專利名稱：掩模基板的平整度模擬系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域的曝光掩模的制造方法、掩?；逍畔⑸煞椒?、半導(dǎo)體裝置的制造方法、掩?；?、曝光掩模及服務(wù)器。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體器件的微細(xì)化的進(jìn)展，對(duì)光刻工序的微細(xì)化的要求日益提高。器件的設(shè)計(jì)規(guī)則的微細(xì)化已達(dá)0.13μm，必須控制的圖形尺寸精度要求達(dá)到10nm程度的極嚴(yán)格的精度。其結(jié)果是，近年來，半導(dǎo)體制造過程中采用的光刻工序中的問題日益凸現(xiàn)。
問題有作為圖形形成工序的高精度化的要因之一的光刻工序中采用的掩?；宓钠秸?。就是說，在伴隨微細(xì)化的光刻工序中的焦點(diǎn)容限減小中，掩?；宓钠秸纫呀?jīng)不能忽視。
經(jīng)過本發(fā)明人等對(duì)掩?；宓钠秸鹊姆磸?fù)研究的結(jié)果，搞清楚了以下問題。
掩?；宓谋砻嫘螤钋Р钊f(wàn)別，即使是同樣的平整度，也有凸形、凹形、鞍形及其混合形等各種形狀。因此，例如是同樣的平整度，在利用真空吸盤將掩?；逦降骄毓庋b置的掩模臺(tái)的場(chǎng)合，根據(jù)掩模臺(tái)和真空吸盤的性質(zhì)配合情況的不同，可出現(xiàn)在吸附時(shí)掩?；灏l(fā)生大變形的場(chǎng)合，幾乎不變形的場(chǎng)合或相反平整度良好的場(chǎng)合。
這是因?yàn)槲胶蟮难谀；宓钠秸扰c吸附前的掩?；宓谋砻嫘螤钣嘘P(guān)，于是，即使是同樣的掩?；逡矔?huì)因?yàn)檎婵瘴降牟课徊煌淖?。然而，由于過去只對(duì)平整度進(jìn)行管理，由于掩?；宓谋砻嫘螤疃沟迷趯⒀谀；逦降骄毓庋b置的掩模臺(tái)時(shí)出現(xiàn)掩?；迤秸却鬄閻夯膱?chǎng)合。
于是，顯而易見，利用在這種平整度劣化的掩?；迳闲纬蓤D形而得到的曝光掩模制造半導(dǎo)體器件，就成為制品成品率低的重要原因。

發(fā)明內(nèi)容
如上所述，本發(fā)明人等，在對(duì)將掩?；逦降骄毓庋b置的掩模臺(tái)前后的掩?；宓钠秸冗M(jìn)行比較時(shí)，確認(rèn)存在由于掩?；宓谋砻嫘螤疃沟梦胶蟮钠秸葠夯瑥亩l(fā)現(xiàn)這一平整度惡化是制品成品率低的主要原因。
本發(fā)明正是考慮到上述情況而提出的，其目的在于提供可以解決在將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺(tái)后掩?；宓钠秸葠夯鹁毓庋b置制品成品率低的問題的、有效的曝光掩模的制造方法，掩?；逍畔⑸煞椒ǎ雽?dǎo)體裝置的制造方法，掩?；澹毓庋谀＜胺?wù)器。
本發(fā)明的第一方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括對(duì)多個(gè)掩?；宓拿恳粋€(gè)，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示吸附到曝光裝置的掩模臺(tái)前后的上述主面的平整度的第二信息的工序；作成上述各掩?；搴驮撋鲜龅谝恍畔⒑蜕鲜龅诙畔⒌膶?duì)應(yīng)關(guān)系，從作成的對(duì)應(yīng)關(guān)系中選擇表示所希望的平整度的第二信息的工序；將具有與所選擇的此第二信息有著上述對(duì)應(yīng)關(guān)系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩?；澹耘c上述多個(gè)掩?；逵袆e的方式制備的工序；以及在制備的此掩?；迳闲纬伤Ｍ膱D形的工序。
本發(fā)明的第二方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括從表示各掩?；搴透餮谀；宓闹髅娴谋砻嫘螤畹牡谝恍畔⒑捅硎疚降狡毓庋b置的掩模臺(tái)前后的上述主面的平整度的第二信息的對(duì)多個(gè)掩?；宓膶?duì)應(yīng)關(guān)系中，選擇表示所希望的平整度的第二信息，將具有與所選擇的此第二信息有著上述對(duì)應(yīng)關(guān)系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩?；澹耘c上述多個(gè)掩?；逵袆e的方式制備的工序；以及在制備的此掩?；迳闲纬伤Ｍ膱D形的工序。
本發(fā)明的第三方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括對(duì)多個(gè)掩?；宓拿恳粋€(gè)，取得表示主面的表面形狀的信息的工序；作成上述各掩?；搴驮撋鲜鲂畔⒌膶?duì)應(yīng)關(guān)系的工序；從作成的對(duì)應(yīng)關(guān)系中選擇表示凸?fàn)畹谋砻嫘螤畹男畔⒐ば?；從上述多個(gè)掩模基板中選擇具有與所選擇的此信息有著上述對(duì)應(yīng)關(guān)系的掩?；宓倪x擇工序；以及在所選擇的此掩?；迳闲纬伤Ｍ膱D形的工序。
本發(fā)明的第四方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括對(duì)多個(gè)掩?；宓拿恳粋€(gè)，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示根據(jù)測(cè)定裝置測(cè)定的上述主面的平整度和曝光裝置的掩模吸盤的結(jié)構(gòu)將各掩?；逶O(shè)置于上述曝光裝置上時(shí)的模擬所得到的平整度的第二信息的工序；作成上述各掩?；搴驮撋鲜龅谝恍畔⒑蜕鲜龅诙畔⒌膶?duì)應(yīng)關(guān)系的工序；從作成的對(duì)應(yīng)關(guān)系中選擇表示所希望的平整度的第二信息，將具有與所選擇的此第二信息有著上述對(duì)應(yīng)關(guān)系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩?；澹耘c上述多個(gè)掩?；逵袆e的方式制備的工序；以及在制備的此掩?；迳闲纬伤Ｍ膱D形的工序。
本發(fā)明的第五方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括從表示各掩模基板和各掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤畹牡谝恍畔⒑捅硎靖鶕?jù)測(cè)定裝置測(cè)定的上述主面的平整度和曝光裝置的掩模吸盤的結(jié)構(gòu)將各掩?；逶O(shè)置于上述曝光裝置上時(shí)的模擬所得到的平整度的第二信息的對(duì)多個(gè)掩?；宓膶?duì)應(yīng)關(guān)系中，選擇表示所希望的平整度的第二信息，將具有與所選擇的此第二信息有著上述對(duì)應(yīng)關(guān)系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩?；?，以與上述多個(gè)掩模基板有別的方式制備的工序；以及在制備的此掩?；迳闲纬伤Ｍ膱D形的工序。
本發(fā)明的第六方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括取得表示各掩?；甯餮谀；宓闹髅娴谋砻嫘螤畹牡谝恍畔⒌墓ば?；取得表示根據(jù)上述掩?；宓闹髅娴钠秸群推毓庋b置的掩模吸盤的結(jié)構(gòu)將上述掩模基板設(shè)置于上述曝光裝置上時(shí)的模擬所得到的平整度的第二信息的工序；以及判斷根據(jù)上述模擬所取得的上述掩?；宓闹髅娴钠秸仁欠窈虾跻?guī)格并在判斷合乎規(guī)格時(shí)處理上述掩模基板形成曝光掩模的工序。
本發(fā)明的第七方面的掩?；逍畔⑸煞椒ǖ奶卣髟谟诎▽?duì)多個(gè)掩模基板的每一個(gè)，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示吸附到曝光裝置的掩模臺(tái)前后的上述主面的平整度的第二信息的工序；以及對(duì)應(yīng)地存儲(chǔ)上述各掩?；搴蜕鲜龅谝恍畔⒓吧鲜龅诙畔⒌墓ば颉?br> 本發(fā)明的第八方面的掩?；逍畔⑸煞椒ǖ奶卣髟谟诎▽?duì)多個(gè)掩模基板的每一個(gè)，取得表示主面的表面形狀的信息的工序；以及存儲(chǔ)在所取得的信息中表示主面的表面形狀為凸?fàn)畹男畔⒓芭c其相對(duì)應(yīng)的掩?；宓墓ば?。
本發(fā)明的第九方面的掩?；逍畔⑸煞椒ǖ奶卣髟谟诎▽?duì)多個(gè)掩?；宓拿恳粋€(gè)，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示根據(jù)測(cè)定裝置測(cè)定的上述主面的平整度和曝光裝置的掩模吸盤的結(jié)構(gòu)將各掩模基板設(shè)置于上述曝光裝置上時(shí)的模擬所得到的平整度的第二信息的工序；以及對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)上述各掩?；搴蜕鲜龅谝恍畔⒑蜕鲜龅诙畔⒌墓ば颉?br> 本發(fā)明的第十方面的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于包括將利用上述第一至第三方面任何一個(gè)的曝光掩模的制造方法制造的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺(tái)上的工序；利用照明光學(xué)系統(tǒng)對(duì)形成于上述曝光掩模上的圖形進(jìn)行照明，在所希望的基板上成像形成上述圖形的像的工序；以及根據(jù)上述成像使上述所希望的基板上的上述成像所形成的層圖形化，并用于半導(dǎo)體元件的形成的工序。
本發(fā)明的第十一方面的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于包括具備由具有主面的基板和在上述主面上形成的遮光體所組成的圖形，將上述主面的周邊區(qū)域的表面形狀朝向上述基板的周緣側(cè)，高度較上述主面的中央?yún)^(qū)域的表面低的形狀的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺(tái)上的工序；利用照明光學(xué)系統(tǒng)對(duì)形成于上述曝光掩模上的圖形進(jìn)行照明，利用投影光學(xué)系統(tǒng)使上述圖形的像在所希望的基板上形成成像的工序；以及根據(jù)上述成像使上述所希望的基板上的上述成像所形成的層圖形化，并用于半導(dǎo)體元件的形成的工序。
本發(fā)明的第十二方面的掩?；宓奶卣髟谟诰邆溆删哂兄髅娴幕搴透采w上述主面的遮光體組成的圖形，上述主面的周邊區(qū)域的表面形狀為朝向上述基板的周緣側(cè)，高度較上述主面的中央?yún)^(qū)域的表面低的形狀。
本發(fā)明的第十三方面的曝光掩模的特征在于具備由具有主面的基板和在上述主面上形成的遮光體所組成的圖形，上述主面的周邊區(qū)域的表面形狀為朝向上述基板的周緣側(cè)，高度較上述主面的中央?yún)^(qū)域的表面低的形狀。
本發(fā)明的第十四方面的服務(wù)器的特征在于包括用來對(duì)包含表示各掩?；搴透餮谀；宓闹髅娴谋砻嫘螤畹牡谝恍畔⒑捅硎疚降狡毓庋b置的掩模臺(tái)前后的上述主面的平整度的第二信息的多個(gè)掩?；宓膶?duì)應(yīng)關(guān)系的信息的頁(yè)面，進(jìn)行存儲(chǔ)處理的單元；對(duì)來自客戶機(jī)的要求提供上述頁(yè)面的消息進(jìn)行接收處理的單元；以提出要求的客戶機(jī)側(cè)可以顯示的形式對(duì)上述頁(yè)面進(jìn)行發(fā)送處理的單元；以及對(duì)從上述頁(yè)面發(fā)送到的上述客戶機(jī)側(cè)發(fā)來的上述基板掩模的申請(qǐng)消息進(jìn)行處理的單元。
對(duì)于本發(fā)明的上述以及其他的目的和新特征，根據(jù)本說明書的記載和附圖可以得到清楚的了解。


圖1為示出本發(fā)明的第1實(shí)施方案的曝光掩模的制造方法的流程圖。
圖2(a)為掩?；?的主面的平面圖，用于說明第1及第2區(qū)域；圖2(b)為用于說明掩模基板的第1區(qū)域1的斷面圖；圖2(c)為用于說明掩?；宓牡?區(qū)域1的另一斷面圖；圖2(d)為用于說明掩?；宓牡?區(qū)域2的斷面圖。
圖3(a)為用于說明掩?；?的第1區(qū)域1的概略斜視圖；圖3(b)為用于說明掩?；?的第1區(qū)域1的另一概略斜視圖；圖3(c)為用于說明掩?；?的第1區(qū)域1的另一概略斜視圖；圖3(d)為用于說明掩?；?的第1區(qū)域1的另一概略斜視圖。
圖4為示出本發(fā)明的第3實(shí)施方案的曝光掩模的制造方法的流程的流程圖。
圖5為示出本發(fā)明的第4實(shí)施方案的曝光掩模的制造方法的流程的流程圖。
圖6為示出本發(fā)明的第6實(shí)施方案的服務(wù)器的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方案予以說明。
(第1實(shí)施方案)圖1為示出本發(fā)明的第1實(shí)施方案的曝光掩模的制造方法的流程圖。
首先，制備由在大小為152mm見方、厚度為約6mm的石英基板上形成涂覆它的遮光體而構(gòu)成的11片掩?；錋～K，對(duì)這些掩模基板A～K的每一個(gè)，都利用基板平整度測(cè)定裝置(ニデツク公司制)測(cè)定主面，并取得在利用真空吸盤吸附到曝光裝置的掩模臺(tái)之前的11片掩?；錋～K的主面的形狀及平整度(步驟S1)。
此處，測(cè)定在圖2(a)中除掉掩?；宓闹芫墔^(qū)域的142mm見方的區(qū)域(第1區(qū)域)1的平整度。第1區(qū)域1實(shí)際上是形成圖形的圖形形成區(qū)域。
另外，在此實(shí)施方案中，第1區(qū)域1的表面形狀的凸凹，分別如圖2(b)，圖2(c)所示，意味著相對(duì)第1區(qū)域1的兩端的連線L1為上凸及下凹的形狀。圖3(a)，圖3(b)分別大概示出表面形狀為上凸及下凹的情況。
另一方面，第2區(qū)域2的表面形狀的凸凹，如圖2(d)所示，意味著朝著掩?；宓闹芫壊浚叨容^之第1區(qū)域1的表面低的形狀情況(凸)或高的形狀的情況(凹)。另外，對(duì)于第2區(qū)域2將在第2實(shí)施方案中予以詳細(xì)描述。
之后，根據(jù)所取得的上述結(jié)果，對(duì)11片掩?；錋～K按照其各自的表面形狀進(jìn)行分類(步驟S2)。其結(jié)果如表1所示。表面形狀的種類(第1信息)，可根據(jù)上述的測(cè)定結(jié)果分類為凸型、凹型、鞍型及半圓錐型。另外，在利用吸盤吸附到曝光裝置的掩模臺(tái)之前的第1區(qū)域1的平整度的測(cè)定值(第2信息)在0.4～0.5μm的范圍內(nèi)。圖3(c)、圖3(d)分別大概示出表面形狀為鞍型、半圓錐型的情況。
表1

之后，利用真空吸盤依次將上述11片掩?；錋～K吸附到ArF晶片曝光裝置(尼康公司制)的掩模臺(tái)上，并對(duì)利用真空吸盤吸附后的各掩模基板的主面的平整度進(jìn)行測(cè)定(步驟S3)。此處，測(cè)定除掉掩模基板的周緣區(qū)域的142mm見方的區(qū)域第1區(qū)域1(圖2(a))的平整度。其后如表1所示，對(duì)11片掩?；錋～K，生成表面形狀的種類和利用真空吸盤吸附前后的平整度的值的對(duì)應(yīng)關(guān)系(步驟S4)。
從表1可知，表面形狀為凸型的掩?；錋～C的吸附后的平整度與吸附前相同或稍好，而表面形狀為凹型或鞍型的掩模基板D～G的平整度在吸附后大大惡化。
另外，對(duì)于表面形狀為半圓錐型的掩?；?，平整度是分別對(duì)掩?；宓呐渲梅较虬凑瘴降囊?guī)定方向配置(掩?；錒，I)和在與規(guī)定方向正交即旋轉(zhuǎn)90度的方向上配置而改變吸附掩?；宓牟课?掩?；錔、K)兩種的情況進(jìn)行測(cè)定的。
可以看到，其結(jié)果，如表1所示，半圓錐型的掩?；錒～K的真空吸附后平整度隨掩模基板相對(duì)吸附的配置方向而改變。
就是說，可以看到，半圓錐型的掩?；錒～K的真空吸附后平整度因吸附掩?；宓牟课徊煌淖?。
具體而言，象掩?；錒、I那樣，如果在掩模臺(tái)上的掩模基板的配置方向相對(duì)吸附是按照規(guī)定方向配置，則描繪半圓錐形弧線的邊為位于曝光裝置的掩模臺(tái)的吸附部位，平整度幾乎無改善，另一方面，如掩?；錔、K，如在旋轉(zhuǎn)90度的方向上配置，則描繪半圓錐形弧線的邊不位于曝光裝置的掩模臺(tái)的吸附部位，平整度小于0.3μm，可以確認(rèn)平整度有改善(表1)。另外，在表1未示出其他的表面形狀的掩?；錋～G旋轉(zhuǎn)情況的理由是，即使旋轉(zhuǎn)平整度也沒有改善。
之后，在以上述方式預(yù)先了解了真空吸附的吸附前后的表面形狀的種類及平整度的值的11片掩?；錋～K組成的掩?；褰M中，選擇出具有符合規(guī)格的平整度掩模基板，并另外制備與其表面形狀種類相同的11片掩?；錋～K(步驟S5)。此處，作為這種另外制備的掩?；?，選擇與掩模基板J形狀相同的掩?；宓膱?chǎng)合進(jìn)行說明。
另外，因?yàn)檠谀；錋～K與上述另外制備的掩模基板是在圖形形成區(qū)域的平整度處于規(guī)定的規(guī)格內(nèi)的情況下形成的，但表面形狀會(huì)因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)偏差而產(chǎn)生差異。
之后，在上述另外制備的掩?；迳贤扛补饪棠z。
其后，接著進(jìn)行眾所周知的制造方法的曝光掩模制作工序。就是說，利用電子束掃描裝置對(duì)掩?；迳系墓饪棠z掃描出所希望的圖形。然后，將光刻膠顯影而形成光刻膠圖案，之后以此光刻膠圖形作為掩模，利用反應(yīng)離子蝕刻裝置對(duì)掩?；宓恼诠怏w進(jìn)行蝕刻加工而形成遮光體圖形。其后，剝離光刻膠圖形，清洗掩?；灞砻?，就完成具有所希望的掩模圖形的曝光掩模(步驟S6)。另外，上述的所希望的圖形，例如包含電路圖形、或是包含電路圖形及對(duì)準(zhǔn)用圖形。
將這樣得到的曝光掩模置于ArF晶片曝光裝置中，測(cè)定平整度時(shí)可確認(rèn)為0.2μm的良好值。于是，如果采用將這種平整度高的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺(tái)上，利用照明光學(xué)系統(tǒng)對(duì)在上述曝光掩模上形成的圖形進(jìn)行照明，利用投影光學(xué)系統(tǒng)將上述圖形的像成像于所希望的基板(例如涂覆光刻膠的基板)上的曝光方法，可格外增加晶片曝光時(shí)的焦點(diǎn)容限，大大提高DRAM等的半導(dǎo)體制品的成品率。
這樣，根據(jù)本實(shí)施方案，可解決由于將掩?；逦降骄毓庋b置的掩模臺(tái)而使掩?；宓闹髅娴钠秸葠夯鸬闹破烦善仿实偷膯栴}，從而實(shí)現(xiàn)有效的曝光掩模的制造方法。
掩模基板A～K及上述另外制備的掩?；?，最好預(yù)先形成位置對(duì)準(zhǔn)用的標(biāo)記。另外，作為將掩?；逦降窖谀Ｅ_(tái)的裝置，也不限于真空吸盤。
(第2實(shí)施方案)在第1實(shí)施方案中，只是對(duì)示于圖2(a)的掩?；?的主面的第1區(qū)域1取得表面形狀及平整度(步驟S1)，而在本實(shí)施方案中是對(duì)第1區(qū)域1和包圍此第1區(qū)域1的第2區(qū)域這2兩個(gè)區(qū)域取得表面形狀及平整度。
此處，第1區(qū)域1為以掩模基板中心為區(qū)域中心，一邊的長(zhǎng)度為142mm的矩形區(qū)域，第2區(qū)域2為包圍第1區(qū)域1，一邊的長(zhǎng)度為150mm的口狀區(qū)域(從矩形區(qū)域中去掉以此矩形區(qū)域的中心為區(qū)域中心且較其為小的矩形區(qū)域后的區(qū)域)。在將掩?；?設(shè)置于曝光裝置的掩模臺(tái)上之際，利用真空吸盤吸附的區(qū)域(掩模吸附區(qū)域)大致包含第2區(qū)域2。就是說，用來將掩?；逦降窖谀Ｅ_(tái)上的力大體作用在第2區(qū)域2上。
在現(xiàn)有技術(shù)的延長(zhǎng)線上，如果不僅考慮管理圖形形成區(qū)域，也包括掩模吸附區(qū)域的平整度，則第1區(qū)域1變大，由此就變成管理包含掩模吸附區(qū)域的區(qū)域的平整度。
然而，在現(xiàn)在的掩模制造技術(shù)中，要使掩?；?的主面整個(gè)平整是非常困難的，現(xiàn)在的情況是掩?；?的主面的平整度在端部急劇惡化，因此如果加大第1區(qū)域1，掩?；?的中心部的平整度良好，但掩?；?的端部的平整度很壞，因此掩?；?的主面的整體的平整度的測(cè)定結(jié)果下降。因此，在本實(shí)施方案中，如上所述，對(duì)包含掩模中心的第1區(qū)域1和包圍它的第2區(qū)域2分別取得平整度及表面形狀。
對(duì)在大小為152mm見方、厚度為約6mm的石英基板上形成遮光體而構(gòu)成的掩?；宓闹髅娴钠秸?、及表面形狀利用基板平整度測(cè)定裝置(ニデツク公司制)進(jìn)行測(cè)定，并制備第1區(qū)域1的平整度和表面形狀、第2區(qū)域2的平整度和表面形狀分別不同的13片掩?；錋～M。
之后，依次將上述13片掩?；錋～M吸附到ArF晶片曝光裝置(尼康公司制)的掩模臺(tái)上，并對(duì)利用真空吸盤吸附后的各掩?；宓闹髅娴钠秸冗M(jìn)行測(cè)定。
之后，對(duì)13片掩?；錋～M，作成表面形狀的種類和利用真空吸盤吸附前后的第1及第2區(qū)域的平整度的值的對(duì)應(yīng)關(guān)系，其結(jié)果如表2所示。
表4

如表2-4所示，在耐劃傷性和耐熱性方面，使用了實(shí)施例1或3的丸的實(shí)施例4-9的涂有抗反射膜的塑料透鏡，好于使用了對(duì)比例1的丸的對(duì)比例2-4的涂有抗反射膜的塑料透鏡，此外，暴露在大氣中后，前者的耐熱性隨時(shí)間的降低比后者小。從實(shí)施例5、7和9的涂有抗反射膜的塑料透鏡的數(shù)據(jù)來看，由于實(shí)施例3的丸中五氧化二鈮的混合比提高了，因而經(jīng)涂覆透鏡的折射率和吸光度降低了。
本申請(qǐng)的實(shí)施例闡述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案。但是，混合比處在實(shí)施例混合比范圍內(nèi)的組合物也是優(yōu)選的。同樣，厚度處在實(shí)施例所述厚度范圍內(nèi)的抗反射膜也是優(yōu)選的。最后，層結(jié)構(gòu)屬于實(shí)施例中公開的層結(jié)構(gòu)的光學(xué)元件也是優(yōu)選的。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)正如上文中詳細(xì)闡述的，按照本發(fā)明方法獲得的汽相沉積用組合物即便是在合成樹脂基材上也能形成高折射層，所述的合成樹脂基材必須在低溫、短時(shí)間、且不使用離子槍或等離子體設(shè)備的條件下進(jìn)行汽相沉積；不損傷所形成的高折射層所固有的良好物理性能，即，所形成的高折射層具有高折射性；而且，包含著形成在這種合成樹脂基材上的高折射層的抗反射膜具有良好的耐劃傷性、良好的耐化學(xué)性和良好的耐熱性，且抗反射膜的耐熱性隨時(shí)間降低很少。
具體而言，如果在掩模臺(tái)上的掩?；宓呐渲梅较蛳鄬?duì)吸附是按照規(guī)定方向配置，則描繪半圓錐形弧線的邊為位于曝光裝置的掩模臺(tái)的吸附部位，平整度低下，另一方面，如果在旋轉(zhuǎn)90度的方向上配置，則描繪半圓錐形弧線的邊不位于曝光裝置的掩模臺(tái)的吸附部位，平整度小于0.4μm，可以確認(rèn)在此方向(旋轉(zhuǎn)90度的方向)上配置的大部分的掩?；宓钠秸扔懈纳?。
另外，還確認(rèn)在利用真空吸盤吸附后的第1區(qū)域的平整度幾乎與吸附前的第1區(qū)域的表面形狀沒有關(guān)系。就是說，在利用真空吸盤吸附前后的掩?；宓闹髅娴男螤钭兓瘞缀跏怯傻?區(qū)域的表面形狀決定。
此外，可以確認(rèn)，盡管第2區(qū)域的平整度與第1區(qū)域的平整度相比較，數(shù)值格外地差，在第2區(qū)域的表面形狀為凸形的場(chǎng)合，在利用真空吸盤吸附后的掩?；宓牡?區(qū)域的表面形狀幾乎不改變。
從以上看出，通過對(duì)多個(gè)掩模基板形成其第1區(qū)域1及第2區(qū)域2的表面形狀的種類和在利用真空吸盤吸附前后的掩?；逯髅娴钠秸鹊闹档膶?duì)應(yīng)關(guān)系，就不需要為了掩模吸附區(qū)域的平整度進(jìn)行管理而將掩?；宓牡?區(qū)域1擴(kuò)大到必要以上，可以不必將第1區(qū)域1的平整度提高到必要以上的嚴(yán)格的數(shù)值，而可以將其設(shè)定為現(xiàn)實(shí)的數(shù)值。并且，通過考慮第2區(qū)域2的表面形狀，可以更可靠地選擇在利用真空吸盤吸附前后的掩?；逯髅娴牡钠秸鹊淖兓〉难谀；濉?br> 之后，在以上述方式預(yù)先了解了真空吸附的吸附前的第1區(qū)域1及第2區(qū)域2的表面形狀的種類及掩?；逯髅娴奈胶蟮钠秸鹊闹档?3片掩模基板A～M組成的掩?；褰M中，選擇出具有符合規(guī)格的平整度掩?；澹⒘硗庵苽渑c其表面形狀種類相同的13片掩?；錋～M。
此處，作為這種另外制備的掩?；?，制備與掩?；錐表面形狀(第1區(qū)域?yàn)榘迹?區(qū)域?yàn)橥?相同的掩?；?。對(duì)此掩模基板的測(cè)定結(jié)果為，第1區(qū)域的平整度在0.3μm以下，第2區(qū)域的平整度在4μm以下。
之后，在掩?；迳贤扛补饪棠z。
其后，接著進(jìn)行眾所周知的制造方法的曝光掩模制作工序。就是說，利用電子束掃描裝置對(duì)掩模基板上的光刻膠掃描出所希望的圖形。然后，將光刻膠顯影而形成光刻膠圖形，之后以此光刻膠圖形作為掩模，利用反應(yīng)離子蝕刻裝置對(duì)掩?；宓恼诠怏w進(jìn)行蝕刻加工而形成遮光體圖形。其后，剝離光刻膠圖形，清洗掩?；灞砻妫屯瓿删哂兴Ｍ难谀D形的曝光掩模。另外，上述的所希望的圖形，例如包含電路圖形，或是包含電路圖形及位置對(duì)準(zhǔn)用圖形。
將這樣得到的曝光掩模置于ArF晶片曝光裝置中，測(cè)定第1區(qū)域1的平整度時(shí)，可確認(rèn)為0.2μm的良好的平整度。于是，如果采用將這種平整度高的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺(tái)上，利用照明光學(xué)系統(tǒng)對(duì)在上述曝光掩模上形成的圖形進(jìn)行照明，利用投影光學(xué)系統(tǒng)將上述圖形的像成像于所希望的基板(例如涂覆光刻膠的基板)上的曝光方法，可格外增加晶片曝光時(shí)的焦點(diǎn)容限，大大提高DRAM等的半導(dǎo)體制品的成品率。
這樣，根據(jù)本實(shí)施方案，與第1實(shí)施方案同樣，可解決由于將掩?；逦降骄毓庋b置的掩模臺(tái)而使掩模基板的主面的平整度惡化所引起的制品成品率低的問題，實(shí)現(xiàn)有效的曝光掩模的制造方法。
掩?；錋～M及上述另外制備的掩?；?，最好預(yù)先形成位置對(duì)準(zhǔn)用的標(biāo)記。另外，作為將掩?；逦降窖谀Ｅ_(tái)的裝置也不限于真空吸盤。
另外，從表2可知，第2區(qū)域的表面形狀為凸?fàn)顣r(shí)在利用真空吸盤吸附后的第1區(qū)域的平整度良好，所以也可以作成并使用第2區(qū)域的表面形狀為凸?fàn)畹难谀；寤蚱毓庋谀！?br> 在第2區(qū)域2中，具有如上表面形狀即凸?fàn)畹难谀；寤蚱毓庋谀?，可以利用例如，與石英基板的周緣區(qū)域及其內(nèi)側(cè)區(qū)域(中央?yún)^(qū)域)相比中央?yún)^(qū)域的研磨速率高這一點(diǎn)來得到。具體而言，利用研磨裝置對(duì)石英基板的主面以比過去長(zhǎng)的時(shí)間進(jìn)行研磨而得到。其后，按照眾所周知的方法，使遮光體成膜而得到掩?；?，并且通過遮光體圖形化而得到曝光掩模。
于是，如果采用將形成具有這種表面形狀(此處為凸?fàn)?的第2區(qū)域的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺(tái)上，利用照明光學(xué)系統(tǒng)對(duì)在上述曝光掩模上形成的圖形進(jìn)行照明，利用投影光學(xué)系統(tǒng)將上述圖形的像成像于所希望的基板(例如涂覆光刻膠的基板)上的曝光方法，與第1實(shí)施方案一樣，可格外增加晶片曝光時(shí)的焦點(diǎn)容限，大大提高DRAM等的半導(dǎo)體制品的成品率。
另外，過去對(duì)石英基板進(jìn)行研磨是要使整個(gè)主面盡量平整。為此，力求控制研磨速率使其不要有明顯的差別，使研磨時(shí)間長(zhǎng)。所以，即使是由于研磨的標(biāo)準(zhǔn)偏差而引起第2區(qū)域的表面形狀變成凸?fàn)罨虬紶?，其程度較之本實(shí)施方案的的掩模基板或曝光掩模的程度明顯地小。
(第3實(shí)施方案)在本實(shí)施方案中，與在利用真空吸盤吸附后的掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤钕喈?dāng)?shù)难谀；宓闹髅娴谋砻嫘螤钍抢媚M取得的。
首先，通過利用基板平整度測(cè)定裝置(ニデツク公司制)進(jìn)行測(cè)定而求出在大小為152mm見方、厚度為約6mm的石英基板上形成遮光體而構(gòu)成的掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤罴捌秸?、圖形形成區(qū)域(圖2(a)的第1區(qū)域1)的平整度，并制備表面形狀和平整度分別不同的13片掩?；錋～M。
之后，根據(jù)ArF晶片曝光裝置(尼康公司制)的掩模吸盤結(jié)構(gòu)和上述13片掩?；錋～M的主面的上述測(cè)定的平整度，利用有限元法對(duì)利用真空吸盤將13片掩?；錋～M順序吸附到ArF晶片曝光裝置的掩模臺(tái)上時(shí)的掩模基板A～M的主面的平整度經(jīng)模擬而取得。另外，也可采用解析法代替有限元法。接著，為確認(rèn)這一模擬是否正確，將上述13片掩?；錋～M利用真空吸盤順序?qū)嶋H吸附到ArF晶片曝光裝置，并測(cè)定在利用真空吸盤吸附后的各掩?；宓闹髅娴钠秸?。可以確認(rèn)，其結(jié)果為，由模擬取得的掩?；錋～M的主面的平整度與實(shí)際上置于ArF晶片曝光裝置中利用基板平整度測(cè)定裝置進(jìn)行測(cè)定和經(jīng)濟(jì)最大的有效PPI分別等于16.3、22.6、27.6、和33.9。另外，當(dāng)視野等于1.19m時(shí)，在進(jìn)行渲染的情況下，子像素渲染最大PPI約等于49。上述等于30.6的有效PPI設(shè)置在理想PPI和經(jīng)濟(jì)最大PPI值之間，因此，根據(jù)該實(shí)施例在LCD上的渲染被認(rèn)為有效。
表1

因此，根據(jù)本發(fā)明的顯示器不用縮放器，而通過根據(jù)垂直分辨率渲染圖像信號(hào)而消除了圖像信號(hào)的失真。縮放器的省去降低了制造成本。
上述LCD可以由其他顯示器如PDP或OLED代替。
盡管這里詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)清楚地明白，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，對(duì)這里講述的基本發(fā)明構(gòu)思的很多變化和/或修改將仍然落入如所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)。
圖4為示出本發(fā)明的第3實(shí)施方案的曝光掩模的制造方法的流程圖。在圖4的流程圖中，在步驟S3中，通過模擬取得在利用真空吸盤吸附掩?；鍟r(shí)的掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤?。于是，在步驟S4中，生成利用表面形狀和基板平整度測(cè)定裝置取得的平整度和通過模擬取得的平整度的對(duì)應(yīng)關(guān)系。步驟S1、S2、S5、S6與圖1中的相同。
之后，在步驟S5中利用基板平整度測(cè)定裝置測(cè)定掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤?，并且在上述13片掩?；錋～M之外，另外制備利用真空吸盤將掩?；逡来挝降狡毓庋b置的掩模臺(tái)時(shí)的掩模基板的主面的表面形狀通過模擬為0.2μm的平整度的掩?；濉?br> 之后，在步驟S6中，繼續(xù)眾所周知的制造方法的曝光掩模制造工序。就是說，利用電子束掃描裝置對(duì)掩?；迳系墓饪棠z掃描出所希望的圖形。然后，將光刻膠顯影而形成光刻膠圖形，之后以此光刻膠圖形作為掩模，利用反應(yīng)離子蝕刻裝置對(duì)掩模基板的遮光體進(jìn)行蝕刻加工而形成遮光體圖形(掩模圖形)。其后，剝離光刻膠圖形，清洗掩模基板表面，就完成具有所希望的掩模圖形的曝光掩模。將此曝光掩模實(shí)際置于ArF晶片曝光裝置中，利用基板平整度測(cè)定裝置測(cè)定其主面的表面形狀及平整度時(shí)為與模擬值相同的0.2μm的平整度，可確認(rèn)為良好的平整度。于是，如果采用將這種平整度高的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺(tái)上，利用照明光學(xué)系統(tǒng)對(duì)在上述曝光掩模上形成的圖形進(jìn)行照明，利用投影光學(xué)系統(tǒng)將上述圖形的像成像于所希望的基板(例如涂覆光刻膠的基板)上的曝光方法，可格外增加晶片曝光時(shí)的焦點(diǎn)容限，大大提高DRAM等的半導(dǎo)體制品的成品率。
這樣，根據(jù)本實(shí)施方案，也可與第1實(shí)施方案、第2實(shí)施方案一樣，解決由于將掩?；逦降骄毓庋b置的掩模臺(tái)而使掩?；宓闹髅娴钠秸葠夯鸬闹破烦善仿实偷膯栴}，實(shí)現(xiàn)有效的曝光掩模的制造方法。
掩?；錋～M及上述另外制備的掩?；?，最好預(yù)先形成位置對(duì)準(zhǔn)用的標(biāo)記。另外，作為將掩?；逦降窖谀Ｅ_(tái)的裝置也不限于真空吸盤。
在上述各實(shí)施方案中，例如，晶片曝光裝置也可以不是ArF晶片曝光裝置。另外，在掩模圖形形成之后，再測(cè)定掩?；宓闹髅娴钠秸?，從該測(cè)定數(shù)據(jù)通過模擬取得在將掩?；逯糜谄毓庋b置時(shí)的掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤钜部梢?。由此，在形成掩模圖形時(shí)生成的掩?；宓闹髅娴淖冃我部杉{入通過模擬取得的結(jié)果，可以管理更高精度的掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤罴捌秸?。此外，掩模也不限定ArF用或KRF用的，例如，也可應(yīng)用真空紫外線曝光用的反射型掩模、X射線曝光用掩模、電子束曝光掩模等掩模。
(第4實(shí)施方案)在本實(shí)施方案中，與在利用真空吸盤吸附后的掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤钕喈?dāng)?shù)难谀；宓闹髅娴谋砻嫘螤钍抢媚M取得的。
圖5為示出本實(shí)施方案的曝光掩模的制造方法的流程圖。
在步驟S1中，通過利用基板平整度測(cè)定裝置(ニデツク公司制)進(jìn)行測(cè)定而求出在大小為152mm見方、厚度為約6mm的石英基板上形成遮光體而構(gòu)成的一片掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤罴捌秸?、圖形形成區(qū)域(圖2(a)的第1區(qū)域1)的平整度。
之后，在步驟S2中，根據(jù)ArF晶片曝光裝置(尼康公司制)的掩模吸盤結(jié)構(gòu)和上述一片掩模基板主面的上述測(cè)定的平整度，利用有限元法對(duì)利用真空吸盤將上述一片掩?；屙樞蛭降紸rF晶片曝光裝置的掩模臺(tái)上時(shí)的掩?；宓闹髅娴钠秸冉?jīng)模擬而取得。另外，也可采用解析法代替有限元法。
接著，在步驟S3，判斷經(jīng)模擬取得的上述掩?；宓闹髅娴钠秸仁欠窈虾跻?guī)格，在判斷為合乎規(guī)格的場(chǎng)合，在步驟S4中，進(jìn)入曝光掩模制造工序。
另一方面，在步驟S3中，在判斷上述掩?；宓钠秸炔缓虾跻?guī)格的場(chǎng)合，在步驟S5中，剝離上述掩?；宓氖⒒迳系恼诠怏w薄膜。接著，在步驟S6中，對(duì)石英基板的表面進(jìn)行研磨。接著，在步驟7中，在石英基板的經(jīng)過研磨的表面上形成新的遮光體薄膜，返回到步驟S1的平整度測(cè)定。
本實(shí)施方案，也可與第1實(shí)施方案、第2實(shí)施方案、第3實(shí)施方案一樣，解決由于將掩?；逦降骄毓庋b置的掩模臺(tái)而使掩模基板的主面的平整度惡化所引起的制品成品率低的問題而實(shí)現(xiàn)有效的曝光掩模的制造方法。
另外，上述掩模基板，最好預(yù)先形成位置對(duì)準(zhǔn)用的標(biāo)記。另外，作為將掩?；逦降窖谀Ｅ_(tái)的裝置也不限于真空吸盤。
另外，例如，晶片曝光裝置也可以不是ArF晶片曝光裝置。另外，在掩模圖形形成之后，再測(cè)定掩?；宓闹髅娴钠秸?，從該測(cè)定數(shù)據(jù)通過模擬取得在將掩?；逯糜谄毓庋b置時(shí)的掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤钜部梢?。由此，在形成掩模圖形時(shí)生成的掩?；宓闹髅娴淖冃我部杉{入通過模擬取得的結(jié)果，可以管理更高精度的掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤罴捌秸?。此外，掩模也不限定ArF用或KRF用的，例如，也可應(yīng)用真空紫外線曝光用的反射型掩模、X射線曝光用掩模、電子束曝光掩模等掩模。
(第5實(shí)施方案)下面對(duì)本發(fā)明的第5實(shí)施方案的掩模基板信息生成方法予以說明。
本實(shí)施方案的掩?；逍畔⑸煞椒ò▽?duì)表1的11片掩模基板A～K的每一個(gè)，按照?qǐng)D1的流程圖的例如步驟S1～S3，取得主面的表面形狀和吸附前后的主面的平整度的工序；對(duì)11片掩模基板A～K，如表1所示，對(duì)應(yīng)列出掩?；搴捅砻嫘螤畹姆N類和平整度的值的工序；以及在個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)中存儲(chǔ)該對(duì)應(yīng)關(guān)系的工序。
此外，也可將存儲(chǔ)于個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)等之中的上述對(duì)應(yīng)關(guān)系顯示出來。具體而言，例如，可以在存放11片掩?；錋～K的容器上貼上印刷有顯示內(nèi)容的貼紙。
通過采用上述的對(duì)應(yīng)關(guān)系的顯示方法，可解決由于將掩?；逦降骄毓庋b置的掩模臺(tái)之后使掩模基板的主面的平整度惡化所引起的制品成品率低的問題，容易進(jìn)行有效的掩?；宓墓芾怼?br> 此外，在圖1的流程圖的步驟S2之后，在圖1的流程圖的步驟S2中取得的信息中，將表示主面的表面形狀為凸?fàn)畹男畔⒑团c其相對(duì)應(yīng)的掩?；逑鄬?duì)應(yīng)，通過將這種對(duì)應(yīng)關(guān)系存儲(chǔ)于個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)中，可實(shí)施與本實(shí)施方案的掩?；逍畔⑸煞椒ú煌难谀；逍畔⑸煞椒?。在此場(chǎng)合也可與本實(shí)施方案的掩?；逍畔⑸煞椒ㄍ瑯拥貙⒃搶?duì)應(yīng)關(guān)系利用貼紙等顯示，同樣可很容易地進(jìn)行掩?；宓墓芾?。
此處是以表1中的11片掩?；錋～K為例對(duì)掩模基板信息生成方法進(jìn)行說明的，對(duì)表2的13片掩模基板A～M也可以同樣地實(shí)施掩?；逍畔⑸伞?br> (第6實(shí)施方案)圖6為示出本發(fā)明的第6實(shí)施方案的服務(wù)器的示意圖。在第5實(shí)施方案中，作為顯示的示例舉出的是貼紙，在本實(shí)施方案中是顯示于服務(wù)器(服務(wù)器裝置)上，因此本實(shí)施方案的掩?；逍畔⑸煞椒蓱?yīng)用于電子商務(wù)(電子信函商務(wù))。
首先，例如，通過光纖11生成表示對(duì)應(yīng)關(guān)系的表1或表2或表3那樣的表，將包含其作為信息的頁(yè)面上傳到服務(wù)器12。服務(wù)器12將上述頁(yè)面存儲(chǔ)于硬盤等存儲(chǔ)單元中。
服務(wù)器12，通過因特網(wǎng)連接到多個(gè)客戶機(jī)(客戶機(jī)裝置)13。也可以以專線代替因特網(wǎng)?；蛘咭部梢允且蛱鼐W(wǎng)與專線的組合。
服務(wù)器12包括對(duì)來自客戶機(jī)13的要求提供上述頁(yè)面的消息進(jìn)行接收處理的眾所周知的單元；以提出要求的客戶機(jī)側(cè)可以顯示的形式對(duì)上述頁(yè)面進(jìn)行發(fā)送處理的單元；以及對(duì)從上述頁(yè)面發(fā)送到的上述客戶機(jī)13側(cè)發(fā)來的上述基板掩模的申請(qǐng)消息進(jìn)行處理的單元。這些眾所周知的單元，例如由局域網(wǎng)卡，存儲(chǔ)裝置，服務(wù)器軟件，CPU等構(gòu)成，將這些裝置協(xié)調(diào)起來進(jìn)行所希望的處理。
服務(wù)器12，如接收到來自客戶機(jī)13的要求提供上述頁(yè)面的消息，就向客戶機(jī)13發(fā)送在客戶機(jī)13的顯示器上顯示如圖6所示的畫面14所必需的信息。在畫面14中顯示有具有表1所示的內(nèi)容的表15，用來通過核選選擇所希望的基板的核選框16以及將買入在核選框16中核選的掩?；宓臎Q定傳送到服務(wù)器12決定圖標(biāo)17。在圖6中，為簡(jiǎn)單起見，示出的是具有示于表1的內(nèi)容的表15，也可以使用具有示于表2的內(nèi)容或示于表3的內(nèi)容的表。
根據(jù)本實(shí)施方案，因?yàn)榭梢再?gòu)入在將掩?；逦降狡毓庋b置的掩模臺(tái)之后平整度高的掩?；澹梢越鉀Q由于將掩?；逦降骄毓庋b置的掩模臺(tái)而使掩?；宓闹髅娴钠秸葠夯鸬闹破烦善仿实偷膯栴}，實(shí)現(xiàn)有效的服務(wù)器。
以上對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方案進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于這些實(shí)施方案。例如，在上述實(shí)施方案中，凸型形狀的掩?；瀚@得良好結(jié)果，但由于置放掩?；宓钠毓庋b置的不同，也有凹型形狀的掩?；瀚@得良好結(jié)果的場(chǎng)合。就是說，因?yàn)檎婵瘴胶蟮难谀；宓钠秸仁艿窖谀Ｎ脚_(tái)和掩模吸附面的形狀和性質(zhì)配合情況的很大影響，應(yīng)該選擇的主面的形狀隨所使用的掩模吸附臺(tái)而改變。
此外，在上述各實(shí)施方案中，是針對(duì)ArF晶片曝光裝置用的掩?；宓膱?chǎng)合進(jìn)行說明的，但作為其他的掩模基板也可以利用例如，KrF晶片曝光裝置用的掩?；?、真空紫外線曝光用的反射型掩模基板、X射線曝光用掩?；?、電子束曝光用掩?；宓取?br> 此外還有，在上述各實(shí)施方案中，包含各種階段的發(fā)明，通過公開的多個(gè)結(jié)構(gòu)要件的適宜組合可抽出多種發(fā)明。例如，在即使是從實(shí)施方案所示的全部結(jié)構(gòu)要件中去掉幾個(gè)結(jié)構(gòu)要件也可以解決在發(fā)明概述中提出的課題的場(chǎng)合，就可以將這種去掉結(jié)構(gòu)要件的結(jié)構(gòu)作為發(fā)明而抽出。此外，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，可實(shí)施種種變形。
如以上的詳細(xì)說明所述，根據(jù)本發(fā)明，可實(shí)現(xiàn)解決在將掩?；逦降骄毓庋b置的掩模臺(tái)后掩模基板的平整度惡化而引起晶片曝光裝置制品成品率低的問題的、有效的曝光掩模的制造方法，掩?；逍畔⑸煞椒?，半導(dǎo)體裝置的制造方法，掩?；澹毓庋谀＜胺?wù)器。
權(quán)利要求
1.一種掩?；宓钠秸饶M系統(tǒng)，其特征在于包括取得有關(guān)掩模基板的主面的平整性的第一信息的、測(cè)定基板的平整性的單元；以及取得由根據(jù)上述第一信息和與曝光裝置的掩模吸盤結(jié)構(gòu)有關(guān)的信息進(jìn)行的把上述掩?；逶O(shè)置于上述曝光裝置時(shí)的模擬得到的、有關(guān)上述主面的平整度的第二信息的單元。
2.如權(quán)利要求1所述的掩?；宓钠秸饶M系統(tǒng)，其特征在于在上述掩?；迳项A(yù)先形成有位置對(duì)準(zhǔn)用掩模。
3.如權(quán)利要求1所述的掩模基板的平整度模擬系統(tǒng)，其特征在于由上述模擬得到的上述第二信息的取得使用了有限元法。
4.如權(quán)利要求1或3所述的掩模基板的平整度模擬系統(tǒng)，其特征在于包括作成在吸附到曝光裝置的掩模臺(tái)上前取得的有關(guān)上述掩模基板主面的平整性的信息和由上述模擬取得的有關(guān)平整度的信息的對(duì)應(yīng)關(guān)系的單元。
5.如權(quán)利要求1或3所述的掩?；宓钠秸饶M系統(tǒng)，其特征在于包括判斷由模擬取得的上述掩?；宓钠秸仁欠窈虾跻?guī)格的單元。
6.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的掩?；宓钠秸饶M系統(tǒng)，其特征在于上述平整性是表面形狀、平整度、或表面形狀和平整度。
全文摘要
提供一種掩?；宓钠秸饶M系統(tǒng)，可以解決在將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺(tái)后掩?；宓钠秸葠夯鹁毓庋b置制品成品率低的問題。該掩?；宓钠秸饶M系統(tǒng)包括取得有關(guān)掩模基板的主面的平整性的第一信息的測(cè)定基板的平整性的單元；以及取得有關(guān)由根據(jù)上述第一信息和與曝光裝置的掩模吸盤結(jié)構(gòu)有關(guān)的信息進(jìn)行的把上述掩?；逶O(shè)置于上述曝光裝置時(shí)的模擬得到的有關(guān)上述主面的平整度的第二信息的單元。
文檔編號(hào)G03F1/60GK1652022SQ20051005607
公開日2005年8月10日 申請(qǐng)日期2002年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月31日
發(fā)明者伊藤正光 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝