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      多邊形熱鍵合復(fù)合激光介質(zhì)及其制備方法

      文檔序號:2779303閱讀:279來源:國知局
      專利名稱:多邊形熱鍵合復(fù)合激光介質(zhì)及其制備方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及光學(xué)領(lǐng)域,具體的說是一種多邊形熱鍵合復(fù)合激光介質(zhì)的制備方法。
      背景技術(shù)
      激光工作物質(zhì)是激光器的核心組成部分。工作物質(zhì)是指能夠產(chǎn)生受激輻射的材料。
      傳統(tǒng)的激光工作物質(zhì)元件是同一單晶或玻璃的單一整體,在此單晶或玻璃內(nèi)部沒有任何加工機(jī)械、光學(xué)、化學(xué)加工和處理,定義此為單一激光工作物質(zhì),如Nd:YAG棒、Nd:YAG薄盤、Nd:YAG板條、釹玻璃等。
      隨著高功率激光器的發(fā)展,這種工作物質(zhì)受到散熱、應(yīng)力、尺寸等的限制,限制了激光功率和光束質(zhì)量。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明設(shè)計出了新型的激光工作物質(zhì),這種激光工作物質(zhì)不再是單一工作物質(zhì),而是由多個(包括一個)單一工作物質(zhì)和其它晶體或玻璃經(jīng)過熱鍵合工藝鍵合在一起的工作物質(zhì),稱為復(fù)合激光工作介質(zhì)。
      技術(shù)方案多邊形熱鍵合復(fù)合激光介質(zhì),是二塊或多塊介質(zhì)構(gòu)成的結(jié)合整體,所述的介質(zhì)選自下列之一(1)、摻雜的激光晶體,如Nd:YAG、Cr:YAG、Nd:GGG、Yb:GGG;(2)、未摻雜的晶體,如YAG、GGG、GdVO4、YVO4、KTP;(3)、摻雜激光玻璃,如釹玻璃;(4)、未摻雜玻璃,如普通光學(xué)玻璃。
      所述的復(fù)合激光介質(zhì),其特征在于所述的二塊或多塊介質(zhì)是同種介質(zhì),或者是不同種介質(zhì)。
      多邊形熱鍵合復(fù)合激光介質(zhì)的制備方法,其特征在于將相同的或不相同的二塊或多塊介質(zhì),將其結(jié)合面加工平整光潔,進(jìn)行光學(xué)膠合,并壓緊,再緩慢升溫到一定溫度后,再恒溫保持一定時間,再緩慢降至室溫,實(shí)現(xiàn)介質(zhì)之間的永久性鍵合。
      當(dāng)二塊或多塊介質(zhì)為同基質(zhì)的晶體時,則鍵合平面為同一晶向;當(dāng)二塊或多塊介質(zhì)為非同基質(zhì)的晶體,則要根據(jù)功能的需要分別決定不同晶體的取向。
      二塊或多塊介質(zhì)的鍵合平面的光潔度在光學(xué)二級以上,直至超光滑平面;平面度是零光圈,即N=0。
      壓緊二塊或多塊介質(zhì)的壓強(qiáng)在10牛頓/cm2~1000牛頓/cm2之間,恒溫溫度低于二塊或多塊介質(zhì)中最低的熔點(diǎn)200~300℃。
      發(fā)明原理把二塊或多塊介質(zhì)按一定取向,加工到一定的光潔度、平面度后,在室溫實(shí)現(xiàn)光學(xué)膠合后,給樣品施加一定的壓力,按一定的速率給樣品升溫,溫度升高到一定值后,恒溫一段時間,再按一定的速率降溫到室溫,從而在無須任何粘結(jié)劑的情況下,通過分子的流動,實(shí)現(xiàn)介質(zhì)的永久性鍵合。鍵合后的復(fù)合介質(zhì)為均勻過渡的統(tǒng)一體,鍵合后的統(tǒng)一體的光學(xué)透過率合理論透過相符,且鍵合后的介質(zhì)可經(jīng)受通常的光學(xué)、機(jī)械加工。
      本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)a、有利于復(fù)合介質(zhì)元件的冷卻。
      如果介質(zhì)為未摻雜激光激活離子介質(zhì),則對泵浦光不產(chǎn)生吸收,可作為熱沉散熱。
      b、有利于裝夾結(jié)構(gòu)和冷卻的設(shè)計,不會因?yàn)檫@些結(jié)構(gòu)而影響介質(zhì)的增益。
      c、由于邊緣介質(zhì)一般對激光和泵浦光都沒有吸收,因此,邊緣介質(zhì)的溫升小,介質(zhì)邊緣變形小,有利于保護(hù)介質(zhì)上的鍍膜,提高光束質(zhì)量。
      d、可以用一塊復(fù)合介質(zhì)分別實(shí)現(xiàn)激光的倍頻、調(diào)Q或波導(dǎo)運(yùn)行等功能。也可以使該復(fù)合介質(zhì)同時具有其中的一個或多個功能。


      圖1是本發(fā)明的多邊形熱鍵合復(fù)合激光介質(zhì)A/B示意圖。
      圖2是本發(fā)明的多邊形熱鍵合復(fù)合激光介質(zhì)B/A/B示意圖。
      具體實(shí)施例方式
      參見圖1、圖2。
      圖1中所示,在介質(zhì)A外圍有介質(zhì)B,介質(zhì)A與介質(zhì)B通過分子的相互滲透到對方,形成無縫結(jié)合整體;圖2中所示,依次由B、A、B三塊介質(zhì)構(gòu)成一個整體。所述的介質(zhì)A、B選自下列之一(1)、摻雜的激光晶體,如Nd:YAG、Cr:YAG、Nd:GGG、Yb:GGG;(2)、未摻雜的晶體,如YAG、GGG、GdVO4、YVO4、KTP;(3)、摻雜激光玻璃,如釹玻璃;(4)、未摻雜玻璃,如普通光學(xué)玻璃。
      介質(zhì)A、B可以相同也可以不同。
      制備方法如下將需健合的介質(zhì)A、B的鍵合平面加工平整光潔,鍵合平面的光潔度在光學(xué)二級以上,直至超光滑平面;平面度是零光圈,即N=0,越光越好。將介質(zhì)貼緊,進(jìn)行光學(xué)膠合,并壓緊,壓強(qiáng)在10牛頓/cm2~1000牛頓/cm2之間,再緩慢升溫到一定溫度后,再恒溫保持一定時間,恒溫溫度低于二塊或多塊介質(zhì)中最低的熔點(diǎn)200~300℃。再緩慢降至室溫,實(shí)現(xiàn)介質(zhì)A、介質(zhì)B相互之間的永久性鍵合。
      當(dāng)介質(zhì)A、B為同基質(zhì)的晶體時,則鍵合平面為同一晶向;當(dāng)介質(zhì)A、B為非同基質(zhì)的晶體,則一般A、B的晶體學(xué)取向要根據(jù)功能的需要分別決定它們的取向。
      加熱環(huán)境根據(jù)材料的不同,有的是真空,有的是充有保護(hù)氣體,有的是在大氣環(huán)境當(dāng)中。
      權(quán)利要求
      1.多邊形熱鍵合復(fù)合激光介質(zhì),是二塊或多塊介質(zhì)構(gòu)成的結(jié)合整體,所述的介質(zhì)選自下列之一(1)、摻雜的激光晶體,如Nd:YAG、Cr:YAG、Nd:GGG、Yb:GGG;(2)、未摻雜的晶體,如YAG、GGG、GdVO4、YVO4、KTP;(3)、摻雜激光玻璃,如釹玻璃;(4)、未摻雜玻璃,如普通光學(xué)玻璃。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合激光介質(zhì),其特征在于所述的二塊或多塊介質(zhì)是同種介質(zhì),或者是不同種介質(zhì)。
      3.多邊形熱鍵合復(fù)合激光介質(zhì)的制備方法,其特征在于將相同的或不相同的二塊或多塊介質(zhì),將其結(jié)合面加工平整光潔,進(jìn)行光學(xué)膠合,并壓緊,再緩慢升溫到一定溫度后,再恒溫保持一定時間,再緩慢降至室溫,實(shí)現(xiàn)介質(zhì)之間的永久性鍵合。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多邊形熱鍵合復(fù)合激光介質(zhì)的制備方法,其特征在于當(dāng)二塊或多塊介質(zhì)為同基質(zhì)的晶體時,則鍵合平面為同一晶向;當(dāng)二塊或多塊介質(zhì)為非同基質(zhì)的晶體,則一要根據(jù)功能的需要分別決定不同晶體的取向。
      5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多邊形熱鍵合復(fù)合激光介質(zhì)的制備方法,其特征在于二塊或多塊介質(zhì)的鍵合平面的光潔度在光學(xué)二級以上,直至超光滑平面;平面度是零光圈,即N=0。
      6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多邊形熱鍵合復(fù)合激光介質(zhì)的制備方法,其特征在于壓緊二塊或多塊介質(zhì)的壓強(qiáng)在10牛頓/cm2~1000牛頓/cm2之間,恒溫溫度低于二塊或多塊介質(zhì)中最低的熔點(diǎn)200~300℃。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種多邊形熱鍵合復(fù)合激光介質(zhì)及其制備方法,多邊形熱鍵合復(fù)合激光介質(zhì)是二塊或多塊介質(zhì)構(gòu)成的無縫結(jié)合整體,介質(zhì)選自激光晶體,如Nd:YAG、Cr:YAG、Nd:GGG、Yb:GGG,激光玻璃,如釹玻璃;將相同的或不相同的二塊或多塊介質(zhì),將其結(jié)合面加工平整光潔,進(jìn)行光學(xué)膠合,并壓緊,再緩慢升溫到一定溫度后,再恒溫保持一定時間,再緩慢降至室溫,實(shí)現(xiàn)介質(zhì)之間的永久性鍵合。通過激光介制質(zhì)性的改善,能滿足高功率激光器的發(fā)展需要。
      文檔編號G02B1/00GK1658451SQ20051003766
      公開日2005年8月24日 申請日期2005年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月8日
      發(fā)明者張慶禮, 殷紹唐, 孫敦陸, 王召兵, 蘇靜, 邵淑芳, 谷長江, 黃明芳, 李為民, 張霞 申請人:中國科學(xué)院安徽光學(xué)精密機(jī)械研究所
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