射膜在樹脂的基材表面上以4層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)形成，當將距基材表面最近的層記為第1層，隨著距基材表面越遠，層的序號順次增加時，以樹脂基材/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料的順序?qū)盈B，并且使
第1層1.7≤n1， 15nm≤d1≤36nm第2層1.2≤n2≤1.55，25nm≤d2≤40nm第3層1.7≤n3， 40nm≤d3≤150nm第4層1.2≤n4≤1.55，90nm≤d4≤115nm。
項9所述的光學元件，其特征在于在項7所述的形態(tài)中，上述防反射膜在樹脂的基材表面上以5層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)形成，當將距基材表面最近的層記為第1層，隨著距基材表面越遠，層的序號順次增加時，以樹脂基材/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料的順序?qū)盈B，并且使第1層1.2≤n1≤1.55，5nm≤d1≤20nm第2層1.7≤n2， 15nm≤d2≤35nm第3層1.2≤n3≤1.55，25nm≤d3≤45nm第4層1.7≤n4， 50nm≤d4≤130nm第5層1.2≤n5≤1.55，80nm≤d5≤110nm。
項10所述的光學元件，其特征在于在項7所述的形態(tài)中，上述防反射膜在樹脂的基材表面上以6層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)形成，當將距基材表面最近的層記為第1層，隨著距基材表面越遠，層的序號順次增加時，以樹脂基材/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料的順序?qū)盈B，并且使第1層1.7≤n1， 8nm≤d1≤15nm第2層1.2≤n2≤1.55，35nm≤d2≤55nm第3層1.7≤n3， 40nm≤d3≤60nm第4層1.2≤n4≤1.55，10nm≤d4≤17nm第5層1.7≤n5， 45nm≤d5≤90nm第6層1.2≤n6≤1.55，70nm≤d6≤110nm。
項11所述的光學元件，其特征在于在項7所述的形態(tài)中，上述防反射膜在樹脂的基材表面上以7層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)形成，當將距基材表面最近的層記為第1層，隨著距基材表面越遠，層的序號順次增加時，以樹脂基材/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料的順序?qū)盈B，并且使第1層1.2≤n1≤1.55，80nm≤d1≤160nm第2層1.7≤n2， 10nm≤d2≤25nm第3層1.2≤n3≤1.55，33nm≤d3≤45nm第4層1.7≤n4， 40nm≤d4≤85nm第5層1.2≤n5≤1.55，10nm≤d5≤20nm第6層1.7≤n6， 6nm≤d6≤70nm第7層1.2≤n7≤1.55，60nm≤d7≤110nm。
項8～項11所述的光學元件，其特征在于在項7所述的形態(tài)中，上述防反射膜在樹脂的基材表面上為4層～7層層疊的層結(jié)構(gòu)，其為使高折射率層和低折射率層交互層疊并且對這些層的折射率和層的厚度進行限定的層結(jié)構(gòu)，因此可以提供不僅對于波長λ1，對于波長λ2和波長λ3的至少一種的光也能將反射率抑制在低水平的防反射膜。
項12所述的光學元件，在項7～11所述的形態(tài)中，上述低折射率層由以氧化硅或氧化硅和氧化鋁的混合物、或它們的混合物為主成分的材料形成，同時上述高折射率層由以氧化鉿、鋁酸鑭、氧化鋯、氧化鉭、氮化硅、或它們的混合物為主成分的材料形成。
項12所述的光學元件，在項7～11所述的形態(tài)中，通過限定上述防反射膜的低折射率層的材料和高折射率層的材料，可以提供對于405～415nm波長的激光照射，防反射膜的面變形和剝離少，而且對于405nm光的光吸收量少，并且即使在高溫高濕環(huán)境氣氛下放置，防反射膜的面變形和剝離少的防反射膜。
項13所述的光學元件，在項7～12所述的形態(tài)中，上述光學裝置具有除了波長λ1外，射出波長λ2或波長λ3的至少1種的波長的光的光源，使上述多個光源的光透過上述光學元件，其中，λ2的波長為滿足620nm≤λ2≤670nm的波長，λ3的波長為滿足760nm≤λ3≤800nm的波長。
項13所述的光學元件，提供不僅用于藍色光，對于DVD用或CD用的至少1種的光也可以使用的光學元件。
項14所述的光學元件，在項1～13的任一項所述的形態(tài)中，上述具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物在重均分子量(Mw)為1000～1000000的聚合物全部重復單元中含有合計含量達到90重量％以上的下述通式(1)所示的具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的重復單元(a)、和下述通式(2)和/或下述通式(3)所示的鏈狀結(jié)構(gòu)的重復單元(b)，而且重復單元(b)的含量為1重量％以上、不足10重量％。特別優(yōu)選上述聚合物的上述重復單元(a)的鏈滿足關(guān)系式A≤0.3×B(其中，A＝(具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的重復單元的鏈的重均分子量)、B＝(脂環(huán)式烴系共聚物的重均分子量(Mw))×(具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的重復單元數(shù)/構(gòu)成脂環(huán)式烴系共聚物的全部重復單元數(shù)))。

式(1)、式(2)和式(3)中的R1～R13各自獨立地表示氫原子、鏈狀烴基、鹵素原子、烷氧基、羥基、醚基、酯基、氰基、酰胺基、亞氨基、甲硅烷基、和極性基團(鹵素原子、烷氧基、羥基、醚基、酯基、氰基、酰胺基、亞氨基、或甲硅烷基)取代的鏈狀烴基等。其中，當為氫原子或碳原子數(shù)1～6個的鏈狀烴基時，由于耐熱性、低吸水性優(yōu)異，因此優(yōu)選。作為鹵素原子，可以列舉氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。作為極性基團取代的鏈狀烴基，可以列舉例如碳原子數(shù)1～20、優(yōu)選1～10、更優(yōu)選1～6的鹵代烷基。作為鏈狀烴基，可以列舉例如碳原子數(shù)1～20、優(yōu)選1～10、更優(yōu)選1～6的烷基；碳原子數(shù)2～20、優(yōu)選2～10、更優(yōu)選2～6的鏈烯基。
通式(1)中的X表示脂環(huán)式烴基，構(gòu)成其的碳數(shù)通常為4個～20個，優(yōu)選為4個～10個、更優(yōu)選為5個～7個。通過使構(gòu)成脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的碳數(shù)在該范圍，可以減少雙折射。此外，脂環(huán)式結(jié)構(gòu)并不限于單環(huán)結(jié)構(gòu)，也可以為例如降冰片烷環(huán)和二環(huán)己烷環(huán)等多環(huán)結(jié)構(gòu)。
脂環(huán)式烴基可以具有碳-碳不飽和鍵，其含量為全部碳-碳鍵的10％以下，優(yōu)選為5％以下，更優(yōu)選為3％以下。通過使脂環(huán)式烴基的碳-碳不飽和鍵在該范圍，透明性、耐熱性提高。此外，在構(gòu)成脂環(huán)式烴基的碳上可以結(jié)合氫原子、烴基、鹵素原子、烷氧基、羥基、醚基、酯基、氰基、酰胺基、亞氨基、甲硅烷基和極性基團(鹵素原子、烷氧基、羥基、醚基、酯基、氰基、酰胺基、亞氨基、或甲硅烷基)取代的鏈狀烴基等，其中，從耐熱性、低吸水性方面出發(fā)，優(yōu)選氫原子或碳原子數(shù)1～6個的鏈狀烴基。
此外，通式(3)中的......表示主鏈中的碳-碳飽和、或碳-碳不飽和鍵，當極力要求透明性、耐熱性時，不飽和鍵的含有率為構(gòu)成主鏈的全部碳-碳間鍵的通常10％以下，優(yōu)選5％以下，更優(yōu)選為3％以下。
在通式(1)所示的重復單元中，下述通式(4)所示重復單元在耐熱性、低吸水性方面優(yōu)異。

在通式(2)所示的重復單元中，下述通式(5)所示重復單元在耐熱性、低吸水性方面優(yōu)異。
在通式(3)所示的重復單元中，下述通式(6)所示重復單元在耐熱性、低吸水性方面優(yōu)異。
通式(4)、通式(5)和通式(6)中的Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、Rh、Ri、Rj、Rk、Rl、Rm、Rn各自獨立地表示氫原子或低級鏈狀烴基，氫原子或碳數(shù)1～6的低級烷基在耐熱性、低吸水性方面優(yōu)異。
在通式(2)和通式(3)所示的鏈狀結(jié)構(gòu)的重復單元中，通式(3)所示的鏈狀結(jié)構(gòu)的重復單元在制備的烴系聚合物的強度特性上優(yōu)異。
在本形態(tài)中，烴共聚物中通式(1)所示具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的重復單元(a)、和通式(2)和/或通式(3)所示的鏈狀結(jié)構(gòu)的重復單元(b)的合計含量以重量為基準，通常為90％以上，優(yōu)選為95％以上，更優(yōu)選為97％以上。通過使合計含量為上述范圍，低雙折射性、耐熱性、低吸水性、機械強度得以高度地平衡。
具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物中鏈狀結(jié)構(gòu)的重復單元(b)的含量根據(jù)使用目的適當選擇，通常以重量基準表示為1％以上、不足10％，優(yōu)選1％以上、8％以下，更優(yōu)選為2％以上、6％以下的范圍。重復單元(b)的含量如果在上述范圍，低雙折射性、耐熱性、低吸水性得以高度地平衡。
此外，重復單元(a)的鏈長相對于具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物的分子鏈長而言非常短，具體地說，當A＝(具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的重復單元鏈的重均分子量)、B＝(具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物的重均分子量(Mw)×(具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的重復單元數(shù)/構(gòu)成具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物的全部重復單元數(shù)))時，A為B的30％以下，優(yōu)選為20％以下，更優(yōu)選為15％以下，特別優(yōu)選為10％以下的范圍。如果A為該范圍外，低雙折射性差。
此外，優(yōu)選重復單元(a)的鏈長具有特定的分布。具體地說，當A＝(具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的重復單元鏈的重均分子量)、C＝(具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的重復單元鏈的數(shù)均分子量)時，A/C優(yōu)選為1.3以上，更優(yōu)選為1.3～8，最優(yōu)選為1.7～6的范圍。如果A/C過小，嵌段程度增加，如果過大，無規(guī)的程度增加，在兩種情況下低雙折射性均差。
本發(fā)明具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)(也稱為脂環(huán)式烴系共聚物)的聚合物的分子量用采用凝膠滲透色譜法(以下GPC)測定的聚苯乙烯(或聚異戊二烯)換算重均分子量(Mw)表示，為1000～1000000，優(yōu)選5000～500000，更優(yōu)選10000～300000，最優(yōu)選50000～250000的范圍。具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物的重均分子量(Mw)如果過小，成型物的強度特性差，相反如果過大，成型物的雙折射增大。
該共聚物的分子量分布根據(jù)使用目的適當選擇，以GPC測定的聚苯乙烯(或聚異戊二烯)換算的重均分子量(Mw)和數(shù)均分子量(Mn)的比(Mw/Mn)表示，通常為2.5以下，優(yōu)選為2.3以下，更優(yōu)選為2以下的范圍。如果Mw/Mn在該范圍，機械強度和耐熱性得以高度地平衡。
共聚物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)可以根據(jù)使用目的適當選擇，通常為50℃～250℃，優(yōu)選為70℃～200℃，更優(yōu)選為90℃～180℃。
項15所述的光學元件，在項14所述的形態(tài)中，上述具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物為具有含有下述式(11)所示重復單元[1]的聚合物嵌段[A]、含有下述式(11)所示重復單元[1]以及下述式(12)所示重復單元[2]或/和下述式(13)所示重復單元[3]的聚合物嵌段[B]，上述嵌段[A]中重復單元[1]的摩爾百分率a(摩爾％)和上述嵌段[B]中重復單元[1]的摩爾百分率b(摩爾％)的關(guān)系為a＞b的嵌段共聚物。
(式中，R1表示氫原子、或碳數(shù)1～20的烷基，R2～R12各自獨立地為氫原子、碳數(shù)1～20的烷基、羥基、碳數(shù)1～20的烷氧基、或鹵素基團。) (式中，R13表示氫原子、或碳數(shù)1～20的烷基。) (式中，R14和R15各自獨立地表示氫原子、或碳數(shù)1～20的烷基。)上述式(11)所示重復單元[1]的優(yōu)選結(jié)構(gòu)為R1是氫或甲基，R2-R12全部是氫。聚合物嵌段[A]中重復單元[1]的含量如果在上述范圍，透明性和機械強度優(yōu)異。聚合物嵌段[A]中上述重復單元[1]以外的殘部是將來自鏈狀共軛二烯和鏈狀乙烯系化合物的重復單元氫化形成的。
聚合物嵌段[B]含有上述重復單元[1]以及上述式(12)所示重復單元[12]或/和上述式(13)所示重復單元[3]。聚合物嵌段[B]中重復單元[1]的含量優(yōu)選40～95摩爾％，更優(yōu)選50～90摩爾％。重復單元[1]的含量如果在上述范圍，透明性和機械強度優(yōu)異。當將嵌段[B]中重復單元[2]的摩爾百分率記為m2(摩爾％)并將重復單元[3]的摩爾百分率記為m3(摩爾％)時，2×m2+m3優(yōu)選為2摩爾％以上，更優(yōu)選為5～60摩爾％，最優(yōu)選為10～50摩爾％。
上述式(13)所示重復單元[3]的優(yōu)選結(jié)構(gòu)為R14是氫，R15是甲基或乙基。
聚合物嵌段[B]中上述重復單元[2]或重復單元[3]的含量如果過少，機械強度降低。因此，如果重復單元[2]和重復單元[3]的含量在上述范圍，透明性和機械強度優(yōu)異。聚合物嵌段[B]可以還含有下述式(X)所示的重復單元[X]。重復單元[X]的含量為不損害本發(fā)明的嵌段共聚物的特性的范圍的量，優(yōu)選相對于嵌段共聚物全體為30摩爾％以下，更優(yōu)選為20摩爾％以下。
(式中，R25表示氫原子、或碳數(shù)1～20的烷基，R26表示腈基、烷氧羰基、甲?；?、羥基羰基、或鹵素基團，R27表示氫原子?；騌26和R27可以相互結(jié)合形成酸酐基、或亞氨基。)此外，本發(fā)明中使用的嵌段共聚物，當將聚合物嵌段[A]中重復單元[1]的摩爾百分率記為a，將聚合物嵌段[B]中重復單元[1]的摩爾百分率記為b時，存在a＞b的關(guān)系。因此，透明性和機械強度優(yōu)異。
此外，本發(fā)明中使用的嵌段共聚物，當將構(gòu)成嵌段[A]的全部重復單元的摩爾數(shù)記為ma，將構(gòu)成嵌段[B]的全部重復單元的摩爾數(shù)記為mb時，其比(ma∶mb)優(yōu)選為5∶95～95∶5，更優(yōu)選為30∶70～95∶5，特別優(yōu)選為40∶60～90∶10。(ma∶mb)在上述范圍時，機械強度和耐熱性優(yōu)異。
本發(fā)明中使用的嵌段共聚物的分子量，用以四氫呋喃(THF)為溶劑的凝膠滲透色譜法(以下記為GPC)測定的聚苯乙烯(或聚異戊二烯)換算重均分子量(以下記為Mw)表示，優(yōu)選為10000～300000，更優(yōu)選為15000～250000，特別優(yōu)選為20000～200000的范圍。如果嵌段共聚物的Mw在上述范圍，機械強度、耐熱性、成型性的平衡性優(yōu)異。
嵌段共聚物的分子量分布可以根據(jù)使用目的適當選擇，以GPC測定的聚苯乙烯(或聚異戊二烯)換算的Mw和數(shù)均分子量(以下記為Mn)的比(Mw/Mn)表示，優(yōu)選為5以下，更優(yōu)選為4以下，特別優(yōu)選為3以下的范圍。如果Mw/Mn在該范圍，機械強度和耐熱性優(yōu)異。
嵌段共聚物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(以下記為Tg)可以根據(jù)使用目的適當選擇，采用差示掃描型熱量計(以下記為DSC)測定的高溫側(cè)的測定值優(yōu)選為70℃～200℃，更優(yōu)選為80℃～180℃，特別優(yōu)選為90℃～160℃。
本發(fā)明中使用的上述嵌段共聚物具有聚合物嵌段[A]和聚合物嵌段[B]，可以為([A]-[B])型的二嵌段共聚物，也可以為([A]-[B]-[A])型和([B]-[A]-[B])型的三嵌段共聚物，也可以為聚合物嵌段[A]和聚合物嵌段[B]交互連接合計4個以上的嵌段共聚物。此外，也可以為這些嵌段結(jié)合為星型的嵌段共聚物。


圖1為能對光盤進行信息的記錄/再生的光接收裝置的簡要截面圖。
圖2表示本發(fā)明者們進行的激光照射試驗裝置的簡要情況。
圖3表示實施例10、16、28、40-3的反射特性，以縱軸為反射率，橫軸為波長表示。
圖4表示實施例32、36、39的反射特性，以縱軸為反射率，橫軸為波長表示。
具體實施例方式
(具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物的制造方法)本發(fā)明的具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物的制造方法可以列舉(1)將芳香族乙烯系化合物和能夠共聚的其他單體共聚，將主鏈和芳香環(huán)的碳-碳不飽和鍵氫化的方法；(2)將脂環(huán)式乙烯系化合物和能夠共聚的其他單體共聚，根據(jù)需要進行氫化的方法等。
當使用上述方法制造本發(fā)明的具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物時，當為芳香族乙烯系化合物和/或脂環(huán)式乙烯系化合物(a’)和能夠共聚的其他單體(b’)的共聚物，共聚物中來自化合物(a’)的重復單元的D＝(來自芳香族乙烯系化合物和/或脂環(huán)式乙烯系化合物的重復單元鏈的重均分子量)、E＝(烴系共聚物的重均分子量(Mw)×(來自芳香族乙烯系化合物和/或脂環(huán)式乙烯系化合物的重復單元數(shù)/構(gòu)成烴系共聚物的全部重復單元數(shù)))時，通過將具有D為E的30％以下、優(yōu)選20％以下、更優(yōu)選15％以下、最優(yōu)選10％以下的鏈結(jié)構(gòu)的共聚物的主鏈、和芳香族和環(huán)烯環(huán)等不飽和環(huán)的碳-碳不飽和鍵氫化的方法，可以高效地制備。當D為上述范圍外時，制備的具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物的低雙折射性差。
在本發(fā)明中，由于(1)的方法可以更高效地制備具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物，因此優(yōu)選。
上述氫化前的共聚物，當F＝(來自芳香族乙烯系化合物和/或脂環(huán)式乙烯系化合物的重復單元的鏈的數(shù)均分子量)時，更優(yōu)選D/F為一定的范圍。具體地，D/F優(yōu)選1.3以上，更優(yōu)選1.3以上、8以下，最優(yōu)選1.7以上、6以下的范圍。D/F在該范圍外，制備的具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物的低雙折射性差。
來自上述化合物(a’)的重復單元的鏈的重均分子量和數(shù)均分子量，例如可以采用文獻Macromolecules 1983，16，1925-1928記載的將芳香族乙烯系共聚物的主鏈中不飽和雙鍵臭氧加成后還原分解，測定取出的芳香族乙烯鏈的分子量的方法等確認。
氫化前的共聚物的分子量用采用GPC測定的聚苯乙烯(或聚異戊二烯)換算重均分子量(Mw)表示，為1000～1000000，優(yōu)選為5000～500000，更優(yōu)選為10000～300000的范圍。共聚物的重均分子量(Mw)如果過小，由其制備的具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物的成型物的強度特性差，相反如果過大，則氫化反應性差。
作為在上述(1)的方法中使用的芳香族乙烯系化合物的具體例，可以列舉例如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、α-乙基苯乙烯、α-丙基苯乙烯、α-異丙基苯乙烯、α-叔丁基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2，4-二異丙基苯乙烯、2，4-二甲基苯乙烯、4-叔丁基苯乙烯、5-叔丁基-2-甲基苯乙烯、一氯苯乙烯、二氯苯乙烯、一氟苯乙烯、4-苯基苯乙烯等，優(yōu)選苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯等。
作為在上述(2)的方法中使用的脂環(huán)式乙烯系化合物的具體例，可以列舉例如環(huán)丁基乙烯、環(huán)戊基乙烯、環(huán)己基乙烯、環(huán)庚基乙烯、環(huán)辛基乙烯、降冰片基乙烯、二環(huán)己基乙烯、α-甲基環(huán)己基乙烯、α-叔丁基環(huán)己基乙烯、環(huán)戊烯基乙烯、環(huán)己烯基乙烯、環(huán)庚烯基乙烯、環(huán)辛烯基乙烯、環(huán)癸烯基乙烯、降冰片烯基乙烯、α-甲基環(huán)己烯基乙烯、和α-叔丁基環(huán)己烯基乙烯等，其中優(yōu)選環(huán)己基乙烯、α-甲基環(huán)己基乙烯。
這些芳香族乙烯系化合物和脂環(huán)式乙烯系化合物可以各自單獨，或2種以上組合使用。
作為能夠共聚的其他單體，并無特別限定，可以使用鏈狀乙烯系化合物和鏈狀共軛二烯化合物等，當使用鏈狀共軛二烯時，制造過程中操作性優(yōu)異，而且制備的具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物的強度特性優(yōu)異。
作為鏈狀乙烯系化合物的具體例，可以列舉例如乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、4-甲基-1戊烯等鏈狀烯烴單體；1-氰基乙烯(丙烯腈)、1-氰基-1-甲基乙烯(甲基丙烯腈)、1-氰基-1-氯乙烯(α-氯丙烯腈)等腈系單體；1-(甲氧羰基)-1-甲基乙烯(甲基丙烯酸甲酯)、1-(乙氧羰基)-1-甲基乙烯(甲基丙烯酸乙酯)、1-(丙氧羰基)-1-甲基乙烯(甲基丙烯酸丙酯)、1-(丁氧羰基)-1-甲基乙烯(甲基丙烯酸丁酯)、1-甲氧羰基乙烯(丙烯酸甲酯)、1-乙氧羰基乙烯(丙烯酸乙酯)、1-丙氧羰基乙烯(丙烯酸丙酯)、1-丁氧羰基乙烯(丙烯酸丁酯)等(甲基)丙烯酸酯類單體，1-羧基乙烯(丙烯酸)、1-羧基-1-甲基乙烯(甲基丙烯酸)、馬來酸酐等不飽和脂肪酸類單體等，其中優(yōu)選鏈狀烯烴單體，最優(yōu)選乙烯、丙烯、1-丁烯。
鏈狀共軛二烯可以列舉例如1，3-丁二烯、異戊二烯、2，3-二甲基-1，3-丁二烯、1，3-戊二烯和1，3-己二烯等。在這些鏈狀乙烯系化合物和鏈狀共軛二烯中，優(yōu)選鏈狀共軛二烯，特別優(yōu)選丁二烯、異戊二烯。這些鏈狀乙烯系化合物和鏈狀共軛二烯可以各自單獨，或2種以上組合使用。
這些鏈狀乙烯系化合物可以各自單獨，或2種以上組合使用。
聚合化合物(a’)的方法并無特別限制，可以列舉總括聚合法(間歇法)、單體逐次添加法(使用單體全部使用量中的一部分開始聚合后，逐次添加剩余的單體進行聚合的方法)等，特別是使用單體逐次添加法，可以制備具有優(yōu)選的鏈結(jié)構(gòu)的烴類共聚物。氫化前的共聚物的上述D值越小，和/或D/F越顯示大值，具有更無規(guī)的鏈結(jié)構(gòu)。共聚物具有何種程度的無規(guī)性由芳香族乙烯系化合物的聚合速度和能夠共聚的其他單體的聚合速度的速度比決定，該速度比越小，則具有越無規(guī)的鏈結(jié)構(gòu)。
采用上述單體逐次添加法，由于將均一混合的混合單體逐次添加到聚合體系內(nèi)，因此與間歇法不同，在聚合物的聚合引起的成長過程中可以進一步使單體的聚合選擇性降低，因此制備的共聚物具有更無規(guī)的鏈結(jié)構(gòu)。此外，聚合體系內(nèi)的聚合反應熱的蓄積小即完成，因此可以穩(wěn)定地使聚合溫度保持在低溫。
在單體逐次添加法的情況下，首先在單體的全部使用量中，通常以0.01重量％～60重量％、優(yōu)選0.02重量％～20重量％、更優(yōu)選0.05重量％～10重量％的單體作為初期單體，在預先使其存在于聚合反應器內(nèi)的狀態(tài)下添加引發(fā)劑，開始聚合。如果使初期單體量在該范圍內(nèi)，可以使聚合開始后的初期反應中產(chǎn)生的反應熱容易除去，可以使制備的共聚物具有更無規(guī)的鏈結(jié)構(gòu)。
如果繼續(xù)反應直至使上述初期單體的聚合轉(zhuǎn)化率為70％以上、優(yōu)選80％以上、更優(yōu)選90％以上，則制備的共聚物的鏈結(jié)構(gòu)變得更為無規(guī)。其后，繼續(xù)添加上述單體的剩余部分，添加的速度考慮聚合體系內(nèi)的單體的消耗速度而決定。
當將初期單體的聚合添加率達到90％的所需時間記為T，將初期單體相對于全部使用單體的比率(％)記為I時，通常在以關(guān)系式[(100-I)×T/I]所給予的時間的0.5～3倍、優(yōu)選0.8～2倍、更優(yōu)選1～1.5倍的范圍內(nèi)決定剩余部分單體的添加結(jié)束。具體地說，以通常達到0.1～30小時、優(yōu)選0.5小時～5小時、更優(yōu)選1～3小時的范圍決定初期單體量和剩余單體的添加速度。此外，單體添加結(jié)束后的全部單體的聚合轉(zhuǎn)化率通常為80％以上，優(yōu)選85％以上，更優(yōu)選90％以上。如果使單體添加結(jié)束后的全部單體聚合轉(zhuǎn)化率為上述范圍，制備的共聚物的鏈結(jié)構(gòu)會變得更無規(guī)。
聚合反應可以是自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等，并無特別制約，但考慮到聚合操作、在后工序的氫化反應的容易性、以及最終制備的烴系共聚物的機械強度，優(yōu)選陰離子聚合法。
在自由基聚合的情況下，可以在引發(fā)劑的存在下，通常在0℃～200℃、優(yōu)選20℃～150℃下使用本體聚合、溶液聚合、懸浮聚合、乳液聚合等方法，但特別是當需要防止雜質(zhì)等混入到樹脂中等時，優(yōu)選本體聚合、懸浮聚合。作為自由基引發(fā)劑，可以使用過氧化苯甲酰、過氧化月桂酰、叔丁基-過氧-2-乙基己酸酯等有機過氧化物，偶氮二異丁腈、4，4-偶氮二-4-氰基戊酸、偶氮二苯甲酰等偶氮化合物，過硫酸鉀、過硫酸銨為代表的水溶性催化劑和氧化還原引發(fā)劑等。
在陰離子聚合的情況下，可以在引發(fā)劑的存在下，通常在0℃～200℃、優(yōu)選20℃～100℃、特別優(yōu)選在20℃～80℃的溫度范圍下使用本體聚合、溶液聚合、淤漿聚合等方法，但考慮到反應熱的除去，優(yōu)選溶液聚合。在這種情況下，使用能夠溶解聚合物和其氫化物的惰性溶劑。在溶液反應中使用的惰性溶劑可以列舉例如正丁烷、正戊烷、異戊烷、正己烷、正庚烷、異辛烷等脂肪族烴類；環(huán)戊烷、環(huán)己烷、甲基環(huán)戊烷、甲基環(huán)己烷、萘烷等脂環(huán)式烴類；苯、甲苯等芳香族烴類等，其中，如果使用脂肪族烴類和脂環(huán)式烴類，也可以作為惰性溶劑直接用于氫化反應。這些溶劑可以各自單獨或2種以上組合使用，相對于全部使用單體100重量份，通常以200～10000重量份的比例使用。
作為上述陰離子聚合的引發(fā)劑，可以使用例如正丁基鋰、仲丁基鋰、叔丁基鋰、己基鋰、苯基鋰等單有機基鋰，二鋰甲烷、1，4-二鋰丁烷、1，4-二鋰-2-乙基環(huán)己烷等多官能性有機鋰化合物等。
在聚合反應中，還可以使用聚合促進劑和無規(guī)化劑(具有防止某1成分的鏈變長功能的添加劑)等。在陰離子聚合的情況下，可以使用例如路易斯堿化合物作為無規(guī)化劑。作為路易斯堿化合物的具體例，可以列舉例如二甲醚、二乙醚、二異丙醚、二丁醚、四氫呋喃、二苯醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基苯基醚等醚化合物；四甲基乙二胺、三甲胺、三乙胺、吡啶等叔胺化合物；叔戊氧基鉀、叔丁氧基鉀等堿金屬烷氧化物；三苯膦等膦化合物。這些路易斯堿化合物可以各自單獨或2種以上組合使用。
由上述自由基聚合和陰離子聚合制備的聚合物，可以采用例如汽提法、直接脫溶劑法、醇凝固法等公知的方法回收。此外，聚合時，當在氫化反應中使用惰性溶劑時，可以不從聚合溶液中回收聚合物而直接用于加氫工序。
不飽和鍵的氫化方法當進行氫化前的共聚物的芳香環(huán)和環(huán)烯環(huán)等不飽和環(huán)的碳-碳雙鍵和主鏈的不飽和鍵等的氫化反應時，反應方法、反應方式并無特別限制，可以采用公知的方法進行，優(yōu)選能使氫化率提高，并且在氫化反應的同時產(chǎn)生的聚合物鏈切斷反應少的氫化方法，可以列舉例如在有機溶劑中，使用含有選自鎳、鈷、鐵、鈦、銠、鈀、鉑、釕和錸的至少1個金屬的催化劑進行的方法。氫化催化劑可以使用不均一催化劑、均一催化劑的任何一種。
不均一系催化劑可以直接使用金屬或金屬化合物，或載附到適當?shù)妮d體上使用。作為載體，可以列舉例如活性炭、二氧化硅、氧化鋁、碳化鈣、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋯、硅藻土、碳化硅等，催化劑的載附量通常為0.01～80重量％，優(yōu)選0.05～60重量％的范圍。均一系的催化劑可以使用將鎳、鈷、鈦或鐵化合物與有機金屬化合物(例如有機鋁化合物、有機鋰化合物)組合的催化劑，或銠、鈀、鉑、釕、錸等的有機金屬絡(luò)合物催化劑。作為鎳、鈷、鈦或鐵化合物，可以列舉例如各種金屬的乙酰丙酮鹽、環(huán)烷酸鹽、環(huán)戊二烯基化合物、環(huán)戊二烯基二氯化合物等。作為有機鋁化合物，優(yōu)選使用三乙基鋁、三異丁基鋁等烷基鋁，二乙基氯化鋁、乙基二氯化鋁等鹵化鋁，二異丁基氫化鋁等氫化烷基鋁等。
作為有機金屬絡(luò)合物催化劑的例子，可以使用上述各金屬的γ-二氯-π-苯絡(luò)合物、二氯-三(三苯膦)絡(luò)合物、氫化-氯-三苯膦絡(luò)合物等金屬絡(luò)合物。這些氫化催化劑可以各自單獨或2種以上組合使用，其使用量相對于聚合物，以重量為基準，通常為0.01～100份，優(yōu)選0.05～50份，更優(yōu)選0.1～30份。
氫化反應溫度通常為10℃～250℃，由于可以使氫化率提高，并且可以使氫化反應同時發(fā)生的聚合物鏈切斷反應減少，因此優(yōu)選50℃～200℃，更優(yōu)選80℃～180℃。此外，氫氣壓力通常為0.1MPa～30MPa，除了上述理由外，還從操作性的觀點出發(fā)，優(yōu)選1MPa～20MPa，更優(yōu)選2MPa～10MPa。
這樣制備的氫化物的氫化率在1H-NMR的測定中，主鏈的碳-碳不飽和鍵、芳香環(huán)的碳-碳雙鍵、不飽和環(huán)的碳-碳雙鍵的任何一個都通常為90％以上，優(yōu)選95％以上，更優(yōu)選97％以上。如果氫化率低，制備的共聚物的低雙折射性、熱穩(wěn)定性等降低。
氫化反應結(jié)束后對氫化物進行回收的方法并無特別限定。通?？梢允褂貌捎眠^濾、離心分離等方法將氫化催化劑殘渣除去后，通過直接干燥從氫化物的溶液中將溶劑除去的方法、將氫化物的溶液注入氫化物的不良溶劑中，使氫化物凝固的方法。
(嵌段共聚物的制備方法)本發(fā)明中使用的嵌段共聚物可以采用以下方法制備。作為其方法，將含有芳香族乙烯系化合物和/或環(huán)上具有不飽和鍵的脂環(huán)族乙烯系化合物的單體混合物、和含有乙烯系單體(不包括芳香族乙烯系化合物和脂環(huán)族乙烯系化合物)的單體混合物聚合，得到具有含有來自芳香族乙烯系化合物或/和脂環(huán)族乙烯系化合物的重復單元的聚合物嵌段、和含有來自乙烯系單體的重復單元的聚合物嵌段的嵌段共聚物。此外，可以列舉將該嵌段共聚物的芳香環(huán)或/和脂肪族環(huán)氫化的方法、和將含有飽和脂環(huán)族乙烯系化合物的單體混合物和含有乙烯系單體(不包括芳香族乙烯系化合物和脂環(huán)族乙烯系化合物)的單體混合物聚合，得到具有含有來自脂環(huán)族乙烯系化合物的重復單元的聚合物嵌段和來自乙烯系單體的重復單元的聚合物嵌段的嵌段共聚物的方法等。其中，作為本發(fā)明中使用的嵌段共聚物，更優(yōu)選采用例如以下的方法制備。
(1)作為第一方法，首先將含有50摩爾％以上芳香族乙烯系化合物或/和環(huán)上具有不飽和鍵的脂環(huán)族乙烯系化合物的單體混合物[a’]聚合，得到含有來自芳香族乙烯系化合物或/和環(huán)上具有不飽和鍵的脂環(huán)族乙烯系化合物的重復單元的聚合物嵌段[A’]。將含有2摩爾％以上乙烯系單體(不包括芳香族乙烯系化合物和脂環(huán)族乙烯系化合物)，并且以比單體混合物[a’]中的比例少的比例的量含有芳香族乙烯系化合物或/和環(huán)上具有不飽和鍵的脂環(huán)族乙烯系化合物的單體混合物[b’]聚合，得到含有來自芳香族乙烯系化合物或/和上述脂環(huán)族乙烯系化合物的重復單元和來自乙烯系單體的重復單元的聚合物嵌段[B’]。至少經(jīng)過這些工序，制備得到具有上述聚合物嵌段[A’]和聚合物嵌段[B’]的嵌段共聚物后，將該嵌段共聚物的芳香環(huán)或/和脂肪族環(huán)氫化。
(2)作為第二方法，首先將含有50摩爾％以上飽和脂環(huán)族乙烯系化合物的單體混合物[a]聚合，得到含有來自飽和脂環(huán)族乙烯系化合物的重復單元的聚合物嵌段[A]。將含有2摩爾％以上乙烯系單體(不包括芳香族乙烯系化合物和脂環(huán)族乙烯系化合物)，并且以比單體混合物[a]中的比例少的比例的量含有飽和脂環(huán)族乙烯系化合物的單體混合物[b]聚合，得到含有來自飽和脂環(huán)族乙烯系化合物的重復單元和來自乙烯系單體的重復單元的聚合物嵌段[B]。至少經(jīng)過這些工序，制備得到具有上述聚合物嵌段[A]和聚合物嵌段[B]的嵌段共聚物。
在上述方法中，從單體獲得的容易性、聚合收率、向聚合物嵌段[B’]導入重復單元[1]的容易性等觀點出發(fā)，更優(yōu)選上述(1)的方法。
作為上述(1)的方法中的芳香族乙烯系化合物的具體例，可以列舉苯乙烯、α-甲基苯乙烯、α-乙基苯乙烯、α-丙基苯乙烯、α-異丙基苯乙烯、α-叔丁基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2，4-二異丙基苯乙烯、2，4-二甲基苯乙烯、4-叔丁基苯乙烯、5-叔丁基-2-甲基苯乙烯、一氯苯乙烯、二氯苯乙烯、一氟苯乙烯、4-苯基苯乙烯等，和這些化合物上具有羥基、烷氧基等取代基的芳香族乙烯系化合物等。其中優(yōu)選苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯等。
作為上述(1)方法中的不飽和脂環(huán)族乙烯系化合物的具體例，可以列舉環(huán)己烯基乙烯、α-甲基環(huán)己烯基乙烯和α-叔丁基環(huán)己烯基乙烯等，和這些化合物上具有鹵素基團、烷氧基或羥基等取代基的不飽和脂環(huán)族乙烯系化合物等。
這些芳香族乙烯系化合物和脂環(huán)族乙烯系化合物也可以各自單獨或2種以上組合使用，但在本發(fā)明中，優(yōu)選將芳香族乙烯系化合物用于單體混合物[a’]和[b’]的任何一個中，其中，更優(yōu)選使用苯乙烯或α-甲基苯乙烯。
在上述方法中使用的乙烯系單體中包含鏈狀乙烯系化合物和鏈狀共軛二烯化合物。
作為鏈狀乙烯系化合物的具體例，可以列舉乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、4-甲基-1-戊烯等鏈狀烯烴單體等，其中優(yōu)選鏈狀烯烴單體，最優(yōu)選乙烯、丙烯、1-丁烯。
鏈狀共軛二烯可以列舉例如1，3-丁二烯、異戊二烯、2，3-二甲基-1，3-丁二烯、1，3-戊二烯、和1，3-己二烯等。在這些鏈狀乙烯系化合物和鏈狀共軛二烯中優(yōu)選鏈狀共軛二烯，特別優(yōu)選丁二烯、異戊二烯。這些鏈狀乙烯系化合物和鏈狀共軛二烯可以各自單獨或2種以上組合使用。
當聚合含有上述單體的單體混合物時，可以用自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等任一種方法進行聚合反應，優(yōu)選采用陰離子聚合，最優(yōu)選在惰性溶劑的存在下進行活性陰離子聚合。
陰離子聚合在聚合引發(fā)劑的存在下，通常0℃～200℃、優(yōu)選20℃～100℃、特別優(yōu)選20℃～80℃的溫度范圍下進行。作為引發(fā)劑，可以使用例如正丁基鋰、仲丁基鋰、叔丁基鋰、己基鋰、苯基鋰等單有機基鋰，二鋰甲烷、1，4-二鋰丁烷、1，4-二鋰-2-乙基環(huán)己烷等多官能性有機鋰化合物等。
作為使用的惰性溶劑，可以列舉例如正丁烷、正戊烷、異戊烷、正己烷、正庚烷、異辛烷等脂肪族烴類；環(huán)戊烷、環(huán)己烷、甲基環(huán)戊烷、甲基環(huán)己烷、萘烷等脂環(huán)式烴類；苯、甲苯等芳香族烴類等，其中如果使用脂肪族烴類和脂環(huán)式烴類，在氫化反應中也可以直接用作惰性的溶劑。這些溶劑可以各自單獨或2種以上組合使用，通常相對于全部使用單體100重量份，以200～10000重量份的比例使用。
在聚合各自的聚合物嵌段時，在各嵌段內(nèi)為了防止某1成分的鏈變長，可以使用聚合促進劑和無規(guī)化劑等。特別是采用陰離子聚合進行聚合反應時，可以使用路易斯堿化合物等作為無規(guī)化劑。作為路易斯堿化合物的具體例，可以列舉二甲醚、二乙醚、二異丙醚、二丁醚、四氫呋喃、二苯醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基苯基醚等醚化合物；四甲基乙二胺、三甲胺、三乙胺、吡啶等叔胺化合物；叔戊氧基鉀、叔丁氧基鉀等堿金屬烷氧化物；三苯膦等膦化合物。這些路易斯堿化合物可以各自單獨或2種以上組合使用。
采用活性陰離子聚合制備嵌段共聚物的方法可以列舉以往公知的逐次加成聚合反應法和偶聯(lián)法等，但在本發(fā)明中優(yōu)選使用逐次加成聚合反應法。
當采用逐次加成聚合反應法制備具有聚合物嵌段[A’]和聚合物嵌段[B’]的上述嵌段共聚物時，制備聚合物嵌段[A’]的工序和制備聚合物嵌段[B’]的工序順次連續(xù)進行。具體地說，在惰性溶劑中、在上述活性陰離子聚合催化劑存在下，聚合單體混合物[a’]從而得到聚合物嵌段[A’]，接著向該反應體系中添加單體混合物[b’]繼續(xù)聚合，得到與聚合物嵌段[A’]相連的聚合物嵌段[B’]。此外根據(jù)需要，再次添加單體混合物[a’]進行聚合，使聚合物嵌段[A’]相連從而成為三嵌段體，進而再次添加單體混合物[b’]進行聚合，使聚合物嵌段[B’]相連從而得到四嵌段體。
制備得到的嵌段共聚物采用例如汽提法、直接脫溶劑法、醇凝固法等公知的方法進行回收。在聚合反應中，當在氫化反應中使用了惰性溶劑時，由于也可以直接將聚合溶液用于氫化反應工序，因此可以不從聚合溶液中回收嵌段共聚物。
在上述(1)的方法中制備的具有聚合物嵌段[A’]和聚合物嵌段[B’]的嵌段共聚物(以下稱為氫化前嵌段共聚物)中，優(yōu)選具有下述結(jié)構(gòu)的重復單元的嵌段共聚物。
優(yōu)選的構(gòu)成氫化前嵌段共聚物的聚合物嵌段[A’]為含有50摩爾％以上用下式(14)所示重復單元[4]的聚合物嵌段。
(式中，R16表示氫原子、或C1～20的烷基，R17-R21各自獨立地為氫原子、C1～20的烷基、羥基、C1～20的烷氧基或鹵素基團。此外，上述[R17-R21]表示R17、R18、…和R21。)此外，優(yōu)選的聚合物嵌段[B’]為必須含有上述重復單元[4]，含有至少1個下述式(15)所示重復單元[5]和下述式(16)所示重復單元[6]的任何一個的聚合物嵌段。此外，當將聚合物嵌段[A’]中的重復單元[4]的摩爾百分率記為a’，將嵌段[B’]中的重復單元[4]的摩爾百分率記為b’時，a’＞b’。
(式中，R22表示氫原子、或C1～20的烷基。) (式中，R23表示氫原子、或C1～20的烷基，R24表示氫原子、C1～20的烷基或鏈烯基。)此外，在嵌段[B’]中可以含有下述式(Y)所示的重復單元[Y]。
(式中，R28表示氫原子、或C1～20的烷基，R29表示腈基、烷氧羰基、甲?；?、羥基羰基、或鹵素基團，R30表示氫原子?；騌29和R30可以相互結(jié)合，形成酸酐基、或亞氨基。)此外，優(yōu)選的氫化前嵌段共聚物，當將構(gòu)成嵌段[A’]的全部重復單元的摩爾數(shù)記為ma’，將構(gòu)成嵌段[B’]的全部重復單元的摩爾數(shù)記為mb’時，其比(ma’∶mb’)為5∶95～95∶5、更優(yōu)選為30∶70～95∶5、特別優(yōu)選為40∶60～90∶10。(ma’∶mb’)在上述范圍時，機械強度和耐熱性優(yōu)異。
優(yōu)選的氫化前嵌段共聚物的分子量，用以THF為溶劑、GPC測定的聚苯乙烯(或聚異戊二烯)換算Mw表示，為12000～400000，更優(yōu)選19000～350000，特別優(yōu)選25000～300000的范圍。如果嵌段共聚物的Mw過小，機械強度降低，如果過大，氫化率降低。
優(yōu)選的氫化前的嵌段共聚物的分子量分布可以根據(jù)使用目的適當選擇，用GPC測定的聚苯乙烯(或聚異戊二烯)換算的Mw和Mn的比(Mw/Mn)表示，為5以下，更優(yōu)選4以下，特別優(yōu)選為3以下的范圍。如果Mw/Mn在該范圍，氫化率提高。
優(yōu)選的氫化前的嵌段共聚物的Tg可以根據(jù)使用目的適當選擇，以DSC的高溫側(cè)的測定值表示，為70℃～150℃，更優(yōu)選80℃～140℃，特別優(yōu)選90℃～130℃。
將上述氫化前的嵌段共聚物的芳香環(huán)和環(huán)烯環(huán)等不飽和環(huán)的碳-碳不飽和鍵、以及主鏈和側(cè)鏈的不飽和鍵等氫化的方法和反應方式并無特別限制，可以按照公知的方法進行，優(yōu)選能使氫化率提高，聚合物鏈切斷反應少的氫化方法，可以列舉例如在有機溶劑中，使用含有從鎳、鈷、鐵、鈦、銠、鈀、鉑、釕和錸選取的至少1個金屬的催化劑進行的方法。氫化催化劑可以使用不均一系催化劑、均一系催化劑的任何一種。
不均一系催化劑可以直接使用金屬或金屬化合物，或載附到適當?shù)妮d體上使用。作為載體，可以列舉例如活性炭、二氧化硅、氧化鋁、碳化鈣、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋯、硅藻土、碳化硅等，催化劑的載附量優(yōu)選為0.01～80重量％，更優(yōu)選0.05～60重量％的范圍。均一系催化劑可以使用將鎳、鈷、鈦或鐵化合物與有機金屬化合物(例如有機鋁化合物、有機鋰化合物)組合的催化劑，或銠、鈀、鉑、釕、錸等的有機金屬絡(luò)合物催化劑。作為鎳、鈷、鈦或鐵化合物，可以列舉例如各種金屬的乙酰丙酮鹽、環(huán)烷酸鹽、環(huán)戊二烯基化合物、環(huán)戊二烯基二氯化合物等。作為有機鋁化合物，優(yōu)選使用三乙基鋁、三異丁基鋁等烷基鋁，二乙基氯化鋁、乙基二氯化鋁等鹵化鋁，二異丁基氫化鋁等氫化烷基鋁等。
作為有機金屬絡(luò)合物催化劑的例子，可以使用上述各金屬的γ-二氯-π-苯絡(luò)合物、二氯-三(三苯膦)絡(luò)合物、氫化-氯-三苯膦絡(luò)合物等金屬絡(luò)合物。這些氫化催化劑可以各自單獨或2種以上組合使用，其使用量相對于聚合物100重量份，優(yōu)選為0.01～100重量份，更優(yōu)選0.05～50重量份，特別優(yōu)選0.1～30重量份。
氫化反應溫度通常為10℃～250℃，由于可以使氫化率提高，并且可以使聚合物鏈切斷反應減少，因此優(yōu)選50℃～200℃，更優(yōu)選80℃～180℃。此外，氫氣壓力優(yōu)選為0.1MPa～30MPa，除了上述理由外，還從操作性的觀點出發(fā)，更優(yōu)選1MPa～20MPa，特別優(yōu)選2MPa～10MPa。
這樣制備的嵌段共聚物的氫化率在1H-NMR的測定中，主鏈和側(cè)鏈的碳-碳不飽和鍵、芳香環(huán)和環(huán)烯環(huán)的碳-碳不飽和鍵的任何一個都優(yōu)選為90％以上，更優(yōu)選95％以上，特別優(yōu)選97％以上。如果氫化率低，制備的共聚物的低雙折射性、熱穩(wěn)定性等降低。
氫化反應結(jié)束后，嵌段共聚物可以使用采用例如過濾、離心分離等方法將氫化催化劑從反應溶液中除去后，通過直接干燥而將溶劑除去的方法、將反應溶液注入嵌段共聚物的不良溶劑中，使其凝固的方法等進行回收。
在采用以上的方法制備的本發(fā)明所涉及的嵌段共聚物中，根據(jù)需要可以配合各種配合劑。可以在嵌段共聚物中配合的配合劑并無特別限定，可以列舉抗氧劑、熱穩(wěn)定劑、耐光穩(wěn)定劑、耐候穩(wěn)定劑、紫外線吸收劑、近紅外線吸收劑等穩(wěn)定劑；潤滑劑、增塑劑等樹脂改性劑；染料和顏料等著色劑；抗靜電劑、阻燃劑、填料等。這些配合劑可以單獨使用或2種以上組合使用，其配合量在不損害本發(fā)明效果的范圍內(nèi)適當選擇。
在本發(fā)明中，優(yōu)選在嵌段共聚物中配合上述配合劑中的抗氧劑、紫外線吸收劑和耐光穩(wěn)定劑。作為抗氧劑，可以列舉酚系抗氧劑、磷系抗氧劑、硫系抗氧劑等，其中優(yōu)選酚系抗氧劑，特別優(yōu)選烷基取代酚系抗氧劑。通過配合這些抗氧劑，在不使透明性、耐熱性等降低的情況下，可以防止成型時氧化降解等引起的透鏡的著色和強度降低。這些抗氧劑可以各自單獨或2種以上組合使用，其配合量在不損害本發(fā)明目的的范圍內(nèi)適當選擇，相對于本發(fā)明所涉及的嵌段共聚物100重量份，優(yōu)選0.001～5重量份，更優(yōu)選為0.01～1重量份。
作為紫外線吸收劑，可以列舉2，4-二羥基二苯酮、2-羥基-4-甲氧基二苯酮、2，2’-二羥基-4-甲氧基二苯酮、2，2’-二羥基-4，4’-二甲氧基二苯酮、2-羥基-4-甲氧基-2’-二苯酮、2-羥基-4-甲氧基-5-磺基二苯酮三水合物、2-羥基-4-正辛氧基二苯酮、2，2’4，4’-四羥基二苯酮、4-十二烷氧基-2-羥基二苯酮、二(5-苯甲?；?4-羥基-2-甲氧基苯基)甲烷等二苯酮系紫外線吸收劑；2-(2’-羥基-5’-甲基-苯基)苯并三唑、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-甲基-6-(3，4，5，6-四氫鄰苯二甲酰亞氨甲基)酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4，6-二(1-甲基-1-苯基乙基)酚、2-(2’-羥基-3’，5’-二叔丁基-苯基)苯并三唑、2-(2’-羥基-3’-叔丁基-5’-甲基-苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2’-羥基-5’-叔辛基苯基)苯并三唑、2-(2’-羥基-3’，5’-二叔戊基苯基)苯并三唑、2-[2’-羥基-3’-(3”，4”，5”，6”-四氫鄰苯二甲酰亞氨甲基)-5’-甲基苯基]苯并三唑、2，2’-亞甲基二[4-(1，1，3，3-四甲基丁基)-6-(2H-苯并三唑-2-基)酚]等苯并三唑系紫外線吸收劑等。其中，從耐熱性、低揮發(fā)性等觀點出發(fā)，優(yōu)選2-(2’-羥基-5’-甲基-苯基)苯并三唑、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-甲基-6-(3，4，5，6-四氫鄰苯二甲酰亞氨甲基)酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4，6-二(1-甲基-1-苯基乙基)酚等。
作為耐光穩(wěn)定劑，可以列舉二苯酮系耐光穩(wěn)定劑、苯并三唑系耐光穩(wěn)定劑、受阻胺系耐光穩(wěn)定劑等，在本發(fā)明中，從透鏡的透明性、耐著色性等觀點出發(fā)，優(yōu)選使用受阻胺系耐光穩(wěn)定劑。在受阻胺系耐光穩(wěn)定劑(以下記為HALS。)中，優(yōu)選使用THF為溶劑的GPC測定的聚苯乙烯換算的Mn為1000～10000，更優(yōu)選為2000～5000，特別優(yōu)選為2800～3800的受阻胺系耐光穩(wěn)定劑。如果Mn過小，在將該HALS加熱熔融混煉配合到嵌段共聚物中時，由于揮發(fā)而不能配合規(guī)定量，在注射成型等加熱熔融成型時產(chǎn)生發(fā)泡和銀紋等，加工穩(wěn)定性降低。此外，在點燈的狀態(tài)下長時間使用透鏡時，揮發(fā)性成分從透鏡中成為氣體產(chǎn)生。相反，如果Mn過大，在嵌段共聚物中的分散性降低，透鏡的透明性降低，耐光性改善的效果降低。因此，在本發(fā)明中，通過使HALS的Mn為上述范圍，可以獲得加工穩(wěn)定性、低氣體發(fā)生性、透明性優(yōu)異的透鏡。
作為該HALS的具體例，可以列舉N，N′，N″，N-四-[4，6-二-{丁基-(N-甲基-2，2，6，6-四甲基哌啶-4-基)氨基}-三嗪-2-基]-4，7-二氮雜癸烷-1，10-二胺、二丁胺和1，3，5-三嗪和N，N′-二(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)丁胺的縮聚物、聚[{(1，1，3，3-四甲基丁基)氨基-1，3，5-三嗪-2，4-二基}{(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)亞氨基}六亞甲基{(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)亞氨基}]、1，6-己二胺-N，N′-二(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)和嗎啉-2，4，6-三氯-1，3，5-三嗪的縮聚物、聚[(6-嗎啉-s-三嗪-2，4-二基)(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)亞氨基]-六亞甲基[(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)亞氨基]]等哌啶環(huán)通過三嗪骨架多個結(jié)合的高分子量HALS；琥珀酸二甲酯和4-羥基-2，2，6，6-四甲基-1-哌啶乙醇的聚合物、1，2，3，4-丁烷四羧酸和1，2，2，6，6-五甲基-4-哌啶醇和3，9-二(2-羥基-1，1-二甲基乙基)-2，4，8，10-四氧雜螺[5，5]十一烷的混合酯化物等哌啶環(huán)通過酯鍵結(jié)合的高分子量HALS等。
其中，優(yōu)選二丁胺和1，3，5-三嗪和N，N′-二(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)丁胺的縮聚物、聚[{(1，1，3，3-四甲基丁基)氨基-1，3，5-三嗪-2，4-二基}{(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)亞氨基}六亞甲基{(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)亞氨基}]、琥珀酸二甲酯和4-羥基-2，2，6，6-四甲基-1-哌啶乙醇的聚合物等Mn為2000～5000的HALS。
上述紫外線吸收劑和HALS相對于本發(fā)明所涉及的嵌段共聚物的配合量，相對于聚合物100重量份優(yōu)選為0.01～20重量份，更優(yōu)選0.02～15重量份，特別優(yōu)選0.05～10重量份。如果添加量過少，不能充分獲得耐光性的改善效果，在屋外長時間使用時等產(chǎn)生著色，另一方面，如果HALS的配合量過多，其一部分成為氣體產(chǎn)生，在嵌段共聚物中的分散性降低，透鏡的透明性降低。
此外，通過在本發(fā)明所涉及的嵌段聚合物中配合最低玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為30℃以下的軟質(zhì)聚合物，可以在不使透明性、耐熱性、機械強度等諸特性降低的情況下，防止長時間在高溫高濕度環(huán)境下的白濁。
作為上述軟質(zhì)聚合物的具體例，可以列舉聚乙烯、聚丙烯、乙烯-α-烯烴共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物(EPDM)等烯烴系軟質(zhì)聚合物；聚異丁烯、異丁烯-異戊二烯橡膠、異丁烯-苯乙烯共聚物等異丁烯系軟質(zhì)聚合物；聚丁二烯、聚異戊二烯、丁二烯-苯乙烯無規(guī)共聚物、異戊二烯-苯乙烯無規(guī)共聚物、丙烯腈-丁二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物等二烯系軟質(zhì)聚合物；二甲基聚硅氧烷、二苯基聚硅氧烷等含硅軟質(zhì)聚合物；聚丙烯酸丁酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚甲基丙烯酸羥乙酯等丙烯酸系軟質(zhì)聚合物；聚環(huán)氧乙烷、聚環(huán)氧丙烷、表氯醇橡膠等環(huán)氧系軟質(zhì)聚合物；偏氟乙烯系橡膠、四氟乙烯-丙烯橡膠等氟系軟質(zhì)聚合物；天然橡膠、多肽、蛋白質(zhì)、聚酯系熱塑性彈性體、氯乙烯系熱塑性彈性體、聚酰胺系熱塑性彈性體等其他的軟質(zhì)聚合物等。這些軟質(zhì)聚合物可以具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)，也可以通過改性反應導入官能團。
在上述軟質(zhì)聚合物中，優(yōu)選二烯系軟質(zhì)聚合物，特別是該軟質(zhì)聚合物的將碳-碳不飽和鍵氫化的氫化物，其橡膠彈性、機械強度、柔軟性、和分散性方面優(yōu)異。軟質(zhì)聚合物的配合量因化合物的種類而異，一般而言，如果配合量過多，嵌段共聚物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和透明性大幅度降低，不能作為透鏡使用。此外，如果配合量過少，在高溫高濕下有時產(chǎn)生成型物的白濁。配合量相對于嵌段共聚物100重量份優(yōu)選為0.01～10重量份，更優(yōu)選0.02～5重量份，特別優(yōu)選0.05～2重量份。
在本發(fā)明使用的嵌段共聚物中配合上述配合劑成型嵌段共聚物組合物的方法，可以列舉例如用混合機、雙螺桿混煉機、輥、布拉班德混煉機、擠出機等使嵌段共聚物成為熔融狀態(tài)，與配合劑混煉的方法；溶解于適當?shù)娜軇┲卸蛊浞稚?、凝固的方法等。當使用雙螺桿混煉機時，混煉后通常在熔融狀態(tài)下擠出成絲束狀，多用造粒機切割成顆粒狀使用。
此外，除了以上樹脂外，也可以使用含有例如特開2003-73460號公報記載的降冰片烯系開環(huán)(氫)聚合物的樹脂作為本發(fā)明的光學元件的材料。
(樹脂組合物)在本發(fā)明中，提供在具有上述脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物中含有抗氧劑的樹脂組合物。
作為抗氧劑，可以列舉酚系抗氧劑、磷系抗氧劑、硫系抗氧劑等，其中優(yōu)選酚系抗氧劑，特別優(yōu)選烷基取代酚系抗氧劑。通過配合這些抗氧劑，在不使透明性、低吸水性降低的情況下，可以防止成型時氧化降解等引起的成型物的著色和強度降低。
作為酚系抗氧劑，可以使用以往公知的抗氧劑，可以列舉例如2-叔丁基-6-(3-叔丁基-2-羥基-5-甲基芐基)-4-甲基苯基丙烯酸酯、2，4-二叔戊基-6-(1-(3，5-二叔戊基-2-羥苯基)乙基)苯基丙烯酸酯等特開昭63-179953號公報和特開平1-168643號公報中記載的丙烯酸酯系化合物；十八烷基-3-(3，5-二叔丁基-4-羥苯基)丙酸酯、2，2’-亞甲基-二(4-甲基-6-叔丁基酚)、1，1，3-三(2-甲基-4-羥基-5-叔丁基苯基)丁烷、1，3，5-三甲基-2，4，6-三(3，5-二叔丁基-4-羥基芐基)苯、四(亞甲基-3(3’，5’-二叔丁基-4’-羥苯基丙酸酯)甲烷[即，季戊四醇-四(3-(3，5-二叔丁基-4-羥苯基丙酸酯))、三甘醇二(3-(3-叔丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙酸酯)等烷基取代酚系化合物；6-(4-羥基-3，5-二叔丁基苯胺基)-2，4-二辛硫基-1，3，5-三嗪、4-二辛硫基-1，3，5-三嗪、2-辛硫基-4，6-二-(3，5-二叔丁基-4-羥基苯胺基)-1，3，5-三嗪等含有三嗪基的酚系化合物等。
作為磷系抗氧劑，如果為在一般的樹脂工業(yè)中通常使用的物質(zhì)，則并無特別限定，可以列舉例如磷酸三苯酯、磷酸二苯基異癸酯、磷酸苯基二異癸酯、三(壬基苯基)磷酸酯、三(二壬基苯基)磷酸酯、三(2，4-二叔丁基苯基)磷酸酯、10-(3，5-二叔丁基-4-羥基芐基)-9，10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物等一磷酸酯系化合物；4，4’-亞丁基-二(3-甲基-6-叔丁基苯基-二-三癸基磷酸酯)、4，4’-亞異丙基-二(苯基-二-烷基(C12～C15)磷酸酯)等二磷酸酯系化合物等。其中，優(yōu)選一磷酸酯系化合物，特別優(yōu)選三(壬基苯基)磷酸酯、三(二壬基苯基)磷酸酯、三(2，4-二叔丁基苯基)磷酸酯等。
作為硫系抗氧劑，可以列舉例如二月桂基3，3-硫代二丙酸酯、二肉豆蔻基3，3’-硫代二丙酸酯、二硬脂基3，3-硫代二丙酸酯、月桂基硬脂基3，3-硫代二丙酸酯、季戊四醇-四-(β-月桂基-硫代丙酸酯)、3，9-二(2-十二烷基硫代乙基)-2，4，8，10-四氧雜螺[5，5]十一烷等。
這些抗氧劑可以各自單獨或2種以上組合使用，其配合量在不損害本發(fā)明目的的范圍內(nèi)適當選擇，相對于具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物100重量份，通常為0.001～5重量份，優(yōu)選為0.01～1重量份。
此外，在本發(fā)明中，提供含有具有上述脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物和從(1)軟質(zhì)聚合物、(2)醇性化合物、(3)有機或無機填料中選取的至少1種配合劑的樹脂組合物。通過配合這些配合劑，在不使透明性、低吸水性、機械強度等諸特性降低的情況下，可以防止長時間在高溫高濕度環(huán)境下的白濁。
其中，(1)軟質(zhì)聚合物和(2)醇性化合物在高溫高濕度環(huán)境下的防白濁效果、制備的樹脂組合物的透明性優(yōu)異。
(1)軟質(zhì)聚合物本發(fā)明中使用的軟質(zhì)聚合物為通常具有30℃以下的Tg的聚合物，當存在多個Tg時，至少最低的Tg可以為30℃以下。
作為這些軟質(zhì)聚合物的具體例，可以列舉例如液狀聚乙烯、聚丙烯、聚-1-丁烯、乙烯-α-烯烴共聚物、丙烯-α-烯烴共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物(EPDM)、乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物等烯烴系軟質(zhì)聚合物；聚異丁烯、異丁烯-異戊二烯橡膠、異丁烯-苯乙烯共聚物等異丁烯系軟質(zhì)聚合物；聚丁二烯、聚異戊二烯、丁二烯-苯乙烯無規(guī)共聚物、異戊二烯-苯乙烯無規(guī)共聚物、丙烯腈-丁二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物等二烯系軟質(zhì)聚合物；二甲基聚硅氧烷、二苯基聚硅氧烷、二羥基聚硅氧烷等含硅的軟質(zhì)聚合物；聚丙烯酸丁酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚甲基丙烯酸羥乙酯、聚丙烯酰胺、聚丙烯腈、丙烯酸丁酯-苯乙烯共聚物等由α、β-不飽和酸組成的軟質(zhì)聚合物；聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、聚硬脂酸乙烯酯、醋酸乙烯酯-苯乙烯共聚物等由不飽和醇和胺或其酰基衍生物或縮醛構(gòu)成的軟質(zhì)聚合物；聚環(huán)氧乙烷、聚環(huán)氧丙烷、表氯醇橡膠等環(huán)氧系軟質(zhì)聚合物；偏氟乙烯系橡膠、四氟乙烯-丙烯橡膠等氟系軟質(zhì)聚合物；天然橡膠、多肽、蛋白質(zhì)、聚酯系熱塑性彈性體、氯乙烯系熱塑性彈性體、聚酰胺系熱塑性彈性體等其他的軟質(zhì)聚合物等。這些軟質(zhì)聚合物可以具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)，也可以通過改性反應導入官能團。
在上述軟質(zhì)聚合物中，優(yōu)選二烯系軟質(zhì)聚合物，特別是該軟質(zhì)聚合物的將碳-碳不飽和鍵氫化的氫化物，其橡膠彈性、機械強度、柔軟性、和分散性方面優(yōu)異。
(2)醇性化合物此外，醇性化合物為分子內(nèi)至少具有1個非酚性羥基的化合物，優(yōu)選具有至少1個羥基和至少1個醚鍵或酯鍵。作為該化合物的具體例，可以列舉例如2元以上的多元醇，更優(yōu)選3元以上的多元醇，進一步優(yōu)選具有3～8個羥基的多元醇的羥基的1個被醚化或酯化的醇性醚化合物和醇性酯化合物。
作為2元以上的多元醇，可以列舉例如聚乙二醇、甘油、三羥甲基丙烷、季戊四醇、二甘油、三甘油、二季戊四醇、1，6，7-三羥基-2，2-二(羥基甲基)-4-氧代庚烷、山梨糖醇、2-甲基-1，6，7-三羥基-2-羥基甲基-4-氧代庚烷、1，5，6-三羥基-3-氧代己烷季戊四醇、三(2-羥基乙基)異氰脲酸酯等，特別優(yōu)選3元以上的多元醇，進一步優(yōu)選具有3～8個羥基的多元醇。此外，當制備醇性酯化合物時，優(yōu)選可以合成含有α、β-二醇的醇性酯化合物的甘油、二甘油、三甘油等。
作為該醇性化合物，可以列舉例如甘油單硬脂酸酯、甘油單月桂酸酯、甘油單山萮酸酯、二甘油單硬脂酸酯、甘油二硬脂酸酯、甘油二月桂酸酯、季戊四醇單硬脂酸酯、季戊四醇單月桂酸酯、季戊四醇單山萮酸酯、季戊四醇二硬脂酸酯、季戊四醇二月桂酸酯、季戊四醇三硬脂酸酯、二季戊四醇二硬脂酸酯等多元醇性酯化合物；3-(辛氧基)-1，2-丙二醇、3-(癸氧基)-1，2-丙二醇、3-(月桂氧基)-1，2-丙二醇、3-(4-壬基苯氧基)-1，2-丙二醇、1，6-二羥基-2，2-二(羥甲基)-7-(4-壬基苯氧基)-4-氧代庚烷、由對壬基苯基醚和甲醛的縮合物與縮水甘油的反應制備的醇性醚化合物、由對辛基苯基醚和甲醛的縮合物與縮水甘油的反應制備的醇性醚化合物、由對辛基苯基醚和二環(huán)戊二烯的縮合物與縮水甘油的反應制備的醇性醚化合物等。這些多元醇性化合物單獨或2種以上組合使用。這些多元醇性化合物的分子量并無特別限定，通常為500～2000，優(yōu)選800～1500，其透明性的降低也少。
(3)有機或無機填料作為有機填料，可以使用通常的有機聚合物粒子或交聯(lián)有機聚合物粒子，可以列舉例如聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴；聚氯乙烯、聚偏氯乙烯等含鹵素的乙烯系聚合物；ポリアリレ-ト、聚甲基丙烯酸酯等由α、β-不飽和酸衍生的聚合物；聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯等由不飽和醇衍生的聚合物；聚環(huán)氧乙烷、或由二縮水甘油醚衍生的聚合物；聚苯醚、聚碳酸酯、聚砜等芳香族縮合系聚合物；聚氨酯；聚酰胺；聚酯；酚醛系樹脂；天然高分子化合物等的粒子或交聯(lián)粒子。
作為無機填料，可以列舉例如氟化鋰、硼砂(硼酸鈉含水鹽)等1族元素化合物；碳酸鎂、磷酸鎂、碳酸鈣、鈦酸鍶、碳酸鋇等2族元素化合物；二氧化鈦(titania)、一氧化鈦等4族元素化合物；二氧化鉬、三氧化鉬的6族元素化合物；氯化錳、醋酸錳等7族元素化合物；氯化鈷、醋酸鈷等8～10族元素化合物；碘化亞銅等11族元素化合物；氧化鋅、醋酸鋅等12族元素金屬化合物；氧化鋁(alumina)、氟化鋁、硅鋁酸鹽(硅酸鋁、kaolin、kaolinite)等13族元素化合物；氧化硅(二氧化硅、二氧化硅凝膠)、石墨、碳、石墨、玻璃等14族元素化合物；光鹵石、鉀鹽鎂礬、云母(云母、金云母)、バイロ一ス礦等天然礦物的粒子。
上述(1)～(3)的化合物的配合量由與具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物配合的化合物的組合決定，一般而言，如果配合量過多，組合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和透明性大幅度下降，不適宜作為光學材料使用。此外，如果配合量過少，在高溫高濕下有時產(chǎn)生成型物的白濁。作為配合量，相對于具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物100重量份，通常以0.01～10重量份，優(yōu)選以0.02～5重量份，特別優(yōu)選以0.05～2重量份的比例配合。當配合量過少時，在高溫高濕度環(huán)境下不能獲得防白濁效果，當配合量過多時，成型品的耐熱性、透明性降低。
其他配合劑在本發(fā)明的樹脂組合物中根據(jù)需要可以配合紫外線吸收劑、光穩(wěn)定劑、近紅外線吸收劑、染料和顏料等著色劑、潤滑劑、增塑劑、抗靜電劑、熒光增白劑等作為其他的配合劑，這些配合劑可以單獨或2種以上混合使用，其配合量在不損害本發(fā)明目的的范圍內(nèi)適當選擇。
成型材料本發(fā)明的樹脂組合物通過將上述各組分適當混合而制備。作為混合方法，如果為將各組分在烴系聚合物中充分分散的方法，并無特別限定，可以列舉例如用混合機、雙螺桿混煉機、輥、布拉班德混煉機、擠出機等在熔融狀態(tài)下對樹脂進行混煉的方法；溶解于適當?shù)娜軇┲卸蛊浞稚?、凝固的方法等。當使用雙螺桿混煉機時，混煉后通常在熔融狀態(tài)下擠出成棒狀，多用造粒機切割成適當?shù)拈L度，作為顆粒化的成型材料使用。
(光學元件)本發(fā)明的光學元件通過將由上述具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物或樹脂組合物構(gòu)成的成型材料成型而制備。作為成型方法并無特別限定，為了制備低雙折射性、機械強度、尺寸精度等特性優(yōu)異的成型物，優(yōu)選熔融成型。作為熔融成型法，可以列舉例如壓制成型、擠出成型、注射成型等，從成型性、生產(chǎn)性的觀點出發(fā)，優(yōu)選注射成型。成型條件根據(jù)使用目的或成型方法適當選擇，例如，注射成型中樹脂溫度通常在150～400℃、優(yōu)選在200～350℃、更優(yōu)選在230～330℃的范圍內(nèi)適當選擇。樹脂溫度如果過低，流動性惡化，在成型品上產(chǎn)生凹陷和變形，樹脂溫度如果過高，由于樹脂的熱分解而產(chǎn)生銀紋，有可能產(chǎn)生成型物變黃等成型不良。
項16所述的光接收裝置為具有射出滿足350nm≤λ1≤450nm的波長λ1的光的光源、配置在從上述光源射出的光束通過位置的光學元件、將通過上述光學元件的來自上述光源的光束匯集到光信息記錄介質(zhì)的信息記錄面上的物鏡，用于進行信息的記錄和/或再生的光接收裝置，上述光學元件以樹脂為基材，上述樹脂為含有具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物的樹脂，在上述光學元件的至少1個光學面上形成防反射膜，上述防反射膜具有在使上述波長λ1的光束通過時具有第1折射率的低折射率層、和在使上述波長λ1的光束通過時具有比上述第1折射率高的第2折射率的高折射率層，上述低折射率層由氧化硅、氟化鋁、氟化釔、氟化鎂、氧化硅和氧化鋁的混合物、或這些的混合物形成，同時上述高折射率層由氧化鈧、氧化鈮、氧化鑭、鈦酸鐠、鈦酸鑭、鋁酸鑭、氧化釔、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉭、氧化鉭和鈦的混合物、氮化硅、或這些的混合物形成。
項17所述的光接收裝置，在項16所述的形態(tài)中，上述高折射率層由氧化鈧、氧化鑭、鋁酸鑭、鈦酸鐠、鈦酸鑭、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉭、氧化鉭和鈦的混合物、氮化硅、或這些的混合物形成。
項18所述的光接收裝置，在項16所述的形態(tài)中，上述高折射率層由氧化鈧、氧化鑭、鋁酸鑭、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉭、氮化硅、或這些的混合物形成。
項19所述的光接收裝置，在項16～18的任一項所述的形態(tài)中，上述防反射膜為在樹脂的基材上以上述高折射率層、上述低折射率層的順序?qū)盈B的2層結(jié)構(gòu)。
項20所述的光接收裝置，在項16～18的任一項所述的形態(tài)中，上述防反射膜為在樹脂的基材上以上述低折射率層、上述高折射率層、上述低折射率層的順序?qū)盈B的3層結(jié)構(gòu)。
項21所述的光接收裝置，在項16～18的任一項所述的形態(tài)中，上述防反射膜為還具有在使上述波長λ1的光束通過時具有比上述第1折射率高但比上述第2折射率低的第3折射率的中折射率層，上述中折射率層由氟化鑭、氟化釹、氟化鈰、氟化鋁、鋁酸鑭、氟化鉛、氧化鋁、或這些的混合物形成。
項22所述的光接收裝置，在項16～18、21的任一項所述的形態(tài)中，上述防反射膜為在樹脂的基材表面上層疊4層以上的層結(jié)構(gòu)。
項23所述的光接收裝置，其特征在于在項22所述的形態(tài)中，上述防反射膜在樹脂的基材表面上以4層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)形成，當將距基材表面最近的層記為第1層，隨著距基材表面越遠，層的序號順次增加時，以樹脂基材/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料的順序?qū)盈B，并且滿足以下式第1層1.7≤n1， 15nm≤d1≤36nm第2層1.2≤n2≤1.55，25nm≤d2≤40nm第3層1.7≤n3， 40nm≤d3≤150nm第4層1.2≤n4≤1.55，90nm≤d4≤115nm。
項24所述的光接收裝置，其特征在于在項22所述的形態(tài)中，上述防反射膜在樹脂的基材表面上以5層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)形成，當將距基材表面最近的層記為第1層，隨著距基材表面越遠，層的序號順次增加時，以樹脂基材/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料的順序?qū)盈B，并且滿足以下式第1層1.2≤n1≤1.55，5nm≤d1≤20nm第2層1.7≤n2， 15nm≤d2≤35nm第3層1.2≤n3≤1.55，25nm≤d3≤45nm第4層1.7≤n4， 50nm≤d4≤130nm第5層1.2≤n5≤1.55，80nm≤d5≤110nm。
項25所述的光接收裝置，其特征在于在項22所述的形態(tài)中，上述防反射膜在樹脂的基材表面上以6層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)形成，當將距基材表面最近的層記為第1層，隨著距基材表面越遠，層的序號順次增加時，以樹脂基材/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料的順序?qū)盈B，并且滿足以下式第1層1.7≤n1， 8nm≤d1≤15nm第2層1.2≤n2≤1.55，35nm≤d2≤55nm第3層1.7≤n3， 40nm≤d3≤60nm第4層1.2≤n4≤1.55，10nm≤d4≤17nm第5層1.7≤n5， 45nm≤d5≤90nm
第6層1.2≤n6≤1.55，70nm≤d6≤110nm。
項26所述的光接收裝置，其特征在于在項22所述的形態(tài)中，上述防反射膜在樹脂的基材表面上以7層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)形成，當將距基材表面最近的層記為第1層，隨著距基材表面越遠，層的序號順次增加時，以樹脂基材/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料的順序?qū)盈B，并且滿足以下式第1層1.2≤n1≤1.55，80nm≤d1≤160nm第2層1.7≤n2， 10nm≤d2≤25nm第3層1.2≤n3≤1.55，33nm≤d3≤45nm第4層1.7≤n4， 40nm≤d4≤85nm第5層1.2≤n5≤1.55，10nm≤d5≤20nm第6層1.7≤n6， 6nm≤d6≤70nm第7層1.2≤n7≤1.55，60nm≤d7≤110nm。
項23～項26所述的光接收裝置，其特征在于在項22所述的形態(tài)中，上述防反射膜在樹脂的基材表面上為4層～7層層疊的層結(jié)構(gòu)，其為使高折射率層和低折射率層交互層疊并且對這些層的折射率和層的厚度進行限定的層結(jié)構(gòu)，因此可以提供不僅對于波長λ1，對于波長λ2和波長λ3的至少一種的光也能將反射率抑制在低水平的防反射膜。
項27所述的光接收裝置，在項22～26的任一項所述的形態(tài)中，上述低折射率層由以氧化硅或氧化硅和氧化鋁的混合物、或它們的混合物為主成分的材料形成，同時上述高折射率層由以氧化鉿、鋁酸鑭、氧化鋯、氧化鉭、氮化硅、或它們的混合物為主成分的材料形成。
項27所述的光接收裝置，在項22～26的任一項所述的形態(tài)中，通過限定上述防反射膜的低折射率層的材料和高折射率層的材料，可以提供對于405～415nm波長的激光照射，防反射膜的面變形和剝離少，而且對于405nm光的光吸收量少，并且即使在高溫高濕環(huán)境氣氛下放置，防反射膜的面變形和剝離少的防反射膜。
項28所述的光接收裝置，在項16～27的任一項所述的形態(tài)中，上述接收裝置具有除了波長λ1外，射出波長λ2或波長λ3的至少1種的波長的光的光源，使上述多個光源的光透過上述光學元件，其中，λ2的波長為滿足620nm≤λ2≤670nm的波長，λ3的波長為滿足760nm≤λ3≤800nm的波長。
項29所述的光接收裝置，在項16～28的任一項所述的形態(tài)中，上述光學元件為物鏡。但并不限于此，作為“光學元件”，可以列舉例如準直透鏡和擴束透鏡、棱鏡、衍射光柵光學元件(衍射透鏡、衍射棱鏡、衍射片、色像差補償元件)、光學濾光片(空間低通濾光片、波長帶通濾光片、波長低通濾光片、波長高通濾光片等)、偏振濾光片(檢偏振器、旋光器、偏振分離棱鏡等)、位相濾光片(位相片、全息相片等)，并不限于以上這些光學元件。
項30所述的光接收裝置，在項16～29的任一項所述的形態(tài)中，上述具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物在重均分子量(Mw)為1000～1000000的聚合物全部重復單元中含有合計含有量達到90重量％以上的下述通式(1)所示的具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的重復單元(a)、和下述通式(2)和/或下述通式(3)所示的鏈狀結(jié)構(gòu)的重復單元(b)，而且重復單元(b)的含量為1重量％以上、不足10重量％。特別優(yōu)選上述聚合物的上述重復單元(a)的鏈滿足關(guān)系式A≤0.3×B(其中，A＝(具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的重復單元的鏈的重均分子量)、B＝(脂環(huán)式烴系共聚物的重均分子量(Mw))×(具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的重復單元數(shù)/構(gòu)成脂環(huán)式烴系共聚物的全部重復單元數(shù)))。

(式(1)中，X為脂環(huán)式烴基，式(1)、式(2)和式(3)中的R1～R13各自獨立地表示氫原子、鏈狀烴基、鹵素原子、烷氧基、羥基、醚基、酯基、氰基、酰胺基、亞氨基、甲硅烷基、和極性基團(鹵素原子、烷氧基、羥基、醚基、酯基、氰基、酰胺基、亞氨基、或甲硅烷基)取代的鏈狀烴基。式(3)中的......為碳-碳飽和鍵、或不飽和鍵。)項31所述的光接收裝置，在項30所述的形態(tài)中，上述具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物為具有含有下述式(11)所示重復單元[1]的聚合物嵌段[A]、含有下述式(11)所示重復單元[1]以及下述式(12)所示重復單元[2]或/和下述式(13)所示重復單元[3]的聚合物嵌段[B]，上述嵌段[A]中重復單元[1]的摩爾百分率a(摩爾％)和上述嵌段[B]中重復單元[1]的摩爾百分率b(摩爾％)的關(guān)系為a＞b的嵌段共聚物。
(式中，R1表示氫原子、或碳數(shù)1～20的烷基，R2～R12各自獨立地為氫原子、碳數(shù)1～20的烷基、羥基、碳數(shù)1～20的烷氧基、或鹵素基團。) (式中，R13表示氫原子、或碳數(shù)1～20的烷基。)
(式中，R14和R15各自獨立地表示氫原子、或碳數(shù)1～20的烷基。)根據(jù)本發(fā)明，可以提供即使照射短波長的激光，也能抑制光學特性的劣化，在合成樹脂上形成了防反射膜的光學元件和使用其的光接收裝置。
以下使用附圖對本發(fā)明優(yōu)選的實施方式進行說明。
圖1為對于作為信息記錄介質(zhì)(也稱為光盤)的BD(Blu-ray Disc)或AOD(Advanced Optical Disc)能進行信息的記錄/再生的光接收裝置的概略截面圖。
光接收裝置PU如圖1所示，具有作為光源的半導體激光LD。半導體激光LD為射出波長400nm左右光束的GaN系藍紫色半導體激光或SHG藍紫色激光。從該半導體激光LD射出的發(fā)散光束通過偏光束分離器BS，經(jīng)1/4波長片WP成為圓偏光的光束，然后在準直透鏡COL成為平行光束。
該平行光束被射入擴束透鏡EXP。經(jīng)過擴束透鏡EXP的光束，其光束徑被擴大，經(jīng)過可變光闌ST后，由于物鏡OBJ而經(jīng)光盤OD的保護層DP成為形成到信息記錄面DR上的集光點。物鏡OBJ被配置在其周邊的雙軸傳動機構(gòu)AC1沿焦點方向和跟蹤方向驅(qū)動。
物鏡OBJ通過將與各自的透鏡群E1、E2的光學面一體形成的凸緣部FL1和FL2相互嵌合而組裝為一體。此外，通過第1透鏡群E1的凸緣部FL1，可以高精度地安裝到光接收裝置PU上。在信息記錄面DR上通過信息凹調(diào)制的反射光束再次通過物鏡OBJ、可變光闌ST、擴束透鏡EX后，通過準直透鏡COL成為收斂光束。該收斂光束通過1/4波長片WP而成為直線偏光后，被偏光束分離器BS反射，由于經(jīng)過柱面透鏡CY、凹透鏡NL而給予非點像差，在光檢測器PD的受光面上收束。此外，使用以光檢測器PD的輸出信號為基礎(chǔ)生成的焦點誤差信號和跟蹤誤差信號，可以對光盤OD進行信息的記錄/再生。
此外，作為信息記錄/再生裝置，可以為具有上述光接收裝置PU、和支持光盤OD以通過該光接收裝置可以進行信息的記錄/再生的沒有圖示的光信息記錄介質(zhì)支持裝置。光信息記錄介質(zhì)支持裝置由保持光盤OD的中心部分而旋轉(zhuǎn)操作的旋轉(zhuǎn)操作裝置構(gòu)成。
例如，在圖1所示的光接收裝置中使用的物鏡OBJ以及擴束透鏡EX或準直透鏡COL的光學面的出射面?zhèn)壬线M行成膜時，采用真空蒸鍍法、濺射法、CVD法在基材的表面上形成防反射膜。真空蒸鍍法時，以加熱規(guī)定的蒸鍍材料的電子槍加熱裝置為蒸鍍源，溫度為70℃～130℃，邊用鹵素燈或夾套加熱器等對基材進行加熱，在保持電子槍加熱裝置、蒸鍍材料、基材的真空中在單獨或混合狀態(tài)下導入氧氣、惰性氣體(例如氬氣或氮氣)、氫氣、CF4氣體等，邊維持在0.2～5E-2Pa的真空度下，邊采用水晶膜厚控制法、光學監(jiān)測器控制法等對堆積在基材表面的層的厚度進行控制邊進行成膜。
以下表示膜結(jié)構(gòu)。ni表示第i層的折射率，di表示第i層的厚度。
(1)2層結(jié)構(gòu)以樹脂基材/高折射率材料/低折射率材料的順序?qū)盈B。
第1層1.7≤n1， 15nm≤d1≤91nm第2層1.2≤n2≤1.55，30nm≤d2≤118nm(2)3層結(jié)構(gòu)以樹脂基材/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料的順序?qū)盈B。
第1層1.2≤n1≤1.55，10nm≤d1≤130nm第2層1.7≤n2， 20nm≤d2≤110nm第3層1.2≤n3≤1.55，35nm≤d3≤90nm(3)3層結(jié)構(gòu)以樹脂基材/中折射率材料/高折射率材料/低折射率材料的順序?qū)盈B。
第1層1.55≤n1≤1.7，40nm≤d1≤110nm第2層1.7≤n2， 35nm≤d2≤90nm第3層1.2≤n3≤1.55，45nm≤d3≤85nm(4)4層結(jié)構(gòu)以樹脂基材/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料的順序?qū)盈B。
第1層1.7≤n1， 15nm≤d1≤36nm第2層1.2≤n2≤1.55，25nm≤d2≤40nm第3層1.7≤n3， 40nm≤d3≤150nm第4層1.2≤n4≤1.55，90nm≤d4≤115nm(5)5層結(jié)構(gòu)以樹脂基材/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料的順序?qū)盈B。
第1層1.2≤n1≤1.55，5nm≤d1≤20nm第2層1.7≤n2， 15nm≤d2≤35nm第3層1.2≤n3≤1.55，25nm≤d3≤45nm第4層1.7≤n4， 50nm≤d4≤130nm第5層1.2≤n5≤1.55，80nm≤d5≤110nm(6)6層結(jié)構(gòu)以樹脂基材/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料的順序?qū)盈B。
第1層1.7≤n1， 8nm≤d1≤15nm第2層1.2≤n2≤1.55，35nm≤d2≤55nm第3層1.7≤n3， 40nm≤d3≤60nm第4層1.2≤n4≤1.55，10nm≤d4≤17nm第5層1.7≤n5， 45nm≤d5≤90nm第6層1.2≤n6≤1.55，70nm≤d6≤110nm(7)7層結(jié)構(gòu)以樹脂基材/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料的順序?qū)盈B。
第1層1.2≤n1≤1.55，80nm≤d1≤160nm
第2層1.7≤n2， 10nm≤d2≤25nm第3層1.2≤n3≤1.55，30nm≤d3≤45nm第4層1.7≤n4， 40nm≤d4≤85nm第5層1.2≤n5≤1.55，10nm≤d5≤20nm第6層1.7≤n6， 6nm≤d6≤70nm第7層1.2≤n7≤1.55，60nm≤d7≤110nm本發(fā)明者們?yōu)榱藢Ψ婪瓷淠楹畏N形態(tài)時光學元件的光學特性不劣化進行研究，通過在直徑30mm、厚3mm的測試用樹脂基材上用真空蒸鍍法或濺射法形成防反射膜M，如表1～11所示，作成實施例1～40、比較例1～10的試料，各自進行激光照射試驗、光吸收量測定、耐環(huán)境性試驗，進行評價。作為測試用樹脂基材的樹脂原材料，除了如下詳述的“樹脂1”外，使用丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂作為比較。
樹脂1(聚合物的制備)在充分干燥并用氮氣置換的帶有攪拌裝置的不銹鋼制聚合器中裝入脫水環(huán)己烷320份、苯乙烯60份、和二丁醚0.38份，在60℃下邊攪拌邊添加正丁基鋰溶液(含有15％正丁基鋰的己烷溶液)0.36份，開始聚合反應。進行1小時聚合反應后，在反應溶液中添加由苯乙烯8份和異戊二烯12份構(gòu)成的混合單體20份，再進行1小時聚合反應后，向反應溶液中添加異丙醇0.2份，使反應停止。此時制備的嵌段共聚物的Mw為102100，Mw/Mn為1.11。
然后，將上述聚合反應溶液400份轉(zhuǎn)移到具有攪拌裝置的耐壓反應器中，作為氫化催化劑添加二氧化硅-氧化鋁載附型鎳催化劑(日揮化學工業(yè)社制；E22U、鎳載附量60％)10份進行混合。用氫氣將反應器內(nèi)部置換，進而邊攪拌溶液邊供給氫，將溫度設(shè)定為高達160℃，在壓力4.5MPa下進行8小時反應，進行氫化到芳香環(huán)上。氫化反應結(jié)束后，將反應溶液過濾將氫化催化劑除去后，加入環(huán)己烷800份進行稀釋，將該反應溶液注入3500份的異丙醇(在等級1000的凈室中，用孔徑1μm的過濾器過濾)中，使嵌段共聚物析出，通過過濾進行分離回收，在80℃下進行減壓干燥48小時。這樣制備的嵌段共聚物為含有來自苯乙烯的重復單元的嵌段(以下稱為St)和含有來自苯乙烯和異戊二烯的重復單元的嵌段(以下稱為St/Ip)構(gòu)成的2元嵌段共聚物，各嵌段的摩爾比為St∶St/Ip＝69∶31(St∶Ip＝10∶21)。該嵌段共聚物的Mw為85100，Mw/Mn為1.17，主鏈和芳香環(huán)的氫化率為99.9％，Tg為126.5℃。
(樹脂的制備)對于通過以上的聚合物的制備而得到的嵌段共聚物100份，分別添加苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(クラレ社制、セプトン2002)0.1份、和作為抗氧劑的四-[亞甲基-3-(3’，5’-二叔丁基-4’-羥苯基)丙酸酯]甲烷(汽巴特種化學品公司制、イルガノツクス1010)0.1份、和作為苯并三唑系紫外線吸收劑的2-(2’-羥基-5’-甲基-苯基)苯并三唑(汽巴特種化學品公司制、TINUVIN P)0.1份以及作為HALS的二丁胺和1，3，5-三嗪·N，N’-二(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)-1，6-己二胺和N-(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)丁胺的縮聚物[HALS(A)、Mn＝3000]0.1份，用雙螺桿混煉機(東芝機械社制、TEM-35B、螺桿直徑37mm、L/D＝32、螺桿轉(zhuǎn)數(shù)150rpm、樹脂溫度240℃、進料速度10kg/小時)進行混煉，擠出成絲束狀，將其水冷用造粒機切斷進行造粒，得到樹脂1。
除了如上所述制備的樹脂1外，使用流通空氣的熱風干燥器在70℃下將丙烯酸樹脂和聚碳酸酯樹脂各自的顆粒干燥2小時，將水分除去后，各自注射成型，得到測試用樹脂基材。
表1①2層結(jié)構(gòu)樹脂基材/高折射率材料/低折射率材料

表2

表3

表4②3層結(jié)構(gòu)樹脂基材/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料

表5

表6

表7③3層結(jié)構(gòu)樹脂基材/中折射率材料/高折射率材料/低折射率材料

表8④4層結(jié)構(gòu)樹脂基材/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料

表9⑤5層結(jié)構(gòu)樹脂基材/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料

表9(續(xù))⑤5層結(jié)構(gòu)樹脂基材/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料

表10⑥6層結(jié)構(gòu)樹脂基材/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料

表11⑦7層結(jié)構(gòu)樹脂基材/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料


表11(續(xù))⑦7層結(jié)構(gòu)樹脂基材/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料/高折射率材料/低折射率材料


(激光照射試驗1)圖2表示本發(fā)明者進行的激光照射試驗裝置的概略情況。在圖2中，由半導體激光LD射出波長λ＝405～415nm的激光，邊使用集光透鏡L集光，邊在基材S上的實施例和比較例的防反射膜M上照射120小時激光，用顯微鏡觀察其表面。此時，使基材S上的功率密度為120mW/mm2，使基材S的加熱溫度為85℃，使氣氛的濕度為5％。觀察的結(jié)果將表面上幾乎完全沒有觀察到褶皺等并且沒有膜的剝離的記為◎，將表面上觀察到極微少的褶皺等，但沒有膜的剝離的記為○，將表面觀察到微少的褶皺等，但沒有膜的剝離的記為△，將明顯觀察到褶皺等形狀變化和開裂并且產(chǎn)生了膜的剝離的記為×，分別進行評價。
(激光照射試驗2)為與激光照射試驗1相同的條件，但使照射時間為250小時，然后用顯微鏡觀察試料的表面。同樣地進行觀察的結(jié)果將表面上幾乎完全沒有觀察到褶皺等并且沒有膜的剝離的記為◎，將表面上觀察到極微少的褶皺等，但沒有膜的剝離的記為○，將表面觀察到微少的褶皺等，但沒有膜的剝離的記為△，將明顯觀察到褶皺等形狀變化和開裂并且產(chǎn)生了膜的剝離的記為×，分別進行評價。
(光透過率測定)使波長λ＝405nm的光束射入試料，用分光光度計(株氏會社日立制作所制、制品名UP-4000)計測其透過率T和反射率R(入射面和出射面的合計反射率)，用100-T-R計算光吸收量(％)。其結(jié)果將光吸收量不足0.1％的記為◎，將光吸收量為0.1％以上、不足0.5％的記為○，將光吸收量為0.5以上、不足2％的記為△，將光吸收量為2％以上的記為×，分別進行評價。此外，圖3表示實施例10、16、28、40-3的反射特性，圖4表示實施例32、36、39的反射特性。
(耐環(huán)境性試驗)將試料在高溫(60℃)、高濕(90％)的環(huán)境下放置168小時后，目視觀察其外觀。其結(jié)果將沒有發(fā)現(xiàn)膜的剝離、開裂等外觀異常的記為◎，將沒有膜的剝離但發(fā)現(xiàn)極微少的開裂(條紋狀)的記為○，將沒有膜的剝離但發(fā)現(xiàn)微少的開裂的記為△，將明顯發(fā)現(xiàn)膜的剝離和開裂(龜甲狀)的記為×，分別進行評價。
以這些評價結(jié)果為基礎(chǔ)，本發(fā)明者對于是否具有適用于使用短波長的激光的光接收裝置的光學元件的特性，進行綜合評價。在其綜合評價中，當在使用短波長激光的光接收裝置中使用時，以可以判斷為可靠性非常高的記為◎，同樣使用時，以可以判斷為可靠性高的記為○，將判斷為暫時可以在使用短波長的激光的光接收裝置中使用的記為△。將以上的評價結(jié)果匯總示于表12。
表12


由以上的試驗結(jié)果可以看到，至少在光學元件的防反射膜中，當?shù)驼凵渎蕦佑裳趸?、氟化鋁、氟化釔、氟化鎂、氧化硅和氧化鋁的混合物、或這些的混合物形成，同時高折射率層由氧化鈧、氧化鈮、氧化鑭、鈦酸鐠、鈦酸鑭、鋁酸鑭、氧化釔、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉭、氧化鉭和鈦的混合物、氮化硅、或這些的混合物形成時，即使在具有短波長的激光光源的光接收裝置的光學系統(tǒng)中使用，也可以長時間地抑制光學特性的劣化。
以上參照實施方式對本發(fā)明進行了說明，但本發(fā)明并不限于上述的實施方式，可以進行適當變更、改善。
權(quán)利要求
1.光學元件，用于具有射出滿足350nm≤λ1≤450nm的波長λ1的光束的光源的光接收裝置，其包括樹脂制基材；配置于所述基材的至少1個面上并且具有低折射率層和高折射率層的的防反射層，其中，所述樹脂包括具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物，當波長λ1的光束通過低折射率層時，低折射率層具有第1折射率，并且低折射率層由從氧化硅、氟化鋁、氟化釔、氟化鎂、以及氧化硅和氧化鋁的混合物中選取的材料或這些材料的混合物形成，當波長λ1的光束通過高折射率層時，高折射率層具有比第1折射率高的第2折射率，并且高折射率層由從氧化鈧、氧化鈮、氧化鑭、鈦酸鐠、鈦酸鑭、鋁酸鑭、氧化釔、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉭、氧化鉭和鈦的混合物、氮化硅中選取的材料或這些材料的混合物形成。
2.權(quán)利要求1所述的光學元件，其中，所述高折射率層由從氧化鈧、氧化鑭、鋁酸鑭、鈦酸鐠、鈦酸鑭、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉭、氧化鉭和鈦的混合物、和氮化硅中選取的材料或這些材料的混合物形成。
3.權(quán)利要求1所述的光學元件，其中，所述高折射率層由從氧化鈧、氧化鑭、鋁酸鑭、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉭和氮化硅中選取的材料或這些材料的混合物形成。
4.權(quán)利要求1所述的光學元件，其中，所述防反射層包括高折射率層和低折射率層兩層，并且這兩層按該順序?qū)盈B在樹脂基材上。
5.權(quán)利要求1所述的光學元件，其中，所述防反射層包括低折射率層、高折射率層和低折射率層三層，并且這三層按該順序?qū)盈B在樹脂基材上。
6.權(quán)利要求1所述的光學元件，其中，所述防反射層還包括中折射率層，當波長λ1的光束通過中折射率層時其具有比第1折射率高但比第2折射率低的第3折射率，并且所述中折射率層由從氟化鑭、氟化釹、氧化鈰、氟化鋁、鋁酸鑭、氟化鉛和氧化鋁中選取的材料或這些材料的混合物形成。
7.權(quán)利要求1所述的光學元件，其中，所述防反射層包括層疊于樹脂基材上的4個以上的層。
8.權(quán)利要求7所述的光學元件，其中，所述防反射層包括形成于樹脂基材上的4層，第1層由高折射率材料形成，第2層由低折射率材料形成，第3層由高折射率材料形成，第4層由低折射率材料形成，并且第1～第4層以所述順序?qū)盈B于樹脂基材上且滿足下式1.7≤n1， 15nm≤d1≤36nm1.2≤n2≤1.55，25nm≤d2≤40nm1.7≤n3， 40nm≤d3≤150nm1.2≤n4≤1.55，90nm≤d4≤115nm其中，n1～n4分別為第1～第4層材料的折射率，d1～d4分別為第1～第4層的厚度。
9.權(quán)利要求7所述的光學元件，其中，所述防反射層包括形成于樹脂基材上的5層，第1層由低折射率材料形成，第2層由高折射率材料形成，第3層由低折射率材料形成，第4層由高折射率材料形成，第5層由低折射率材料形成，并且第1～第5層以所述順序?qū)盈B于樹脂基材上且滿足下式1.2≤n1≤1.55，5nm≤d1≤20nm1.7≤n2， 15nm≤d2≤35nm1.2≤n3≤1.55，25nm≤d3≤45nm1.7≤n4， 50nm≤d4≤130nm1.2≤n5≤1.55，80nm≤d5≤110nm。其中，n1～n5分別為第1～第5層材料的折射率，d1～d5分別為第1～第5層的厚度。
10.權(quán)利要求7所述的光學元件，其中，所述防反射層包括形成于樹脂基材上的6層，第1層由高折射率材料形成，第2層由低折射率材料形成，第3層由高折射率材料形成，第4層由低折射率材料形成，第5層由高折射率材料形成，第6層由低折射率材料形成，并且第1～第6層以所述順序?qū)盈B于樹脂基材上且滿足下式1.7≤n1， 8nm≤d1≤15nm1.2≤n2≤1.55，35nm≤d2≤55nm1.7≤n3， 40nm≤d3≤60nm1.2≤n4≤1.55，10nm≤d4≤17nm1.7≤n5， 45nm≤d5≤90nm1.2≤n6≤1.55，70nm≤d6≤110nm其中，n1～n6分別為第1～第6層材料的折射率，d1～d6分別為第1～第6層的厚度。
11.權(quán)利要求7所述的光學元件，其中，所述防反射層包括形成于樹脂基材上的7層，第1層由低折射率材料形成，第2層由高折射率材料形成，第3層由低折射率材料形成，第4層由高折射率材料形成，第5層由低折射率材料形成，第6層由高折射率材料形成，第7層由低折射率材料形成，并且第1～第7層以所述順序?qū)盈B于樹脂基材上且滿足下式1.2≤n1≤1.55，80nm≤d1≤160nm1.7≤n2， 10nm≤d2≤25nm1.2≤n3≤1.55，33nm≤d3≤45nm1.7≤n4， 40nm≤d4≤85nm1.2≤n5≤1.55，10nm≤d5≤20nm1.7≤n6， 6nm≤d6≤70nm1.2≤n7≤1.55，60nm≤d7≤110nm其中，n1～n7分別為第1～第7層材料的折射率，d1～d7分別為第1～第7層的厚度。
12.權(quán)利要求7所述的光學元件，其中，所述低折射率層包括從氧化硅、和氧化硅與氧化鋁的混合物中選取的材料或材料的混合物為主成分，所述高折射率層包括從氧化鉿、鋁酸鑭、氧化鋯、氧化鉭、和氮化硅中選取的材料或材料的混合物為主成分。
13.權(quán)利要求7所述的光學元件，其中，所述光接收裝置還具有第2光源，該第2光源射出在滿足下式的波長λ2和波長λ3之間的至少1種波長的光束，620nm≤λ2≤670nm，760nm≤λ3≤800nm，并且光學元件透過第1和第2光源射出的光束。
14.權(quán)利要求1所述的光學元件，其中，所述具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物包含重均分子量(Mw)為1000～1000000的重復單元，重復單元包括通式(1)所示的具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的重復單元(a)和通式(2)或(3)所示的鏈狀結(jié)構(gòu)的重復單元(b)，重復單元(a)和重復單元(b)的合計含量為90重量％以上，重復單元(b)的含量為1重量％以上、不足10重量％， 其中，X表示脂環(huán)式烴基， 通式(1)、(2)和(3)中的R1～R13均各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、烷氧基、羥基、醚基、酯基、氰基、酰胺基、亞氨基、甲硅烷基、或鏈狀烴基，條件是鏈狀烴基可以被鹵素原子、烷氧基、羥基、醚基、酯基、氰基、酰胺基、亞氨基或甲硅烷基的極性基團取代，并且通式(3)中的……表示碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵。
15.權(quán)利要求14所述的光學元件，其中，所述具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物包含具有通式(11)所示重復單元[1]的聚合物嵌段[A]、具有通式(11)所示重復單元[1]和通式(12)所示重復單元[2]或/和通式(13)所示重復單元[3]的聚合物嵌段[B]，并且所述聚合物嵌段[A]中重復單元[1]的摩爾百分率a(摩爾％)和所述聚合物嵌段[B]中重復單元[1]的摩爾百分率b(摩爾％)滿足a＞b， 其中，R1表示氫原子或具有1～20個碳原子的烷基，R2～R12各自獨立地表示氫原子、具有1～20個碳原子的烷基、羥基、具有1～20個碳原子的烷氧基或鹵素原子， 其中，R13表示氫原子或具有1～20個碳原子的烷基， 其中，R14和R15各自獨立地表示氫原子或具有1～20個碳原子的烷基。
16.光接收裝置，其包括射出滿足350nm≤λ1≤450nm的波長λ1的光束的光源；配置在由所述光源射出的光束通過位置的光學元件；在光束通過所述光學元件后將從所述光源射出的光束匯集到光信息記錄介質(zhì)的信息記錄介質(zhì)上的物鏡，其中，光學元件包含樹脂基材；配置于所述基材的至少1個面上并且具有低折射率層和高折射率層的的防反射層，其中，上述樹脂包括具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物，當波長λ1的光束通過低折射率層時，低折射率層具有第1折射率，并且低折射率層由從氧化硅、氟化鋁、氟化釔、氟化鎂、以及氧化硅和氧化鋁的混合物中選取的材料或這些材料的混合物形成，當波長λ1的光束通過高折射率層時，高折射率層具有比第1折射率高的第2折射率，并且高折射率層由從氧化鈧、氧化鈮、氧化鑭、鈦酸鐠、鈦酸鑭、鋁酸鑭、氧化釔、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉭、氧化鉭和鈦的混合物、氮化硅中選取的材料或這些材料的混合物形成。
17.權(quán)利要求16所述的光接收裝置，其中，所述高折射率層由從氧化鈧、氧化鑭、鋁酸鑭、鈦酸鐠、鈦酸鑭、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉭、氧化鉭和鈦的混合物、和氮化硅中選取的材料或這些材料的混合物形成。
18.權(quán)利要求16所述的光接收裝置，其中，所述高折射率層由從氧化鈧、氧化鑭、鋁酸鑭、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉭和氮化硅中選取的材料或這些材料的混合物形成。
19.權(quán)利要求16所述的光接收裝置，其中，所述防反射層包括高折射率層和低折射率層兩層，并且這兩層按該順序?qū)盈B在樹脂基材上。
20.權(quán)利要求16所述的光接收裝置，其中，所述防反射層包括低折射率層、高折射率層和低折射率層三層，并且這三層按該順序?qū)盈B在樹脂基材上。
21.權(quán)利要求16所述的光接收裝置，其中，所述防反射層還包括中折射率層，當波長λ1的光束通過中折射率層時其具有比第1折射率高但比第2折射率低的第3折射率，并且所述中折射率層由從氟化鑭、氟化釹、氧化鈰、氟化鋁、鋁酸鑭、氟化鉛和氧化鋁中選取的材料或這些材料的混合物形成。
22.權(quán)利要求16所述的光接收裝置，其中，所述防反射層包括層疊于樹脂基材上的4個以上的層。
23.權(quán)利要求22所述的光接收裝置，其中，所述防反射層包括形成于樹脂基材上的4層，第1層由高折射率材料形成，第2層由低折射率材料形成，第3層由高折射率材料形成，第4層由低折射率材料形成，并且第1～第4層以所述順序?qū)盈B于樹脂基材上且滿足下式1.7≤n1， 15nm≤d1≤36nm1.2≤n2≤1.55，25nm≤d2≤40nm1.7≤n3， 40nm≤d3≤150nm1.2≤n4≤1.55，90nm≤d4≤115nm其中，n1～n4分別為第1～第4層材料的折射率，d1～d4分別為第1～第4層的厚度。
24.權(quán)利要求22所述的光接收裝置，其中，所述防反射層包括形成于樹脂基材上的5層，第1層由低折射率材料形成，第2層由高折射率材料形成，第3層由低折射率材料形成，第4層由高折射率材料形成，第5層由低折射率材料形成，并且第1～第5層以所述順序?qū)盈B于樹脂基材上且滿足下式1.2≤n1≤1.55，5nm≤d1≤20nm1.7≤n2， 15nm≤d2≤35nm1.2≤n3≤1.55，25nm≤d3≤45nm1.7≤n4， 50nm≤d4≤130nm1.2≤n5≤1.55，80nm≤d5≤110nm。其中，n1～n5分別為第1～第5層材料的折射率，d1～d5分別為第1～第5層的厚度。
25.權(quán)利要求22所述的光接收裝置，其中，所述防反射層包括形成于樹脂基材上的6層，第1層由高折射率材料形成，第2層由低折射率材料形成，第3層由高折射率材料形成，第4層由低折射率材料形成，第5層由高折射率材料形成，第6層由低折射率材料形成，并且第1～第6層以所述順序?qū)盈B于樹脂基材上且滿足下式1.7≤n1， 8nm≤d1≤15nm1.2≤n2≤1.55，35nm≤d2≤55nm1.7≤n3， 40nm≤d3≤60nm1.2≤n4≤1.55，10nm≤d4≤17nm1.7≤n5， 45nm≤d5≤90nm1.2≤n6≤1.55，70nm≤d6≤110nm其中，n1～n6分別為第1～第6層材料的折射率，d1～d6分別為第1～第6層的厚度。
26.權(quán)利要求22所述的光接收裝置，其中，所述防反射層包括形成于樹脂基材上的7層，第1層由低折射率材料形成，第2層由高折射率材料形成，第3層由低折射率材料形成，第4層由高折射率材料形成，第5層由低折射率材料形成，第6層由高折射率材料形成，第7層由低折射率材料形成，并且第1～第7層以所述順序?qū)盈B于樹脂基材上且滿足下式1.2≤n1≤1.55，80nm≤d1≤160nm1.7≤n2， 10nm≤d2≤25nm1.2≤n3≤1.55，33nm≤d3≤45nm1.7≤n4， 40nm≤d4≤85nm1.2≤n5≤1.55，10nm≤d5≤20nm1.7≤n6， 6nm≤d6≤70nm1.2≤n7≤1.55，60nm≤d7≤110nm其中，n1～n7分別為第1～第7層材料的折射率，d1～d7分別為第1～第7層的厚度。
27.權(quán)利要求22所述的光接收裝置，其中，所述低折射率層包括從氧化硅、和氧化硅與氧化鋁的混合物中選取的材料或材料的混合物為主成分，所述高折射率層包括從氧化鉿、鋁酸鑭、氧化鋯、氧化鉭和氮化硅中選取的材料或材料的混合物為主成分。
28.權(quán)利要求22所述的光接收裝置，其中，所述光接收裝置還具有第2光源，該第2光源射出在滿足下式的波長λ2和波長λ3之間的至少1種波長的光束，620nm≤λ2≤670nm，760nm≤λ3≤800nm，并且光學元件透過第1和第2光源射出的光束。
29.權(quán)利要求16所述的光接收裝置，其中，光學元件為物鏡。
30.權(quán)利要求16所述的光接收裝置，其中，所述具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物包含重均分子量(Mw)為1000～1000000的重復單元，重復單元包括通式(1)所示的具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的重復單元(a)和通式(2)或(3)所示的鏈狀結(jié)構(gòu)的重復單元(b)，重復單元(a)和重復單元(b)的合計含量為90重量％以上，重復單元(b)的含量為1重量％以上、不足10重量％， 其中，X表示脂環(huán)式烴基， 通式(1)、(2)和(3)中的R1～R13均各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、烷氧基、羥基、醚基、酯基、氰基、酰胺基、亞氨基、甲硅烷基、或鏈狀烴基，條件是鏈狀烴基可以被鹵素原子、烷氧基、羥基、醚基、酯基、氰基、酰胺基、亞氨基或甲硅烷基的極性基團取代，并且通式(3)中的……表示碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵。
31.權(quán)利要求30所述的光接收裝置，其中，所述具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物包含具有通式(11)所示重復單元[1]的聚合物嵌段[A]、具有通式(11)所示重復單元[1]和通式(12)所示重復單元[2]或/和通式(13)所示重復單元[3]的聚合物嵌段[B]，并且所述聚合物嵌段[A]中重復單元[1]的摩爾百分率a(摩爾％)和所述聚合物嵌段[B]中重復單元[1]的摩爾百分率b(摩爾％)滿足a＞b， 其中，R1表示氫原子或具有1～20個碳原子的烷基，R2～R12各自獨立地表示氫原子、具有1～20個碳原子的烷基、羥基、具有1～20個碳原子的烷氧基或鹵素原子， 其中，R13表示氫原子或具有1～20個碳原子的烷基， 其中，R14和R15各自獨立地表示氫原子或具有1～20個碳原子的烷基。
全文摘要
用于光接收裝置的光學元件，其包括樹脂制的基材、涂布在基材上并且具有低折射率層和高折射率層的防反射層，其中，上述樹脂包括具有脂環(huán)式結(jié)構(gòu)的聚合物，上述低折射率層由從氧化硅、氟化鋁、氟化釔、氟化鎂、氧化硅和氧化鋁的混合物、或這些的混合物中選取的材料形成，上述高折射率層由從氧化鈧、氧化鈮、氧化鑭、鈦酸鐠、鈦酸鑭、鋁酸鑭、氧化釔、氧化鉿、氧化鋯、氧化鉭、氧化鉭和鈦的混合物、氮化硅、或這些的混合物中選取的材料形成。
文檔編號G02B1/11GK1657976SQ20051000945
公開日2005年8月24日 申請日期2005年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月16日
發(fā)明者太田達男, 野崎隆, 江黑彌生, 小島健 申請人:柯尼卡美能達精密光學株式會社