專利名稱：用于連續(xù)側(cè)向結(jié)晶的掩膜及用此掩膜結(jié)晶非晶硅層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種掩膜，尤其是一種用于連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝的掩膜及用此掩膜結(jié)晶非晶硅層的方法。
背景技術(shù)：
近年來，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)由于其輕薄、省電、無輻射的優(yōu)點，而逐漸取代傳統(tǒng)顯像管(CRT)顯示器，廣泛應(yīng)用于桌上型計算機、個人數(shù)字助理器、筆記本電腦、數(shù)碼相機與移動電話等電子產(chǎn)品中。
請參照圖1所示，其為一典型主動矩陣式液晶顯示面板的示意圖。此液晶顯示面板10上具有多個像素元件12呈矩陣排列。每一個像素元件12連接至一個薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)14作為開關(guān)以控制像素元件12的充放電。此薄膜晶體管14的源極是通過一信號線16電連接至一源極驅(qū)動電路(未圖示)，而其柵極是通過一掃描線18電連接至一掃描驅(qū)動電路(未圖示)。由此，外界輸入的顯示信號可以轉(zhuǎn)換為源極驅(qū)動電壓Vs與掃描驅(qū)動電壓Vg分別輸入各個薄膜晶體管14的源極與柵極以產(chǎn)生畫面。
一般而言，受限于玻璃基板所能承受的溫度，直接制作于液晶顯示面板10上的薄膜晶體管14，是采用非晶硅(Amorphous Silicon)的設(shè)計。然而，非晶硅薄膜晶體管(Amorphous Thin Film Transistor，a-TFT)的開關(guān)速度、電性效果、以及可靠度，都不足以適應(yīng)驅(qū)動電路所需的高運算速度。因此，驅(qū)動電路必須使用多晶硅薄膜晶體管作為開關(guān)元件，而導(dǎo)致驅(qū)動電路必須制作于硅晶片上，并通過排線連接至液晶顯示面板10以控制像素元件12的顯示。
隨著液晶顯示面板的尺寸增大，傳統(tǒng)的非晶硅薄膜晶體管所具有的開關(guān)速度已逐漸不滿足使用。為了提升液晶顯示面板的顯示效果，同時，使驅(qū)動電路得以制作在顯示面板上來達(dá)到輕薄化的需求，必須設(shè)法在玻璃基板上制作多晶硅薄膜晶體管。因此，也必須設(shè)法在玻璃基板上制作高品質(zhì)的多晶硅層。
請參照圖2，其為一典型低溫多晶硅制備工藝的示意圖。如圖2中所示，一非晶硅層120形成于一基板100表面，激光在非晶硅層120的表面形成一熔融層122。此熔融層122下方尚未熔融的非晶硅材料作為結(jié)晶所需的晶種(Seed)向上成長形成晶粒126。然而，此工藝所能提供的晶粒126尺寸受限于熔融層122的厚度，而熔融層的厚度往往不及一微米，因此，無法有效提升薄膜晶體管的電性效果。
為了提高晶粒的尺寸，請參照圖3所示，在一典型側(cè)向結(jié)晶(LateralSolidification)工藝中，激光透過掩膜200熔融非晶硅層120的特定區(qū)域A，同時，還在此熔融區(qū)域A中產(chǎn)生橫向的熱梯度。此熔融區(qū)域A側(cè)邊尚未熔融的非晶硅材料作為晶種，往熔融區(qū)域A的中央成長以產(chǎn)生較大尺寸的晶粒128。
請參照圖4所示，其為一典型用于連續(xù)側(cè)向結(jié)晶(Sequential LateralSolidification，SLS)工藝的掩膜300的示意圖。如圖中所示，此掩膜300具有多個第一橫向狹縫310成行排列于掩膜300上，多個第二橫向狹縫320成行排列于掩膜300上，并且，每一個第一橫向狹縫310對齊相鄰二第二橫向狹縫320間的不透光區(qū)。
請參照圖5所示，其為一典型連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝的示意圖。在第一次激光熔融步驟中(如圖中虛線所示)，激光透過掩膜300上的第一橫向狹縫310與第二橫向狹縫320熔融非晶硅層。同時請參照圖6A，由于液態(tài)硅的密度(2.53g/cm3)大于固態(tài)硅的密度(2.33g/cm3)，因此，熔融硅的表面a落于未熔融硅表面b的下方。硅晶粒沿著熱梯度的方向由此熔融區(qū)域A1的兩側(cè)向中間成長。如圖6B所示，由于液態(tài)硅的密度大于固態(tài)硅的密度，因此，結(jié)晶后的硅會在熔融區(qū)域A1的中央處產(chǎn)生突起部分c。
在第二次激光照射步驟中，如圖5所示，掩膜300向右移動約等同于橫向狹縫320長度的距離，使移動后的第一橫向狹縫310’對準(zhǔn)熔融區(qū)域A1之間尚未結(jié)晶的部分。以使在第一次激光照射步驟中，相對應(yīng)于相鄰第二狹縫320間而受到遮蔽的非晶硅層，在第二次激光照射步驟中受到激光照射熔融。同時請參照圖6C所示，掩膜移動之后，原先對準(zhǔn)第二狹縫320而熔融的部分非晶硅層120(即圖6A中的熔融區(qū)域A1)受到掩膜300的遮蔽，而原先受到遮蔽的部分A2受到激光照射熔融。同樣的，如圖6D所示，由于液態(tài)硅的密度大于固態(tài)硅的密度，因此，在熔融區(qū)域A2的側(cè)邊處將形成凹谷部分d，而在熔融區(qū)域A2的中央處將產(chǎn)生突起部分c。
此形成于多晶硅表面的突起將影響后續(xù)絕緣層的覆蓋效果，除了可能造成漏電流上升外，甚至可能導(dǎo)致絕緣層的擊穿。為了降低此突起的高度，以避免后續(xù)工藝的困難，一典型的方法是利用激光全面熔融多晶硅層的表面，使多晶硅層再流動(re-flow)以達(dá)到平坦化的目的。然而，此方法也同時也會熔融凹谷部分，而容易造成聚塊作用(agglomeration)導(dǎo)致多晶硅層的破洞。
于是，本發(fā)明提供一種應(yīng)用于連續(xù)側(cè)向結(jié)晶的掩膜，可以有效降低突起的高度，并且避免聚塊作用的導(dǎo)致多晶硅層的破洞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于降低連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝形成于多晶硅層表面的突起，以改善后續(xù)工藝的覆蓋效果。
為實現(xiàn)所述的目的，本發(fā)明提供一種用于連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝的掩膜，此掩膜包括至少一橫向延伸的第一狹縫、至少一橫向延伸的第二狹縫、至少一橫向延伸的第三狹縫與至少一橫向延伸的第四狹縫。其中，第二狹縫位于第一狹縫的延伸方向，并且，第一狹縫的寬度大于第二狹縫的寬度。第四狹縫位于第三狹縫的延伸方向，并且，第四狹縫的寬度大于第三狹縫的寬度。
在本發(fā)明的一實施例中，第三狹縫是沿著第一狹縫的長邊，排列于第一狹縫之側(cè)。
在本發(fā)明的一實施例中，第三狹縫是沿著第二狹縫的長邊，排列于第二狹縫之側(cè)。
此外，本發(fā)明還提供一種結(jié)晶非晶硅層的方法。此方法至少包括下列步驟(a)提供一基板。(b)制作一非晶硅層于基板上。(c)將一掩膜對準(zhǔn)基板；此掩膜具有多個橫向延伸的狹縫，包括一第一狹縫、一第二狹縫、一第三狹縫與一第四狹縫；其中，第二狹縫位于第一狹縫的延伸方向上，第三狹縫沿著第一狹縫的長邊并排于第一狹縫之側(cè)；第四狹縫位于第三狹縫的延伸方向上；并且，第一狹縫的寬度大于第二狹縫的寬度，第四狹縫的寬度大于第三狹縫的寬度。(d)通過此掩膜熔融上述非晶硅層，以在非晶硅層中產(chǎn)生多個第一結(jié)晶區(qū)域，對應(yīng)至掩膜上的第一狹縫與第四狹縫。(e)橫向移動掩膜或基板，使第二狹縫與第三狹縫對準(zhǔn)上述第一結(jié)晶區(qū)域的中央突起部分。(f)通過掩膜熔融非晶硅層，以降低第一結(jié)晶區(qū)域的中央突起部分的高度，并且在非晶硅層中產(chǎn)生多個第二結(jié)晶區(qū)域，對應(yīng)至掩膜上的第一狹縫與第四狹縫。
根據(jù)本發(fā)明，可以局部熔融多晶硅層表面的突起部分，來達(dá)到平坦化多晶硅層的目的，以改善后續(xù)絕緣層的覆蓋效果；并且避免激光照射到多晶硅層表面的凹谷部分，因而可以避免多晶硅層產(chǎn)生破洞。


圖1為一典型主動矩陣式液晶顯示面板的示意圖；圖2為一典型低溫多晶硅制備工藝的示意圖；圖3為在一典型側(cè)向結(jié)晶(Lateral Solidification)工藝；圖4為一典型用于連續(xù)側(cè)向結(jié)晶(Sequential Lateral Solidification，SLS)工藝的掩膜的示意圖；圖5為一典型連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝的俯視示意圖；圖6A至圖6D為一典型連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝的剖面示意圖；圖7A為本發(fā)明用于連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝的掩膜的一較佳實施例的俯視圖；圖7B為使用圖7A的掩膜進(jìn)行連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝的俯視示意圖；圖7C為使用圖7A的掩膜形成于非晶硅層中的多晶硅結(jié)構(gòu)的示意圖；圖8A至圖8C為本發(fā)明連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝的剖面示意圖；圖9A為本發(fā)明用于連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝的掩膜另一較佳實施例的俯視圖；
圖9B為使用圖9A的掩膜進(jìn)行連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝的俯視示意圖；圖9C為使用圖9A的掩膜形成于非晶硅層中的多晶硅結(jié)構(gòu)的示意圖；圖10A為本發(fā)明第二狹縫一較佳實施例的示意圖；圖10B為本發(fā)明第二狹縫另一較佳實施例的示意圖。
主要附圖標(biāo)號說明液晶顯示面板10 像素元件12薄膜晶體管14信號線16掃描線18非晶硅層120基板100 熔融層122晶粒126、128掩膜200、300第一狹縫310、310’ 第二狹縫320、320’掩膜400、500第一狹縫410、410’、510、510’、510”第二狹縫420、420’、520、520’、520”、420a、420b第三狹縫430、430’、530，530’、530”、430a、430b第四狹縫440、440’、540、540’、540”中央突起部分c 第一結(jié)晶區(qū)域A1第二結(jié)晶區(qū)域A2 透光區(qū)域422、424、432、43具體實施方式
關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點與精神可以通過以下的發(fā)明詳述及所附圖式得到進(jìn)一步的了解。
請參照圖7A，其為本發(fā)明用于連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝的掩膜400一較佳實施例的俯視圖。如圖中所示，此掩膜400包括至少一橫向延伸的第一狹縫410、至少一橫向延伸的第二狹縫420、至少一橫向延伸的第三狹縫430與至少一橫向延伸的第四狹縫440。
各個第一狹縫410縱向排列于掩膜400上。各個第二狹縫420縱向排列于掩膜400上，并且，分別位于第一狹縫410的延伸方向上。各個第三狹縫430縱向排列于掩膜400上。各個第四狹縫440縱向排列于掩膜400上，并且，分別位于第三狹縫430的延伸方向。第三狹縫430沿著第一狹縫410的長邊，排列于第一狹縫410之側(cè)。也就是，第三狹縫430位于相鄰二第一狹縫410之間。第二狹縫420沿著第四狹縫440的長邊，排列于第四狹縫440之側(cè)。也就是，第二狹縫420位于相鄰二第四狹縫440之間。
請參照圖8A至圖8C所示，其為使用圖7A的掩膜進(jìn)行連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝的示意圖。首先，提供一基板100并制作一非晶硅層120于此基板100上。隨后，如圖8A所示，將本發(fā)明的掩膜400對準(zhǔn)基板100，并且，透過此掩膜400以激光光源熔融基板100上的非晶硅層120。此熔融過程在非晶硅層120中產(chǎn)生多個第一結(jié)晶區(qū)域A1，分別對應(yīng)至掩膜上的第一狹縫410與第四狹縫440(請一并參照圖7B的虛線部分)。
接下來，如圖8B所示，橫向移動掩膜400或基板100，使掩膜400上的第二狹縫420與第三狹縫430對準(zhǔn)上述第一結(jié)晶區(qū)域A1的中央突起部分c(請一并參照圖7B的實線部份)。然后，透過掩膜400以激光光源熔融非晶硅層120。在此熔融過程中，激光是透過第二狹縫420與第三狹縫430熔融第一結(jié)晶區(qū)域A1的中央突起部分c；同時，激光亦在此非晶硅層中產(chǎn)生多個第二結(jié)晶區(qū)域A2對應(yīng)至第一狹縫410與第四狹縫440。因此，如圖8C所示，經(jīng)過此熔融過程，可以有效且局部的降低中央突起部分的高度(如圖中B3所示)。同時請參照圖7C所示，經(jīng)過連續(xù)橫向移動掩膜400或基板100，即可在非晶硅層的表面全面形成一多晶硅層。
請參照圖8B所示，為了控制激光的熔融范圍，使之局限于第一結(jié)晶區(qū)域A1的中央突起部分c，以避免對第一結(jié)晶區(qū)域A1的其它部分產(chǎn)生不利的影響。本發(fā)明的第一狹縫410的寬度至少必須大于第二狹縫420的寬度，且第四狹縫440的寬度至少必須大于第三狹縫430的寬度。又，就本發(fā)明的一較佳實施例而言，第一狹縫410的寬度至少達(dá)到第二狹縫420的寬度的5倍，且第四狹縫440的寬度至少達(dá)到第三狹縫430的寬度的5倍。
其次，為了確保形成于非晶硅層的晶粒長度均勻，第一狹縫410的尺寸與第四狹縫440的尺寸最好相同，而第二狹縫420的尺寸與第三狹縫430的尺寸也最好相同。同時，第二狹縫420的中心線必須對準(zhǔn)第一狹縫410的中心線，而第三狹縫430的中心線必須對準(zhǔn)第四狹縫440的中心線，以確保掩膜橫向移動后，第二狹縫420與第三狹縫430可以對準(zhǔn)第一結(jié)晶區(qū)域A1的中央突起部分c。此外，第四狹縫440的寬度必須大于相鄰二第一狹縫410的間距，而第一狹縫410的寬度必須大于相鄰二第四狹縫440的間距，以確保此非晶硅層的全部表面均受有激光的照射，避免非晶硅區(qū)域殘留。
此外，為了避免激光光源透過第二狹縫420與第三狹縫430照射至非晶硅層的能量過高，而影響中央凸起部分周圍的平坦區(qū)域B2、B1(請同時參照圖8C)。請參照圖10A所示，此第二狹縫420a可以由多個透光區(qū)域422橫向排列而構(gòu)成。激光通過這些透光區(qū)域422后，通過繞射作用，使光能量的分布范圍如同激光通過圖7A的第二狹縫420一般，只是通過透光區(qū)域422的總光能量較小。也因此，在同一道激光熔融步驟中，激光通過此實施例的第二狹縫420a照射至非晶硅層的單位面積能量，必然小于激光通過第一狹縫410照射至非晶硅層的單位面積能量。又，請參照圖10B所示，此第二狹縫420b也可以由多個狹長的透光區(qū)域424縱向排列而成，以使激光通過此狹縫420b照射至非晶硅層的單位面積能量小于激光通過第一狹縫410照射至非晶硅層的單位面積能量。并且，前述應(yīng)用于第二狹縫420a，420b的設(shè)計，亦可應(yīng)用于第三狹縫430a與第三狹縫430b。
就連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝而言，掩膜上的圖案通常經(jīng)過一定的縮小比例x，才投影于非晶硅層上。又，如所8C示，透過此連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝所形成的晶粒長度，略大于第一結(jié)晶區(qū)域A1寬度的一半。因此，掩膜上第一狹縫410的寬度，至少是所欲長成的晶粒長度L除以掩膜投影縮小比例x的2倍。而第四狹縫440的寬度也至少是所欲長成的晶粒長度L除以掩膜投影縮小比例x的2倍。進(jìn)一步來說，形成的晶粒長度是約等于第一狹縫410(或第四狹縫440)寬度的一半與相鄰二第一狹縫410(或相鄰二第四狹縫440)間距之和，再乘以掩膜投影縮小比例x。
請參照9A圖所示，其為本發(fā)明用于連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝的掩膜500另一較佳實施例的俯視圖。相對于圖7A的實施例，本實施例的第二狹縫520位于第一狹縫510的左側(cè)，第三狹縫530位于第四狹縫540的左側(cè)。并且，第三狹縫530沿著第二狹縫520的長邊，排列于第二狹縫520之側(cè)。
請參照圖9B與圖9C所示，其為使用圖9A的掩膜500進(jìn)行連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝中，掩膜500的移動以及形成于非晶硅層中的多晶硅結(jié)構(gòu)的示意圖。相對于圖8A至圖8C的連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝，可區(qū)分為兩道熔融步驟重復(fù)進(jìn)行(請參照圖7B的虛線部分與實線部分)；本實施例的工藝區(qū)分為三道熔融步驟(分別對應(yīng)于圖9B的虛線部份、實線部份與填滿區(qū)域部分)。在第一道熔融步驟中，激光光源透過第一狹縫510與第四狹縫440形成多個第一結(jié)晶區(qū)域。在第二道熔融步驟中，激光光源透過第二狹縫520’，熔融對應(yīng)至第一狹縫510的第一結(jié)晶區(qū)域的中央突起部分。在第三道熔融步驟中，激光光源才能透過第三狹縫530”，熔融對應(yīng)至第四狹縫540的第一結(jié)晶區(qū)域的中央突起部分。
值得注意的是，雖然本實施例所使用的掩膜500不同于圖7A的掩膜400，但是，請參照圖9C所示，透過本實施例的掩膜所形成的多晶硅結(jié)構(gòu)，與圖7C所示，使用圖7A的掩膜所形成的多晶硅結(jié)構(gòu)，并無明顯差異。
通過傳統(tǒng)側(cè)向結(jié)晶工藝所制作的多晶硅層120，如圖6D所示，無可避免的會在多晶硅層120的表面會形成明顯突起c。此突起c將影響后續(xù)絕緣層的覆蓋效果，除了可能造成漏電流上升外，甚至可能導(dǎo)致絕緣層的擊穿。相比之下，如圖8B與圖8C所示，使用本發(fā)明的掩膜400所進(jìn)行的側(cè)向結(jié)晶工藝，可以局部熔融多晶硅層120表面的突起部分c，來達(dá)到平坦化多晶硅層120的目的，以改善后續(xù)絕緣層的覆蓋效果。
此外，傳統(tǒng)方法為了解決此問題，必須利用激光全面熔融多晶硅層120的表面，使多晶硅材料再流動(re-flow)以降低突起c的高度。然而，使用此種方法，激光必然會同時照射到多晶硅層120表面的凹谷部分d，而容易因聚塊作用的產(chǎn)生導(dǎo)致多晶硅層120產(chǎn)生破洞。相比之下，使用本發(fā)明的掩膜，可以局部熔融多晶硅層120表面的突起部分c，避免激光照射到多晶硅層表面的凹谷部分d，因而可以避免多晶硅層120產(chǎn)生破洞。
以上所述利用較佳實施例詳細(xì)說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明的范圍，而且本領(lǐng)域的技術(shù)人員皆能明了，適當(dāng)而作些微的改變及調(diào)整，仍將不脫離本發(fā)明的要義所在，均應(yīng)該包含在本發(fā)明的精神和保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于連續(xù)側(cè)向結(jié)晶工藝的掩膜，其特征在于包括至少一橫向延伸的第一狹縫；至少一橫向延伸的第二狹縫，位于所述第一狹縫的延伸方向，并且，所述第一狹縫的寬度大于所述第二狹縫的寬度；至少一橫向延伸的第三狹縫；以及至少一橫向延伸的第四狹縫，位于所述第三狹縫的延伸方向，并且，所述第四狹縫的寬度大于所述第三狹縫的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜，其特征在于所述第三狹縫沿著所述第一狹縫的長邊，并排于所述第一狹縫之側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜，其特征在于所述第三狹縫沿著所述第二狹縫的長邊，并排于所述第二狹縫之側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜，其特征在于所述第三狹縫位于相鄰二第一狹縫間，并且所述第四狹縫的寬度大于相鄰二第一狹縫的間距。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜，其特征在于所述第二狹縫的中心線對準(zhǔn)所述第一狹縫的中心線，且所述第三狹縫的中心線對準(zhǔn)所述第四狹縫的中心線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜，其特征在于所述第一狹縫的尺寸與所述第四狹縫的尺寸相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜，其特征在于所述第二狹縫的尺寸與所述第三狹縫的尺寸相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜，其特征在于所述第一狹縫的寬度至少是所述第二狹縫的寬度的5倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜，其特征在于所述第四狹縫的寬度至少是所述第三狹縫的寬度的5倍。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜，其特征在于所述第一狹縫或所述第四狹縫的寬度至少是所欲形成的晶粒長度除以所述掩膜投影縮小比例的2倍。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜，其特征在于所述第二狹縫是由多個透光區(qū)域橫向排列而成，以使激光通過所述第二狹縫的單位面積能量小于激光通過所述第一狹縫的單位面積能量。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜，其特征在于所述第三狹縫是由多個狹長的透光區(qū)域縱向排列而成，以使激光通過所述第三狹縫的單位面積能量小于激光通過所述第四狹縫的單位面積能量。
13.一種結(jié)晶非晶硅層的方法，其特征在于至少包括下列步驟提供一基板；制作一非晶硅層于所述基板上；將一掩膜對準(zhǔn)所述基板；所述掩膜具有多個橫向延伸的狹縫，其中包括一第一狹縫、一第二狹縫、一第三狹縫與一第四狹縫，所述第二狹縫位于所述第一狹縫的延伸方向上，所述第三狹縫沿著所述第一狹縫的長邊，并排于所述第一狹縫之側(cè)，所述第四狹縫位于所述第三狹縫的延伸方向上，所述第一狹縫的寬度大于所述第二狹縫的寬度，所述第四狹縫的寬度大于所述第三狹縫的寬度；透過所述掩膜熔融所述非晶硅層，以在所述非晶硅層中產(chǎn)生多個第一結(jié)晶區(qū)域，對應(yīng)至所述第一狹縫與所述第四狹縫；橫向移動所述掩膜或所述基板，使所述第二狹縫與所述第三狹縫對準(zhǔn)所述第一結(jié)晶區(qū)域的中央突起部分；以及透過所述掩膜熔融所述非晶硅層，以降低所述第一結(jié)晶區(qū)域的中央突起部分的高度，并且在所述非晶硅層中產(chǎn)生多個第二結(jié)晶區(qū)域，對應(yīng)至所述第一狹縫與所述第四狹縫。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于所述掩膜橫向移動的距離等同于所述第一狹縫的長度，以使所述第二狹縫與所述第四狹縫對準(zhǔn)所述些第一結(jié)晶區(qū)域的中央突起部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于所述第一狹縫的尺寸與所述第四狹縫的尺寸相同，且所述第二狹縫的尺寸與所述第三狹縫的尺寸相同。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于連續(xù)側(cè)向結(jié)晶的掩膜及用掩膜結(jié)晶非晶硅層的方法，所述掩膜包括至少一橫向延伸的第一狹縫、至少一橫向延伸的第二狹縫、至少一橫向延伸的第三狹縫與至少一橫向延伸的第四狹縫。其中，第二狹縫位于第一狹縫的延伸方向，并且，第一狹縫的寬度大于第二狹縫的寬度。第四狹縫位于第三狹縫的延伸方向，并且，第四狹縫的寬度大于第三狹縫的寬度。根據(jù)本發(fā)明，可以局部熔融多晶硅層表面的突起部分，來達(dá)到平坦化多晶硅層的目的，以改善后續(xù)絕緣層的覆蓋效果；并且避免激光照射到多晶硅層表面的凹谷部分，因而可以避免多晶硅層產(chǎn)生破洞。
文檔編號G02F1/1368GK1909189SQ20051008906
公開日2007年2月7日 申請日期2005年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月3日
發(fā)明者孫銘偉 申請人:友達(dá)光電股份有限公司